JPH06221921A - 光放射に対するスイッチ可能共振フィルタおよびその製造方法 - Google Patents
光放射に対するスイッチ可能共振フィルタおよびその製造方法Info
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- JPH06221921A JPH06221921A JP5018975A JP1897593A JPH06221921A JP H06221921 A JPH06221921 A JP H06221921A JP 5018975 A JP5018975 A JP 5018975A JP 1897593 A JP1897593 A JP 1897593A JP H06221921 A JPH06221921 A JP H06221921A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
- H01Q15/0006—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices
- H01Q15/0013—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices said selective devices working as frequency-selective reflecting surfaces, e.g. FSS, dichroic plates, surfaces being partly transmissive and reflective
- H01Q15/002—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices said selective devices working as frequency-selective reflecting surfaces, e.g. FSS, dichroic plates, surfaces being partly transmissive and reflective said selective devices being reconfigurable or tunable, e.g. using switches or diodes
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- G—PHYSICS
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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- G01J5/02—Constructional details
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- G01J5/0802—Optical filters
-
- G—PHYSICS
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/002—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements the movement or the deformation controlling the frequency of light, e.g. by Doppler effect
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- G02B5/00—Optical elements other than lenses
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- G02B5/204—Filters in which spectral selection is performed by means of a conductive grid or array, e.g. frequency selective surfaces
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スイッチ可能光フィルタの構造およびその製
造方法を提供する。 【構成】 スイッチ可能光フィルタの構造は、問題とな
る放射に対して透明な基板10を含み、基板10は電極
12を含むか、または支持する。スペーサ層16は、電
極12と膜22との間にはスペーサ16が存在しない
が、他の場所にはいくらかのスペーサ16が残存して膜
22を支持するようにして、膜22を電極12上に懸架
する。膜22は、特定波長の放射に共振するための特定
の長さをもったスロット24を有する。電極12が起動
されると、膜22は偏向し、その基板10までの近さの
変動が、透過する波長を変化せしめる。
造方法を提供する。 【構成】 スイッチ可能光フィルタの構造は、問題とな
る放射に対して透明な基板10を含み、基板10は電極
12を含むか、または支持する。スペーサ層16は、電
極12と膜22との間にはスペーサ16が存在しない
が、他の場所にはいくらかのスペーサ16が残存して膜
22を支持するようにして、膜22を電極12上に懸架
する。膜22は、特定波長の放射に共振するための特定
の長さをもったスロット24を有する。電極12が起動
されると、膜22は偏向し、その基板10までの近さの
変動が、透過する波長を変化せしめる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光センサに関し、特に
光センサに用いるフィルタに関する。
光センサに用いるフィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】可視領域または赤外領域などの不可視領
域のいずれにおける光感知装置も、妨害効果の犠牲にな
りうる。可視装置においては、これは通常ベーリング
(veiling)と呼ばれる。ベーリング照度は、視
野の大部分にわたって広がり、情景のコントラストを低
下せしめることによって装置の有効性を低減させる光と
して定義される。ベーリングの通常の発生源は、日光お
よび高強度の光源である。妨害はまた、防衛上の応用に
おいて敵の電気光学源が対象装置に照準を合わせた時な
どには、故意に発生せしめられうる。
域のいずれにおける光感知装置も、妨害効果の犠牲にな
りうる。可視装置においては、これは通常ベーリング
(veiling)と呼ばれる。ベーリング照度は、視
野の大部分にわたって広がり、情景のコントラストを低
下せしめることによって装置の有効性を低減させる光と
して定義される。ベーリングの通常の発生源は、日光お
よび高強度の光源である。妨害はまた、防衛上の応用に
おいて敵の電気光学源が対象装置に照準を合わせた時な
どには、故意に発生せしめられうる。
【0003】現在使用されているいくつかのセンサは、
これらの問題からの保護のための、スライダまたはホイ
ール内の固定阻止帯域妨害フィルタを含む。この方法に
おいては、選択可能な阻止帯域フィルタの数は制限さ
れ、かつそれらは、機械的なものであるか、電気機械的
なものであるかに拘らず、制御回路を備えた操作機構を
必要とする。これらのフィルタの起動には、操作者の応
答時間を含め何分の1秒かを要する。
これらの問題からの保護のための、スライダまたはホイ
ール内の固定阻止帯域妨害フィルタを含む。この方法に
おいては、選択可能な阻止帯域フィルタの数は制限さ
れ、かつそれらは、機械的なものであるか、電気機械的
なものであるかに拘らず、制御回路を備えた操作機構を
必要とする。これらのフィルタの起動には、操作者の応
答時間を含め何分の1秒かを要する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この固定フィルタ法
は、単一波長の不変妨害に対しては十分に役立つ。しか
し、固定フィルタ技術は、現代の戦場において予想され
る可変妨害に対しては限界を有する。
は、単一波長の不変妨害に対しては十分に役立つ。しか
し、固定フィルタ技術は、現代の戦場において予想され
る可変妨害に対しては限界を有する。
【0005】固定フィルタ装置のもう1つの弱点は、帯
域幅を考慮する時明らかになる。8ないし12ミクロン
(10-6m、すなわちμm)の波長領域においては、1
ミクロンより小さい帯域幅を有するフィルタを用いるの
は実際的ではない。フォワード・ルッキング・インフラ
レッド(Forward−Looking Infra
Red)(FLIR)などの赤外装置においては、1ミ
クロンの単一阻止帯域を有するフィルタの積分透過率は
50%以下である。狭帯域フィルタは高価格となる傾向
があり、かつ不十分な積分透過率を有する。
域幅を考慮する時明らかになる。8ないし12ミクロン
(10-6m、すなわちμm)の波長領域においては、1
ミクロンより小さい帯域幅を有するフィルタを用いるの
は実際的ではない。フォワード・ルッキング・インフラ
レッド(Forward−Looking Infra
Red)(FLIR)などの赤外装置においては、1ミ
クロンの単一阻止帯域を有するフィルタの積分透過率は
50%以下である。狭帯域フィルタは高価格となる傾向
があり、かつ不十分な積分透過率を有する。
【0006】現在の技術に関するもう1つの問題は、自
動化の困難性である。フィルタが必要になった時は、装
置の検出器を用いて検出されうる。しかし、センサは、
フィルタがもはや必要でなくなった時を検出することは
できない。そのわけは、センサが妨害を検出するのをフ
ィルタが阻止するからである。もしフィルタが取外され
て、なお妨害が存在すれば、センサが損傷を受けること
がありうる。もし妨害がなお存在すれば、機械的フィル
タアセンブリのサイクル時間が長い場合は、損傷の可能
性が増大する。
動化の困難性である。フィルタが必要になった時は、装
置の検出器を用いて検出されうる。しかし、センサは、
フィルタがもはや必要でなくなった時を検出することは
できない。そのわけは、センサが妨害を検出するのをフ
ィルタが阻止するからである。もしフィルタが取外され
て、なお妨害が存在すれば、センサが損傷を受けること
がありうる。もし妨害がなお存在すれば、機械的フィル
タアセンブリのサイクル時間が長い場合は、損傷の可能
性が増大する。
【0007】
【課題を解決するための手段】ここに開示される本発明
の装置は、光放射に対するスイッチ可能な共振フィルタ
から構成される。本発明の1実施例は、反射防止膜をコ
ーティングされ、電極を含有する基板上に、モノリシッ
クに製造された膜を含む。この膜は、前記基板および電
極上に配置されたスペーサ層上に形成され、該電極上の
該スペーサ層の部分は、該膜にエッチングされた穴を経
て除去される。該膜内の穴は、それらの穴の電気的長さ
と同じ波長を有する放射に対し、アンテナとして作用す
る。前記電極は、アドレスされることによって前記膜を
前記基板に向かって引下げ、アンテナの周囲の実効屈折
率を変化せしめ、それによりアンテナの共振波長を変化
せしめる。本発明の実施例は、前記膜および基板を通し
ての特定波長の放射の透過に対するスイッチとして作用
する。
の装置は、光放射に対するスイッチ可能な共振フィルタ
から構成される。本発明の1実施例は、反射防止膜をコ
ーティングされ、電極を含有する基板上に、モノリシッ
クに製造された膜を含む。この膜は、前記基板および電
極上に配置されたスペーサ層上に形成され、該電極上の
該スペーサ層の部分は、該膜にエッチングされた穴を経
て除去される。該膜内の穴は、それらの穴の電気的長さ
と同じ波長を有する放射に対し、アンテナとして作用す
る。前記電極は、アドレスされることによって前記膜を
前記基板に向かって引下げ、アンテナの周囲の実効屈折
率を変化せしめ、それによりアンテナの共振波長を変化
せしめる。本発明の実施例は、前記膜および基板を通し
ての特定波長の放射の透過に対するスイッチとして作用
する。
【0008】本発明をさらに完全に理解し、また本発明
の他の諸利点を知るためには、添付図面と共に以下の詳
細な説明を参照されたい。
の他の諸利点を知るためには、添付図面と共に以下の詳
細な説明を参照されたい。
【0009】
【実施例】電線が、ある波長の電磁放射に対してアンテ
ナとして作用しうることは公知である。電線の長さと、
周囲の媒質の屈折率、または誘電率、とは、それが吸収
する放射の波長を決定する。媒質の屈折率は、与えられ
た周波数を有する放射の波長を決定する。もしアンテナ
が、例えば屈折率の高い媒質内に埋込まれていれば、そ
のアンテナは、ある周波数の電磁波を吸収するのに短く
される必要がある。もし十分に小さくされれば、アンテ
ナは、赤外(IR)線のような極めて高周波の電磁波を
も吸収できる。
ナとして作用しうることは公知である。電線の長さと、
周囲の媒質の屈折率、または誘電率、とは、それが吸収
する放射の波長を決定する。媒質の屈折率は、与えられ
た周波数を有する放射の波長を決定する。もしアンテナ
が、例えば屈折率の高い媒質内に埋込まれていれば、そ
のアンテナは、ある周波数の電磁波を吸収するのに短く
される必要がある。もし十分に小さくされれば、アンテ
ナは、赤外(IR)線のような極めて高周波の電磁波を
も吸収できる。
【0010】さまざまな波長によって照明される固定さ
れた電線またはアンテナを考察しよう。もしアンテナの
実効長がleff であれば、アンテナは、leff がλ/2
の整数倍に等しい波長λを吸収する。この吸収は、金属
の有限の導電率による損失によって生じる。
れた電線またはアンテナを考察しよう。もしアンテナの
実効長がleff であれば、アンテナは、leff がλ/2
の整数倍に等しい波長λを吸収する。この吸収は、金属
の有限の導電率による損失によって生じる。
【0011】電線の代わりに、アンテナと同じ長さのス
ロットを金属シート内に配置して、金属シートからある
同様のものを作ることができる。この構造は、金属シー
トにより、スロットの長さに共振する波長以外の全ての
波長を反射するように動作する。従って、選択された1
つの波長以外の全ての波長は阻止される。その選択され
た波長の放射は通過せしめられ、構造はそれを透過せし
める。その結果得られるのは、それらのスロットに同調
する波長を選択的に通過させるフィルタである。1つの
特定の応用は赤外領域におけるものであるが、それは任
意の波長の放射に対して使用でき、必要な寸法を有する
スロットを製作する実際性によってのみ制約される。
ロットを金属シート内に配置して、金属シートからある
同様のものを作ることができる。この構造は、金属シー
トにより、スロットの長さに共振する波長以外の全ての
波長を反射するように動作する。従って、選択された1
つの波長以外の全ての波長は阻止される。その選択され
た波長の放射は通過せしめられ、構造はそれを透過せし
める。その結果得られるのは、それらのスロットに同調
する波長を選択的に通過させるフィルタである。1つの
特定の応用は赤外領域におけるものであるが、それは任
意の波長の放射に対して使用でき、必要な寸法を有する
スロットを製作する実際性によってのみ制約される。
【0012】もし周囲の媒質が変化せしめられれば、そ
れによってスロットと共振する波長も変化する。この変
化を生ぜしめるためには、スロットまたは諸スロットの
周囲の実効誘電率を変化させなくてはならない。これに
より、スロットを透過する波長が効果的にスイッチされ
る。
れによってスロットと共振する波長も変化する。この変
化を生ぜしめるためには、スロットまたは諸スロットの
周囲の実効誘電率を変化させなくてはならない。これに
より、スロットを透過する波長が効果的にスイッチされ
る。
【0013】図1Aおよび図1Bには、本発明の1実施
例の側面図が示されている。基板10は電極12を含有
し、反射防止コーティング14または他の絶縁コーティ
ングにより被覆されうる。スペーサ材料16は、もしコ
ーティングが使われていればそれの、または電極の、頂
部上に配置される。スペーサ16は、エッチングによる
などして、選択的に除去可能でなくてはならない。膜2
2は、それにパターン形成されたスロット24を有し、
これらのスロットも、スペーサを除去するためのエッチ
ングアクセス孔として役立つ。この構造の、これらのさ
まざまな成分の材料は、製造工程の一部としてさらに後
述される。
例の側面図が示されている。基板10は電極12を含有
し、反射防止コーティング14または他の絶縁コーティ
ングにより被覆されうる。スペーサ材料16は、もしコ
ーティングが使われていればそれの、または電極の、頂
部上に配置される。スペーサ16は、エッチングによる
などして、選択的に除去可能でなくてはならない。膜2
2は、それにパターン形成されたスロット24を有し、
これらのスロットも、スペーサを除去するためのエッチ
ングアクセス孔として役立つ。この構造の、これらのさ
まざまな成分の材料は、製造工程の一部としてさらに後
述される。
【0014】図1Bは、基板またはそのコーティングに
接触している膜22を示す。これは、電極12の起動に
よって起こる。図示されていないアドレス回路によっ
て、電極12上に電荷が配置されると、電極と膜との間
に静電気力が生じ、膜を電極に引きつける。膜は、最終
的には基板上に静止する。もし反射防止コーティングが
使用されていなければ、電極と膜との間の短絡を防止す
るために、ある種の絶縁層が必要となる。
接触している膜22を示す。これは、電極12の起動に
よって起こる。図示されていないアドレス回路によっ
て、電極12上に電荷が配置されると、電極と膜との間
に静電気力が生じ、膜を電極に引きつける。膜は、最終
的には基板上に静止する。もし反射防止コーティングが
使用されていなければ、電極と膜との間の短絡を防止す
るために、ある種の絶縁層が必要となる。
【0015】膜の移動は、スロットの周囲の媒質の実効
屈折率を変化せしめる。もしスロットが最初に波長λを
透過させるように設計されていれば、最初に透過せしめ
られる放射の波長はλ/neff となる。ただし、neff
は、周囲のガスまたは真空の屈折率にほぼ等しい。膜が
基板に接触すると、透過せしめられる波長はλ/nef f
に変化する。ただし、neff は、1.0<neff <n
substrate の範囲内にある。もし膜が、一方の側におい
て他方の側と異なる媒質に接していれば、実効屈折率は
それら2つの周囲媒質の屈折率の特殊な種類の平均とな
り、次式で表わされる。
屈折率を変化せしめる。もしスロットが最初に波長λを
透過させるように設計されていれば、最初に透過せしめ
られる放射の波長はλ/neff となる。ただし、neff
は、周囲のガスまたは真空の屈折率にほぼ等しい。膜が
基板に接触すると、透過せしめられる波長はλ/nef f
に変化する。ただし、neff は、1.0<neff <n
substrate の範囲内にある。もし膜が、一方の側におい
て他方の側と異なる媒質に接していれば、実効屈折率は
それら2つの周囲媒質の屈折率の特殊な種類の平均とな
り、次式で表わされる。
【0016】
【数1】 ただし、n1 およびn2 は、膜のそれぞれの側にある媒
質の屈折率である。
質の屈折率である。
【0017】ピーク透過波長のこの変化は、妨害波長の
透過を減少させることによって、感知装置が妨害に抗し
て識別を行ないうるようにする。
透過を減少させることによって、感知装置が妨害に抗し
て識別を行ないうるようにする。
【0018】図2は、このようなフィルタの製造のフロ
ーチャートである。最初のステップ26においては、電
極または諸電極が基板内に画定される。基板は、8−1
2ミクロンの波長帯域に適するシリコンまたはヒ化ガリ
ウムのように、好ましくは問題となる波長に対して透明
なものとする。電極は、さまざまな方法で形成されう
る。電極は、ブランケットドーピングまたはパターン形
成ドーピングによって形成されうる。ドーパントを活性
化して電極に対し十分に低い抵抗率を与えるためには、
インプラントの後、ドライブイン拡散が必要である。あ
るいは、酸化インジウムスズのような透明導電材料、ま
たはデバイスを通る光路の暗化を最小ならしめるように
横方向にパターン形成された金属、の付着により形成さ
れたフィルム電極も可能である。さらに、電極は基板で
もありえ、その場合は、基板は部分的に導電性のもので
ある。下部電極の導電率と透明度との間には、固有の妥
協点問題が存在する。
ーチャートである。最初のステップ26においては、電
極または諸電極が基板内に画定される。基板は、8−1
2ミクロンの波長帯域に適するシリコンまたはヒ化ガリ
ウムのように、好ましくは問題となる波長に対して透明
なものとする。電極は、さまざまな方法で形成されう
る。電極は、ブランケットドーピングまたはパターン形
成ドーピングによって形成されうる。ドーパントを活性
化して電極に対し十分に低い抵抗率を与えるためには、
インプラントの後、ドライブイン拡散が必要である。あ
るいは、酸化インジウムスズのような透明導電材料、ま
たはデバイスを通る光路の暗化を最小ならしめるように
横方向にパターン形成された金属、の付着により形成さ
れたフィルム電極も可能である。さらに、電極は基板で
もありえ、その場合は、基板は部分的に導電性のもので
ある。下部電極の導電率と透明度との間には、固有の妥
協点問題が存在する。
【0019】工程を続けると、次のステップはステップ
28であり、そこではスペーサ層の付着が行なわれる。
もし反射防止コーティングが使用されるものとすれば、
スペーサが付着せしめられる前に、電極とスペーサ層と
の間の層である「頂部」層が付着せしめられなくてはな
らない。例えば、それらは蒸着によって付着せしめられ
うる。その場合、スロットから見た実効屈折率は、基板
の屈折率よりもコーティングの屈折率によって、より強
く影響される。本発明の実施例においては、スペーサ
は、スピン塗布によって付着せしめられた重合体層から
構成される。
28であり、そこではスペーサ層の付着が行なわれる。
もし反射防止コーティングが使用されるものとすれば、
スペーサが付着せしめられる前に、電極とスペーサ層と
の間の層である「頂部」層が付着せしめられなくてはな
らない。例えば、それらは蒸着によって付着せしめられ
うる。その場合、スロットから見た実効屈折率は、基板
の屈折率よりもコーティングの屈折率によって、より強
く影響される。本発明の実施例においては、スペーサ
は、スピン塗布によって付着せしめられた重合体層から
構成される。
【0020】この構造における主な必要条件は、それが
作動せしめられていない状態においては、膜が基板から
十分に離れていて、基板が、スロットの吸収または透過
する波長に影響を及ぼさないことである。この距離は、
波長よりも小でありうる。膜が基板に近くなるほど、そ
れらの間の距離は重要性を帯びてくる。
作動せしめられていない状態においては、膜が基板から
十分に離れていて、基板が、スロットの吸収または透過
する波長に影響を及ぼさないことである。この距離は、
波長よりも小でありうる。膜が基板に近くなるほど、そ
れらの間の距離は重要性を帯びてくる。
【0021】スペーサの厚さは、それが除去された時
に、膜が基板から十分遠くに保持されて、膜から見た実
効屈折率が、膜が基板に近づくか、または接触した時に
現われる屈折率と顕著に異なるようになされなくてはな
らない。もし膜が、その両側において任意の他の媒質か
ら十分に離れていれば、周囲の媒質の実効屈折率は、ほ
ぼ1.0である空気のそれでありうる。
に、膜が基板から十分遠くに保持されて、膜から見た実
効屈折率が、膜が基板に近づくか、または接触した時に
現われる屈折率と顕著に異なるようになされなくてはな
らない。もし膜が、その両側において任意の他の媒質か
ら十分に離れていれば、周囲の媒質の実効屈折率は、ほ
ぼ1.0である空気のそれでありうる。
【0022】ステップ30においては、膜が、たいてい
はスパッタリングによって付着せしめられる。膜は、金
またはアルミニウム合金などの、反射性金属の薄い、引
伸ばしやすいフィルムである。膜は、付着せしめられた
後に、ステップ32において、パターン化され、かつエ
ッチングされて、エッチングのための小さいアクセス孔
およびスロットを形成される。スロットは、エッチング
アクセス孔としても十分に利用されうる。
はスパッタリングによって付着せしめられる。膜は、金
またはアルミニウム合金などの、反射性金属の薄い、引
伸ばしやすいフィルムである。膜は、付着せしめられた
後に、ステップ32において、パターン化され、かつエ
ッチングされて、エッチングのための小さいアクセス孔
およびスロットを形成される。スロットは、エッチング
アクセス孔としても十分に利用されうる。
【0023】ステップ34においては、プラズマエッチ
ングのような等方性選択的エッチングを用いて、電極の
上方、かつスロットの下方のスペーサが除去され、膜を
支持するための周辺部のスペーサが残される。選択され
るエッチング工程によっては、エッチング以前に、構造
を上部に構成されたウェハのダイシングを行なうと有利
である。1つより多くのこのようなデバイスが、1つの
ウェハ上に製造されうる。残留スペーサの量と位置と
は、膜内のアクセス孔の大きさと、エッチングの時間と
によって制御される。最後に得られるのは、スペーサが
除去されたエアスペース上に支持された、共振スロット
パターンを含む薄い金属膜である。別の実施例は、単一
の膜の下に多電極を含みうる。その場合は、スペーサを
格子状パターンをなさしめて残し、それぞれの電極が膜
の画定された区域を制御しうるようにする。膜は、膜と
下部電極との間に電圧を印加することによって静電的に
偏向せしめられうる。ステップ36において、完成され
た構造が出来上がると、それはパッケージに封入され、
感知装置内に配置されなくてはならない。このデバイス
は、通常は、感知モジュール内のどこかに、端縁部によ
って保持される。電気的接続は、通常は、デバイスの基
板側から行なうのが最良である。装置の動作環境によっ
ては、保護的パッケージングが必要となる。
ングのような等方性選択的エッチングを用いて、電極の
上方、かつスロットの下方のスペーサが除去され、膜を
支持するための周辺部のスペーサが残される。選択され
るエッチング工程によっては、エッチング以前に、構造
を上部に構成されたウェハのダイシングを行なうと有利
である。1つより多くのこのようなデバイスが、1つの
ウェハ上に製造されうる。残留スペーサの量と位置と
は、膜内のアクセス孔の大きさと、エッチングの時間と
によって制御される。最後に得られるのは、スペーサが
除去されたエアスペース上に支持された、共振スロット
パターンを含む薄い金属膜である。別の実施例は、単一
の膜の下に多電極を含みうる。その場合は、スペーサを
格子状パターンをなさしめて残し、それぞれの電極が膜
の画定された区域を制御しうるようにする。膜は、膜と
下部電極との間に電圧を印加することによって静電的に
偏向せしめられうる。ステップ36において、完成され
た構造が出来上がると、それはパッケージに封入され、
感知装置内に配置されなくてはならない。このデバイス
は、通常は、感知モジュール内のどこかに、端縁部によ
って保持される。電気的接続は、通常は、デバイスの基
板側から行なうのが最良である。装置の動作環境によっ
ては、保護的パッケージングが必要となる。
【0024】直線スロットを使用する場合の1つの問題
は、それが、スロットの方向と同じ方向の電界ベクトル
を有する放射のみを透過させることである。1つの解決
法は、さまざまな方向に向いたスロットのパターンを用
いることである。しかし、一定の偏波に対する最大透過
効率は、適正方向を有するスロットの割合によって制限
される。この問題を軽減するためには、十字形状または
3極形状を用いて偏波感度をもたないデバイスを作るこ
とができる。3極形状の場合には、スロットは、3脚を
有し、それぞれの脚が2つの隣接脚と120°をなすよ
うに設計される。
は、それが、スロットの方向と同じ方向の電界ベクトル
を有する放射のみを透過させることである。1つの解決
法は、さまざまな方向に向いたスロットのパターンを用
いることである。しかし、一定の偏波に対する最大透過
効率は、適正方向を有するスロットの割合によって制限
される。この問題を軽減するためには、十字形状または
3極形状を用いて偏波感度をもたないデバイスを作るこ
とができる。3極形状の場合には、スロットは、3脚を
有し、それぞれの脚が2つの隣接脚と120°をなすよ
うに設計される。
【0025】図3には、3極形状スロットの幾何学形態
が示されている。3極形状の場合には、寸法は3つの因
子、すなわち、問題にされる放射の自由空間における光
波長λ0 と、周囲の媒質の実効屈折率neff と、幾何学
的因子Kと、によって決定される。3極形状に対する幾
何学的因子は、≒0.27に等しい。角40は120°
である。脚の長さは、その端部42Aまたは42Bから
接合部の中心44までとして測定される。この距離LT
は、線46によって示されている。3極形状の最初の共
振が起こる長さLT は、次式によって与えられる。
が示されている。3極形状の場合には、寸法は3つの因
子、すなわち、問題にされる放射の自由空間における光
波長λ0 と、周囲の媒質の実効屈折率neff と、幾何学
的因子Kと、によって決定される。3極形状に対する幾
何学的因子は、≒0.27に等しい。角40は120°
である。脚の長さは、その端部42Aまたは42Bから
接合部の中心44までとして測定される。この距離LT
は、線46によって示されている。3極形状の最初の共
振が起こる長さLT は、次式によって与えられる。
【0026】
【数2】
【0027】デバイスが動作していて、膜が基板に接触
した時は、透過帯域の中心波長は偏移せしめられる。透
過する波長帯域の幅は、なかんずく、製造パラメータに
よって決定されるスロットの寸法の一様さによって影響
される。透過波長は前よりも長くなり、2つの光帯域間
のスイッチ、またはある波長に対するオン/オフスイッ
チが可能となる。さらに、それは、多くの選択可能なも
ののうちの1つとして、放射チョッパとしても使用され
うる。
した時は、透過帯域の中心波長は偏移せしめられる。透
過する波長帯域の幅は、なかんずく、製造パラメータに
よって決定されるスロットの寸法の一様さによって影響
される。透過波長は前よりも長くなり、2つの光帯域間
のスイッチ、またはある波長に対するオン/オフスイッ
チが可能となる。さらに、それは、多くの選択可能なも
ののうちの1つとして、放射チョッパとしても使用され
うる。
【0028】本発明の別の実施例においては、いくつか
の導電部材を含む透明膜が使用されうる。これは図4に
示されている。図4において、膜22は透明である。こ
の膜は、その内部、またはその1表面上に、導電部材4
8を有する。これらは3極形状のものとして示されてい
るが、所望の任意の幾何学的形態のものでありえ、単に
製造上の関係によってのみ制約を受ける。
の導電部材を含む透明膜が使用されうる。これは図4に
示されている。図4において、膜22は透明である。こ
の膜は、その内部、またはその1表面上に、導電部材4
8を有する。これらは3極形状のものとして示されてい
るが、所望の任意の幾何学的形態のものでありえ、単に
製造上の関係によってのみ制約を受ける。
【0029】このようにして、これまで光放射に対する
スイッチ可能共振フィルタの特定の実施例を説明してき
たが、これらの特定の内容は、特許請求の範囲に記載さ
れている内容による以外に、本発明の範囲を限定するも
のと考えられるべきものではない。
スイッチ可能共振フィルタの特定の実施例を説明してき
たが、これらの特定の内容は、特許請求の範囲に記載さ
れている内容による以外に、本発明の範囲を限定するも
のと考えられるべきものではない。
【0030】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 (1) a.所定波長の光放射に対して実質的に透明な基板
と、 b.該基板に隣接して形成された少なくとも1つの電極
と、 c.該電極を含む層上に、該電極を被覆しないように形
成されたスペーサと、 d.該スペーサによって支持され、前記電極上に懸架さ
れるように該スペーサ上に形成された膜と、 e.該膜に形成されたスロットであって、該スロットが
前記所定波長の光放射に対して共振するように形成され
ている該スロットと、 から構成される光フィルタ。
る。 (1) a.所定波長の光放射に対して実質的に透明な基板
と、 b.該基板に隣接して形成された少なくとも1つの電極
と、 c.該電極を含む層上に、該電極を被覆しないように形
成されたスペーサと、 d.該スペーサによって支持され、前記電極上に懸架さ
れるように該スペーサ上に形成された膜と、 e.該膜に形成されたスロットであって、該スロットが
前記所定波長の光放射に対して共振するように形成され
ている該スロットと、 から構成される光フィルタ。
【0031】(2) 前記基板がさらにヒ化ガリウムから
構成される、第1項記載のフィルタ。 (3) 前記基板がさらにシリコンから構成される、第1
項記載のフィルタ。 (4) 前記電極がさらに部分的導電性を有する基板から
構成される、第1項記載のフィルタ。
構成される、第1項記載のフィルタ。 (3) 前記基板がさらにシリコンから構成される、第1
項記載のフィルタ。 (4) 前記電極がさらに部分的導電性を有する基板から
構成される、第1項記載のフィルタ。
【0032】(5) 前記電極がさらに前記基板内のドー
ピングされた領域から構成される、第1項記載のフィル
タ。 (6) 前記電極がさらに透明導電材料のフィルム電極か
ら構成される、第1項記載のフィルタ。 (7) 前記透明導電材料が酸化インジウムスズである、
第6項記載のフィルタ。
ピングされた領域から構成される、第1項記載のフィル
タ。 (6) 前記電極がさらに透明導電材料のフィルム電極か
ら構成される、第1項記載のフィルタ。 (7) 前記透明導電材料が酸化インジウムスズである、
第6項記載のフィルタ。
【0033】(8) 前記電極がさらに光の径路の暗化が
最小であるように横方向にパターン形成された金属から
構成される、第1項記載のフィルタ。 (9) 前記膜がアルミニウム合金から成る、第1項記載
のフィルタ。 (10) 前記膜が金から成る、第1項記載のフィルタ。
最小であるように横方向にパターン形成された金属から
構成される、第1項記載のフィルタ。 (9) 前記膜がアルミニウム合金から成る、第1項記載
のフィルタ。 (10) 前記膜が金から成る、第1項記載のフィルタ。
【0034】(11)a.2つの平行面を有する、所定波長
の光放射に対して実質的に透明な基板と、 b.前記2つの平行面の一方に隣接して形成された少な
くとも1つの電極と、 c.前記基板の前記2つの平行面の少なくとも一方の上
に形成された反射防止コーティングと、 d.前記電極を含む層上に、該電極を被覆しないように
形成されたスペーサと、 e.該スペーサによって支持され、前記電極上に懸架さ
れるように該スペーサ上に形成された膜と、 f.該膜に形成されたスロットであって、該スロットが
前記所定波長の光放射に対して共振するように形成され
ている該スロットと、 から構成される光フィルタ。
の光放射に対して実質的に透明な基板と、 b.前記2つの平行面の一方に隣接して形成された少な
くとも1つの電極と、 c.前記基板の前記2つの平行面の少なくとも一方の上
に形成された反射防止コーティングと、 d.前記電極を含む層上に、該電極を被覆しないように
形成されたスペーサと、 e.該スペーサによって支持され、前記電極上に懸架さ
れるように該スペーサ上に形成された膜と、 f.該膜に形成されたスロットであって、該スロットが
前記所定波長の光放射に対して共振するように形成され
ている該スロットと、 から構成される光フィルタ。
【0035】(12) 前記基板がさらにヒ化ガリウムから
構成される、第11項記載のフィルタ。 (13) 前記基板がさらにシリコンから構成される、第1
1項記載のフィルタ。 (14) 前記電極がさらに部分的導電性を有する基板から
構成される、第11項記載のフィルタ。
構成される、第11項記載のフィルタ。 (13) 前記基板がさらにシリコンから構成される、第1
1項記載のフィルタ。 (14) 前記電極がさらに部分的導電性を有する基板から
構成される、第11項記載のフィルタ。
【0036】(15) 前記電極がさらに前記基板内のドー
ピングされた領域から構成される、第11項記載のフィ
ルタ。 (16) 前記電極がさらに透明導電材料のフィルム電極か
ら構成される、第11項記載のフィルタ。 (17) 前記透明導電材料が酸化インジウムスズである、
第16項記載のフィルタ。
ピングされた領域から構成される、第11項記載のフィ
ルタ。 (16) 前記電極がさらに透明導電材料のフィルム電極か
ら構成される、第11項記載のフィルタ。 (17) 前記透明導電材料が酸化インジウムスズである、
第16項記載のフィルタ。
【0037】(18) 前記電極がさらに光の径路の暗化が
最小であるように横方向にパターン形成された金属から
構成される、第11項記載のフィルタ。 (19) 前記膜がアルミニウム合金から成る、第11項記
載のフィルタ。 (20) 前記膜が金から成る、第11項記載のフィルタ。
最小であるように横方向にパターン形成された金属から
構成される、第11項記載のフィルタ。 (19) 前記膜がアルミニウム合金から成る、第11項記
載のフィルタ。 (20) 前記膜が金から成る、第11項記載のフィルタ。
【0038】(21)a.基板に隣接して電極を画定するス
テップと、 b.該電極上にスペーサ材料の層を付着せしめるステッ
プと、 c.該スペーサ上に膜を形成するステップと、 d.該膜にプラズマアクセス孔をエッチングするステッ
プであって、該アクセス孔がある波長の光放射に共振す
るスロットから構成される該エッチングステップと、 e.前記電極が起動された時に前記膜が前記基板に向か
って偏向しうるように、前記スペーサ材料が前記電極上
には存在しないが、前記膜を支持するために他の場所に
は残存するよう前記スペーサ材料を除去するステップ
と、 を含む、光フィルタの製造方法。
テップと、 b.該電極上にスペーサ材料の層を付着せしめるステッ
プと、 c.該スペーサ上に膜を形成するステップと、 d.該膜にプラズマアクセス孔をエッチングするステッ
プであって、該アクセス孔がある波長の光放射に共振す
るスロットから構成される該エッチングステップと、 e.前記電極が起動された時に前記膜が前記基板に向か
って偏向しうるように、前記スペーサ材料が前記電極上
には存在しないが、前記膜を支持するために他の場所に
は残存するよう前記スペーサ材料を除去するステップ
と、 を含む、光フィルタの製造方法。
【0039】(22) 前記画定ステップがさらに前記基板
をドーピングして前記電極を形成するステップを含む、
第21項記載の方法。 (23) 前記画定ステップがさらにフィルム電極を付着せ
しめるステップを含む、第21項記載の方法。 (24) 前記フィルム電極が透明導電材料である、第23
項記載の方法。
をドーピングして前記電極を形成するステップを含む、
第21項記載の方法。 (23) 前記画定ステップがさらにフィルム電極を付着せ
しめるステップを含む、第21項記載の方法。 (24) 前記フィルム電極が透明導電材料である、第23
項記載の方法。
【0040】(25) 前記透明導電材料が酸化インジウム
スズである、第24項記載の方法。 (26) 前記フィルム電極が光の径路の暗化が最小である
ように横方向にパターン形成された金属である、第23
項記載の方法。
スズである、第24項記載の方法。 (26) 前記フィルム電極が光の径路の暗化が最小である
ように横方向にパターン形成された金属である、第23
項記載の方法。
【0041】(27) 前記付着ステップがさらに前記基板
上に反射防止コーティングを付着せしめるステップを含
む、第23項記載の方法。 (28) 前記形成ステップがさらに前記スペーサ上に前記
膜をスパッタリングするステップを含む、第21項記載
の方法。 (29) 前記除去ステップがさらにプラズマエッチングス
テップを含む、第21項記載の方法。
上に反射防止コーティングを付着せしめるステップを含
む、第23項記載の方法。 (28) 前記形成ステップがさらに前記スペーサ上に前記
膜をスパッタリングするステップを含む、第21項記載
の方法。 (29) 前記除去ステップがさらにプラズマエッチングス
テップを含む、第21項記載の方法。
【0042】(30)a.光放射の選択された所定波長に対
して共振する少なくとも1つのスロットを含む膜に向か
って該光放射を送るステップと、 b.選択された屈折率を有する基板に隣接する電極であ
って、前記膜を引きつけるための該電極を起動せしめる
ステップと、 c.前記スロットを含む前記膜を前記基板に向かって移
動せしめることにより該スロットが共振する前記光放射
の前記波長を変化せしめるステップと、 を含む、光フィルタリングの方法。
して共振する少なくとも1つのスロットを含む膜に向か
って該光放射を送るステップと、 b.選択された屈折率を有する基板に隣接する電極であ
って、前記膜を引きつけるための該電極を起動せしめる
ステップと、 c.前記スロットを含む前記膜を前記基板に向かって移
動せしめることにより該スロットが共振する前記光放射
の前記波長を変化せしめるステップと、 を含む、光フィルタリングの方法。
【0043】(31)a.所定波長の光放射に対して実質的
に透明な基板と、 b.該基板に隣接して形成された少なくとも1つの電極
と、 c.該電極を含む層上に、該電極を被覆しないように形
成されたスペーサと、 d.該スペーサによって支持され、前記電極上に懸架さ
れるように該スペーサ上に形成された、前記所定波長に
対して実質的に透明な膜であって、導電部材を含む該膜
と、 から構成される光フィルタ。
に透明な基板と、 b.該基板に隣接して形成された少なくとも1つの電極
と、 c.該電極を含む層上に、該電極を被覆しないように形
成されたスペーサと、 d.該スペーサによって支持され、前記電極上に懸架さ
れるように該スペーサ上に形成された、前記所定波長に
対して実質的に透明な膜であって、導電部材を含む該膜
と、 から構成される光フィルタ。
【0044】(32) スイッチ可能光フィルタの構造およ
びその製造方法。該構造は、問題となる放射に対して透
明な基板10を含み、基板10は電極12を含むか、ま
たは支持する。スペーサ層16は、電極12と膜22と
の間にはスペーサが存在しないが、他の場所にはいくら
かのスペーサ16が残存して膜22を支持するようにし
て、該膜を電極12上に懸架する。該膜は、特定波長の
放射に共振するための特定の長さをもったスロット24
を有する。電極12が起動されると、膜22は偏向し、
その前記基板までの近さの変動が、透過する波長を変化
せしめる。
びその製造方法。該構造は、問題となる放射に対して透
明な基板10を含み、基板10は電極12を含むか、ま
たは支持する。スペーサ層16は、電極12と膜22と
の間にはスペーサが存在しないが、他の場所にはいくら
かのスペーサ16が残存して膜22を支持するようにし
て、該膜を電極12上に懸架する。該膜は、特定波長の
放射に共振するための特定の長さをもったスロット24
を有する。電極12が起動されると、膜22は偏向し、
その前記基板までの近さの変動が、透過する波長を変化
せしめる。
【図1】スイッチ可能フィルタ膜デバイスの側面図であ
って、Aは膜が偏向せしめられていない状態を示し、B
は膜が偏向せしめられている状態を示す図。
って、Aは膜が偏向せしめられていない状態を示し、B
は膜が偏向せしめられている状態を示す図。
【図2】光放射に対するスイッチ可能共振フィルタの製
造工程の流れを示すフローチャートを示す図。
造工程の流れを示すフローチャートを示す図。
【図3】膜に形成されるべき共振スロットの可能な幾何
学的形態の寸法を示す図。
学的形態の寸法を示す図。
【図4】膜が透明であり、かつ導電部材を含む別の実施
例を示す図。
例を示す図。
10 基板 12 電極 14 反射防止コーティング 16 スペーサ 22 膜 24 スロット 48 導電部材
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成6年1月19日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図2
【補正方法】変更
【補正内容】
【図2】
Claims (2)
- 【請求項1】 a.所定波長の光放射に対して実質的に
透明な基板と、 b.該基板に隣接して形成された少なくとも1つの電極
と、 c.該電極を含む層上に、該電極を被覆しないように形
成されたスペーサと、 d.該スペーサによって支持され、前記電極上に懸架さ
れるように該スペーサ上に形成された膜と、 e.該膜に形成されたスロットであって、該スロットが
前記所定波長の光放射に対して共振するように形成され
ている該スロットと、から構成される光フィルタ。 - 【請求項2】 a.基板に隣接して電極を画定するステ
ップと、 b.該電極上にスペーサ材料の層を付着せしめるステッ
プと、 c.該スペーサ上に膜を形成するステップと、 d.該膜にプラズマアクセス孔をエッチングするステッ
プであって、該アクセス孔がある波長の光放射に共振す
るスロットから構成される該エッチングステップと、 e.前記電極が起動された時に前記膜が前記基板に向か
って偏向しうるように、前記スペーサ材料が前記電極上
には存在しないが、前記膜を支持するために他の場所に
は残存するよう前記スペーサ材料を除去するステップ
と、を含む、光フィルタの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/831,719 US5231532A (en) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | Switchable resonant filter for optical radiation |
US831719 | 1992-02-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06221921A true JPH06221921A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=25259707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5018975A Pending JPH06221921A (ja) | 1992-02-05 | 1993-02-05 | 光放射に対するスイッチ可能共振フィルタおよびその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5231532A (ja) |
EP (1) | EP0554847B1 (ja) |
JP (1) | JPH06221921A (ja) |
KR (1) | KR100294035B1 (ja) |
CA (1) | CA2088176C (ja) |
DE (1) | DE69305375T2 (ja) |
TW (1) | TW235339B (ja) |
Families Citing this family (198)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5835255A (en) * | 1986-04-23 | 1998-11-10 | Etalon, Inc. | Visible spectrum modulator arrays |
US7830587B2 (en) | 1993-03-17 | 2010-11-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light with semiconductor substrate |
US6674562B1 (en) | 1994-05-05 | 2004-01-06 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
DE4336841C1 (de) * | 1993-10-28 | 1995-05-04 | Deutsche Aerospace | Abdeckung für Radarantennen |
US7297471B1 (en) * | 2003-04-15 | 2007-11-20 | Idc, Llc | Method for manufacturing an array of interferometric modulators |
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