JPH06220642A - 半導体製造装置における回転導入機 - Google Patents
半導体製造装置における回転導入機Info
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- JPH06220642A JPH06220642A JP2734193A JP2734193A JPH06220642A JP H06220642 A JPH06220642 A JP H06220642A JP 2734193 A JP2734193 A JP 2734193A JP 2734193 A JP2734193 A JP 2734193A JP H06220642 A JPH06220642 A JP H06220642A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 回転導入機で発生する汚染物質を反応室内又
は真空室内に流入させず、かつ反応室内の反応ガスを回
転導入機内に流入させずに排気して上記反応室又は真空
室内を汚染させるおそれをなくし、かつ回転導入機の寿
命を延長する。 【構成】 半導体製造装置における反応室内又は真空室
内に設けられた被回転体を外部から回転させる回転導入
機１１のハウジング２に、上記室に取付けられる給排気
部１２を構成するハウジング部２Ａを設け、このハウジ
ング部２Ａ内に、不活性ガスを流通する通気環６を取着
し、この通気環６の外，内周にそれぞれ設けられた外，
内側通気溝６Ａ，６Ｂを複数個の貫通孔６Ｃで放射状に
連通し、該外，内側通気溝６Ａ，６Ｂ及び貫通孔６Ｃを
軸方向に３段並設し、通気環６の内周面と回転軸１との
間に、不活性ガスを流通する微小隙間６Ｄを設け、ハウ
ジング部２Ａには２段目の外側通気溝６Ａ及び１段目，
３段目の外側通気溝６Ａにそれぞれ連通する給気ポート
７及び排気ポート８を設ける。
は真空室内に流入させず、かつ反応室内の反応ガスを回
転導入機内に流入させずに排気して上記反応室又は真空
室内を汚染させるおそれをなくし、かつ回転導入機の寿
命を延長する。 【構成】 半導体製造装置における反応室内又は真空室
内に設けられた被回転体を外部から回転させる回転導入
機１１のハウジング２に、上記室に取付けられる給排気
部１２を構成するハウジング部２Ａを設け、このハウジ
ング部２Ａ内に、不活性ガスを流通する通気環６を取着
し、この通気環６の外，内周にそれぞれ設けられた外，
内側通気溝６Ａ，６Ｂを複数個の貫通孔６Ｃで放射状に
連通し、該外，内側通気溝６Ａ，６Ｂ及び貫通孔６Ｃを
軸方向に３段並設し、通気環６の内周面と回転軸１との
間に、不活性ガスを流通する微小隙間６Ｄを設け、ハウ
ジング部２Ａには２段目の外側通気溝６Ａ及び１段目，
３段目の外側通気溝６Ａにそれぞれ連通する給気ポート
７及び排気ポート８を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は拡散・ＣＶＤ装置及びエ
ピタキシャル成長装置など、反応室内又は真空室（ロー
ドロック付き装置の真空室）内に被回転体を有する半導
体製造装置において、上記室内の被回転体を外部から回
転させる回転導入機に関する。
ピタキシャル成長装置など、反応室内又は真空室（ロー
ドロック付き装置の真空室）内に被回転体を有する半導
体製造装置において、上記室内の被回転体を外部から回
転させる回転導入機に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の回転導入機の第１例を示す
簡略断面図、図３はその第２例の軸受部周りの簡略断面
図である。図２に示す第１従来例は、反応室の室壁に取
付けられるハウジング２の内，外周にそれぞれ反応室内
の被回転体（図示せず）に連結される回転軸１及び該回
転軸１を回転させる筒状磁石３を軸受４，５により支承
してなる磁石式回転導入機を示し、筒状磁石３を回転す
ることにより回転軸１を回転させ、これに連結された被
回転体を回転させるものである。図３に示す第２従来例
は反応室の室壁に取付けられるハウジング２の内周に、
反応室内の被回転体（図示せず）に連結される回転軸１
を軸受４及び磁性流体シール１０により支承してなる磁
性流体シール式回転導入機の反応室側の軸受部を示す。
簡略断面図、図３はその第２例の軸受部周りの簡略断面
図である。図２に示す第１従来例は、反応室の室壁に取
付けられるハウジング２の内，外周にそれぞれ反応室内
の被回転体（図示せず）に連結される回転軸１及び該回
転軸１を回転させる筒状磁石３を軸受４，５により支承
してなる磁石式回転導入機を示し、筒状磁石３を回転す
ることにより回転軸１を回転させ、これに連結された被
回転体を回転させるものである。図３に示す第２従来例
は反応室の室壁に取付けられるハウジング２の内周に、
反応室内の被回転体（図示せず）に連結される回転軸１
を軸受４及び磁性流体シール１０により支承してなる磁
性流体シール式回転導入機の反応室側の軸受部を示す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図２及び図３に示す第
１，第２従来例にあっては、軸受４の摩耗により塵埃が
発生し、又磁性流体シール１０内のオイル成分が蒸発す
ることにより、それらの汚染物質が反応室内に混入して
反応室内を汚染するという課題がある。又、反応室内か
ら反応ガスが回転導入機内に流入して回転導入機内部を
腐食したり、第２従来例では反応ガスの流入により磁性
流体が変質して行き、やがて回転導入機を劣化させ、回
転導入機の寿命が短いという課題がある。
１，第２従来例にあっては、軸受４の摩耗により塵埃が
発生し、又磁性流体シール１０内のオイル成分が蒸発す
ることにより、それらの汚染物質が反応室内に混入して
反応室内を汚染するという課題がある。又、反応室内か
ら反応ガスが回転導入機内に流入して回転導入機内部を
腐食したり、第２従来例では反応ガスの流入により磁性
流体が変質して行き、やがて回転導入機を劣化させ、回
転導入機の寿命が短いという課題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明回転導入機は、上
記の課題を解決するため、半導体製造装置における反応
室内又は真空室内に設けられた被回転体を外部から回転
させる回転導入機１１のハウジング２に、上記室に取付
けられる給排気部１２を構成するハウジング部２Ａを設
け、このハウジング部２Ａ内に、不活性ガスを流通する
通気環６を取着し、この通気環６の外，内周にそれぞれ
設けられた外，内側通気溝６Ａ，６Ｂを複数個の貫通孔
６Ｃで放射状に連通し、該外，内側通気溝６Ａ，６Ｂ及
び貫通孔６Ｃを軸方向に複数段、並設せしめ、通気環６
の内周面と回転軸１との間に、不活性ガスを流通する微
小隙間６Ｄを設けると共にハウジング部２Ａには外側通
気溝６Ａの少なくとも２箇所にそれぞれ連通する給気ポ
ート７及び排気ポート８を設けてなる。
記の課題を解決するため、半導体製造装置における反応
室内又は真空室内に設けられた被回転体を外部から回転
させる回転導入機１１のハウジング２に、上記室に取付
けられる給排気部１２を構成するハウジング部２Ａを設
け、このハウジング部２Ａ内に、不活性ガスを流通する
通気環６を取着し、この通気環６の外，内周にそれぞれ
設けられた外，内側通気溝６Ａ，６Ｂを複数個の貫通孔
６Ｃで放射状に連通し、該外，内側通気溝６Ａ，６Ｂ及
び貫通孔６Ｃを軸方向に複数段、並設せしめ、通気環６
の内周面と回転軸１との間に、不活性ガスを流通する微
小隙間６Ｄを設けると共にハウジング部２Ａには外側通
気溝６Ａの少なくとも２箇所にそれぞれ連通する給気ポ
ート７及び排気ポート８を設けてなる。
【０００５】
【作用】給気ポート７より不活性ガスを供給すると、不
活性ガスは給気ポート７に連通する通気環６の外側通気
溝６Ａより各貫通孔６Ｃ及び内側通気溝６Ｂを経て微小
隙間６Ｄを通り、他の内側通気溝６Ｂより各貫通孔６Ｃ
及び他の外側通気溝６Ａを経て排気ポート８より排気さ
れる。かくして通気環６の内周面と回転軸１との間に設
けられた微小隙間６Ｄに不活性ガスが流通することにな
り、回転導入機１１の軸受４の摩耗により塵埃が生じ、
又磁性流体シール内のオイル成分が蒸発してもこれらの
汚染物質は不活性ガスと共に排気されることになり、又
反応室内の反応ガスが回転導入機１１内に流入すること
も回避されることになる。
活性ガスは給気ポート７に連通する通気環６の外側通気
溝６Ａより各貫通孔６Ｃ及び内側通気溝６Ｂを経て微小
隙間６Ｄを通り、他の内側通気溝６Ｂより各貫通孔６Ｃ
及び他の外側通気溝６Ａを経て排気ポート８より排気さ
れる。かくして通気環６の内周面と回転軸１との間に設
けられた微小隙間６Ｄに不活性ガスが流通することにな
り、回転導入機１１の軸受４の摩耗により塵埃が生じ、
又磁性流体シール内のオイル成分が蒸発してもこれらの
汚染物質は不活性ガスと共に排気されることになり、又
反応室内の反応ガスが回転導入機１１内に流入すること
も回避されることになる。
【０００６】
【実施例】図１（Ａ）は本発明回転導入機の１実施例の
構成を示す断面図、図１（Ｂ）はそのＡ−Ａ線矢視断面
図である。まず、本実施例の構成を説明する。図１にお
いて２は回転導入機１１のハウジング、１，３はそれぞ
れハウジング２の内，外周に、反応室内の被回転体（図
示せず）に連結される回転軸１及びこの回転軸１を回転
させる筒状磁石３が軸受４，５により支承されている。
上記構成の回転導入機１１のハウジング２に、反応室に
着脱可能に取付けられる給排気部１２のハウジング部２
Ａが設けられ、このハウジング部２Ａ内に、不活性ガス
を流通する通気環６が嵌着されている。２Ａ1 は給排気
部１２のハウジング２Ａの端板で、止め輪９によりハウ
ジング部２Ａに固定されている。反応室としては例えば
反応ガスを流通して半導体基板に成膜するＣＶＤ装置の
反応室を挙げることができ、又反応室内に設けられる被
回転体としては、例えば半導体基板を載置するサセプタ
を回転させる被回転体を挙げることができる。
構成を示す断面図、図１（Ｂ）はそのＡ−Ａ線矢視断面
図である。まず、本実施例の構成を説明する。図１にお
いて２は回転導入機１１のハウジング、１，３はそれぞ
れハウジング２の内，外周に、反応室内の被回転体（図
示せず）に連結される回転軸１及びこの回転軸１を回転
させる筒状磁石３が軸受４，５により支承されている。
上記構成の回転導入機１１のハウジング２に、反応室に
着脱可能に取付けられる給排気部１２のハウジング部２
Ａが設けられ、このハウジング部２Ａ内に、不活性ガス
を流通する通気環６が嵌着されている。２Ａ1 は給排気
部１２のハウジング２Ａの端板で、止め輪９によりハウ
ジング部２Ａに固定されている。反応室としては例えば
反応ガスを流通して半導体基板に成膜するＣＶＤ装置の
反応室を挙げることができ、又反応室内に設けられる被
回転体としては、例えば半導体基板を載置するサセプタ
を回転させる被回転体を挙げることができる。
【０００７】反応室と回転導入機１１との間に挿設され
た給排気部１２のハウジング部２Ａ内に嵌着された通気
環６の外，内周に、図１（Ｂ）に示すようにそれぞれ
外，内側通気溝６Ａ，６Ｂが設けられ、これらは４個の
貫通孔６Ｃで放射状に連通されている。外，内側通気溝
６Ａ，６Ｂ及び４個の貫通孔６Ｃが図１（Ａ）に示すよ
うに軸方向に３段並設され、通気環６の内周面と回転軸
１との間に、不活性ガスを流通する０．１mm位の微小隙
間６Ｄが設けられていると共に給排気部１２のハウジン
グ部２Ａには２段目の外側通気溝６Ａに連通する給気ポ
ート７及び１段，３段目の外側通気溝６Ａに連通する排
気ポート８が設けられている。
た給排気部１２のハウジング部２Ａ内に嵌着された通気
環６の外，内周に、図１（Ｂ）に示すようにそれぞれ
外，内側通気溝６Ａ，６Ｂが設けられ、これらは４個の
貫通孔６Ｃで放射状に連通されている。外，内側通気溝
６Ａ，６Ｂ及び４個の貫通孔６Ｃが図１（Ａ）に示すよ
うに軸方向に３段並設され、通気環６の内周面と回転軸
１との間に、不活性ガスを流通する０．１mm位の微小隙
間６Ｄが設けられていると共に給排気部１２のハウジン
グ部２Ａには２段目の外側通気溝６Ａに連通する給気ポ
ート７及び１段，３段目の外側通気溝６Ａに連通する排
気ポート８が設けられている。
【０００８】上記の構成において本実施例の作用を説明
する。給気ポート７より不活性ガスを供給すると、不活
性ガスは給気ポート７に連通する２段目の外側通気溝６
Ａより２段目の各貫通孔６Ｃ及び２段目の内側通気溝６
Ｂを経て微小隙間６Ｄを通り、１段目，３段目の内側通
気溝６Ｂより１段目，３段目の各貫通孔６Ｃ及び１段
目，３段目の外側通気溝６Ａを経て１段目，２段目の排
気ポート８より排気される。かくして給排気部１２を構
成する通気環６の内周面と回転軸１との間に設けられた
０．１mm位の微小隙間６Ｄに不活性ガスが流通すること
により、回転導入機１１の軸受４の摩耗により塵埃が生
じ、又磁性流体シール内のオイル成分が蒸発しても、こ
れらの汚染物質は不活性ガスと共に給排気部１２の排気
ポート８より排気されることになり、又、反応室内の反
応ガスが回転導入機１１内に流入することも回避される
ことになる。
する。給気ポート７より不活性ガスを供給すると、不活
性ガスは給気ポート７に連通する２段目の外側通気溝６
Ａより２段目の各貫通孔６Ｃ及び２段目の内側通気溝６
Ｂを経て微小隙間６Ｄを通り、１段目，３段目の内側通
気溝６Ｂより１段目，３段目の各貫通孔６Ｃ及び１段
目，３段目の外側通気溝６Ａを経て１段目，２段目の排
気ポート８より排気される。かくして給排気部１２を構
成する通気環６の内周面と回転軸１との間に設けられた
０．１mm位の微小隙間６Ｄに不活性ガスが流通すること
により、回転導入機１１の軸受４の摩耗により塵埃が生
じ、又磁性流体シール内のオイル成分が蒸発しても、こ
れらの汚染物質は不活性ガスと共に給排気部１２の排気
ポート８より排気されることになり、又、反応室内の反
応ガスが回転導入機１１内に流入することも回避される
ことになる。
【０００９】本実施例は上記のように回転導入機１１で
発生した汚染物質が給排気部１２により不活性ガスと共
に排気されるので反応室内に侵入して汚染するおそれが
ないばかりでなく、反応室内の反応ガスが回転導入機１
２内に流入することもないので、回転導入機１１の内部
を腐食させ、回転導入機１１を劣化させるおそれがなく
回転導入機１１の寿命を延長することができる。又、給
排気部１２の通気環６をケーシング部２Ａ及び端板２Ａ
1 を取り外すことができるので、回転導入機１１の軸受
４の故障にも善処することができる。
発生した汚染物質が給排気部１２により不活性ガスと共
に排気されるので反応室内に侵入して汚染するおそれが
ないばかりでなく、反応室内の反応ガスが回転導入機１
２内に流入することもないので、回転導入機１１の内部
を腐食させ、回転導入機１１を劣化させるおそれがなく
回転導入機１１の寿命を延長することができる。又、給
排気部１２の通気環６をケーシング部２Ａ及び端板２Ａ
1 を取り外すことができるので、回転導入機１１の軸受
４の故障にも善処することができる。
【００１０】なお、本実施例は図２に示す磁石式の回転
導入機に適用した場合を示したが、図３に示す磁性流体
シール式の回転導入機にも適用できることは勿論であ
る。又、反応室を使用する半導体製造装置だけでなく、
真空室を使用するロードロック付き半導体製造にも適用
できることは指摘する迄もない。
導入機に適用した場合を示したが、図３に示す磁性流体
シール式の回転導入機にも適用できることは勿論であ
る。又、反応室を使用する半導体製造装置だけでなく、
真空室を使用するロードロック付き半導体製造にも適用
できることは指摘する迄もない。
【００１１】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、半導体製
造装置における反応室内又は真空室内の被回転体を外部
から回転させる回転導入機において、回転導入機１１の
ハウジング２に、上記室に取付けられる給排気部１２を
構成するハウジング部２Ａを設け、このハウジング部２
Ａ内に、不活性ガスを流通する通気環６を取着し、この
通気環６の外，内周にそれぞれ設けられた外，内側通気
溝６Ａ，６Ｂを複数個の貫通穴６Ｃで放射状に連通し、
通気環６と回転軸１との間に、不活性ガスを流通させる
微小隙間６Ｄを設け、上記ハウジング部２Ａには外側通
気溝６Ａの少なくとも２箇所にそれぞれ連通する給気ポ
ート７及び排気ポート８を設けてなるので、通気環６と
回転軸１との間に設けられた微小隙間６Ｄに不活性ガス
が流通することにより回転導入機１１内に発生する汚染
物質は不活性ガスと共に排気されるから反応室内又は真
空室内に侵入して汚染するおそれがないばかりでなく、
反応室内の反応ガスが回転導入機１１内に流入すること
もないので、回転導入機内部を腐食したり、磁性流体を
変質させて劣化させたりするおそれがなくその寿命を延
長することができる。
造装置における反応室内又は真空室内の被回転体を外部
から回転させる回転導入機において、回転導入機１１の
ハウジング２に、上記室に取付けられる給排気部１２を
構成するハウジング部２Ａを設け、このハウジング部２
Ａ内に、不活性ガスを流通する通気環６を取着し、この
通気環６の外，内周にそれぞれ設けられた外，内側通気
溝６Ａ，６Ｂを複数個の貫通穴６Ｃで放射状に連通し、
通気環６と回転軸１との間に、不活性ガスを流通させる
微小隙間６Ｄを設け、上記ハウジング部２Ａには外側通
気溝６Ａの少なくとも２箇所にそれぞれ連通する給気ポ
ート７及び排気ポート８を設けてなるので、通気環６と
回転軸１との間に設けられた微小隙間６Ｄに不活性ガス
が流通することにより回転導入機１１内に発生する汚染
物質は不活性ガスと共に排気されるから反応室内又は真
空室内に侵入して汚染するおそれがないばかりでなく、
反応室内の反応ガスが回転導入機１１内に流入すること
もないので、回転導入機内部を腐食したり、磁性流体を
変質させて劣化させたりするおそれがなくその寿命を延
長することができる。
【図１】（Ａ）は本発明回転導入機の１実施例の構成を
示す断面図、（Ｂ）はそのＡ−Ａ線矢視断面図である。
示す断面図、（Ｂ）はそのＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図２】従来の回転導入機の第１例を示す簡略断面図で
ある。
ある。
【図３】その第２例の軸受部周りの簡略断面図である。
１ 回転軸 ２ ハウジング ２Ａ ハウジング部 ３ 筒状磁石 ４ 軸受 ５ 軸受 ６ 通気環 ６Ａ 外側通気溝 ６Ｂ 内側通気溝 ６Ｃ 貫通孔 ６Ｄ 微小空間 ７ 給気ポート ８ 排気ポート ９ 止め輪 １０ 磁性流体シール １１ 回転導入機 １２ 給排気部
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体製造装置における反応室内又は真
空室内の被回転体を外部から回転させる回転導入機にお
いて、回転導入機（１１）のハウジング（２）に、上記
室に取付けられる給排気部（１２）を構成するハウジン
グ部（２Ａ）を設け、このハウジング部（２Ａ）内に、
不活性ガスを流通する通気環（６）を取着し、この通気
環（６）の外，内周にそれぞれ設けられた外，内側通気
溝（６Ａ，６Ｂ）を複数個の貫通穴（６Ｃ）で放射状に
連通し、通気環（６）と回転軸（１）との間に、不活性
ガスを流通させる微小隙間（６Ｄ）を設け、上記ハウジ
ング部（２Ａ）には外側通気溝（６Ａ）の少なくとも２
箇所にそれぞれ連通する給気ポート（７）及び排気ポー
ト（８）を設けてなる半導体製造装置における回転導入
機。 - 【請求項２】 通気環（６）に外，内側通気溝（６Ａ，
６Ｂ）及び貫通穴（６Ｃ）を軸方向に複数段、並設して
なる請求項１の半導体製造装置における回転導入機。 - 【請求項３】 通気環（６）がハウジング部（２Ａ）の
内周に、着脱可能に嵌着されている請求項１の半導体製
造装置における回転導入機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2734193A JPH06220642A (ja) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | 半導体製造装置における回転導入機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2734193A JPH06220642A (ja) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | 半導体製造装置における回転導入機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06220642A true JPH06220642A (ja) | 1994-08-09 |
Family
ID=12218356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2734193A Pending JPH06220642A (ja) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | 半導体製造装置における回転導入機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06220642A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0792954A2 (en) * | 1996-02-29 | 1997-09-03 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for growing single-crystalline semiconductor film and apparatus used therefor |
| US5993557A (en) * | 1997-02-25 | 1999-11-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatus for growing single-crystalline semiconductor film |
| US6030457A (en) * | 1997-05-20 | 2000-02-29 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
-
1993
- 1993-01-21 JP JP2734193A patent/JPH06220642A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0792954A2 (en) * | 1996-02-29 | 1997-09-03 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for growing single-crystalline semiconductor film and apparatus used therefor |
| EP0792954A3 (en) * | 1996-02-29 | 1998-05-20 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method for growing single-crystalline semiconductor film and apparatus used therefor |
| US5993557A (en) * | 1997-02-25 | 1999-11-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatus for growing single-crystalline semiconductor film |
| US6030457A (en) * | 1997-05-20 | 2000-02-29 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
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