JPH06214237A - 液晶装置及びそれを用いた情報伝達装置 - Google Patents
液晶装置及びそれを用いた情報伝達装置Info
- Publication number
- JPH06214237A JPH06214237A JP2360793A JP2360793A JPH06214237A JP H06214237 A JPH06214237 A JP H06214237A JP 2360793 A JP2360793 A JP 2360793A JP 2360793 A JP2360793 A JP 2360793A JP H06214237 A JPH06214237 A JP H06214237A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal device
- ferroelectric liquid
- signal
- alignment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】強誘電性液晶１５の自発分極によるスイッチン
グ速度の低下を防ぎ、且つ、コントラストを高くする。 【構成】配向制御膜１４ａ，１４ｂとして、重量比でポ
リビニルアルコール：スズアセチルアセトン＝１：４を
ＮＭＰ−ｎブチルアルコール２％溶液としてガラス基板
１１ａ，１１ｂにスピンコートし、２７０℃で焼成した
ものを用いる。
グ速度の低下を防ぎ、且つ、コントラストを高くする。 【構成】配向制御膜１４ａ，１４ｂとして、重量比でポ
リビニルアルコール：スズアセチルアセトン＝１：４を
ＮＭＰ−ｎブチルアルコール２％溶液としてガラス基板
１１ａ，１１ｂにスピンコートし、２７０℃で焼成した
ものを用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電性液晶を用いた
液晶装置及びそれを用いた情報伝達装置に係り、特にカ
イラルスメクティック液晶の強誘電性液晶に用いて好適
で有り、詳しくは、Ｓｎ錯体を含有する溶液からを原料
とした配向制御膜に関する。
液晶装置及びそれを用いた情報伝達装置に係り、特にカ
イラルスメクティック液晶の強誘電性液晶に用いて好適
で有り、詳しくは、Ｓｎ錯体を含有する溶液からを原料
とした配向制御膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、強誘電性液晶の屈折率異方性を利
用して偏光素子と組み合わせることにより透過光線を制
御する型の液晶装置がクラーク（Ｃｌａｒｋ）およびラ
ガウォール（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されてい
る。（特開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４
３６７９２４号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般
に特定の温度域において、非らせん構造のカイラルスメ
クティックＣ相（ＳｍＣ* ）又はＨ相（ＳｍＨ* ）を有
している。この状態において、印加される電界に応対し
て第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態とのい
ずれかを取り、且つ電界が印加されていないときは状態
を維持する性質、即ち双安定性を示す。また電界の変化
に対する応答も速やかであり、高速並びに記憶型の液晶
装置としての広い利用が期待され、特にその特性から大
画面・高精細なディスプレーへの応用が期待されてい
る。
用して偏光素子と組み合わせることにより透過光線を制
御する型の液晶装置がクラーク（Ｃｌａｒｋ）およびラ
ガウォール（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されてい
る。（特開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４
３６７９２４号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般
に特定の温度域において、非らせん構造のカイラルスメ
クティックＣ相（ＳｍＣ* ）又はＨ相（ＳｍＨ* ）を有
している。この状態において、印加される電界に応対し
て第１の光学的安定状態と第２の光学的安定状態とのい
ずれかを取り、且つ電界が印加されていないときは状態
を維持する性質、即ち双安定性を示す。また電界の変化
に対する応答も速やかであり、高速並びに記憶型の液晶
装置としての広い利用が期待され、特にその特性から大
画面・高精細なディスプレーへの応用が期待されてい
る。
【０００３】この双安定性を有する強誘電性液晶が所定
の駆動特性を発揮するためには、一対の透明基板間に挟
持された強誘電性液晶の液晶分子が、双安定状態相互の
変換が効率良く起こるように配列していることが必要で
あり、そのために双安定な２状態間をスイッチングする
しきい値がほぼ等しいことが必要である。
の駆動特性を発揮するためには、一対の透明基板間に挟
持された強誘電性液晶の液晶分子が、双安定状態相互の
変換が効率良く起こるように配列していることが必要で
あり、そのために双安定な２状態間をスイッチングする
しきい値がほぼ等しいことが必要である。
【０００４】この液晶を配列させるために、配向規制力
が付与された２枚の透明基板間に液晶を狭持することが
行われている。
が付与された２枚の透明基板間に液晶を狭持することが
行われている。
【０００５】なお、上述した強誘電性液晶がコレステリ
ック相を持たない場合には、ラビング処理等により配向
規制力が付与された透明基板で液晶を挟持しても均一な
配向状態が得られないことが知られ、片面の透明基板の
みにラビング処理する非対称配向処理が効果的であるこ
とが報告されている。
ック相を持たない場合には、ラビング処理等により配向
規制力が付与された透明基板で液晶を挟持しても均一な
配向状態が得られないことが知られ、片面の透明基板の
みにラビング処理する非対称配向処理が効果的であるこ
とが報告されている。
【０００６】また、強誘電性液晶の複屈折率を利用した
液晶装置の場合、クロス二コル下での透過率は、 I/ I0＝Sin24 θSin2( Δn・d π/ λ) で表される。ここで、I0は入射光強度、I は透過光強
度、θはチルト角、Δn は屈折率異方性、ｄは液晶層の
厚み、λは入射光の波長を現している。前述の非らせん
構造におけるチルト角θは、第１と第２の光学的安定状
態における配向状態での捩じれ配列した液晶分子の平均
分子軸方向の角度として現れることになる。上式によれ
ば、このチルト角θが２２．５°の角度のとき最大の透
過率となり、従って双安定性を実現する非らせん構造で
のチルト角を２２．５°に出来る限り近いことが必要と
されている。
液晶装置の場合、クロス二コル下での透過率は、 I/ I0＝Sin24 θSin2( Δn・d π/ λ) で表される。ここで、I0は入射光強度、I は透過光強
度、θはチルト角、Δn は屈折率異方性、ｄは液晶層の
厚み、λは入射光の波長を現している。前述の非らせん
構造におけるチルト角θは、第１と第２の光学的安定状
態における配向状態での捩じれ配列した液晶分子の平均
分子軸方向の角度として現れることになる。上式によれ
ば、このチルト角θが２２．５°の角度のとき最大の透
過率となり、従って双安定性を実現する非らせん構造で
のチルト角を２２．５°に出来る限り近いことが必要と
されている。
【０００７】上記のようなチルト角を持つ液晶装置を得
る方法として交流を印加して配向を変化させることが提
案されている（特開昭６２−１６１１２３）。この技術
により非らせん構造におけるチルト角θを増大させるこ
とができ、さらに液晶の配列を透明基板間でツイスト配
向からほぼ同じＣ−ダイレクタを有するパラレル配向
（ユニフォーム配向）にできることからクロス二コル下
における暗状態の透過率を少なくすることができ高いコ
ントラストが得られている。
る方法として交流を印加して配向を変化させることが提
案されている（特開昭６２−１６１１２３）。この技術
により非らせん構造におけるチルト角θを増大させるこ
とができ、さらに液晶の配列を透明基板間でツイスト配
向からほぼ同じＣ−ダイレクタを有するパラレル配向
（ユニフォーム配向）にできることからクロス二コル下
における暗状態の透過率を少なくすることができ高いコ
ントラストが得られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た強誘電性液晶を用いた液晶装置では、下記に示す様な
問題があった。
た強誘電性液晶を用いた液晶装置では、下記に示す様な
問題があった。
【０００９】 ［スイッチング不良］ 高輝度、高スピードのスイッチング特性を実現するため
には、大きな自発分極を有する強誘電性液晶を用いる必
要がある。ところが、シェブロン構造を有する配向状態
では、その自発分極が生み出す逆電界の影響によりスイ
ッチング速度が損なわれて易く、液晶装置として機能し
なくなる場合がある。スイッチング速度は、電極の間の
配向制御膜及び液晶層等の電気容量及び電気抵抗に依存
し、電気容量が小さい方が、また電気抵抗が高い方が、
自発分極による逆電界の影響が大きくなりスイッチング
速度が損なわれる。
には、大きな自発分極を有する強誘電性液晶を用いる必
要がある。ところが、シェブロン構造を有する配向状態
では、その自発分極が生み出す逆電界の影響によりスイ
ッチング速度が損なわれて易く、液晶装置として機能し
なくなる場合がある。スイッチング速度は、電極の間の
配向制御膜及び液晶層等の電気容量及び電気抵抗に依存
し、電気容量が小さい方が、また電気抵抗が高い方が、
自発分極による逆電界の影響が大きくなりスイッチング
速度が損なわれる。
【００１０】 ［ツイスト状態の発生］ 強誘電性液晶のユニフォーム配向状態は、２枚の透明基
板間で液晶分子が殆ど捩じれていない状態である。この
配向状態では、高いコントラストを得ることが出来、ま
た画像のチラツキ等も少なく優れた配向状態である。し
かし、強誘電性液晶には、ユニホーム配向状態以外にツ
イスト配向状態が存在する。このツイスト配向状態は透
明基板間で液晶分子が捩じれている状態であり、この配
向状態がユニフォーム配向状態に混在してくるとコント
ラストの低下及びユニフォーム配向でのスイッチング特
性の劣化を招く問題があった。
板間で液晶分子が殆ど捩じれていない状態である。この
配向状態では、高いコントラストを得ることが出来、ま
た画像のチラツキ等も少なく優れた配向状態である。し
かし、強誘電性液晶には、ユニホーム配向状態以外にツ
イスト配向状態が存在する。このツイスト配向状態は透
明基板間で液晶分子が捩じれている状態であり、この配
向状態がユニフォーム配向状態に混在してくるとコント
ラストの低下及びユニフォーム配向でのスイッチング特
性の劣化を招く問題があった。
【００１１】そこで、本発明は、スイッチング速度が損
なわれることなく、且つ、コントラストの高い液晶装置
及びそれを用いた情報伝達装置を提供することを目的と
する。
なわれることなく、且つ、コントラストの高い液晶装置
及びそれを用いた情報伝達装置を提供することを目的と
する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、一軸配向処理が施された配向
制御膜を被着した２枚のガラス基板を所定間隙を保って
貼り合わせ、該間隙で液晶を挟持してなる液晶装置にお
いて、前記配向制御膜が、ポリビニールアルコールにＳ
ｎ錯体を含有する溶液を塗布し、焼成されてなり、前記
液晶がカイラルスメクティック液晶の強誘電性液晶から
なる、ことを特徴とする。
みなされたものであって、一軸配向処理が施された配向
制御膜を被着した２枚のガラス基板を所定間隙を保って
貼り合わせ、該間隙で液晶を挟持してなる液晶装置にお
いて、前記配向制御膜が、ポリビニールアルコールにＳ
ｎ錯体を含有する溶液を塗布し、焼成されてなり、前記
液晶がカイラルスメクティック液晶の強誘電性液晶から
なる、ことを特徴とする。
【００１３】また、前記強誘電性液晶の自発分極が２０
ｎＣ／ｃｍ2 以上、２００ｎＣ／ｃｍ2 以下の範囲に設
定されてなる。
ｎＣ／ｃｍ2 以上、２００ｎＣ／ｃｍ2 以下の範囲に設
定されてなる。
【００１４】また、本発明に係る液晶装置を用いた情報
伝達装置としては、データ信号及び走査方式信号を出力
するグラフィックコントローラと、走査線アドレスデー
タ及び走査方式信号を出力する走査信号制御回路と、表
示データ及び走査方式信号を出力する情報信号制御回路
と、請求項１記載の液晶装置と、を有して、情報を表示
・伝達してなる、ことを特徴とする。
伝達装置としては、データ信号及び走査方式信号を出力
するグラフィックコントローラと、走査線アドレスデー
タ及び走査方式信号を出力する走査信号制御回路と、表
示データ及び走査方式信号を出力する情報信号制御回路
と、請求項１記載の液晶装置と、を有して、情報を表示
・伝達してなる、ことを特徴とする。
【００１５】
【作用】以上構成に基づき、配向制御膜がポリビニール
アルコールにＳｎ錯体を含有する溶液を塗布し、焼成さ
れたものを用いる。
アルコールにＳｎ錯体を含有する溶液を塗布し、焼成さ
れたものを用いる。
【００１６】
【実施例】本発明の実施例を図に沿って説明する。図１
は、液晶装置の断面を示を示す模式図で、１．１ｍｍ厚
のガラス基板（透明基板）１１ａ，１１ｂ上には、１５
０ｎｍ厚のＩｎ2 Ｏ3 及びＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉ
ｎ Ｏｘｉｄｅ）等からなる帯状の透明電極１２ａ，１
２ｂが被着されている。さらに、透明電極１２ａ，１２
ｂ上には、配向制御膜１４ａ，１４ｂが成膜されてい
る。この配向制御膜１４ａ，１４ｂとして、重量比でポ
リビニルアルコール：スズアセチルアセトン＝１：４を
ＮＭＰ−ｎブチルアルコール２％溶液としてスピンコー
トし、２７０℃で焼成し５ｎｍの膜厚とした。その後、
配向制御膜１４ａ，１４ｂの表面にラビング処理を施し
て、これらの２枚のガラス基板１１ａ，１１ｂを１．５
μｍのシリカビーズを介して平行ラビングになるように
張り合せて液晶装置を作成した。ラビング条件はナイロ
ン製ラビング布を用い、押し込み０．４ｍｍ、ローラ回
転数１０００ｒｐｍ、ガラス基板の基板送り速度５０ｍ
ｍ／Ｓの条件で行った。
は、液晶装置の断面を示を示す模式図で、１．１ｍｍ厚
のガラス基板（透明基板）１１ａ，１１ｂ上には、１５
０ｎｍ厚のＩｎ2 Ｏ3 及びＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉ
ｎ Ｏｘｉｄｅ）等からなる帯状の透明電極１２ａ，１
２ｂが被着されている。さらに、透明電極１２ａ，１２
ｂ上には、配向制御膜１４ａ，１４ｂが成膜されてい
る。この配向制御膜１４ａ，１４ｂとして、重量比でポ
リビニルアルコール：スズアセチルアセトン＝１：４を
ＮＭＰ−ｎブチルアルコール２％溶液としてスピンコー
トし、２７０℃で焼成し５ｎｍの膜厚とした。その後、
配向制御膜１４ａ，１４ｂの表面にラビング処理を施し
て、これらの２枚のガラス基板１１ａ，１１ｂを１．５
μｍのシリカビーズを介して平行ラビングになるように
張り合せて液晶装置を作成した。ラビング条件はナイロ
ン製ラビング布を用い、押し込み０．４ｍｍ、ローラ回
転数１０００ｒｐｍ、ガラス基板の基板送り速度５０ｍ
ｍ／Ｓの条件で行った。
【００１７】本発明の特徴は、配向制御膜１４ａ，１４
ｂにポリビニルアルコールにＳｎを含む溶液を塗布・焼
成した膜を用いることであり、また前記強誘電性液晶の
スメクティック相における層の傾き角δと真のチルト角
θとの関係がδ≦０．５Θを満たすことである。さら
に、強誘電性液晶の自発分極が１０ｎＣ／ｃｍ2以上で
あることである。これにより、ムラの無い、高速かつ高
コントラストな強誘電性液晶を用いた液晶装置を製作す
ることが可能になる。
ｂにポリビニルアルコールにＳｎを含む溶液を塗布・焼
成した膜を用いることであり、また前記強誘電性液晶の
スメクティック相における層の傾き角δと真のチルト角
θとの関係がδ≦０．５Θを満たすことである。さら
に、強誘電性液晶の自発分極が１０ｎＣ／ｃｍ2以上で
あることである。これにより、ムラの無い、高速かつ高
コントラストな強誘電性液晶を用いた液晶装置を製作す
ることが可能になる。
【００１８】次に各特性値の測定方法について説明す
る。 ［真のチルト角の測定］液晶装置の閾値電圧より十分に
大きな双極性パルス（例えば単発パルスでの閾値電圧が
５０μｓｅｃ，１０Ｖの場合、１０Ｈｚ，１０Ｖの交流
パルスを用いる）を印加し、クロスニコル下、その間に
配置された液晶装置を偏向板と水平に回転させ第一の消
光位をさがし、次に上記の単発パルスと逆極性のパルス
を印加した後、無電界下、第二の消光位をさがす。この
ときの第一の消光位までの角１／２を真のチルト角θを
求めた。 ［みかけのチルト角の測定］液晶装置の閾値電圧以上の
単発パルスを印加した後、無電界下、且つクロスニコル
下、その間に配置された液晶装置を偏向板と水平に回転
させ第一の消光位をさがし、次に蒸気の単発パルスと逆
極性のパルスを印加した後、無電界下、第二の消光位を
さがす、このときの第一の消光位までの角度１／２をみ
かけのチルト角θａとした。 ［プレチルト角αの測定］プレチルト角αの測定は、ク
リスタルローテーション法により求めた。測定法は、液
晶装置をガラス基板面で回転させながら、回転軸と４５
°の角度をなす偏向面を持つヘリウム・ネオンレーザ光
を回転軸に垂直な方向から照射して、その反対側で入射
偏向面と平行な透過軸を持つ偏向板を通してフォトダイ
オードで透過光強度を測定した。そして、干渉によって
できた透過光強度の双曲線群の中心となる角と液晶装置
に垂直な線とのなす角度をΦｘとし、下式に代入してプ
レチルト角αを求めた。
る。 ［真のチルト角の測定］液晶装置の閾値電圧より十分に
大きな双極性パルス（例えば単発パルスでの閾値電圧が
５０μｓｅｃ，１０Ｖの場合、１０Ｈｚ，１０Ｖの交流
パルスを用いる）を印加し、クロスニコル下、その間に
配置された液晶装置を偏向板と水平に回転させ第一の消
光位をさがし、次に上記の単発パルスと逆極性のパルス
を印加した後、無電界下、第二の消光位をさがす。この
ときの第一の消光位までの角１／２を真のチルト角θを
求めた。 ［みかけのチルト角の測定］液晶装置の閾値電圧以上の
単発パルスを印加した後、無電界下、且つクロスニコル
下、その間に配置された液晶装置を偏向板と水平に回転
させ第一の消光位をさがし、次に蒸気の単発パルスと逆
極性のパルスを印加した後、無電界下、第二の消光位を
さがす、このときの第一の消光位までの角度１／２をみ
かけのチルト角θａとした。 ［プレチルト角αの測定］プレチルト角αの測定は、ク
リスタルローテーション法により求めた。測定法は、液
晶装置をガラス基板面で回転させながら、回転軸と４５
°の角度をなす偏向面を持つヘリウム・ネオンレーザ光
を回転軸に垂直な方向から照射して、その反対側で入射
偏向面と平行な透過軸を持つ偏向板を通してフォトダイ
オードで透過光強度を測定した。そして、干渉によって
できた透過光強度の双曲線群の中心となる角と液晶装置
に垂直な線とのなす角度をΦｘとし、下式に代入してプ
レチルト角αを求めた。
【００１９】 ここで、ｎO は常光屈折率、ｎe は異常光屈折率であ
る。なお詳細は、Ｊ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏ
ｌ．１１９（１９８０）ＮＯ．１０，Ｓｈｏｒｔ Ｎｏ
ｔｅｓ ２０１３に記載されている。
る。なお詳細は、Ｊ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏ
ｌ．１１９（１９８０）ＮＯ．１０，Ｓｈｏｒｔ Ｎｏ
ｔｅｓ ２０１３に記載されている。
【００２０】なお、プレチルト角αの測定用の液晶（チ
ッソ社製強誘電性液晶ＣＳ−１０１４）は下記の構造式
で示される化合物を重量比で２０％混合したものを標準
液晶として用いた。
ッソ社製強誘電性液晶ＣＳ−１０１４）は下記の構造式
で示される化合物を重量比で２０％混合したものを標準
液晶として用いた。
【００２１】
【化１】 なお、この混合した液晶組織物は、１０〜５５℃でＳｍ
Ａ相を示した。
Ａ相を示した。
【００２２】本実施例においては、強誘電性液晶の種類
及び配向制御膜の膜厚を変えて６種類の試料を制作した
（表１参照）。試料１に用いる強誘電性液晶１５として
は、下記の液晶を用いた。
及び配向制御膜の膜厚を変えて６種類の試料を制作した
（表１参照）。試料１に用いる強誘電性液晶１５として
は、下記の液晶を用いた。
【００２３】真のチルト角Θ＝２２° 自発分極Ｐｓ＝２５ｎＣ／ｃｍ2 Ｃ* ピッチ＝２０μｍ
【００２４】
【表１】 この強誘電性液晶を用いた液晶装置に±４０Ｖ／μｍ、
１０Ｈｚの矩形波を５分、３０℃で印加し、見掛けのチ
ルト角θαを測定したところ９．７°が２１．５°に拡
がった。次に図２で示す駆動波形を印加したところ良好
な２状態間のスイッチングを示した。またコントラスト
は５０、応答速度は３０μＳであった。なお、試料２〜
４の結果を試料１の結果と合わせて、表１に示す。
１０Ｈｚの矩形波を５分、３０℃で印加し、見掛けのチ
ルト角θαを測定したところ９．７°が２１．５°に拡
がった。次に図２で示す駆動波形を印加したところ良好
な２状態間のスイッチングを示した。またコントラスト
は５０、応答速度は３０μＳであった。なお、試料２〜
４の結果を試料１の結果と合わせて、表１に示す。
【００２５】試料５は、スズアセチルアセントを添加し
ないポリビニルアルコール１％溶液を用いて配向制御膜
を作成した。その結果、液晶装置に±４０Ｖ／μｍ、１
０Ｈｚの矩形波を５分、３０℃で印加し、見掛けのチル
ト角θαを測定したところ９．５°が１９．８°に拡が
った。しかし、図２の波形を印加しても顕微鏡の視野内
で１０％の部分しかスイッチングしなかった。
ないポリビニルアルコール１％溶液を用いて配向制御膜
を作成した。その結果、液晶装置に±４０Ｖ／μｍ、１
０Ｈｚの矩形波を５分、３０℃で印加し、見掛けのチル
ト角θαを測定したところ９．５°が１９．８°に拡が
った。しかし、図２の波形を印加しても顕微鏡の視野内
で１０％の部分しかスイッチングしなかった。
【００２６】試料６は、スズアセチルアセントの代わり
にアルコキシシランを用いた以外は試料１と同じであ
る。評価結果は、液晶装置に±４０Ｖ／μｍ、１０Ｈｚ
の矩形波を５分、３０°で印加し、見掛けのチルト角θ
αを測定したところ９．７°が２０．１°に拡がった。
しかし、図２の波形を印加しても顕微鏡の視野内で１０
％の部分しかスイッチングしなかった。
にアルコキシシランを用いた以外は試料１と同じであ
る。評価結果は、液晶装置に±４０Ｖ／μｍ、１０Ｈｚ
の矩形波を５分、３０°で印加し、見掛けのチルト角θ
αを測定したところ９．７°が２０．１°に拡がった。
しかし、図２の波形を印加しても顕微鏡の視野内で１０
％の部分しかスイッチングしなかった。
【００２７】なお、強誘電性液晶としてはカイラルスメ
クティック層状態のものを用いることができ、具体的に
はカイラルスメクティックＣ相（ＳｍＣ* ）、Ｈ相（Ｓ
ｍＨ* ）、Ｉ相（ＳｍＩ* ）、Ｋ相（ＳｍＫ* ）やＧ相
（ＳｍＧ* ）の液晶を用いることができる。特に、好ま
しい強誘電性液晶として、高温側でコレステリック相を
示し、下記の相転移温度および物質値を示すピリミジン
系混合液晶があげられる。
クティック層状態のものを用いることができ、具体的に
はカイラルスメクティックＣ相（ＳｍＣ* ）、Ｈ相（Ｓ
ｍＨ* ）、Ｉ相（ＳｍＩ* ）、Ｋ相（ＳｍＫ* ）やＧ相
（ＳｍＧ* ）の液晶を用いることができる。特に、好ま
しい強誘電性液晶として、高温側でコレステリック相を
示し、下記の相転移温度および物質値を示すピリミジン
系混合液晶があげられる。
【００２８】
【外１】 この強誘電性液晶は真のチルト角Θ＝２２°、自発分極
Ｐｓ＝３０ｎＣ／ｃｍ2であった。図３はピリミジン系
混合液晶及び含フッソポリイミド（３ｎｍ）を用いた液
晶装置の交流印加前の液晶分子の配向状態（この配向状
態をＡ１の符号で表す）を示す図面に変わる写真であ
る。また図４はこの状態で、交流±１０Ｖ．１０Ｈｚを
印加した時の液晶分子の配向状態（この配向状態をＡ２
の符号で表す）を示す図面に変わる写真である。配向状
態Ａ１の非らせん構造におけるチルト角θは１４°であ
ったが、配向状態Ａ２の非らせん構造におけるチルト角
θは２２°であった。
Ｐｓ＝３０ｎＣ／ｃｍ2であった。図３はピリミジン系
混合液晶及び含フッソポリイミド（３ｎｍ）を用いた液
晶装置の交流印加前の液晶分子の配向状態（この配向状
態をＡ１の符号で表す）を示す図面に変わる写真であ
る。また図４はこの状態で、交流±１０Ｖ．１０Ｈｚを
印加した時の液晶分子の配向状態（この配向状態をＡ２
の符号で表す）を示す図面に変わる写真である。配向状
態Ａ１の非らせん構造におけるチルト角θは１４°であ
ったが、配向状態Ａ２の非らせん構造におけるチルト角
θは２２°であった。
【００２９】また、Ｘ線解析により層構造の変化を測定
した。図５は配向状態Ａ１の測定結果であり、図６は配
向状態Ａ２の測定結果である。図５から配向状態Ａ１は
ガラス基板１０ａ，１０ｂ間に１つ以上屈曲を有する配
向であることがわかる。そして、その配向状態Ａ１が交
流印加によって、疑似ブックシエルフ構造になっている
ことが図６の結果から理解することが出来る。
した。図５は配向状態Ａ１の測定結果であり、図６は配
向状態Ａ２の測定結果である。図５から配向状態Ａ１は
ガラス基板１０ａ，１０ｂ間に１つ以上屈曲を有する配
向であることがわかる。そして、その配向状態Ａ１が交
流印加によって、疑似ブックシエルフ構造になっている
ことが図６の結果から理解することが出来る。
【００３０】なお、強誘電性液晶の自発分極は２０ｎＣ
／ｃｍ2 以上、２００ｎＣ／ｃｍ2以下の範囲が好適で
ある。
／ｃｍ2 以上、２００ｎＣ／ｃｍ2以下の範囲が好適で
ある。
【００３１】次に本発明に係る液晶装置を用いた情報伝
達装置の実施例を図６に沿って説明する。情報伝達装置
は、グラフィックコントローラ３０と、駆動制御回路３
１と、走査信号制御回路３２と、情報信号制御回路３３
と、走査信号印加回路３４と、情報信号印加回路３５
と、本発明による液晶装置３６を有している。グラフィ
ックコントローラ３０から出力されるデータと走査方式
信号は駆動制御回路３１により走査信号制御回路３２と
情報信号制御回路３３とに出力される。この際データは
アドレスデータと表示データに変換され、走査方式信号
は、そのまま走査信号印加回路３４と情報信号印加回路
３５に送られる。走査信号印加回路３４は、走査方式信
号によって決まる走査信号波形を、アドレスデータによ
って決まる走査電極（不図示）に出力し、また情報信号
印加回路３５は、走査方式信号と表示データによって送
られる白又は黒の表示内容との２つによって決まる情報
信号波形を情報電極（不図示）に出力して、液晶装置３
６に情報を表示する。
達装置の実施例を図６に沿って説明する。情報伝達装置
は、グラフィックコントローラ３０と、駆動制御回路３
１と、走査信号制御回路３２と、情報信号制御回路３３
と、走査信号印加回路３４と、情報信号印加回路３５
と、本発明による液晶装置３６を有している。グラフィ
ックコントローラ３０から出力されるデータと走査方式
信号は駆動制御回路３１により走査信号制御回路３２と
情報信号制御回路３３とに出力される。この際データは
アドレスデータと表示データに変換され、走査方式信号
は、そのまま走査信号印加回路３４と情報信号印加回路
３５に送られる。走査信号印加回路３４は、走査方式信
号によって決まる走査信号波形を、アドレスデータによ
って決まる走査電極（不図示）に出力し、また情報信号
印加回路３５は、走査方式信号と表示データによって送
られる白又は黒の表示内容との２つによって決まる情報
信号波形を情報電極（不図示）に出力して、液晶装置３
６に情報を表示する。
【００３２】本発明の、液晶装置を用いることにより、
情報伝達装置の信頼性を高めることが可能となった。
情報伝達装置の信頼性を高めることが可能となった。
【００３３】
【発明の効果】以上構成に基づき、配向制御膜がポリビ
ニールアルコールにＳｎ錯体を含有する溶液を塗布し、
焼成されたものを用いる。
ニールアルコールにＳｎ錯体を含有する溶液を塗布し、
焼成されたものを用いる。
【図１】本発明の実施例の説明に適用される液晶装置の
断面図。
断面図。
【図２】本発明の実施例の説明に適用される液晶装置の
駆動波形を示す図。
駆動波形を示す図。
【図３】本発明の実施例の説明に適用される強誘電性液
晶分子の配向状態Ａ１の組織を示す図面に代わる写真。
晶分子の配向状態Ａ１の組織を示す図面に代わる写真。
【図４】本発明の実施例の説明に適用される強誘電性液
晶分子の配向状態Ａ２の組織を示す図面に代わる写真。
晶分子の配向状態Ａ２の組織を示す図面に代わる写真。
【図５】本発明の実施例の説明に適用される強誘電性液
晶分子の配向状態Ａ１を示すＸ線解析図。
晶分子の配向状態Ａ１を示すＸ線解析図。
【図６】本発明の実施例の説明に適用される強誘電性液
晶分子の配向状態Ａ２を示すＸ線解析図。
晶分子の配向状態Ａ２を示すＸ線解析図。
【図７】本発明に係る液晶装置を用いた情報伝達装置の
ブロック図。
ブロック図。
１１ａ，１１ｂ ガラス基板（透明基板） １４ａ，１４ｂ 配向制御膜 １５ 強誘電性液晶（液晶） ３０ グラフィックコントローラ ３２ 走査信号印加回路 ３３ 情報信号印加回路 ３６ 液晶装置
Claims (3)
- 【請求項１】 一軸配向処理が施された配向制御膜を被
着した２枚の透明基板を所定間隙を保って貼り合わせ、
該間隙に液晶を挟持してなる液晶装置において、 前記配向制御膜が、ポリビニールアルコールにＳｎ錯体
を含有する溶液を塗布し、焼成されてなり、 前記液晶がカイラルスメクティック液晶の強誘電性液晶
からなる、 ことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項２】 前記強誘電性液晶の自発分極が２０ｎＣ
／ｃｍ2 以上、２００ｎＣ／ｃｍ2 以下の範囲に設定さ
れてなる、 請求項１記載の液晶装置。 - 【請求項３】 データ信号及び走査方式信号を出力する
グラフィックコントローラと、 走査線アドレスデータ及び走査方式信号を出力する走査
信号制御回路と、 表示データ及び走査方式信号を出力する情報信号制御回
路と、 請求項１又は２記載の液晶装置と、を有して、 情報を表示・伝達してなる、 ことを特徴とする情報伝達装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2360793A JPH06214237A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 液晶装置及びそれを用いた情報伝達装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2360793A JPH06214237A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 液晶装置及びそれを用いた情報伝達装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06214237A true JPH06214237A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=12115302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2360793A Pending JPH06214237A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 液晶装置及びそれを用いた情報伝達装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06214237A (ja) |
-
1993
- 1993-01-19 JP JP2360793A patent/JPH06214237A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0478971B2 (ja) | ||
| EP0539992B1 (en) | Liquid crystal device | |
| JP2814157B2 (ja) | カイラルスメクチック液晶素子 | |
| US5825447A (en) | Liquid crystal device with a bistable chiral smectic liquid crystal having a phase transition series lacking a cholesteric phase #16 | |
| JPH05273554A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPH06347796A (ja) | 液晶装置 | |
| US5016989A (en) | Liquid crystal element with improved contrast and brightness | |
| JP2721357B2 (ja) | 液晶装置 | |
| JP2704814B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPH06214236A (ja) | 液晶装置及びそれを用いた情報伝達装置 | |
| JPH06214237A (ja) | 液晶装置及びそれを用いた情報伝達装置 | |
| JP3119340B2 (ja) | 液晶組成物、それを有する液晶素子及びそれらを有する液晶装置 | |
| JP2592957B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPH05203961A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JP3119339B2 (ja) | 液晶素子及びこれを有する液晶装置 | |
| JP3000504B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JP2681779B2 (ja) | 液晶セル | |
| JP2784699B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPH05216036A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH06202116A (ja) | 液晶装置及びそれを用いた情報伝達装置 | |
| JPH05216037A (ja) | 液晶素子 | |
| JP2663082B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPH05127164A (ja) | 液晶素子 | |
| JP3094013B2 (ja) | 強誘電性液晶表示装置 | |
| JPH06186569A (ja) | 強誘電性液晶素子 |