JPH0619964B2 - electronic microscope - Google Patents

electronic microscope

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JPH0619964B2
JPH0619964B2 JP60250104A JP25010485A JPH0619964B2 JP H0619964 B2 JPH0619964 B2 JP H0619964B2 JP 60250104 A JP60250104 A JP 60250104A JP 25010485 A JP25010485 A JP 25010485A JP H0619964 B2 JPH0619964 B2 JP H0619964B2
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JP
Japan
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lens
objective
magnetic field
objective lens
magnification
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善博 新井
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Nihon Denshi KK
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は高倍における高分解能観察と低倍における良質
で広視野な像の観察を両立させることのできる電子顕微
鏡に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an electron microscope capable of achieving both high-resolution observation at high magnification and observation of a high-quality wide-field image at low magnification.

[従来の技術] 電子顕微鏡を用いて生物切片試料の観察が行なわれてい
る。このような生物切片試料の観察は一般に1000〜50,0
00倍の倍率範囲で行なわれるが、この際の像質を良好な
ものにするためには、以下の2点の要請が満足されねば
ならない。
[Prior Art] Observation of a biological slice sample is performed using an electron microscope. Observation of such biological section samples is generally between 1000 and 50,0
It is carried out in a magnification range of 00 times, but in order to improve the image quality in this case, the following two requirements must be satisfied.

(1)コントラストを高める。(1) Increase the contrast.

(2)軸外色収差によるボケを少なくする。(2) Reduce blurring due to off-axis chromatic aberration.

まず、第1の要請について検討する。First, consider the first request.

生物切片試料観察でのコントラストは主に振幅コントラ
ストであり、第3図に示すように、試料からの電子線の
開き角αが小さい程コントラストは高くなる。但し第3
図において、1は対物レンズ,2は試料,3は対物絞
り、4は試料2の対物レンズ1による像,5は電子線で
ある。対物絞り3の位置は対物レンズ1の位置に略等し
いと看なせるため、対物レンズ1の焦点距離をf0とす
ると、前記αと対物絞り3の孔径Dapとの間に以下の関
係が成立する。
The contrast in observing a biological section sample is mainly amplitude contrast, and as shown in FIG. 3, the smaller the opening angle α of the electron beam from the sample, the higher the contrast. However, the third
In the figure, 1 is an objective lens, 2 is a sample, 3 is an objective diaphragm, 4 is an image of the sample 2 by the objective lens 1, and 5 is an electron beam. Since it can be considered that the position of the objective diaphragm 3 is substantially equal to the position of the objective lens 1, if the focal length of the objective lens 1 is f 0 , the following relationship is established between α and the hole diameter Dap of the objective diaphragm 3. To do.

αtanα=Dap/2f0 ……(1) 上式より、コントラストを高めるためには、対物レンズ
1の焦点距離を大きくするか、対物絞り3の孔径を小さ
くすることが必要であることが分る。
αtan α = Dap / 2f 0 (1) From the above formula, it is necessary to increase the focal length of the objective lens 1 or reduce the hole diameter of the objective diaphragm 3 in order to increase the contrast. .

ところが、後述するように対物レンズ1の焦点距離f0
を大きくすると、軸上差即ち、球面収差係数Cs及び軸
上収差係数Ccが大きくなってしまうため、焦点距離f0
をさほど大きくすることはできない。そのため、上記低
倍像のコントラストを高めるなめには、対物絞り3の孔
径Dapをかなり小さいものにする必要がある。
However, as will be described later, the focal length f 0 of the objective lens 1
When is increased, the axial difference, that is, the spherical aberration coefficient Cs and the axial aberration coefficient Cc are increased, so that the focal length f 0
Can not be so large. Therefore, in order to increase the contrast of the low-magnification image, it is necessary to make the aperture diameter Dap of the objective diaphragm 3 quite small.

次に第2の要請について検討する。Now consider the second request.

軸外色収差係数をCmr,Uを電子線の加速電圧,ΔUを
試料による電子線のエネルギー損失量,Rをフィルム面
上における中心からの距離とすると、フィルム面上での
像のボケ量Dcmrは以下の式で表わされる。
Assuming that the off-axis chromatic aberration coefficient is Cmr, U is the acceleration voltage of the electron beam, ΔU is the energy loss of the electron beam due to the sample, and R is the distance from the center on the film surface, the amount of image blur Dcmr on the film surface is It is expressed by the following formula.

Dcmr=Cmr・(ΔU/U)・R …(2) 一方、第4図に示すように、試料2を照射する電子線が
光軸Cと交差する点と対物レンズ1との距離をδ,試料
2と対物レンズ1までの距離をZ0,対物レンズ1と対
物レンズ1による像4との距離をZ1とすると、Cmrは
以下のように表されることが知られている。
Dcmr = Cmr · (ΔU / U) · R (2) On the other hand, as shown in FIG. 4, the distance between the objective lens 1 and the point where the electron beam irradiating the sample 2 intersects the optical axis C is δ, It is known that Cmr is expressed as follows, where Z 0 is the distance between the sample 2 and the objective lens 1 and Z 1 is the distance between the objective lens 1 and the image 4 formed by the objective lens 1.

Cmr(1/Z0−1/Z1)/(1/δ−1/Z0)…(3) 従って、軸外色収差をできるだけ小さくするためには、
8が無限大であれば良く、このことは無限遠点からの電
子線によって、換言すれば平行度の良い電子線によって
試料が照射されることが望ましい。
Cmr (1 / Z 0 -1 / Z 1 ) / (1 / δ-1 / Z 0 ) ... (3) Therefore, in order to minimize the off-axis chromatic aberration,
It suffices that 8 is infinity, which is desirable to irradiate the sample with an electron beam from an infinite point, in other words, an electron beam with good parallelism.

一方、電子顕微鏡において、高倍観察を行なう際の分解
能を高めるには、対物レンズの球面収差係数Cs及び軸
上色収差係数Ccを小さくすることが必要であり、それ
には対物レンズの焦点距離fを小さくすることが必要
である。又、適当な前方磁界を利用すると、前記Cs及
びCcを小さくするための効果が得られるため、従来の
電子顕微鏡に対物レンズ近傍の光学図は第5図のような
ものであった。
On the other hand, in an electron microscope, in order to increase the resolution when performing high-magnification observation, it is necessary to reduce the spherical aberration coefficient Cs and the axial chromatic aberration coefficient Cc of the objective lens, which requires the focal length f 0 of the objective lens. It needs to be small. Further, when an appropriate forward magnetic field is used, the effect of reducing the Cs and Cc can be obtained, so that an optical diagram near the objective lens in the conventional electron microscope is as shown in FIG.

第5図において、1は対物レンズ、1a,1bは各々対
物レンズ近傍の前方及び後方磁界レンズであり、第5図
においては、第3図及び第4図と同一の構成要素は同一
符号で示されている。この第5図より明らかなように、
前述した理由から対物レンズ1の焦点距離fが極めて
短くされているため、高倍の際に高分解能が得られる
が、電子線5のクロスオーバーする位置Pが対物絞り3
の位置よりかなり前方になるため、電子線5一部がカツ
トされてしまう。このような電子線5のカツトは高倍観
察の際には問題にならないが、低倍観察の際には視野を
狭めることになり、広い視野の観察が行なえなくなる。
勿論、前記位置Pに対物絞り3を配置できれば、このよ
うな問題は生じないわけであるが、対物絞り3を試料2
に近付けると、試料2の傾斜角等が制限させるため対物
絞り3と試料2との間は少なくとも第5図に示されてい
る距離程度離す必要がある。
In FIG. 5, reference numeral 1 is an objective lens, and 1a and 1b are front and rear magnetic field lenses near the objective lens, respectively. In FIG. 5, the same components as those in FIGS. 3 and 4 are designated by the same reference numerals. Has been done. As is clear from FIG. 5,
For the above-mentioned reason, the focal length f 0 of the objective lens 1 is extremely short, so high resolution can be obtained at high magnification, but the position P at which the electron beam 5 crosses over is the objective aperture 3.
Since it is considerably ahead of the position of, the electron beam 5 is partially cut. Such cutting of the electron beam 5 does not pose a problem during high-magnification observation, but it narrows the visual field during low-magnification observation, making it impossible to observe a wide visual field.
Of course, if the objective diaphragm 3 can be arranged at the position P, such a problem does not occur.
When the sample 2 is brought closer to, the inclination angle of the sample 2 is limited, so that it is necessary to separate the objective aperture 3 and the sample 2 by at least the distance shown in FIG.

[発明が解決しようとする問題点] そのため従来においては、高倍において高分解能観察を
行なうことはできても、低倍において良質な像を観察し
ようとすると、狭い視野の像しか観察することはできな
かった。
[Problems to be Solved by the Invention] Therefore, conventionally, although high resolution observation can be performed at high magnification, when a high quality image is observed at low magnification, only an image with a narrow visual field can be observed. There wasn't.

本発明はこのような従来の欠点を解決し、高倍における
高分解能観察と、低倍における良質で広視野の像を観察
することのできる電子顕微鏡を提供することを目的とし
ている。
It is an object of the present invention to solve such conventional drawbacks and to provide an electron microscope capable of observing a high-resolution image at a high magnification and a high-quality wide-field image at a low magnification.

[問題点を解決するための手段] そのため本発明は、照射レンズ系と、強い前方磁界レン
ズを有する対物レンズと、該対物レンズの前方磁界レン
ズと後方磁界レンズとの間に配置された試料と、対物絞
りと、前記対物レンズの後段に配置された結像レンズ系
を備える電子顕微鏡において、高倍観察時には前記対物
レンズの前方磁界レンズに略平行に入射した電子線が前
記対物レンズの後方磁界レンズと対物絞りとの間の位置
にクロスオーバーを結び、低倍観察時には前記対物レン
ズの前方磁界レンズに入射する直前で一旦クロスオーバ
ーを結んだ電子線が前記対物レンズにより略平行な電子
線束として試料に入射した後前記対物絞りの位置でクロ
スオーバーを結ぶように、前記照射レンズ系の励磁強度
が前記対物レンズの励磁状態を強励磁に維持した状態で
観察倍率の切換えに連動して変えられるように構成され
ている電子顕微鏡を特徴としている。
[Means for Solving Problems] Therefore, the present invention provides an irradiation lens system, an objective lens having a strong front magnetic field lens, and a sample arranged between the front magnetic field lens and the rear magnetic field lens of the objective lens. In an electron microscope equipped with an objective diaphragm and an imaging lens system arranged in the latter stage of the objective lens, an electron beam incident substantially parallel to the front magnetic field lens of the objective lens at the time of high-magnification observation has a rear magnetic field lens of the objective lens. And an objective diaphragm, a crossover is formed between the objective lens and the objective lens, and an electron beam that is once crossed just before entering the front magnetic field lens of the objective lens at the time of low-magnification observation is converted into a substantially parallel electron beam sample by the objective lens. So that a crossover is formed at the position of the objective aperture after entering the objective lens, the excitation intensity of the irradiation lens system changes the excitation state of the objective lens to strong excitation. It is characterized by an electron microscope configured so that it can be changed in conjunction with the switching of the observation magnification while maintaining it.

[実施例] 以下、図面に基づき本発明の実施例を詳述する。EXAMPLES Examples of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

本発明の一実施例を示す第1図において、図中6は電子
銃であり、電子銃6よりの電子線5は第1,第2,第3
の集束レンズ7,8,9に集束された後、対物レンズ1
の前方磁界レンズ1aを介して試料2に入射する。試料
2を透過した電子線5は対物レンズ1の後方磁界レンズ
1b及び対物絞り3の開口3aを通過した後、第1,第
2,第3の中間レンズ10,11,12及び投影レンズ
13より成る結像レンズ系14に入射する。その結果、
蛍光板15上には試料2の電子顕微鏡像が結像される。
16は前記第3の集束レンズ9の励磁電源であり、17
は第1,第2,第3の中間レンズ10,11,12の各
レンズに励磁電流を供給するための結像レンズ系励磁電
源である。18は演算制御装置であり、演算制御装置1
8には記憶装置19が接続されている。記憶装置19に
は各観察倍率値に対応して結像レンズ系励磁電源17よ
り各レンズ10,11,12に送られる励磁電流値を指
定するためのデータがテーブルとして記憶されている。
又、記憶装置19には、各観察倍率値に対応して集束レ
ンズ電源16より第3の集束レンズ9に送られる励磁電
流を指定するためのデータがテーブルとして記憶されて
いる。20は演算制御装置18に接続された観察倍率を
指示するための操作卓である。
In FIG. 1 showing an embodiment of the present invention, reference numeral 6 in the figure denotes an electron gun, and an electron beam 5 from the electron gun 6 is a first, a second, and a third.
After being focused on the focusing lenses 7, 8 and 9 of
It is incident on the sample 2 through the front magnetic field lens 1a. The electron beam 5 that has passed through the sample 2 passes through the rear magnetic field lens 1b of the objective lens 1 and the aperture 3a of the objective diaphragm 3 and then from the first, second, third intermediate lenses 10, 11, 12 and the projection lens 13. It is incident on the formed imaging lens system 14. as a result,
An electron microscope image of the sample 2 is formed on the fluorescent plate 15.
Reference numeral 16 denotes an exciting power source for the third focusing lens 9,
Is an imaging lens system excitation power supply for supplying an excitation current to each of the first, second, and third intermediate lenses 10, 11, and 12. Reference numeral 18 denotes an arithmetic and control unit, and the arithmetic and control unit 1
A storage device 19 is connected to the storage device 8. The storage device 19 stores, as a table, data for designating the exciting current values sent from the imaging lens system exciting power source 17 to the respective lenses 10, 11 and 12 corresponding to the respective observation magnification values.
Further, the storage device 19 stores, as a table, data for designating an exciting current sent from the focusing lens power source 16 to the third focusing lens 9 in correspondence with each observation magnification value. Reference numeral 20 is an operation console connected to the arithmetic and control unit 18 for instructing an observation magnification.

このような構成において、操作者が操作卓20により高
倍、例えば倍率M1での観察を指示すると、操作卓20
よりの指示信号に基づいて演算制御装置18は記憶装置
19に記憶されている第3の集束レンズ9の励磁電流値
データテーブルから倍率M1に対応する励磁電流データ
を読み出し、DA変換した後、集束レンズ電源16に送
る。これと同時に、操作卓20よりの観察倍率M1を指
示する信号に基づいて、演算制御装置18は記憶装置1
9に記憶されている第1,第2,第3の中間レンズ1
0,11,12の励磁電流値データからこの倍率M1に
対応するデータを読み出し、結像レンズ系励磁電源17
に送る。その結果、第2集束レンズ9は第2図(a)に
示すように無あるいは弱励磁にされ、第2集束レンズ9
において電子線は殆んど集束させることなく、対物レン
ズ1の前方磁界レンズ1aに入射する。前方磁界レンズ
1aに入射した電子線5は前方磁界レンズ1aにより更
に集束された後、試料2に入射し、試料2より散乱され
た電子線5は対物レンズ1の後方磁界レンズ1bによっ
て更に集束される。後方磁界レンズ1bを経た電子線は
対物絞り3よりもかなり手前でクロスオーバーした後、
絞り3を通過して更に後段の結像レンズ系14に入射す
る。この第2図(a)の光学図からも明らかなように、
対物レンズ1の焦点距離fは充分短い値に設定されて
いるため、軸上色収差計数Ccや球面収差計数Cs等が小
さい値をとり、高分解能の高倍率像を観察することがで
きる。
In such a configuration, when the operator gives an instruction to perform observation at a high magnification, for example, a magnification M1 on the console 20, the console 20
Based on the instruction signal from the above, the arithmetic and control unit 18 reads the exciting current data corresponding to the magnification M1 from the exciting current value data table of the third focusing lens 9 stored in the storage unit 19, DA-converts it, and then focuses it. Send to the lens power supply 16. At the same time, based on a signal from the console 20 that indicates the observation magnification M1, the arithmetic and control unit 18 causes the storage unit 1 to operate.
The first, second, and third intermediate lenses 1 stored in 9
Data corresponding to the magnification M1 is read out from the exciting current value data of 0, 11, and 12, and the imaging lens system exciting power supply 17 is read.
Send to. As a result, the second focusing lens 9 is not or weakly excited as shown in FIG.
At, the electron beam is incident on the front magnetic field lens 1a of the objective lens 1 without being focused. The electron beam 5 that has entered the front magnetic field lens 1a is further focused by the front magnetic field lens 1a, then enters the sample 2, and the electron beam 5 scattered from the sample 2 is further focused by the rear magnetic field lens 1b of the objective lens 1. It After the electron beam passing through the rear magnetic field lens 1b crosses over considerably before the objective aperture 3,
The light passes through the diaphragm 3 and further enters the imaging lens system 14 in the subsequent stage. As is clear from the optical diagram of FIG. 2 (a),
Since the focal length f 0 of the objective lens 1 is set to a sufficiently short value, the axial chromatic aberration coefficient Cc, the spherical aberration coefficient Cs, etc. have small values, and a high-resolution, high-magnification image can be observed.

次に操作卓20により観察倍率として低倍の例えばM2
を指示したとすると、演算制御装置18は記憶装置19
に記憶されている第3の集束レンズ9の励磁電流値デー
タのうちから倍率M2 に対応する励磁電流値データを読
み出す。この読み出された励磁電流値データはAD変換
された後、励磁電源16に送られる。又、この際同時
に、前記操作卓20よりの倍率M2 を指示する信号に基
づいて演算制御装置18は、記憶装置19に記憶されて
いる第1,第2,第3の中間レンズ10,11,12の
励磁電流値データのうちから、倍率M2 に対応するデー
タを読み出し結像レンズ系励磁電源17に送る。その結
果、第3の集束レンズ9は高倍観察時より強励磁される
ため、電子線5は第2図(b)に示すように、第3集束
レンズ9と前方磁界レンズ1aとの間において一旦クロ
スオーバーした後、前方磁界レンズ1aに入射する。前
方磁界レンズ1aに入射した電子線5はレンズ1aによ
り更に集束されて略平行な電子線束として試料2に入射
し、試料2を透過した電子線5は後方磁界レンズ1bに
入射して、レンズ1bにより対物絞り3の開口部3aに
おいて丁度クロスオーバーして、対物絞り3を通過す
る。このように、対物レンズの焦点距離fを極めて短
く設定して高倍における高分解能像の観察が可能にされ
ていると共に、対物絞り3の径Dapを小さな値に設定し
て高コントラストの低倍像が得られるようにしているに
もかかわらず、電子線が対物絞りにより殆んどカットさ
れないため広い視野の像を観察できる。又、この際、試
料2に平行度の良好な電子線束が照射されるため、軸外
色収差計数が小さな値となり、ボケの少ない像を観察す
ることができる。
Next, using the operation console 20, the observation magnification is low, for example, M2.
Is issued, the arithmetic and control unit 18 causes the storage unit 19 to
The exciting current value data corresponding to the magnification M2 is read out from the exciting current value data of the third focusing lens 9 stored in. The read excitation current value data is AD-converted and then sent to the excitation power supply 16. At the same time, the arithmetic and control unit 18 at the same time, based on the signal from the console 20 for instructing the magnification M2, the arithmetic control unit 18 stores the first, second, and third intermediate lenses 10, 11, Of the 12 exciting current value data, the data corresponding to the magnification M2 is read out and sent to the imaging lens system exciting power supply 17. As a result, the third focusing lens 9 is more strongly excited than during high-magnification observation, so that the electron beam 5 once passes between the third focusing lens 9 and the front magnetic field lens 1a as shown in FIG. 2 (b). After crossing over, the light enters the front magnetic field lens 1a. The electron beam 5 that has entered the front magnetic field lens 1a is further focused by the lens 1a and enters the sample 2 as a substantially parallel electron beam bundle. The electron beam 5 that has passed through the sample 2 enters the rear magnetic field lens 1b and the lens 1b. As a result, it just crosses over at the opening 3a of the objective aperture 3 and passes through the objective aperture 3. As described above, the focal length f 0 of the objective lens is set to be extremely short to enable observation of a high resolution image at a high magnification, and the diameter Dap of the objective diaphragm 3 is set to a small value to reduce a high contrast low magnification. Although the image is obtained, the electron beam is hardly cut by the objective diaphragm, so that an image with a wide field of view can be observed. Further, at this time, since the sample 2 is irradiated with the electron beam flux with good parallelism, the off-axis chromatic aberration coefficient becomes a small value, and an image with less blur can be observed.

尚、上述した実施例は本発明の一実施例にすぎず、幾多
の変形が考えられる。
The above-described embodiment is only one embodiment of the present invention, and many variations can be considered.

例えば、上述した実施例においては、第3の集束レンズ
の励磁電流を記憶装置に記憶されている励磁電流値テー
ブルを読み出すことにより指定するようにしたが、演算
により求めた励磁電流値信号に基づいて指定するように
しても良い。
For example, in the above-described embodiment, the exciting current of the third focusing lens is specified by reading the exciting current value table stored in the storage device, but based on the exciting current value signal obtained by calculation. You may specify by specifying.

[発明の効果] 上述した説明から明らかなように、本発明に基づく電子
顕微鏡においては、高倍観察時には前記対物レンズの前
方磁界レンズに略平行に入射した電子線が前記対物レン
ズの後方磁界レンズと対物絞りとの間の位置にクロスオ
ーバーを結び、低倍観察時には前記対物レンズの前方磁
界レンズに入射する直前で一旦クロスオーバーを結んだ
電子線が前記対物レンズにより略平行な電子線束として
試料に入射した後前記対物絞りの位置でクロスオーバー
を結ぶように、前記照射レンズ系の励磁強度が前記対物
レンズの励磁状態を強励磁に維持した状態で観察倍率の
切換えに連動して変えられるように構成したため、対物
レンズの軸上色収差の影響が支配的となるような高倍観
察時にはこの軸上色収差が小さい条件で使用できると共
に、軸外色収差の影響が支配的となるような低倍観察時
にはこの軸外色収差が小さな条件で使用することができ
る。従って、本発明に基づく電子顕微鏡によれば、高分
解能の高倍像が観察できるだけでなく、広視野を維持し
たまま低倍像の像質をも向上させることができる。
[Effects of the Invention] As is apparent from the above description, in the electron microscope based on the present invention, the electron beam incident substantially parallel to the front magnetic field lens of the objective lens at the time of high-magnification observation becomes the rear magnetic field lens of the objective lens. An electron beam is connected to a position between the objective diaphragm and a crossover at the time of low-magnification observation immediately before entering the front magnetic field lens of the objective lens. After the incident light, the excitation intensity of the irradiation lens system can be changed in association with the switching of the observation magnification while maintaining the excitation state of the objective lens in the strong excitation state so that a crossover is formed at the position of the objective diaphragm. Since it is configured, it can be used under the condition that this axial chromatic aberration is small at the time of high magnification observation where the influence of the axial chromatic aberration of the objective lens is dominant. In low-magnification observation in which the effect of off-axis chromatic aberration is dominant, the off-axis chromatic aberration can be used under a small condition. Therefore, according to the electron microscope based on the present invention, not only a high-resolution high-magnification image can be observed, but also the image quality of a low-magnification image can be improved while maintaining a wide field of view.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示すための図、第2図は上
述した一実施例装置の動作を説明するための光学図、第
3図は対物絞りの孔径に要求される条件を説明するため
の図、第4図は軸外色収差係数と試料を照射する電子線
との関係を説明するための図、第5図は従来装置の欠点
を説明するための図である。 1:対物レンズ 1a:対物レンズの前方磁界レンズ 1b:対物レンズの後方磁界レンズ 2:試料、3:対物絞り 4:対物レンズによる試料の像 5:電子線、6:電子銃 7,8,9:集束レンズ 10,11,12:中間レンズ 13:投影レンズ、14:結像レンズ系 15:蛍光板、16:集束レンズ電源 17:結像レンズ系電源 18:演算制御装置 19:記憶装置、20:操作卓
FIG. 1 is a diagram showing one embodiment of the present invention, FIG. 2 is an optical diagram for explaining the operation of the above-mentioned one embodiment device, and FIG. 3 shows the conditions required for the hole diameter of the objective aperture. FIG. 4 is a diagram for explaining the relationship between the off-axis chromatic aberration coefficient and the electron beam irradiating the sample, and FIG. 5 is a diagram for explaining the defects of the conventional apparatus. 1: Objective lens 1a: Front magnetic field lens of objective lens 1b: Rear magnetic field lens of objective lens 2: Sample 3: Objective diaphragm 4: Image of sample by objective lens 5: Electron beam, 6: Electron gun 7, 8, 9 : Focusing lens 10, 11, 12: Intermediate lens 13: Projection lens, 14: Imaging lens system 15: Fluorescent plate, 16: Focusing lens power supply 17: Imaging lens system power supply 18: Arithmetic control device 19: Storage device, 20: Console

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】照射レンズ系と、強い前方磁界レンズを有
する対物レンズと、該対物レンズの前方磁界レンズと後
方磁界レンズとの間に配置された試料と、対物絞りと、
前記対物レンズの後端に配置された結像レンズ系を備え
る電子顕微鏡において、高倍観察時には前記対物レンズ
の前方磁界レンズに略平行に入射した電子線が前記対物
レンズの後方磁界レンズと対物絞りとの間の位置にクロ
スオーバーを結び、低倍観察時には前記対物レンズの前
方磁界レンズに入射する直前で一旦クロスオーバーを結
んだ電子線が前記対物レンズにより略平行な電子線束と
して試料に入射した後前記対物絞りの位置でクロスオー
バーを結ぶように、前記照射レンズ系の励磁強度が前記
対物レンズの励磁状態を強励磁に維持した状態で観察倍
率の切換えに連動して変えられるように構成されている
電子顕微鏡。
1. An irradiation lens system, an objective lens having a strong front magnetic field lens, a sample arranged between the front magnetic field lens and the rear magnetic field lens of the objective lens, and an objective diaphragm.
In an electron microscope equipped with an imaging lens system arranged at the rear end of the objective lens, an electron beam incident substantially parallel to the front magnetic field lens of the objective lens at the time of high-magnification observation is connected to the rear magnetic field lens of the objective lens and the objective diaphragm. Between the positions of the crossover, and immediately before entering the front magnetic field lens of the objective lens at the time of low-magnification observation, after the electron beam once crossing the beam enters the sample as a substantially parallel electron beam bundle by the objective lens. It is configured such that the excitation intensity of the irradiation lens system can be changed in association with the switching of the observation magnification while maintaining the excitation state of the objective lens in the strong excitation state so that a crossover is formed at the position of the objective diaphragm. An electron microscope.
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