JPH06216199A - Manufacture for film carrier - Google Patents
Manufacture for film carrierInfo
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- JPH06216199A JPH06216199A JP800793A JP800793A JPH06216199A JP H06216199 A JPH06216199 A JP H06216199A JP 800793 A JP800793 A JP 800793A JP 800793 A JP800793 A JP 800793A JP H06216199 A JPH06216199 A JP H06216199A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップの電極と
接続するインナーリードを有するフィルムキャリアの製
造方法、特に使用可能期限が長いフィルムキャリアの製
造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a film carrier having inner leads connected to electrodes of a semiconductor chip, and more particularly to a method of manufacturing a film carrier having a long shelf life.
【0002】[0002]
【従来の技術】次に、従来のフィルムキャリアの製造方
法について図2及び図3を参照して説明する。2. Description of the Related Art Next, a conventional method for manufacturing a film carrier will be described with reference to FIGS.
【0003】図2は、従来の製造方法により製造された
フィルムキャリアの説明図であって、図2(a) は要部平
面図、図2(b) 及び図2(c) は要部側断面図である。ま
た、図3は、粒状突起とホイスカーとの説明図であっ
て、図3(a) 〜図3(d) は粒状突起とホイスカーの発生
過程を模式的に示す要部拡大側断面図である。FIG. 2 is an explanatory view of a film carrier manufactured by a conventional manufacturing method. FIG. 2 (a) is a plan view of a main part, and FIGS. 2 (b) and 2 (c) are main part sides. FIG. Further, FIG. 3 is an explanatory diagram of the granular protrusions and whiskers, and FIGS. 3A to 3D are enlarged side sectional views of main parts schematically showing the generation process of the granular protrusions and whiskers. .
【0004】なお、本明細書においては、同一部品、同
一材料等に対しては全図をとおして同じ符号を付与して
ある。従来のフィルムキャリアの製造方法においては、
図2(a),(b) で示すようにポリエステルテープ等の絶縁
テープ11に接着した銅箔12' をエッチングし、この絶縁
テープ11のデバイスホール11a に片持ち梁のように突き
出した櫛状のインナーリード本体12a を形成した後、こ
のインナーリード本体12a の表面に錫又は鉛を含む錫の
めっき膜12b(以降、単にめっき膜12b と呼ぶ) を0.5 〜
1μm程度の厚さで被着してインナーリード12を形成し
ていた。In this specification, the same parts and the same materials are allotted with the same reference numerals throughout the drawings. In the conventional method of manufacturing a film carrier,
As shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), a copper foil 12 'adhered to an insulating tape 11 such as a polyester tape is etched, and a comb shape protruding like a cantilever into the device hole 11a of the insulating tape 11 is etched. After forming the inner lead body 12a, a tin plating film 12b containing tin or lead (hereinafter simply referred to as a plating film 12b) is formed on the surface of the inner lead body 12a by 0.5 to 0.5
The inner lead 12 was formed by depositing with a thickness of about 1 μm.
【0005】そして、斯かるフィルムキャリアのインナ
ーリード12の先端部を半導体チップ21のバンプ電極21a
に接合するには、図2(c) で示すように、バンプ電極21
a にインナーリード12の先端部を重ねた後に、所定温度
に加熱されたボンディングツール22でインナーリード12
の先端部を押圧すると、めっき膜12b が溶融してバンプ
電極21a とインナーリード12の先端部との接合が行なわ
れることとなる。The tip of the inner lead 12 of the film carrier is connected to the bump electrode 21a of the semiconductor chip 21.
To bond to the bump electrode 21 as shown in Fig. 2 (c).
After the tip of the inner lead 12 is overlaid on a, use the bonding tool 22 heated to a specified temperature to
When the tip of the inner electrode 12 is pressed, the plating film 12b is melted and the bump electrode 21a and the tip of the inner lead 12 are joined.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のフィ
ルムキャリアの製造方法により製造されたフィルムキャ
リアにおいては、そのめっき膜12b からの髭状のホイス
カー14の発生( 図3(c),(d) 参照) と、インナーリード
本体12a からめっき膜12b への銅原子の拡散という二つ
の現象があった。By the way, in the film carrier manufactured by the conventional film carrier manufacturing method, whisker-shaped whiskers 14 are generated from the plating film 12b (see FIGS. 3 (c) and 3 (d)). 2) and diffusion of copper atoms from the inner lead body 12a to the plating film 12b.
【0007】このホイスカー14は、めっき膜12b に存在
する内部歪みをエネルギー源にして成長し、互いに隣接
するインナーリード12間を短絡させるという危険な状態
に曝すことも少なくない。The whiskers 14 often grow under the internal strain existing in the plating film 12b as an energy source and are exposed to a dangerous state of short-circuiting the inner leads 12 adjacent to each other.
【0008】したがって、従来の製造方法においては、
その製造直後に100度C前後の温度で1時間程度の熱
処理を実施し、めっき膜12b の内部歪みを開放してホイ
スカー14の発生を防止するのが一般的である。Therefore, in the conventional manufacturing method,
Immediately after the production, heat treatment is performed at a temperature of about 100 ° C. for about 1 hour to release the internal strain of the plated film 12b and prevent the whiskers 14 from being generated.
【0009】ところが、めっき膜12b への銅原子の拡散
は、このめっき膜12b の融点を上昇し、前述したインナ
ーリード12の先端部とバンプ電極21a との接合条件を変
えることとなる。However, the diffusion of copper atoms into the plating film 12b raises the melting point of the plating film 12b and changes the bonding conditions between the tip portion of the inner lead 12 and the bump electrode 21a.
【0010】このために、従来の製造方法により製造さ
れたフィルムキャリアにおいては、そのインナーリード
12とバンプ電極21a との接合を安定に行なえる期間、す
なわちフィルムキャリアの使用可能期間を設定し、この
使用可能期間を過ぎたものについては原則的に使用しな
いようにしていた。Therefore, in the film carrier manufactured by the conventional manufacturing method, the inner lead
The period during which the 12 and the bump electrode 21a can be stably bonded, that is, the usable period of the film carrier is set, and in principle, the period beyond this usable period is not used.
【0011】本発明は、このような問題を解消するため
になされたものであって、その目的は使用可能期間の長
いフィルムキャリアの製造方法を提供することにある。The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a method of manufacturing a film carrier having a long usable period.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】前記目的は、インナーリ
ード本体12a の表面に錫又は鉛を含む錫のめっき膜12b
を被着して形成したインナーリード12を含んでなるフィ
ルムキャリアの製造方法において、めっき膜12b の表面
から粒状突起13の発生後かつホイスカー14の発生前に、
このめっき膜12b に存在する内部歪みを開放するための
熱処理を受けていることを特徴とするフィルムキャリア
の製造方法により達成される。[Means for Solving the Problems] The object is to provide a tin plating film 12b containing tin or lead on the surface of the inner lead body 12a.
In the method of manufacturing a film carrier including the inner lead 12 formed by depositing, after the generation of the granular protrusions 13 from the surface of the plating film 12b and before the generation of the whiskers 14,
This is achieved by a method of manufacturing a film carrier, which is characterized in that it is subjected to a heat treatment for releasing the internal strain existing in the plating film 12b.
【0013】[0013]
【作用】図3を参照して説明したホイスカー14は、内部
歪みが存在するめっき膜12b からいきなり発生するので
はなく、めっき膜12b に錫又は鉛を含む錫よりなる粒状
突起13が発生した後に、この粒状突起13から発生する。The whiskers 14 described with reference to FIG. 3 do not occur immediately from the plating film 12b having internal strain, but after the granular projections 13 made of tin or tin containing lead are generated in the plating film 12b. , Are generated from the granular projections 13.
【0014】したがって、めっき膜12b に粒状突起13が
発生した後に、めっき膜12b に存在する内部歪みを解消
するような熱処理、たとえば100度C1時間の熱処理
を実施すれば、粒状突起13からのホイスカー14の発生は
防止されるので、互いに隣接するインナーリード12間が
ホイスカー14で短絡することもない。Therefore, if the heat treatment for eliminating the internal strain existing in the plating film 12b, for example, the heat treatment of 100 ° C. for 1 hour is performed after the generation of the particle protrusions 13 in the plating film 12b, the whiskers from the particle protrusions 13 can be obtained. Since the generation of 14 is prevented, the adjacent inner leads 12 are not short-circuited by the whiskers 14.
【0015】一方、錫又は鉛を含む錫の塊りである粒状
突起13は、インナーリード本体12aの表面から遠ざかる
方向に突出している。したがって従来のフィルムキャリ
アの製造方法により製造されたフィルムキャリアと比較
して本発明のフィルムキャリアの製造方法により製造さ
れたフィルムキャリアにおいては、インナーリード本体
12a から粒状突起13までの銅原子の拡散時間は長くなり
使用可能期限も長くなる。On the other hand, the granular projections 13 which are tin or a lump of tin containing lead project in a direction away from the surface of the inner lead body 12a. Therefore, in the film carrier manufactured by the method for manufacturing a film carrier of the present invention as compared with the film carrier manufactured by the conventional method for manufacturing a film carrier, the inner lead body is
The diffusion time of copper atoms from 12a to the granular projections 13 becomes long, and the expiration date becomes long.
【0016】[0016]
【実施例】以下、本発明の一実施例のフィルムキャリア
の製造方法について図1及び図3を参照しながら説明す
る。EXAMPLES A method of manufacturing a film carrier according to an example of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【0017】図1は、本発明の一実施例の製造方法によ
るフィルムキャリアの説明図で、図1(a) は要部平面
図、図1(b) 要部側断面図である。図1で示す本発明の
一実施例の製造方法は、図2を参照して説明した従来の
フィルムキャリアの製造方法により製造されたフィルム
キャリアを、その製造直後から150時間程度経過した
時点で非酸化性雰囲気、たとえば窒素雰囲気中で100
度C1時間程度の熱処理を実施するように構成したもの
である。FIG. 1 is an explanatory view of a film carrier according to a manufacturing method of an embodiment of the present invention. FIG. 1 (a) is a plan view of a main part and FIG. 1 (b) is a side sectional view of the main part. The manufacturing method of one embodiment of the present invention shown in FIG. 1 is a method in which a film carrier manufactured by the conventional method for manufacturing a film carrier described with reference to FIG. 100 in an oxidizing atmosphere, such as a nitrogen atmosphere
The heat treatment is performed at a temperature C of about 1 hour.
【0018】このような熱処理により、本発明の一実施
例の製造方法により製造されたインナーリードのめっき
膜12b は、図3(b) で示す状態に固定され、図3(c),
(d) で示すようなホイスカー14がめっき膜12b から成長
することはない。By such heat treatment, the plating film 12b of the inner lead manufactured by the manufacturing method of the embodiment of the present invention is fixed in the state shown in FIG. 3 (b).
The whiskers 14 as shown in (d) do not grow from the plating film 12b.
【0019】なお、めっき膜12b の内部歪みは製造ロッ
トにより可なり変動するから、めっき膜12b の表面を毎
日1回程度顕微鏡観察して粒状突起13の粒径が2〜3μ
m程度に成長したことを確認し、如上の熱処理を行なう
のが確実である。Since the internal strain of the plated film 12b fluctuates considerably depending on the manufacturing lot, the surface of the plated film 12b is observed with a microscope about once a day, and the particle size of the granular protrusions 13 is 2 to 3 μm.
It is certain that the above heat treatment is performed after confirming that the growth has reached about m.
【0020】斯かる本発明の一実施例の製造方法により
製造されたフィルムキャリアは、そのインナーリード12
のめっき膜12b からホイスカー14が発生することもない
し、またインナーリード本体12a からの粒状突起13への
銅原子の拡散も長時間かかることから、その使用可能期
間も長く、たとえば常温保存の場合で3ケ月程度とな
る。The film carrier manufactured by the manufacturing method according to the embodiment of the present invention has inner leads 12
The whisker 14 does not occur from the plating film 12b and the diffusion of copper atoms from the inner lead body 12a to the granular protrusions 13 takes a long time, so that the usable period is long, for example, when stored at room temperature. It will be about 3 months.
【0021】[0021]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、使用可能
期間の長いフィルムキャリアの製造方法の提供を可能に
する。As described above, the present invention makes it possible to provide a method of manufacturing a film carrier having a long usable period.
【図1】は、本発明の一実施例の製造方法によるフィル
ムキャリアの説明図FIG. 1 is an explanatory view of a film carrier according to a manufacturing method of an embodiment of the present invention.
【図2】は、従来の製造方法により製造されたフィルム
キャリアの説明図FIG. 2 is an explanatory view of a film carrier manufactured by a conventional manufacturing method.
【図3】は、粒状突起とホイスカーとの説明図FIG. 3 is an explanatory diagram of a granular protrusion and a whisker.
11は、ポリエステルテープ 11a は、デバイスホール 12は、インナーリード 12a は、インナーリード本体 12b は、めっき膜 13は、粒状突起 14は、ホイスカー 21は、半導体チップ 21a は、バンプ電極 22は、ボンディングツール 11, polyester tape 11a, device hole 12, inner lead 12a, inner lead body 12b, plating film 13, granular protrusions 14, whiskers 21, semiconductor chip 21a, bump electrodes 22, bonding tools
Claims (1)
は鉛を含む錫のめっき膜(12b) を被着して形成したイン
ナーリード(12)を含んでなるフィルムキャリアの製造方
法において、 前記めっき膜(12b) の表面から粒状突起(13)の発生後か
つホイスカー(14)の発生前に、このめっき膜(12b) に存
在する内部歪みを開放するための熱処理を受けているこ
とを特徴とするフィルムキャリアの製造方法。1. A method of manufacturing a film carrier comprising an inner lead (12) formed by depositing a tin plating film (12b) containing tin or lead on the surface of an inner lead body (12a), Characterized by being subjected to heat treatment to release the internal strain existing in the plating film (12b) after the generation of the granular protrusions (13) and before the generation of the whiskers (14) from the surface of the plating film (12b). And a method for manufacturing a film carrier.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00800793A JP3246024B2 (en) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | Method of manufacturing film carrier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00800793A JP3246024B2 (en) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | Method of manufacturing film carrier |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06216199A true JPH06216199A (en) | 1994-08-05 |
JP3246024B2 JP3246024B2 (en) | 2002-01-15 |
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ID=11681303
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100915277B1 (en) * | 2005-10-03 | 2009-09-03 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | Process for producing wiring circuit board |
-
1993
- 1993-01-21 JP JP00800793A patent/JP3246024B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100915277B1 (en) * | 2005-10-03 | 2009-09-03 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | Process for producing wiring circuit board |
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JP3246024B2 (en) | 2002-01-15 |
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