JPH0620092B2 - Chuck device for die bonding of semiconductor pellets - Google Patents
Chuck device for die bonding of semiconductor pelletsInfo
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- JPH0620092B2 JPH0620092B2 JP59190326A JP19032684A JPH0620092B2 JP H0620092 B2 JPH0620092 B2 JP H0620092B2 JP 59190326 A JP59190326 A JP 59190326A JP 19032684 A JP19032684 A JP 19032684A JP H0620092 B2 JPH0620092 B2 JP H0620092B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、ＩＣチップ等の半導体ペレットを例えばコバ
ール基板にダイボンディングする際に使用される半導体
ペレットのダイボンディング用チャック装置に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a die-bonding chuck device for a semiconductor pellet, which is used when die-bonding a semiconductor pellet such as an IC chip onto a Kovar substrate, for example.
＜従来の技術＞ 一般に、この種のダイボンディング用チャック装置とし
ては、例えば半導体ペレットを支持するコレットを備
え、このコレットに設けた吸引孔を例えば真空ポンプ等
の真空引き手段に連通接続して、該コレットの下端に設
けたチャック面に前記半導体ペレットを真空引きにより
吸着支持することにより、該半導体ペレットを例えば加
熱されたコバール基板上に機械的に固定し、かつ該半導
体ペレットの裏面とコバール基板とを電気的に接続する
ようにしたものが知られている。<Prior Art> Generally, as a chuck device for die bonding of this type, for example, a collet for supporting a semiconductor pellet is provided, and a suction hole provided in this collet is connected to a vacuum drawing means such as a vacuum pump, By chucking and supporting the semiconductor pellet on the chuck surface provided at the lower end of the collet, the semiconductor pellet is mechanically fixed on, for example, a heated Kovar substrate, and the back surface of the semiconductor pellet and the Kovar substrate It is known that the and are electrically connected.
＜発明が解決しようとする問題点＞ ところで、前記コレットは従来より超硬合金等の金属材
で構成され、例えば第６図(イ)、(ロ)、(ハ)に示すよう
に、チャック面の形状を種々工夫したものが使用されて
いる。このうち、第６図(イ)に示されるものは、半導体
ペレット１の一面に密接して、該半導体ペレット１を強
力に支持するように、コレット３のチャック面４を平坦
な鏡面に形成している。ところが、このように鏡面仕上
げを施されたチャック面４では、半導体ペレット１が吸
引時に高硬度のチャック面４により強い衝撃を受けた場
合に、該半導体ペレット１の表面に形成された保護膜が
損傷されることが少なからず起こるという不都合があ
る。<Problems to be Solved by the Invention> By the way, the collet is conventionally made of a metal material such as cemented carbide, and as shown in, for example, FIG. Various modified shapes are used. Among them, the one shown in FIG. 6 (a) is such that the chuck surface 4 of the collet 3 is formed into a flat mirror surface so as to closely adhere to one surface of the semiconductor pellet 1 and strongly support the semiconductor pellet 1. ing. However, on the chuck surface 4 thus mirror-finished, when the semiconductor pellet 1 is strongly impacted by the chuck surface 4 having high hardness during suction, the protective film formed on the surface of the semiconductor pellet 1 is There is the inconvenience that it is not a little damaged.
また、第６図(ロ)に示されるものでは、前記チャック面
４をコレット３の下端から凹入する角錐状の複数のテー
パ面１６で構成し、このテーパ面１６に半導体ペレット
１の周縁コーナー部が当接する状態で該ペレット１を支
持するようにしている。しかしながら、この場合では、
半導体ペレット１が傾斜した状態で支持されることがあ
り、これでは半導体ペレット１が傾斜したままの状態で
ボンディングが行なわれるという不都合がある。また、
このような場合に、半導体ペレット１のチャック時に該
ペレット１の各コーナー部に対して個別に不均等な衝撃
が加わることになるため、該コーナー部や半導体ペレッ
ト１の内部にクラックが生じるおそれがある。更には、
前述のように、半導体ペレット１はテーパ面１６に不安
定な状態で支持されることになるため、例えば１mm以下
の径寸法の半導体ペレット１では吸着ミスを起こし易い
といった問題点がある。Further, in the structure shown in FIG. 6B, the chuck surface 4 is composed of a plurality of pyramid-shaped tapered surfaces 16 which are recessed from the lower end of the collet 3, and the peripheral surfaces of the semiconductor pellet 1 are rounded by the tapered surfaces 16. The pellet 1 is supported in a state where the parts are in contact with each other. However, in this case,
The semiconductor pellet 1 may be supported in a tilted state, which has a disadvantage that the semiconductor pellet 1 is bonded in a tilted state. Also,
In such a case, when the semiconductor pellet 1 is chucked, an uneven impact is individually applied to each corner portion of the pellet 1, so that the corner portion and the inside of the semiconductor pellet 1 may be cracked. is there. Furthermore,
As described above, since the semiconductor pellet 1 is supported by the tapered surface 16 in an unstable state, there is a problem that the semiconductor pellet 1 having a diameter dimension of 1 mm or less, for example, tends to cause a suction error.
更に、第６図(ハ)に示されるものでは、前記チャック面
４を平坦に形成されたコレット３の下面に樹脂製のＯリ
ング等を装着し、このＯリングに半導体ペレット１が支
持されるようにしている。しかし、この場合において
も、前述のような小径の半導体ペレット１はＯリングで
支持し得ないうえ、該Ｏリングが樹脂材からなるため、
ボンディング時にチャック面４が粘着力および静電気を
帯びることがあり、真空引きを解除しても半導体ペレッ
ト１がチャック面４に密着して離れなくなる場合がある
という問題点がある。Further, in the structure shown in FIG. 6 (c), a resin O-ring or the like is mounted on the lower surface of the collet 3 having the chuck surface 4 formed flat, and the semiconductor pellet 1 is supported by this O-ring. I am trying. However, even in this case, the small-diameter semiconductor pellet 1 as described above cannot be supported by the O-ring, and the O-ring is made of a resin material.
There is a problem that the chuck surface 4 may have an adhesive force and static electricity at the time of bonding, and the semiconductor pellet 1 may stick to the chuck surface 4 and may not be separated even if the vacuuming is released.
本発明はかかる従来の問題点に鑑み、半導体ペレットを
コレットのチャック面に正しく吸着支持し、このチャッ
ク時に該半導体ペレットの保護膜やペレット自体の損傷
の発生をほぼ完全に防止するとともに、真空引きの解除
に伴なって、半導体ペレットがコレットのチャック面か
ら例外なくスムーズに離脱し得るようにすることを目的
とする。In view of the above conventional problems, the present invention correctly adsorbs and supports semiconductor pellets on the chuck surface of the collet, and almost completely prevents the occurrence of damage to the protective film of the semiconductor pellets or the pellets themselves during this chucking. The purpose is to enable the semiconductor pellets to smoothly separate from the chuck surface of the collet without exception.
＜問題点を解決するための手段＞ 本発明ではこのような目的を達成するために、コレット
を備え、このコレットは半導体ペレットの一面を支持す
るチャック面と、このチャック面に開口する吸引孔とを
有し、該コレットの吸引孔を通じて真空引きすることに
より前記半導体ペレットを前記チャック面に吸着支持す
るようにしたダイボンディング用チャック装置におい
て、前記コレットの全体をシリコンゴムあるいはこれと
同程度の弾性を有する樹脂で筒状に構成するとともに、
前記チャック面を平坦に形成し、かつ該チャック面の少
なくとも半導体ペレットの一面の接触する部分は、微小
凹凸面に形成したことに特徴を有する。<Means for Solving Problems> In order to achieve such an object, the present invention includes a collet, and the collet includes a chuck surface supporting one surface of a semiconductor pellet, and a suction hole opened in the chuck surface. In a die bonding chuck device having a chucking surface for sucking and supporting the semiconductor pellets by sucking a vacuum through the suction holes of the collet, the entire collet is made of silicon rubber or elastic material of the same degree. It is made of resin with a tubular shape,
It is characterized in that the chuck surface is formed flat, and at least a portion of the chuck surface, which is in contact with one surface of the semiconductor pellet, is formed into a minute uneven surface.
＜作用＞ このようにすれば、コレットが弾性を有するため、半導
体ペレットがコレットのチャック面に吸着される際に、
該ペレットの保護膜に加わる衝撃力がコレットに吸収さ
れる。また、この吸着時における吸引力により、チャッ
ク面の微小凹凸面が平坦に変形されるため、半導体ペレ
ットは正確に、かつ確実に支持される。更に、真空引き
の解除時においては、前記微小凹凸面が弾性復元するた
め、ペレットの被吸着面とチャック面との間に、該ペレ
ットの外側に通じる多数の空隙が生じるため、該ペレッ
トはチャック面から無理なく自然に離脱する。<Operation> In this way, since the collet has elasticity, when the semiconductor pellet is attracted to the chuck surface of the collet,
The impact force applied to the protective film of the pellet is absorbed by the collet. Further, the suction force at the time of this suction deforms the minute uneven surface of the chuck surface to be flat, so that the semiconductor pellet is supported accurately and surely. Furthermore, when the vacuum is released, since the minute uneven surface is elastically restored, a large number of voids communicating with the outside of the pellet are formed between the attracted surface of the pellet and the chuck surface. It naturally comes off from the face.
また、コレットの長手方向に対して基板が正確に直角を
なす角度になくても、その角度のずれをコレット全体が
湾曲することで吸引するから、コレットに吸着された半
導体ペレットは、その裏面全面が均等に基板に押し当て
られる。Even if the substrate is not at an angle perpendicular to the longitudinal direction of the collet, the deviation of the angle is attracted by the curling of the entire collet. Are evenly pressed against the substrate.
＜実施例＞ 以下、本発明を図面に示す実施例に基づき詳細に説明す
る。<Examples> Hereinafter, the present invention will be described in detail based on Examples shown in the drawings.
第１図はこの実施例の半導体ペレットのダイボンディン
グ用チャック装置の要部を示す一部切欠概略正面図であ
る。この図において、１はＩＣチップ等の半導体ペレッ
トであって、該半導体ペレット１の表面部分には保護膜
２が形成されている。３は該半導体ペレット１を支持す
るコレットである。このコレット３はシリコンゴムある
いはこれと同程度の弾性を有する樹脂からなる円柱形の
ブロック状部材であって、下端面が半導体ペレット１の
一面を支持するチャック面４として平坦に形成されてい
る。このチャック面４の中央には該コレット３の軸心に
沿って貫通形成された吸引孔５が開口する。この吸引孔
５は例えば真空ポンプ等の真空引き手段６に連通接続さ
れる。そして、前記チャック面４に半導体ペレット１を
真空引きにより吸着支持することにより該半導体ペレッ
ト１を持ち上げて、容器の基板７上に位置させる。この
基板７は例えばコバールからなる。該コバール基板７上
には例えば金めっきが施されており、このめっき面上に
例えば金箔８を介して前記半導体ペレット１を載置する
とともに、前記コバール基板７を加熱して、このコバー
ル基板７上に該ペレット１を接着固定し、かつ該半導体
ペレット１の裏面とコバール基板７とを電気的に接続し
ている。FIG. 1 is a partially cutaway schematic front view showing a main part of a chuck device for die-bonding a semiconductor pellet of this embodiment. In this figure, 1 is a semiconductor pellet such as an IC chip, and a protective film 2 is formed on the surface portion of the semiconductor pellet 1. A collet 3 supports the semiconductor pellet 1. The collet 3 is a cylindrical block-shaped member made of silicone rubber or a resin having elasticity similar to that of the collet 3, and has a lower end surface formed flat as a chuck surface 4 for supporting one surface of the semiconductor pellet 1. A suction hole 5 penetratingly formed along the axis of the collet 3 is opened at the center of the chuck surface 4. The suction hole 5 is communicatively connected to evacuation means 6 such as a vacuum pump. Then, the semiconductor pellet 1 is sucked and supported on the chuck surface 4 by vacuum suction, so that the semiconductor pellet 1 is lifted and positioned on the substrate 7 of the container. The substrate 7 is made of Kovar, for example. The Kovar substrate 7 is, for example, plated with gold, and the semiconductor pellet 1 is placed on the plated surface via, for example, a gold foil 8 and the Kovar substrate 7 is heated so that the Kovar substrate 7 is heated. The pellet 1 is adhered and fixed on the upper side, and the back surface of the semiconductor pellet 1 and the Kovar substrate 7 are electrically connected.
第２図は前記コレット３の要部の斜視図、第３図はチャ
ック面４の部分拡大断面図である。これらの図におい
て、該チャック面４の少なくとも半導体ペレット１の被
吸着面９と接触する部分１０は微小凹凸面、例えば梨地
面に形成されている。この微小凹凸面の凹部深さは、梨
地面としては一般的な凹部深さ、すなわち５０〜１００
μｍ程度に設定されている。FIG. 2 is a perspective view of an essential part of the collet 3, and FIG. 3 is a partially enlarged sectional view of the chuck surface 4. In these drawings, at least a portion 10 of the chuck surface 4 that comes into contact with the attracted surface 9 of the semiconductor pellet 1 is formed as a fine uneven surface, for example, a satin surface. The depth of the concave portion of the minute uneven surface is the depth of a concave portion that is generally used as a matte surface, that is, 50 to 100.
It is set to about μm.
このように梨地面状に形成されたチャック面４では、第
４図に示すように、該チャック面４に真空引きにより半
導体ペレット１を吸着すると、その真空圧により梨地面
が平らに変形する。したがって、半導体ペレット１の被
吸着面９とチャック面４とは吸着時において密接してい
る。また、第２図に示すように、真空引きが解除される
と、該チャック面４はそれ自体が有する弾性力により自
動的に梨地面に復元し、ペレット１の被吸着面９との間
に多数の空隙部分gが生じ、これにより両者間の負圧を
なくして半導体ペレット１をチャック面４から離脱させ
る。As shown in FIG. 4, when the semiconductor pellet 1 is attracted to the chuck surface 4 by vacuuming on the chuck surface 4 thus formed in a matte surface shape, the satin surface is deformed flat by the vacuum pressure. Therefore, the attracted surface 9 of the semiconductor pellet 1 and the chuck surface 4 are in close contact with each other during adsorption. Further, as shown in FIG. 2, when the vacuuming is released, the chuck surface 4 is automatically restored to the satin surface by the elastic force of the chuck surface 4, and the chuck surface 4 and the chucked surface 9 of the pellet 1 are attracted to each other. A large number of void portions g are generated, which eliminates the negative pressure between them and separates the semiconductor pellet 1 from the chuck surface 4.
次に、上記構成のコレットの評価実験の結果を説明す
る。Next, the result of the evaluation experiment of the collet having the above configuration will be described.
実験の対象である本発明のコレットは、上記のように、
全体がシリコンゴムで形成され、チャック面には、凹部
深さが５０〜１００μｍの範囲内に収まる梨地の凹凸面
が形成されているものである。比較例としての従来のコ
レットは、本発明のコレットと同寸法の超硬合金製で、
チャック面は平坦で鏡面に形成されている。The collet of the present invention that is the subject of the experiment is, as described above,
The whole is made of silicon rubber, and the chuck surface is provided with a satin-finished concavo-convex surface having a recess depth within the range of 50 to 100 μm. The conventional collet as a comparative example is made of cemented carbide of the same size as the collet of the present invention,
The chuck surface is flat and has a mirror surface.
そして、各コレットを備えた２台のチャック装置で、そ
れぞれ多数の半導体ペレットについて基板へのダイボン
ディング動作を行った後、各半導体ペレットをアルミエ
ッチング液に浸漬し、その表面状態を、倍率１００の顕
微鏡で観察した。ダイボンディング動作により、半導体
ペレットが損傷を受けていれば、その半導体ペレットの
保護膜が破壊されて、その内部のアルミニウム配線がエ
ッチング液で侵食されているはずである。Then, after performing a die bonding operation on a substrate for each of a large number of semiconductor pellets with two chuck devices equipped with respective collets, the respective semiconductor pellets were immersed in an aluminum etching solution, and the surface condition thereof was adjusted to a magnification of 100. It was observed under a microscope. If the semiconductor pellet is damaged by the die bonding operation, the protective film of the semiconductor pellet should be destroyed and the aluminum wiring inside should be eroded by the etching solution.
その結果、一部の半導体ペレットについてアルミニウム
配線がエッチング液により侵食されていたものがあり、
その数は、本発明のコレットによるものに比べ、従来の
コレットによるものの方が多く、発生率は１：５であっ
た。As a result, some semiconductor pellets had aluminum wiring eroded by the etching solution,
The number was higher in the conventional collet than in the collet of the present invention, and the incidence was 1: 5.
この評価実験の結果から、本発明のチャック装置によれ
ば、半導体ペレットに損傷を与えることが少ないことが
分かる。From the results of this evaluation experiment, it is understood that the chuck device of the present invention rarely damages the semiconductor pellet.
第５図は該コレット３の成形手段１１の一例を示す要部
断面図である。この図において、該成形手段１１は基板
１２と、この基板１２上に設けられる型枠１３とを備え
る。この基板１２および型枠１３は例えばステンレス鋼
等で形成されており、このうち基板１２の上面には梨地
模様が形成されている。そして、前記吸引孔５を成形す
るための中子１４を型枠１３の成形孔１５の軸心に配置
するとともに、該成形孔１５に樹脂材を注入したのち硬
化させると、梨地状のチャック面４を有するコレット３
が成形される。FIG. 5 is a sectional view of an essential part showing an example of the forming means 11 of the collet 3. In this figure, the molding means 11 comprises a substrate 12 and a mold 13 provided on the substrate 12. The substrate 12 and the mold 13 are made of, for example, stainless steel, and the upper surface of the substrate 12 has a satin pattern. Then, the core 14 for molding the suction hole 5 is arranged at the axis of the molding hole 15 of the mold 13, and a resin material is injected into the molding hole 15 and then cured. Collet 3 with 4
Is molded.
なお、前記微小凹凸面としては梨地面のほか、多数の溝
を平行に刻設したものや、網目状の溝を形成したもので
あってもよい。In addition to the matte surface, the minute uneven surface may be a plurality of grooves engraved in parallel or a mesh-like groove formed.
また、前記基板７は４２アロイ、銅材、セラミック板あ
るいは樹脂板等で構成してもよい。The substrate 7 may be made of 42 alloy, copper material, ceramic plate, resin plate, or the like.
＜発明の効果＞ 以上のように本発明によれば、コレット全体が弾性を有
するため、半導体ペレットがコレットのチャック面に吸
着される際に、該ペレットに加わる衝撃力がコレットの
弾性により吸収されるので、半導体ペレットの保護膜の
損傷を防止することができる。したがって、基板に対す
るコレットの移動ストロークに若干のずれがあっても支
障がなく、それだけチヤック装置の制御が容易になる。<Effect of the Invention> According to the present invention as described above, since the entire collet has elasticity, when the semiconductor pellet is adsorbed on the chuck surface of the collet, the impact force applied to the pellet is absorbed by the elasticity of the collet. Therefore, it is possible to prevent damage to the protective film of the semiconductor pellet. Therefore, even if there is a slight deviation in the movement stroke of the collet with respect to the substrate, there is no problem and the control of the chuck device is facilitated accordingly.
また、この吸着時における吸引力により、チャック面の
微小凹凸面が半導体ペレット表面に沿って平坦に変形さ
れるため、半導体ペレットとの間に空気漏れがなく、半
導体ペレットは正確に、かつ確実に支持され、吸着ミス
の発生をなくすことができる。しかも、チャック面が平
坦であるため、小形の半導体ペレットに対しても、吸着
ミスを生じることがない。Further, due to the suction force at the time of this suction, the minute uneven surface of the chuck surface is deformed flat along the surface of the semiconductor pellet, so that there is no air leakage between the semiconductor pellet and the semiconductor pellet, and the semiconductor pellet is accurately and surely. It is supported, and it is possible to eliminate the occurrence of suction error. Moreover, since the chuck surface is flat, a suction error does not occur even for small semiconductor pellets.
更に、真空引きの解除時においては、前記微小凹凸面が
弾性復元するため、半導体ペレットの被吸着面とチャッ
ク面との間に、半導体ペレットの外側に通じる多数と空
隙が生じ、これにより該ペレットはチャック面から無理
なく自然に離脱するので、ボンディング作業に支障を来
たすおそれをなくすことができる。Further, when the vacuum is released, the minute uneven surface is elastically restored, so that a large number of voids and voids communicating with the outside of the semiconductor pellet are formed between the attracted surface of the semiconductor pellet and the chuck surface, whereby the pellet is formed. Since it can be naturally separated from the chuck surface without difficulty, it is possible to eliminate the possibility of hindering the bonding work.
このほか、コレットのチャック面に半導体ペレットを吸
着支持してこの半導体ペレットを基板上に固定する際、
コレットの長手方向に対して基板が正確に直角をなす角
度になくても、その角度のずれをコレット全体が湾曲す
ることで吸引するから、半導体ペレットは、その裏面全
面が均等に基板に押し当てられ、局部的な衝撃が少な
く、安定した姿勢で基板に固定される。In addition, when the semiconductor pellet is adsorbed and supported on the chuck surface of the collet and the semiconductor pellet is fixed on the substrate,
Even if the substrate is not at an angle that is exactly at right angles to the longitudinal direction of the collet, the deviation of that angle is attracted by the curving of the entire collet, so the entire back surface of the semiconductor pellet is pressed against the substrate evenly. Therefore, it is fixed to the substrate in a stable posture with less local impact.
第１図ないし第４図は本発明の実施例を示し、第１図は
この実施例の半導体ペレットのダイボンディング用チャ
ック装置の要部を示す一部切欠概略正面図、第２図は前
記コレットの要部の斜視図、第３図はチャック面の部分
拡大断面図、第４図は半導体ペレットがチャック面に吸
着されている状態を示す要部拡大断面図、第５図は該コ
レットの成形手段の一例を示す要部断面図、第６図
(イ)、(ロ)、(ハ)はそれぞれコレットの従来例を示す一
部切欠断面図である。 １……半導体ペレット、３……コレット、４……チャッ
ク面、５……吸引孔、９……半導体ペレットの一面（被
吸着面）、１０……チャック面の被吸着面との接触部
分。1 to 4 show an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a partially cutaway schematic front view showing a principal part of a die bonding chuck device for semiconductor pellets of this embodiment, and FIG. 2 is the collet. FIG. 3 is a partial enlarged cross-sectional view of the chuck surface, FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of the essential portion showing semiconductor pellets adsorbed to the chuck surface, and FIG. FIG. 6 is a sectional view of an essential part showing an example of means.
(A), (B) and (C) are partially cutaway sectional views showing conventional examples of collets. 1 ... Semiconductor pellet, 3 ... Collet, 4 ... Chuck surface, 5 ... Suction hole, 9 ... One surface of semiconductor pellet (adsorbed surface), 10 ... Contact portion of chuck surface with the adsorbed surface.
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−53946（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−144551（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−154151（ＪＰ，Ｕ)Continuation of the front page (56) Reference JP-A-57-53946 (JP, A) JP-A-56-144551 (JP, A) Actually-opened JP-A-56-154151 (JP, U)
Claims (2)
レットの一面を支持するチャック面と、このチャック面
に開口する吸引孔とを有し、該コレットの吸引孔を通じ
て真空引きすることにより前記半導体ペレットを前記チ
ャック面に吸着支持するようにしたダイボンディング用
チャック装置において、 前記コレットの全体をシリコンゴムあるいはこれと同程
度の弾性を有する樹脂で筒状に構成するとともに、前記
チャック面を平坦に形成し、かつ該チャック面の少なく
とも半導体ペレットの一面の接触する部分は、微小凹凸
面に形成したことを特徴とする半導体ペレットのダイボ
ンディング用チャック装置。1. A collet, comprising: a chuck surface for supporting one surface of a semiconductor pellet; and a suction hole opened in the chuck surface, wherein the semiconductor pellet is vacuumed through the suction hole of the collet. In a die bonding chuck device adapted to adsorb and support the chuck surface on the chuck surface, the entire collet is made of silicon rubber or a resin having elasticity similar to that of the cylindrical shape, and the chuck surface is formed flat. In addition, the chucking device for die bonding of a semiconductor pellet is characterized in that at least a portion of the chuck surface, which is in contact with one surface of the semiconductor pellet, is formed into a minute uneven surface.
ットのダイボンディング用チャック装置において、 前記チャック面の少なくとも半導体ペレットの一面と接
触する部分が梨地面である半導体ペレットのダイボンデ
ィング用チャック装置。2. The chuck for die bonding of semiconductor pellets according to claim 1, wherein at least a portion of the chuck surface that comes into contact with one surface of the semiconductor pellet is a satin-finished surface. apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59190326A JPH0620092B2 (en) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | Chuck device for die bonding of semiconductor pellets |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59190326A JPH0620092B2 (en) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | Chuck device for die bonding of semiconductor pellets |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6167931A JPS6167931A (en) | 1986-04-08 |
| JPH0620092B2 true JPH0620092B2 (en) | 1994-03-16 |
Family
ID=16256318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59190326A Expired - Lifetime JPH0620092B2 (en) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | Chuck device for die bonding of semiconductor pellets |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620092B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009004609A (en) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Renesas Technology Corp | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device |
| JP2013055133A (en) * | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Toshiba Corp | Manufacturing method and manufacturing apparatus of laminated semiconductor device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3833378B2 (en) * | 1997-11-28 | 2006-10-11 | 日本電産トーソク株式会社 | Collet for die bonding equipment |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56144551A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Hitachi Ltd | Collet |
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-
1984
- 1984-09-11 JP JP59190326A patent/JPH0620092B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009004609A (en) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Renesas Technology Corp | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device |
| JP2013055133A (en) * | 2011-09-01 | 2013-03-21 | Toshiba Corp | Manufacturing method and manufacturing apparatus of laminated semiconductor device |
| US8796076B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-08-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Stacked semiconductor devices and fabrication method/equipment for the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6167931A (en) | 1986-04-08 |
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