JPH06212430A - プラスチック基板表面の硬化保護膜の形成方法 - Google Patents
プラスチック基板表面の硬化保護膜の形成方法Info
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- JPH06212430A JPH06212430A JP6455491A JP6455491A JPH06212430A JP H06212430 A JPH06212430 A JP H06212430A JP 6455491 A JP6455491 A JP 6455491A JP 6455491 A JP6455491 A JP 6455491A JP H06212430 A JPH06212430 A JP H06212430A
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- Japan
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- plastic substrate
- gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高硬度、耐摩耗性及び耐擦傷性などが要求さ
れるプラスチック基板表面の硬化保護膜の形成方法。 【構成】 反応容器内で反応ガスをプラズマ化しプラス
チック基板表面に硬化保護膜を形成させるに当たり、先
ず反応ガスとしてシロキサン又はエトキシシランガスを
用い、該ガスのプラズマによりプラスチック基板表面に
Si−０−Ｃ系膜を下地として成膜し、次に上記ガスとＯ
2 の混合ガスのプラズマにより該Si−０−Ｃ系膜上にSi
Ｏ2 膜を形成させるプラスチック基板表面の硬化保護膜
の形成方法。
れるプラスチック基板表面の硬化保護膜の形成方法。 【構成】 反応容器内で反応ガスをプラズマ化しプラス
チック基板表面に硬化保護膜を形成させるに当たり、先
ず反応ガスとしてシロキサン又はエトキシシランガスを
用い、該ガスのプラズマによりプラスチック基板表面に
Si−０−Ｃ系膜を下地として成膜し、次に上記ガスとＯ
2 の混合ガスのプラズマにより該Si−０−Ｃ系膜上にSi
Ｏ2 膜を形成させるプラスチック基板表面の硬化保護膜
の形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はビルディング及び家屋な
どの窓材、航空機・船舶・自動車などの窓材及び電子材
料・光学材料・表示材料など、表面の性質として高硬
度、耐摩耗性及び耐擦傷性などが要求されるプラスチッ
ク基板表面の硬化保護膜の形成方法に関する。
どの窓材、航空機・船舶・自動車などの窓材及び電子材
料・光学材料・表示材料など、表面の性質として高硬
度、耐摩耗性及び耐擦傷性などが要求されるプラスチッ
ク基板表面の硬化保護膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、プラスチック表面を高硬度化し
て、耐摩耗性及び耐擦傷性を改良する技術として、以下
の図４に示すようなプラズマ重合法が試用されている。
て、耐摩耗性及び耐擦傷性を改良する技術として、以下
の図４に示すようなプラズマ重合法が試用されている。
【０００３】図４において、有機ケイ素化合物モノマー
０１はモノマー流量調整弁０２を介して真空容器０３に
導入される。真空容器０３には高周波電極０４とアース
電極０５が平行に設置され、該アース電極０５の上には
プラスチック基板０６が配置されている。高周波電極０
４にはマッチングボックス０７を介して、電源０８より
電力が供給される。なお、真空容器０３はバルブ０９を
介して真空ポンプ０１０によって真空引きされる。
０１はモノマー流量調整弁０２を介して真空容器０３に
導入される。真空容器０３には高周波電極０４とアース
電極０５が平行に設置され、該アース電極０５の上には
プラスチック基板０６が配置されている。高周波電極０
４にはマッチングボックス０７を介して、電源０８より
電力が供給される。なお、真空容器０３はバルブ０９を
介して真空ポンプ０１０によって真空引きされる。
【０００４】さて、図４において、プラスチック基板０
６に硬化保護膜を形成するには、真空容器０３を真空ポ
ンプ０１０で減圧し、例えば圧力を０．０１Torr程度に
設定する。次にモノマー流量調整弁０２を開いて、有機
ケイ素化合モノマー０１、例えばオクタメチルシクロテ
トラシロキサンを真空容器０３内に導入して、その圧力
を約５．０×１０-2Torrにする。次に、例えば周波数１
３．５６MHz の高周波電源０４より出力を約１００Ｗと
して、プラズマを発生させ５．０ないし８．０分間、高
硬度膜を上記プラスチック基板０６に堆積する。
６に硬化保護膜を形成するには、真空容器０３を真空ポ
ンプ０１０で減圧し、例えば圧力を０．０１Torr程度に
設定する。次にモノマー流量調整弁０２を開いて、有機
ケイ素化合モノマー０１、例えばオクタメチルシクロテ
トラシロキサンを真空容器０３内に導入して、その圧力
を約５．０×１０-2Torrにする。次に、例えば周波数１
３．５６MHz の高周波電源０４より出力を約１００Ｗと
して、プラズマを発生させ５．０ないし８．０分間、高
硬度膜を上記プラスチック基板０６に堆積する。
【０００５】以上のようにして得られる膜は、ケイ素、
酸素、炭素を組成にした高硬度の膜である。
酸素、炭素を組成にした高硬度の膜である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法で成膜され
たSiＯ2 系、SiC 系あるいはＣ系の薄膜は高硬度の膜で
はあるが、以下に示すような欠点があり実用には供せら
れないという問題がある。
たSiＯ2 系、SiC 系あるいはＣ系の薄膜は高硬度の膜で
はあるが、以下に示すような欠点があり実用には供せら
れないという問題がある。
【０００７】（ａ）SiＯ2 系、SiC 系あるいはＣ系の薄
膜は、Si，Ｏ，Ｃを主成分とする高硬度の膜であるが、
傷が付き易く、硬度がまだ十分に高くない。
膜は、Si，Ｏ，Ｃを主成分とする高硬度の膜であるが、
傷が付き易く、硬度がまだ十分に高くない。
【０００８】（ｂ）プラスチック基板と該高硬度膜の結
合力が十分に強くないので、該高硬度膜はプラスチック
基板から剥離し易い。
合力が十分に強くないので、該高硬度膜はプラスチック
基板から剥離し易い。
【０００９】本発明は上記技術水準に鑑み、従来法で得
られるような不具合のない硬化保護膜をプラスチック基
板表面に形成させる方法を提供しようとするものであ
る。
られるような不具合のない硬化保護膜をプラスチック基
板表面に形成させる方法を提供しようとするものであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記従来法
の欠点を解消するため、鋭意研究した結果、プラスチッ
ク基板表面に予め、Si，Ｏ，Ｃを主成分とする有機系の
薄膜を成膜したあと、その薄膜の上に高硬度としての無
機系のSiＯ2 膜を成膜する方法、すなわち、プラスチッ
ク基板との結合が強く、かつ、SiＯ2 膜との結合が強い
Si，Ｏ，Ｃを主成分とするSi−Ｃ−Ｏ系の膜を下地層と
して用い、その上にSiＯ2 膜を積層させることが著しく
効果的であることを見出し、その知見に基づいて本発明
を完成するに至った。
の欠点を解消するため、鋭意研究した結果、プラスチッ
ク基板表面に予め、Si，Ｏ，Ｃを主成分とする有機系の
薄膜を成膜したあと、その薄膜の上に高硬度としての無
機系のSiＯ2 膜を成膜する方法、すなわち、プラスチッ
ク基板との結合が強く、かつ、SiＯ2 膜との結合が強い
Si，Ｏ，Ｃを主成分とするSi−Ｃ−Ｏ系の膜を下地層と
して用い、その上にSiＯ2 膜を積層させることが著しく
効果的であることを見出し、その知見に基づいて本発明
を完成するに至った。
【００１１】すなわち、本発明は反応容器内で反応ガス
をプラズマ化しプラスチック基板表面に硬化保護膜を形
成させるに当たり、先ず反応ガスとしてシロキサン又は
エトキシシランガスを用い、該ガスのプラズマによりプ
ラスチック基板表面にSi−Ｏ−Ｃ系膜を下地として成膜
し、次に上記ガスとＯ2 との混合ガスのブラズマにより
該Si−Ｏ−Ｃ系膜上にSiＯ2 膜を形成させることを特徴
とするプラスチック基板表面の硬化保護膜の形成方法で
ある。
をプラズマ化しプラスチック基板表面に硬化保護膜を形
成させるに当たり、先ず反応ガスとしてシロキサン又は
エトキシシランガスを用い、該ガスのプラズマによりプ
ラスチック基板表面にSi−Ｏ−Ｃ系膜を下地として成膜
し、次に上記ガスとＯ2 との混合ガスのブラズマにより
該Si−Ｏ−Ｃ系膜上にSiＯ2 膜を形成させることを特徴
とするプラスチック基板表面の硬化保護膜の形成方法で
ある。
【００１２】
【作用】本発明において、先ずプラスチック基板表面に
Si−Ｏ−Ｃ系膜の下地を成膜するシロキサン又はエトキ
シシランとしては、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサ
メチルトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロ
キサンなどやテトラエトキシシラン、ジエトキシジメチ
ルシラン、メチルトリエトキシシランなどのようなもの
があげられ、Si−Ｏ−Ｃ系膜の下地の上にSiＯ2 膜を成
膜するものとしては上記シロキサン又はエトキシシラン
とＯ2 の混合ガスが用いられる。
Si−Ｏ−Ｃ系膜の下地を成膜するシロキサン又はエトキ
シシランとしては、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサ
メチルトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロ
キサンなどやテトラエトキシシラン、ジエトキシジメチ
ルシラン、メチルトリエトキシシランなどのようなもの
があげられ、Si−Ｏ−Ｃ系膜の下地の上にSiＯ2 膜を成
膜するものとしては上記シロキサン又はエトキシシラン
とＯ2 の混合ガスが用いられる。
【００１３】
（例１）以下、本発明の一実施例を図１に示す装置に基
づき説明する。１は反応容器で、その中にプラスチック
基板２、及びプラズマを発生させる電極１３，１４が設
置されている。３は第１の原料ガスであるシロキサン又
はエトキシシランの供給源で、第１の流量調整器４及び
第１の弁５を介して反応容器１にそのガスを供給する。
６は第２の原料ガスの酸素供給源で、第２の流量調整器
７及び第２の弁８を介して反応容器１にそのガスを供給
する。９は第１の真空ポンプで、第３の弁１０を介して
反応容器１の中のガスを排出する。１１は第２の真空ポ
ンプで、第４の弁１２を介して反応容器１の中のガスを
排出する。１３は電極で、高周波電源１７よりマッチン
グボックス１６及び電流導入端子１５を介して電力が供
給され、アース電極１４と組み合わせて使用される。１
４はアース電極で反応容器１と電気的に導通になってお
り、上記電極１３と組み合わせて使用することにより反
応容器１の中のガスをグロー放電プラズマにする。１８
は真空計である。
づき説明する。１は反応容器で、その中にプラスチック
基板２、及びプラズマを発生させる電極１３，１４が設
置されている。３は第１の原料ガスであるシロキサン又
はエトキシシランの供給源で、第１の流量調整器４及び
第１の弁５を介して反応容器１にそのガスを供給する。
６は第２の原料ガスの酸素供給源で、第２の流量調整器
７及び第２の弁８を介して反応容器１にそのガスを供給
する。９は第１の真空ポンプで、第３の弁１０を介して
反応容器１の中のガスを排出する。１１は第２の真空ポ
ンプで、第４の弁１２を介して反応容器１の中のガスを
排出する。１３は電極で、高周波電源１７よりマッチン
グボックス１６及び電流導入端子１５を介して電力が供
給され、アース電極１４と組み合わせて使用される。１
４はアース電極で反応容器１と電気的に導通になってお
り、上記電極１３と組み合わせて使用することにより反
応容器１の中のガスをグロー放電プラズマにする。１８
は真空計である。
【００１４】図１に示した装置によって、プラスチック
基板（ポリカーボネート基板）２を図示のように、電極
１３及びアース電極１４の間に設置する。第１及び第２
の真空ポンプ９，１１を作動させて反応容器１内を排気
し、約１×１０-6〜１×１０ -7Torrの真空度に到達させ
る。次に第４の弁１２を閉にし、第１の弁５を開にし
て、第１の流量調整器４を用いて、ヘキサメチルジシロ
キサンを反応容器１の中へ、約５０cc／分の流量で供給
する。なお、この場合、反応容器の圧力は約０．０２To
rrであった。
基板（ポリカーボネート基板）２を図示のように、電極
１３及びアース電極１４の間に設置する。第１及び第２
の真空ポンプ９，１１を作動させて反応容器１内を排気
し、約１×１０-6〜１×１０ -7Torrの真空度に到達させ
る。次に第４の弁１２を閉にし、第１の弁５を開にし
て、第１の流量調整器４を用いて、ヘキサメチルジシロ
キサンを反応容器１の中へ、約５０cc／分の流量で供給
する。なお、この場合、反応容器の圧力は約０．０２To
rrであった。
【００１５】高周波電源１７からマッチングボックス１
６及び電流導入端子１５を介して、電極１３及びアース
電極１４に高周波電力を供給すると、ヘキサメチルジシ
ロキサンはグロー放電プラズマ化される。この場合、原
料ガスのヘキサメチルジシロキサンのガスが解離し、S
i，Ｃ，Ｏなどから構成されるSi−Ｏ−Ｃ系薄膜がプラ
スチック基板２に堆積する。なお、ヘキサメチルジシロ
キサンに加えて、図示していないが、Ar，He，Neなどの
希ガスを上記原料ガスと同程度の流量で混入させ、プラ
ズマ化を容易に行わせることもできる。
６及び電流導入端子１５を介して、電極１３及びアース
電極１４に高周波電力を供給すると、ヘキサメチルジシ
ロキサンはグロー放電プラズマ化される。この場合、原
料ガスのヘキサメチルジシロキサンのガスが解離し、S
i，Ｃ，Ｏなどから構成されるSi−Ｏ−Ｃ系薄膜がプラ
スチック基板２に堆積する。なお、ヘキサメチルジシロ
キサンに加えて、図示していないが、Ar，He，Neなどの
希ガスを上記原料ガスと同程度の流量で混入させ、プラ
ズマ化を容易に行わせることもできる。
【００１６】次に、第２の弁８を開にして、第２の原料
ガスの酸素供給源６より第２の流量調整器７及び弁８を
介して、反応容器１の中へ、約１００cc／分の流量で酸
素を供給させる。そうすると、ヘキサメチルジシロキサ
ンと上記酸素の混合ガスが上記電極１３，１４の間でグ
ロー放電プラズマ化され、プラズマＣＶＤ現象によりSi
Ｏ2 系の膜が上記Si−Ｏ−Ｃ系膜の上に堆積する。
ガスの酸素供給源６より第２の流量調整器７及び弁８を
介して、反応容器１の中へ、約１００cc／分の流量で酸
素を供給させる。そうすると、ヘキサメチルジシロキサ
ンと上記酸素の混合ガスが上記電極１３，１４の間でグ
ロー放電プラズマ化され、プラズマＣＶＤ現象によりSi
Ｏ2 系の膜が上記Si−Ｏ−Ｃ系膜の上に堆積する。
【００１７】なお、上記成膜実験では、Si−Ｏ−Ｃ系膜
の成膜時間は約１０分間、SiＯ2 系膜の成膜は約３０分
間であったが、図２に示すように、基板上に２種類の膜
を積層している。
の成膜時間は約１０分間、SiＯ2 系膜の成膜は約３０分
間であったが、図２に示すように、基板上に２種類の膜
を積層している。
【００１８】この例１では、基板にポリカーボネート板
を使用したが、得られた膜の組成分析をＥＳＣＡ（Elec
tron Spectroscopy for Chemical Analysis ）で測定し
た。その結果を図３に示す。この図３によれば、基板上
にSi−Ｏ−Ｃ系膜が存在し、その上にSiＯ2 系膜が堆積
していることが判る。得られた膜の付着強度は、接着テ
ープ貼付による引きはがし方法で調査した結果、非常に
強いことが判った。
を使用したが、得られた膜の組成分析をＥＳＣＡ（Elec
tron Spectroscopy for Chemical Analysis ）で測定し
た。その結果を図３に示す。この図３によれば、基板上
にSi−Ｏ−Ｃ系膜が存在し、その上にSiＯ2 系膜が堆積
していることが判る。得られた膜の付着強度は、接着テ
ープ貼付による引きはがし方法で調査した結果、非常に
強いことが判った。
【００１９】なお、上記例１では、SiＯ2 系膜を成膜す
るのに、ヘキサメチルジシロキサンとＯ2 の混合ガスを
用いた例を説明したが、ヘキサメチルジシロキサンに代
えてテトラエトキシシラン、ヘキサメチルトリシロキサ
ン、ジエトキシジメチルシラン、メチルトリエトキシシ
ランなどのケイ素有機系化合物ガスを用いても、上記の
膜とほぼ同じ高硬度でかつ、プラスチック基板との結合
力の強い膜が得られた。
るのに、ヘキサメチルジシロキサンとＯ2 の混合ガスを
用いた例を説明したが、ヘキサメチルジシロキサンに代
えてテトラエトキシシラン、ヘキサメチルトリシロキサ
ン、ジエトキシジメチルシラン、メチルトリエトキシシ
ランなどのケイ素有機系化合物ガスを用いても、上記の
膜とほぼ同じ高硬度でかつ、プラスチック基板との結合
力の強い膜が得られた。
【００２０】（例２）例１に示した図１の装置及び該装
置の操作条件の下で、例１に使用したヘキサメチルジシ
ロキサンの代わりにヘキサメチルトリシロキサンを使用
して、ポリカーボネート基板上にSi−Ｏ−Ｃ系膜を下地
として成膜し、続いてヘキサメチルトリシロキサンに例
１と同じ条件で酸素を供給し例１と同様に操作し、Si−
Ｏ−Ｃ系膜の上にSiＯ2 系膜を形成させることにより、
前記図２に示したような基板上に２種類の膜を積層させ
た。
置の操作条件の下で、例１に使用したヘキサメチルジシ
ロキサンの代わりにヘキサメチルトリシロキサンを使用
して、ポリカーボネート基板上にSi−Ｏ−Ｃ系膜を下地
として成膜し、続いてヘキサメチルトリシロキサンに例
１と同じ条件で酸素を供給し例１と同様に操作し、Si−
Ｏ−Ｃ系膜の上にSiＯ2 系膜を形成させることにより、
前記図２に示したような基板上に２種類の膜を積層させ
た。
【００２１】得られた膜をＥＳＣＡで測定した結果は図
３とほぼ同様であり、得られた膜の付着強度は例１のも
のと同程度で非常に強いことが判った。
３とほぼ同様であり、得られた膜の付着強度は例１のも
のと同程度で非常に強いことが判った。
【００２２】なお、上記例２では、SiＯ2 系膜を成膜す
るのに、ヘキサメチルトリシロキサンとＯ2 の混合ガス
を用いた例を説明したが、ヘキサメチルトリシロキサン
に代えてテトラエトキシシラン、ヘキサメチルトリシロ
キサン、ヘキサメチルジシロキサン、メチルトリエトキ
シシランなどケイ素有機系化合物ガスを用いても、上記
の膜とほぼ同じ高硬度でかつ、プラスチック基板との結
合力の強い膜が得られた。
るのに、ヘキサメチルトリシロキサンとＯ2 の混合ガス
を用いた例を説明したが、ヘキサメチルトリシロキサン
に代えてテトラエトキシシラン、ヘキサメチルトリシロ
キサン、ヘキサメチルジシロキサン、メチルトリエトキ
シシランなどケイ素有機系化合物ガスを用いても、上記
の膜とほぼ同じ高硬度でかつ、プラスチック基板との結
合力の強い膜が得られた。
【００２３】（例３）例１に示した図１の装置及び該装
置の操作条件の下で、例１に使用したヘキサメチルジシ
ロキサンの代わりにメチルトリエトキシシランを使用し
て、ポリカーボネート基板上にSi−Ｏ−Ｃ系膜を下地と
して成膜し、続いてメチルトリエトキシシランに例１と
同じ条件で酸素を供給し例１と同様に操作し、Si−Ｏ−
Ｃ系膜の上にSiＯ2 系膜を形成させることにより、前記
図２に示したような基板上に２種類の膜を積層させた。
置の操作条件の下で、例１に使用したヘキサメチルジシ
ロキサンの代わりにメチルトリエトキシシランを使用し
て、ポリカーボネート基板上にSi−Ｏ−Ｃ系膜を下地と
して成膜し、続いてメチルトリエトキシシランに例１と
同じ条件で酸素を供給し例１と同様に操作し、Si−Ｏ−
Ｃ系膜の上にSiＯ2 系膜を形成させることにより、前記
図２に示したような基板上に２種類の膜を積層させた。
【００２４】得られた膜をＥＳＣＡで測定した結果は図
３とほぼ同様であり、得られた膜の付着強度は例１のも
のと同程度で非常に強いことが判った。
３とほぼ同様であり、得られた膜の付着強度は例１のも
のと同程度で非常に強いことが判った。
【００２５】なお、上記例３では、SiＯ2 系膜を成膜す
るのに、メチルトリエトキシシランとＯ2 の混合ガスを
用いた例を説明したが、メチルトリエトキシシランに代
えてテトラエトキシシラン、ヘキサメチルトリシロキサ
ン、ヘキサメチルジシロキサン、メチルトリエトキシシ
ランなどのケイ素有機系化合物ガスを用いても、上記の
膜とほぼ同じ高硬度でかつ、プラスチック基板との結合
力の強い膜が得られた。
るのに、メチルトリエトキシシランとＯ2 の混合ガスを
用いた例を説明したが、メチルトリエトキシシランに代
えてテトラエトキシシラン、ヘキサメチルトリシロキサ
ン、ヘキサメチルジシロキサン、メチルトリエトキシシ
ランなどのケイ素有機系化合物ガスを用いても、上記の
膜とほぼ同じ高硬度でかつ、プラスチック基板との結合
力の強い膜が得られた。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、ビルディング及び家屋
などの窓材、航空機・船舶・自動車などの窓材、及び電
子材料、光学材料、表示材料など、表面の性質として高
硬度、耐摩耗性及び耐擦傷性などが要求されるプラスチ
ック基板表面硬化保護膜が得られ、工業上顕著な効果を
奏する。
などの窓材、航空機・船舶・自動車などの窓材、及び電
子材料、光学材料、表示材料など、表面の性質として高
硬度、耐摩耗性及び耐擦傷性などが要求されるプラスチ
ック基板表面硬化保護膜が得られ、工業上顕著な効果を
奏する。
【図１】本発明の一実施例において使用した装置の説明
図。
図。
【図２】本発明の例１で製作した表面硬化膜の断面模式
図。
図。
【図３】本発明の例１で製作した表面硬化膜の成分分析
結果の図表。
結果の図表。
【図４】従来のプラスチック表面の高硬度化装置の説明
図。
図。
Claims (1)
- 【請求項１】 反応容器内で反応ガスをプラズマ化しプ
ラスチック基板表面に硬化保護膜を形成させるに当た
り、先ず反応ガスとしてシロキサン又はエトキシシラン
ガスを用い、該ガスのプラズマによりプラスチック基板
表面にSi−Ｏ−Ｃ系膜を下地として成膜し、次に上記ガ
スとＯ2 との混合ガスのブラズマにより該Si−Ｏ−Ｃ系
膜上にSiＯ2 膜を形成させることを特徴とするプラスチ
ック基板表面の硬化保護膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6455491A JPH06212430A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | プラスチック基板表面の硬化保護膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6455491A JPH06212430A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | プラスチック基板表面の硬化保護膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06212430A true JPH06212430A (ja) | 1994-08-02 |
Family
ID=13261563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6455491A Withdrawn JPH06212430A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | プラスチック基板表面の硬化保護膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06212430A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004087989A1 (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Toyo Seikan Kaisha, Ltd. | プラズマcvd法による化学蒸着膜及びその形成方法 |
| JP2011122196A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Ulvac Japan Ltd | 車両用窓ガラスとその製造方法 |
| JP2017088916A (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-25 | 株式会社神戸製鋼所 | シリコン原料を用いる成膜装置 |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP6455491A patent/JPH06212430A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004087989A1 (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-14 | Toyo Seikan Kaisha, Ltd. | プラズマcvd法による化学蒸着膜及びその形成方法 |
| US7488683B2 (en) | 2003-03-28 | 2009-02-10 | Toyo Seikan Kaisha, Ltd. | Chemical vapor deposited film based on a plasma CVD method and method of forming the film |
| JP2011122196A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Ulvac Japan Ltd | 車両用窓ガラスとその製造方法 |
| JP2017088916A (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-25 | 株式会社神戸製鋼所 | シリコン原料を用いる成膜装置 |
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