JP2023543737A - 容量制御ファブリペロー干渉計 - Google Patents
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Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 107
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 107
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 45
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 20
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 244
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/21—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour by interference
- G02F1/213—Fabry-Perot type
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
- G01J3/26—Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0808—Mirrors having a single reflecting layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
本開示は、第１の絶縁層に埋め込まれた第１の金属薄膜層を有する第１のミラー層と、第２の絶縁層に埋め込まれた第２の金属薄膜層を有する第２のミラー層とを含む容量制御ファブリペロー干渉計を記載する。第１の金属薄膜層における制御領域は、第２の金属薄膜層における制御領域と作動方向に少なくとも部分的に位置合わせされている。干渉計はまた、第１の制御電極および第１の誘電体層を含み、第１の誘電体層は、第１の制御電極と第１の金属薄膜層の制御領域の少なくとも一部との間にある。【選択図】図１ａ
Description
本開示は、ファブリペロー光学フィルタに関し、特に、微小機械ファブリペロー干渉計に関する。本開示は、さらに、トップミラーとボトムミラーとの間のギャップが制御されることができる機構に関する。
微小機械ファブリペロー干渉計は、典型的には、基板の上方のボトムミラーの上方に懸架されたトップミラーを備える。２つのミラーは、２つのミラーの間に光学同調キャビティが形成されるように、ミラーギャップによって互いに分離される。２つのミラーは、少なくとも部分的に透明である。入射電磁放射線は、一方の側から同調キャビティに入り、他方の側から同調キャビティを出ることができる。
光学キャビティに入る光は、キャビティから伝送される前に、ボトムミラーとトップミラーとの間で多重反射を受けることができる。建設的干渉は、式２ｄ＝ｎλに対応する波長において透過ピークを生成し、式中、ｄはミラーギャップの高さであり、ｎは整数である。ｎ＝１に対応する一次透過ピークは、ｎが１よりも大きい場合に式を満たす波長からの高次透過ピークを伴う。次数選別フィルタは、ｎの１つの特定値に対応する波長に対してのみ透過を可能にするようにファブリペローフィルタを用いて実装されることができる。
微小機械ファブリペロー干渉計は、可視光から赤外まで広がる波長範囲の電磁放射をフィルタリングするように構成されることができる。透過波長は、ミラーギャップを調整することによって選択されることができる。いくつかの微小電気機械ファブリペローフィルタは、ＭＥＭＳアクチュエータを利用して一方のミラーを他方のミラーに対して移動させ、それによってミラーギャップを調整する。米国特許出願公開第２００９１５３８４４号明細書は、静電アクチュエータが１つのミラーに接続されているＭＥＭＳファブリペローフィルタを開示している。この作動機構の課題は、アクチュエータが多くの表面積を消費し、多くの追加の処理ステップを必要とするということである。
本開示の目的は、上記課題を解消する装置を提供することである。
本開示の目的は、独立請求項に記載されているものによって特徴付けられる構成によって達成される。本開示の好ましい実施形態は、従属請求項に提示されている。
本開示は、２つのミラー間の直接的な静電引力によってボトムミラーとトップミラーとの間の相対運動を作動させるという考えに基づいている。２つのミラーのうちの少なくとも一方の電位は、容量結合制御電極を介して設定される。この構成の利点は、ミラーギャップが広範囲にわたって高精度に調整されることができるということである。
以下では、添付の図面を参照して、好ましい実施形態によって本開示をより詳細に説明する。
本開示は、容量制御ファブリペロー干渉計を説明する。干渉計は、第１の絶縁層に埋め込まれた第１の金属薄膜層を含む第１のミラー層を含む。第１の金属薄膜層は、中央領域および制御領域を含む。
干渉計はまた、第２の絶縁層内に埋め込まれた第２の金属薄膜層を含む第２のミラー層を含む。第２の金属薄膜層は、中央領域および制御領域を含む。第１の金属薄膜層の中央領域は、第２の金属薄膜層の中央領域と作動方向に少なくとも部分的に位置合わせされている。第１の金属薄膜層の制御領域は、第２の金属薄膜層の制御領域と作動方向に少なくとも部分的に位置合わせされている。
干渉計はまた、第１の制御電極および第１の誘電体層を含む。第１の誘電体層は、第１の制御電極と第１の金属薄膜層の制御領域の少なくとも一部との間にある。第１の誘電体層は、第１の金属薄膜層が埋め込まれた第１の絶縁層の一部である。干渉計はまた、第２の金属薄膜層の制御領域に電気的に結合された第２の制御電極を含む。
第１のミラー層は、基板に固定されてもよく、第２のミラー層は、２つのミラー層が互いに実質的に平行になるように基板上に懸架されてもよい。「作動方向」という用語は、干渉計の動作方向を指す。干渉計によってフィルタリングされた電磁放射線は、作動方向において干渉計に出入りする。作動方向は、例えば、第１および第２のミラー層ならびに基板の表面に対して実質的に垂直であってもよい。
基板の平面が水平面を画定するように使用される場合、作動方向は、垂直方向と呼ばれる場合があり、第１のミラー層は、ボトムミラーと呼ばれる場合があり、第２のミラー層は、トップミラーと呼ばれる場合がある。しかしながら、本開示で使用される「トップ／ボトム」または「上／下」という用語は、装置が製造されるときに装置がどのように配向されるかのみを指す。装置は、使用時に任意の方向に配向されることができるため、「作動方向」は、装置の使用時に必ずしも垂直ではない。
図１ａは、第１のミラー層１１を有する容量制御ファブリペロー干渉計を示している。第１のミラー層は、第１の絶縁層１１２に埋め込まれた第１の金属薄膜層１１１を含む。これに対応して、第２のミラー層１２は、第２の絶縁層１２２に埋め込まれた第２の金属薄膜層１２１を含む。この場合、第２のミラー層１２は、基板１８上にある一方で、第１のミラー層１１は、２つのスペーサ１４１および１４２によって基板上に懸架されており、それにより、同調キャビティ１７が第１のミラー層と第２のミラー層との間に形成される。基板１８は、例えば、溶融シリカ基板もしくはサファイア基板、または干渉計が通過させるように設計されている放射に対して十分な透明性を有する任意の他の適切な基板であってもよい。
基板は、図１ａのｘ軸によって示されるｘｙ平面を画定する。作動方向は、ここではｚ軸によって示されており、作動方向におけるキャビティ１７の高さは、ミラーギャップ１７１である。ミラーギャップは、後述するように、第１のミラー層１１を第２のミラー層１２に対して移動させる作動力によって調整可能である。
スペーサ１４１および１４２は、比較的低温で堆積された酸化物層、例えばオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）の層から作製されることができる。あるいは、それらは、ポリマー層から作製されることができる。この酸化物またはポリマー層の厚さは、典型的には、作動力が加えられる前のミラーギャップ１７１の初期高さを決定する（等しくてもよい）。スペーサ１４１および１４２を形成する層の厚さは、例えば、２００ｎｍ～４μｍの範囲内とすることができる。最適な厚さは、とりわけ、干渉計の所望の通過帯域波長に依存する。
第１および第２の金属薄膜層１１１および１２１は、導電性を有し、各ミラー層において反射体として機能する。層１１１および１２１は、例えば、銀、金、白金またはチタンの層であってもよい。第１および第２の金属薄膜層１１１および１２１の厚さは、３０ｎｍ～５０ｎｍの範囲内であってもよく、または１５ｎｍ～６０ｎｍの範囲内であってもよい。
金属薄膜が埋め込まれた絶縁層１１２および１２２は、第１のミラー層１１を第２のミラー層１２に近付けることにより、作動力がミラーギャップを狭める際に第１のミラー層１１が受ける曲げに柔軟に対応するように、十分に高い引張応力を有する必要がある。絶縁層１１２および１２２は、例えば、Ａｌ２Ｏ３の層であってもよく、それらの厚さは、例えば、５～１００ｎｍの範囲内であってもよい。
点線１９１～１９６は、装置をｘ軸に沿って５つの領域に分割する。第１および第２のミラー層１１および１２の双方は、領域１９１～１９２に中央領域を有する。第１のミラー層１１は、領域１９２～１９６に第１の制御領域を有し、領域１９１～１９３に第２の制御領域を有する。第２のミラー層１２は、領域１９５～１９１に第１の制御領域を有し、領域１９２～１９４に第２の制御領域を有する。第１および第２の金属薄膜層は、それぞれ、第１および第２のミラー層の中央領域および制御領域に対応する中央領域および制御領域を有する。
第１および第２の金属薄膜層１１１および１２１は、それぞれ１９３から１９６および１９５から１９４まで連続した層として延在してもよい。しかしながら、典型的には、金属薄膜層の中央領域をそれらの制御領域から分離することがより有益である。換言すれば、第１および第２の金属薄膜層１１１および１２１は、不連続であってもよい。領域１９１～１９２内のこれらの層の中央部分は電気的に浮遊していてもよい一方で、制御領域１９３～１９１および１９２～１９４内にある制御部分は、制御領域と容量接触または直接電気接触している容量結合またはオーム結合制御電極を介して特定の電位に設定されてもよい。
図１ａに示す第１のミラー層１１の第１および第２の制御領域は、連続した第１のリング状制御領域の一部であってもよい。第２のミラー層１２の第１および第２の制御領域は、これに対応して、連続した第２のリング状制御領域の一部であってもよい。第２のリング状制御領域は、作動方向において第１のリング状制御領域と位置合わせされてもよい。
図１ｂは、ｘｙ平面内のリング状制御領域を示している。第１および第２のリング状制御領域は、この制御領域内でオーバーラップする。この制御領域は、ドーナツの形状を有してもよい。図１ａに示す断面は、図１ｂの線Ａ－Ａに沿ったものである。この制御領域幾何学的形状は、第１のミラーが作動方向に作動されるとき、第１のミラー層１１の中央領域を第２のミラー層１２の中央領域と平行に保つ。他の制御領域幾何学的形状も可能である。
第１のミラー層１１の中央領域は、第２のミラー層１２の中央領域よりも大きくてもよく、またはその逆であってもよい。２つのミラー層の第１および第２のリング状制御領域もまた、異なるサイズからなる。それにもかかわらず、第１のミラー層１１の中央領域は、作動方向において第２のミラー層１２の中央領域と少なくとも部分的に位置合わせされなければならず、その結果、それらはｘｙ平面内でオーバーラップする。中央領域がオーバーラップする領域は、干渉計の光学活性領域を形成する。第１のミラー層の制御領域はまた、作動方向において第２のミラー層の制御領域と少なくとも部分的に位置合わせされ、その結果、それらはｘｙ平面内でオーバーラップする。このオーバーラップ領域は、例えば、上述したドーナツ状の形状、または任意の他の適切な形状を有することができる。
制御領域がオーバーラップする領域が作動範囲を形成する。この領域では、金属薄膜層１１１および１２１の制御領域間に電位差があると、ミラー層１１および１２間の静電引力が発生する。第１および第２の金属薄膜層は、例えば、銀から作製されてもよく、これは、最も関心のある波長領域において良好な導電性および典型的には良好な反射率も有する。第１および第２の金属薄膜層には、以下に述べる他の材料のいずれが使用されてもよい。
第１のミラー層１１が基板上に懸架され、第２のミラー層が基板１８に固定されている図示の装置では、この引力は、第１のミラー層１１を基板１８に向かって引っ張る。これは、ミラーギャップ１７１を狭くし、干渉計を通過することができる放射波長を変化させる。電位差の大きさが静電引力の大きさを決定するため、電位差を変化させることによって第１のミラー層１１が上下に移動されることができる。
双方のミラー層が作動方向の移動を可能にするように懸架されている異なる装置（図示せず）では、ミラーギャップ１７１は、２つのミラー層がそれぞれ互いに接近／離間する相互移動によって狭く／広くされることができる。
干渉計は、第１の誘電体層によって第１の金属薄膜層１１１の制御領域から分離された第１の制御電極１３１を含む。これにより、第１の制御電極１３１と第１の金属薄膜層１１１との間に第１の制御容量が形成される。図１ａに示す装置では、第１の絶縁層１１２は、コンデンサ内の第１の誘電体層を形成する。換言すれば、ここでは、第１の制御電極１３１は、１９４および１９６によって区切られた制御領域の部分において、第１の絶縁層１１２の上方に配置されている。換言すれば、第１の金属薄膜層が埋め込まれた第１の絶縁層１１２によって、第１の誘電体層が形成される。第１の誘電体層が互いの上に堆積された複数の副層を含む場合、第１の誘電体層は、これらの副層のうちの１つによって形成されてもよい。第１の誘電体層は、依然として第１の絶縁層の一部を形成する。
異なる厚さを有する第１の誘電体層がより好ましい場合、第１の制御電極１３１が堆積される前に、追加の誘電体層（図示せず）が領域１９４～１９６に追加されることができる。この追加の誘電体層は、図１ａの第１の絶縁層１１２の上方に、または第１の絶縁層が領域１９４～１９６内に延在していない場合は金属薄膜層１１１の上方に直接配置されることができる。他の変形も可能である。第１の制御電極１３１は、例えば、領域１９４～１９６において基板１８上に堆積されることができ、次いで、制御電極は、第１の誘電体層およびスペーサ１４２の双方によって第１の金属薄膜層から分離されることができる。
換言すれば、各制御電極と対応する金属薄膜層とがオーバーラップする領域に制御コンデンサが形成される。各制御コンデンサの誘電体は、少なくとも金属薄膜層を囲む第１の絶縁層によって形成されているが、これに加えて、スペーサおよび第２の絶縁層などの他の積層誘電体層を含んでいてもよい。
干渉計はまた、第２のミラー層１２の制御領域に電気的に結合される第２の制御電極１３２を含む。この電気的結合は、容量性またはオームの法則にしたがうもののいずれであってもよい。図１ａは、第２の制御電極１３２が容量結合される干渉計を示している。干渉計は、第２の誘電体層を含み、第２の誘電体層は、第２の制御電極と第２の金属薄膜層の制御領域の少なくとも一部との間にあり、その結果、第２の制御電極は、第２の金属薄膜層の制御領域に容量結合される。第２の誘電体層は、第２の金属薄膜層が埋め込まれた第２の絶縁層１２２の一部である。第１の誘電体層に関して上述した選択肢は、第２の誘電体層にも適用される。これにより、第２の制御電極１３２と第２の薄膜層１２１との間に第２の制御容量が形成される。第１および第２の制御電極１３１および１３２は、例えばアルミニウムの層であってもよい。
図１ａでは、スペーサ１４１は、線１９５および１９３によって区切られた第２のミラー層の制御領域の一部において第２の誘電体層の上方にある。ここで、絶縁層１１２および１２２は、第２の制御電極１３２と第２の金属薄膜層１２１との間にもある。したがって、第１および第２の制御電極１３１および１３２の双方は、図１ａの第１の絶縁層１１２の上方にある。第２の制御電極１３２と第２の金属薄膜層１２１との間には、第１および第２の絶縁層、ならびにスペーサ１４１の全てがある。換言すれば、図１ａでは、第１のミラー層１１は、トップミラーを形成し、第２のミラー層は、ボトムミラーを形成し１２、第１および第２の制御電極１３１および１３２は、第１のミラー層１１の上方にある。
あるいは、第２の制御電極が第２の金属薄膜層１２１の近くに配置されることができるように、スペーサ１４１および第１の絶縁層１１２の一部または全部が線１９５～１９３によって区切られた制御領域の部分において除去されることができる。いずれの場合も、第２の制御電極１３２は、少なくとも第２の金属薄膜層１２１が埋め込まれた第２の絶縁層１２２の一部である誘電体層によって、第２の金属薄膜層１２１から依然として分離される。第１および第２の誘電体層の双方の最適な厚さは、第１および第２の制御コンデンサの所望の容量に依存する。これらの所望の静電容量は、必ずしも等しい必要はない。
図１ｃは、図１ａに示す装置についての等価回路を示している。回路は、領域１９３～１９１および１９２～１９４ならびに図１ｂの全てに示されるオーバーラップ領域において第１および第２のミラー層の制御領域の間に形成される主制御コンデンサＣＣｏｎｔｒｏｌと直列に結合された第１および第２の制御コンデンサＣｓ１およびＣｓ２を含む。これにより、主制御コンデンサと直列に接続された２つの固定コンデンサＣｓ１およびＣｓ２を介して、第１の金属薄膜層１１１と第２の金属薄膜層１２１との間にＡＣ電圧が結合されることができる。第１および第２の制御コンデンサの典型的な容量は、ｐＦ範囲内にある。
図１ａに示される配置では、Ｃｓ１は、典型的にはＣｓ２よりもはるかに大きく、Ｃｓ２は、ＣＣｏｎｔｒｏｌと実質的に等しいかまたはそれよりも小さい。Ｃｓ２が十分に小さい場合、この固定コンデンサは、２つの金属薄膜層の制御領域間に発生する電界の強度を制限する（すなわち、主制御コンデンサに作用する電界を制限する）。ミラーギャップが狭くなると、ミラーギャップの逆数に比例して電界の強度が劇的に増加することはない。代わりに、固定コンデンサは、より高いレベルの増加を容易にし、これは、２つのミラーを一体にスナップ留めするリスクなしに、ミラーギャップがその静止位置から２／３程度だけ非常に狭められることを可能にする。
第２の誘電体層１４１内の材料が、例えば比誘電率が３．８の二酸化ケイ素であり、図１ｂに示すオーバーラップ領域が１９５と１９３との間の領域における第２の制御コンデンサの表面積の３．８倍である場合、静止位置からミラーギャップの６６％の理論的調整範囲が達成されることができ、建設的干渉によって干渉計を通過する波長が３００ｎｍ～３０００ｎｍの範囲で調整されることができる。
図１ｄは、第２の制御電極が第２の金属薄膜層の制御領域内で第２の金属薄膜層と直接電気的に接触しており、その結果、第２の制御電極が第２のミラー層の制御領域にオーム結合される代替装置を示している。この場合、他方の制御電極は、容量結合されて直列容量を形成し、これは、ファブリペロー装置の最適な制御特性を可能にする。
図１ｄの全ての参照符号は、図１ａと同じ装置構成要素を示しており、上に列挙した同じ材料が各構成要素に使用されることができる。唯一の相違点は、図１ｄの第２の制御電極１３２が、１９５から１９３の間の第２のミラー層の制御領域において第２の金属薄膜層１２１の上方に直接位置することである。この配置は、場合によっては、必要な駆動電子機器を単純化することができる。図１ｄでは、第１のミラー層１１は、トップミラーを形成し、第２のミラー層１２は、ボトムミラーを形成し、第１の制御電極１３１は、第１のミラー層１１の上方にあり、第２の制御電極１３２は、第２の金属薄膜層１２１まで延在する開口部にある。
上述した容量作動制御は、装置の使用時に金属薄膜層上に静電荷の蓄積をもたらすことがある。これは、第１の金属薄膜層と第２の金属薄膜層との間にＤＣ電圧を生じさせることができ、装置の動作を妨げるおそれがある。静電荷が引き起こすことがある問題を回避するために、追加の半絶縁層を金属薄膜層と接触させることができる。第１の金属薄膜層は、１つ以上の短絡点において、１つ以上の半絶縁層を介して第２の金属薄膜層と直接電気的に接触していてもよい。
制御電極に印加されるＡＣ作動電圧の周波数は、典型的には、半絶縁層の存在が作動力に影響を及ぼさないように非常に高いが、静電荷が半絶縁層を通して放電されることができ、および／または第１のミラー層と第２のミラー層との間で均等化されることができる場合、ＤＣ電圧は回避される。
第１のミラー層は、第１の金属薄膜層と直接電気的に接触して第１の絶縁層内に埋め込まれた第１の半絶縁層を含んでもよい。第２のミラー層は、第２の金属薄膜層と直接電気的に接触して第２の絶縁層内に埋め込まれた第２の半絶縁層を含んでもよい。第１の半絶縁層は、１つ以上の短絡点において第２の半絶縁層と直接電気的に接触されることができる。
第１および第２の半絶縁層は、例えば、薄く、少なくとも部分的に透明な半導体酸化物層、例えば、二酸化チタンまたはインジウムスズ酸化物であってもよい。図２は、参照符号２１１～２１２、２２１～２２２、２３１～２３２および２４１～２４２がそれぞれ図１ａの参照符号１１１～１１２、１２１～１２２、１３１～１３２および１４１～１４２に対応する干渉計を示している。
図２の干渉計はまた、その中央領域および制御領域の双方において第１の金属薄膜層２１１を覆う第１の半絶縁層２５１を含む。これに対応して、第２の半絶縁層２５２は、その中央領域および制御領域の双方において第２の金属薄膜層２２１を覆う。
第１および第２の半絶縁層２５１および２５２はまた、それらが互いに電気的に接触している短絡点２６１および２６２まで制御領域の外側に延在する。この場合、各短絡点は、対応するスペーサ２４１／２４２を通って延在する導電ビアを含むが、短絡点は、代替的に、層２５１および２５２が互いに直接接触する点のみを含むことができる。第１および第２の半絶縁層２５１および２５２の導電性は、光学キャビティを横切る静電荷によって引き起こされるＤＣ場の発生を防止するのに十分である。
あるいは、光学活性領域を横切って延在する半絶縁層２５１および２５２は除外されてもよく、短絡点は、代わりに半絶縁材料から作製されたビアを含んでもよい。次いで、第１および第２の金属薄膜層２１１および２２１の間のＤＣ電界の形成は、これらの半絶縁ビアにわたって生じる電荷等化によって防止される。
半絶縁層はまた、図１ｄに示す装置の金属薄膜層と接触して配置されてもよく、それらは上述した方法で短絡されてもよい。上記提示された任意の実施形態の代わりに、またはそれに相補的に、第１および第２のミラー層の間に形成された同調キャビティの上部、下部、および側壁に半絶縁材料の層を堆積することによって、第１および第２の金属薄膜層の間のＤＣ電界の形成を防止することが可能である。次いで、半絶縁材料の層が、同調キャビティの上部、下部、および側壁を覆い、ＤＣ場が存在しない同調キャビティ内にファラデーケージを形成する。上記提示された任意の実施形態に対する別の代替または相補は、半絶縁材料の層が図１ａ、図１ｄまたは図２の装置全体の上部に堆積されることができるということである。半絶縁材料の層は、次いで、制御電極および第１のミラー層１１の双方の上に重なる。
本開示はまた、基板上に容量制御ファブリペロー干渉計を製造するための方法を記載する。この方法は、図３ａ～図３ｇに示されている。基板３８は、第１のコンデンサ領域３９１と、第２のコンデンサ領域３９５と、第１のコンデンサ領域３９１と第２のコンデンサ領域３９５との間の中央領域３９３と、第１のコンデンサ領域３９１と中央領域３９３との間の第１の制御領域３９２と、中央領域３９３と第２のコンデンサ領域３９５との間の第２の制御領域３９４とを含む。これは、図３ａに示されている。
本方法は、基板３８の上方に絶縁材料の第１の下部層３２２１を堆積させるステップと、次いで絶縁材料の第１の下部層３２２１の上方に下部金属薄膜層３２１１を堆積させるステップとを含む。これは、図３ａに示されている。本方法はまた、図３ｂに示すように、下部金属薄膜層３２１１を、第１のコンデンサ領域３９１、第１の制御領域３９２、中央領域３９３および第２の制御領域３９４に延在するようにパターニングするステップと、次いで下部金属薄膜層３２１１の上方に絶縁材料の第２の下部層３２２２を堆積させるステップとを含む。絶縁材料の第２の下部層３２２２は、絶縁材料の第１の下部層３２１１と同じ絶縁材料を含んでもよい。あるいは、金属薄膜層が埋め込まれる対応する絶縁層が異なる材料の２つの副層からなるように、異なる絶縁材料を含んでもよい。
次いで、本方法は、絶縁材料の第２の下部層３２２２の上方にスペーサ材料の層３４を堆積させるステップと、スペーサ材料の層３４の上方に絶縁材料の第１の上部層３１２１を堆積させるステップと、絶縁材料の第１の上部層３１２１の上方に上部金属薄膜層３１１１を堆積させるステップとを含む。次いで、本方法は、上部金属薄膜層３１１１を、第１の制御領域３９２、中央領域３９３、第２の制御領域３９４および第２のコンデンサ領域３９５まで延在するようにパターニングするステップを含む。これらのステップは、図３ｃおよび図３ｄに示されている。
本方法はまた、図３ｄに示すように、上部金属薄膜層３１１１の上方に絶縁材料の第２の上部層３１２２を堆積させるステップを含む。絶縁材料の第２の上部層３１２２は、絶縁材料の第１の上部層３１２１と同じ絶縁材料を含んでもよい。あるいは、金属薄膜層が埋め込まれる絶縁層が異なる材料の２つの副層からなるように、異なる絶縁材料を含んでもよい。
本方法はまた、絶縁材料の第２の上部層３１２２の上方に導電材料の層３３を堆積させるステップと、導電材料の層３３をパターニングして、第１のコンデンサ領域内に第１の制御電極３３１および第２のコンデンサ領域内に第２の制御電極３３２を形成するステップとを含み、第１の制御電極３３１は、第２の制御電極３３２から電気的に分離される。これらのステップは、図３ｅおよび図３ｆに示されている。
最後に、本方法はまた、少なくとも中央領域３９３において、絶縁材料の第１および第２の上部層３１２１～３１２２ならびに上部金属薄膜層３１１１に入口孔３５を形成するステップと、入口孔３５を通ってスペーサ材料３４に到達するエッチング液を用いて、スペーサ材料３４を絶縁材料の第２の下部層３２２２までエッチング除去することによって、中央領域３９３ならびに第１の制御領域３９２および第２の制御領域３９４において、絶縁材料３１２１の第１の上部層の下方に同調キャビティ３７を形成するステップとを含む。これらのステップは、図３ｇに示されている。これにより、絶縁材料の第２の下部層３２２２と絶縁材料の第１の上部層３１２１との間に同調キャビティ３７が形成される。
この方法は、容量制御ファブリペロー干渉計の製造に必要なマスキングおよびエッチングステップを最小限に抑えることを可能にする。図３ａ～図３ｇに示す方法では、外部回路に接続された双方の制御電極３３１および３３２が装置の上面に容易且つ確実に形成されることができる。この利点は、（図に示すように、１３２を１２１と接触させる代わりに）電極１３１が金属薄膜層１１１と直接接触して配置されている場合に、図１ｄに示す装置においても得ることができる。
図３ｆおよび図３ｇの参照符号３１、３１１～３１２、３２、３２１～３２２、３３１～３３２、３４１～３４２および３７は、図１ａの参照符号１１、１１１～１１２、１２、１２１～１２２、１３１～１３２、１４１～１４２および１７にそれぞれ対応する。
絶縁材料の層３２２１は、例えば、原子層堆積（ＡＬＤ）によって堆積されてもよく、金属薄膜材料の層は、スパッタリングまたは任意の他の適切な方法によって堆積されてもよい。スペーサ材料は、ＰＥＣＶＤプロセスによって堆積されてもよい。これらの層の材料および厚さは、本開示において前述した代替例のいずれかであってもよい。
上述した製造プロセスにおいて、金属薄膜層が絶縁体に埋め込まれることにより、第１および第２のミラー層３１および３２を形成する。金属薄膜層のパターニングは、上述したように任意であり、この層は、代替的に連続層であってもよい。金属薄膜層に使用される材料がパターニングプロセスに敏感である場合、これらの層がパターニングされる前に追加の保護層がこれらの層上に適用されることができる。この選択肢は図示されていない。
同調キャビティ３７を形成するために使用されるエッチング液は、例えば、フッ化水素であってもよい。入口孔３５のサイズは、明瞭さを向上させるために誇張されており、ｘｙ平面内のそれらのサイズは、実際にはミラーの寸法に対してより小さくてもよい。
図２に示す半絶縁層は、任意に、例えばプロセスの適切な段階においてＡＬＤ堆積によって製造プロセスに含まれてもよい。
Claims (8)
- 容量制御ファブリペロー干渉計であって、
－第１の絶縁層に埋め込まれた第１の金属薄膜層を含む第１のミラー層であって、前記第１の金属薄膜層が中央領域および制御領域を含む、第１のミラー層と、
－第２の絶縁層に埋め込まれた第２の金属薄膜層を含む第２のミラー層であって、前記第２の金属薄膜層が中央領域および制御領域を含み、前記第１の金属薄膜層の前記中央領域が、前記第２の金属薄膜層の前記中央領域と作動方向に少なくとも部分的に位置合わせされており、前記第１の金属薄膜層の前記制御領域が、前記第２の金属薄膜層の前記制御領域と作動方向に少なくとも部分的に位置合わせされている、第２のミラー層と、
－第１の制御電極および第１の誘電体層であって、前記第１の誘電体層が、前記第１の制御電極と前記第１の金属薄膜層の前記制御領域の少なくとも一部との間にあり、前記第１の誘電体層が、前記第１の金属薄膜層が埋め込まれた前記第１の絶縁層の一部である、第１の制御電極および第１の誘電体層と、
－前記第２の金属薄膜層の前記制御領域に電気的に接続された第２の制御電極と、を備える、容量制御ファブリペロー干渉計。 - 前記干渉計が、第２の誘電体層をさらに含み、前記第２の誘電体層が、前記第２の制御電極と前記第２の金属薄膜層の制御領域の少なくとも一部との間にあり、その結果、前記第２の制御電極が、前記第２の金属薄膜層の前記制御領域に容量結合される、請求項１に記載の容量制御ファブリペロー干渉計。
- 前記第２の制御電極が、前記第２の金属薄膜層の制御領域において、前記第２の金属薄膜層と直接電気的に接触している、請求項１に記載の容量制御ファブリペロー干渉計。
- 前記第１の金属薄膜層が、１つ以上の短絡点において１つ以上の半絶縁層を介して前記第２の金属薄膜層と直接電気的に接触している、請求項１～３のいずれか一項に記載の容量制御ファブリペロー干渉計。
- 前記第１のミラー層が、前記第１の金属薄膜層と直接電気的に接触して前記第１の絶縁層内に埋め込まれた第１の半絶縁層を含み、前記第２のミラー層が、前記第２の金属薄膜層と直接電気的に接触して前記第２の絶縁層内に埋め込まれた第２の半絶縁層を含み、前記第１の半絶縁層が、前記１つ以上の短絡点において前記第２の半絶縁層と直接電気的に接触している、請求項４に記載の容量制御ファブリペロー干渉計。
- 半絶縁材料の層が、前記第１および第２のミラー層の間に形成された同調キャビティの上部、下部、および側壁を覆う、請求項１～５のいずれか一項に記載の容量制御ファブリペロー干渉計。
- 前記第１および第２の金属薄膜層が銀から作製される、請求項１～６のいずれか一項に記載の容量制御ファブリペロー干渉計。
- 第１のコンデンサ領域と、第２のコンデンサ領域と、前記第１のコンデンサ領域と前記第２のコンデンサ領域との間の中央領域と、前記第１のコンデンサ領域と前記中央領域との間の第１の制御領域と、前記中央領域と前記第２のコンデンサ領域との間の第２の制御領域とを含む基板上に容量制御ファブリペロー干渉計を製造するための方法であって、
－前記基板上に絶縁材料の第１の下部層を堆積させるステップと、
－前記絶縁材料の第１の下部層の上方に下部金属薄膜層を堆積させるステップと、
－前記下部金属薄膜層を、前記第１のコンデンサ領域、前記第１の制御領域、前記中央領域、および前記第２の制御領域まで延在するようにパターニングするステップと、
－前記下部金属薄膜層の上方に絶縁材料の第２の下部層を堆積させるステップであって、前記絶縁材料の第２の下部層が、前記絶縁材料の第１の下部層と同じ絶縁材料を含む、堆積させるステップと、
－前記絶縁材料の第２の下部層の上方にスペーサ材料の層を堆積させるステップと、
－前記スペーサ材料の層の上方に絶縁材料の第１の上部層を堆積させるステップと、
－前記絶縁材料の第１の上部層の上方に上部金属薄膜層を堆積させるステップと、
－前記上部金属薄膜層を、前記第１の制御領域、前記中央領域、前記第２の制御領域、および第２のコンデンサ領域まで延在するようにパターニングするステップと、
－前記上部金属薄膜層の上方に絶縁材料の第２の上部層を堆積させるステップであって、前記絶縁材料の第２の上部層が、前記絶縁材料の第１の上部層と同じ絶縁材料を含む、堆積させるステップと、
－前記絶縁材料の第２の上部層の上方に導電材料の層を堆積させるステップと、
－前記第１のコンデンサ領域内に第１の制御電極および前記第２のコンデンサ領域内に第２の制御電極を形成するように前記導電材料の層をパターニングするステップであって、前記第１の制御電極が、前記第２の制御電極から電気的に分離されている、パターニングするステップと、
－少なくとも前記中央領域において、前記絶縁材料の第１および第２の上部層ならびに前記上部金属薄膜層に入口孔を形成するステップと、
－前記入口孔を通って前記スペーサ材料に到達するエッチング液を用いて、前記スペーサ材料を前記絶縁材料の第２の下部層までエッチング除去することによって、前記中央領域ならびに前記第１および第２の制御領域において、前記絶縁材料の第１の上部層の下方に同調キャビティを形成するステップと、を含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20205917 | 2020-09-22 | ||
| FI20205917A FI20205917A1 (en) | 2020-09-22 | 2020-09-22 | Capacitively controlled Fabry-Perot interferometer |
| PCT/FI2021/050568 WO2022064098A1 (en) | 2020-09-22 | 2021-08-24 | Capacitively controlled fabry-perot interferometer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023543737A true JP2023543737A (ja) | 2023-10-18 |
Family
ID=77914392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023518372A Pending JP2023543737A (ja) | 2020-09-22 | 2021-08-24 | 容量制御ファブリペロー干渉計 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11796887B2 (ja) |
| EP (1) | EP4217692A1 (ja) |
| JP (1) | JP2023543737A (ja) |
| CN (1) | CN116249877A (ja) |
| FI (1) | FI20205917A1 (ja) |
| WO (1) | WO2022064098A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114545703B (zh) * | 2022-04-21 | 2022-09-13 | 国科大杭州高等研究院 | 一种应用精密六维调节机构的f-p可调谐滤波器、系统、校正及电调谐方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7242482B2 (en) * | 2005-08-30 | 2007-07-10 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Capacitance gap calibration |
| US7734131B2 (en) * | 2006-04-18 | 2010-06-08 | Xerox Corporation | Fabry-Perot tunable filter using a bonded pair of transparent substrates |
| US8174698B2 (en) | 2007-08-10 | 2012-05-08 | Corporation de l'Ecole Polytechnique de Montréal | MEMS tunable silicon fabry-perot cavity and applications thereof |
| FI125817B (fi) * | 2009-01-27 | 2016-02-29 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | Parannettu sähköisesti säädettävä Fabry-Perot-interferometri, välituote, elektrodijärjestely ja menetelmä sähköisesti säädettävän Fabry-Perot-interferometrin tuottamiseksi |
| JP5370246B2 (ja) | 2009-05-27 | 2013-12-18 | セイコーエプソン株式会社 | 光フィルター、光フィルター装置、分析機器、および光フィルターの製造方法 |
| US8102592B2 (en) * | 2010-03-24 | 2012-01-24 | Unipel Technologies, LLC | Reflective display using calibration data for electrostatically maintaining parallel relationship of adjustable-depth cavity component |
| US20140267443A1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical systems device with segmented electrodes |
| US10168214B2 (en) * | 2015-05-15 | 2019-01-01 | Trutag Technologies, Inc. | Method of assembly and manufacturing of piezo actuated Fabry-Perot interferometer |
| KR20170034609A (ko) * | 2015-09-21 | 2017-03-29 | 삼성전자주식회사 | 투과형 광 셔터 및 투과형 광 셔터의 제조 방법 |
| NO20161086A1 (no) * | 2016-06-29 | 2018-01-01 | Tunable As | Modulerbar Fabry-Perot |
| FI128101B (fi) * | 2017-07-03 | 2019-09-30 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | Mikrosysteemi (MEMS) Fabry–Perot-interferometri, laitteisto ja menetelmä Fabry–Perot-interferometrin valmistamiseksi |
| EP3683557B1 (en) * | 2019-01-18 | 2021-09-22 | Infineon Technologies Dresden GmbH & Co . KG | Tunable fabry-perot filter element, spectrometer device and method for manufacturing a tunable fabry-perot filter element |
-
2020
- 2020-09-22 FI FI20205917A patent/FI20205917A1/en unknown
-
2021
- 2021-08-24 EP EP21777819.0A patent/EP4217692A1/en active Pending
- 2021-08-24 JP JP2023518372A patent/JP2023543737A/ja active Pending
- 2021-08-24 CN CN202180064675.0A patent/CN116249877A/zh active Pending
- 2021-08-24 WO PCT/FI2021/050568 patent/WO2022064098A1/en unknown
- 2021-09-14 US US17/474,781 patent/US11796887B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116249877A (zh) | 2023-06-09 |
| EP4217692A1 (en) | 2023-08-02 |
| FI20205917A1 (en) | 2022-03-23 |
| US11796887B2 (en) | 2023-10-24 |
| WO2022064098A1 (en) | 2022-03-31 |
| US20220091471A1 (en) | 2022-03-24 |
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