JPH06213612A - 歪抵抗材料とその製造方法および薄膜歪センサ - Google Patents
歪抵抗材料とその製造方法および薄膜歪センサInfo
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- JPH06213612A JPH06213612A JP2196493A JP2196493A JPH06213612A JP H06213612 A JPH06213612 A JP H06213612A JP 2196493 A JP2196493 A JP 2196493A JP 2196493 A JP2196493 A JP 2196493A JP H06213612 A JPH06213612 A JP H06213612A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｃｒ系歪抵抗膜を用いて実際にブリッジ回路
を形成してみると、ブリッジを構成する各歪抵抗膜のＴ
ＣＲ及びＴＣＳのバラツキが大きいために歪センサ−に
応用した場合の温度特性が悪くなるという問題がある事
が分かった。そこで、温度特性の良い（温度安定性の優
れた）歪センサ−を作製するためには、ゲ−ジ率、ＴＣ
Ｒ、ＴＣＳに加えてＴＣＲ及びＴＣＳのブリッジ内バラ
ツキ（δＴＣＲ及びδＴＣＳ）が小さい薄膜歪抵抗材料
を提供することにある。 【構成】 本発明の歪抵抗材料は、クロムを主体とし、
２〜１５原子％のＩＩa族元素からなり、基板の上に薄
膜として形成した事を特徴とし、ここでＩＩa 族元素と
いうのは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｂｅをさす。
を形成してみると、ブリッジを構成する各歪抵抗膜のＴ
ＣＲ及びＴＣＳのバラツキが大きいために歪センサ−に
応用した場合の温度特性が悪くなるという問題がある事
が分かった。そこで、温度特性の良い（温度安定性の優
れた）歪センサ−を作製するためには、ゲ−ジ率、ＴＣ
Ｒ、ＴＣＳに加えてＴＣＲ及びＴＣＳのブリッジ内バラ
ツキ（δＴＣＲ及びδＴＣＳ）が小さい薄膜歪抵抗材料
を提供することにある。 【構成】 本発明の歪抵抗材料は、クロムを主体とし、
２〜１５原子％のＩＩa族元素からなり、基板の上に薄
膜として形成した事を特徴とし、ここでＩＩa 族元素と
いうのは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｂｅをさす。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、圧力、力、歪み、加
速度、流量などを金属薄膜の歪みによる抵抗値の変化と
して測定するための、歪ゲ−ジ式の歪抵抗材料、その製
造方法、これを利用したセンサなどに関するものであ
る。歪抵抗材料というのは、歪むことによって抵抗値が
変化する材料の事をいう。ダイヤフラムに歪抵抗材料を
取り付けると、圧力によってダイヤフラムが変形するの
で歪抵抗材料の抵抗値が変化する。抵抗値の変化によっ
て圧力を測定できる。また金属の棒材に歪抵抗材料を貼
り付けておくと、棒に加えられた力に比例して棒が撓む
から、歪抵抗材料が伸び縮みする。これによって抵抗値
が変化するので、力の大きさを測定できる。
速度、流量などを金属薄膜の歪みによる抵抗値の変化と
して測定するための、歪ゲ−ジ式の歪抵抗材料、その製
造方法、これを利用したセンサなどに関するものであ
る。歪抵抗材料というのは、歪むことによって抵抗値が
変化する材料の事をいう。ダイヤフラムに歪抵抗材料を
取り付けると、圧力によってダイヤフラムが変形するの
で歪抵抗材料の抵抗値が変化する。抵抗値の変化によっ
て圧力を測定できる。また金属の棒材に歪抵抗材料を貼
り付けておくと、棒に加えられた力に比例して棒が撓む
から、歪抵抗材料が伸び縮みする。これによって抵抗値
が変化するので、力の大きさを測定できる。
【０００２】
【従来の技術】歪抵抗材料に要求される特性は、 歪みに対する抵抗値の変化が大きい。歪みεに対する
抵抗変化率∂Ｒ／Ｒの割合をゲ−ジ率∂Ｒ／εＲとい
う。これは歪抵抗材料を用いてセンサを作った時の感度
を決めるものである。高感度のセンサを作るためにはゲ
−ジ率の高い歪抵抗材料が必要である。感度が高いとノ
イズに対する余裕が大きくなるし、後段の増幅器の負担
が軽減されるからである。 抵抗の温度係数が小さい。つまり温度によって抵抗値
が大きく変化しないということである。（∂Ｒ／Ｒ∂
Ｔ）が小さいというふうに表現できる。この値を抵抗温
度係数（ＴＣＲ）という。これが大きいと、温度変化に
よる抵抗変化が、歪みによる抵抗変化よりも優越し、歪
みを正確に求めることができなくなるからである。 感度の温度による変化が少ないこと。これが大きいと
温度によって感度が異なるということになり望ましくな
い。感度の温度係数をＴＣＳという。 経時変化が少ない。耐熱性がある。信頼性が高い。 等である。
抵抗変化率∂Ｒ／Ｒの割合をゲ−ジ率∂Ｒ／εＲとい
う。これは歪抵抗材料を用いてセンサを作った時の感度
を決めるものである。高感度のセンサを作るためにはゲ
−ジ率の高い歪抵抗材料が必要である。感度が高いとノ
イズに対する余裕が大きくなるし、後段の増幅器の負担
が軽減されるからである。 抵抗の温度係数が小さい。つまり温度によって抵抗値
が大きく変化しないということである。（∂Ｒ／Ｒ∂
Ｔ）が小さいというふうに表現できる。この値を抵抗温
度係数（ＴＣＲ）という。これが大きいと、温度変化に
よる抵抗変化が、歪みによる抵抗変化よりも優越し、歪
みを正確に求めることができなくなるからである。 感度の温度による変化が少ないこと。これが大きいと
温度によって感度が異なるということになり望ましくな
い。感度の温度係数をＴＣＳという。 経時変化が少ない。耐熱性がある。信頼性が高い。 等である。
【０００３】歪ゲ−ジ式の歪抵抗材料には従来から次の
ようなものが知られている。 （１）ＮｉＣｒやＣｕＮｉのような金属系の歪抵抗材
料。 （２）Ｓｉなどの半導体。 ＮｉＣｒ（ニクロム）、ＣｕＮｉ（アドバンス）のよう
に金属の歪抵抗材料は抵抗温度係数が小さいから特性が
安定しており、広く利用されている。金属材料は良導体
で、もともと抵抗が低く温度による変化も少ないからで
ある。またＣｒ、Ｎｉなどは耐熱性の優れた金属であ
る。しかし歪みに対する抵抗変化即ち感度が低い。ゲ−
ジ率は２〜３であって低感度である。感度が低いから後
段に高い増幅率の増幅器を必要とする。当然ノイズに対
して余裕が少ない。Ｓｉなどの半導体の歪抵抗材料はゲ
−ジ率が１０〜１００と高い。感度が良い。しかも基板
がＳｉであるから増幅器と一体化できるという長所があ
る。ために既に広く利用されている。しかし半導体であ
るから、温度による抵抗変化が極めて大きい。つまり抵
抗温度係数ＴＣＲが大きくそのままでは使えない。温度
補償回路を必要とする。また半導体であるので熱に弱
い。
ようなものが知られている。 （１）ＮｉＣｒやＣｕＮｉのような金属系の歪抵抗材
料。 （２）Ｓｉなどの半導体。 ＮｉＣｒ（ニクロム）、ＣｕＮｉ（アドバンス）のよう
に金属の歪抵抗材料は抵抗温度係数が小さいから特性が
安定しており、広く利用されている。金属材料は良導体
で、もともと抵抗が低く温度による変化も少ないからで
ある。またＣｒ、Ｎｉなどは耐熱性の優れた金属であ
る。しかし歪みに対する抵抗変化即ち感度が低い。ゲ−
ジ率は２〜３であって低感度である。感度が低いから後
段に高い増幅率の増幅器を必要とする。当然ノイズに対
して余裕が少ない。Ｓｉなどの半導体の歪抵抗材料はゲ
−ジ率が１０〜１００と高い。感度が良い。しかも基板
がＳｉであるから増幅器と一体化できるという長所があ
る。ために既に広く利用されている。しかし半導体であ
るから、温度による抵抗変化が極めて大きい。つまり抵
抗温度係数ＴＣＲが大きくそのままでは使えない。温度
補償回路を必要とする。また半導体であるので熱に弱
い。
【０００４】近年、金属系の歪抵抗材料として、Ｃｒを
主体とする薄膜歪抵抗材料が開発されている。Ｃｒは抵
抗率、ゲ−ジ率が高く、しかも歪みに対する抵抗変化率
が小さいからである。一般にＣｒの合金も同様に抵抗
率、ゲ−ジ率が高い。特開昭６１−２５６２３３号は、
ダイヤフラムまたは絶縁膜の上に、ＣｒまたはＣｒ合金
をスパッタリングによって形成したセンサを提案してい
る。Ｃｒを用いたものについて、 ゲ−ジ率＝１６〜１７ ＴＣＲ＝−５００〜６００ｐｐｍ／℃ ＴＣＳ＝−５００〜−６００ｐｐｍ／℃ という性能を得たとある。またＣｒとＭｏの合金をスパ
ッタで薄膜として、 ゲ−ジ率＝１３〜１５ ＴＣＲ＝−２００〜０ｐｐｍ／℃ ＴＣＳ＝−４０００〜−３０００ｐｐｍ／℃ というような性能を得たと書いてある。
主体とする薄膜歪抵抗材料が開発されている。Ｃｒは抵
抗率、ゲ−ジ率が高く、しかも歪みに対する抵抗変化率
が小さいからである。一般にＣｒの合金も同様に抵抗
率、ゲ−ジ率が高い。特開昭６１−２５６２３３号は、
ダイヤフラムまたは絶縁膜の上に、ＣｒまたはＣｒ合金
をスパッタリングによって形成したセンサを提案してい
る。Ｃｒを用いたものについて、 ゲ−ジ率＝１６〜１７ ＴＣＲ＝−５００〜６００ｐｐｍ／℃ ＴＣＳ＝−５００〜−６００ｐｐｍ／℃ という性能を得たとある。またＣｒとＭｏの合金をスパ
ッタで薄膜として、 ゲ−ジ率＝１３〜１５ ＴＣＲ＝−２００〜０ｐｐｍ／℃ ＴＣＳ＝−４０００〜−３０００ｐｐｍ／℃ というような性能を得たと書いてある。
【０００５】特開平２−７６２０１号は、６０〜９８原
子％のＣｒ、２〜３０原子％の酸素、０〜１０原子％の
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂを含む薄膜歪抵抗材料を提案している。
これは、 ゲ−ジ率＝５〜１０ ＴＣＲ＝−７３〜＋７５ｐｐｍ／℃ の性能を持つと述べている。特開平２−１５２２０１号
は、６０〜９８原子％のＣｒ、２〜３０原子％の酸素、
０〜１０原子％のＡｌ、Ｔｉ，Ｔａを含む薄膜歪抵抗材
料を提案している。これも、 ゲ−ジ率＝５〜１０ ＴＣＲ＝−８３〜＋７５ｐｐｍ／℃ の特性を発揮したとある。
子％のＣｒ、２〜３０原子％の酸素、０〜１０原子％の
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂを含む薄膜歪抵抗材料を提案している。
これは、 ゲ−ジ率＝５〜１０ ＴＣＲ＝−７３〜＋７５ｐｐｍ／℃ の性能を持つと述べている。特開平２−１５２２０１号
は、６０〜９８原子％のＣｒ、２〜３０原子％の酸素、
０〜１０原子％のＡｌ、Ｔｉ，Ｔａを含む薄膜歪抵抗材
料を提案している。これも、 ゲ−ジ率＝５〜１０ ＴＣＲ＝−８３〜＋７５ｐｐｍ／℃ の特性を発揮したとある。
【０００６】しかし、本発明者らが詳細に検討した結果
これらＣｒ系歪抵抗膜を用いて実際にブリッジ回路を形
成してみると、ブリッジを構成する各歪抵抗膜のＴＣＲ
及びＴＣＳのバラツキが大きいために歪センサ−に応用
した場合の温度特性が悪くなるという問題がある事が分
かった。すなわち温度特性の良い（温度安定性の優れ
た）歪センサ−を作製するためには、上記のゲ−ジ率、
ＴＣＲ、ＴＣＳに加えてＴＣＲ及びＴＣＳのブリッジ内
バラツキ（δＴＣＲ及びδＴＣＳ）の特性を改善する必
要がある。
これらＣｒ系歪抵抗膜を用いて実際にブリッジ回路を形
成してみると、ブリッジを構成する各歪抵抗膜のＴＣＲ
及びＴＣＳのバラツキが大きいために歪センサ−に応用
した場合の温度特性が悪くなるという問題がある事が分
かった。すなわち温度特性の良い（温度安定性の優れ
た）歪センサ−を作製するためには、上記のゲ−ジ率、
ＴＣＲ、ＴＣＳに加えてＴＣＲ及びＴＣＳのブリッジ内
バラツキ（δＴＣＲ及びδＴＣＳ）の特性を改善する必
要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、ゲ−ジ率が大きく、ＴＣＲが小さく、且つＴＣＳが
小さいのみならず歪センサ−に応用した場合の良好な温
度特性を得るためにδＴＣＲ及びδＴＣＳが小さい薄膜
歪抵抗材料を提供することにある。
は、ゲ−ジ率が大きく、ＴＣＲが小さく、且つＴＣＳが
小さいのみならず歪センサ−に応用した場合の良好な温
度特性を得るためにδＴＣＲ及びδＴＣＳが小さい薄膜
歪抵抗材料を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の歪抵抗材料は、
クロムを主体とし、２〜１５原子％のＩＩa 族元素から
なり、基板の上に薄膜として形成した事を特徴とする。
ここでＩＩa 族元素というのは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｂ
ｅをさす。本発明の歪抵抗材料の製造方法は、クロムと
ＩＩa 族元素を原料とし、必要に応じて酸素を含む雰囲
気とし、基板の温度を２００℃以上に保ち、真空蒸着、
スパッタリングまたはイオンプレ−テイング法で、基板
の上に、Ｃｒを主体とし、２〜１５原子％のＩＩa 族元
素から薄膜を形成し、その後、３００℃以上の温度で熱
処理をする事を特徴とする。
クロムを主体とし、２〜１５原子％のＩＩa 族元素から
なり、基板の上に薄膜として形成した事を特徴とする。
ここでＩＩa 族元素というのは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｂ
ｅをさす。本発明の歪抵抗材料の製造方法は、クロムと
ＩＩa 族元素を原料とし、必要に応じて酸素を含む雰囲
気とし、基板の温度を２００℃以上に保ち、真空蒸着、
スパッタリングまたはイオンプレ−テイング法で、基板
の上に、Ｃｒを主体とし、２〜１５原子％のＩＩa 族元
素から薄膜を形成し、その後、３００℃以上の温度で熱
処理をする事を特徴とする。
【０００９】この熱処理は大気中で行うこともできる。
しかし実質的に非酸化雰囲気で行うとさらに良い。たと
えば、窒素、稀ガス、水素などの雰囲気である。微量の
酸素、水蒸気が混入していても良い。このように本発明
は、基板温度を２００℃以上として蒸着またはスパッタ
リングでＣｒを主体とし、ＩＩa 族元素Ｍｇ、Ｃａ、Ｂ
ａ、Ｂｅを少量添加した歪抵抗材料膜を形成し、３００
℃以上の温度で熱処理する。基板温度を２００℃以上と
し、後に３００℃以上の温度で熱処理することで、アモ
ルファスの酸化クロムの生成を防ぐものである。そして
大部分のクロムを立方晶のｂｃｃＣｒとする。原料にＩ
Ｉa 族元素Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｂｅを添加するのは、電
子の平均自由行程を短くして、抵抗温度係数ＴＣＲ、感
度温度係数ＴＣＳを小さくするためである。
しかし実質的に非酸化雰囲気で行うとさらに良い。たと
えば、窒素、稀ガス、水素などの雰囲気である。微量の
酸素、水蒸気が混入していても良い。このように本発明
は、基板温度を２００℃以上として蒸着またはスパッタ
リングでＣｒを主体とし、ＩＩa 族元素Ｍｇ、Ｃａ、Ｂ
ａ、Ｂｅを少量添加した歪抵抗材料膜を形成し、３００
℃以上の温度で熱処理する。基板温度を２００℃以上と
し、後に３００℃以上の温度で熱処理することで、アモ
ルファスの酸化クロムの生成を防ぐものである。そして
大部分のクロムを立方晶のｂｃｃＣｒとする。原料にＩ
Ｉa 族元素Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｂｅを添加するのは、電
子の平均自由行程を短くして、抵抗温度係数ＴＣＲ、感
度温度係数ＴＣＳを小さくするためである。
【００１０】
【作用】先ず薄膜Ｃｒを作る際どうして酸素との化合物
になるのかということを説明する。通常、Ｃｒの薄膜形
成には真空蒸着、スパッタリングが用いられる。これら
の薄膜形成装置では真空排気装置や、配管、チャンバ−
などの構造から、到達真空度には上限がある。大体１０
-7〜１０-5Ｔｏｒｒが最高である。これ以上の真空度に
引くことができない。残存ガスには酸素、水蒸気等が多
く含まれる。真空蒸着でもスパッタリングでも、Ｃｒを
加熱して蒸発させ、あるいは小さい分子塊として飛ばす
のであるから、酸素がこの中に大量に取り込まれてしま
う。酸素は特に活性の強い元素であるから上記の程度の
真空度では酸素の混入を防ぐことができない。薄膜Ｃｒ
を蒸着、スパッタで作る場合、膜中には必ず残存酸素が
混入するのである。
になるのかということを説明する。通常、Ｃｒの薄膜形
成には真空蒸着、スパッタリングが用いられる。これら
の薄膜形成装置では真空排気装置や、配管、チャンバ−
などの構造から、到達真空度には上限がある。大体１０
-7〜１０-5Ｔｏｒｒが最高である。これ以上の真空度に
引くことができない。残存ガスには酸素、水蒸気等が多
く含まれる。真空蒸着でもスパッタリングでも、Ｃｒを
加熱して蒸発させ、あるいは小さい分子塊として飛ばす
のであるから、酸素がこの中に大量に取り込まれてしま
う。酸素は特に活性の強い元素であるから上記の程度の
真空度では酸素の混入を防ぐことができない。薄膜Ｃｒ
を蒸着、スパッタで作る場合、膜中には必ず残存酸素が
混入するのである。
【００１１】Ｃｒ中の酸素の量は、到達真空度、膜形成
時の圧力、膜堆積速度、蒸発源から基板までの距離等に
よって異なるが、通常５原子％〜２０原子％である。こ
れはやむなく含まれるのである。酸素を含まない薄膜Ｃ
ｒを作るのが難しい。勿論超高真空装置を用いれば１０
-10 Ｔｏｒｒに引くことができ、酸素の混入を抑えるこ
とができる。しかしそうすると歪抵抗材料の製造コスト
が極めて高くなり実用的でない。
時の圧力、膜堆積速度、蒸発源から基板までの距離等に
よって異なるが、通常５原子％〜２０原子％である。こ
れはやむなく含まれるのである。酸素を含まない薄膜Ｃ
ｒを作るのが難しい。勿論超高真空装置を用いれば１０
-10 Ｔｏｒｒに引くことができ、酸素の混入を抑えるこ
とができる。しかしそうすると歪抵抗材料の製造コスト
が極めて高くなり実用的でない。
【００１２】本発明者らが詳細に検討した結果、従来の
Ｃｒを主体とし、酸素を含有する膜では、ゲ−ジ率は１
０程度をキ−プしつつＴＣＲも２００ｐｐｍ／℃以下と
小さくはできるが、安定な歪抵抗膜を再現性良く得る事
は困難である事がわかった。
Ｃｒを主体とし、酸素を含有する膜では、ゲ−ジ率は１
０程度をキ−プしつつＴＣＲも２００ｐｐｍ／℃以下と
小さくはできるが、安定な歪抵抗膜を再現性良く得る事
は困難である事がわかった。
【００１３】すなわちこの膜中に取り込まれる酸素はＣ
ｒと化学結合しており、通常の状態では、ＣｒＯX のア
モルファス状態である。このアモルファス状態のＣｒＯ
X はＣｒ膜中の電子の散乱中心となり、電子の平均自由
行程を小さくし、ＴＣＲ及びＴＣＳを小さくするために
は役立つが、構造的に不安定であるため特性的にも不安
定であると思われる。そこでその後の熱処理によりアモ
ルファス状態のＣｒＯX の多くを安定なＣｒ酸化物と金
属Ｃｒに変化させる検討を行ったがＣｒは多くの酸化物
状態（例えばＣｒＯ、ＣｒＯ2 、ＣｒＯ3 、Ｃｒ2 Ｏ
3 、Ｃｒ2 Ｏ5 等）をとり、且つ熱的状態変化を制御で
きないために、ＣｒＯX 膜でブリッジを形成した場合、
結果的にはブリッジ内の歪抵抗膜のＴＣＲ、ＴＣＳが大
きくばらつく事になるものとの考えに至った。
ｒと化学結合しており、通常の状態では、ＣｒＯX のア
モルファス状態である。このアモルファス状態のＣｒＯ
X はＣｒ膜中の電子の散乱中心となり、電子の平均自由
行程を小さくし、ＴＣＲ及びＴＣＳを小さくするために
は役立つが、構造的に不安定であるため特性的にも不安
定であると思われる。そこでその後の熱処理によりアモ
ルファス状態のＣｒＯX の多くを安定なＣｒ酸化物と金
属Ｃｒに変化させる検討を行ったがＣｒは多くの酸化物
状態（例えばＣｒＯ、ＣｒＯ2 、ＣｒＯ3 、Ｃｒ2 Ｏ
3 、Ｃｒ2 Ｏ5 等）をとり、且つ熱的状態変化を制御で
きないために、ＣｒＯX 膜でブリッジを形成した場合、
結果的にはブリッジ内の歪抵抗膜のＴＣＲ、ＴＣＳが大
きくばらつく事になるものとの考えに至った。
【００１４】そこで本発明では、ＩＩa 族元素Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｂａ、Ｂｅを添加する。これはクロムよりも還元性
が高いアルカリ土類金属である。したがって薄膜の中で
は、クロムを還元し、強固な酸化物ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｂ
ａＯ、ＢｅＯを作る。この酸化物は小さな多結晶になっ
て薄膜の内部に均一に分布する。微小粒であるが絶縁物
で電子の散乱中心となり、電子の平均自由行程を短くで
きる。これによって、歪抵抗材料のＴＣＳ、ＴＣＲを低
くできる。従来例として説明したものもＣｒとＯの他に
金属を含有させるものがある。Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ
などである。これらは耐熱金属で，耐熱性を高揚すると
いう観点から添加されるようである。本発明はそうでな
く特に陽イオンになり易く、酸化物を形成し易いアルカ
リ土類金属を添加している。これはＣｒの酸化を防ぐこ
とに効果がある。
ａ、Ｂａ、Ｂｅを添加する。これはクロムよりも還元性
が高いアルカリ土類金属である。したがって薄膜の中で
は、クロムを還元し、強固な酸化物ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｂ
ａＯ、ＢｅＯを作る。この酸化物は小さな多結晶になっ
て薄膜の内部に均一に分布する。微小粒であるが絶縁物
で電子の散乱中心となり、電子の平均自由行程を短くで
きる。これによって、歪抵抗材料のＴＣＳ、ＴＣＲを低
くできる。従来例として説明したものもＣｒとＯの他に
金属を含有させるものがある。Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ
などである。これらは耐熱金属で，耐熱性を高揚すると
いう観点から添加されるようである。本発明はそうでな
く特に陽イオンになり易く、酸化物を形成し易いアルカ
リ土類金属を添加している。これはＣｒの酸化を防ぐこ
とに効果がある。
【００１５】つまり、ＩＩa 族元素の添加は２つの効果
があり、ひとつは、クロムを還元し電気伝導、ゲ−ジ率
に寄与する金属クロムを増加させることである。もうひ
とつは微細な酸化物として薄膜中に存在し、電子の平均
自由行程を短縮することである。添加するＩＩa 族元素
の量は、２原子％未満の場合上記の効果がない。反対に
１５原子％を越えると、ゲ−ジ率が低下する。それで、
ＩＩa 族元素は２原子％〜１５原子％とするのである。
があり、ひとつは、クロムを還元し電気伝導、ゲ−ジ率
に寄与する金属クロムを増加させることである。もうひ
とつは微細な酸化物として薄膜中に存在し、電子の平均
自由行程を短縮することである。添加するＩＩa 族元素
の量は、２原子％未満の場合上記の効果がない。反対に
１５原子％を越えると、ゲ−ジ率が低下する。それで、
ＩＩa 族元素は２原子％〜１５原子％とするのである。
【００１６】成膜方法としてはまず、蒸着、スパッタに
於いて基板の温度を２００℃以上に保持することであ
る。そして薄膜ができたあと、３００℃以上の温度で熱
処理する。このようにすると、膜の結晶性が向上される
ため、電気特性の安定化が計られる。基板の温度が低い
と、Ｃｒの蒸気が基板で急冷されるのでアモルファスに
なる。基板を高温に保てば基板においてＣｒが徐冷され
るので結晶化する。たとえアモルファス成分が一部に残
留していても、作製後に熱処理をすることにより、多結
晶に変化してゆく。熱処理によりエネルギ−が与えられ
るので、構造変化が起こり、より自由エネルギ−の低い
多結晶状態への部分的な相転移が起こりうるのである。
このような薄膜形成時の加熱、生成後の加熱によって、
本発明のＣｒ系歪抵抗材料は、ｂｃｃＣｒ＋ＩＩa 族酸
化物の多結晶複合体となる。
於いて基板の温度を２００℃以上に保持することであ
る。そして薄膜ができたあと、３００℃以上の温度で熱
処理する。このようにすると、膜の結晶性が向上される
ため、電気特性の安定化が計られる。基板の温度が低い
と、Ｃｒの蒸気が基板で急冷されるのでアモルファスに
なる。基板を高温に保てば基板においてＣｒが徐冷され
るので結晶化する。たとえアモルファス成分が一部に残
留していても、作製後に熱処理をすることにより、多結
晶に変化してゆく。熱処理によりエネルギ−が与えられ
るので、構造変化が起こり、より自由エネルギ−の低い
多結晶状態への部分的な相転移が起こりうるのである。
このような薄膜形成時の加熱、生成後の加熱によって、
本発明のＣｒ系歪抵抗材料は、ｂｃｃＣｒ＋ＩＩa 族酸
化物の多結晶複合体となる。
【００１７】本発明の歪抵抗材料はこのような製法で作
られ、ｂｃｃＣｒとＩＩa 族酸化物の多結晶複合体であ
ることから、次のような優れた性質をもっている。
られ、ｂｃｃＣｒとＩＩa 族酸化物の多結晶複合体であ
ることから、次のような優れた性質をもっている。
【００１８】［本発明歪抵抗材料の特性］ ゲ−ジ率：１０程度 ＴＣＲ：絶対値で１４０ｐｐｍ／℃以下 ＴＣＳ：絶対値で８５０ｐｐｍ／℃以下 ブリッジ内バラツキ δＲ： １．９％以下 δＫ： ８．８％以下 δＴＣＲ：１５ｐｐｍ以下 δＴＣＳ：６０ｐｐｍ以下
【００１９】さらに３００℃以上で熱処理するときに、
非酸化雰囲気で行うと、膜中に取り込まれる酸素量が極
端に増加する事を避ける事ができ、更にバラツキも改善
される。
非酸化雰囲気で行うと、膜中に取り込まれる酸素量が極
端に増加する事を避ける事ができ、更にバラツキも改善
される。
【００２０】
【実施例】厚み０．２ｍｍ、直径３０ｍｍのＳＵＳ６３
１ダイヤフラム基板上にプラズマＣＶＤ法により厚さ３
μｍのＳｉＯ2 絶縁膜を形成した。次に絶縁膜上に真空
蒸着法及びスパッタリング法でＣｒと酸素及び１種類以
上のＩＩa 族元素からなる０．２μｍの歪抵抗膜を絶縁
膜全面に形成した。組成及び結晶構造分析用のＳｉウエ
ハにも同時に歪抵抗膜を成膜した。真空蒸着法及びスパ
ッタリング法での膜形成条件は表１のようにした。
１ダイヤフラム基板上にプラズマＣＶＤ法により厚さ３
μｍのＳｉＯ2 絶縁膜を形成した。次に絶縁膜上に真空
蒸着法及びスパッタリング法でＣｒと酸素及び１種類以
上のＩＩa 族元素からなる０．２μｍの歪抵抗膜を絶縁
膜全面に形成した。組成及び結晶構造分析用のＳｉウエ
ハにも同時に歪抵抗膜を成膜した。真空蒸着法及びスパ
ッタリング法での膜形成条件は表１のようにした。
【００２１】
【表１】
【００２２】真空蒸着の場合は、クロムとＩＩa 族元素
の蒸発源を二つ別々に設ける（２元蒸発源）か、または
ＩＩa 族元素を含むクロム合金を蒸発源とする。初めチ
ャンバを１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒに引いておき、基板を
２００℃に加熱してから蒸着を開始する。膜形成速度が
５Å／sec である。膜形成時の圧力は１０-5〜１０-6Ｔ
ｏｒｒであった。
の蒸発源を二つ別々に設ける（２元蒸発源）か、または
ＩＩa 族元素を含むクロム合金を蒸発源とする。初めチ
ャンバを１０-5〜１０-7Ｔｏｒｒに引いておき、基板を
２００℃に加熱してから蒸着を開始する。膜形成速度が
５Å／sec である。膜形成時の圧力は１０-5〜１０-6Ｔ
ｏｒｒであった。
【００２３】スパッタリングの場合は、クロムとＩＩa
族元素のタ−ゲットを別々に設ける（２元タ−ゲット）
か、ＩＩa 族元素を含むクロム合金をタ−ゲットとす
る。初め１０-6〜１０-7Ｔｏｒｒに引き、アルゴンガス
でＣｒ、ＩＩa 族元素のタ−ゲットをたたきこれをスパ
ッタリングする。膜形成時の圧力は１０-2〜１０-3Ｔｏ
ｒｒであった。基板温度が２００℃である。基板温度は
重要である。本発明の方法では基板温度は２００℃以上
でなければならない。もっと高温でも良いのはもちろん
である。
族元素のタ−ゲットを別々に設ける（２元タ−ゲット）
か、ＩＩa 族元素を含むクロム合金をタ−ゲットとす
る。初め１０-6〜１０-7Ｔｏｒｒに引き、アルゴンガス
でＣｒ、ＩＩa 族元素のタ−ゲットをたたきこれをスパ
ッタリングする。膜形成時の圧力は１０-2〜１０-3Ｔｏ
ｒｒであった。基板温度が２００℃である。基板温度は
重要である。本発明の方法では基板温度は２００℃以上
でなければならない。もっと高温でも良いのはもちろん
である。
【００２４】これら歪抵抗膜を表２に示すように、大気
中或いは窒素雰囲気でアニ−ルした後フォトリソとＣｒ
エッチングによりブリッジパタ−ンを形成した。ブリッ
ジを構成する各歪抵抗膜の線幅は３０μｍとした。基板
と同時に入れたＳｉウエハ上の歪抵抗膜については薄膜
Ｘ線回折及びＥＳＣＡによる組成分析を行った。
中或いは窒素雰囲気でアニ−ルした後フォトリソとＣｒ
エッチングによりブリッジパタ−ンを形成した。ブリッ
ジを構成する各歪抵抗膜の線幅は３０μｍとした。基板
と同時に入れたＳｉウエハ上の歪抵抗膜については薄膜
Ｘ線回折及びＥＳＣＡによる組成分析を行った。
【００２５】
【表２】
【００２６】本発明の効果を確かめるために、実施例の
他に形成、熱処理条件の異なる比較例も製作し検討して
いる。１〜６が本発明の実施例である。７〜１１が比較
例である。その内、７及び８については前期の特開昭６
１−２５６２３３、特開平２−７６２０１、特開平２−
１５２２０１に開示された方法で歪抵抗膜を形成したも
のである。これらの歪抵抗膜を表２に示すように、大気
中または窒素雰囲気でアニ−ルした。実施例については
全て３００℃以上の温度でアニ−ルしている。比較例に
ついてはその他に、ＩＩa 族を１５ａｔ％を越えて含有
させた場合も示した。
他に形成、熱処理条件の異なる比較例も製作し検討して
いる。１〜６が本発明の実施例である。７〜１１が比較
例である。その内、７及び８については前期の特開昭６
１−２５６２３３、特開平２−７６２０１、特開平２−
１５２２０１に開示された方法で歪抵抗膜を形成したも
のである。これらの歪抵抗膜を表２に示すように、大気
中または窒素雰囲気でアニ−ルした。実施例については
全て３００℃以上の温度でアニ−ルしている。比較例に
ついてはその他に、ＩＩa 族を１５ａｔ％を越えて含有
させた場合も示した。
【００２７】この後、薄膜Ｘ線回折法によって結晶構造
を解析し、さらにＥＳＣＡによって膜中のＩＩa 族含有
量を分析した。実施例にかかる歪抵抗膜は、ｂｃｃＣｒ
とＩＩa 族酸化物多結晶体の混合物であった。比較例
は、７ではＣｒとＯよりなる完全なアモルファスになっ
ている。アニ−ルをしている比較例８〜１１は、ｂｃｃ
ＣｒとＩＩa 族酸化物多結晶体であった。
を解析し、さらにＥＳＣＡによって膜中のＩＩa 族含有
量を分析した。実施例にかかる歪抵抗膜は、ｂｃｃＣｒ
とＩＩa 族酸化物多結晶体の混合物であった。比較例
は、７ではＣｒとＯよりなる完全なアモルファスになっ
ている。アニ−ルをしている比較例８〜１１は、ｂｃｃ
ＣｒとＩＩa 族酸化物多結晶体であった。
【００２８】本発明の場合はＩＩa 族元素Ｍｇ、Ｃａ、
Ｂａ、Ｂｅを２重量％〜１５重量％含有し、歪抵抗膜の
形成時に基板温度を２００℃以上にし、形成後３００℃
以上でアニ−ルするということが条件となる。
Ｂａ、Ｂｅを２重量％〜１５重量％含有し、歪抵抗膜の
形成時に基板温度を２００℃以上にし、形成後３００℃
以上でアニ−ルするということが条件となる。
【００２９】実施例１は主体であるＣｒの他に、２．０
％のＭｇを含む。これは基板温度２５０℃で真空蒸着で
形成されたものである。大気中で３００℃でアニ−ルし
ている。これはｂｃｃＣｒと多結晶ＭｇＯ（ＮａＣｌ
型）の混合物であった。以下主体となるＣｒは省いて説
明する。
％のＭｇを含む。これは基板温度２５０℃で真空蒸着で
形成されたものである。大気中で３００℃でアニ−ルし
ている。これはｂｃｃＣｒと多結晶ＭｇＯ（ＮａＣｌ
型）の混合物であった。以下主体となるＣｒは省いて説
明する。
【００３０】実施例２は、４．５％のＭｇを含む。これ
は基板温度が２５０℃でスパッタリングによって形成さ
れたものである。その後大気中で３００℃でアニ−ルし
ている。これもｂｃｃＣｒと多結晶ＭｇＯ（ＮａＣｌ
型）の混合物である。
は基板温度が２５０℃でスパッタリングによって形成さ
れたものである。その後大気中で３００℃でアニ−ルし
ている。これもｂｃｃＣｒと多結晶ＭｇＯ（ＮａＣｌ
型）の混合物である。
【００３１】実施例３は、３．２％のＣａを含む。基板
温度２００℃でスパッタリングしたものである。その後
３００℃の大気中でアニ−ルしている。ｂｃｃＣｒと多
結晶ＣａＯ（ＮａＣｌ型）よりなる。
温度２００℃でスパッタリングしたものである。その後
３００℃の大気中でアニ−ルしている。ｂｃｃＣｒと多
結晶ＣａＯ（ＮａＣｌ型）よりなる。
【００３２】実施例４は、５．６％のＢａを含む。基板
温度２００℃でスパッタリングしている。３００℃で窒
素雰囲気中でアニ−ルした。これもｂｃｃＣｒと多結晶
ＢａＯ（ＮａＣｌ型）よりなるものである。
温度２００℃でスパッタリングしている。３００℃で窒
素雰囲気中でアニ−ルした。これもｂｃｃＣｒと多結晶
ＢａＯ（ＮａＣｌ型）よりなるものである。
【００３３】実施例５は、８．２％のＢｅを含む。基板
温度２５０℃でスパッタリングされたものである。窒素
雰囲気中３００℃でアニ−ルした。これもｂｃｃＣｒと
多結晶ＢｅＯ（ウルツ鉱型）よりなる。
温度２５０℃でスパッタリングされたものである。窒素
雰囲気中３００℃でアニ−ルした。これもｂｃｃＣｒと
多結晶ＢｅＯ（ウルツ鉱型）よりなる。
【００３４】実施例６は５％のＭｇと、４％のＢａを含
む。基板温度２５０℃で真空蒸着されたものである。そ
の後大気中３５０℃でアニ−ルした。これもｂｃｃＣｒ
と多結晶ＭｇＯ＋ＢａＯ（いずれもＮａＣｌ型）よりな
る。
む。基板温度２５０℃で真空蒸着されたものである。そ
の後大気中３５０℃でアニ−ルした。これもｂｃｃＣｒ
と多結晶ＭｇＯ＋ＢａＯ（いずれもＮａＣｌ型）よりな
る。
【００３５】比較例７は、基板を室温に保ち真空蒸着し
ている。アニ−ルをしていない。このためｂｃｃＣｒが
生成されず構造の定まらないアモルファスＣｒＯx のみ
となっている。
ている。アニ−ルをしていない。このためｂｃｃＣｒが
生成されず構造の定まらないアモルファスＣｒＯx のみ
となっている。
【００３６】比較例８は、基板室温でスパッタリングし
ている。形成後大気中３００℃でアニ−ルしている。ｂ
ｃｃＣｒは形成されるが、残りはアモルファスＣｒＯx
になっている。
ている。形成後大気中３００℃でアニ−ルしている。ｂ
ｃｃＣｒは形成されるが、残りはアモルファスＣｒＯx
になっている。
【００３７】比較例９は、１６％のＭｇを含む。これも
基板室温でスパッタリングしている。その後大気中３０
０℃でアニ−ルしており、ｂｃｃＣｒとアモルファス成
分が残ったものとなっている。
基板室温でスパッタリングしている。その後大気中３０
０℃でアニ−ルしており、ｂｃｃＣｒとアモルファス成
分が残ったものとなっている。
【００３８】比較例１０は、２０％のＭｇを含む。基板
温度を２００℃にしてスパッタリングしている。その後
３００℃で窒素雰囲気中アニ−ルしている。構造的には
ｂｃｃＣｒとＭｇＯ（ＮａＣｌ型）になっている。
温度を２００℃にしてスパッタリングしている。その後
３００℃で窒素雰囲気中アニ−ルしている。構造的には
ｂｃｃＣｒとＭｇＯ（ＮａＣｌ型）になっている。
【００３９】比較例１１は、１６％のＢａを含む。基板
温度２００℃でスパッタリングしている。大気中３００
℃でアニ−ルしている。これも構造的にはｂｃｃＣｒと
ＢａＯ（ＮａＣｌ型）になっている。
温度２００℃でスパッタリングしている。大気中３００
℃でアニ−ルしている。これも構造的にはｂｃｃＣｒと
ＢａＯ（ＮａＣｌ型）になっている。
【００４０】これらの比較例から基板を加熱しないでＣ
ｒ、ＩＩa 族元素を真空蒸着あるいはスパッタリングす
ると、基板上にはアモルファスＣｒＯx が形成され、後
にアニ−ルをすると、ｂｃｃＣｒがアモルファスＣｒＯ
x の中に形成され成長して行くということが分かる。し
かし形成後にアニ−ルをしてもアモルファスＣｒＯxが
残ることが分かる。
ｒ、ＩＩa 族元素を真空蒸着あるいはスパッタリングす
ると、基板上にはアモルファスＣｒＯx が形成され、後
にアニ−ルをすると、ｂｃｃＣｒがアモルファスＣｒＯ
x の中に形成され成長して行くということが分かる。し
かし形成後にアニ−ルをしてもアモルファスＣｒＯxが
残ることが分かる。
【００４１】これらの歪抵抗膜に真空蒸着法により、順
次Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕの多層電極を形成した。これはオ−
ミック接続電極である。この素子の構造を図１に示す。
ステンレス鋼のダイヤフラム１の上に絶縁膜（ＳｉＯ
2 ）２が形成され、さらにその上に歪抵抗膜３がある。
多層電極４は歪抵抗膜３の端部に形成され、電流を流す
ことができるようになっている。これらの試料１〜１１
について抵抗値Ｒ、ゲ−ジ率、抵抗温度係数ＴＣＲ、感
度温度係数ＴＣＳ、ブリッジ内でのこれらのバラツキを
測定した。これを表３に示した。
次Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕの多層電極を形成した。これはオ−
ミック接続電極である。この素子の構造を図１に示す。
ステンレス鋼のダイヤフラム１の上に絶縁膜（ＳｉＯ
2 ）２が形成され、さらにその上に歪抵抗膜３がある。
多層電極４は歪抵抗膜３の端部に形成され、電流を流す
ことができるようになっている。これらの試料１〜１１
について抵抗値Ｒ、ゲ−ジ率、抵抗温度係数ＴＣＲ、感
度温度係数ＴＣＳ、ブリッジ内でのこれらのバラツキを
測定した。これを表３に示した。
【００４２】
【表３】
【００４３】表３に示すように、基板温度２００℃以上
でアニ−ル温度３００℃以上で熱処理することによりＴ
ＣＲ、ＴＣＳの絶対値が小さくなるのみならずブリッジ
内のバラツキが向上している事がわかる。また表３中、
特に窒素雰囲気でアニ−ルした場合には、膜中酸素量が
少なくできるため更なるバラツキ向上が可能となった。
これに対し比較例ではＩＩa 族を含有させない場合には
ＴＣＲ、ＴＣＳの絶対値が大きいのみならずブリッジ内
のバラツキも大きい。またＩＩa 族の含有量が１５ａｔ
％を越える場合も材料特性が低下するため好ましくない
事が明らかである。
でアニ−ル温度３００℃以上で熱処理することによりＴ
ＣＲ、ＴＣＳの絶対値が小さくなるのみならずブリッジ
内のバラツキが向上している事がわかる。また表３中、
特に窒素雰囲気でアニ−ルした場合には、膜中酸素量が
少なくできるため更なるバラツキ向上が可能となった。
これに対し比較例ではＩＩa 族を含有させない場合には
ＴＣＲ、ＴＣＳの絶対値が大きいのみならずブリッジ内
のバラツキも大きい。またＩＩa 族の含有量が１５ａｔ
％を越える場合も材料特性が低下するため好ましくない
事が明らかである。
【００４４】薄膜形成時の基板加熱温度は２００℃以上
である。薄膜形成後のアニ−ルの温度は３００℃以上で
ある。これらは加熱の下限を与える。加熱の上限は基板
の性質による。基板を劣化させない程度の温度で熱処理
しなければならない。例えばＳＵＳ６３１の上にＳｉＯ
2 の絶縁膜を形成した基板であれば、薄膜形成時の加熱
温度、アニ−ル時の加熱温度は６００℃以下であること
が望ましい。
である。薄膜形成後のアニ−ルの温度は３００℃以上で
ある。これらは加熱の下限を与える。加熱の上限は基板
の性質による。基板を劣化させない程度の温度で熱処理
しなければならない。例えばＳＵＳ６３１の上にＳｉＯ
2 の絶縁膜を形成した基板であれば、薄膜形成時の加熱
温度、アニ−ル時の加熱温度は６００℃以下であること
が望ましい。
【００４５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、１０程度の高いゲ−ジ率と、１５０ｐｐｍ／℃
以下のＴＣＲと、７０ｐｐｍ／℃以下１０００ｐｐｍ／
℃以下のＴＣＳを同時に有するだけでなくブリッジ内バ
ラツキの小さい歪抵抗膜を得る事ができる。
よれば、１０程度の高いゲ−ジ率と、１５０ｐｐｍ／℃
以下のＴＣＲと、７０ｐｐｍ／℃以下１０００ｐｐｍ／
℃以下のＴＣＳを同時に有するだけでなくブリッジ内バ
ラツキの小さい歪抵抗膜を得る事ができる。
【図１】薄膜歪抵抗材料を用いた歪みセンサの断面図。
１ ステンレス鋼ダイヤフラム ２ 絶縁膜 ３ 歪抵抗膜 ４ 多層電極 ５ Ｔｉ ６ Ｎｉ ７ Ａｕ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡本 曉 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号住友電 気工業株式会社伊丹製作所内
Claims (5)
- 【請求項１】 クロムを主体とし、２〜１５原子％のＩ
Ｉa 族元素からなり、基板の上に薄膜として形成された
事を特徴とする歪抵抗材料。 - 【請求項２】 クロムとＩＩa 族元素を原料とし、基板
の温度を２００℃以上に保ち、真空蒸着、スパッタリン
グまたはイオンプレ−テイング法で、基板の上にクロム
を主体とし、２〜１５原子％のＩＩa 族元素からなる薄
膜を形成し、その後、３００℃以上の温度で熱処理をす
る事を特徴とする歪抵抗材料の製造方法。 - 【請求項３】 クロムとＩＩa 族元素を原料とし、基板
の温度を２００℃以上に保ち、真空蒸着、スパッタリン
グまたはイオンプレ−テイング法で、基板の上に、クロ
ムを主体とし、２〜１５原子％のＩＩa 族元素からなる
薄膜を形成し、その後、実質的に非酸化雰囲気において
３００℃以上の温度で熱処理をする事を特徴とする歪抵
抗材料の製造方法。 - 【請求項４】 絶縁体基板または絶縁体を有する金属基
板の上に、クロムを主体とし、２〜１５原子％のＩＩa
族元素からなる薄膜歪抵抗材料を設け、さらに薄膜歪抵
抗材料の上にＴｉ／Ｎｉ／Ａｕの多層電極を設けたこと
を特徴とする薄膜歪センサ。 - 【請求項５】 ステンレス鋼ダイヤフラム基板の上に、
ＳｉＯ2 絶縁膜を形成し、さらにその上にクロムを主体
とし、２〜１５原子％のＩＩa 族元素からなる薄膜歪抵
抗材料を設けたことを特徴とする薄膜歪センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2196493A JPH06213612A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 歪抵抗材料とその製造方法および薄膜歪センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2196493A JPH06213612A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 歪抵抗材料とその製造方法および薄膜歪センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06213612A true JPH06213612A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=12069747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2196493A Pending JPH06213612A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 歪抵抗材料とその製造方法および薄膜歪センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06213612A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270201A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Res Inst Electric Magnetic Alloys | Ｃｒ−Ｎ基歪抵抗膜およびその製造法ならびに歪センサ |
| JP2006038540A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Nagano Keiki Co Ltd | 歪検出器およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-01-14 JP JP2196493A patent/JPH06213612A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270201A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Res Inst Electric Magnetic Alloys | Ｃｒ−Ｎ基歪抵抗膜およびその製造法ならびに歪センサ |
| JP2006038540A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Nagano Keiki Co Ltd | 歪検出器およびその製造方法 |
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