JPH06232333A - 半導体素子評価パッケージ - Google Patents
半導体素子評価パッケージInfo
- Publication number
- JPH06232333A JPH06232333A JP1306693A JP1306693A JPH06232333A JP H06232333 A JPH06232333 A JP H06232333A JP 1306693 A JP1306693 A JP 1306693A JP 1306693 A JP1306693 A JP 1306693A JP H06232333 A JPH06232333 A JP H06232333A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- substrate
- refractive index
- terminating resistor
- evaluation package
- Prior art date
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- Pending
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子と終端抵抗とが回路的に並列に実
装される半導体素子パッケージにおいて、実装後の半導
体素子と終端抵抗間の電気長の調整が行えるパッケージ
を得る。 【構成】 信号を伝達する伝送線路１０８の基板材料に
電気光学効果を有する材料を用い、該電気光学材料に電
界を印加することにより、屈折率変化を誘起し、伝送線
路を伝搬中の信号の波長を変化させ、実装後の半導体素
子１０１と終端抵抗１０２との間の電気長を変えること
ができる。 【効果】 素子実装後において、素子特性が最適となる
ように、素子と終端抵抗間の電気長の調整をできる効果
を持つ。
装される半導体素子パッケージにおいて、実装後の半導
体素子と終端抵抗間の電気長の調整が行えるパッケージ
を得る。 【構成】 信号を伝達する伝送線路１０８の基板材料に
電気光学効果を有する材料を用い、該電気光学材料に電
界を印加することにより、屈折率変化を誘起し、伝送線
路を伝搬中の信号の波長を変化させ、実装後の半導体素
子１０１と終端抵抗１０２との間の電気長を変えること
ができる。 【効果】 素子実装後において、素子特性が最適となる
ように、素子と終端抵抗間の電気長の調整をできる効果
を持つ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体素子評価パッケ
ージに関し、特に５０Ω終端を有するパッケージに関す
るものである。
ージに関し、特に５０Ω終端を有するパッケージに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、例えば電子通信学会論文誌Ｃ−
Ｉ Vol. J74-C-I No.11 pp.414-420に示された高速Ｉｎ
ＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多重量子井戸光変調器の周波数
応答特性の測定ブロック図である。測定においては、パ
ッケージ上に多重量子井戸光変調器１０１と５０Ωの終
端抵抗１０２とが並列に実装される。
Ｉ Vol. J74-C-I No.11 pp.414-420に示された高速Ｉｎ
ＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多重量子井戸光変調器の周波数
応答特性の測定ブロック図である。測定においては、パ
ッケージ上に多重量子井戸光変調器１０１と５０Ωの終
端抵抗１０２とが並列に実装される。
【０００３】図４は光変調器１０１が実装された評価パ
ッケージの外観図である。図４において、１０１は多重
量子井戸光変調器、１０３及び１０４はコネクタ、１０
５及び１０６はアルミナ基板を用いた特性インピーダン
ス５０Ωのコプレーナウェーブガイドのグランド線及び
信号線である。光変調器１０１の上面電極とコプレーナ
ウェーブガイドのグランド線１０５間はワイヤで結線さ
れている。
ッケージの外観図である。図４において、１０１は多重
量子井戸光変調器、１０３及び１０４はコネクタ、１０
５及び１０６はアルミナ基板を用いた特性インピーダン
ス５０Ωのコプレーナウェーブガイドのグランド線及び
信号線である。光変調器１０１の上面電極とコプレーナ
ウェーブガイドのグランド線１０５間はワイヤで結線さ
れている。
【０００４】コネクタ１０３及び１０４のいずれか一方
に、５０Ω終端抵抗が装着される。以上のようにして、
図３に示される測定ブロック図のように、光変調器１０
１と終端抵抗１０２とが並列に実装されている。ここ
で、終端抵抗は信号入力部と光変調器とのインピーダン
ス整合をとる働きを行っている。
に、５０Ω終端抵抗が装着される。以上のようにして、
図３に示される測定ブロック図のように、光変調器１０
１と終端抵抗１０２とが並列に実装されている。ここ
で、終端抵抗は信号入力部と光変調器とのインピーダン
ス整合をとる働きを行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のパッケージは以
上のように構成されているので、光変調器は終端抵抗に
対して一定距離ｌだけ離れた位置に実装せざるを得な
い。
上のように構成されているので、光変調器は終端抵抗に
対して一定距離ｌだけ離れた位置に実装せざるを得な
い。
【０００６】一方、光変調器の周波数応答特性は距離ｌ
に対して依存性を持つ。それにもかかわらず、一旦光変
調器がパッケージにハンダ等で実装されてしまうと、こ
の距離ｌを変えることは困難であるという問題点があっ
た。
に対して依存性を持つ。それにもかかわらず、一旦光変
調器がパッケージにハンダ等で実装されてしまうと、こ
の距離ｌを変えることは困難であるという問題点があっ
た。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、実装後においても半導体素子と
終端抵抗との電気長を変えることができ、半導体素子の
特性を実装後に調整できる半導体素子評価パッケージを
提供することを目的とする。
ためになされたもので、実装後においても半導体素子と
終端抵抗との電気長を変えることができ、半導体素子の
特性を実装後に調整できる半導体素子評価パッケージを
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、半導体素子
と終端抵抗とを回路的に並列に実装して上記半導体素子
の特性評価を行う半導体素子評価パッケージにおいて、
上記半導体素子と上記終端抵抗との間の電気長を、該パ
ッケージの基板材質の屈折率変化により変化させる手段
を備えたものである。
と終端抵抗とを回路的に並列に実装して上記半導体素子
の特性評価を行う半導体素子評価パッケージにおいて、
上記半導体素子と上記終端抵抗との間の電気長を、該パ
ッケージの基板材質の屈折率変化により変化させる手段
を備えたものである。
【０００９】また、この発明は、上記半導体素子評価パ
ッケージにおいて、該パッケージの伝送線路の基板をＬ
ｉＮｂＯ3 等の電気光学効果を有する材料とし、上記屈
折率変化手段を、該基板に電界を印加する手段としたも
のである。
ッケージにおいて、該パッケージの伝送線路の基板をＬ
ｉＮｂＯ3 等の電気光学効果を有する材料とし、上記屈
折率変化手段を、該基板に電界を印加する手段としたも
のである。
【００１０】また、この発明は、上記半導体素子評価パ
ッケージにおいて、該パッケージの伝送線路の基板をソ
ーダガラス等の熱光学効果を有する材料とし、上記屈折
率変化手段を、該基板を加熱する手段としたものであ
る。
ッケージにおいて、該パッケージの伝送線路の基板をソ
ーダガラス等の熱光学効果を有する材料とし、上記屈折
率変化手段を、該基板を加熱する手段としたものであ
る。
【００１１】
【作用】この発明においては、伝送線路の基板に電気光
学効果を有する材料を用いているため、この基板に電界
を印加することにより屈折率変化を誘起することができ
る。伝送線路を伝搬する信号の実効長は基板の屈折率の
関数で決まるため、実質的に半導体素子と終端抵抗間の
距離ｌを印加する電圧により変えることができる。
学効果を有する材料を用いているため、この基板に電界
を印加することにより屈折率変化を誘起することができ
る。伝送線路を伝搬する信号の実効長は基板の屈折率の
関数で決まるため、実質的に半導体素子と終端抵抗間の
距離ｌを印加する電圧により変えることができる。
【００１２】また、この発明においては、伝送線路の基
板に熱光学効果を有する材料を用いているため、この基
板を加熱することにより屈折率変化を誘起することがで
きる。伝送線路を伝搬する信号の実効長は基板の屈折率
の関数で決まるため、実質的に半導体素子と終端抵抗間
の距離ｌを印加する熱の温度により変えることができ
る。
板に熱光学効果を有する材料を用いているため、この基
板を加熱することにより屈折率変化を誘起することがで
きる。伝送線路を伝搬する信号の実効長は基板の屈折率
の関数で決まるため、実質的に半導体素子と終端抵抗間
の距離ｌを印加する熱の温度により変えることができ
る。
【００１３】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１において、１０１は多重量子井戸
光変調器、１０２は５０Ω終端抵抗、１０３及び１０４
はコネクタ、１０７はＬｉＮｂＯ3 基板、１０８はＬｉ
ＮｂＯ3基板上に作製したストリップライン、１０９は
ＬｉＮｂＯ3 基板裏に作製したグランド電極、１１０は
ＬｉＮｂＯ3 基板上に作製した電界印加用の電極、１１
１はＬｉＮｂＯ3 基板１０７に形成されたバイアホール
で、グランド電極１０９と接続されている。光変調器１
０１はストリップライン１０８上にハンダ材等を用いて
実装され、光変調器の上面電極とバイアホール１１１間
はワイヤで結線される。
ついて説明する。図１において、１０１は多重量子井戸
光変調器、１０２は５０Ω終端抵抗、１０３及び１０４
はコネクタ、１０７はＬｉＮｂＯ3 基板、１０８はＬｉ
ＮｂＯ3基板上に作製したストリップライン、１０９は
ＬｉＮｂＯ3 基板裏に作製したグランド電極、１１０は
ＬｉＮｂＯ3 基板上に作製した電界印加用の電極、１１
１はＬｉＮｂＯ3 基板１０７に形成されたバイアホール
で、グランド電極１０９と接続されている。光変調器１
０１はストリップライン１０８上にハンダ材等を用いて
実装され、光変調器の上面電極とバイアホール１１１間
はワイヤで結線される。
【００１４】次に動作について説明する。信号源から発
せられた信号電圧はコネクタ１０３を介し、ＬｉＮｂＯ
3 基板上に作製したストリップライン１０８を伝搬した
後、光変調器１０１の裏面電極に印加される。光変調器
１０１の上面はバイアホール１１１でグランドに接地さ
れており、素子は電圧変調される。信号源の出力インピ
ーダンスは一般に５０Ωであり、ストリップライン１０
８のインピーダンスも５０Ωとなるように作製されてい
る。これに対し、光変調器１０１は寄生インピーダンス
を持ち、また高抵抗のデバイスであるため、インピーダ
ンスの不整合が生ずる。このインピーダンスの不整合を
緩和するため、コネクタ１０４に５０Ωの終端抵抗１０
２が取り付けられている。整合状態は終端抵抗１０２と
光変調素子１０１間の距離ｌに依存する。
せられた信号電圧はコネクタ１０３を介し、ＬｉＮｂＯ
3 基板上に作製したストリップライン１０８を伝搬した
後、光変調器１０１の裏面電極に印加される。光変調器
１０１の上面はバイアホール１１１でグランドに接地さ
れており、素子は電圧変調される。信号源の出力インピ
ーダンスは一般に５０Ωであり、ストリップライン１０
８のインピーダンスも５０Ωとなるように作製されてい
る。これに対し、光変調器１０１は寄生インピーダンス
を持ち、また高抵抗のデバイスであるため、インピーダ
ンスの不整合が生ずる。このインピーダンスの不整合を
緩和するため、コネクタ１０４に５０Ωの終端抵抗１０
２が取り付けられている。整合状態は終端抵抗１０２と
光変調素子１０１間の距離ｌに依存する。
【００１５】次に、距離ｌを変化させる動作について説
明する。屈折率ｎの誘電体基板内を伝搬する信号の波長
λは真空中での波長をλ’とすると次式で示される。 λ’＝λ／ｎ …(1) よって、信号が伝搬する基板の屈折率ｎを変化させれ
ば、伝搬中の信号の波長を変えることができる。
明する。屈折率ｎの誘電体基板内を伝搬する信号の波長
λは真空中での波長をλ’とすると次式で示される。 λ’＝λ／ｎ …(1) よって、信号が伝搬する基板の屈折率ｎを変化させれ
ば、伝搬中の信号の波長を変えることができる。
【００１６】図１において、信号源から発せられた信号
はＬｉＮｂＯ3 基板１０７内を伝搬する。ＬｉＮｂＯ3
基板は電気光学効果を持つ材料であるため、ＬｉＮｂＯ
3 基板上に作製した電界印加用の電極に電圧を印加する
ことにより、誘電率変動を誘起し、屈折率変動が生じ
る。結果として、(1) 式に従い、伝搬信号の波長を変化
させることができる。これは光変調器１０１と終端抵抗
１０２間の距離ｌを実質的に変化できることを示す。
はＬｉＮｂＯ3 基板１０７内を伝搬する。ＬｉＮｂＯ3
基板は電気光学効果を持つ材料であるため、ＬｉＮｂＯ
3 基板上に作製した電界印加用の電極に電圧を印加する
ことにより、誘電率変動を誘起し、屈折率変動が生じ
る。結果として、(1) 式に従い、伝搬信号の波長を変化
させることができる。これは光変調器１０１と終端抵抗
１０２間の距離ｌを実質的に変化できることを示す。
【００１７】このような本実施例１による半導体素子評
価パッケージでは、電極１１０に印加する電圧により、
基板１０７の屈折率を変化させ、これにより光変調器１
０１と終端抵抗１０２との間の距離ｌを実質的に変える
ことができる効果がある。
価パッケージでは、電極１１０に印加する電圧により、
基板１０７の屈折率を変化させ、これにより光変調器１
０１と終端抵抗１０２との間の距離ｌを実質的に変える
ことができる効果がある。
【００１８】なお、上記実施例では、基板１０７に電気
光学材料としてＬｉＮｂＯ3 を用いているが、これはＫ
ＤＰ，ＫＴＴ等の他の電気光学材料を用いてもよく、上
記と同様の効果が得られる。
光学材料としてＬｉＮｂＯ3 を用いているが、これはＫ
ＤＰ，ＫＴＴ等の他の電気光学材料を用いてもよく、上
記と同様の効果が得られる。
【００１９】実施例２．次に、図２は本発明の第２の実
施例を示し、実施例１の基板にソーダガラス等の熱光学
材料１１４を用い、該基板上にＴｉ薄膜ヒータ１１３を
備えた構成とする。
施例を示し、実施例１の基板にソーダガラス等の熱光学
材料１１４を用い、該基板上にＴｉ薄膜ヒータ１１３を
備えた構成とする。
【００２０】本実施例２においては、信号源から発せら
れた信号はソーダガラス基板１１４内を伝搬する。ソー
ダガラス基板は熱光学効果を持つ材料であるため、ソー
ダガラス基板上に作製したＴｉ薄膜ヒータ１１３の熱を
印加することにより、誘電率変動を誘起し、屈折率変動
が生じ、これにより伝搬信号の波長を変化させることが
できる。これは光変調器１０１と終端抵抗１０２間の距
離ｌを実質的に変化できることを示す。
れた信号はソーダガラス基板１１４内を伝搬する。ソー
ダガラス基板は熱光学効果を持つ材料であるため、ソー
ダガラス基板上に作製したＴｉ薄膜ヒータ１１３の熱を
印加することにより、誘電率変動を誘起し、屈折率変動
が生じ、これにより伝搬信号の波長を変化させることが
できる。これは光変調器１０１と終端抵抗１０２間の距
離ｌを実質的に変化できることを示す。
【００２１】このような本実施例２による半導体素子評
価パッケージでは、Ｔｉ薄膜ヒータ１１３に印加する熱
の温度により、基板１１４の屈折率を変化させ、これに
より光変調器１０１と終端抵抗１０２との間の距離ｌを
実質的に変えることができる効果がある。
価パッケージでは、Ｔｉ薄膜ヒータ１１３に印加する熱
の温度により、基板１１４の屈折率を変化させ、これに
より光変調器１０１と終端抵抗１０２との間の距離ｌを
実質的に変えることができる効果がある。
【００２２】なお、上記第１および第２の実施例では、
実装される半導体素子に多重量子井戸光変調器を用いて
いるが、これは他の半導体素子を用いてもよく、上記と
同様の効果が得られる。
実装される半導体素子に多重量子井戸光変調器を用いて
いるが、これは他の半導体素子を用いてもよく、上記と
同様の効果が得られる。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、この発明にかかる半導体
素子評価パッケージによれば、伝送線路の基板に電気光
学効果または熱光学効果を有する材料を用いたため、こ
れらの材料への電界または熱の印加により、基板材質の
屈折率が変化することによって、素子と終端抵抗との間
の電気長を変えることができ、これにより、素子実装後
においても、素子特性が最適となるように素子と終端抵
抗との間の電気長を調整することができる効果がある。
素子評価パッケージによれば、伝送線路の基板に電気光
学効果または熱光学効果を有する材料を用いたため、こ
れらの材料への電界または熱の印加により、基板材質の
屈折率が変化することによって、素子と終端抵抗との間
の電気長を変えることができ、これにより、素子実装後
においても、素子特性が最適となるように素子と終端抵
抗との間の電気長を調整することができる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例による半導体素子評価パ
ッケージの斜視図。
ッケージの斜視図。
【図２】本発明の第２の実施例による半導体素子評価パ
ッケージの斜視図。
ッケージの斜視図。
【図３】従来の半導体素子評価パッケージを用いた測定
回路のブロック図。
回路のブロック図。
【図４】従来の半導体素子評価パッケージの斜視図。
１００ 基台 １０１ 多重量子井戸光変調器 １０２ ５０Ω終端抵抗 １０３ コネクタ １０４ コネクタ １０５ アルミナ基板を用いた特性インピーダンス５０
Ωのコプレーナウェーブガイドのグランド線 １０６ アルミナ基板を用いた特性インピーダンス５０
Ωのコプレーナウェーブガイドの信号線 １０７ ＬｉＮｂＯ3 基板 １０８ ストリップライン １０９ グランド電極 １１０ 電界印加用電極 １１１ バイアホール １１２ 信号入力端子 １１３ Ｔｉ薄膜ヒータ １１４ 熱光学材料（例えばソーダガラス）
Ωのコプレーナウェーブガイドのグランド線 １０６ アルミナ基板を用いた特性インピーダンス５０
Ωのコプレーナウェーブガイドの信号線 １０７ ＬｉＮｂＯ3 基板 １０８ ストリップライン １０９ グランド電極 １１０ 電界印加用電極 １１１ バイアホール １１２ 信号入力端子 １１３ Ｔｉ薄膜ヒータ １１４ 熱光学材料（例えばソーダガラス）
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子と終端抵抗とを回路的に並列
に実装して上記半導体素子の特性評価を行う半導体素子
評価パッケージにおいて、 上記半導体素子と上記終端抵抗との間の電気長を、該パ
ッケージの基板材質の屈折率変化により変化させる手段
を備えたことを特徴とする半導体素子評価パッケージ。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体素子評価パッケー
ジにおいて、 上記屈折率変化手段は、該半導体素子へ電気信号を伝達
する伝送線路の下の媒質の屈折率を電界印加により変化
させるものであることを特徴とする半導体素子評価パッ
ケージ。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体素子評価パッケー
ジにおいて、 上記屈折率変化手段は、該半導体素子へ電気信号を伝達
する伝送線路の下の媒質の屈折率を加熱により変化させ
るものであることを特徴とする半導体素子評価パッケー
ジ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1306693A JPH06232333A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 半導体素子評価パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1306693A JPH06232333A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 半導体素子評価パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232333A true JPH06232333A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11822772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1306693A Pending JPH06232333A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 半導体素子評価パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232333A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6020073A (en) * | 1997-04-28 | 2000-02-01 | Wilson, Sr.; Jack H. | Pavement marking material and method of pavement marking |
-
1993
- 1993-01-29 JP JP1306693A patent/JPH06232333A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6020073A (en) * | 1997-04-28 | 2000-02-01 | Wilson, Sr.; Jack H. | Pavement marking material and method of pavement marking |
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