JPH06224465A - フォトセンサ - Google Patents
フォトセンサInfo
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- JPH06224465A JPH06224465A JP1200693A JP1200693A JPH06224465A JP H06224465 A JPH06224465 A JP H06224465A JP 1200693 A JP1200693 A JP 1200693A JP 1200693 A JP1200693 A JP 1200693A JP H06224465 A JPH06224465 A JP H06224465A
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- light emitting
- emitting diode
- diode led
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光素子からの光を受光素子によりアナログ
量として検出する際に、出力電圧の温度による変動を素
子構成により補償し、減少させる。 【構成】 発光ダイオードＬＥＤおよびフォトトランジ
スタＰＴｒを、各々のピーク発光波長とピーク受光波長
とが近い値となるように組み合わせ、発光ダイオードＬ
ＥＤとフォトトランジスタＰＴｒとが各素子の温度特性
を相互に補償するようにした。
量として検出する際に、出力電圧の温度による変動を素
子構成により補償し、減少させる。 【構成】 発光ダイオードＬＥＤおよびフォトトランジ
スタＰＴｒを、各々のピーク発光波長とピーク受光波長
とが近い値となるように組み合わせ、発光ダイオードＬ
ＥＤとフォトトランジスタＰＴｒとが各素子の温度特性
を相互に補償するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、発光素子と受光素子
とからなり、発光素子から出力される光を検出し測定可
能な量に変換するフォトセンサに関する。
とからなり、発光素子から出力される光を検出し測定可
能な量に変換するフォトセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フォトセンサは、発光素子として
発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）、そ
の発光を受光し感応する受光素子としてフォトトランジ
スタ（もしくはフォトダイオード、あるいはＣｄｓ）等
が使用されている。また、このようなフォトセンサに
は、光の反射に感応する光反射型フォトセンサと、光の
遮断もしくは透過により感応するフォトインタラプタと
がある。光反射型フォトセンサは、検出物体による反射
光の変化を検出するものであり、フォトインタラプタ
は、対向した発光素子および受光素子間を通過する物体
を検出するものである。
発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）、そ
の発光を受光し感応する受光素子としてフォトトランジ
スタ（もしくはフォトダイオード、あるいはＣｄｓ）等
が使用されている。また、このようなフォトセンサに
は、光の反射に感応する光反射型フォトセンサと、光の
遮断もしくは透過により感応するフォトインタラプタと
がある。光反射型フォトセンサは、検出物体による反射
光の変化を検出するものであり、フォトインタラプタ
は、対向した発光素子および受光素子間を通過する物体
を検出するものである。
【０００３】ここで、図８に、従来のフォトインタラプ
タの回路構成例を示す。ここでは、発光ダイオードＬＥ
Ｄとして、ＧａＡｓ（ガリウム砒素）系の素子が使用さ
れている。この図において、ＢＡＴはＤＣ電源であり、
ＲLは発光ダイオードＬＥＤの発光強度を制御する抵抗
器である。ＲEは負荷抵抗器であり、ＩFは発光ダイオー
ドＬＥＤの順方向電流、ＩCはフォトトランジスタＰＴ
ｒのコレクタ電流である。ここで、発光ダイオードＬＥ
ＤとフォトトランジスタＰＴｒは、対向して設けられて
いる。また、１０は光遮断部材である。このような構成
において、図８に示す状態の場合は、発光ダイオードＬ
ＥＤからの光がフォトトランジスタＰＴｒに入力され、
フォトトランジスタＰＴｒがＯＮ状態となり、コレクタ
電流ＩCが流れて出力電圧ＶOが検出される。一方、光遮
断部材１０が発光ダイオードＬＥＤからの光を遮断する
と、発光ダイオードＬＥＤからの光がフォトトランジス
タＰＴｒに入力しなくなるため、フォトトランジスタＰ
ＴｒはＯＦＦ状態となり、コレクタ電流ＩC≒０とな
る。その結果、出力電圧Ｖ0は Ｖ0 ＝ ＲE × ＩC ≒ ０［ｖ］ となる。このように、出力電圧ＶOを検出することによ
り、非接触での光遮断部材１０の有無が検出される。な
お、図７にはフォトインタラプタの例を示したが、光反
射型フォトセンサは、上記光遮断部材１０を光反射部材
に代え、素子構成を平面構成とすればよい。
タの回路構成例を示す。ここでは、発光ダイオードＬＥ
Ｄとして、ＧａＡｓ（ガリウム砒素）系の素子が使用さ
れている。この図において、ＢＡＴはＤＣ電源であり、
ＲLは発光ダイオードＬＥＤの発光強度を制御する抵抗
器である。ＲEは負荷抵抗器であり、ＩFは発光ダイオー
ドＬＥＤの順方向電流、ＩCはフォトトランジスタＰＴ
ｒのコレクタ電流である。ここで、発光ダイオードＬＥ
ＤとフォトトランジスタＰＴｒは、対向して設けられて
いる。また、１０は光遮断部材である。このような構成
において、図８に示す状態の場合は、発光ダイオードＬ
ＥＤからの光がフォトトランジスタＰＴｒに入力され、
フォトトランジスタＰＴｒがＯＮ状態となり、コレクタ
電流ＩCが流れて出力電圧ＶOが検出される。一方、光遮
断部材１０が発光ダイオードＬＥＤからの光を遮断する
と、発光ダイオードＬＥＤからの光がフォトトランジス
タＰＴｒに入力しなくなるため、フォトトランジスタＰ
ＴｒはＯＦＦ状態となり、コレクタ電流ＩC≒０とな
る。その結果、出力電圧Ｖ0は Ｖ0 ＝ ＲE × ＩC ≒ ０［ｖ］ となる。このように、出力電圧ＶOを検出することによ
り、非接触での光遮断部材１０の有無が検出される。な
お、図７にはフォトインタラプタの例を示したが、光反
射型フォトセンサは、上記光遮断部材１０を光反射部材
に代え、素子構成を平面構成とすればよい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来のフォトインタラプタは、光遮断部材１０が光を遮断
したか否かを検出することを目的とするものであり、光
の「有」「無」に対してデジタル的に感応すればよいも
のであった。一方、光遮断部材１０の代わりにグレイス
ケールを使用し、受光量によりグレイスケールの位置、
ひいては該グレイスケールに接続された可動体の位置を
検出するという用途で、上述のフォトインタラプタが用
いられる場合は、出力電圧をアナログ的に検出すること
が必要である。このような場合、素子の温度特性につい
て考慮する必要がある。
来のフォトインタラプタは、光遮断部材１０が光を遮断
したか否かを検出することを目的とするものであり、光
の「有」「無」に対してデジタル的に感応すればよいも
のであった。一方、光遮断部材１０の代わりにグレイス
ケールを使用し、受光量によりグレイスケールの位置、
ひいては該グレイスケールに接続された可動体の位置を
検出するという用途で、上述のフォトインタラプタが用
いられる場合は、出力電圧をアナログ的に検出すること
が必要である。このような場合、素子の温度特性につい
て考慮する必要がある。
【０００５】ここで、従来のフォトインタラプタにおけ
る素子の温度特性として、周囲温度Ｔaと、コレクタ電
流ＩCの相対値との関係を、図９に示す。この図におい
て、実線は公称値を示し、コレクタ・エミッタ間印加電
圧ＶCEが１０［ｖ］であり、発光ダイオードＬＥＤの順
方向電流ＩFが２０［ｍＡ］である場合を示す。また、
点線は実測値を示し、コレクタ・エミッタ間印加電圧Ｖ
CEが５［ｖ］であり、発光ダイオードＬＥＤの順方向電
流ＩFが７［ｍＡ］である場合を示す。ここでは、周囲
温度Ｔａが２５℃である場合のコレクタ電流ＩCの値を
１００％とする。このグラフに示すように、実線は周囲
温度Ｔａが２５℃の時に最大値を有し、点線は周囲温度
Ｔａが０℃の時に最大値を有する曲線となる。このよう
に、従来のフォトインタラプタの温度特性は、最大値を
もつ曲線特性となる。従って、温度により素子の特性が
変化すると、グレースケールもしくは可動体等の位置が
正確に検出されないという問題があった。
る素子の温度特性として、周囲温度Ｔaと、コレクタ電
流ＩCの相対値との関係を、図９に示す。この図におい
て、実線は公称値を示し、コレクタ・エミッタ間印加電
圧ＶCEが１０［ｖ］であり、発光ダイオードＬＥＤの順
方向電流ＩFが２０［ｍＡ］である場合を示す。また、
点線は実測値を示し、コレクタ・エミッタ間印加電圧Ｖ
CEが５［ｖ］であり、発光ダイオードＬＥＤの順方向電
流ＩFが７［ｍＡ］である場合を示す。ここでは、周囲
温度Ｔａが２５℃である場合のコレクタ電流ＩCの値を
１００％とする。このグラフに示すように、実線は周囲
温度Ｔａが２５℃の時に最大値を有し、点線は周囲温度
Ｔａが０℃の時に最大値を有する曲線となる。このよう
に、従来のフォトインタラプタの温度特性は、最大値を
もつ曲線特性となる。従って、温度により素子の特性が
変化すると、グレースケールもしくは可動体等の位置が
正確に検出されないという問題があった。
【０００６】この発明は、このような背景の下になされ
たもので、出力電圧の温度による変動を、素子構成によ
り補償し、減少することができるフォトセンサを提供す
ることを目的とする。
たもので、出力電圧の温度による変動を、素子構成によ
り補償し、減少することができるフォトセンサを提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明によるフォトセ
ンサは、発光素子と、前記発光素子からの光をアナログ
量として検出する受光素子とからなり、前記発光素子の
ピーク発光波長と、前記受光素子のピーク受光波長とが
近い値となるように、前記発光素子と前記受光素子とが
組み合わされたことを特徴としている。
ンサは、発光素子と、前記発光素子からの光をアナログ
量として検出する受光素子とからなり、前記発光素子の
ピーク発光波長と、前記受光素子のピーク受光波長とが
近い値となるように、前記発光素子と前記受光素子とが
組み合わされたことを特徴としている。
【０００８】
【作用】上記構成によれば、発光素子と受光素子とが各
素子の温度特性を相互に補償するため、アナログ量とし
て検出される出力の温度による変動が減少する。
素子の温度特性を相互に補償するため、アナログ量とし
て検出される出力の温度による変動が減少する。
【０００９】
【実施例】以下、この発明による一実施例について説明
する。なお、以下では、フォトセンサのうちフォトイン
タラプタを用いて説明する。図１はこの発明の一実施例
によるフォトインタラプタの構成を示すブロック図であ
る。この図において、図８の各部に対応する部分には同
一の符号を付け、その説明を省略する。図１に示すフォ
トインタラプタが図８のものと異なる点は、図８のもの
では発光ダイオードＬＥＤとしてＧａＡｓ（ガリウム砒
素）系の素子が使用されていたのに対し、図１のもので
はＧａＡｌＡｓ（ガリウムアルミニウム砒素）系の素子
が使用されている点である。このような素子が使用され
る理由について、以下に述べる。
する。なお、以下では、フォトセンサのうちフォトイン
タラプタを用いて説明する。図１はこの発明の一実施例
によるフォトインタラプタの構成を示すブロック図であ
る。この図において、図８の各部に対応する部分には同
一の符号を付け、その説明を省略する。図１に示すフォ
トインタラプタが図８のものと異なる点は、図８のもの
では発光ダイオードＬＥＤとしてＧａＡｓ（ガリウム砒
素）系の素子が使用されていたのに対し、図１のもので
はＧａＡｌＡｓ（ガリウムアルミニウム砒素）系の素子
が使用されている点である。このような素子が使用され
る理由について、以下に述べる。
【００１０】まず、従来のフォトインタラプタの各構成
素子の温度特性について述べる。図２に、発光ダイオー
ドＬＥＤにおいて、周囲温度Ｔａが２５℃という場合の
順方向電流ＩFと相対発光出力Ｐｏとの関係を示す。こ
こでは、順方向電流ＩFが５０［ｍＡ］の時の発光ダイ
オードＬＥＤの出力を１００［％］とした場合の、相対
発光出力Ｐｏの変化を示す。このグラフに示すように、
順方向電流ＩFの増加に従って、相対発光出力Ｐｏは直
線的に増加する。
素子の温度特性について述べる。図２に、発光ダイオー
ドＬＥＤにおいて、周囲温度Ｔａが２５℃という場合の
順方向電流ＩFと相対発光出力Ｐｏとの関係を示す。こ
こでは、順方向電流ＩFが５０［ｍＡ］の時の発光ダイ
オードＬＥＤの出力を１００［％］とした場合の、相対
発光出力Ｐｏの変化を示す。このグラフに示すように、
順方向電流ＩFの増加に従って、相対発光出力Ｐｏは直
線的に増加する。
【００１１】また、図３に、上記発光ダイオードＬＥＤ
における、順方向電流ＩFが５０［ｍＡ］である場合の
周囲温度Ｔａと相対発光出力Ｐｏとの関係を示す。ここ
では、周囲温度Ｔａが２５［℃］の時の発光ダイオード
ＬＥＤの出力を１００［％］とした場合の、相対発光出
力Ｐｏの変化を示す。このグラフに示すように、相対発
光出力Ｐｏは、周囲温度Ｔａが２５［℃］より低い場合
は１００［％］を超え、周囲温度Ｔａが２５［℃］より
高くなると減少しており、直線的に変化している。
における、順方向電流ＩFが５０［ｍＡ］である場合の
周囲温度Ｔａと相対発光出力Ｐｏとの関係を示す。ここ
では、周囲温度Ｔａが２５［℃］の時の発光ダイオード
ＬＥＤの出力を１００［％］とした場合の、相対発光出
力Ｐｏの変化を示す。このグラフに示すように、相対発
光出力Ｐｏは、周囲温度Ｔａが２５［℃］より低い場合
は１００［％］を超え、周囲温度Ｔａが２５［℃］より
高くなると減少しており、直線的に変化している。
【００１２】次に、図４に上記発光ダイオードＬＥＤに
おける、周囲温度Ｔａとピーク発光波長λｐとの関係を
示す。ここでは、順方向電流ＩFが５０［ｍＡ］である
場合のピーク発光波長λｐの変化を示す。このグラフに
示すように、周囲温度Ｔａの上昇に従って、ピーク発光
波長λｐは直線的に増加している。
おける、周囲温度Ｔａとピーク発光波長λｐとの関係を
示す。ここでは、順方向電流ＩFが５０［ｍＡ］である
場合のピーク発光波長λｐの変化を示す。このグラフに
示すように、周囲温度Ｔａの上昇に従って、ピーク発光
波長λｐは直線的に増加している。
【００１３】以上、図３および図４に示すグラフより、
従来のフォトインタラプタにおける発光ダイオードＬＥ
Ｄにおいて、相対発光出力Ｐｏおよびピーク発光波長λ
ｐは、周囲温度Ｔａに対して直線的変化を有する。
従来のフォトインタラプタにおける発光ダイオードＬＥ
Ｄにおいて、相対発光出力Ｐｏおよびピーク発光波長λ
ｐは、周囲温度Ｔａに対して直線的変化を有する。
【００１４】次に、従来のフォトインタラプタにおける
フォトトランジスタＰＴｒの、周囲温度Ｔａと光電流Ｉ
L（コレクタ・エミッタ間電流ＩCE）との関係を、図５
のグラフに示す。これは、コレクタ・エミッタ間印加電
圧ＶCEが１０［ｖ］、色温度Ｔｃが２８５６［Ｋ］の場
合である。そして、光強度Ｌが１０００［ｌｘ］の場合
と５００［ｌｘ］の場合を示す。このグラフに示すよう
に、光電流ＩLは周囲温度Ｔａの上昇に従って増加して
おり、フォトトランジスタＰＴｒの負荷電流特性は、周
囲温度Ｔａに対して直線性が良好であることが分かる。
フォトトランジスタＰＴｒの、周囲温度Ｔａと光電流Ｉ
L（コレクタ・エミッタ間電流ＩCE）との関係を、図５
のグラフに示す。これは、コレクタ・エミッタ間印加電
圧ＶCEが１０［ｖ］、色温度Ｔｃが２８５６［Ｋ］の場
合である。そして、光強度Ｌが１０００［ｌｘ］の場合
と５００［ｌｘ］の場合を示す。このグラフに示すよう
に、光電流ＩLは周囲温度Ｔａの上昇に従って増加して
おり、フォトトランジスタＰＴｒの負荷電流特性は、周
囲温度Ｔａに対して直線性が良好であることが分かる。
【００１５】次に、図６に、上記発光ダイオードＬＥＤ
の相対発光強度と、上記フォトトランジスタＰＴｒの分
光感度特性を示す。この図において、実線が発光ダイオ
ードＬＥＤの発光強度、点線がフォトトランジスタＰＴ
ｒの分光感度特性を示す。ここで、図４に示す発光ダイ
オードＬＥＤのピーク発光波長λｐのピークシフトは、
この図６に示すフォトトランジスタＰＴｒの分光感度特
性の低下曲線に乗ることが推定される。従って、図９に
示す曲線的特性は、図６に示す発光ダイオードＬＥＤの
発光強度と、フォトトランジスタＰＴｒの分光感度と
の、相互特性に起因することが分かる。そのため、図６
において、フォトトランジスタＰＴｒの分光感度特性が
周囲温度の変化に対して一定であるとすると、発光ダイ
オードＬＥＤのピーク発光波長λｐをフォトトランジス
タＰＴｒのピーク受光波長である８００［ｎｍ］に近付
くようにすれば、フォトインタラプタの、ピークシフト
による感度の低下は軽減され得る。
の相対発光強度と、上記フォトトランジスタＰＴｒの分
光感度特性を示す。この図において、実線が発光ダイオ
ードＬＥＤの発光強度、点線がフォトトランジスタＰＴ
ｒの分光感度特性を示す。ここで、図４に示す発光ダイ
オードＬＥＤのピーク発光波長λｐのピークシフトは、
この図６に示すフォトトランジスタＰＴｒの分光感度特
性の低下曲線に乗ることが推定される。従って、図９に
示す曲線的特性は、図６に示す発光ダイオードＬＥＤの
発光強度と、フォトトランジスタＰＴｒの分光感度と
の、相互特性に起因することが分かる。そのため、図６
において、フォトトランジスタＰＴｒの分光感度特性が
周囲温度の変化に対して一定であるとすると、発光ダイ
オードＬＥＤのピーク発光波長λｐをフォトトランジス
タＰＴｒのピーク受光波長である８００［ｎｍ］に近付
くようにすれば、フォトインタラプタの、ピークシフト
による感度の低下は軽減され得る。
【００１６】ところで、従来のフォトインタラプタにお
ける発光ダイオードＬＥＤは、ピーク発光波長λｐが約
９５０［ｎｍ］程度の、ＧａＡｓ（ガリウム砒素）系の
素子が使用されていた。そのため、本実施例では、上記
発光ダイオードＬＥＤの代わりに、ピーク発光波長λｐ
が約８８０［ｎｍ］程度のＧａＡｌＡｓ（ガリウムアル
ミニウム砒素）系の素子を使用することにより、上述の
フォトインタラプタの周囲温度変化による変動を減少さ
せることが可能となる。
ける発光ダイオードＬＥＤは、ピーク発光波長λｐが約
９５０［ｎｍ］程度の、ＧａＡｓ（ガリウム砒素）系の
素子が使用されていた。そのため、本実施例では、上記
発光ダイオードＬＥＤの代わりに、ピーク発光波長λｐ
が約８８０［ｎｍ］程度のＧａＡｌＡｓ（ガリウムアル
ミニウム砒素）系の素子を使用することにより、上述の
フォトインタラプタの周囲温度変化による変動を減少さ
せることが可能となる。
【００１７】図７に、従来のフォトインタラプタと、発
光ダイオードＬＥＤとしてＧａＡｌＡｓ系の素子を使用
したフォトインタラプタの、周囲温度Ｔａと出力電圧Ｖ
0との関係を示す。この図において、実線は従来のフォ
トインタラプタの出力電圧Ｖ0の変化を示し、この場合
コレクタ・エミッタ間印加電圧ＶCEは５［ｖ］、発光ダ
イオードＬＥＤの順方向電流ＩFは７［ｍＡ］である。
点線はＧａＡｌＡｓ系の素子を使用したフォトインタラ
プタの出力電圧Ｖ0の変化を示し、この場合はコレクタ
・エミッタ間印加電圧ＶCEは同じく５［ｖ］であり、発
光ダイオードＬＥＤの順方向電流ＩFは６．４［ｍＡ］
である。この図に示すように、実線に示す従来のフォト
インタラプタにおいては、周囲温度Ｔａの上昇に伴って
出力電圧ＶOが減少しているが、点線に示すフォトイン
タラプタにおいては、周囲温度Ｔａの上昇に関わらず出
力電圧ＶOは変化しない。従って、フォトトランジスタ
ＰＴｒに同じものを使用しても、発光ダイオードＬＥＤ
に例えばＧａＡｌＡｓ系の素子を使用することにより、
非常に温度特性のよいフォトインタラプタを構成するこ
とが可能となる。
光ダイオードＬＥＤとしてＧａＡｌＡｓ系の素子を使用
したフォトインタラプタの、周囲温度Ｔａと出力電圧Ｖ
0との関係を示す。この図において、実線は従来のフォ
トインタラプタの出力電圧Ｖ0の変化を示し、この場合
コレクタ・エミッタ間印加電圧ＶCEは５［ｖ］、発光ダ
イオードＬＥＤの順方向電流ＩFは７［ｍＡ］である。
点線はＧａＡｌＡｓ系の素子を使用したフォトインタラ
プタの出力電圧Ｖ0の変化を示し、この場合はコレクタ
・エミッタ間印加電圧ＶCEは同じく５［ｖ］であり、発
光ダイオードＬＥＤの順方向電流ＩFは６．４［ｍＡ］
である。この図に示すように、実線に示す従来のフォト
インタラプタにおいては、周囲温度Ｔａの上昇に伴って
出力電圧ＶOが減少しているが、点線に示すフォトイン
タラプタにおいては、周囲温度Ｔａの上昇に関わらず出
力電圧ＶOは変化しない。従って、フォトトランジスタ
ＰＴｒに同じものを使用しても、発光ダイオードＬＥＤ
に例えばＧａＡｌＡｓ系の素子を使用することにより、
非常に温度特性のよいフォトインタラプタを構成するこ
とが可能となる。
【００１８】なお、発光ダイオードＬＥＤのピーク発光
波長は上述の実施例に示す数値に限定されない。また、
フォトトランジスタＰＴｒに別の分光感度特性を有する
ものを使用することによっても、同様な効果が得られ
る。
波長は上述の実施例に示す数値に限定されない。また、
フォトトランジスタＰＴｒに別の分光感度特性を有する
ものを使用することによっても、同様な効果が得られ
る。
【００１９】また、受光の分光特性が図６に示すように
発光の波長分布に比べて十分に広い場合は、受光の分光
カーブが発光側の温度変化によるピークシフトを補正す
ればよいので、受光素子に光学的フィルタリングを施せ
ば、各種の発光波長の発光ダイオードＬＥＤを使用する
こともできる。
発光の波長分布に比べて十分に広い場合は、受光の分光
カーブが発光側の温度変化によるピークシフトを補正す
ればよいので、受光素子に光学的フィルタリングを施せ
ば、各種の発光波長の発光ダイオードＬＥＤを使用する
こともできる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、発光素子のピーク発光波長と、受光素子のピーク受
光波長とを近い値となるように組み合わせたので、出力
電圧の温度による変動を素子構成により補償し、減少さ
せることができるという効果がある。
ば、発光素子のピーク発光波長と、受光素子のピーク受
光波長とを近い値となるように組み合わせたので、出力
電圧の温度による変動を素子構成により補償し、減少さ
せることができるという効果がある。
【図１】 この発明の一実施例によるフォトインタラプ
タの構成例を示すブロック図である。
タの構成例を示すブロック図である。
【図２】 従来のフォトインタラプタにおける発光ダイ
オードの、順方向電流と相対発光出力との関係を示すグ
ラフである。
オードの、順方向電流と相対発光出力との関係を示すグ
ラフである。
【図３】 同発光ダイオードの、周囲温度と相対発光出
力との関係を示すグラフである。
力との関係を示すグラフである。
【図４】 同発光ダイオードの、周囲温度とピーク発光
波長との関係を示すグラフである。
波長との関係を示すグラフである。
【図５】 従来のフォトインタラプタにおけるフォトト
ランジスタの、周囲温度と光電流との関係を示すグラフ
である。
ランジスタの、周囲温度と光電流との関係を示すグラフ
である。
【図６】 同発光ダイオードの発光強度特性と、同フォ
トトランジスタの分光感度特性を示すグラフである。
トトランジスタの分光感度特性を示すグラフである。
【図７】 従来のフォトインタラプタの周囲温度と出力
電圧との関係と、この発明によるフォトインタラプタの
周囲温度と出力電圧との関係を示すグラフである。
電圧との関係と、この発明によるフォトインタラプタの
周囲温度と出力電圧との関係を示すグラフである。
【図８】 従来のフォトインタラプタの構成例を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図９】 従来のフォトインタラプタにおける周囲温度
と相対出力電流との関係を示すグラフである。
と相対出力電流との関係を示すグラフである。
ＬＥＤ……発光ダイオード（発光素子）、 ＰＴｒ……フォトトランジスタ（受光素子）。
Claims (1)
- 【請求項１】 発光素子と、前記発光素子からの光をア
ナログ量として検出する受光素子とからなり、 前記発光素子のピーク発光波長と、前記受光素子のピー
ク受光波長とが近い値となるように、前記発光素子と前
記受光素子とが組み合わされたことを特徴とするフォト
センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1200693A JPH06224465A (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | フォトセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1200693A JPH06224465A (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | フォトセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224465A true JPH06224465A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=11793506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1200693A Withdrawn JPH06224465A (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | フォトセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06224465A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013062468A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-04 | Rohm Co Ltd | フォトダイオード内蔵サブマウントおよび発光素子モジュール |
-
1993
- 1993-01-27 JP JP1200693A patent/JPH06224465A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013062468A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-04 | Rohm Co Ltd | フォトダイオード内蔵サブマウントおよび発光素子モジュール |
| US9071032B2 (en) | 2011-09-15 | 2015-06-30 | Rohm Co., Ltd. | Sub-mount having photodiode and light-emitting element module |
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