JPH06208996A - 半導体装置の洗浄方法 - Google Patents
半導体装置の洗浄方法Info
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- JPH06208996A JPH06208996A JP279793A JP279793A JPH06208996A JP H06208996 A JPH06208996 A JP H06208996A JP 279793 A JP279793 A JP 279793A JP 279793 A JP279793 A JP 279793A JP H06208996 A JPH06208996 A JP H06208996A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】Ｃｕを含有したＡｌ合金からなる配線層が露出
した半導体装置を洗浄した際に、前記配線層にピットが
発生することを抑制することができ、十分な水洗を行う
ことが可能な半導体装置の洗浄方法を提供する。 【構成】Ｃｕを含むＡｌ合金からなる配線層の露出表面
に、保護酸化膜９を形成した後、リンス処理や水洗処理
を行う。
した半導体装置を洗浄した際に、前記配線層にピットが
発生することを抑制することができ、十分な水洗を行う
ことが可能な半導体装置の洗浄方法を提供する。 【構成】Ｃｕを含むＡｌ合金からなる配線層の露出表面
に、保護酸化膜９を形成した後、リンス処理や水洗処理
を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の洗浄方法
に係り、特に、銅（Ｃｕ）を含有したアルミニウム（Ａ
ｌ）合金からなる配線層が露出した半導体装置を洗浄す
る方法に関する。
に係り、特に、銅（Ｃｕ）を含有したアルミニウム（Ａ
ｌ）合金からなる配線層が露出した半導体装置を洗浄す
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体装置の配線を構成する
配線材料として、低抵抗で加工性に優れたＡｌやＡｌ合
金が、広く一般的に使用されている。例えば、多層配線
構造を有する半導体装置では、一般的に、半導体基板上
に酸化膜を介して、前記ＡｌやＡｌ合金からなる下層配
線を形成した後、この下層配線上に層間絶縁膜を形成
し、この層間絶縁膜に、後に形成する上層配線との接続
を取るためのビアホールを開口して、前記下層配線の一
部を露出した後、前記スパッタ法により当該層間絶縁膜
上にＡｌやＡｌ合金層を形成し、前記ビアホールを介し
て下層配線と接続する上層配線を形成している。
配線材料として、低抵抗で加工性に優れたＡｌやＡｌ合
金が、広く一般的に使用されている。例えば、多層配線
構造を有する半導体装置では、一般的に、半導体基板上
に酸化膜を介して、前記ＡｌやＡｌ合金からなる下層配
線を形成した後、この下層配線上に層間絶縁膜を形成
し、この層間絶縁膜に、後に形成する上層配線との接続
を取るためのビアホールを開口して、前記下層配線の一
部を露出した後、前記スパッタ法により当該層間絶縁膜
上にＡｌやＡｌ合金層を形成し、前記ビアホールを介し
て下層配線と接続する上層配線を形成している。
【０００３】前記ビアホールの開口工程では、前記層間
絶縁膜上に、ビアホール開口用マスクとしてレジストパ
ターンを形成し、これをマスクとした異方性エッチング
を行うが、この時、前記レジストとエッチングガス、さ
らに下層配線からスパッタされた物質が主成分となっ
て、前記ビアホールの側壁にポリマー状の付着物が形成
される。この付着物は、レジスト除去のために行うアッ
シング処理では除去できず、その側壁に残存する。この
ポリマー状の付着物が残存すると、前記ビアホールの開
口に続いて行う上層配線形成のためのＡｌ合金のスパッ
タの際に、当該ビアホール内において、下層配線と上層
配線との間に正常な界面が形成されることを妨げ、導通
不良の原因となるという問題があった。
絶縁膜上に、ビアホール開口用マスクとしてレジストパ
ターンを形成し、これをマスクとした異方性エッチング
を行うが、この時、前記レジストとエッチングガス、さ
らに下層配線からスパッタされた物質が主成分となっ
て、前記ビアホールの側壁にポリマー状の付着物が形成
される。この付着物は、レジスト除去のために行うアッ
シング処理では除去できず、その側壁に残存する。この
ポリマー状の付着物が残存すると、前記ビアホールの開
口に続いて行う上層配線形成のためのＡｌ合金のスパッ
タの際に、当該ビアホール内において、下層配線と上層
配線との間に正常な界面が形成されることを妨げ、導通
不良の原因となるという問題があった。
【０００４】そこで、従来から、このポリマー状の付着
物を除去するため、前記下層配線上に層間絶縁膜を形成
した後、有機洗浄と呼ばれる洗浄処理が行われている。
この有機洗浄工程では、先ず、加熱した剥離液に半導体
基板を浸し、前記ビアホールの側壁に残存した付着物や
レジストの除去が行われる。この洗浄工程で使用する剥
離液としては、前記付着物の除去効果が向上することか
ら、アミンを主成分とするものが広く使用されている。
物を除去するため、前記下層配線上に層間絶縁膜を形成
した後、有機洗浄と呼ばれる洗浄処理が行われている。
この有機洗浄工程では、先ず、加熱した剥離液に半導体
基板を浸し、前記ビアホールの側壁に残存した付着物や
レジストの除去が行われる。この洗浄工程で使用する剥
離液としては、前記付着物の除去効果が向上することか
ら、アミンを主成分とするものが広く使用されている。
【０００５】しかしながら、前記アミンを含む剥離液と
水とが混合すると、強アルカリ性となるため、金属が腐
食されてしまう。このため、前記剥離液による剥離処理
後、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等のリンス液を
用いて、前記半導体基板から当該剥離液を除去した後、
水洗・乾燥処理を行っている。前記水洗には、ＱＤＲ
（Quick Dump Rinse；クイックダンプリンス）やオーバ
ーフローリンス等が用いられ、乾燥は、スピンドライヤ
ー等で行われている。
水とが混合すると、強アルカリ性となるため、金属が腐
食されてしまう。このため、前記剥離液による剥離処理
後、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等のリンス液を
用いて、前記半導体基板から当該剥離液を除去した後、
水洗・乾燥処理を行っている。前記水洗には、ＱＤＲ
（Quick Dump Rinse；クイックダンプリンス）やオーバ
ーフローリンス等が用いられ、乾燥は、スピンドライヤ
ー等で行われている。
【０００６】また、近年では、素子の微細化及び高集積
化に伴い、エレクトロマイグレーション、ストレスマイ
グレーションによる配線の断線が問題となっている。こ
のため、配線材料として、よりマイグレーション耐性の
高い、Ｃｕを含有したＡｌ合金が使用されてきている。
さらには、前記Ｃｕを含有したＡｌ合金に、チタンナイ
トライド（ＴｉＮ）やチタンタングステン（ＴｉＷ）等
のバリアメタルを組み合わせた積層構造の配線が用いら
れるようになってきている。
化に伴い、エレクトロマイグレーション、ストレスマイ
グレーションによる配線の断線が問題となっている。こ
のため、配線材料として、よりマイグレーション耐性の
高い、Ｃｕを含有したＡｌ合金が使用されてきている。
さらには、前記Ｃｕを含有したＡｌ合金に、チタンナイ
トライド（ＴｉＮ）やチタンタングステン（ＴｉＷ）等
のバリアメタルを組み合わせた積層構造の配線が用いら
れるようになってきている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記有
機洗浄方法を、Ｃｕを含有したＡｌ合金からなる配線層
に適用すると、剥離液処理及びリンス処理後の水洗時
に、当該配線層の露出部分からＡｌ2 Ｃｕの析出による
電池効果によってＡｌが溶出し、当該配線層にピット
（窪み）が発生するという問題があった。そして、この
ピットの発生は、前記水洗方法や水洗時間、乾燥方法等
に大きく依存するため、水洗を短時間で行うことで、あ
る程度抑制することができる。
機洗浄方法を、Ｃｕを含有したＡｌ合金からなる配線層
に適用すると、剥離液処理及びリンス処理後の水洗時
に、当該配線層の露出部分からＡｌ2 Ｃｕの析出による
電池効果によってＡｌが溶出し、当該配線層にピット
（窪み）が発生するという問題があった。そして、この
ピットの発生は、前記水洗方法や水洗時間、乾燥方法等
に大きく依存するため、水洗を短時間で行うことで、あ
る程度抑制することができる。
【０００８】ところが、前記水洗時間を短くすると、十
分な洗浄効果を得ることが困難となり、半導体基板上に
有機物が残存したり、パーティクルが除去されずに後工
程での歩留りが低下する原因となるという問題があっ
た。また、前記Ａｌ2 Ｃｕの析出を防ぐため、Ｃｕの含
有量を減らすことも考えられるが、Ｃｕ濃度を減らすと
十分なマイグレーション耐性が得られず、微細な配線を
構成する配線材料として使用することが困難であるとい
う問題があった。
分な洗浄効果を得ることが困難となり、半導体基板上に
有機物が残存したり、パーティクルが除去されずに後工
程での歩留りが低下する原因となるという問題があっ
た。また、前記Ａｌ2 Ｃｕの析出を防ぐため、Ｃｕの含
有量を減らすことも考えられるが、Ｃｕ濃度を減らすと
十分なマイグレーション耐性が得られず、微細な配線を
構成する配線材料として使用することが困難であるとい
う問題があった。
【０００９】さらに、特開昭６４−８００４５号公報に
開示されているように、下層配線上に、シリコンの含有
量がモル比で０以上２未満である高融点金属シリサイド
層を積層する方法も紹介されているが、この方法では、
高融点金属シリサイド層の成膜をスパッタ装置で行う必
要があるため、プロセスが複雑になり、製造コストがか
かると共に、下層配線と上層配線との間に形成されるシ
リサイド膜によってビア抵抗が変動し易いという問題が
あった。
開示されているように、下層配線上に、シリコンの含有
量がモル比で０以上２未満である高融点金属シリサイド
層を積層する方法も紹介されているが、この方法では、
高融点金属シリサイド層の成膜をスパッタ装置で行う必
要があるため、プロセスが複雑になり、製造コストがか
かると共に、下層配線と上層配線との間に形成されるシ
リサイド膜によってビア抵抗が変動し易いという問題が
あった。
【００１０】本発明は、このような問題を解決すること
を課題とするものであり、Ｃｕを含有したＡｌ合金から
なる配線層が露出した半導体装置を洗浄した際に、前記
配線層にピットが発生することを抑制することができ、
十分な水洗を行うことが可能な半導体装置の洗浄方法を
提供することを目的とする。
を課題とするものであり、Ｃｕを含有したＡｌ合金から
なる配線層が露出した半導体装置を洗浄した際に、前記
配線層にピットが発生することを抑制することができ、
十分な水洗を行うことが可能な半導体装置の洗浄方法を
提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、Ｃｕを含むＡｌ合金からなる配線層が露
出した半導体装置を洗浄する方法において、洗浄前のエ
ッチング残渣の剥離液処理の時、前記Ａｌ合金表面に保
護酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の洗浄
方法を提供するものである。
に、本発明は、Ｃｕを含むＡｌ合金からなる配線層が露
出した半導体装置を洗浄する方法において、洗浄前のエ
ッチング残渣の剥離液処理の時、前記Ａｌ合金表面に保
護酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の洗浄
方法を提供するものである。
【００１２】
【作用】本発明によれば、剥離液処理時に、前記Ｃｕを
含むＡｌ合金からなる配線層の表面に保護酸化膜形成す
ることで、この工程後に行うリンス処理時、水洗時に、
前記保護酸化膜がバリアの役割を果たし、前記配線層の
表面からＡｌが溶出することを防止することができる。
従って、前記配線層にピットが発生することを抑制する
ことができ、十分な水洗を行うことが可能となる。
含むＡｌ合金からなる配線層の表面に保護酸化膜形成す
ることで、この工程後に行うリンス処理時、水洗時に、
前記保護酸化膜がバリアの役割を果たし、前記配線層の
表面からＡｌが溶出することを防止することができる。
従って、前記配線層にピットが発生することを抑制する
ことができ、十分な水洗を行うことが可能となる。
【００１３】そして、前記保護酸化膜の形成は、アルキ
ルヒドロキシベンゼン等を従来のアミン系剥離液に添加
することで行うことが望ましい。ここで、前記配線層表
面に保護酸化膜を形成可能な剥離液（本発明に係る剥離
液）で処理したＡｌと、従来の剥離液を用いて処理した
ＡｌのＸＰＳピークから求めたＡｌ金属とＡｌ酸化膜と
の比（Ａｌ金属／Ａｌ酸化膜）を表１に示す。
ルヒドロキシベンゼン等を従来のアミン系剥離液に添加
することで行うことが望ましい。ここで、前記配線層表
面に保護酸化膜を形成可能な剥離液（本発明に係る剥離
液）で処理したＡｌと、従来の剥離液を用いて処理した
ＡｌのＸＰＳピークから求めたＡｌ金属とＡｌ酸化膜と
の比（Ａｌ金属／Ａｌ酸化膜）を表１に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】表１から、配線層表面に保護酸化膜を形成
可能な剥離液で処理したＡｌは、従来の剥離液を用いた
Ａｌに比べ、Ａｌ酸化膜の存在比が高くなっていること
が確認できる。このＡｌ酸化膜が、リンス処理時や水洗
時にバリアの役割を果たすため、Ａｌにピットが発生す
ることを抑制することができる。
可能な剥離液で処理したＡｌは、従来の剥離液を用いた
Ａｌに比べ、Ａｌ酸化膜の存在比が高くなっていること
が確認できる。このＡｌ酸化膜が、リンス処理時や水洗
時にバリアの役割を果たすため、Ａｌにピットが発生す
ることを抑制することができる。
【００１６】
【実施例】次に、本発明の一実施例について、図面を参
照して説明する。 （実施例１）図１ないし図３は、本発明の実施例１に係
る半導体装置の洗浄工程を含む製造工程の一部を示す部
分断面図である。
照して説明する。 （実施例１）図１ないし図３は、本発明の実施例１に係
る半導体装置の洗浄工程を含む製造工程の一部を示す部
分断面図である。
【００１７】図１に示す工程では、半導体基板１上に、
膜厚が６０００Å程度の酸化膜２を形成する。次に、前
記酸化膜２上に、膜厚が５００Å程度のＴｉ膜３を形成
し、この上に膜厚が１０００Å程度のＴｉＮ膜４を積層
する。次いで、前記ＴｉＮ膜４上に、Ｃｕを０．５％含
むＡｌ合金をスパッタ法により堆積し、膜厚が６５００
Å程度のＣｕを含むＡｌ合金（以下、本実施例では、
『Ｃｕ−Ａｌ合金』という）層５を形成する。次に、前
記Ｃｕ−Ａｌ合金層５、ＴｉＮ膜４及びＴｉ膜３に所望
のパターニングを行い、三層構造を有する下層配線１０
を形成する。次いで、前記酸化膜２上及び下層配線１０
の表面に、半導体基板１側から順に、プラズマ酸化膜、
ＳＯＧ（Spin on Glass ）膜、プラズマ酸化膜からなる
層間絶縁膜６を１００００Å程度の膜厚で形成する。次
に、前記層間絶縁膜６上に、フォトレジスト膜を塗布
し、当該フォトレジスト膜のビアホール（前記下層配線
１０と後の工程で形成する上層配線との接続孔）開口部
に対応する部分を選択的に除去する。次いで、得られた
フォトレジストパターンをマスクとして、前記層間絶縁
膜６に異方性エッチングを行い、この部分の下層配線１
０を露出させてビアホール７を形成する。その後、酸素
（Ｏ2 ）を原料ガスとして用いたアッシングを行い、前
記フォトレジストパターンを除去する。この時、前記ビ
アホール７の側壁に、ポリマー状の付着物８が残存し
た。
膜厚が６０００Å程度の酸化膜２を形成する。次に、前
記酸化膜２上に、膜厚が５００Å程度のＴｉ膜３を形成
し、この上に膜厚が１０００Å程度のＴｉＮ膜４を積層
する。次いで、前記ＴｉＮ膜４上に、Ｃｕを０．５％含
むＡｌ合金をスパッタ法により堆積し、膜厚が６５００
Å程度のＣｕを含むＡｌ合金（以下、本実施例では、
『Ｃｕ−Ａｌ合金』という）層５を形成する。次に、前
記Ｃｕ−Ａｌ合金層５、ＴｉＮ膜４及びＴｉ膜３に所望
のパターニングを行い、三層構造を有する下層配線１０
を形成する。次いで、前記酸化膜２上及び下層配線１０
の表面に、半導体基板１側から順に、プラズマ酸化膜、
ＳＯＧ（Spin on Glass ）膜、プラズマ酸化膜からなる
層間絶縁膜６を１００００Å程度の膜厚で形成する。次
に、前記層間絶縁膜６上に、フォトレジスト膜を塗布
し、当該フォトレジスト膜のビアホール（前記下層配線
１０と後の工程で形成する上層配線との接続孔）開口部
に対応する部分を選択的に除去する。次いで、得られた
フォトレジストパターンをマスクとして、前記層間絶縁
膜６に異方性エッチングを行い、この部分の下層配線１
０を露出させてビアホール７を形成する。その後、酸素
（Ｏ2 ）を原料ガスとして用いたアッシングを行い、前
記フォトレジストパターンを除去する。この時、前記ビ
アホール７の側壁に、ポリマー状の付着物８が残存し
た。
【００１８】次に、図２に示す工程では、図１に示す工
程で残存したポリマー状の付着物８を除去するための有
機洗浄工程を行う。有機洗浄は、１００℃のアミン系の
剥離液を満たした槽を２槽用意し、図１に示す工程で得
た半導体装置を各々の槽に５分間浸漬する。なお、剥離
液には、保護酸化膜を形成する目的で、アルキルヒドロ
キシベンゼンを添加し、この工程で下層配線１０の表面
に保護酸化膜９が形成される。
程で残存したポリマー状の付着物８を除去するための有
機洗浄工程を行う。有機洗浄は、１００℃のアミン系の
剥離液を満たした槽を２槽用意し、図１に示す工程で得
た半導体装置を各々の槽に５分間浸漬する。なお、剥離
液には、保護酸化膜を形成する目的で、アルキルヒドロ
キシベンゼンを添加し、この工程で下層配線１０の表面
に保護酸化膜９が形成される。
【００１９】次いで、この保護酸化膜９が形成された半
導体装置を、リンス液としてＩＰＡを満たした２槽にそ
れぞれ５分間浸漬し、リンス処理を行った。次に、図３
に示す工程では、図２に示す工程で得た半導体装置に、
ＱＤＲとオーバーフローの組合せによる水洗を行い、残
留有機物、パーティクル等の除去を行なった後、スピン
ドライヤーを用いて、前記半導体装置を乾燥する。この
時の水洗時間（分）と、露出した下層配線１０に発生し
たピット発生数（個）との関係を調査した。この結果を
図４に示す。
導体装置を、リンス液としてＩＰＡを満たした２槽にそ
れぞれ５分間浸漬し、リンス処理を行った。次に、図３
に示す工程では、図２に示す工程で得た半導体装置に、
ＱＤＲとオーバーフローの組合せによる水洗を行い、残
留有機物、パーティクル等の除去を行なった後、スピン
ドライヤーを用いて、前記半導体装置を乾燥する。この
時の水洗時間（分）と、露出した下層配線１０に発生し
たピット発生数（個）との関係を調査した。この結果を
図４に示す。
【００２０】次いで、前記保護酸化膜９を逆スパッタで
除去する。次に、比較として、前記図１に示す工程終了
後の半導体装置に、従来のアミン系の剥離液を使用し、
図２に示す工程と同様の処理を行う。この時、前記下層
配線１０の表面には、保護酸化膜９が形成されなかっ
た。その後、図３に示す工程を行い、残留有機物、パー
ティクル等の除去を行なう（従来品）。この時の水洗時
間（分）と、露出した下層配線１０に発生したピット発
生数（個）との関係を調査した。この結果を図４に示
す。
除去する。次に、比較として、前記図１に示す工程終了
後の半導体装置に、従来のアミン系の剥離液を使用し、
図２に示す工程と同様の処理を行う。この時、前記下層
配線１０の表面には、保護酸化膜９が形成されなかっ
た。その後、図３に示す工程を行い、残留有機物、パー
ティクル等の除去を行なう（従来品）。この時の水洗時
間（分）と、露出した下層配線１０に発生したピット発
生数（個）との関係を調査した。この結果を図４に示
す。
【００２１】図４から、本実施例で得た半導体装置は、
従来品に比べピット発生数が大幅に減少したことが立証
された。なお、本実施例では、下層配線１０の一部が露
出した半導体装置を洗浄する場合について説明したが、
これに限らず、本発明に係る半導体装置の洗浄方法は、
Ｃｕを含むＡｌ合金からなる配線層が露出している半導
体装置であれば、パッドホール形成工程、配線形成工程
など、種々の工程に適用することができることは勿論で
ある。
従来品に比べピット発生数が大幅に減少したことが立証
された。なお、本実施例では、下層配線１０の一部が露
出した半導体装置を洗浄する場合について説明したが、
これに限らず、本発明に係る半導体装置の洗浄方法は、
Ｃｕを含むＡｌ合金からなる配線層が露出している半導
体装置であれば、パッドホール形成工程、配線形成工程
など、種々の工程に適用することができることは勿論で
ある。
【００２２】また、本実施例で行った剥離液処理及びリ
ンス液処理は一例であり、本発明に係る半導体装置の洗
浄方法で行う剥離液処理及びリンス液処理は、通常行わ
れている方法に準じて行えばよい。そして、前記剥離液
としては、例えば、アルキルピロリドン及びトリエタノ
ールアミンを主成分とするもの、ジエチレングリコール
モノブチルエーテル及びモノエタノールアミンを主成分
とするもの、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）及
びジメチルスルホキシドを主成分とするもの等、が挙げ
られる。
ンス液処理は一例であり、本発明に係る半導体装置の洗
浄方法で行う剥離液処理及びリンス液処理は、通常行わ
れている方法に準じて行えばよい。そして、前記剥離液
としては、例えば、アルキルピロリドン及びトリエタノ
ールアミンを主成分とするもの、ジエチレングリコール
モノブチルエーテル及びモノエタノールアミンを主成分
とするもの、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）及
びジメチルスルホキシドを主成分とするもの等、が挙げ
られる。
【００２３】また、前記リンス液としては、例えば、Ｉ
ＰＡ、メタノール、エタノール等が挙げられる。そして
また、本実施例では、保護酸化膜９が形成された半導体
装置に、ＱＤＲとオーバーフローの組合せによる水洗を
行ったが、これに限らず、例えば、ＱＤＲのみを使用し
た水洗、オーバーフローリンスによる水洗、２５℃の純
水を使用した水洗等、種々の水洗方法やその組合せによ
る水洗を行うことができる。
ＰＡ、メタノール、エタノール等が挙げられる。そして
また、本実施例では、保護酸化膜９が形成された半導体
装置に、ＱＤＲとオーバーフローの組合せによる水洗を
行ったが、これに限らず、例えば、ＱＤＲのみを使用し
た水洗、オーバーフローリンスによる水洗、２５℃の純
水を使用した水洗等、種々の水洗方法やその組合せによ
る水洗を行うことができる。
【００２４】さらにまた、本実施例では、前記水洗後
に、スピンドライヤーを用いた乾燥を行ったが、これに
限らず、ＩＰＡベーパーを用いた乾燥や、温水引き上げ
による乾燥等、種々の乾燥方法を行うことができる。
に、スピンドライヤーを用いた乾燥を行ったが、これに
限らず、ＩＰＡベーパーを用いた乾燥や、温水引き上げ
による乾燥等、種々の乾燥方法を行うことができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置の洗浄方法は、Ｃｕを含むＡｌ合金からなる配線
層の表面に、保護酸化膜形成した後、リンス処理や水洗
処理を行うため、当該リンス処理中や水洗処理中に、前
記保護酸化膜は、バリアの役目を果たすことができる。
従って、前記配線層の表面からＡｌが溶出することを防
止することができる。このため、前記配線層にピットが
発生することを抑制することができ、十分なリンス処理
や水洗処理を行うことが可能となる。この結果、高精度
で信頼性の高い半導体装置を効率良く製造することが可
能となる。
体装置の洗浄方法は、Ｃｕを含むＡｌ合金からなる配線
層の表面に、保護酸化膜形成した後、リンス処理や水洗
処理を行うため、当該リンス処理中や水洗処理中に、前
記保護酸化膜は、バリアの役目を果たすことができる。
従って、前記配線層の表面からＡｌが溶出することを防
止することができる。このため、前記配線層にピットが
発生することを抑制することができ、十分なリンス処理
や水洗処理を行うことが可能となる。この結果、高精度
で信頼性の高い半導体装置を効率良く製造することが可
能となる。
【図１】本発明の実施例に係る半導体装置の洗浄工程を
含む製造工程の一部を示す部分断面図である。
含む製造工程の一部を示す部分断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る半導体装置の洗浄工程を
含む製造工程の一部を示す部分断面図である。
含む製造工程の一部を示す部分断面図である。
【図３】本発明の実施例に係る半導体装置の洗浄工程を
含む製造工程の一部を示す部分断面図である。
含む製造工程の一部を示す部分断面図である。
【図４】本発明の実施例における水洗時間とピット発生
数との関係、従来品の水洗時間とピット発生数との関係
を示す図である。
数との関係、従来品の水洗時間とピット発生数との関係
を示す図である。
１ 半導体基板 ２ 酸化膜 ３ Ｔｉ膜 ４ ＴｉＮ膜 ５ Ｃｕ−Ａｌ合金層 ６ 層間絶縁膜 ７ ビアホール ８ ポリマー状の付着物 ９ 保護酸化膜 １０ 下層配線
Claims (1)
- 【請求項１】 銅を含むアルミニウム合金からなる配線
層が露出した半導体装置を洗浄する方法において、 洗浄前のエッチング残渣の剥離液処理の時、前記アルミ
ニウム合金表面に保護酸化膜を形成することを特徴とす
る半導体装置の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP279793A JPH06208996A (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 半導体装置の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP279793A JPH06208996A (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 半導体装置の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06208996A true JPH06208996A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=11539369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP279793A Pending JPH06208996A (ja) | 1993-01-11 | 1993-01-11 | 半導体装置の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06208996A (ja) |
-
1993
- 1993-01-11 JP JP279793A patent/JPH06208996A/ja active Pending
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