JPH06219087A - Ｉｃ内蔵カード - Google Patents
Ｉｃ内蔵カードInfo
- Publication number
- JPH06219087A JPH06219087A JP5288739A JP28873993A JPH06219087A JP H06219087 A JPH06219087 A JP H06219087A JP 5288739 A JP5288739 A JP 5288739A JP 28873993 A JP28873993 A JP 28873993A JP H06219087 A JPH06219087 A JP H06219087A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- card
- foam
- resin
- substrate
- case body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 特に大記憶容量に対応したＩＣ内蔵カードを
提供するものである。 【構成】 ＩＣを内蔵するＩＣ内蔵カードにおいて、Ｉ
Ｃを装着する基板および／またはカードの外殻を形成す
るカード筐体を、ベース樹脂が融点１５０℃以上の熱可
塑性樹脂で、発泡倍率が２〜５倍、発泡体切断断面の気
泡径が５μｍ以上〜５０μｍ以下の発泡体を用いてなる
ことを特徴とする。 【効果】 誘電特性、特に高周波領域での誘電特性に優
れ、信号伝播時間の遅延も少ない。
提供するものである。 【構成】 ＩＣを内蔵するＩＣ内蔵カードにおいて、Ｉ
Ｃを装着する基板および／またはカードの外殻を形成す
るカード筐体を、ベース樹脂が融点１５０℃以上の熱可
塑性樹脂で、発泡倍率が２〜５倍、発泡体切断断面の気
泡径が５μｍ以上〜５０μｍ以下の発泡体を用いてなる
ことを特徴とする。 【効果】 誘電特性、特に高周波領域での誘電特性に優
れ、信号伝播時間の遅延も少ない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、改善されたＩＣ内蔵カ
ードに関し、特に大記憶容量に対応したＩＣカードおよ
びＩＣメモリーカードに関するものである。
ードに関し、特に大記憶容量に対応したＩＣカードおよ
びＩＣメモリーカードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣを内蔵するカードとして、ＩＣカー
ド、ＩＣメモリーカードがある。ＩＣカードは、現在良
く使われている磁気カードが進化したもので、演算機能
の付加、セキュリティーの強化、記憶容量を増加させた
ものであり、スマートカードとも呼ばれている。厚さは
０. ７６ｍｍと薄く、内部にワンチップＣＰＵを搭載し
ている。その応用分野は、クレジットカード、ＩＤカー
ド等、磁気カードの延長線上にある。ＩＣメモリーカー
ドはＩＣカードとは異なり、半導体メモリーのメリット
を十分生かした記憶媒体であり、フロッピィーディス
ク、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の他の記憶媒体と
異なり、特別の駆動機構を必要としないため、コンパク
トで消費電力の小さい装置を実現する事ができる。基本
的には、コネクターと簡単なインターフェース回路でＩ
Ｃメモリーカードを接続できるので、装置を低価格化で
きる。さて、このようなＩＣカード（図１）およびＩＣ
メモリーカード（図２）は、大まかには機能の中心とな
るＩＣ等の電子部品１、該電子部品を装着する基板２、
これらを覆うカード筐体３、および装置との接触部４よ
り構成されている。
ド、ＩＣメモリーカードがある。ＩＣカードは、現在良
く使われている磁気カードが進化したもので、演算機能
の付加、セキュリティーの強化、記憶容量を増加させた
ものであり、スマートカードとも呼ばれている。厚さは
０. ７６ｍｍと薄く、内部にワンチップＣＰＵを搭載し
ている。その応用分野は、クレジットカード、ＩＤカー
ド等、磁気カードの延長線上にある。ＩＣメモリーカー
ドはＩＣカードとは異なり、半導体メモリーのメリット
を十分生かした記憶媒体であり、フロッピィーディス
ク、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の他の記憶媒体と
異なり、特別の駆動機構を必要としないため、コンパク
トで消費電力の小さい装置を実現する事ができる。基本
的には、コネクターと簡単なインターフェース回路でＩ
Ｃメモリーカードを接続できるので、装置を低価格化で
きる。さて、このようなＩＣカード（図１）およびＩＣ
メモリーカード（図２）は、大まかには機能の中心とな
るＩＣ等の電子部品１、該電子部品を装着する基板２、
これらを覆うカード筐体３、および装置との接触部４よ
り構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般に、ＩＣ内蔵カー
ドの外殻部にあたるカード筐体には、ガラスエポキシ樹
脂板の上にポリ塩化ビニルシートを貼り合わせたものが
用いられている。また、筐体部と基板が一体化している
場合は、電子部品を実装する材料としては、電子部品を
実装する際半田付け温度に加熱されるため、ポリイミド
フイルム、エンジニアリングプラスチック等、半田耐熱
性のある樹脂が用いられている。一方、近年、ＩＣ技術
の飛躍的な発展に伴いＩＣ内蔵カードの記憶容量が増大
しており、この傾向は益々加速されていくものと予想さ
れる。これに伴って新たに信号伝播時間の遅延が重要な
課題となり、ＩＣを装着する基板に要求される特性とし
て、低誘電率化、および高周波領域での誘電特性に優れ
た材料が求められている。更に、電子機器のコンパクト
化に伴い、電子部品のコンパクト化も求められている。
ドの外殻部にあたるカード筐体には、ガラスエポキシ樹
脂板の上にポリ塩化ビニルシートを貼り合わせたものが
用いられている。また、筐体部と基板が一体化している
場合は、電子部品を実装する材料としては、電子部品を
実装する際半田付け温度に加熱されるため、ポリイミド
フイルム、エンジニアリングプラスチック等、半田耐熱
性のある樹脂が用いられている。一方、近年、ＩＣ技術
の飛躍的な発展に伴いＩＣ内蔵カードの記憶容量が増大
しており、この傾向は益々加速されていくものと予想さ
れる。これに伴って新たに信号伝播時間の遅延が重要な
課題となり、ＩＣを装着する基板に要求される特性とし
て、低誘電率化、および高周波領域での誘電特性に優れ
た材料が求められている。更に、電子機器のコンパクト
化に伴い、電子部品のコンパクト化も求められている。
【０００４】一般に、信号伝播遅延時間（τ）は材料の
誘電率の平方根に比例し、下式、 〔τ＝ε／ｃ2 〕 ε：誘電率 ｃ：光速（＝３×１０
8 〔ｍ／ｓｅｃ〕） で表される。ここからも判るように、信号伝播遅延時間
を少なくするためには低誘電率材料を使用することが不
可欠である。しかし、誘電特性は材料固有の基本物性で
あるため、逆に所望の誘電特性を得るためには材料を選
択しなければならず、その上、半田耐熱性を持ったプラ
スチック材料であることが必要であると考えると、従来
より用いられているものではポリテトラフルオロエチレ
ン樹脂の誘電率２. １が一番低く、さらなる低誘電率特
性を出すのは不可能だった。そこで、材料の低誘電率化
を図るための手段として考えられるものの一つに、樹脂
の発泡体を用いることが挙げられる。しかし、従来の既
存の樹脂発泡体では気泡径が大きいため容積が大きいこ
と、機械的強度が低いこと等により、所望の低誘電率材
料としての樹脂発泡体を得ることは不可能であった。
誘電率の平方根に比例し、下式、 〔τ＝ε／ｃ2 〕 ε：誘電率 ｃ：光速（＝３×１０
8 〔ｍ／ｓｅｃ〕） で表される。ここからも判るように、信号伝播遅延時間
を少なくするためには低誘電率材料を使用することが不
可欠である。しかし、誘電特性は材料固有の基本物性で
あるため、逆に所望の誘電特性を得るためには材料を選
択しなければならず、その上、半田耐熱性を持ったプラ
スチック材料であることが必要であると考えると、従来
より用いられているものではポリテトラフルオロエチレ
ン樹脂の誘電率２. １が一番低く、さらなる低誘電率特
性を出すのは不可能だった。そこで、材料の低誘電率化
を図るための手段として考えられるものの一つに、樹脂
の発泡体を用いることが挙げられる。しかし、従来の既
存の樹脂発泡体では気泡径が大きいため容積が大きいこ
と、機械的強度が低いこと等により、所望の低誘電率材
料としての樹脂発泡体を得ることは不可能であった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】発明者らはかかる観点に
立ち、ＩＣ内蔵カードのＩＣを装着する基板および／ま
たはカードの外殻を構成するカード筐体の素材について
鋭意探索研究を行った結果、特定樹脂の発泡体にてこれ
らの基板および／またはカードの筐体を形成することに
より、高強度で、変形がなく、更に薄型に対応するコン
パクト化ができることを見出し、本発明を成し得たもの
である。即ち、本発明は、ＩＣを内蔵したＩＣ内蔵カー
ドにおいて、ＩＣを装着する基板および／またはカード
の外殻を形成するカード筐体が、ベース樹脂が融点１５
０℃以上の熱可塑性樹脂で、発泡倍率が２〜５倍、発泡
体切断断面の平均気泡径が５μｍ以上５０μｍ以下の発
泡体からなることを特徴とするＩＣ内蔵カードである。
立ち、ＩＣ内蔵カードのＩＣを装着する基板および／ま
たはカードの外殻を構成するカード筐体の素材について
鋭意探索研究を行った結果、特定樹脂の発泡体にてこれ
らの基板および／またはカードの筐体を形成することに
より、高強度で、変形がなく、更に薄型に対応するコン
パクト化ができることを見出し、本発明を成し得たもの
である。即ち、本発明は、ＩＣを内蔵したＩＣ内蔵カー
ドにおいて、ＩＣを装着する基板および／またはカード
の外殻を形成するカード筐体が、ベース樹脂が融点１５
０℃以上の熱可塑性樹脂で、発泡倍率が２〜５倍、発泡
体切断断面の平均気泡径が５μｍ以上５０μｍ以下の発
泡体からなることを特徴とするＩＣ内蔵カードである。
【０００６】本発明にて、ＩＣを装着する基板および／
またはカード筐体の素材に用いられる樹脂を融点が１５
０℃以上の熱可塑性樹脂とした理由は半田耐熱性の点か
らで、その発泡体は例えばポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、
ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等の飽和ポリエス
テル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰ
Ｓ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリ
プロピレン樹脂（ＰＰ）、ポリエーテルイミド樹脂（Ｐ
ＥＩ）、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、、ポリアミド
イミド樹脂（ＰＡＩ）等の樹脂をベース樹脂として用
い、これを例えば米国特許第４４７３６６５号に開示さ
れてる微細樹脂発泡体の製法に基づき製造すると良い。
この微細樹脂発泡体の製造方法とは、先ず、予め成型し
た樹脂を高圧容器中に入れ、その容器内に気泡核となる
ガスを注入し、該樹脂にガスを一定時間浸透させる。一
定時間ガス浸透を行った後、圧力を解放することにより
樹脂中に気泡核生成を起こさせる。続いてガス浸透させ
た樹脂を加熱し発泡させ、さらに冷却して微細樹脂発泡
体を得るというものである。なお、ベース樹脂として
は、ＰＥＴ、ＰＢＴ、ＰＰＳ、ＰＣ、ＰＰ、ＰＥＥＫ等
の樹脂は耐熱性、半田耐熱性、耐衝撃性などに優れてお
り好ましい。
またはカード筐体の素材に用いられる樹脂を融点が１５
０℃以上の熱可塑性樹脂とした理由は半田耐熱性の点か
らで、その発泡体は例えばポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、
ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等の飽和ポリエス
テル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂（ＰＰ
Ｓ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリ
プロピレン樹脂（ＰＰ）、ポリエーテルイミド樹脂（Ｐ
ＥＩ）、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、、ポリアミド
イミド樹脂（ＰＡＩ）等の樹脂をベース樹脂として用
い、これを例えば米国特許第４４７３６６５号に開示さ
れてる微細樹脂発泡体の製法に基づき製造すると良い。
この微細樹脂発泡体の製造方法とは、先ず、予め成型し
た樹脂を高圧容器中に入れ、その容器内に気泡核となる
ガスを注入し、該樹脂にガスを一定時間浸透させる。一
定時間ガス浸透を行った後、圧力を解放することにより
樹脂中に気泡核生成を起こさせる。続いてガス浸透させ
た樹脂を加熱し発泡させ、さらに冷却して微細樹脂発泡
体を得るというものである。なお、ベース樹脂として
は、ＰＥＴ、ＰＢＴ、ＰＰＳ、ＰＣ、ＰＰ、ＰＥＥＫ等
の樹脂は耐熱性、半田耐熱性、耐衝撃性などに優れてお
り好ましい。
【０００７】なお、ＩＣを装着する基板やカード筐体を
形成する樹脂発泡体を発泡倍率が２〜５倍、発泡体切断
断面の平均気泡径が５μｍ以上５０μｍ以下のものと規
定した理由は、発泡倍率が５倍を超え、また発泡体切断
断面の平均気泡径が５０μｍを超えて大きいものは、機
械的強度が低く、ＩＣを装着する基板およびカード筐体
用として使用した際、変形、収縮等が起こりやすく、場
合によってはＩＣ回路の飛び出し、接触不良、破損等が
起こり、誤動作を起こし易くなる。また、発泡倍率が２
倍未満で発泡体切断断面の平均気泡径が５μｍ未満のも
のでは当初の目標である軽量化、低誘電率化が達成でき
ない。好ましい範囲は発泡倍率が３〜４倍で発泡体切断
断面の平均気泡径が２０μｍ以下のものである。また、
ＩＣを装着する基板とカード筐体とが一体化したＭＰＣ
Ｂ（Ｍｏｌｄｅｄ Ｐｒｉｎｔ Ｃｕｒｃｕｉｔ Ｂｏ
ａｒｄ）に、本発明を適用しても全く同様の効果が得ら
れる。
形成する樹脂発泡体を発泡倍率が２〜５倍、発泡体切断
断面の平均気泡径が５μｍ以上５０μｍ以下のものと規
定した理由は、発泡倍率が５倍を超え、また発泡体切断
断面の平均気泡径が５０μｍを超えて大きいものは、機
械的強度が低く、ＩＣを装着する基板およびカード筐体
用として使用した際、変形、収縮等が起こりやすく、場
合によってはＩＣ回路の飛び出し、接触不良、破損等が
起こり、誤動作を起こし易くなる。また、発泡倍率が２
倍未満で発泡体切断断面の平均気泡径が５μｍ未満のも
のでは当初の目標である軽量化、低誘電率化が達成でき
ない。好ましい範囲は発泡倍率が３〜４倍で発泡体切断
断面の平均気泡径が２０μｍ以下のものである。また、
ＩＣを装着する基板とカード筐体とが一体化したＭＰＣ
Ｂ（Ｍｏｌｄｅｄ Ｐｒｉｎｔ Ｃｕｒｃｕｉｔ Ｂｏ
ａｒｄ）に、本発明を適用しても全く同様の効果が得ら
れる。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の実施例を示す。 実施例１ 発泡倍率が３. １倍で発泡体切断断面の平均気泡径が１
４μｍのＰＰＳ樹脂発泡体（圧縮弾性率は１. ４×１０
4 〔ｋｇ／ｃｍ2 〕、比誘電率は１ＭＨｚおよび１ＧＨ
ｚで１. ４）をＩＣメモリーカードのＩＣを装着する基
板およびカード筐体用に用いてＩＣメモリーカードを作
製した。このＩＣメモリーカードは高強度で使用時の変
形がなく、かつ高周波特性が良好で、信号伝播時間の遅
延も３.９４×１０-9〔ｓｅｃ／ｍ〕と少ないものであ
った。
４μｍのＰＰＳ樹脂発泡体（圧縮弾性率は１. ４×１０
4 〔ｋｇ／ｃｍ2 〕、比誘電率は１ＭＨｚおよび１ＧＨ
ｚで１. ４）をＩＣメモリーカードのＩＣを装着する基
板およびカード筐体用に用いてＩＣメモリーカードを作
製した。このＩＣメモリーカードは高強度で使用時の変
形がなく、かつ高周波特性が良好で、信号伝播時間の遅
延も３.９４×１０-9〔ｓｅｃ／ｍ〕と少ないものであ
った。
【０００９】実施例２ 発泡倍率が２. ５倍で発泡体切断断面の平均気泡径が２
０μｍのＰＥＴ樹脂発泡体（圧縮弾性率は１. １×１０
4 〔ｋｇ／ｃｍ2 〕、比誘電率は１ＭＨｚおよび１ＧＨ
ｚで１. ７７）をＩＣメモリーカードのＩＣを装着する
基板およびカード筐体用に用いてＩＣメモリーカードを
作製した。このＩＣメモリーカードは高強度で使用時の
変形がなく、かつ高周波特性が良好で、信号伝播時間の
遅延も４. ４３×１０-9〔ｓｅｃ／ｍ〕と少ないもので
あった。
０μｍのＰＥＴ樹脂発泡体（圧縮弾性率は１. １×１０
4 〔ｋｇ／ｃｍ2 〕、比誘電率は１ＭＨｚおよび１ＧＨ
ｚで１. ７７）をＩＣメモリーカードのＩＣを装着する
基板およびカード筐体用に用いてＩＣメモリーカードを
作製した。このＩＣメモリーカードは高強度で使用時の
変形がなく、かつ高周波特性が良好で、信号伝播時間の
遅延も４. ４３×１０-9〔ｓｅｃ／ｍ〕と少ないもので
あった。
【００１０】実施例３ 発泡倍率が２. ５倍で発泡体切断断面の平均気泡径が１
０μｍのＰＰ樹脂発泡体（圧縮弾性率は５. １×１０3
〔ｋｇ／ｃｍ2 〕、比誘電率は１ＭＨｚおよび１ＧＨｚ
で１. ４９）をＩＣメモリーカードのＩＣを装着する基
板およびカード筐体用に用いてＩＣメモリーカードを作
製した。このＩＣメモリーカードは高強度で使用時の変
形がなく、かつ高周波特性が良好で、信号伝播時間の遅
延も４.０７×１０-9〔ｓｅｃ／ｍ〕と少ないものであ
った。
０μｍのＰＰ樹脂発泡体（圧縮弾性率は５. １×１０3
〔ｋｇ／ｃｍ2 〕、比誘電率は１ＭＨｚおよび１ＧＨｚ
で１. ４９）をＩＣメモリーカードのＩＣを装着する基
板およびカード筐体用に用いてＩＣメモリーカードを作
製した。このＩＣメモリーカードは高強度で使用時の変
形がなく、かつ高周波特性が良好で、信号伝播時間の遅
延も４.０７×１０-9〔ｓｅｃ／ｍ〕と少ないものであ
った。
【００１１】比較例１ 発泡倍率が６倍で発泡体切断断面の平均気泡径が１００
μｍＰＰ樹脂発泡体（圧縮弾性率は１. ２×１０3 〔ｋ
ｇ／ｃｍ2 〕、比誘電率は１ＭＨｚおよび１ＧＨｚで
１. ２０）をＩＣメモリーカードのＩＣを装着する基板
およびカード筐体用に用いてＩＣメモリーカードを作製
した。このＩＣメモリーカードの高周波特性は良好で、
信号伝播時間の遅延も３. ６５×１０-9〔ｓｅｃ／ｍ〕
と小さいが、実装面積が大きくなり、圧縮弾性率も低い
ため実用には適当でなかった。
μｍＰＰ樹脂発泡体（圧縮弾性率は１. ２×１０3 〔ｋ
ｇ／ｃｍ2 〕、比誘電率は１ＭＨｚおよび１ＧＨｚで
１. ２０）をＩＣメモリーカードのＩＣを装着する基板
およびカード筐体用に用いてＩＣメモリーカードを作製
した。このＩＣメモリーカードの高周波特性は良好で、
信号伝播時間の遅延も３. ６５×１０-9〔ｓｅｃ／ｍ〕
と小さいが、実装面積が大きくなり、圧縮弾性率も低い
ため実用には適当でなかった。
【００１２】比較例２ 発泡倍率が７倍で発泡体切断断面の平均気泡径が１５０
μｍＰＰＳ樹脂発泡体（圧縮弾性率は１. ３×１０
3 〔ｋｇ／ｃｍ2 〕、比誘電率は１ＭＨｚおよび１ＧＨ
ｚで１. ２０）をＩＣメモリーカードのＩＣを装着する
基板およびカード用筐体に用いてＩＣメモリーカードを
作製した。このＩＣメモリーカードの高周波特性は良好
で、信号伝播時間の遅延も３. ６５×１０-9〔ｓｅｃ／
ｍ〕と小さいが、実装面積が大きくなり、圧縮弾性率も
低いため実用には適当でなかった。
μｍＰＰＳ樹脂発泡体（圧縮弾性率は１. ３×１０
3 〔ｋｇ／ｃｍ2 〕、比誘電率は１ＭＨｚおよび１ＧＨ
ｚで１. ２０）をＩＣメモリーカードのＩＣを装着する
基板およびカード用筐体に用いてＩＣメモリーカードを
作製した。このＩＣメモリーカードの高周波特性は良好
で、信号伝播時間の遅延も３. ６５×１０-9〔ｓｅｃ／
ｍ〕と小さいが、実装面積が大きくなり、圧縮弾性率も
低いため実用には適当でなかった。
【００１３】
【発明の効果】以上、実施例および比較例から明らかな
如く、本発明のＩＣ内蔵カードは、そのＩＣを装着する
基板および／またはカード用筐体を、ベース樹脂が融点
１５０℃以上の熱可塑性樹脂で、発泡倍率が２〜５倍
で、発泡体切断断面の平均気泡径が５μｍ以上５０μｍ
以下の発泡体にて形成したことにより、使用時の変形が
ない強度を保ち、かつ、誘電特性、特に高周波領域での
誘電特性に優れ、信号伝播時間の遅延も少ない。
如く、本発明のＩＣ内蔵カードは、そのＩＣを装着する
基板および／またはカード用筐体を、ベース樹脂が融点
１５０℃以上の熱可塑性樹脂で、発泡倍率が２〜５倍
で、発泡体切断断面の平均気泡径が５μｍ以上５０μｍ
以下の発泡体にて形成したことにより、使用時の変形が
ない強度を保ち、かつ、誘電特性、特に高周波領域での
誘電特性に優れ、信号伝播時間の遅延も少ない。
【図１】ＩＣカードの基本的構造を説明するための断面
説明図である。
説明図である。
【図２】ＩＣメモリーカードの基本的構造を説明するた
めの断面説明図である。
めの断面説明図である。
１ 電子部品 ２ 電子部品を装着する基板 ３ カード筐体 ４ 装置との接触部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 尚樹 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 (72)発明者 中山 清 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 (72)発明者 小林 健造 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 ＩＣを内蔵するＩＣ内蔵カードにおい
て、ＩＣ内蔵カードのＩＣを装着する基板および／また
はカードの外殻を形成するカード筐体が、ベース樹脂が
融点１５０℃以上の熱可塑性樹脂で、発泡倍率が２〜５
倍、発泡体切断断面の平均気泡径が５μｍ以上５０μｍ
以下の発泡体からなることを特徴とするＩＣ内蔵カー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5288739A JPH06219087A (ja) | 1992-11-12 | 1993-10-25 | Ｉｃ内蔵カード |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-327351 | 1992-11-12 | ||
| JP32735192 | 1992-11-12 | ||
| JP5288739A JPH06219087A (ja) | 1992-11-12 | 1993-10-25 | Ｉｃ内蔵カード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06219087A true JPH06219087A (ja) | 1994-08-09 |
Family
ID=26557308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5288739A Pending JPH06219087A (ja) | 1992-11-12 | 1993-10-25 | Ｉｃ内蔵カード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06219087A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999009522A1 (de) * | 1997-08-14 | 1999-02-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Trägerkarte und halbleitermodul für eine derartige trägerkarte |
| US6513718B1 (en) * | 1999-05-06 | 2003-02-04 | Oberthur Card Systems Sas | Method for mounting a microcircuit in a cavity of a card forming a support and resulting card |
-
1993
- 1993-10-25 JP JP5288739A patent/JPH06219087A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999009522A1 (de) * | 1997-08-14 | 1999-02-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Trägerkarte und halbleitermodul für eine derartige trägerkarte |
| US6513718B1 (en) * | 1999-05-06 | 2003-02-04 | Oberthur Card Systems Sas | Method for mounting a microcircuit in a cavity of a card forming a support and resulting card |
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