JPH0621417A - 集積光検出器及びそれを用いた光通信システム - Google Patents
集積光検出器及びそれを用いた光通信システムInfo
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- JPH0621417A JPH0621417A JP4194897A JP19489792A JPH0621417A JP H0621417 A JPH0621417 A JP H0621417A JP 4194897 A JP4194897 A JP 4194897A JP 19489792 A JP19489792 A JP 19489792A JP H0621417 A JPH0621417 A JP H0621417A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】受信感度を向上させた集積光検出器である。
【構成】ＦＥＴ構造の集積光検出器において、光信号を
増幅する活性層４を持つ半導体光増幅部が、空乏層を持
つ活性層１２を備えた光検出部の前段に、同一基板１上
にモノリシックに集積されている。
増幅する活性層４を持つ半導体光増幅部が、空乏層を持
つ活性層１２を備えた光検出部の前段に、同一基板１上
にモノリシックに集積されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信などに用いる集
積型光検出器及びそれを用いた光通信システムに関する
ものである。
積型光検出器及びそれを用いた光通信システムに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図８に従来のＦＥＴ型光検出器の例を示
す。ＧａＡｓの半絶縁性基板４００上にノンドープのＧ
ａＡｓバッファ層４０２及びＡｌxＧａ1-xＡｓ層４０３
を積層し、厚さ数μｍのノンドープのＡｌyＧａ1-yＡｓ
層４０４を導波路層として積層し、ＡｌxＧａ1-xＡｓ層
４０５及び厚さ０．２〜０．５μｍの活性層４０６をさ
らに積層し、その上に電流の出し入れを行うためのソー
ス電極４１１、ドレイン電極４１３、ゲート電極４１２
をつける。本従来例をバイアス状態として、導波路４０
４に光を導波させることにより光電流がドレイン電極４
１３とソース電極４１１の間に流れ、光の検出を行うこ
とができる。
す。ＧａＡｓの半絶縁性基板４００上にノンドープのＧ
ａＡｓバッファ層４０２及びＡｌxＧａ1-xＡｓ層４０３
を積層し、厚さ数μｍのノンドープのＡｌyＧａ1-yＡｓ
層４０４を導波路層として積層し、ＡｌxＧａ1-xＡｓ層
４０５及び厚さ０．２〜０．５μｍの活性層４０６をさ
らに積層し、その上に電流の出し入れを行うためのソー
ス電極４１１、ドレイン電極４１３、ゲート電極４１２
をつける。本従来例をバイアス状態として、導波路４０
４に光を導波させることにより光電流がドレイン電極４
１３とソース電極４１１の間に流れ、光の検出を行うこ
とができる。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来例では、光検出器に入射された光信号をそのまま
検出するだけなので、光検出器の最小受信感度以下では
光信号の検出は不可能となる。
記従来例では、光検出器に入射された光信号をそのまま
検出するだけなので、光検出器の最小受信感度以下では
光信号の検出は不可能となる。
【０００４】よって、本発明の目的は、受信感度を向上
させた集積型光検出器及びそれを用いた光通信システム
を提供することにある。
させた集積型光検出器及びそれを用いた光通信システム
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ＦＥＴ
型光検出器において光増幅部をモノリシックに集積化す
ることにより、受信感度を向上させたものである。
型光検出器において光増幅部をモノリシックに集積化す
ることにより、受信感度を向上させたものである。
【０００６】より具体的には、集積型光検出器の光増幅
部と光検出部の間で信号光がバッドカップリングをする
ような構造であったり、前記集積型光検出器の光増幅部
と光検出部とが共通の導波路を有したり、前記半導体光
増幅部が進行波型光増幅器であったり、前記光検出部が
活性層下に電気的な分離層を有したり、前記集積型光検
出器が出力信号増幅のための電子素子と同一基板上にモ
ノリシックに集積されていたり、前記光検出部と電子素
子とが同じ層構成を有していたりする。
部と光検出部の間で信号光がバッドカップリングをする
ような構造であったり、前記集積型光検出器の光増幅部
と光検出部とが共通の導波路を有したり、前記半導体光
増幅部が進行波型光増幅器であったり、前記光検出部が
活性層下に電気的な分離層を有したり、前記集積型光検
出器が出力信号増幅のための電子素子と同一基板上にモ
ノリシックに集積されていたり、前記光検出部と電子素
子とが同じ層構成を有していたりする。
【０００７】また、本発明による光通信システムにおい
ては、ノード装置中の受信部に上記集積型光検出器を備
えて受信を行うことを特徴とする。
ては、ノード装置中の受信部に上記集積型光検出器を備
えて受信を行うことを特徴とする。
【０００８】
【実施例１】図１は本発明の第１実施例を示す。図２
は、図１を光増幅部のリッジに平行に切った断面図を示
す。Ｐ−ＧａＡｓ基板１上に、バッファ層２としてＰ−
Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓを１．５μｍ積層する。その上にク
ラッド層３としてＰ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓを１．５μ
ｍ、活性層４としてノンドープのＡｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓ
を０．２μｍ、上部クラッド層５としてｎ−Ａｌ0.3Ｇ
ａ0.7Ａｓを１．５μｍ積層し、その上に、ｎ−ＧａＡ
ｓ６を０．５μｍ積層する。
は、図１を光増幅部のリッジに平行に切った断面図を示
す。Ｐ−ＧａＡｓ基板１上に、バッファ層２としてＰ−
Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓを１．５μｍ積層する。その上にク
ラッド層３としてＰ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓを１．５μ
ｍ、活性層４としてノンドープのＡｌ0.05Ｇａ0.95Ａｓ
を０．２μｍ、上部クラッド層５としてｎ−Ａｌ0.3Ｇ
ａ0.7Ａｓを１．５μｍ積層し、その上に、ｎ−ＧａＡ
ｓ６を０．５μｍ積層する。
【０００９】次に、光増幅部の作製を示す。ストライプ
幅５μｍ、共振器長２００μｍの領域７を残して活性層
４上までエッチングする。そして、全体に絶縁膜をはる
（後の工程で、リッジ領域７の頂部のみを窓開けしてこ
こにｎ型電極８を形成する）。
幅５μｍ、共振器長２００μｍの領域７を残して活性層
４上までエッチングする。そして、全体に絶縁膜をはる
（後の工程で、リッジ領域７の頂部のみを窓開けしてこ
こにｎ型電極８を形成する）。
【００１０】次に受光部を作製する。受光部はバッファ
層２上までエッチングし、その上にアイソレーションの
役割りを持つφ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ１１を１μｍ再成
長し、その上に活性層１２であるｎ−ＧａＡｓを０．５
μｍ再成長する。本構成のための結晶成長法としては、
ＭＢＥ法、ＭＯＣＶＤ法などがある。次に。活性層１２
とバッファ層１１の必要な部分を残してエッチングし、
領域確保する。受光器はＦＥＴ構成であるため、光電流
検出のためのオーミック電極として、ソース電極１３と
ドレイン電極１４をＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕを用い、ショ
ットキー電極としてゲート電極１５をＡｌを用いて形成
する。素子サイズとしては１〜４μｍ、ゲート幅１００
μｍ、ソース・ゲート間隔１μｍ、ゲート・ドレイン間
隔４μｍである。同時に、光増幅部のストライプ上を窓
開けしてｎ型電極８を形成し、裏面にＰ型電極１６を形
成する。その後、光増幅部と光検出部との間に電気的分
離の為の溝１８を形成し、光増幅部の両端面にＡＲコー
トをする。この溝１８は上記領域確保のエッチングの際
に形成してもよい。また、前記バッファ層２上までのエ
ッチングの後に光増幅部の両端面にＡＲコートを形成
し、これを利用してその後選択再成長を行って溝１８を
形成してもよい。
層２上までエッチングし、その上にアイソレーションの
役割りを持つφ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ１１を１μｍ再成
長し、その上に活性層１２であるｎ−ＧａＡｓを０．５
μｍ再成長する。本構成のための結晶成長法としては、
ＭＢＥ法、ＭＯＣＶＤ法などがある。次に。活性層１２
とバッファ層１１の必要な部分を残してエッチングし、
領域確保する。受光器はＦＥＴ構成であるため、光電流
検出のためのオーミック電極として、ソース電極１３と
ドレイン電極１４をＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕを用い、ショ
ットキー電極としてゲート電極１５をＡｌを用いて形成
する。素子サイズとしては１〜４μｍ、ゲート幅１００
μｍ、ソース・ゲート間隔１μｍ、ゲート・ドレイン間
隔４μｍである。同時に、光増幅部のストライプ上を窓
開けしてｎ型電極８を形成し、裏面にＰ型電極１６を形
成する。その後、光増幅部と光検出部との間に電気的分
離の為の溝１８を形成し、光増幅部の両端面にＡＲコー
トをする。この溝１８は上記領域確保のエッチングの際
に形成してもよい。また、前記バッファ層２上までのエ
ッチングの後に光増幅部の両端面にＡＲコートを形成
し、これを利用してその後選択再成長を行って溝１８を
形成してもよい。
【００１１】上述のようにして作製した素子の動作を示
す。光増幅部は発振を起こさない程度に電流注入し、光
検出部は、ドレイン電極１４に対して正の電界ＶDを印
加し、ゲート電極１５に、ソース電極１３に対して負の
電界ＶGを印加する。ゲート電極１５はショットキー電
極であるから、空乏層が活性層１２内に伸びている。こ
の空乏層幅はゲート電圧ＶGによって変化し、それに従
ってチャネル幅が変化する。その結果、ドレイン電極１
４とソース電極１３間に流れる電流ＩDが変化する。空
乏層がバッファ層１１に達すると、チャネルは閉じられ
電流ＩDは流れなくなる。この状態で光増幅部に波長８
３０ｎｍ付近の半導体レーザの光を入射すると、この光
は光増幅部で増幅され、一度溝１８の空間に出た後、光
検出部に入射し、活性層１２で吸収され、そこでキャリ
アが発生する。その結果、上記チャネル付近のポテンシ
ャルが変化し、ソース１３・ドレイン１４間に電流が流
れる。
す。光増幅部は発振を起こさない程度に電流注入し、光
検出部は、ドレイン電極１４に対して正の電界ＶDを印
加し、ゲート電極１５に、ソース電極１３に対して負の
電界ＶGを印加する。ゲート電極１５はショットキー電
極であるから、空乏層が活性層１２内に伸びている。こ
の空乏層幅はゲート電圧ＶGによって変化し、それに従
ってチャネル幅が変化する。その結果、ドレイン電極１
４とソース電極１３間に流れる電流ＩDが変化する。空
乏層がバッファ層１１に達すると、チャネルは閉じられ
電流ＩDは流れなくなる。この状態で光増幅部に波長８
３０ｎｍ付近の半導体レーザの光を入射すると、この光
は光増幅部で増幅され、一度溝１８の空間に出た後、光
検出部に入射し、活性層１２で吸収され、そこでキャリ
アが発生する。その結果、上記チャネル付近のポテンシ
ャルが変化し、ソース１３・ドレイン１４間に電流が流
れる。
【００１２】本実施例の場合、光検出部の前に光増幅部
が形成されているので、光検出部のみの場合に比較し
て、最小受信感度が向上する。また、これらがモノリシ
ックに集積されているので、レンズ結合などによるもの
と比較して光増幅部と光検出部の間で光が効率良く安定
に結合する。また、光検出器としてＦＥＴ構造のものを
用いているため、他の電子素子との集積も容易である。
が形成されているので、光検出部のみの場合に比較し
て、最小受信感度が向上する。また、これらがモノリシ
ックに集積されているので、レンズ結合などによるもの
と比較して光増幅部と光検出部の間で光が効率良く安定
に結合する。また、光検出器としてＦＥＴ構造のものを
用いているため、他の電子素子との集積も容易である。
【００１３】
【実施例２】図３に本発明の第２実施例を示す。Ｐ−Ｇ
ａＡｓ基板２１上に、バッファ層としてＰ−Ａｌ0.5Ｇ
ａ0.5Ａｓ（不図示）を１．５μｍ積層する。その上
に、クラッド層２２としてＰ−Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓを
１．５μｍ、導波層２３としてＰ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａ
ｓを０．５μｍ、光増幅部の活性層２４としてφ−Ａｌ
0.05Ｇａ0.95Ａｓを０．２μｍ、上部クラッド層２５と
してｎ−Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓを１．５μｍ積層し、そ
の上にｎ−ＧａＡ２６ｓを０．５μｍ積層する。
ａＡｓ基板２１上に、バッファ層としてＰ−Ａｌ0.5Ｇ
ａ0.5Ａｓ（不図示）を１．５μｍ積層する。その上
に、クラッド層２２としてＰ−Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓを
１．５μｍ、導波層２３としてＰ−Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ａ
ｓを０．５μｍ、光増幅部の活性層２４としてφ−Ａｌ
0.05Ｇａ0.95Ａｓを０．２μｍ、上部クラッド層２５と
してｎ−Ａｌ0.35Ｇａ0.65Ａｓを１．５μｍ積層し、そ
の上にｎ−ＧａＡ２６ｓを０．５μｍ積層する。
【００１４】次に、第１実施例と同様に、光増幅部をス
トライプ幅５μｍ、共振器長２００μｍの領域に形成す
る。
トライプ幅５μｍ、共振器長２００μｍの領域に形成す
る。
【００１５】次に、受光部を作製する。導波層２３上ま
でエッチングした後、φ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓのバッフ
ァ層２７を積層し、この一部を残してエッチングする。
このエッチングで、光増幅部のストライプの延長上に幅
５μｍのストライプを残す。ただし、電気的分離を行な
うため、光増幅部と光検出部の間でバッファ層２７は２
μｍエッチングして溝２８を形成する。その上に活性層
２９であるｎ−ＧａＡｓを０．２μｍ積層する。その後
は第１実施例と同様にして、ソース電極３３、ドレイン
電極３４、ゲート電極３５を形成して受光部を作製し、
また光増幅部のｎ型電極３１を形成する。
でエッチングした後、φ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓのバッフ
ァ層２７を積層し、この一部を残してエッチングする。
このエッチングで、光増幅部のストライプの延長上に幅
５μｍのストライプを残す。ただし、電気的分離を行な
うため、光増幅部と光検出部の間でバッファ層２７は２
μｍエッチングして溝２８を形成する。その上に活性層
２９であるｎ−ＧａＡｓを０．２μｍ積層する。その後
は第１実施例と同様にして、ソース電極３３、ドレイン
電極３４、ゲート電極３５を形成して受光部を作製し、
また光増幅部のｎ型電極３１を形成する。
【００１６】次に、素子の両端面にＡＲコーティングを
行ない、全体の厚みを〜１００μｍとした後、裏面にＰ
型電極３６を形成する。
行ない、全体の厚みを〜１００μｍとした後、裏面にＰ
型電極３６を形成する。
【００１７】上述のようにして作製した素子の動作を示
す。第１実施例と同様に光増幅部、光検出部に電流注入
あるいはバイアスをかける。この状態で光増幅部の導波
路２３に波長８３０ｎｍ付近の半導体レーザの光を入射
すると、これは光増幅部で増幅されそのまま導波路２３
を伝搬する。光が光検出部まで到達すると、バッファ層
２７を介して活性層２９に効率良く少ない反射で吸収さ
れながら導波する。吸収された光により活性層２９にキ
ャリアが発生し、その結果、空乏層によるチャネル付近
のポテンシャルが変化し、ソース３３・ドレイン３４間
に電流が流れる。
す。第１実施例と同様に光増幅部、光検出部に電流注入
あるいはバイアスをかける。この状態で光増幅部の導波
路２３に波長８３０ｎｍ付近の半導体レーザの光を入射
すると、これは光増幅部で増幅されそのまま導波路２３
を伝搬する。光が光検出部まで到達すると、バッファ層
２７を介して活性層２９に効率良く少ない反射で吸収さ
れながら導波する。吸収された光により活性層２９にキ
ャリアが発生し、その結果、空乏層によるチャネル付近
のポテンシャルが変化し、ソース３３・ドレイン３４間
に電流が流れる。
【００１８】本実施例の場合、光増幅部と光検出部が共
通の導波路２３を有するため光が効率良く安定に結合す
る。また、バッファ層２７でインピーダンスの整合をと
るため光増幅部と光検出部の間での反射が少なく、光増
幅部に悪い影響を与えることがない。従って、光検出器
のみの場合と比較して、最小受信感度が向上し、また光
検出器としてＦＥＴ構造のものを用いているため、他の
電子素子との集積化が容易である。
通の導波路２３を有するため光が効率良く安定に結合す
る。また、バッファ層２７でインピーダンスの整合をと
るため光増幅部と光検出部の間での反射が少なく、光増
幅部に悪い影響を与えることがない。従って、光検出器
のみの場合と比較して、最小受信感度が向上し、また光
検出器としてＦＥＴ構造のものを用いているため、他の
電子素子との集積化が容易である。
【００１９】
【実施例３】図５に第３実施例の縦断面図を示す。第２
実施例と同様に光増幅部を作製する。その後、受光部な
いし光検出器の導波路を作製し、受光部のＦＥＴと電子
素子としてのＦＥＴを第１実施例と同様に作製する。
実施例と同様に光増幅部を作製する。その後、受光部な
いし光検出器の導波路を作製し、受光部のＦＥＴと電子
素子としてのＦＥＴを第１実施例と同様に作製する。
【００２０】図６に、ＦＥＴ光検出器を用いたハイイン
ピーダンス型の受信回路を示す。同図において、６１が
光検出用のＦＥＴ、６２，６３，６４が電子素子のＦＥ
Ｔである。
ピーダンス型の受信回路を示す。同図において、６１が
光検出用のＦＥＴ、６２，６３，６４が電子素子のＦＥ
Ｔである。
【００２１】上述のように作製した素子の動作を示す。
第１実施例１と同様に、光増幅部、光検出部、電子素子
部に電流注入あるいはバイアスをかける。この状態で、
光増幅部の導波路２３に波長８３０ｎｍ付近の半導体レ
ーザの光を入射すると、光増幅部で増幅され、そのまま
導波路２３を伝搬する。光が光検出部６１まで到達する
と、バッファ層２７を介して活性層２９に効率良く、少
ない反射で吸収されながら導波する。吸収された光によ
りキャリアが発生し、その結果、活性層２９のチャネル
付近のポテンシャルが変化し、ソース・ドレイン間に電
流が流れる。
第１実施例１と同様に、光増幅部、光検出部、電子素子
部に電流注入あるいはバイアスをかける。この状態で、
光増幅部の導波路２３に波長８３０ｎｍ付近の半導体レ
ーザの光を入射すると、光増幅部で増幅され、そのまま
導波路２３を伝搬する。光が光検出部６１まで到達する
と、バッファ層２７を介して活性層２９に効率良く、少
ない反射で吸収されながら導波する。吸収された光によ
りキャリアが発生し、その結果、活性層２９のチャネル
付近のポテンシャルが変化し、ソース・ドレイン間に電
流が流れる。
【００２２】こうして生じた電流を増幅するため図６の
受信回路が必要となる。光検出器と電子素子を同一基板
に作製する場合、電極間を結ぶための配線容量が問題に
なるが、本実施例の場合、光検出器６１と電子素子６
２，６３，６４とが全く同じ層構成であるため余分な層
を積層する必要がなく、そのため、浮遊容量を低下させ
ることができる。従って、時間応答特性、雑音特性が向
上する。また、同じ素子であるため、作製が容易であ
る。
受信回路が必要となる。光検出器と電子素子を同一基板
に作製する場合、電極間を結ぶための配線容量が問題に
なるが、本実施例の場合、光検出器６１と電子素子６
２，６３，６４とが全く同じ層構成であるため余分な層
を積層する必要がなく、そのため、浮遊容量を低下させ
ることができる。従って、時間応答特性、雑音特性が向
上する。また、同じ素子であるため、作製が容易であ
る。
【００２３】本実施例の場合、光増幅部と光検出部６１
と電子素子６２，６３，６４とがモノリシックに集積さ
れているため、信号が効率よく受信され増幅されるので
光検出部のみの場合に比較して最小受信感度が向上す
る。また、これらがモノリシックに集積されているので
安定した特性が得られる。
と電子素子６２，６３，６４とがモノリシックに集積さ
れているため、信号が効率よく受信され増幅されるので
光検出部のみの場合に比較して最小受信感度が向上す
る。また、これらがモノリシックに集積されているので
安定した特性が得られる。
【００２４】
【実施例４】図７にバス型光ＬＡＮに、本発明の集積型
光検出器を用いた実施例を示す。本システムは、送信部
３００、伝送部３０１、受信部３０２からなる。
光検出器を用いた実施例を示す。本システムは、送信部
３００、伝送部３０１、受信部３０２からなる。
【００２５】送信部３００は半導体レーザなどの光源と
光変調器とからなる。受信部３０２は、光検出部、増幅
部、フィルタ、信号処理部からなる。この光検出器と増
幅器として本発明の集積型光検出器を用いる。
光変調器とからなる。受信部３０２は、光検出部、増幅
部、フィルタ、信号処理部からなる。この光検出器と増
幅器として本発明の集積型光検出器を用いる。
【００２６】あるノード３５０の送信部３００からでた
光信号は、カップラ３８０及び伝送路３０１を通り他の
ノード３５０の受信部３０２に入る。そこで、本発明の
光検出器のうち光増幅部で光信号が増幅され、光検出部
で信号が検出され、他の電子回路（フィルタ、信号処理
部）を経て、出力信号となる。
光信号は、カップラ３８０及び伝送路３０１を通り他の
ノード３５０の受信部３０２に入る。そこで、本発明の
光検出器のうち光増幅部で光信号が増幅され、光検出部
で信号が検出され、他の電子回路（フィルタ、信号処理
部）を経て、出力信号となる。
【００２７】アクセス方式としては、ＣＳＭＡ／ＣＤ方
式やトークン・パス方式などを用いることができる。本
システムに本発明の集積型光検出器を用いることによ
り、バス型のため減衰する信号を増幅しながら受信する
ことが可能となり、高速の通信を行なうことができる。
勿論、本発明の光検出器はいかなる光通信システムにも
用いることができる。
式やトークン・パス方式などを用いることができる。本
システムに本発明の集積型光検出器を用いることによ
り、バス型のため減衰する信号を増幅しながら受信する
ことが可能となり、高速の通信を行なうことができる。
勿論、本発明の光検出器はいかなる光通信システムにも
用いることができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。 １．ＦＥＴ型光検出器において、光増幅器をモノリシッ
クに集積化することにより、最小受信感度が向上する。 ２．光増幅部と光検出部での光の結合が安定し、安定し
た特性が得られる。 ３．ＦＥＴ型光検出器を用いているので他の電子素子と
の集積化が容易となる。 ４．本発明の集積光検出器が高速応答可能なため、これ
により構成した光ＬＡＮなどの光通信システムがビット
レートの高い通信となる効果がある。
いるので、以下に記載するような効果を奏する。 １．ＦＥＴ型光検出器において、光増幅器をモノリシッ
クに集積化することにより、最小受信感度が向上する。 ２．光増幅部と光検出部での光の結合が安定し、安定し
た特性が得られる。 ３．ＦＥＴ型光検出器を用いているので他の電子素子と
の集積化が容易となる。 ４．本発明の集積光検出器が高速応答可能なため、これ
により構成した光ＬＡＮなどの光通信システムがビット
レートの高い通信となる効果がある。
【図１】本発明を実施した集積型光検出器の第１実施例
の斜視図。
の斜視図。
【図２】第１実施例の縦断面図。
【図３】本発明を実施した集積型光検出器の第２実施例
の縦断面図。
の縦断面図。
【図４】本発明を実施した集積型光検出器の第２実施例
の横断面図。
の横断面図。
【図５】本発明を実施した集積型光検出器の第３実施例
の縦断面図。
の縦断面図。
【図６】ＦＥＴ光検出器を用いたハイインピーダンス型
の受信回路を示す図。
の受信回路を示す図。
【図７】本発明の集積型光検出器を用いて構成したバス
型ＬＡＮシステムの構成図。
型ＬＡＮシステムの構成図。
【図８】従来例を示す一部破断斜視図。
１，２１ 基板 ２，２７ バッファ層 ３，５，２２，２５ クラッド層 ４，１２，２４，２９ 活性層 ６，２６ ｎ−ＧａＡｓ層 ７ リッジストライプ ８，１６，３１，３６ 電極 １１ アイソレーション層 １３，３３ ソース層 １４，３４ ドレイン層 １５，３５ ゲート層 １８，２８ 分離溝 ２３ 導波層 ６１ 光検出器 ６２，６３，６４ 電子素子 ３００ 送信部 ３０１ 伝送路 ３０２ 受信部 ３５０ ノード ３８０ カップラ
Claims (8)
- 【請求項１】 ＦＥＴ構造の光検出器において、光検出
部に加えて光信号を増幅する半導体光増幅部が同一基板
上にモノリシックに集積されたことを特徴とする集積型
光検出器。 - 【請求項２】 前記集積型光検出器の光増幅部と光検出
部の間で信号光がバッドカップリングをするような構造
であることを特徴とする請求項１記載の集積型光検出
器。 - 【請求項３】 前記集積型光検出器の光増幅部と光検出
部とが共通の導波路を有することを特徴とする請求項１
記載の集積型光検出器。 - 【請求項４】 前記半導体光増幅部が進行波型光増幅器
であることを特徴とする請求項１記載の集積型光検出
器。 - 【請求項５】 前記光検出部が活性層下に電気的な分離
層を有することを特徴とする請求項２記載の集積型光検
出器。 - 【請求項６】 前記集積型光検出器が出力信号増幅のた
めの電子素子と同一基板上にモノリシックに集積されて
いることを特徴とする請求項１記載の集積型光検出器。 - 【請求項７】 前記光検出部と電子素子とが同じ層構成
を有することを特徴とする請求項６記載の集積型光検出
器。 - 【請求項８】 光通信システムにおいて、ノード装置中
の受信部に請求項１記載の集積型光検出器を備えて受信
を行うことを特徴とする光通信システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4194897A JPH0621417A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 集積光検出器及びそれを用いた光通信システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4194897A JPH0621417A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 集積光検出器及びそれを用いた光通信システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621417A true JPH0621417A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16332151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4194897A Pending JPH0621417A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | 集積光検出器及びそれを用いた光通信システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621417A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114448458A (zh) * | 2022-02-17 | 2022-05-06 | 深圳市顾凯信息技术有限公司 | 一种汽车电子组件用蓝牙模块 |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP4194897A patent/JPH0621417A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114448458A (zh) * | 2022-02-17 | 2022-05-06 | 深圳市顾凯信息技术有限公司 | 一种汽车电子组件用蓝牙模块 |
| CN114448458B (zh) * | 2022-02-17 | 2024-03-22 | 深圳市顾凯信息技术有限公司 | 一种汽车电子组件用蓝牙模块 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050111 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050308 |
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| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050623 |
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