JPH06216467A - 半導体光分散補償器 - Google Patents

半導体光分散補償器

Info

Publication number
JPH06216467A
JPH06216467A JP5006419A JP641993A JPH06216467A JP H06216467 A JPH06216467 A JP H06216467A JP 5006419 A JP5006419 A JP 5006419A JP 641993 A JP641993 A JP 641993A JP H06216467 A JPH06216467 A JP H06216467A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
dispersion compensator
dispersion
optical waveguide
wavelength
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5006419A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsumi Ido
立身 井戸
Hirohisa Sano
博久 佐野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP5006419A priority Critical patent/JPH06216467A/ja
Priority to EP94100030A priority patent/EP0607782B1/en
Priority to DE69419626T priority patent/DE69419626D1/de
Priority to US08/178,678 priority patent/US5570439A/en
Publication of JPH06216467A publication Critical patent/JPH06216467A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction
    • G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction in an optical waveguide structure
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/25—Arrangements specific to fibre transmission
    • H04B10/2507—Arrangements specific to fibre transmission for the reduction or elimination of distortion or dispersion
    • H04B10/2513—Arrangements specific to fibre transmission for the reduction or elimination of distortion or dispersion due to chromatic dispersion
    • H04B10/25133—Arrangements specific to fibre transmission for the reduction or elimination of distortion or dispersion due to chromatic dispersion including a lumped electrical or optical dispersion compensator
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means
    • G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
    • G02B6/293—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means
    • G02B6/29379—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals with wavelength selective means characterised by the function or use of the complete device
    • G02B6/29392—Controlling dispersion
    • G02B6/29394—Compensating wavelength dispersion
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0147—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on thermo-optic effects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction
    • G02F1/0151—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction modulating the refractive index
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction
    • G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
    • G02F1/01708—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells in an optical wavequide structure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/30—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 grating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
    • H01S5/1212—Chirped grating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
    • H01S5/1215—Multiplicity of periods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/1225—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers with a varying coupling constant along the optical axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/5045—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30 the arrangement having a frequency filtering function
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B2210/00—Indexing scheme relating to optical transmission systems
    • H04B2210/25—Distortion or dispersion compensation
    • H04B2210/252—Distortion or dispersion compensation after the transmission line, i.e. post-compensation

Abstract

(57)【要約】 【目的】 分散補償波長、分散補償強度を調整できる光
分散補償器を提供し、これを光伝送システムに適応する
ことにより伝送システムの長距離化、大容量化をはか
る。 【構成】 回折格子を打刻した半導体基板１上に、異な
る半導体を積層し、エッチングすることにより作製した
回折格子付き半導体光導波路に光信号を入射し、反射も
しくは透過させることによって分散補償を行う。該光導
波路に取り付けた電極５，６によって光導波路に電界印
加やキャリア注入を行うことができ、これによって分散
補償波長や分散補償強度を調整できる。 【効果】 分散補償波長や分散補償強度が電気的に調整
可能な光分散補償器を提供することができ、これを光伝
送システムに適応することにより伝送システムの伝送距
離、伝送容量を飛躍的に増大できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光伝送システムに適用
することにより、その伝送距離や伝送容量を飛躍的に増
大できる半導体光分散補償器に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバは屈折率分散を持つために、
波長広がりを持つ光信号パルスを伝送すると光信号が劣
化する。ファイバの分散による光信号の劣化は、光伝送
システムの伝送距離や伝送容量を制限する大きな要因で
ある。半導体レーザの単一モード化、動的波長シフト低
減化、及び、動的波長シフトの小さい外部変調方式の採
用等により光源自身の持つ波長広がりを抑圧することが
できても、光波を高速強度変調する際に発生する側波帯
に伴う光信号の波長の広がり（Δλ0）はいかなる変調
方式を採っても低減できない。Δλ0は光信号のビット
レートに比例するので１０Ｇｂｉｔ／ｓｅｃを上回る次
世代超高速光伝送システムにおいては、この不可避な波
長広がりによって伝送距離が大きく制限されることにな
る。
【０００３】光ファイバの有する分散と逆の分散を持つ
光学系即ち光分散補償器を光伝送路に挿入し光ファイバ
の有する分散を打消してやれば、ファイバの分散のため
劣化した光信号波形は完全に修復でき、上記の制限を超
える長距離超高速光伝送が可能となる。回折格子付き光
導波路を用いて分散補償器を実現する方法としては、特
開昭５５−１６１２０１号公報、特開昭５６−１００１
号公報、特開昭５７−４０２０７号公報、特開昭５７−
６６４０３号公報等に記載の方法が挙げられる。しか
し、これらの方法は半導体レーザが多モード発振してい
るために生じる非常に大きな波形劣化を抑圧することを
目的としたものであるので、分散補償は各モード波長に
対して離散的に行われるのみであり、光パルスを構成す
る波長幅に渡って連続的な分散補償を行うことができな
い。連続的な分散補償を可能とする方法として、特開昭
５７−１２９０３６号公報記載のものが挙げられる。こ
の方法は、周期間隔が漸減する回折格子、すなわち、チ
ャープトグレーティングを用いることによって原理的に
分散補償が可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た特開昭５７−１２９０３６号公報記載の分散補償器に
おいては、回折格子の打刻幅や光導波路の構造等により
分散補償可能な波長領域、分散補償強度等が一義的に決
定され、それらの調整機能をなんら有していない。実際
の光伝送システムにおいて使用される半導体レーザーの
発振波長は、素子依存性や、温度変化、経時変化等のた
めに数ｎｍの広範囲に渡ってばらつく。これは、光信号
パルスの波長広がり、すなわち分散補償を必要とする波
長幅に比べて１０倍以上大きい。もし、数ｎｍにも及ぶ
分散補償を行うとすると、補償器長は１０倍以上大きな
ものになり、作製に困難を伴うと共に分散補償器におけ
る損失が増大する。また、必要な分散補償の大きさは、
光ファイバ長やファイバ分散のばらつきに大きく依存す
る。これらの理由により、分散補償器が伝送システムに
実際適応されるためには、その分散補償波長や分散補償
の大きさが作製後もある程度調整できることが必要不可
欠である。
【０００５】本発明の目的は、分散補償波長や、分散補
償強度が電気的、熱的に調整できる光分散補償器を提供
することにあり、また、本発明のその他の目的は、その
光分散補償器を光伝送システムに適応することにより、
光伝送システムの長距離化、大容量化をはかることにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、（１）回
折格子を打刻した半導体基板上に屈折率の異なる半導体
を２種類以上積層し、該半導体層の一部又は全層を所定
幅にエッチングすることにより作製した回折格子付き半
導体光導波路に、光信号を入射して、反射、もしくは透
過させることを特徴とする光分散補償器、（２）上記１
記載の光分散補償器において、回折格子の打刻周期もし
くは光導波路の構造を光導波方向に変化させたことを特
徴とする光分散補償器、（３）上記１または２記載の光
分散補償器において、光導波路の入出力端面に光の透過
率を制御するコーティングを施したことを特徴とする光
分散補償器、（４）上記１ないし３いずれかに記載の光
分散補償器において、光導波路を構成するいずれかまた
は複数の半導体層に多重量子井戸構造を使用したことを
特徴とする光分散補償器、（５）上記１ないし４いずれ
かに記載の光分散補償器において、該半導体光導波路に
取付けた電極によって、光導波路に電界印加もしくはキ
ャリア注入を行うことにより分散機能を調整することを
特徴とする光分散補償器、（６）請求項１ないし５いず
れかに記載の光分散補償器において、該光導波路近傍に
取り付けた抵抗加熱体によって光導波路の温度を変化さ
せたり、該光分散補償器を取り付けた温度調整器により
該分散補償器全体の温度を変化させることにより分散補
償機能を調整することを特徴とする光分散補償器、
（７）上記５または６記載の光分散補償器のうちで特
に、光導波路方向に不均一な電界、キャリア密度、温度
を与えることにより分散補償機能を調整することを特徴
とする光分散補償器によって達成される。また上記その
他の目的は、（８）上記１ないし７いずれかに記載の光
分散補償器を送信器、受信器、中継器のいずれかもしく
は複数箇所に使用したことを特徴とする光伝送システム
によって達成される。
【０００７】
【作用】以下、図面を用いて本発明による半導体光分散
補償器の動作原理について説明する。
【０００８】図１に本発明による反射型分散補償器の一
例についての光導波路方向断面図を記す。半導体コア層
２の屈折率は半導体基板１や半導体クラッド層３の屈折
率より大きく選ぶことで光導波路が形成されている。ま
た、基板とコア層のヘテロ接合面に凹凸を設けることに
より回折格子４が作られている。該回折格子は、その打
刻周期（ｗ）が距離（ｘ）に対して変化したチャープト
グレーティングであり、ｘにおける回折格子のブラッグ
散乱波長（λB）は、光導波路の等価屈折率（ｎ）を用
いて
【０００９】
【数１】 λB（ｘ）＝２・ｎ・ｗ（ｘ） …（数１） で与えられる。光信号は該分散補償器に反射防止膜７を
通じて入射され、形成された光導波路をチャープトグレ
ーティング４と相互作用しながら進む。各位置において
光信号の内でブラック散乱波長を満たす波長成分が選択
反射され、再度反射防止膜７を通じて本素子より取り出
される。ブラッグ反射される位置が波長によって異なる
ために波長間で光路差、すなわち遅延差が生じる。その
遅延差を光ファイバによる遅延差を打ち消す様に与える
ことで分散補償が可能となる。
【００１０】例えば、−２０ｐｓｅｃ／ｎｍ／ｋｍの波
長分散を有する光ファイバーを用いて、中心波長１５５
０．０ｎｍ、波長広がり０．２ｎｍの光信号を１００ｋ
ｍ伝送する場合を考える。伝送後１５５０．１ｎｍの光
成分は１５４９．９ｎｍの光成分に対して４００ｐｓｅ
ｃの分散遅延を生じることになる。４００ｐｓｅｃの遅
延は、該光導波路（ｎ＝３．５とする）中では３４．３
ｍｍの長さに相当する。従って、素子長を１７．２ｍｍ
以上とし、距離ｘ（ｍｍ）においてブラッグ反射波長が
【００１１】
【数２】 λB（ｘ）＝１５５０．１−ｘ・０．０１１７０（ｎｍ） …（数２） を満たすようにすれば、すべての波長に対する遅延時間
は補償される。これは、（１）式より、
【００１２】
【数３】 ｗ（ｘ）＝２２１．４４−ｘ・０．００１６７ （ｎｍ） …（数３） を満たすように、チャープトグレーティング４を形成す
れば原理的に分散補償ができる。しかし、実際の伝送シ
ステムにおける光信号の中心波長のばらつきや、導波路
の有効屈折率ｎの制御性を考えると、（３）式を満たす
チャープトグレーティングを形成し補償器を作製して
も、分散補償が生じる波長が光信号波長と一致せず、光
信号に有効な分散補償はなされない。そこで、該光分散
補償素子では電極５、６により半導体コア層に電界を印
加することによってｎを増加させたり、キャリアを注入
したりすることによりｎを減少させることができるよう
になっている。これにより、該分散補償素子では分散補
償が生じる波長を数ｎｍの範囲で調整し、光信号波長に
一致させることができる。また、ｎは大きな温度依存性
を持つので、抵抗加熱体９によって光導波路の温度を変
えることによっても分散補償波長を調整できる。反射防
止膜７は該分散補償器の挿入損失を減らすために、ま
た、高反射膜８は補償波長が信号波長からずれた場合も
出力光が消失しないためにそれぞれ施してある。
【００１３】図２に本発明による反射型分散補償器のそ
の他の一例についての導波路方向断面図を記す。該分散
補償器は、半導体コア層の厚さがｘ方向に変化している
こと、及び、グレーティング９の打刻間隔がｘに依らず
一定である点を除いては図１と同じである。一般に光導
波路の有効屈折率（ｎ）は光導波路の構造に大きく依存
するので、一様なグレーティングを用いても光導波路の
構造を導波路方向に変化させればブラッグ散乱波長（λ
B）が光導波路方向に変化した実効的なチャープトグレ
ーティング付き光導波路を実現できる。図２に示す光導
波路においては、コア層３が薄いところではｎが小さく
なるためにλBが小さくなり、厚いところではｎは大き
くλBが大きくなることを用いて、図１におけるチャー
プトグレーティング４と等価な回折格子付き光導波路を
実現している。これによって、図１と同様の原理によっ
て分散補償ができる。また、半導体コア層３に電界を加
えたりキャリアを注入することにより生じる有効屈折率
の変化Δｎは、コア層厚の変化のためにｘ依存性をも
つ。これは、電界印加やキャリア注入によりブラッグ波
長のｘ微分（ｄλB／ｄｘ）が変えられること、即ち、
分散補償量を電気的に変化できることを意味する。これ
と、抵抗加熱体９による光導波路の温度制御を併せれ
ば、分散補償波長と分散補償強度の両方を電気的に制御
できる。
【００１４】図３に本発明による反射型分散補償器のそ
の他の一例における導波路方向断面図を記す。該分散補
償器は、電極１２が分割化されていること、回折格子９
の打刻間隔がｘに依らず一定であること、及び、半導体
コア層に変わって多重量子井戸層１５と上ガイド層１４
と下ガイド層１６を使用した点を除いては図１と同じで
ある。該分散補償器は分割された多電極１２に各々電流
電圧を与えることにより各分割領域における有効屈折率
をそれぞれ独立に制御して、実効的に様々なチャープト
グレーティングを電気的に実現できるので分散補償の自
由度が大きい。例えば、他電極に加える電圧を距離ｘに
比例する形で与えれば、図１と同様にブラッグ散乱波長
がｘに比例して変化するチャープトグレーティングを実
効的に実現でき分散補償が可能となる。この時、他電極
に加える電圧の平均値で分散補償波長を、ｘに対する傾
きで分散補償強度を調整することができる。また、該分
散補償器では多重量子井戸層１４を用いているために電
界印加時にバルクに比べて大きな有効屈折率変化が得ら
れるので、それだけ分散補償波長や分散補償強度の調整
範囲が大きい。
【００１５】図４に本発明による透過型分散補償器の一
例における軸方向断面図を示す。該分散補償器において
は、チャープトグレーティング１６は中央のλ／４位相
シフトに対して、対称に作られていること、及び、透過
型のため両端面に反射防止膜が形成されている点以外は
図１同じである。本素子に入射される光信号は、対称な
チャープトグレーティングのブラッグ反射によって形成
される一種の光共振器を介して反対の端面から取りださ
れる。チャープトグレーティング使用しているために、
各波長にたいして実効的な共振器長が変化し、これによ
って分散補償が可能となる。また本素子においても、図
１ないし３の方法により分散補償波長、分散補償強度の
電気的調整が可能である。
【００１６】
【実施例】次に本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
【００１７】（実施例１）図５（ａ）は本実施例１にお
ける反射型光分散補償器の平面図、図１は図５のＡ−
Ａ’断面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ’断面図
である。機械打線により回折格子ホトマスクを作製し、
ホトマスクの密着露光とウエットエッチングにより打刻
間隔が(3)式を満たすチャープトグレーティング４をｎ
−ＩｎＰ基板１に作製した。次にＭＯＣＶＤ法を用い
て、厚さ０．２〜０．５μｍのノンドープＩｎＧａＡｓ
Ｐ（バンドギャップ波長 １．３μｍ）光コア層２、及
び、厚さ２〜３μｍのｐ−ＩｎＰクラッド層３を成長し
た。エッチングにより幅１〜３μｍ程度のストライプを
形成後、ＳｉＯ2保護膜１６、ｐ電極５、白金抵抗加熱
体９、ｎ電極６を形成する。最後に、基板を５×２０ｍ
ｍに壁開し入射端面にはＳｉＮx反射防止膜７を、もう
一方の面にはａ−Ｓｉ／ＳｉＯ2高反射膜８を施した。
【００１８】図６は実験に用いた伝送装置を示す。ＤＦ
Ｂレーザー１９（発振波長１．５５０μｍ）、光変調器
２０、及び、光増幅器２１１からなる光源１８に２０Ｇ
ｂｉｔ／ｓｅｃのＮＲＺ擬似ランダム信号を与えて光信
号を発生させる。この光信号を全長１００ｋｍの１．３
μｍ零分散ファイバ２２を伝送させた後、光増幅器２１
３および受光素子２７からなる受信機２４で受信し、受
信波形をサンプリングオシロスコープに依り観測した。
この時、ファイバの途中に増幅器２１２を有する光中継
器２３を挿入し伝送損失を補った。分散補償器を使用し
ないで光増幅器２１３と受光素子２７を直結した状態で
は受信波形は波形劣化が著しく、良好な受光波形が得ら
れなかった。しかし、図１に示す反射型分散補償器２６
を光サーキュレータ２５を用いて、光増幅器２１３と受
光素子２７の間に挿入し、補償器の電極５、６に与える
電圧電流を調整したところ、十分なアイ開口を持つ良好
な受信波形が得られた。ただし、この際、分散補償器の
光導波路ではＴＥモード光だけが存在するように、補償
器の入射光の偏光を調整した。つぎに、送信器のＤＦＢ
レーザー１９の発振波長を±３ｎｍの範囲内で変化させ
たが、電極５、６に与える電流電圧を再度調整すること
により、いずれの波長においても良好な受信波形が得ら
れた。電極５、６に与える電圧電流を調整する代わり
に、白金抵抗加熱体９に流す電流を調整したり、補償器
全体の温度を調整することによっても良好な受信波形が
得られた。また、光サーキュレータ２５と分散補償器２
６を送信機の光変調器２０の直後にいれても、光中継器
の光増幅器２１２の直後にいれても、いずれの場合にも
同様の調整を行うことにより良好な受信波形が得られ
た。
【００１９】（実施例２）本実施例２における反射型分
散補償器の導波路方向断面を図２に示す。一様グレーテ
ィング１１（打刻間隔２２１．４ｎｍ）は、Ｈｅ−Ｃｄ
レーザーを用いた干渉露光法とウエットエッチングによ
り作製した。また、非平行なＳｉＯ2ストライプを用い
たＭＯＣＶＤ領域選択成長により、導波路方向におよそ
２０％厚さが変化しているＩｎＧａＡｓＰ光コア層２を
成長させた。その他の構造は、実施例１と同様であり、
同様のプロセスにより分散補償器を作製した。
【００２０】作製した分散補償素子を実施例１と同様の
伝送装置（図６）により評価した。半導体レーザー発振
波長１．５５０μｍに対してファイバ全長１００ｋｍの
伝送を行い、電極５、６に与える電流、電圧、及び、白
金抵抗加熱体９に流す電流を調整したところ十分なアイ
開口を持つ良好な受信波形が得られた。つぎに、ファイ
バの全長を５０ｋｍ、１５０ｋｍと変えて同様の調整を
したところいずれの場合も良好な受信波形が得られた。
また、光変調器２０の直後に、もう一対の光サーキュレ
ータと分散補償器を挿入し、２つの補償器にたいして同
様の調整を行っても良好な受信波形が得られた。
【００２１】（実施例３）本実施例における反射型分散
補償器の導波路方向断面を図３に示す。実施例２と同一
の一様グレーテイング１１を形成したｎ−ＩｎＰ基板上
に、厚さ０．１〜０．２μｍのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ（バ
ンドギャップ波長１．１５μｍ）下ガイド層１６、井戸
層をＩｎＧａＡｓバリア層をＩｎＰとする多重量子井戸
層１５（バンドギャップ波長１．４５μｍ、量子井戸数
１０）、厚さ０．１〜０．２μｍのｐ−ＩｎＧａＡｓＰ
上ガイド層１４、厚さ２〜３μｍのｐ−ＩｎＰクラッド
層３をＭＯＣＶＤ法により成長した。クラッド層の一部
はエッチングを行い、その後、ＦｅドープＩｎＰ１３で
埋め込んだ。その後ドライエッチングによって光導波路
を形成し、ＳｉＯ2保護膜を形成したの後、多電極１２
をつけた。その後は、実施例１同様なプロセスにより作
製した。
【００２２】作製した分散補償素子をを実施例１と同様
の伝送装置（図６）により評価した。波長１．５５０μ
ｍの波長に対してファイバ全長１００ｋｍの伝送を行
い、多電極１２に与える電流電圧をそれぞれ調整したと
ころ十分なアイ開口を持つ良好な受光波形が得られた。
また、ファイバーの全長を５０ｋｍ、１００ｋｍと変え
たり、レーザ発振波長を±３ｎｍの範囲で変えても、再
度、同様な調整を行うことにより良好な受信波形が得ら
れた。
【００２３】（実施例４）本実施例における透過型分散
補償器の導波路方向断面図を図４に示す。機械打線によ
り回折格子ホトマスクを作製し、密着露光とウエットエ
ッチングにより、打刻間隔（ｗ）が
【００２４】
【数４】 ｗ（ｘ）＝２２１．４３＋｜ｘ｜・０．０００９２（ｎｍ）…（数４） を満たすλ／４シフト付きチャープトグレーティング１
７をｎ−ＩｎＰ基板１の表面に作製した。また、透過型
とするために両端面に反射防止膜を施した。その他の構
造は、実施例１と同様であり、同様のプロセスにより透
過型分散補償器を作製した。
【００２５】作製素子を実施例１と同様の伝送装置によ
り評価した。ただし、本補償器は透過型であるため、光
サーキュレータは使用せず光路に直接挿入した。波長
１．５５０μｍの波長に対してファイバ全長１００ｋｍ
の伝送を行い、多電極１１に与える電流電圧及び抵抗加
熱体９に流す電流を調整したところ十分なアイ開口を持
つ良好な受信波形が得られた。また、送信波長を±３ｎ
ｍの範囲で変えても、同様な調整を行うことにより良好
な受信波形が得られた。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、分散補償波長と分散補
償強度を電気的に調整できる光分散補償器を実現するこ
とができる。また、本発明による分散補償器を、光伝送
システムに適応することにより、その伝送距離や伝送容
量を飛躍的に増大できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による分散補償器の第１の実施例を示す
導波路方向の断面図。
【図２】本発明による分散補償器の第２の実施例を示す
導波路方向の断面図。
【図３】本発明による分散補償器の第３の実施例を示す
導波路方向の断面図。
【図４】本発明による分散補償器の第４の実施例を示す
導波路方向の断面図。
【図５】(ａ）本発明による分散補償器の第１の実施例
を示す平面図、(ｂ）本発明による分散補償器の第１の
実施例を示す導波路に垂直な方向の断面図。
【図６】本発明による分散補償器を光伝送システムに応
用した実施例を示す図。
【符号の説明】
１…ｎ型半導体基板、２…ノンドープ半導体コア層、３
…ｐ型半導体クラッド層、４…チャープトグレーティン
グ、５…ｐ電極、６…ｎ電極、７…反射防止膜、８…高
反射膜、９…抵抗加熱体、１０…絶縁保護膜、１１…一
様グレーティング１２…半絶縁性半導体、１３…ｐ多電
極、１４…半導体上ガイド層、１５…半導体多重量子井
戸構造、１６…半導体下ガイド層、１７…λ／４シフト
付きチャープトグレーティング、１８…送信器、１９…
ＤＦＢレーザ、２０…光変調器、２１１，２１２，２１
３…光増幅器、２２…光ファイバ、２３…中継器、２４
…受信器、２５…光サーキュレータ、２６…分散補償
器、２７…受光素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/18

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】回折格子を打刻した半導体基板上に屈折率
    の異なる半導体を２種類以上積層し、該半導体層の一部
    又は全層を所定幅にエッチングすることにより作製した
    回折格子付き半導体光導波路に、光信号を入射して、反
    射、もしくは透過させることを特徴とする光分散補償
    器。
  2. 【請求項２】請求項１記載の光分散補償器において、回
    折格子の打刻周期もしくは光導波路の構造を光導波方向
    に変化させたことを特徴とする光分散補償器。
  3. 【請求項３】請求項１または２記載の光分散補償器にお
    いて、光導波路の入出力端面に光の透過率を制御するコ
    ーティングを施したことを特徴とする光分散補償器。
  4. 【請求項４】請求項１ないし３のいずれかに記載の光分
    散補償器において、光導波路を構成するいずれかまたは
    複数の半導体層に多重量子井戸構造を使用したことを特
    徴とする光分散補償器。
  5. 【請求項５】請求項１ないし４のいずれかに記載の光分
    散補償器において、該半導体光導波路に取付けた電極に
    よって、光導波路に電界印加もしくはキャリア注入を行
    うことにより分散機能を調整することを特徴とする光分
    散補償器。
  6. 【請求項６】請求項１ないし５のいずれかに記載の光分
    散補償器において、該光導波路近傍に取り付けた抵抗加
    熱体によって光導波路の温度を変化させたり、該光分散
    補償器を取り付けた温度調整器によって該分散補償器全
    体の温度を変化させることにより分散補償機能を調整す
    ることを特徴とする光分散補償器。
  7. 【請求項７】請求項５または６記載の光分散補償器のう
    ちで特に、光導波路方向に不均一な電界、キャリア密
    度、温度を与えることにより分散補償機能を調整するこ
    とを特徴とする光分散補償器。
  8. 【請求項８】請求項１ないし７のいずれかに記載の光分
    散補償器を送信器、受信器、中継器のいずれかもしくは
    複数箇所に使用したことを特徴とする光伝送システム。
JP5006419A 1993-01-19 1993-01-19 半導体光分散補償器 Pending JPH06216467A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5006419A JPH06216467A (ja) 1993-01-19 1993-01-19 半導体光分散補償器
EP94100030A EP0607782B1 (en) 1993-01-19 1994-01-03 Optical dispersion compensator
DE69419626T DE69419626D1 (de) 1993-01-19 1994-01-03 Optischer Dispersionskompensator
US08/178,678 US5570439A (en) 1993-01-19 1994-01-07 Optical waveguide device and optical transmission system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5006419A JPH06216467A (ja) 1993-01-19 1993-01-19 半導体光分散補償器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06216467A true JPH06216467A (ja) 1994-08-05

Family

ID=11637857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5006419A Pending JPH06216467A (ja) 1993-01-19 1993-01-19 半導体光分散補償器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5570439A (ja)
EP (1) EP0607782B1 (ja)
JP (1) JPH06216467A (ja)
DE (1) DE69419626D1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6204949B1 (en) 1997-09-11 2001-03-20 Fujitsu Limited Method and device for extracting a timing signal
US6275315B1 (en) 1997-08-28 2001-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for compensating for dispersion of optical fiber in an optical line
US6320687B1 (en) 1997-09-09 2001-11-20 Fujitsu Limited Dispersion compensation apparatus including a fixed dispersion compensator for coarse compensation and a variable dispersion compensator for fine compensation
US6456411B1 (en) 1998-03-30 2002-09-24 Fujitsu Limited Method of setting signal wavelength in optical transmission system
JP2006304170A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Mitsubishi Electric Corp Ｐｏｎシステムおよびｐｏｎシステムの分散補償方法
JP2007264651A (ja) * 2007-05-17 2007-10-11 Mitsubishi Electric Corp 光等化器

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9501672D0 (en) * 1995-01-27 1995-03-15 Univ Southampton Dispersion compensation in optical fibre transmission
DE69616300T2 (de) * 1995-03-31 2002-06-27 Pirelli Cavi E Sistemi Spa Optischer vorverstärker
GB9603911D0 (en) * 1996-02-23 1996-04-24 Univ Southampton Dispersion compensation in optical fibre transmission
US5682455A (en) * 1996-02-29 1997-10-28 Northern Telecom Limited Semiconductor optical waveguide
EP0794445B1 (de) * 1996-03-06 2004-11-03 Infineon Technologies AG Vorrichtung zur wellen-längenmässigen Stabilisierung eines optischen Filters
CA2234780C (en) 1997-04-15 2006-04-04 Universite Laval Tapered waveguide for optical dispersion compensation
US6185232B1 (en) * 1998-06-30 2001-02-06 Scientific-Atlanta, Inc. Wavelength modulated laser for minimizing effects of Rayleigh backscattering
US6307988B1 (en) 1999-02-18 2001-10-23 Lucent Technologies Inc. Optical fiber communication system incorporating automatic dispersion compensation modules to compensate for temperature induced variations
FR2800474B1 (fr) * 1999-10-28 2002-01-11 Cit Alcatel Filtre optique a faible variation de dispersion chromatique
CA2398716A1 (en) * 2000-01-31 2001-08-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Wavelength dispersion compensation module and optical transmission system including the same
JP2001215542A (ja) * 2000-02-04 2001-08-10 Kddi Corp 非線形光素子
GB2362720A (en) * 2000-05-25 2001-11-28 Roke Manor Research Improvements in or relating to optical switching
US6690855B2 (en) * 2000-12-15 2004-02-10 Nortel Networks Limited Planar waveguide dispersion compensator
US6636662B1 (en) * 2000-12-15 2003-10-21 Nortel Networks Limited Planar waveguide dispersion compensator
US6980738B1 (en) 2001-01-26 2005-12-27 Ciena Corporation Method and system for providing tunable dispersion compensation
US6483957B1 (en) 2001-01-29 2002-11-19 3M Innovative Properties Company MEMS-based polarization mode dispersion compensator
JP4479130B2 (ja) * 2001-06-13 2010-06-09 住友電気工業株式会社 可変分散補償器及び光伝送システム
US6892003B2 (en) 2001-04-03 2005-05-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Variable dispersion compensator and optical transmission system
CA2379912C (en) * 2001-04-03 2010-06-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd Variable dispersion compensator and optical transmission system
GB2377031A (en) * 2001-06-29 2002-12-31 Bookham Technology Plc Optical waveguide having chirped diffraction grating with varying refractive index
GB2381083A (en) * 2001-10-18 2003-04-23 Fujitsu Network Communications Optical distributed chirped grating with reflection symmetry
US20030152387A1 (en) * 2001-12-04 2003-08-14 Duling Irl N. Method for transmitting multi-level signals through dispersive media
EP1327903A1 (de) 2002-01-14 2003-07-16 Alcatel Optischer Wellenleiterphasenschieber
IL148716A0 (en) * 2002-03-14 2002-09-12 Yissum Res Dev Co Control of optical signals by mos (cosmos) device
JP2005524114A (ja) * 2002-04-29 2005-08-11 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 有効屈折率チャープ型ブラッグ格子
EP1552628B1 (de) * 2002-10-07 2012-07-25 Deutsche Telekom AG Vorrichtung und verfahren zur einstellung der chromatischen dispersion
WO2004061494A2 (en) * 2003-01-02 2004-07-22 Massachusetts Institute Of Technology Magnetically active semiconductor waveguides for optoelectronic integration
US7515785B2 (en) * 2003-01-15 2009-04-07 Fujikura Ltd. Dispersion compensation element, optical crystal, dispersion compensation system, dispersion compensation method

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3619796A (en) * 1970-04-27 1971-11-09 Bell Telephone Labor Inc Phase-matching arrangements in parametric traveling-wave devices
JPS5559403A (en) * 1978-10-30 1980-05-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Delay equalizer for optical fiber transmission path
JPS55161201A (en) * 1979-06-01 1980-12-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Light delay equalizer
JPS561001A (en) * 1979-06-16 1981-01-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical fiber diffusion delay equalizer
JPS5740207A (en) * 1980-08-25 1982-03-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical fiber dispersion/delay equalizer and its production
JPS5766403A (en) * 1980-10-14 1982-04-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical-fiber dispersed delay equalizer
JPS5927535B2 (ja) * 1981-02-03 1984-07-06 東京工業大学長 光フアイバ通信方式
JPS59126336A (ja) * 1983-01-06 1984-07-20 Tokyo Inst Of Technol 光遅延等化器
GB2161612B (en) * 1984-07-11 1988-02-03 Stc Plc Optical fibre transmission systems
US4904045A (en) * 1988-03-25 1990-02-27 American Telephone And Telegraph Company Grating coupler with monolithically integrated quantum well index modulator
US5022730A (en) * 1989-12-12 1991-06-11 At&T Bell Laboratories Wavelength tunable optical filter
US5048909A (en) * 1990-07-27 1991-09-17 At&T Bell Laboratories Adiabatic reflection apparatus

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6275315B1 (en) 1997-08-28 2001-08-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for compensating for dispersion of optical fiber in an optical line
US6320687B1 (en) 1997-09-09 2001-11-20 Fujitsu Limited Dispersion compensation apparatus including a fixed dispersion compensator for coarse compensation and a variable dispersion compensator for fine compensation
US6909851B2 (en) 1997-09-09 2005-06-21 Fujitsu Limited Dispersion compensation apparatus including a fixed dispersion compensator for coarse compensation and a variable dispersion compensator for fine compensation
US6204949B1 (en) 1997-09-11 2001-03-20 Fujitsu Limited Method and device for extracting a timing signal
US6456411B1 (en) 1998-03-30 2002-09-24 Fujitsu Limited Method of setting signal wavelength in optical transmission system
JP2006304170A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Mitsubishi Electric Corp Ｐｏｎシステムおよびｐｏｎシステムの分散補償方法
JP2007264651A (ja) * 2007-05-17 2007-10-11 Mitsubishi Electric Corp 光等化器
JP4640376B2 (ja) * 2007-05-17 2011-03-02 三菱電機株式会社 光等化器

Also Published As

Publication number Publication date
US5570439A (en) 1996-10-29
EP0607782A1 (en) 1994-07-27
EP0607782B1 (en) 1999-07-28
DE69419626D1 (de) 1999-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06216467A (ja) 半導体光分散補償器
JP3634165B2 (ja) 低減された信号歪みのためのレーザ送信器
US7622315B2 (en) Tunable laser source with integrated optical modulator
US7447246B2 (en) Q-modulated semiconductor laser
KR930002820B1 (ko) 주파수 변조 통신 시스템용 분포 궤환 레이저
EP0345923A2 (en) Grating coupler with monolithically integrated quantum well index modulator
KR930002819B1 (ko) 주파수 변조 통신 시스템용 분포 브래그 반사 레이저
US5757832A (en) Optical semiconductor device, driving method therefor and light source and opitcal communication system using the same
Takeuchi et al. Very high-speed light-source module up to 40 Gb/s containing an MQW electroabsorption modulator integrated with a DFB laser
EP0826271B1 (en) Method and apparatus for transmitting signals in an optical fibre
US6519270B1 (en) Compound cavity reflection modulation laser system
CA2139140C (en) A method for fabricating a semiconductor photonic integrated circuit
Akiba et al. 1.5-µm λ/4-shifted InGaAsP/InP DFB lasers
US6597718B2 (en) Electroabsorption-modulated fabry perot laser
US7065300B1 (en) Optical transmitter including a linear semiconductor optical amplifier
US6825505B2 (en) Phase-shifted distributed feedback type semiconductor laser diode capable of improving wavelength chirping and external reflection return light characteristics
De Felipe et al. 40 nm tuneable source for colourless ONUs based on dual hybridly integrated polymer waveguide grating lasers
US6363093B1 (en) Method and apparatus for a single-frequency laser
JP3014039B2 (ja) 光パルス分散補償器、及びこれを用いた光パルス圧縮器、半導体短パルスレーザ素子並びに光通信システム
KR100523080B1 (ko) 편향기 집적 동적 단일모드 레이저 다이오드를 이용한변조 장치
US4947458A (en) Optical transmitter utilizing a bistable distributed feedback semiconductor laser
JP2001290114A (ja) 光送信モジュール
JP2596186B2 (ja) 集積型半導体光変調器
JP3387722B2 (ja) 半導体レーザ装置及びそれを用いた光通信システム
Salvatore et al. 10-Gbit/s electroabsorption modulator lasers (EMLs) for long-span transmission