JPH0620050B2 - Gas dilution device - Google Patents
Gas dilution deviceInfo
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- JPH0620050B2 JPH0620050B2 JP62201238A JP20123887A JPH0620050B2 JP H0620050 B2 JPH0620050 B2 JP H0620050B2 JP 62201238 A JP62201238 A JP 62201238A JP 20123887 A JP20123887 A JP 20123887A JP H0620050 B2 JPH0620050 B2 JP H0620050B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は有機金属化合物を用いる化学的気相成長装置
（以下ＭＯＣＶＤ装置と略称）のガス稀釈装置に係り、
特にドーパンドガスの稀釈装置に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a gas dilution apparatus of a chemical vapor deposition apparatus (hereinafter abbreviated as MOCVD apparatus) using an organometallic compound,
In particular, it relates to a device for diluting dopandgas.
近年III族金属元素の有機金属化合物とＶ族の元素を水
素化合物を用いて化合物半導体を基板上に気相成長させ
るＭＯＣＶＤ法が膜厚や組成の制御性に優れているこ
と、量産性が分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）より優
れていることなどのため盛んに研究されている。In recent years, the MOCVD method of vapor-depositing a compound semiconductor on a substrate by using an organometallic compound of a group III metal element and a hydrogen compound of a group V has excellent controllability of film thickness and composition, and mass productivity is high. It has been actively studied because it is superior to the line epitaxy method (MBE method).
従来のＭＯＣＶＤ装置について以下に説明する。第２図
はＭＯＣＶＤ装置のガス系統図である。原料ガスとして
は例えばトリメチルガリウム（Ga(CH3)3），アルシン(A
sH3)，シラン(SiH4)などが用いられる。トリメチルガリ
ウムは室温で液体であるが蒸気圧は比較的高いので水素
などのキャリアガスによってバブリングを行ない、飽和
蒸気の形で供給される。アルシン，シランはガスボンベ
より供給される。ガス稀釈装置１４はそれぞれの原料ガ
スに対して設けられベントラインとランラインに並列に
接続される。稀釈された原料ガスはＭＯＣＶＤ装置で成
膜を行なわないときはベント／ランバルブ 13Aを通りベ
ントラインを経由して真空ポンプ１２により排気され
る。このときキャリアガスはベント／ランバルブ 13A,1
3Bとランラインを経由してＭＯＣＶＤ装置１１を流れ真
空ポンプ１２により排気される。このキャリアガスはベ
ント／ランバルブやランラインに原料ガスを停滞させな
い目的でランラインに流される。ベント／ランバルブ 1
3A,13Bは３方向の切換弁でガスをベントラインとランラ
インのいづれかに切換える。ベント／ライバルブ 13Aは
稀釈された原料ガスの切換用である。ベント／ランバル
プ 13Bは圧力補償用の切換弁である。この圧力補償用の
ベント／ランバルブ 13Bは成膜するために稀釈された原
料ガスをベント／ランバルブ 13Aで切換えてランライン
に導くときにベントラインとランラインにおける圧力変
化を補償するためのもので、キャリアガスがランからベ
ントに切換えられる。これは、ベントラインとランライ
ンでガスの圧力が異なると、稀釈された原料ガスをベン
トラインからランラインに切換えたときにガス稀釈装置
１４からの原料ガス流量が過度的に変化するからであ
る。原料ガス流量の変動は成膜された化合物の組成変化
をおこす。以上のようにしてランラインに導かれた各原
料ガスは結晶成長室１１内の加熱された基板上で反応し
て例えばドーパントとしてＳｉを含むGaAs化合物半導体
が生成される。A conventional MOCVD apparatus will be described below. FIG. 2 is a gas system diagram of the MOCVD apparatus. Examples of source gases include trimethylgallium (Ga (CH 3 ) 3 ) and arsine (A
sH 3 ) and silane (SiH 4 ) are used. Trimethylgallium is a liquid at room temperature, but has a relatively high vapor pressure, so it is bubbled by a carrier gas such as hydrogen and supplied in the form of saturated vapor. Arsine and silane are supplied from a gas cylinder. The gas dilution device 14 is provided for each raw material gas and is connected in parallel to the vent line and the run line. The diluted source gas is exhausted by the vacuum pump 12 through the vent / run valve 13A and the vent line when the MOCVD apparatus does not form a film. At this time, the carrier gas is vent / run valve 13A, 1
It flows through the MOCVD apparatus 11 via 3B and the run line, and is exhausted by the vacuum pump 12. This carrier gas is flowed to the run line for the purpose of keeping the raw material gas in the vent / run valve and the run line. Vent / run valve 1
3A and 13B are three-way switching valves that switch the gas between the vent line and the run line. The vent / li valve 13A is for switching the diluted source gas. The vent / lambarp 13B is a switching valve for pressure compensation. The pressure compensating vent / run valve 13B is for compensating the pressure change in the vent line and the run line when the raw material gas diluted for film formation is switched by the vent / run valve 13A and guided to the run line. The carrier gas is switched from run to vent. This is because when the gas pressures in the vent line and the run line are different, the flow rate of the raw material gas from the gas dilution device 14 changes excessively when the diluted raw material gas is switched from the vent line to the run line. . Fluctuations in the raw material gas flow rate cause changes in the composition of the compound formed. Each source gas introduced into the run line as described above reacts on the heated substrate in the crystal growth chamber 11 to generate a GaAs compound semiconductor containing Si as a dopant, for example.
このようなＭＯＣＶＤ装置においてはガス稀釈装置１４
は第３図に示す構成のものが用いられている。原料ガス
は第１の流量調整手段であるマスフローコントローラ１
により所定流量で混合室５に導かれる。キャリアガスで
ある水素が逆止弁６を経て混合室５に導かれる。混合室
５で原料ガスとキャリアガスはよく混合され原料ガスは
稀釈される。混合室５内の稀釈された原料ガスは第２の
流量調整手段であるマスフローコントローラ２により所
定の流量でベント／ランバルブに送られる。また第３の
流量調整手段であるマスフローコントローラ３により混
合室５内の稀釈された原料ガスが所定流量で排気され
る。マスフローコントローラは制御電圧信号Ｅ（０＜Ｅ
≦５Ｖ）に比例したガス流量をもつ。いまマスフローコ
ントローラ３がマスフローコントローラ１，２に比し同
じ制御電圧で流れる流量が10倍の容量をもつものとし、
マスフローコントローラ２は電圧Ｅ（Ｖ），マスフロー
コントローラ３には電圧（５−Ｅ）（Ｖ）を与えるとす
ると、マスフローコントローラ２と３を流れる稀釈され
原料ガスの全流量はＥ＋（５−Ｅ）×10＝（50−９Ｅ）
に比例する。従って稀釈率Ｄは Ｄ＝Ｅ／（50−９Ｅ）……………（１） で与えられる。In such a MOCVD apparatus, the gas dilution apparatus 14
Has the structure shown in FIG. The raw material gas is a mass flow controller 1 which is a first flow rate adjusting means.
Is introduced into the mixing chamber 5 at a predetermined flow rate. Hydrogen, which is a carrier gas, is introduced into the mixing chamber 5 through the check valve 6. In the mixing chamber 5, the raw material gas and the carrier gas are well mixed and the raw material gas is diluted. The diluted source gas in the mixing chamber 5 is sent to the vent / run valve at a predetermined flow rate by the mass flow controller 2 which is the second flow rate adjusting means. Further, the diluted raw material gas in the mixing chamber 5 is exhausted at a predetermined flow rate by the mass flow controller 3 which is the third flow rate adjusting means. The mass flow controller controls the control voltage signal E (0 <E
The gas flow rate is proportional to ≦ 5 V). Now, it is assumed that the mass flow controller 3 has a flow capacity that is 10 times larger than the mass flow controllers 1 and 2 with the same control voltage.
Assuming that the mass flow controller 2 gives a voltage E (V) and the mass flow controller 3 a voltage (5-E) (V), the total flow rate of the diluted raw material gas flowing through the mass flow controllers 2 and 3 is E + (5-E). × 10 = (50-9E)
Proportional to. Therefore, the dilution rate D is given by D = E / (50-9E) ... (1).
ｎ型のGaAs化合物半導体を成長させるためには、ドーパ
ント用として前述のシラン（SiH4）を用いることができ
る。近年デバイスの構造上の要求から接合面より数桁に
わたりドーピング濃度を変化させることが行なわれる
が、このため上述のガス稀釈装置１４を用いてマスフロ
ーコントローラ１の流量と稀釈率Ｄにより半導体中のド
ーパントの濃度を大きく変化させることができる。In order to grow an n-type GaAs compound semiconductor, the aforementioned silane (SiH 4 ) can be used as a dopant. In recent years, due to structural requirements of the device, the doping concentration is changed over several orders of magnitude from the junction surface. For this reason, the gas dilution device 14 is used to adjust the dopant in the semiconductor by the flow rate and the dilution rate D of the mass flow controller 1. The concentration of can be greatly changed.
しかしながらこのようなガス稀釈装置の構成では、ドー
パント濃度は大きく変化させることができるのである
が、マスフローコントローラ２の流量を変化させる場合
においてはランラインにおいてガス圧力の変動が生じそ
のためにシランのガス稀釈装置ばかりでなく、他の原料
ガス用のガス稀釈装置内においてもマスフローコントロ
ーラの流量調整に温度的な変化が発生し、そのために短
時間ではあるが基板上の化合物の組成が変動するという
事態がおこる。However, in such a gas dilution device configuration, the dopant concentration can be greatly changed, but when the flow rate of the mass flow controller 2 is changed, the gas pressure changes in the run line, which causes the gas dilution of silane. Not only in the equipment but also in the gas dilution equipment for other raw material gases, temperature changes occur in the flow rate adjustment of the mass flow controller, which causes the composition of the compound on the substrate to change for a short time. Get off.
この発明は上述の点に鑑みてなされ、その目的はベント
／ランバルブに供給されるトータルとしてのガス流量を
一定にすることにより、ドーパント濃度を変化させる際
に基板上の化合物の組成が過度的に変動することないＭ
ＯＣＶＤ用のガス稀釈装置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to make the composition of the compound on the substrate excessive when changing the dopant concentration by making the total gas flow rate supplied to the vent / run valve constant. M that does not fluctuate
It is to provide a gas dilution device for OCVD.
上記の目的はこの発明によれば有機金属化合物の蒸気を
含む原料ガスを熱的に反応させて基板上に化合物の層を
形成させる有機金属化合物を用いる化学的気相成長装置
のガス稀釈装置において、原料ガスとキャリアガスを混
合稀釈する混合室と、原料ガスを所定の流量で混合室に
供給する第１のガス流量調整手段と、混合室の稀釈され
た原料ガスを有機金属化合物を用いる化学的気相成長装
置側のベント／ランバルブへ送る第２のガス流量調整手
段と、混合室の稀釈された原料ガスを排気する第３のガ
ス流量調整手段と、前記ベント／ランバルブに供給され
る稀釈された原料ガスにキャリアガスを加えて両ガスの
全流量を一定にするキャリアガス用の第４のガス流量調
整手段とを備えることにより達成される。According to the present invention, the above object is to provide a gas diluter for a chemical vapor deposition apparatus using an organometallic compound that thermally reacts a source gas containing a vapor of an organometallic compound to form a layer of the compound on a substrate. A mixing chamber for mixing and diluting a raw material gas and a carrier gas; a first gas flow rate adjusting means for supplying the raw material gas to the mixing chamber at a predetermined flow rate; and a chemistry using an organometallic compound for the diluted raw material gas in the mixing chamber. Second gas flow rate adjusting means for sending to the vent / run valve on the side of the dynamic vapor phase growth apparatus, third gas flow rate adjusting means for exhausting the diluted source gas in the mixing chamber, and dilution supplied to the vent / run valve. This is achieved by providing a fourth gas flow rate adjusting means for the carrier gas that adds a carrier gas to the raw material gas so as to make the total flow rate of both gases constant.
ガス流量調整手段としてはマスフローコントローラが用
いられる。マスフローコントローラは例えば電気的に駆
動され制御電圧に比例した流量を得ることができる。A mass flow controller is used as the gas flow rate adjusting means. The mass flow controller can be electrically driven, for example, to obtain a flow rate proportional to the control voltage.
マスフローコントローラ２に印加する制御電圧とマスフ
ローコントローラ４に印加する制御電圧との合計値が一
定値になるようにすると、マスフローコントローラ２と
４の流量の合計は常に一定値となる。マスフローコント
ローラ４を通るガスはキャリアガスで流量トータルを一
定にする流量補償用である。When the total value of the control voltage applied to the mass flow controller 2 and the control voltage applied to the mass flow controller 4 is set to be a constant value, the total flow rate of the mass flow controllers 2 and 4 is always a constant value. The gas passing through the mass flow controller 4 is a carrier gas and is used for flow rate compensation to make the total flow rate constant.
次にこの発明の実施例を図面に基いて説明する。第１図
はこの発明の実施例を示し、第２図と同一部分には同一
符号を付す。この実施例は第２図の構成に流量補償用の
マスフローコントローラ４を附加している。マスフロー
コントローラ４にはマスフローコントローラ２の制御電
圧Ｅ（Ｖ）の反転信号である（５−Ｅ）（Ｖ）が印加さ
れる。マスフローコントローラ４にはキャリアガスが流
される。ガス流量は制御電圧に比例するので全流量は
Ｅ＋（５−Ｅ）＝５（Ｖ）に比例した一定流量となる。
この場合マスフローコントローラ２，４のフルスケール
流量は同一である。Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows an embodiment of the present invention, and the same parts as those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals. In this embodiment, a mass flow controller 4 for flow rate compensation is added to the configuration shown in FIG. The mass flow controller 4 is applied with (5-E) (V) which is an inverted signal of the control voltage E (V) of the mass flow controller 2. A carrier gas is passed through the mass flow controller 4. Since the gas flow rate is proportional to the control voltage, the total flow rate is
The constant flow rate is proportional to E + (5-E) = 5 (V).
In this case, the full-scale flow rates of the mass flow controllers 2 and 4 are the same.
原料ガスとしてシランガスを用いこれを水素で稀釈した
原料ガスをベント／ランバルブの送った状態で、マウフ
ローコントローラ２に印加する制御電圧を変化してドー
パント濃度を変化させる場合、ベント／ランバルブを経
てランラインに導かれるトータルのガス流量は変らない
のでランラインのガスの圧力はドーパントガス濃度の変
化にかかわらず一定となりそのため他の原料ガス流量も
変化することがなく、基板上の化合物組成の不要な過度
的変動が全くなくなる。When a silane gas is used as a raw material gas and the raw material gas diluted with hydrogen is sent to the vent / run valve, when the control voltage applied to the Mowflow controller 2 is changed to change the dopant concentration, the run gas is passed through the vent / run valve. Since the total gas flow rate introduced to the line does not change, the gas pressure in the run line remains constant regardless of the change in the dopant gas concentration, so the flow rates of other source gases do not change, and the composition of the compound on the substrate is unnecessary. There is no excessive fluctuation.
この発明によれば有機金属化合物の蒸気を含む原料ガス
を熱的に反応させて基板上に化合物の層を形成させる有
機金属化合物を用いる化学的気相成長装置のガス稀釈装
置において、原料ガスとキャリアガスを混合稀釈する混
合室と、原料ガスを所定の流量え混合室に供給する第１
のガス流量調整手段と、混合室の稀釈された原料ガスを
有機金属化合物を用いる化学的気相成長装置側のベント
／ランバルブへ送る第２のガス流量調整手段と、混合室
の稀釈された原料ガスを排気する第３のガス流量調整手
段と、前記ベント／ランバルブに供給される稀釈された
原料ガスにキャリアガスを加えて両ガスの全流量を一定
にするキャリアガス用の第４のガス流量調整手段とを備
えるので、第１，第２，第３，のガス流量調整手段によ
り原料ガスの濃度を変化させてもベント／ランバルブに
供給される原料ガスとキャリヤガスの合計された全流量
は変わらず、そのためにランライン内のガス圧力は原料
ガス濃度の変化にもかかわらず一定となりその結果他の
稀釈された原料ガスについてもベント／ランバルブに供
給されるガス流量が変化することがなく基板上の化合物
組成につき不要な過度的変動が全くなくなる。According to the present invention, in a gas diluter of a chemical vapor deposition apparatus using an organometallic compound for thermally reacting a raw material gas containing a vapor of an organometallic compound to form a compound layer on a substrate, A mixing chamber for mixing and diluting a carrier gas and a first source gas for supplying a predetermined flow rate to the mixing chamber
Gas flow rate adjusting means, a second gas flow rate adjusting means for sending the diluted raw material gas in the mixing chamber to a vent / run valve on the side of the chemical vapor deposition apparatus using an organometallic compound, and the diluted raw material in the mixing chamber Third gas flow rate adjusting means for exhausting gas, and fourth gas flow rate for carrier gas for adding carrier gas to the diluted raw material gas supplied to the vent / run valve to make the total flow rate of both gases constant Since the adjusting means is provided, even if the concentration of the raw material gas is changed by the first, second, third gas flow rate adjusting means, the total flow rate of the raw material gas and the carrier gas supplied to the vent / run valve is As a result, the gas pressure in the run line remains constant despite changes in the concentration of the raw material gas, and as a result, the flow rate of the gas supplied to the vent / run valve also for other diluted raw material gases. Totally eliminates the unwanted transient fluctuations per compound composition on a substrate without change.
第１図はこの発明の実施例に係るガス稀釈装置の構成
図、第２図はＭＯＣＶＤ装置のガス系統図、第３図は従
来のガス稀釈装置の構成図である。 １……第１のガス流量調整手段、２……第２のガス流量
調整手段、３……第３のガス流量調整手段、４……第４
のガス流量調整手段、５……混合室、６……逆止弁。FIG. 1 is a block diagram of a gas dilution device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a gas system diagram of a MOCVD device, and FIG. 3 is a block diagram of a conventional gas dilution device. 1 ... 1st gas flow rate adjusting means, 2 ... 2nd gas flow rate adjusting means, 3 ... 3rd gas flow rate adjusting means, 4 ... 4th
Gas flow rate adjusting means, 5 ... Mixing chamber, 6 ... Check valve.
Claims (1)
的に反応させて基板上に化合物の層を形成させる有機金
属化合物を用いる化学的気相成長装置のガス稀釈装置に
おいて、原料ガスとキャリアガスを混合稀釈する混合室
と、原料ガスを所定の流量で混合室に供給する第１のガ
ス流量調整手段と、混合室の稀釈された原料ガスを有機
金属化合物を用いる化学的気相成長装置側のベント／ラ
ンバルブへ送る第２のガス流量調整手段と、混合室の稀
釈された原料ガスを排気する第３のガス流量調整手段
と、前記ベント／ランバルブに供給される稀釈された原
料ガスにキャリアガスを加えて両ガスの全流量を一定に
するキャリアガス用の第４のガス流量調整手段とを備え
ることを特徴とするガス稀釈装置。1. A gas diluting device of a chemical vapor deposition apparatus using an organometallic compound for thermally reacting a raw material gas containing a vapor of an organometallic compound to form a compound layer on a substrate, A mixing chamber for mixing and diluting a carrier gas, a first gas flow rate adjusting means for supplying a raw material gas to the mixing chamber at a predetermined flow rate, and a chemical vapor deposition method using an organometallic compound for the diluted raw material gas in the mixing chamber. Second gas flow rate adjusting means for sending to the vent / run valve on the apparatus side, third gas flow rate adjusting means for exhausting the diluted raw material gas in the mixing chamber, and diluted raw material gas supplied to the vent / run valve And a fourth gas flow rate adjusting means for the carrier gas to make the total flow rate of both gases constant by adding a carrier gas to the gas diluting device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62201238A JPH0620050B2 (en) | 1987-08-12 | 1987-08-12 | Gas dilution device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62201238A JPH0620050B2 (en) | 1987-08-12 | 1987-08-12 | Gas dilution device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6444012A JPS6444012A (en) | 1989-02-16 |
| JPH0620050B2 true JPH0620050B2 (en) | 1994-03-16 |
Family
ID=16437627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62201238A Expired - Lifetime JPH0620050B2 (en) | 1987-08-12 | 1987-08-12 | Gas dilution device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620050B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5601281B2 (en) * | 2011-05-30 | 2014-10-08 | 豊田合成株式会社 | Group III nitride semiconductor light emitting device manufacturing method |
| CN114509517A (en) * | 2022-02-21 | 2022-05-17 | 祁国庆 | Method for analyzing arsine and phosphine in industrial ethylene and propylene by using gas chromatography-mass spectrometer |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513922A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vapor phase growthing method and its device |
| JPS61226321A (en) * | 1985-03-29 | 1986-10-08 | Kinugawa Rubber Ind Co Ltd | Partition seal of slide panel for vehicles |
-
1987
- 1987-08-12 JP JP62201238A patent/JPH0620050B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513922A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vapor phase growthing method and its device |
| JPS61226321A (en) * | 1985-03-29 | 1986-10-08 | Kinugawa Rubber Ind Co Ltd | Partition seal of slide panel for vehicles |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6444012A (en) | 1989-02-16 |
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