JPH06204101A - Semiconductor wafer - Google Patents

Semiconductor wafer

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Publication number
JPH06204101A
JPH06204101A JP34930092A JP34930092A JPH06204101A JP H06204101 A JPH06204101 A JP H06204101A JP 34930092 A JP34930092 A JP 34930092A JP 34930092 A JP34930092 A JP 34930092A JP H06204101 A JPH06204101 A JP H06204101A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
sub
pattern
semiconductor wafer
patterns
Prior art date
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Pending
Application number
JP34930092A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akira Takeda
晃 武田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Kawasaki Steel Corp filed Critical Kawasaki Steel Corp
Priority to JP34930092A priority Critical patent/JPH06204101A/en
Publication of JPH06204101A publication Critical patent/JPH06204101A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain a semiconductor wafer, in which a probe test can be easily conducted in a short time, by forming marks in the vicinity of the intersecting parts of scribe lines separating respective chip patterns. CONSTITUTION:Index marks 16, in which lines each having a width of about 50mum intersect crosswise, are formed in the intersecting parts of scribe lines 15 dividing respective chip patterns 11-14. These index marks 16 are composed of aluminum, polysilicon, etc., and formed in the wiring process of respective chip patterns 11-14 when respective materials vapor-deposited or accumulated on an insulating film are patterned simultaneously with wiring. Consequently, the index marks 16 are maintained at certain easily visible sizes so as to be readily confirmed through a microscope at the time of a probe test. Also, the position for forming each chip pattern can be easily confirmed when the index mark is used as a clue.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、複数のサブチップパタ
ーンを備えたチップパターンがマトリクス状に形成され
た半導体ウエハに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer having a matrix of chip patterns having a plurality of sub chip patterns.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種のチップパターンとして、
例えば、図2(a)に示す構成のものがある。このチッ
プパターン1は、9個のサブチップパターンSUB1〜
SUB9から構成されており、1つのレチクルによって
1度にパターニングされる。各サブチップパターンSU
B1〜SUB9はそれぞれ1単位の集積回路を構成して
おり、ほぼ同一幅のスクライブライン2を隔ててマトリ
クス状に配置されている。半導体ウエハには、このチッ
プパターン1が、ほぼ同一幅のスクライブラインを隔て
てさらにマトリクス状に配置されている。この半導体ウ
エハは各スクライブライン2に沿ってダイシングされ、
各サブチップパターンSUB1〜SUB9はペレットに
分割される。
2. Description of the Related Art Conventionally, as this type of chip pattern,
For example, there is a configuration shown in FIG. This chip pattern 1 includes nine sub chip patterns SUB1 to SUB1.
It is composed of SUB 9 and is patterned at one time by one reticle. Each sub chip pattern SU
Each of B1 to SUB9 constitutes one unit of an integrated circuit, and is arranged in a matrix form with scribe lines 2 having substantially the same width. The chip patterns 1 are further arranged in a matrix on the semiconductor wafer with scribe lines having substantially the same width. This semiconductor wafer is diced along each scribe line 2,
Each of the sub chip patterns SUB1 to SUB9 is divided into pellets.

【0003】このような半導体ウエハについて、各サブ
チップがペレットに分割される前にプローブテストが行
われ、ウエハプロセスの良否が判定される。各サブチッ
プパターンSUB1〜SUB9には、相互のサブチップ
を判別するためにサブチップ名が入れてある。例えば、
サブチップパターンSUB1には、図2(b)に示すよ
うに、「SUB1」というサブチップ名が右下の隅に入
れてある。このようなサブチップ名がプローブテスト時
に顕微鏡で観察されることにより、1つのチップパター
ン1の形成位置が見分けられる。例えば、各チップパタ
ーン1の隅に位置するサブチップパターンSUB9,S
UB3,SUB1およびSUB7の形成位置を見分けれ
ば、各チップパターン1の区画が判別する。プローブテ
ストはこの1つのチップパターン1を単位にして行われ
る。
For such a semiconductor wafer, a probe test is carried out before each sub-chip is divided into pellets to judge the quality of the wafer process. Each sub-chip pattern SUB1 to SUB9 has a sub-chip name for identifying mutual sub-chips. For example,
As shown in FIG. 2B, the sub chip pattern SUB1 has a sub chip name "SUB1" in the lower right corner. By observing such a sub-chip name with a microscope during a probe test, the formation position of one chip pattern 1 can be identified. For example, the sub chip patterns SUB9, S located at the corners of each chip pattern 1
If the formation positions of UB3, SUB1 and SUB7 are distinguished, the section of each chip pattern 1 is discriminated. The probe test is performed in units of this one chip pattern 1.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体ウエハにおいては、各サブチップ内のレイア
ウトの都合によって十分大きなサブチップ名を入れるこ
とが出来ない場合がある。従って、このような場合には
プローブテスト時にサブチップ名を判読することが困難
となり、プローブテストに時間がかかった。
However, in the above conventional semiconductor wafer, there are cases where a sufficiently large subchip name cannot be entered due to the layout of each subchip. Therefore, in such a case, it becomes difficult to read the sub-chip name during the probe test, and the probe test takes time.

【0005】一方、サブチップ名を見ずにチップパター
ンのレイアウトからサブチップの種類を判断することも
出来るが、そのような判断はチップパターンのレイアウ
トを良く理解した者にしか出来ない。従って、プローブ
テストを他人に任せる場合、作業指示がしづらかった。
On the other hand, the type of sub chip can be judged from the layout of the chip pattern without looking at the name of the sub chip, but such judgment can be made only by a person who has a good understanding of the layout of the chip pattern. Therefore, when entrusting the probe test to another person, it was difficult to give a work instruction.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解消するためになされたもので、ほぼ同一幅のスクラ
イブラインを隔ててマトリクス状に配置された複数のサ
ブチップパターンからなるチップパターンが形成され、
さらに、このチップパターンが上記スクライブラインと
ほぼ同一幅のスクライブラインを隔ててマトリクス状に
配置されて形成された半導体ウエハにおいて、各チップ
パターンを隔てるスクライブラインの交差部近傍にマー
クが形成されていることを特徴とするものである。
The present invention has been made to solve such a problem, and is a chip pattern composed of a plurality of sub-chip patterns arranged in a matrix with scribe lines having substantially the same width. Is formed,
Further, in a semiconductor wafer formed by arranging the chip patterns in a matrix shape with scribe lines having substantially the same width as the scribe lines formed, marks are formed in the vicinity of the intersections of the scribe lines separating the chip patterns. It is characterized by that.

【0007】[0007]

【作用】各サブチップ内のレイアウトパターンの如何に
かかわらず、各チップパターンを区画するスクライブラ
インには一定の大きさを持つ空白領域が形成され、この
領域に形成されるマークは一定の大きさに保たれる。従
って、マークは容易に視認される。また、このマークを
手掛かりにして各チップパターンの形成位置は容易に判
別される。
[Effect] Regardless of the layout pattern in each sub-chip, the scribe line that divides each chip pattern has a blank area with a certain size, and the mark formed in this area has a certain size. To be kept. Therefore, the mark is easily visible. Further, the formation position of each chip pattern can be easily identified by using this mark as a clue.

【0008】[0008]

【実施例】図1は、本発明の一実施例による半導体ウエ
ハの表面にマトリクス状に形成されたチップパターンの
一部を示している。
FIG. 1 shows a part of a chip pattern formed in a matrix on the surface of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.

【0009】各チップパターン11〜14はそれぞれ9
個のサブチップパターンSUB1〜SUB9から構成さ
れており、1つのサブチップパターンSUBは5mm角
の枠内に形成されている。これら9個の各サブチップパ
ターンSUB1〜SUB9は1つのレチクルによって一
度にパターニングされ、各チップパターン11〜14の
内部は同一のサブチップ構成になっている。
Each of the chip patterns 11 to 14 is 9
Each of the sub chip patterns SUB1 to SUB9 is formed, and one sub chip pattern SUB is formed within a 5 mm square frame. Each of these nine sub chip patterns SUB1 to SUB9 is patterned at once by one reticle, and the inside of each chip pattern 11 to 14 has the same sub chip configuration.

【0010】また、各チップパターン11〜14内にお
いて、各サブチップパターンSUB1〜SUB9はスク
ライブライン15を隔ててマトリクス状に配置されてお
り、さらに、これらサブチップが集合した各チップパタ
ーン11〜14もスクライブライン15を隔ててマトリ
クス状に配置されている。スクライブライン15は幅が
約100μmあり、各サブチップパターンSUB1〜S
UB9間並びに各チップパターン11〜14間は、この
約100μmの距離を隔ててほぼ一定間隔に保たれてい
る。
In each of the chip patterns 11 to 14, the sub chip patterns SUB1 to SUB9 are arranged in a matrix form with the scribe lines 15 separated from each other, and the chip patterns 11 to 14 in which these sub chips are assembled are also arranged. The scribe lines 15 are arranged in a matrix form. The scribe line 15 has a width of about 100 μm, and each sub chip pattern SUB1 to S
The UBs 9 and the chip patterns 11 to 14 are kept at a substantially constant interval with a distance of about 100 μm.

【0011】また、各チップパターン11〜14を区画
するスクライブライン15の交差部には、幅が約50μ
mの線が十字状に交差したインデックスマーク16が形
成されている。このインデックスマーク16はアルミニ
ウムAlやポリシリコン等からなり、各チップパターン
11〜14の配線工程において、絶縁膜上に蒸着あるい
は堆積された各材料が配線と同時にパターニングされて
形成されている。
At the intersection of the scribe lines 15 that partition the chip patterns 11 to 14, the width is about 50 μm.
An index mark 16 in which the line of m intersects in a cross shape is formed. The index mark 16 is made of aluminum Al, polysilicon or the like, and is formed by patterning each material vapor-deposited or deposited on the insulating film at the same time as the wiring in the wiring process of the chip patterns 11 to 14.

【0012】各サブチップパターンSUB1〜SUB9
内のレイアウトパターンの如何にかかわらず、各チップ
パターン11〜14を区画するスクライブライン15に
は100μm幅の空白領域が形成されている。従って、
本実施例ではこのスクライブライン15に形成されるイ
ンデックスマーク16を、常に50μm幅の線で描くこ
とが可能になる。このため、インデックスマーク16は
視認しやすい一定の大きさに保たれ、プローブテスト時
には顕微鏡で容易に視認される。従って、従来のよう
に、サブチップ名を入れる領域を確保するため、サブチ
ップパターン内のレイアウトを変更する必要はなくな
る。インデックスマーク16が見つかれば、このインデ
ックスマーク16を手掛かりにして各チップパターン1
1〜14の形成位置は容易に判別される。この結果、プ
ローブテスト時に、サブチップ名の判読に時間がかかる
といった従来のようなことはなくなり、プローブテスト
は短時間に容易に行えるようになる。また、チップパタ
ーンのレイアウトを熟知していない者にプローブテスト
を任す場合も、スクライブライン15上に形成されたイ
ンデックスマーク16を説明することにより、テスト作
業の指示が容易に行える。
Sub-chip patterns SUB1 to SUB9
Regardless of the internal layout pattern, the scribe line 15 that divides the chip patterns 11 to 14 has a blank area of 100 μm width. Therefore,
In this embodiment, the index mark 16 formed on the scribe line 15 can be always drawn with a line having a width of 50 μm. For this reason, the index mark 16 is kept in a certain size that is easily visible, and can be easily viewed with a microscope during a probe test. Therefore, it is not necessary to change the layout in the sub-chip pattern in order to secure the area for inserting the sub-chip name as in the conventional case. If the index mark 16 is found, each index pattern 16 is used as a clue.
The formation positions of 1 to 14 are easily determined. As a result, in the probe test, it is no longer necessary to read the sub-chip name, and the probe test can be easily performed in a short time. Further, even when the probe test is given to a person who is not familiar with the layout of the chip pattern, the test work can be easily instructed by explaining the index mark 16 formed on the scribe line 15.

【0013】なお、インデックスマーク16の形成位置
は、スクライブライン15上のデバイスTEG(Test El
ment Group) の邪魔にならなければ、各チップパターン
を区画するスクライブライン15の交差部近傍であれば
どこでも良い。また、上記実施例ではインデックスマー
ク16を絶縁膜上に形成した配線金属等で構成したが、
絶縁膜に穴を形成し、この穴をインデックスマークとし
ても良い。このようなマークであっても上記実施例と同
様な効果が奏される。
The position where the index mark 16 is formed is determined by the device TEG (Test El) on the scribe line 15.
ment group), any location may be used in the vicinity of the intersection of the scribe lines 15 that partition each chip pattern. Further, although the index mark 16 is made of a wiring metal or the like formed on the insulating film in the above-mentioned embodiment,
A hole may be formed in the insulating film and this hole may be used as an index mark. Even with such a mark, the same effect as that of the above embodiment can be obtained.

【0014】[0014]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、各
サブチップ内のレイアウトパターンの如何にかかわら
ず、各チップパターンを区画するスクライブラインには
一定の大きさを持つ空白領域が形成され、この領域に形
成されるマークは一定の大きさに保たれる。従って、マ
ークは容易に視認される。また、このマークを手掛かり
にして各チップパターンの形成位置は容易に判別され
る。
As described above, according to the present invention, the scribe line for partitioning each chip pattern is formed with a blank area having a certain size regardless of the layout pattern in each sub-chip. The mark formed in this area is kept at a constant size. Therefore, the mark is easily visible. Further, the formation position of each chip pattern can be easily identified by using this mark as a clue.

【0015】このため、本発明によれば、プローブテス
トは短時間に容易に行えるようになる。
Therefore, according to the present invention, the probe test can be easily performed in a short time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例による半導体ウエハに形成さ
れたチップパターンの一部を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing a part of a chip pattern formed on a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.

【図2】従来の半導体ウエハに形成されたチップパター
ンの一部を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing a part of a chip pattern formed on a conventional semiconductor wafer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11〜14…チップパターン、15…スクライブライ
ン、16…インデックスマーク、SUB1〜SUB9…
サブチップパターン。
11 to 14 ... Chip pattern, 15 ... Scribe line, 16 ... Index mark, SUB1 to SUB9 ...
Sub-chip pattern.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ほぼ同一幅のスクライブラインを隔てて
マトリクス状に配置された複数のサブチップパターンか
らなるチップパターンが形成され、さらに、このチップ
パターンが前記スクライブラインとほぼ同一幅のスクラ
イブラインを隔ててマトリクス状に配置されて形成され
た半導体ウエハにおいて、 前記各チップパターンを隔てるスクライブラインの交差
部近傍にマークが形成されていることを特徴とする半導
体ウエハ。
1. A chip pattern formed of a plurality of sub-chip patterns arranged in a matrix with scribe lines having substantially the same width is formed, and the chip pattern further comprises scribe lines having substantially the same width as the scribe line. A semiconductor wafer, which is formed by arranging in a matrix in a spaced manner, wherein marks are formed in the vicinity of intersections of scribe lines that separate the chip patterns.
【請求項2】 前記マークは、チップパターンの配線工
程でパターニングされた配線金属により形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハ。
2. The semiconductor wafer according to claim 1, wherein the mark is made of a wiring metal patterned in a chip pattern wiring process.
JP34930092A 1992-12-28 1992-12-28 Semiconductor wafer Pending JPH06204101A (en)

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JP34930092A JPH06204101A (en) 1992-12-28 1992-12-28 Semiconductor wafer

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JP34930092A JPH06204101A (en) 1992-12-28 1992-12-28 Semiconductor wafer

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ID=18402839

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JP34930092A Pending JPH06204101A (en) 1992-12-28 1992-12-28 Semiconductor wafer

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JP (1) JPH06204101A (en)

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