CN116249877A - 电容控制的法布里-佩罗干涉仪 - Google Patents
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Abstract
本公开描述了一种电容控制的法布里‑佩罗干涉仪，该干涉仪包括：第一镜面层，具有嵌入在第一绝缘层中的第一金属薄膜层；以及第二镜面层，具有嵌入在第二绝缘层内的第二金属薄膜层。第一金属薄膜层中的控制区域与第二金属薄膜层中的控制区域在致动方向上至少部分地对齐。干涉仪还包括第一控制电极和第一介电层，并且第一介电层位于第一控制电极与第一金属薄膜层的控制区域的至少一部分之间。
Description
技术领域
本公开内容涉及法布里-佩罗(Fabry-Perot)光学滤波器，特别是涉及微机械法布里-佩罗干涉仪。本公开进一步涉及顶部镜面与底部镜面之间的间隙能够被控制的机制。
背景技术
微机械法布里-佩罗干涉仪通常包括顶部镜面，它被悬置在衬底上方的底部镜面上方。这两个镜面通过镜面间隙彼此分开，以便在两个镜面之间形成光学调谐腔。两个镜面至少有一部分是透明的。入射的电磁辐射可以从一侧进入调谐腔，并从另一侧射出。
进入光学腔的光线在传输出光学腔之前，可以在底部镜面和顶部镜面之间进行多次反射。构造性干涉在对应于公式2d＝nλ的波长上产生传输峰，其中d是镜面间隙的高度，n是整数。当n大于1时，对应于n＝1的一阶传输峰将伴随着来自波长的高阶传输峰，这些波长满足该公式。可以用法布里-佩罗滤波来实现阶次排序滤波器，以允许只对与n的一个特定值相对应的波长进行传输。
微机械法布里-佩罗干涉仪可以被布置用来过滤从可见光延伸至红外的波长范围内的电磁辐射。可以通过调整镜面间隙来选择传输的波长。一些微电子机械法布里-佩罗滤波器利用MEMS致动器将一个镜面相对于另一个镜面移动，从而调整镜面间隙。US2009153844号文件披露了一种MEMS法布里-佩罗滤波器，其中静电致动器与一个镜面相连。这种致动机制的一个问题是，致动器消耗了大量的表面区域并且需要许多额外的加工步骤。
发明内容
本公开的一个目的是提供一种克服上述问题的装置。
本公开的目的是通过一种装置来实现的，该装置的特征在于独立权利要求中所述的内容。本公开的优选实施方式在从属权利要求中提出。
本公开是基于用两个镜面之间的直接静电吸引力来致动底部镜面和顶部镜面之间的相对运动的想法。两个镜面中的至少一个的电动势是通过电容耦接的控制电极设置的。这种器件的一个优点是：镜面间隙可以在很大的范围内进行高精度的调整。
附图说明
在下文中，将通过参考附图的优选实施方式更详细地描述本公开内容，其中：
图1a示出了电容控制的法布里-佩罗干涉仪。
图1b示出了在xy平面上的环形控制区域。
图1c示出了图1a所示设备的等效电路。
图1d示出了一个设备，其中一个控制电极与金属薄膜层直接电接触。
图2示出了一个设备，其中半绝缘层可以在镜面层之间转移电荷。
图3a至图3g示出了一种用于制造电容控制的法布里-佩罗干涉仪的方法。
具体实施方式
本公开描述了一种电容控制的法布里-佩罗干涉仪。该干涉仪包括第一镜面层，该第一镜面层包括嵌入在第一绝缘层中的第一金属薄膜层。该第一金属薄膜层包括中央区域和控制区域。
干涉仪还包括第二镜面层，该第二镜面层包括嵌入在第二绝缘层中的第二金属薄膜层。第二金属薄膜层包括中央区域和控制区域。第一金属薄膜层的中央区域与第二金属薄膜层的中央区域在致动方向上至少部分地对齐。第一金属薄膜层的控制区域与第二金属薄膜层的控制区域在致动方向上至少部分地对齐。
干涉仪还包括第一控制电极和第一介电层。第一介电层位于第一控制电极和第一金属薄膜层的控制区域的至少一部分之间。第一介电层是第一绝缘层的嵌入了第一金属薄膜层的一部分。干涉仪还包括第二控制电极，第二控制电极与第二金属薄膜层的控制区域电耦接。
第一镜面层可以固定在衬底上，第二镜面层可以悬置在衬底上方，使两个镜面层基本相互平行。术语“致动方向”是指干涉仪的操作方向。被干涉仪过滤的电磁辐射在致动方向上进入和离开干涉仪。例如，致动方向可以基本垂直于第一镜面层和第二镜面层以及衬底表面。
如果衬底的平面被用来定义水平面，那么致动方向可称为垂直方向，并且第一镜面层可称为底部镜面，第二镜面层可称为顶部镜面。然而，本公开中使用的“顶/底”或“上/下”术语仅指设备制造时的方位。该设备在使用时可以朝向任何方向，因此在使用该设备时，“致动方向”不一定是垂直的。
图1a示出了具有第一镜面层11的电容控制的法布里-佩罗干涉仪。第一镜面层包括嵌入在第一绝缘层112中的第一金属薄膜层111。相应地，第二镜面层12包括嵌入在第二绝缘层122中的第二金属薄膜层121。在这种情况下，第二镜面层12位于衬底18上，而第一镜面层11通过两个间隔141和间隔142悬置在衬底上方，使得在第一镜面层和第二镜面层之间形成了调谐腔17。衬底18例如可以是熔融石英衬底或蓝宝石衬底，或任何其他合适的衬底，对干涉仪被设计要通过的辐射有足够的透明度。
衬底定义了xy平面，在图1a中用x轴表示。致动方向在此用z轴表示，并且腔17在致动方向上的高度是镜面间隙171。镜面间隙可以通过致动力来调节，该致动力使第一镜面层11相对于第二镜面层12移动，如下所述。
间隔141和间隔142可以由在相对低温下沉积的氧化物层制成，例如正硅酸四乙酯(TEOS)层。另外，它们也可以由聚合物层制成。这种氧化物或聚合物层的厚度通常决定(并可能等于)施加致动力之前镜面间隙171的初始高度。例如，形成间隔141和间隔142的层的厚度可以在200纳米至4微米的范围内。最佳的厚度取决于(除其他外)干涉仪的所需通带波长。
第一金属薄膜层111和第二金属薄膜层121是导电的，并且在每个镜面层中充当反射器。该层111和层121例如可以是银、金、铂或钛的层。第一金属薄膜层111和第二金属薄膜层121的厚度可以在30至50纳米之间，或在15至60纳米之间。
嵌入金属薄膜的绝缘层112和绝缘层122应具有足够高的拉伸应力，以灵活地适应第一镜面层11在致动力通过使第一镜面层11靠近第二镜面层12而缩小镜面间隙时所经历的弯曲。绝缘层112和绝缘层122例如可以是Al2O3的层，其厚度例如可以在5至100纳米的范围。
虚线191至196将设备沿x轴划分为五个区域。第一镜面层11和第二镜面层12在区域191-192中都有中央区域。第一镜面层11在区域192-196中有第一控制区域，在区域191-193中有第二控制区域。第二镜面层12在区域195-191中有第一控制区域，在区域192-194有第二控制区域。第一金属薄膜层和第二金属薄膜层具有中央区域和控制区域，它们分别对应于第一镜面层和第二镜面层的中央区域和控制区域。
第一金属薄膜层111和第二金属薄膜层121可以作为连续层分别从193延伸至196和195延伸至194。然而，将金属薄膜层的中央区域与它们的控制区域分离通常更有利。换而言之，第一金属薄膜层111和第二金属薄膜层121可以是不连续的。这些层在区域191-192的中心部分可以是电气浮动的，而位于控制区域193-191和192-194的控制部分可以通过电容耦接或欧姆耦接的控制电极设置成特定的电动势，这些控制电极与控制区域电容接触或直接电接触。
图1a中所示的第一镜面层11的第一控制区域和第二控制区域可以是连续的第一环形控制区域的一部分。第二镜面层12的第一控制区域和第二控制区域可以相应地成为连续的第二环形控制区域的一部分。第二环形控制区域可以与第一环形控制区域在致动方向上对齐。
图1b示出了在xy平面上的环形控制区域。第一环形控制区域和第二环形控制区域在这个控制区域中重叠。这个控制区域可以是甜甜圈形状。图1a中示出的横截面是沿图1b中的A-A线作出的。当第一镜面在致动方向上被致动时，这种控制区域的几何形状使第一镜面层11的中央区域与第二镜面层12的中央区域平行。控制区域也可能具有其他几何形状。
第一镜面层11的中央区域可以比第二镜面层12的中央区域大，或者反之亦可。然后，两个镜面层的第一环形控制区域和第二环形控制区域也会有不同的尺寸。然而，第一镜面层11的中央区域必须与第二镜面层12的中央区域在致动方向上至少部分地对齐，使得它们在xy平面上重叠。中央区域重叠的区域形成干涉仪的光学活性区域。第一镜面层的控制区域也与第二镜面层的控制区域在致动方向上至少部分地对齐，使得它们在xy平面上重叠。这个重叠区域例如可以有上面讨论过的甜甜圈状的形状，或者任何其他合适的形状。
控制区域重叠的区域形成了致动区域。当金属薄膜层111和金属薄膜层121的控制区域之间存在电势差时，镜面层11和镜面层12之间的静电吸引力在这个区域产生。第一金属薄膜层和第二金属薄膜层例如可以由银制成，它具有良好的导电性，通常在最感兴趣的波长区域也有良好的反射率。下面提到的任何其他材料也可以用于第一金属薄膜层和第二金属薄膜层中。
在图示设备中，第一镜面层11悬置在衬底上方，第二镜面层固定在衬底18上，这种吸引力将第一镜面层11拉向衬底18。这使镜面间隙171变窄，改变可以通过干涉仪的辐射波长。电势差的大小决定了静电吸引力的大小，所以第一镜面层11可以通过改变电势差而上下移动。
在不同的设备(未图示)中，两个镜面层都以允许在致动方向上移动的方式悬置，镜面间隙171可以通过两个镜面层的相互移动而缩小/扩大，分别朝向/远离对方。
干涉仪包括第一控制电极131，它被第一介电层从第一金属薄膜层111的控制区域分隔开。因此，在第一控制电极131和第一金属薄膜层111之间形成第一控制电容器。在图1a所示的设备中，第一绝缘层112在电容器中形成第一介电层。换而言之，第一控制电极131在这里被放置在第一绝缘层112的顶部，位于由194和196划定的控制区域的部分。换而言之，第一介电层是由嵌入了第一金属薄膜层的第一绝缘层112形成的。如果第一介电层包括相互沉积的多个子层，第一介电层可以由这些子层中的一个形成。第一介电层仍然构成第一绝缘层的一部分。
如果具有不同厚度的第一介电层更为可取，那么在沉积第一控制电极131之前，可以在区域194-196中增加额外的介电层(未图示)。这个额外的介电层可以放在图1a中的第一绝缘层112的顶部，或者(如果第一绝缘层没有延伸至区域194-196)直接放在金属薄膜层111的顶部。其他变化也是可能的。例如，第一控制电极131可以沉积在区域194-196的衬底18上，并且然后控制电极可以被第一介电层和间隔142从第一金属薄膜层分隔开。
换而言之，控制电容器是在每个控制电极与相应的金属薄膜层重叠的区域形成的。每个控制电容器的电介质至少是通过围绕金属薄膜层的第一绝缘层形成的，但它可以此外还包括其他堆叠的介电层，例如间隔和第二绝缘层。
干涉仪还包括第二控制电极132，它与第二镜面层12的控制区域电耦接。这种电耦接可以是电容式的，也可以是欧姆式的。图1a示出了干涉仪，其中第二控制电极132是电容式耦接的。干涉仪包括第二介电层，并且第二介电层位于第二控制电极和第二金属薄膜层的控制区域的至少一部分之间，因此，第二控制电极与第二金属薄膜层的控制区域电容耦接。第二介电层是第二绝缘层122的嵌入了第二金属薄膜层的一部分。上面提到的关于第一介电层的选项也适用于第二介电层。因此在第二控制电极132和第二薄膜层121之间形成了第二控制电容器。第一控制电极131和第二控制电极132例如可以是铝层。
在图1a中，间隔141位于由线195和193划定的第二镜面层的控制区域的一部分的第二介电层的顶部。绝缘层112和122在此也位于第二控制电极132和第二金属薄膜层121之间。因此，第一控制电极131和第二控制电极132都位于图1a中第一绝缘层112的顶部。第一绝缘层和第二绝缘层以及间隔141都位于第二控制电极132和第二金属薄膜层121之间。换而言之，在图1a中，第一镜面层11形成顶部镜面，第二镜面层12形成底部镜面，并且第一控制电极131和第二控制电极132位于第一镜面层11的顶部。
替代地，在由线195至193划定的控制区域的部分，可以去除部分或全部的间隔141和第一绝缘层112，从而使第二控制电极可以更靠近第二金属薄膜层121放置。在任何情况下，第二控制电极132仍与第二金属薄膜层121至少被介电层隔开，该介电层是第二绝缘层122的嵌入了第二金属薄膜层121的一部分。第一介电层和第二介电层的最佳厚度取决于第一控制电容器和第二控制电容器的理想电容。这些期望的电容不一定要相等。
图1c示出了图1a中所示设备的等效电路。该电路包括第一控制电容器Cs1和第二控制电容器Cs2，与主控制电容器Ccontrol串联耦接，Ccontrol形成于区域193-191和192-194以及图1b中所有的重叠区域的第一镜面层和第二镜面层的控制区域之间。因此，交流(AC)电压可以通过与主控制电容器串联的两个固定电容器Cs1和Cs2耦接到第一金属薄膜层111和第二金属薄膜层121之间。第一控制电容器和第二控制电容器的典型电容是在pF范围内。
在图1a所示的装置中，Cs1通常会比Cs2大得多，并且然后Cs2将基本上等于或小于Ccontrol。如果Cs2足够小，这个固定电容器将限制在两个金属薄膜层的控制区域之间产生的电场强度(即限制作用于主控制电容器的电场)。当镜面间隙缩小时，电场的强度不会与镜面间隙的反比发生急剧增加。相反，固定电容器促进了更大程度的增加，这使得镜面间隙可以从其静止位置缩小多达三分之二，而不会有两个镜面卡在一起的风险。
如果第二介电层141的材料是例如二氧化硅，相对介电常数为3.8，并且如果如图1b所示的重叠面积比195和193之间区域的第二控制电容器的表面积大3.8倍，那么就可以实现从静止位置到镜面间隙的66％的理论调谐范围，并且通过构造性干涉使通过干涉仪的波长可以在300纳米至3000纳米范围内调整。
图1d示出了替代性设备，其中第二控制电极在第二金属薄膜层的控制区域与第二金属薄膜层直接电接触，因此第二控制电极与第二镜面层的控制区域进行欧姆耦接。在这种情况下，另一个控制电极被电容耦接形成串联电容，这使得法布里-佩罗设备的控制性能达到最佳。
图1d中的所有参考编号示出了与图1a中相同的设备部件，而且每个部件中可以使用上面列出的相同材料。唯一不同的是，图1d中的第二控制电极132直接位于第二金属薄膜层121的顶部，位于195和193之间的第二镜面层的控制区域。这种装置在某些情况下可以简化所需的驱动电子设备。在图1d中，第一镜面层11形成顶部镜面，第二镜面层12形成底部镜面，第一控制电极131位于第一镜面层11的顶部，并且第二控制电极132位于向下延伸至第二金属薄膜层121的开口中。
当设备在使用时，上述的电容式致动控制可能会导致金属薄膜层上的静电堆积。这可能会在第一金属薄膜层和第二金属薄膜层之间产生直流(DC)电压，这可能会干扰设备的运行。为了避免静电可能引起的问题，可以将额外的半绝缘层与金属薄膜层接触。第一金属薄膜层可以经由一个或多个半绝缘层与第二金属薄膜层在一个或多个短路点直接电接触。
施加在控制电极上的AC致动电压的频率通常很高，以至于半绝缘层的存在不会影响致动力，但当静态电荷可以通过半绝缘层放电和/或在第一镜面层和第二镜面层之间平衡时，可以避免DC电压。
第一镜面层可包括第一半绝缘层，它被嵌入第一绝缘层内，与第一金属薄膜层直接电接触。第二镜面层可以包括第二半绝缘层，它被嵌入第二绝缘层内，与第二金属薄膜层直接电接触。第一半绝缘层可以在一个或多个短路点与第二半绝缘层直接电接触。
第一半绝缘层和第二半绝缘层例如可以是薄而至少部分透明的半导电氧化物层，例如二氧化钛或氧化铟锡。图2示出了干涉仪，其中参考编号211-212、221-222、231-232和241-242分别对应于图1a中的参考编号111-112、121-122、131-132和141-142。
图2中的干涉仪还包括第一半绝缘层251，在其中央区域和控制区域覆盖第一金属薄膜层211。第二半绝缘层252相应地在其中央区域和控制区域覆盖第二金属薄膜层221。
第一半绝缘层251和第二半绝缘层252也延伸至控制区域之外的短路点261和262，在那里它们相互之间有电接触。在这种情况下，每个短路点包括导电过孔，导电过孔延伸通过相应的间隔241/242，但短路点也可以只包括层251和252彼此直接接触的点。第一半绝缘层251和第二半绝缘层252的导电性足以防止在光学腔上产生由静电引起的直流电场。
另外，延伸至光学活性区域的半绝缘层251和252可以不存在，而短路点可以包括由半绝缘材料制成的过孔。第一金属薄膜层211和第二金属薄膜层221之间形成的直流电场随后会被发生在这些半绝缘过孔上的电荷平衡所阻止。
在图1d所示的设备中，半绝缘层也可以与金属薄膜层接触，它们可以按上述方式进行短路。作为上述任何实施方式的替代或补充，可以通过在第一镜面层和第二镜面层之间形成的调谐腔的顶部、底部和侧壁上沉积半绝缘材料层来防止第一金属薄膜层和第二金属薄膜层之间形成直流电场。然后半绝缘材料层覆盖调谐腔的顶部、底部和侧壁，并在调谐腔中形成法拉第笼，其中不会出现直流电场。以上介绍的任何实施方式的另一种替代或补充是，可以在图1a、图1d或图2中的整个设备顶部沉积半绝缘材料层。然后，半绝缘材料层覆盖在控制电极和第一镜面层11上。
本公开还描述了一种在衬底上制造电容控制的法布里-佩罗干涉仪的方法。该方法已在图3a至图3g中示出。衬底38包括第一电容区域391，第二电容区域395，第一电容区域391和第二电容区域395之间的中央区域393，第一电容区域391和中央区域393之间的第一控制区域392以及中央区域393和第二电容区域395之间的第二控制区域394。这在图3a中示出。
该方法包括以下步骤：在衬底38上沉积第一底层绝缘材料3221，然后在第一底层绝缘材料3221上沉积底部金属薄膜层3211。这在图3a中示出。该方法还包括以下步骤：对底部金属薄膜层3211进行图案化，使其延伸至第一电容区域391、第一控制区域392、中央区域393和第二控制区域394，然后在底部金属薄膜层3211上沉积第二底层绝缘材料3222，如图3b所示。第二底层绝缘材料3222可以包括与第一底层绝缘材料3211相同的绝缘材料。替代地，它可以包括不同的绝缘材料，这样，嵌入金属薄膜层的相应的绝缘层将由两个不同材料的子层组成。
然后，该方法包括以下步骤：在第二底层绝缘材料3222上沉积间隔材料层34并且在间隔材料层34上沉积第一顶层绝缘材料3121，以及在第一顶层绝缘材料3121上沉积顶部金属薄膜层3111。然后，该方法包括以下步骤：对顶部金属薄膜层3111进行图案化，使其延伸至第一控制区域392、中央区域393、第二控制区域394和第二电容区域395。这些步骤在图3c和图3d中示出。
该方法还包括以下步骤：在顶部金属薄膜层3111上沉积第二顶层绝缘材料3122，如图3d中所示。第二顶层绝缘材料3122可以包括与第一顶层绝缘材料3121相同的绝缘材料。或者，它可以包括不同的绝缘材料，这样，嵌入金属薄膜层的绝缘层将由两个不同材料的子层组成。
该方法还包括以下步骤：在第二顶层绝缘材料3122上沉积导电材料层33，并对该导电材料层33进行图案化，使其在第一电容区域形成第一控制电极331，在第二电容区域形成第二控制电极332，其中第一控制电极331与第二控制电极332电隔离。这些步骤在图3e和图3f中示出。
最后，该方法还包括以下步骤：至少在中央区域393中的第一和第二顶层绝缘材料3121-3122以及顶层金属薄膜层3111中形成进入孔35，并利用通过该进入孔35到达间隔材料34的蚀刻剂，通过蚀刻间隔材料34直到第二底层绝缘材料3222，在中央区域393和第一控制区域392以及第二控制区域394的第一顶层绝缘材料3121下方形成调谐腔37。这些步骤在图3g中示出。因此，在第二底层绝缘材料3222和第一顶层绝缘材料3121之间形成了调谐腔37。
这种方法可以使制造电容控制的法布里-佩罗干涉仪所需的掩膜和蚀刻步骤最小化。在图3a至图3g所示的方法中，连接到外部电路的控制电极331和332都可以很容易和可靠地形成在设备的顶部表面。在图1d所示的设备中，如果将电极131与金属薄膜层111直接接触(而不是图中所示的132与121接触)，也可以获得这种好处。
图3f和图3g中的参考编号31、311-312、32、321-322、331-332、341-342和37分别对应于图1a中的参考编号11、111-112、12、121-122、131-132、141-142和17。
例如，绝缘材料层3221可以通过原子层沉积(ALD)来沉积，并且金属薄膜材料层可以通过溅射来沉积，或任何其他合适的方法。间隔材料可以用PECVD工艺沉积。这些层的材料和厚度可以是本公开内容中之前提到的任何一种替代品。
在上述的制造过程中，金属薄膜层被嵌入绝缘层中，从而形成第一镜面层31和第二镜面层32。如上所述，金属薄膜层的图案化是可选的-该层可以替代地为连续层。如果在金属薄膜层中使用的材料对图案化过程很敏感，在这些层被图案化之前，可以在这些层上涂上额外的保护层。这个选项没有被说明。
用于形成调谐腔37的蚀刻剂，例如可以是氟化氢。进入孔35的尺寸被夸大以提高清晰度，它们在xy平面上的尺寸实际上可能比镜面的尺寸要小。
图2中示出的半绝缘层可以选择性地包括在制造过程中，例如通过在过程中的适当阶段进行ALD沉积。
Claims (8)
1.一种电容控制的法布里-佩罗干涉仪，其特征在于，所述干涉仪包括
-第一镜面层，包括嵌入在第一绝缘层中的第一金属薄膜层，其中，所述第一金属薄膜层包括中央区域和控制区域，
-第二镜面层，包括嵌入在第二绝缘层中的第二金属薄膜层，其中，所述第二金属薄膜层包括中央区域和控制区域，并且所述第一金属薄膜层的中央区域与所述第二金属薄膜层的中央区域在致动方向上至少部分地对齐，并且所述第一金属薄膜层的控制区域与所述第二金属薄膜层的控制区域在致动方向上至少部分地对齐，
-第一控制电极和第一介电层，其中，所述第一介电层位于所述第一控制电极与所述第一金属薄膜层的控制区域的至少一部分之间，并且其中，所述第一介电层是所述第一绝缘层的嵌入了所述第一金属薄膜层的一部分，
-第二控制电极，电耦接到所述第二金属薄膜层的控制区域。
2.根据权利要求1所述的电容控制的法布里-佩罗干涉仪，其中，所述干涉仪还包括第二介电层，并且所述第二介电层位于所述第二控制电极与所述第二金属薄膜层的控制区域的至少一部分之间，使得所述第二控制电极电容耦接到所述第二金属薄膜层的控制区域。
3.根据权利要求1所述的电容控制的法布里-佩罗干涉仪，其中，所述第二控制电极在所述第二金属薄膜层的控制区域中与所述第二金属薄膜层直接电接触。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电容控制的法布里-佩罗干涉仪，其中，所述第一金属薄膜层在一个或多个短路点处经由一个或多个半绝缘层与所述第二金属薄膜层直接电接触。
5.根据权利要求4所述的电容控制的法布里-佩罗干涉仪，其中，所述第一镜面层包括第一半绝缘层，所述第一半绝缘层嵌入在第一绝缘层内与所述第一金属薄膜层直接电接触，并且所述第二镜面层包括第二半绝缘层，所述第二半绝缘层嵌入在第二绝缘层内与所述第二金属薄膜层直接电接触，并且所述第一半绝缘层在一个或多个短路点处与所述第二半绝缘层直接电接触。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电容控制的法布里-佩罗干涉仪，其中，半绝缘材料层覆盖在所述第一镜面层与所述第二镜面层之间形成的调谐腔的顶部、底部和侧壁。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电容控制的法布里-佩罗干涉仪，其中，所述第一金属薄膜层和所述第二金属薄膜层是由银制成的。
8.一种用于在衬底上制造电容控制的法布里-佩罗干涉仪的方法，所述衬底包括第一电容区域、第二电容区域、所述第一电容区域与所述第二电容区域之间的中央区域、所述第一电容区域与所述中央区域之间的第一控制区域以及所述中央区域与所述第二电容区域之间的第二控制区域，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
-在所述衬底上沉积第一底层绝缘材料；
-在所述第一底层绝缘材料上沉积底部金属薄膜层；
-对所述底部金属薄膜层进行图案化，使得所述底部金属薄膜层延伸至所述第一电容区域、所述第一控制区域、所述中央区域和所述第二控制区域；
-在所述底部金属薄膜层上沉积第二底层绝缘材料，其中，所述第二底层绝缘材料包括与所述第一底层绝缘材料相同的绝缘材料；
-在所述第二底层绝缘材料上沉积间隔材料层；
-在所述间隔材料层上沉积第一顶层绝缘材料；
-在所述第一顶层绝缘材料上沉积顶部金属薄膜层；
-对所述顶部金属薄膜层进行图案化，使得所述顶部金属薄膜层延伸至所述第一控制区域、所述中央区域、所述第二控制区域和所述第二电容区域；
-在所述顶部金属薄膜层上沉积第二顶层绝缘材料，其中，所述第二顶层绝缘材料包括与所述第一顶层绝缘材料相同的绝缘材料；
-在所述第二顶层绝缘材料上沉积导电材料层；
-对所述导电材料层进行图案化，使得所述导电材料层在所述第一电容区域中形成第一控制电极，并且在所述第二电容区域中形成第二控制电极，其中，所述第一控制电极与所述第二控制电极电隔离；
-至少在所述中央区域中的所述第一顶层绝缘材料和所述第二顶层绝缘材料以及顶层金属薄膜层中形成进入孔；
-利用通过所述进入孔到达所述间隔材料的蚀刻剂，通过蚀刻间隔材料直到所述第二底层绝缘材料，在所述中央区域和所述第一控制区域以及所述第二控制区域中的所述第一顶层绝缘材料下方形成调谐腔。
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