JPH06208981A - 化学機械式研磨における平坦化の終点を決定する方法 - Google Patents
化学機械式研磨における平坦化の終点を決定する方法Info
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- JPH06208981A JPH06208981A JP5255579A JP25557993A JPH06208981A JP H06208981 A JPH06208981 A JP H06208981A JP 5255579 A JP5255579 A JP 5255579A JP 25557993 A JP25557993 A JP 25557993A JP H06208981 A JPH06208981 A JP H06208981A
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、集積回路の製造中の化学機
械式研磨の終点を容易に検出する方法を提供することに
ある。 【構成】 ウェーハ上の絶縁層の、ウェーハを切断する
ときに破壊される領域にモートを形成する。集積回路は
能動領域に第1の金属パターンを有し、モート・アイラ
ンド上に第2の金属パターンを有する。絶縁層をコンフ
ォーマルに付着させ、その上で化学機械式研磨を行う。
第2の金属パターン上の研磨速度は、第1の金属パター
ン上の研磨速度より著しく速い。研磨を監視し、第2の
金属パターンが露出した時に終了すると、集積回路の能
動領域の上面が平坦化される。監視は目視または電気的
に行うことができる。目視の場合は、第2の金属パター
ンは視覚により絶縁層と区別できる金属であることが好
ましい。 【効果】 本発明によれば、化学機械式研磨の終点を容
易に検出することが可能となり、過度の研磨による無駄
を減少させることができる。
械式研磨の終点を容易に検出する方法を提供することに
ある。 【構成】 ウェーハ上の絶縁層の、ウェーハを切断する
ときに破壊される領域にモートを形成する。集積回路は
能動領域に第1の金属パターンを有し、モート・アイラ
ンド上に第2の金属パターンを有する。絶縁層をコンフ
ォーマルに付着させ、その上で化学機械式研磨を行う。
第2の金属パターン上の研磨速度は、第1の金属パター
ン上の研磨速度より著しく速い。研磨を監視し、第2の
金属パターンが露出した時に終了すると、集積回路の能
動領域の上面が平坦化される。監視は目視または電気的
に行うことができる。目視の場合は、第2の金属パター
ンは視覚により絶縁層と区別できる金属であることが好
ましい。 【効果】 本発明によれば、化学機械式研磨の終点を容
易に検出することが可能となり、過度の研磨による無駄
を減少させることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路の製造時にお
ける平坦化の方法に関するものである。詳細には、本発
明は、化学機械式研磨における平坦化の終点を決定する
ための、改良された方法に関するものである。
ける平坦化の方法に関するものである。詳細には、本発
明は、化学機械式研磨における平坦化の終点を決定する
ための、改良された方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】平坦化は、集積回路の製造で重要な工程
である。平坦性は次の段の処理に必要なことが多い。た
とえば、表面が平坦でなければフォトリソグラフィは行
い難くなり、表面が平坦であればスパッタリング技術で
の金属の被覆が良好になる。平坦化の方法のひとつに、
化学機械式研磨(CMP)と呼ばれる方法がある。化学
機械式研磨では、研磨パッドおよびスラリを使用してウ
ェーハの表面を研磨する。CMP用スラリは、粒子径が
コントロールされた微粒子、通常は二酸化シリコンの微
粒子を液体に分散させたものである。この液体は、潤滑
剤としても、粒子の移動媒体としても機能する。
である。平坦性は次の段の処理に必要なことが多い。た
とえば、表面が平坦でなければフォトリソグラフィは行
い難くなり、表面が平坦であればスパッタリング技術で
の金属の被覆が良好になる。平坦化の方法のひとつに、
化学機械式研磨(CMP)と呼ばれる方法がある。化学
機械式研磨では、研磨パッドおよびスラリを使用してウ
ェーハの表面を研磨する。CMP用スラリは、粒子径が
コントロールされた微粒子、通常は二酸化シリコンの微
粒子を液体に分散させたものである。この液体は、潤滑
剤としても、粒子の移動媒体としても機能する。
【0003】使用する平坦化の方法に関係なく、共通の
必要条件は、平坦化をいつ終了させるべきかを知ること
である。これは、平坦化の前に材料の厚みを測定し、平
坦化中に所期の厚みになるまで、すなわち平坦化の終点
に達するまで定期的に厚みを検査することにより行われ
る。この方法は必ずしも実際的ではなく、生産速度が遅
くなることがある。さらに、平坦化の方法が化学機械式
研磨である場合は、このような測定を行う前に毎回ウェ
ーハからてスラリを除去する必要がある。この余分な工
程により、化学機械式研磨を使用してウェーハを生産す
る際に大量の検査にコストがかかる。
必要条件は、平坦化をいつ終了させるべきかを知ること
である。これは、平坦化の前に材料の厚みを測定し、平
坦化中に所期の厚みになるまで、すなわち平坦化の終点
に達するまで定期的に厚みを検査することにより行われ
る。この方法は必ずしも実際的ではなく、生産速度が遅
くなることがある。さらに、平坦化の方法が化学機械式
研磨である場合は、このような測定を行う前に毎回ウェ
ーハからてスラリを除去する必要がある。この余分な工
程により、化学機械式研磨を使用してウェーハを生産す
る際に大量の検査にコストがかかる。
【0004】図4に、絶縁層14で被覆した基板12を
有する集積回路10の断面図を示す。絶縁層14上の金
属パターン16は、第2の絶縁層18でコンフォーマル
に被覆されている。
有する集積回路10の断面図を示す。絶縁層14上の金
属パターン16は、第2の絶縁層18でコンフォーマル
に被覆されている。
【0005】絶縁層18の平坦化を行う場合、平坦化を
いつ終了すべきかを知ることが不可欠である。平坦化を
早く終了しすぎると、表面は図4に破線20で示すよう
に、完全に平坦にならない。反対に、平坦化が終点24
を超えて進むと、破線22で示すように金属が露出し、
薄くなることがある。
いつ終了すべきかを知ることが不可欠である。平坦化を
早く終了しすぎると、表面は図4に破線20で示すよう
に、完全に平坦にならない。反対に、平坦化が終点24
を超えて進むと、破線22で示すように金属が露出し、
薄くなることがある。
【0006】図5は、反応性イオン・エッチングと称す
る従来技術による平坦化方法を使用する前後の、図4の
集積回路10を示す図である。フォトレジスト層26
が、絶縁層18の上面に付着されている。図5に示すよ
うに、フォトレジスト層26は平坦ではない。従来技術
の方法では、エッチングによりレジスト層26および絶
縁層18をレベル28まで除去する。周知のように、レ
ベル28はレジスト層26と実質的に同じ形状を有す
る。したがって従来技術によれば、ほとんど平坦化され
ても、フォトレジストの流動特性のため最適な平坦化は
行えない。
る従来技術による平坦化方法を使用する前後の、図4の
集積回路10を示す図である。フォトレジスト層26
が、絶縁層18の上面に付着されている。図5に示すよ
うに、フォトレジスト層26は平坦ではない。従来技術
の方法では、エッチングによりレジスト層26および絶
縁層18をレベル28まで除去する。周知のように、レ
ベル28はレジスト層26と実質的に同じ形状を有す
る。したがって従来技術によれば、ほとんど平坦化され
ても、フォトレジストの流動特性のため最適な平坦化は
行えない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、平坦
化の終点に達したかどうか調べるためにウェーハを速や
かに検査することができ、容易に製造工程に組み込める
化学機械式研磨工程を提供することにある。
化の終点に達したかどうか調べるためにウェーハを速や
かに検査することができ、容易に製造工程に組み込める
化学機械式研磨工程を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、改良さ
れた基板の化学機械式研磨方法により、生産品質の平坦
化工程の必要性が満たされ、従来技術における上記の欠
陥が解決される。本発明の原理によれば、まず基板上に
絶縁層を付着させる。次に、第1の絶縁領域上に、メタ
ライゼーション・パターンを形成させる。第2の絶縁領
域には、アイランドの周囲にモートを形成させる。次
に、アイランド上に第2のメタライゼーション・パター
ンを形成させる。次に、基板、モート、および金属パタ
ーンの幾何形状に対してコンフォーマルに第2の絶縁層
を付着させる。従来の化学機械式研磨を行って、第2の
絶縁層を平坦化させる。モートが存在するため、研磨は
第1の領域より第2の領域で速く進行する。研磨工程を
監視して、第2のメタライゼーション・パターンが露出
するのを検出し、平坦化を終了させる。これにより、第
1の領域中の金属パターンの上に、平坦化された絶縁層
が形成される。
れた基板の化学機械式研磨方法により、生産品質の平坦
化工程の必要性が満たされ、従来技術における上記の欠
陥が解決される。本発明の原理によれば、まず基板上に
絶縁層を付着させる。次に、第1の絶縁領域上に、メタ
ライゼーション・パターンを形成させる。第2の絶縁領
域には、アイランドの周囲にモートを形成させる。次
に、アイランド上に第2のメタライゼーション・パター
ンを形成させる。次に、基板、モート、および金属パタ
ーンの幾何形状に対してコンフォーマルに第2の絶縁層
を付着させる。従来の化学機械式研磨を行って、第2の
絶縁層を平坦化させる。モートが存在するため、研磨は
第1の領域より第2の領域で速く進行する。研磨工程を
監視して、第2のメタライゼーション・パターンが露出
するのを検出し、平坦化を終了させる。これにより、第
1の領域中の金属パターンの上に、平坦化された絶縁層
が形成される。
【0009】本発明の第2の実施例では、基板の化学機
械式研磨中に絶縁層の平坦化の終点を電気的に決定する
方法を使用する。この第2の実施例では、パッドと接触
する導電性表面と電気的に接続することのできる研磨パ
ッドを使用する。アイランド上に第2のメタライゼーシ
ョン・パターンを形成するまでは、第1の実施例と同様
である。この後、第2の金属パターンを接地し、第2の
絶縁層をコンフォーマルに付着させる。次に、監視によ
って研磨パッドと第2の金属パターンの電気的接続が検
出されるまで、化学機械式研磨を行う。
械式研磨中に絶縁層の平坦化の終点を電気的に決定する
方法を使用する。この第2の実施例では、パッドと接触
する導電性表面と電気的に接続することのできる研磨パ
ッドを使用する。アイランド上に第2のメタライゼーシ
ョン・パターンを形成するまでは、第1の実施例と同様
である。この後、第2の金属パターンを接地し、第2の
絶縁層をコンフォーマルに付着させる。次に、監視によ
って研磨パッドと第2の金属パターンの電気的接続が検
出されるまで、化学機械式研磨を行う。
【0010】
【実施例】図1に、本発明の第1の実施例による製造工
程で平坦化を行う前後の集積回路30の断面図を示す。
図1には、製造中のウェーハ上の集積回路の代表的な2
つの領域が示されている。領域32はチップ領域で、集
積回路または集積回路デバイスが形成される領域であ
る。領域34はカーフ領域で、ウェーハを切断して別々
の集積回路にするときに破壊される。本発明によれば、
基板36全体を第1の絶縁層38で被覆する。絶縁層3
8中に、アイランド50を囲んでモート44を形成す
る。次に、絶縁層38上に金属パターン40および42
を形成する。第2の絶縁層52で、第1の絶縁層38と
同様に、金属パターン40および42をコンフォーマル
に被覆する。
程で平坦化を行う前後の集積回路30の断面図を示す。
図1には、製造中のウェーハ上の集積回路の代表的な2
つの領域が示されている。領域32はチップ領域で、集
積回路または集積回路デバイスが形成される領域であ
る。領域34はカーフ領域で、ウェーハを切断して別々
の集積回路にするときに破壊される。本発明によれば、
基板36全体を第1の絶縁層38で被覆する。絶縁層3
8中に、アイランド50を囲んでモート44を形成す
る。次に、絶縁層38上に金属パターン40および42
を形成する。第2の絶縁層52で、第1の絶縁層38と
同様に、金属パターン40および42をコンフォーマル
に被覆する。
【0011】モート44は、たとえば反応性イオン・エ
ッチングにより、金属パターン40および42より前に
形成することが好ましい。次に、2つの金属パターンを
同時に形成する。このための1つの方法は、モート44
を形成してから、絶縁層38上に金属層を付着させた
後、不要の金属を除去して金属パターン40および42
を形成するものである。この方法は当技術分野で周知で
あるので、本明細書では金属パターンの形成の詳細につ
いては説明を省略する。金属パターン40は、どんな集
積回路や集積回路デバイスでもよい。たとえば、金属パ
ターン40は、ANDゲートまたは単一のトランジスタ
でもよい。金属パターン42は、製造中の集積回路30
のカーフ領域34中に形成することが好ましい。これ
は、ウェーハを切断して別々の部品またはチップにする
工程中にチリとなる領域である。金属パターン42は、
試験回路または診断回路を備えることができる。たとえ
ば、金属パターン42は、電流サージによりチップが破
損する点を試験するのに使用する、ウェーハのチップ領
域におけるチップの複製とすることができる。
ッチングにより、金属パターン40および42より前に
形成することが好ましい。次に、2つの金属パターンを
同時に形成する。このための1つの方法は、モート44
を形成してから、絶縁層38上に金属層を付着させた
後、不要の金属を除去して金属パターン40および42
を形成するものである。この方法は当技術分野で周知で
あるので、本明細書では金属パターンの形成の詳細につ
いては説明を省略する。金属パターン40は、どんな集
積回路や集積回路デバイスでもよい。たとえば、金属パ
ターン40は、ANDゲートまたは単一のトランジスタ
でもよい。金属パターン42は、製造中の集積回路30
のカーフ領域34中に形成することが好ましい。これ
は、ウェーハを切断して別々の部品またはチップにする
工程中にチリとなる領域である。金属パターン42は、
試験回路または診断回路を備えることができる。たとえ
ば、金属パターン42は、電流サージによりチップが破
損する点を試験するのに使用する、ウェーハのチップ領
域におけるチップの複製とすることができる。
【0012】集積回路30を形成した後、絶縁層52に
従来の化学機械式研磨を行って、次の処理段、たとえば
他の金属パターンの形成に備えて、製造中のチップ領域
32の上面を平坦化する。モート44の目的は、絶縁層
52の、金属パターン42の上方にある部分の周囲にあ
る研磨パッド(図示せず)を変形させることである。実
際の使用では、研磨パッドは通常完全に剛性ではないの
で変形する。
従来の化学機械式研磨を行って、次の処理段、たとえば
他の金属パターンの形成に備えて、製造中のチップ領域
32の上面を平坦化する。モート44の目的は、絶縁層
52の、金属パターン42の上方にある部分の周囲にあ
る研磨パッド(図示せず)を変形させることである。実
際の使用では、研磨パッドは通常完全に剛性ではないの
で変形する。
【0013】研磨パッドが、絶縁体52の、モート44
の上方でアイランド50の周囲にある部分とコンフォー
マルになるため、金属パターン42の上の絶縁体は、絶
縁層52の、金属パターン40の上方にある部分に比べ
て速く除去される。図2に示すように、モート44はア
イランド50を取り囲んでいる。モート44は正方形
で、その中心にアイランド50がある。たとえば、(図
2の53に示すように)幅150μmのモートと、一辺
が25μmの正方形からなるアイランド上の金属パター
ンにより、モートがない同じ金属パターンに比べて、絶
縁の除去が約40%増大する。モートの幅が大きいほ
ど、アイランド50の上の絶縁の除去が速くなる。
の上方でアイランド50の周囲にある部分とコンフォー
マルになるため、金属パターン42の上の絶縁体は、絶
縁層52の、金属パターン40の上方にある部分に比べ
て速く除去される。図2に示すように、モート44はア
イランド50を取り囲んでいる。モート44は正方形
で、その中心にアイランド50がある。たとえば、(図
2の53に示すように)幅150μmのモートと、一辺
が25μmの正方形からなるアイランド上の金属パター
ンにより、モートがない同じ金属パターンに比べて、絶
縁の除去が約40%増大する。モートの幅が大きいほ
ど、アイランド50の上の絶縁の除去が速くなる。
【0014】本発明の方法で最適の結果を得るために
は、モート44の深さと金属層パターン42の層の高さ
の和が、絶縁層52の厚みより大きいことが好ましい。
さらに、モート44の深さは、所期の終点におけるチッ
プ領域32とカーフ領域34の絶縁層52の厚みの差よ
り大きいことが好ましい。一例として、モートの幅約1
50μm、深さ約1μm、チップ領域およびカーフ領域
の金属パターンの厚み約7000Å、第2の絶縁層の厚
み約1.45μmであると仮定する。終点に達したと
き、チップ領域の金属パターンの上では絶縁体が約35
00Å残り、カーフ領域のモート・アイランド金属パタ
ーンの上には何も残らない。
は、モート44の深さと金属層パターン42の層の高さ
の和が、絶縁層52の厚みより大きいことが好ましい。
さらに、モート44の深さは、所期の終点におけるチッ
プ領域32とカーフ領域34の絶縁層52の厚みの差よ
り大きいことが好ましい。一例として、モートの幅約1
50μm、深さ約1μm、チップ領域およびカーフ領域
の金属パターンの厚み約7000Å、第2の絶縁層の厚
み約1.45μmであると仮定する。終点に達したと
き、チップ領域の金属パターンの上では絶縁体が約35
00Å残り、カーフ領域のモート・アイランド金属パタ
ーンの上には何も残らない。
【0015】化学機械式研磨は、図1の破線54で示す
ように、絶縁層52の、金属パターン42の上方にある
部分が完全に除去されるまで続ける。金属パターン42
は、目視により絶縁層52と容易に区別できる金属であ
ることが好ましい。たとえば、タングステンを金属パタ
ーン42に含めることができる。線54で示すように、
金属パターン42は露出するが、金属パターン40は露
出しない。次に、絶縁層52の、チップ領域32にある
部分を平坦化すると、次の処理の準備ができる。
ように、絶縁層52の、金属パターン42の上方にある
部分が完全に除去されるまで続ける。金属パターン42
は、目視により絶縁層52と容易に区別できる金属であ
ることが好ましい。たとえば、タングステンを金属パタ
ーン42に含めることができる。線54で示すように、
金属パターン42は露出するが、金属パターン40は露
出しない。次に、絶縁層52の、チップ領域32にある
部分を平坦化すると、次の処理の準備ができる。
【0016】金属パターン42が露出した時に研磨を終
了するために化学機械式研磨の監視が必要である。この
監視は目視で行うことができる。平坦化の終点を検査す
るために、ウェーハを洗浄する必要はなく、オペレータ
が取り上げて目視で検査するだけでよい。
了するために化学機械式研磨の監視が必要である。この
監視は目視で行うことができる。平坦化の終点を検査す
るために、ウェーハを洗浄する必要はなく、オペレータ
が取り上げて目視で検査するだけでよい。
【0017】基板には、1つまたは複数のカーフ領域に
異なる幅の複数のモートを含めることが好ましい。アイ
ランドは、各モートの中心にあることが好ましい。モー
トの幅が異なるため、絶縁体の除去速度を変えることが
できる。モートの幅が大きいほど、モートのない領域に
比べてモート・アイランド上の絶縁体の除去速度が速く
なる。中間の幅のモートで囲まれたアイランド上の金属
パターンが露出すると、終点に達する。比較的大きいモ
ートで囲まれたアイランド上の金属が露出すると、絶縁
体の除去がまだ最適ではないことを示す。比較的小さい
モートで囲まれたアイランド上の金属が露出すると、終
点を既に過ぎていることを示す。研磨を続けると、平坦
性が失われ、チップ領域の金属パターンが露出すること
がある。異なるモート幅を使用することにより、監視を
頻繁に行わずに、平坦化の終点を知ることができる。
異なる幅の複数のモートを含めることが好ましい。アイ
ランドは、各モートの中心にあることが好ましい。モー
トの幅が異なるため、絶縁体の除去速度を変えることが
できる。モートの幅が大きいほど、モートのない領域に
比べてモート・アイランド上の絶縁体の除去速度が速く
なる。中間の幅のモートで囲まれたアイランド上の金属
パターンが露出すると、終点に達する。比較的大きいモ
ートで囲まれたアイランド上の金属が露出すると、絶縁
体の除去がまだ最適ではないことを示す。比較的小さい
モートで囲まれたアイランド上の金属が露出すると、終
点を既に過ぎていることを示す。研磨を続けると、平坦
性が失われ、チップ領域の金属パターンが露出すること
がある。異なるモート幅を使用することにより、監視を
頻繁に行わずに、平坦化の終点を知ることができる。
【0018】第2の実施例では、監視を電気的に行う。
CMP研磨パッドは、アイランド上の金属パターンまた
は他の導電性表面と監視装置を電気的に接続できるよう
なものである。この種の研磨パッドは当技術分野で周知
であるので、詳細についての説明は省略する。米国特許
第4793895号明細書を参照されたい。上記の特許
では、化学機械式研磨中にウェーハのチップ領域を通る
電流を監視する。上述のように、チップ領域は、集積回
路または集積回路デバイスをそこに形成する、ウェーハ
のカーフではない領域である。
CMP研磨パッドは、アイランド上の金属パターンまた
は他の導電性表面と監視装置を電気的に接続できるよう
なものである。この種の研磨パッドは当技術分野で周知
であるので、詳細についての説明は省略する。米国特許
第4793895号明細書を参照されたい。上記の特許
では、化学機械式研磨中にウェーハのチップ領域を通る
電流を監視する。上述のように、チップ領域は、集積回
路または集積回路デバイスをそこに形成する、ウェーハ
のカーフではない領域である。
【0019】図3は、本発明の第2の実施例による集積
回路56の、製造工程中の化学機械式研磨の前後の断面
図である。拡散領域58は、基板60の高度にドーピン
グした領域である。絶縁層64中に、モート62を、拡
散領域58が露出するように形成する。基板60のチッ
プ領域の上に金属パターン70を形成し、基板60のカ
ーフ領域71の上のアイランド69上に金属パターン6
8を形成する。第1の実施例と同様に、金属パターンの
形成は、金属の層を付着させ、不要部分を除去すること
により行う。金属パターン68は、拡散層58と物理的
に接続していることが好ましい。この接続により、基板
60が金属パターン68のアースとして機能する。次
に、金属パターン68、70ならびに絶縁層64および
拡散層58の上に絶縁層72をコンフォーマルに付着さ
せる。
回路56の、製造工程中の化学機械式研磨の前後の断面
図である。拡散領域58は、基板60の高度にドーピン
グした領域である。絶縁層64中に、モート62を、拡
散領域58が露出するように形成する。基板60のチッ
プ領域の上に金属パターン70を形成し、基板60のカ
ーフ領域71の上のアイランド69上に金属パターン6
8を形成する。第1の実施例と同様に、金属パターンの
形成は、金属の層を付着させ、不要部分を除去すること
により行う。金属パターン68は、拡散層58と物理的
に接続していることが好ましい。この接続により、基板
60が金属パターン68のアースとして機能する。次
に、金属パターン68、70ならびに絶縁層64および
拡散層58の上に絶縁層72をコンフォーマルに付着さ
せる。
【0020】金属パターン68と研磨パッド(図示せ
ず)の電気的接続が監視装置73によって検出されるま
で、絶縁層72上で化学機械式研磨を行う。平坦化の終
点を、図3に破線74で示す。監視装置は、たとえば、
オシロスコープでもLEDでもよい。オペレータは、オ
シロスコープの読み、またはLEDの点灯に従ってCM
Pを停止する。さらに、この工程は自動化することもで
き、研磨パッドと金属パターン68の電気的接続に応答
して、監視装置自体に化学機械式研磨を停止させること
もできる。
ず)の電気的接続が監視装置73によって検出されるま
で、絶縁層72上で化学機械式研磨を行う。平坦化の終
点を、図3に破線74で示す。監視装置は、たとえば、
オシロスコープでもLEDでもよい。オペレータは、オ
シロスコープの読み、またはLEDの点灯に従ってCM
Pを停止する。さらに、この工程は自動化することもで
き、研磨パッドと金属パターン68の電気的接続に応答
して、監視装置自体に化学機械式研磨を停止させること
もできる。
【0021】
【発明の効果】上に金属パターンを有するアイランドを
取り囲むモートを使用すると、集積回路のモート領域の
研磨速度が、チップ領域に比べて増大する。金属の露出
を(たとえば目視によって)検出すると、終点に達す
る。幅の異なるいくつかのモートを用いると、過剰研磨
の可能性が大幅に減少する。この方法により、生産時間
と、過度の研磨による無駄を減少させることができる。
第2の実施例では、監視はアイランドの金属と研磨パッ
ドの電気的接続を利用して行う。この接続により、終点
に達したことを知ることができる。以上述べたように、
本発明によれば、製造工程中の集積回路の、化学機械式
研磨の方法が改善される。
取り囲むモートを使用すると、集積回路のモート領域の
研磨速度が、チップ領域に比べて増大する。金属の露出
を(たとえば目視によって)検出すると、終点に達す
る。幅の異なるいくつかのモートを用いると、過剰研磨
の可能性が大幅に減少する。この方法により、生産時間
と、過度の研磨による無駄を減少させることができる。
第2の実施例では、監視はアイランドの金属と研磨パッ
ドの電気的接続を利用して行う。この接続により、終点
に達したことを知ることができる。以上述べたように、
本発明によれば、製造工程中の集積回路の、化学機械式
研磨の方法が改善される。
【図1】本発明の第1の実施例に従って形成した集積回
路のチップ領域とカーフ領域の平坦化前後の断面図であ
る。
路のチップ領域とカーフ領域の平坦化前後の断面図であ
る。
【図2】図1の集積回路の、カーフ領域の上面図であ
る。
る。
【図3】本発明の第2の実施例に従って形成した集積回
路のチップ領域とカーフ領域との平坦化前後の断面図で
ある。
路のチップ領域とカーフ領域との平坦化前後の断面図で
ある。
【図4】基板を被覆する絶縁層上の金属パターンを含む
集積回路の、平坦化3段のレベルを示す断面図である。
集積回路の、平坦化3段のレベルを示す断面図である。
【図5】図4の集積回路の、従来技術によるフォトレジ
ストを使用したエッチバックの前後の断面図である。
ストを使用したエッチバックの前後の断面図である。
30 集積回路 32 チップ領域 34 カーフ領域 36 基板 38 絶縁層 40 金属パターン 42 金属パターン 44 モート 50 アイランド 52 絶縁層
Claims (13)
- 【請求項1】基板上に集積回路を製造する工程中に、化
学機械式研磨による平坦化の終点を決定する方法におい
て、 上記基板上に第1の絶縁層を付着させる工程と、 上記第1の絶縁層の第1の領域上に第1のメタライゼー
ション・パターンを形成する工程と、 上記第1の絶縁層の第2の領域中のアイランドの周囲に
モートを形成する工程と、 上記モート上に第2のメタライゼーション・パターンを
形成する工程と、 上記第1の絶縁層と上記第1および第2のメタライゼー
ション・パターンの上に第2の絶縁層をコンフォーマル
に付着させる工程と、 上記第2の絶縁層の化学機械式研磨を行う工程と、 上記第2のメタライゼーション・パターンが露出するか
どうか上記研磨を監視する工程と、 上記第2のメタライゼーション・パターンが露出した時
に上記研磨を終了し、これにより上記第1の領域上の第
2の絶縁層の平坦化を達成する工程とを含むことを特徴
とする方法。 - 【請求項2】上記第1の絶縁層の上記第1の領域が、さ
らに上記基板のチップ領域として画定されることを特徴
とする、請求項1の方法。 - 【請求項3】上記第2のメタライゼーション・パターン
の上での絶縁除去が、上記第1のメタライゼーション・
パターンの上での絶縁除去より速い所望の速度で行われ
るように、モートの寸法を選択することを特徴とする、
請求項1の方法。 - 【請求項4】上記第1の絶縁層の上記第2の領域が、さ
らに上記基板のカーフ領域として画定されることを特徴
とする、請求項1の方法。 - 【請求項5】上記第2のメタライゼーション・パターン
が、性能試験の目的に使用されることを特徴とする、請
求項1の方法。 - 【請求項6】上記第2のメタライゼーション・パターン
が、診断の目的に使用されることを特徴とする、請求項
1の方法。 - 【請求項7】上記第2のメタライゼーション・パターン
が、上記絶縁の第2の層に対して視覚的に識別できるこ
とを特徴とする、請求項1の方法。 - 【請求項8】基板上に集積回路を製造する工程中に、パ
ッドと接触する導電性表面への電気的接続が可能な研磨
パッドを使用する化学機械式研磨による平坦化の終点を
電気的に決定する方法において、 上記基板上に第1の絶縁層を付着させる工程と、 上記第1の絶縁層の第1の領域上に第1のメタライゼー
ション・パターンを形成する工程と、 上記第1の絶縁層の第2の領域中のアイランドの周囲に
モートを形成する工程と、 上記モート上に第2のメタライゼーション・パターンを
形成する工程と、 上記第2のメタライゼーション・パターンを電気的に接
地する工程と、 上記第1の絶縁層と上記第1および第2のメタライゼー
ション・パターンの上に第2の絶縁層をコンフォーマル
に付着させる工程と、 上記第2の絶縁層の化学機械式研磨を行う工程と、 上記研磨パッドと上記第2のメタライゼーション・パタ
ーンが電気的に接続されるかどうか上記研磨を監視する
工程と、 上記研磨パッドと上記第2のメタライゼーション・パタ
ーンが電気的に接続された時に上記研磨を終了し、これ
により上記第1の領域上の第2の絶縁層の平坦化を達成
する工程とを含むことを特徴とする方法。 - 【請求項9】上記第2のメタライゼーション・パターン
を電気的に接地する上記工程が、 上記基板と上記第1の絶縁層の上記第2の領域との間に
拡散層を形成する工程と、 上記第2のメタライゼーション・パターンを上記拡散層
に電気的に接続する工程とを含むことを特徴とする、請
求項8の方法。 - 【請求項10】上記監視工程が、上記研磨パッドと上記
第2のメタライゼーション・パターンの電気的接続を操
作員に知らせるための監視装置を使用することを特徴と
する、請求項8の方法。 - 【請求項11】さらに、上記研磨パッドと上記第2のメ
タライゼーション・パターンの電気的接続に応答して信
号を発生する工程を含むことを特徴とする、請求項8の
方法。 - 【請求項12】基板上に集積回路を製造する工程中に、
化学機械式研磨による平坦化の終点を決定する方法にお
いて、 上記基板上に第1の絶縁層を付着させる工程と、 上記集積回路の非カーフ領域中の上記第1の絶縁層の上
にメタライゼーション・パターンを形成する工程と、 上記集積回路の1つまたは複数のカーフ領域中の上記第
1の絶縁層中のアイランドの周囲に、幅の異なる複数の
モートを形成する工程と、 上記複数のアイランドのそれぞれ上にメタライゼーショ
ン・パターンを形成する工程と、 上記複数のアイランド・メタライゼーション・パターン
の1つを監視用に選択する工程と、 上記第1の絶縁層と上記非カーフ領域中の上記メタライ
ゼーション・パターンと上記複数のアイランド・メタラ
イゼーション・パターンの上に第2の絶縁層をコンフォ
ーマルに付着させる工程と、 上記第2の絶縁層の化学機械式研磨を行う工程と、 上記選択したアイランド・メタライゼーション・パター
ンが露出するかどうか上記研磨を監視する工程と、 上記選択したアイランド・メタライゼーション・パター
ンが露出した時に上記研磨を終了する工程とを含むこと
を特徴とする方法。 - 【請求項13】上記複数のモートが、第1のモートと、
上記第1のモートより幅の広い第2のモートと、上記第
2のモートより幅の広い第3のモートとを含み、監視用
に選択した上記メタライゼーション・パターンが、上記
第2のモート・アイランド上にあり、上記第3のモート
・アイランドのメタライゼーション・パターンの露出が
平坦化の終点前の段階を示し、上記第1のモート・アイ
ランドのメタライゼーション・パターンの露出が平坦化
の終点を超えたこと示すことを特徴とする、請求項12
の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US969871 | 1992-10-29 | ||
US07/969,871 US5234868A (en) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | Method for determining planarization endpoint during chemical-mechanical polishing |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06208981A true JPH06208981A (ja) | 1994-07-26 |
JPH0831434B2 JPH0831434B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=25516100
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5255579A Expired - Lifetime JPH0831434B2 (ja) | 1992-10-29 | 1993-10-13 | 化学機械式研磨における平坦化の終点を決定する方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5234868A (ja) |
JP (1) | JPH0831434B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7037403B1 (en) | 1992-12-28 | 2006-05-02 | Applied Materials Inc. | In-situ real-time monitoring technique and apparatus for detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization |
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- 1992-10-29 US US07/969,871 patent/US5234868A/en not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-10-13 JP JP5255579A patent/JPH0831434B2/ja not_active Expired - Lifetime
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---|---|
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