JPH06220614A - 真空蒸着装置 - Google Patents

真空蒸着装置

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JPH06220614A
JPH06220614A JP877493A JP877493A JPH06220614A JP H06220614 A JPH06220614 A JP H06220614A JP 877493 A JP877493 A JP 877493A JP 877493 A JP877493 A JP 877493A JP H06220614 A JPH06220614 A JP H06220614A
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JP
Japan
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shutter
heater
vapor deposition
vacuum
heating
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Pending
Application number
JP877493A
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English (en)
Inventor
Masahiko Muto
雅彦 武藤
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Kubota Corp
Original Assignee
Kubota Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 蒸発源を汚染してしまうことを回避しなが
ら、シャッタのガス出しを適正に行える蒸着装置を提供
する。 【構成】 真空容器1の内部の蒸着対象3に向けて、加
熱蒸発させた蒸着材料を放出する蒸発源Sが、前記真空
容器1の内部と連通する収納部Iに設けられ、その収納
部Iと前記真空容器1との連通を開閉するシャッタ10
が設けられた真空蒸着装置において、前記シャッタ10
に、ガス出し加熱用のヒータが設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、真空容器の内部の蒸着
対象に向けて、加熱蒸発させた蒸着材料を放出する蒸発
源が、前記真空容器の内部と連通する収納部に設けら
れ、その収納部と前記真空容器との連通を開閉するシャ
ッタが設けられた真空蒸着装置に関する。
【0002】
【従来の技術】かかる真空蒸着装置では、一般に、高真
空を確保するため及び蒸着中の不純物の飛散を防止する
ため、真空容器内の部品の吸蔵ガスを加熱して放出させ
るいわゆるガス出しを行っており、シャッタもこのガス
出しの対象になる。従来、シャッタのガス出しについて
は、シャッタを閉じた状態で、蒸発源に蒸発材料を加熱
蒸発させるために設けられているヒータの輻射熱により
ガス出し加熱が行われている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術では、シャッタを閉じた状態でシャッタのガス出
しを行うため、シャッタに付着している不純物等が蒸発
源側に飛散し、蒸発源を汚染してしまう場合があり、改
善が望まれていた。本発明は、上記実情に鑑みてなされ
たものであって、その目的は、蒸発源を汚染してしまう
ことを回避しながら、シャッタのガス出しを適正に行え
る蒸着装置を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の真空蒸着装置
は、真空容器の内部の蒸着対象に向けて、加熱蒸発させ
た蒸着材料を放出する蒸発源が、前記真空容器の内部と
連通する収納部に設けられ、その収納部と前記真空容器
との連通を開閉するシャッタが設けられたものであっ
て、その第1特徴構成は、前記シャッタに、ガス出し加
熱用のヒータが設けられている点にある。第2特徴構成
は、上記第1特徴構成において、前記ヒータが、前記シ
ャッタの全体又は略全体にわたって設けられている点に
ある。第3特徴構成は、上記第1特徴構成又は上記第2
特徴構成において、前記ヒータが、前記シャッタに内蔵
されている点にある。
【0005】
【作用】本発明の第1特徴構成によれば、シャッタのガ
ス出しを行う際、真空容器内を真空にした状態で、シャ
ッタに設けられているガス出し加熱用のヒータにてシャ
ッタを加熱する。この加熱によりシャッタに付着した不
純物及び吸蔵ガス等は真空容器中に放出される。通常、
ガス出しの際に加熱される温度は、実際の蒸着作業にお
いてシャッタが加熱される温度よりも高い温度になるよ
うに設定して行うので、このガス出し以降は、実際の蒸
着作業において、蒸発源と真空容器の内部の連通をシャ
ッタが閉じている状態で、蒸発源に設けられたヒータの
輻射熱によりシャッタが加熱されても、シャッタが不純
物を飛散させたり吸蔵ガスを放出して真空容器内の真空
度を悪化させてしまうことがない。
【0006】上記のシャッタのガス出しは、蒸発源と真
空容器の内部の連通をシャッタが閉じている状態で行う
こともできるが、シャッタ自体にガス出し加熱用のヒー
タを設けているため、蒸発源と真空容器の内部の連通を
シャッタが開いている状態で行うことができる。シャッ
タが開いている状態でシャッタのガス出しを行うと、シ
ャッタから飛散する不純物が蒸発源の内部に入り込むこ
とがなく、飛散した不純物による蒸発源の汚染を防止で
きる。
【0007】本発明の第2特徴構成によれば、シャッタ
の全体又は略全体にわたって設けられているヒータが、
シャッタのほぼ全体にわたって加熱し、ガス出しを行
う。
【0008】本発明の第3特徴構成によれば、シャッタ
に内蔵されているヒータが、シャッタの蒸発源側の面と
蒸着対象側の面とを均一に加熱し、ガス出しを行う。
【0009】
【発明の効果】上記第1特徴構成によれば、上記した如
く、ガス出しによりシャッタから飛散する不純物が蒸発
源の内部に入り込むのを防止することが可能であるの
で、蒸発源を汚染してしまうことを回避しながら、シャ
ッタのガス出しを適正に行える蒸着装置を提供するに至
ったのである。
【0010】上記第2特徴構成によれば、上記第1特徴
構成による効果に加えて、更に、シャッタのほぼ全体に
わたって加熱し、ガス出しを行うため、効果的にシャッ
タのガス出しを行うことができる。
【0011】上記第3特徴構成によれば、上記第1特徴
構成による効果又は上記第2特徴構成による効果に加
え、更に、シャッタの蒸発源側の面と蒸着対象側の面と
を均一に加熱し、ガス出しを行うため、シャッタの一方
の面だけを加熱してシャッタを変形させてしまうような
事態を防止できる。
【0012】
【実施例】以下、本発明をMBE装置に適用した実施例
について図面に基づいて説明する。図1中で、真空容器
1の周壁部には、蒸発セル9及び真空容器1内部を観測
するビューポート7が設けられ、真空容器1の内部に
は、基板ホルダ6が設けられている。真空容器1は、真
空容器1の周壁部に設けられた開口1aから、バルブ5
が開いている状態で、図示しない真空ポンプ(例えば、
ターボ分子ポンプ等)により吸引され超高真空状態に到
達しその状態が維持される。所定の超高真空状態におい
て、基板ホルダ6に取り付けられた蒸着対象としての成
長基板3に向けて、蒸発セル9から加熱蒸発により蒸着
材料8が放出され、成長基板3に付着して単結晶層とし
て成長していく。
【0013】以下装置毎に詳細に説明する。蒸発セル9
は、図2に示すように、加熱用ヒータ9a及びるつぼ9
bからなる蒸発源Sと、真空容器1の周壁部が外方に向
かって円筒状に突出する形状の収納用壁部9c及びその
収納用壁部9cの内面側に挿入される管状のセラミック
インシュレータ9dとからなり蒸発源Sを収納する収納
部Iとによって構成されている。るつぼ9b内に投入さ
れた蒸着材料8は、加熱用ヒータ9aにより所定の温度
に加熱されて蒸発し、蒸発した蒸着材料8が成長基板3
に向かって放射される。尚、通常、一つの蒸発セル9に
は一種類の蒸発材料8を投入し、図1では蒸発セル9は
2個の場合すなわち2種類の蒸発材料8を蒸着する場合
を例示しているが、蒸着する必要のある蒸着材料8の種
類が多い場合は、それに応じて十分な数の蒸発セル9を
設ければ良い。
【0014】この蒸発セル9の基板ホルダ6側箇所には
シャッタ10が備えられ、蒸発セル9の側脇には、シャ
ッタ10を開閉駆動するシャッタ駆動部11が設けられ
ている。シャッタ10は、平面視で図3のような円形部
10aと円形部10aから突出する突出部10bとから
なる板状の形状としてあり、シャッタ10の内部には、
図3及び図3のA−A断面図である図4に示すように、
表面に絶縁処理を施した帯状のガス出し加熱用のヒータ
10cが、上板10dと下板10eとに挟まれ、且つ、
上板10d及び下板10eのほぼ全体にわたる状態で内
蔵されている。この上板10dと下板10eとは保持部
10fにて溶接固定されている。
【0015】又、帯状のガス出し加熱用のヒータ10c
はその両端を突出部10bに引き出してあり、図示を省
略するが、真空容器1の周壁部に設けた電流導入端子を
介してそのガス出し加熱用のヒータの両端部に給電され
る。シャッタ駆動部11の駆動軸11aは、真空容器1
の周壁部を貫通して、真空容器1の内部側と真空容器1
の外部の大気側の両方にわたって延設されている。駆動
軸11aは、その真空容器1内部側の端部近傍において
シャッタ10の突出部10bと、突出部10bの板面と
駆動軸11aが直交する状態で連結され、真空容器1の
外部側すなわち大気側においては、シャッタ駆動用モー
タ11bに連結されている。尚、駆動軸11aと真空容
器1の周壁部の間は、駆動軸11aがその軸芯α周りに
回動可能な状態で気密シールが施されており、駆動軸1
1aは、シャッタ駆動用モータ11bによって、その軸
芯α周りに回動駆動される。これに伴ってシャッタ10
は軸芯α周りに揺動駆動され、図3の矢印Bの方向に揺
動される。
【0016】シャッタ10は、このシャッタ駆動用モー
タ11bによるシャッタ10の揺動操作によって、シャ
ッタ10の円形部10aが蒸発セル9のるつぼ9bの開
口部を覆い、真空容器1と収納部Iとの連通を閉じるこ
とにより、るつぼ9bで加熱蒸発された蒸着材料8が基
板ホルダ6に取り付けられた成長基板3に向けて放出さ
れるのを阻止し、蒸発セル9のるつぼ9bの開口部の上
方から退避して、真空容器1と収納部Iとの連通を開く
ことにより、るつぼ9bで加熱蒸発された蒸着材料8が
基板ホルダ6に取り付けられた成長基板3に向けて放出
されるのを許容するのである。
【0017】ビューポート7には、その真空容器内方側
にシャッタ7aが、外気と接する部分にガラス板7bが
夫々設けられ、前記シャッタ7aは、ビューポート7を
通して真空容器内部の観測や基板温度に測定等を行わな
いときは通常閉じられており、蒸発材料8の蒸発物の付
着を防止している。尚、ビューポート7の位置は、成長
基板3の位置が蒸発セル9に対峙している位置、すなわ
ち、蒸着材料8を蒸着している状態の位置にあるとき、
成長基板3の表面を観察可能な位置に配置されている。
【0018】基板ホルダ6には、基板ヒータ4が備えら
れており、図示しないIn層を介して基板ホルダ6に張
りつけられた成長基板3を加熱する。又、基板ホルダ6
を支持する支持部13は、支持軸14に回動自在に支持
されており、成長基板3を交換する位置と、成長基板3
に蒸着する位置で、支持軸14周りに回動する。すなわ
ち、基板ホルダ6の位置が図1の位置にあるときが成長
基板3に蒸着する位置であり、この状態から回動し、開
口1aの方を向き、開口1aを通して図示しない基板供
給機構により成長基板3が交換される。
【0019】かかる構成のMBE装置における、蒸発セ
ル9及びシャッタ10のガス出しについて説明する。蒸
発セル9のガス出しは、真空容器1内を超高真空に引き
ながら、ガス出しによって蒸発セル9から放出された不
純物等がシャッタ10に付着するの防止するために、シ
ャッタ10が開いた状態で行う。この蒸発セル9のガス
出しにおいては、蒸発セル9の加熱用ヒータ9aにより
るつぼ9b等を加熱するのであるが、この際の設定温度
は、実際の蒸着作業における設定温度よりも若干高めに
設定してある。
【0020】一方、シャッタ10にはガス出し加熱用の
ヒータ10cが備えられているので、シャッタ10が開
いた状態にある蒸発セル9のガス出し作業中において、
同時にシャッタ10のガス出しを行うことができる。ガ
ス出し加熱用のヒータ10cでシャッタ10を加熱する
際は図示しない温度センサによって温度を観察しながら
行うが、このガス出し温度は、実際の蒸着作業におい
て、蒸発セル9の加熱用ヒータ9bの輻射熱によって閉
じ状態にあるシャッタ10が加熱される際の温度よりも
若干高めの温度としている。
【0021】次に、実際の蒸着作業について説明する。
真空容器1内を超高真空に引きながら、蒸着セル9のる
つぼ9bに所望の蒸着材料8が投入してあり、且つ、シ
ャッタ10を閉じてある状態で、加熱用ヒータ9aによ
ってるつぼ9bを所定の温度に加熱する。このるつぼ9
bに投入される蒸着材料8は、例えば、成長基板3がG
aAs単結晶で、そのGaAsの成長基板3上にGaA
sの単結晶層を成長させる場合は、二つの蒸発セル9の
うち一方にGaを他方にAsを投入すれば良く、Alを
含む3元混晶を成長させる場合や、Si等の不純物をド
ーピングして成長させる場合は、AlやSi用の蒸発セ
ル9を設けて、その専用の蒸着セル9に蒸着材料8を投
入するようにすれば良い。
【0022】るつぼ9bの温度が所定の温度で安定する
と、シャッタ10を開き、加熱蒸発した蒸着材料8を、
基板ホルダ6に取り付けられ、且つ、所定の温度に加熱
された成長基板3に向けて放出する。これにより、成長
基板3上では、成長基板3が単結晶であれば、単結晶層
が成長して行くのである。
【0023】〔別実施例〕以下、別実施例を列記する。 上記実施例では、ガス出し加熱用のヒータ10cを
シャッタ10に内蔵するようにしているが、図5及び図
5のC−C断面図である図6に示すように、ガス出し加
熱用のヒータ10cを板部材10gの片面側に、そのほ
ぼ全体にわたるように取り付けても良い。
【0024】 上記実施例及び別実施例ではシャッタ
10のガス出し加熱用のヒータ10cとして帯状のもの
を用いているが、例えば板状に成形したセラミックヒー
タを、シャッタの全体にわたって設けても良い。
【0025】 上記実施例では、シャッタ10のガス
出しをシャッタ10を開いた状態にて行っているが、例
えばシャッタ10に付着する不純物等の量が問題になら
ない程度の少なさであれば、シャッタ10を閉じた状態
で行っても良い。
【0026】 上記実施例では、蒸発セル9の収納部
Iを収納用壁部9cとセラミックインシュレータ9dと
により構成しているが、この他、収納用壁部9cの内部
あるいは収納用壁部9cとセラミックインシュレータ9
dとの間に冷却用の窒素シュラウドを設けても良いし、
収納用壁部9cの内面側にタンタル製等の熱シールドを
設けても良い。又、収納用壁部9cを真空容器1の周壁
部から切離しできるようにして、蒸発セル9全体を容易
に真空容器1から外せるようにするなど、蒸発セル9の
具体構成は適宜変更可能である。
【0027】尚、特許請求の範囲の項に図面との対照を
便利にするために符号を記すが、該記入により本発明は
添付図面の構造に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例にかかるMBE装置の概略構成
【図2】本発明の実施例にかかる要部拡大図
【図3】本発明の実施例にかかるシャッタの平面図
【図4】本発明の実施例にかかるシャッタの要部断面図
【図5】本発明の別実施例にかかるシャッタの平面図
【図6】本発明の別実施例にかかるシャッタの要部断面
【符号の説明】
1 真空容器 3 蒸着対象 10 シャッタ 10c ガス出し加熱用のヒータ S 蒸発源 I 収納部

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空容器(1)の内部の蒸着対象(3)
    に向けて、加熱蒸発させた蒸着材料を放出する蒸発源
    (S)が、前記真空容器(1)の内部と連通する収納部
    (I)に設けられ、その収納部(I)と前記真空容器
    (1)との連通を開閉するシャッタ(10)が設けられ
    た真空蒸着装置であって、 前記シャッタ(10)に、ガス出し加熱用のヒータ(1
    0c)が設けられている真空蒸着装置。
  2. 【請求項2】 前記ヒータ(10c)が、前記シャッタ
    (10)の全体又は略全体にわたって設けられている請
    求項1記載の真空蒸着装置。
  3. 【請求項3】 前記ヒータ(10c)が、前記シャッタ
    (10)に内蔵されている請求項1又は2記載の真空蒸
    着装置。
JP877493A 1993-01-22 1993-01-22 真空蒸着装置 Pending JPH06220614A (ja)

Priority Applications (1)

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JP877493A JPH06220614A (ja) 1993-01-22 1993-01-22 真空蒸着装置

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JP877493A JPH06220614A (ja) 1993-01-22 1993-01-22 真空蒸着装置

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JPH06220614A true JPH06220614A (ja) 1994-08-09

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JP877493A Pending JPH06220614A (ja) 1993-01-22 1993-01-22 真空蒸着装置

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JP (1) JPH06220614A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5799641A (en) * 1996-10-17 1998-09-01 Ford Global Technologies, Inc. Pressure-wave supercharger
AU704941B2 (en) * 1996-03-05 1999-05-06 Swissauto Engineering S.A. Spark ignition engine with pressure-wave supercharger

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU704941B2 (en) * 1996-03-05 1999-05-06 Swissauto Engineering S.A. Spark ignition engine with pressure-wave supercharger
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