JPH0619429A - Active matrix type liquid crystal display device - Google Patents

Active matrix type liquid crystal display device

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Publication number
JPH0619429A
JPH0619429A JP19763592A JP19763592A JPH0619429A JP H0619429 A JPH0619429 A JP H0619429A JP 19763592 A JP19763592 A JP 19763592A JP 19763592 A JP19763592 A JP 19763592A JP H0619429 A JPH0619429 A JP H0619429A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
image signal
gate pulse
field
display device
Prior art date
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Pending
Application number
JP19763592A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshiharu Nakajima
義晴 仲島
Katsuhide Uchino
勝秀 内野
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0619429A publication Critical patent/JPH0619429A/en
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Abstract

PURPOSE:To suppress a drop in the voltage of an image signal held in a liquid crystal pixel. CONSTITUTION:The active matrix type liquid crystal display device is equipped with liquid crystal pixels LC which are arrayed in a matrix shape, transistors(TR) for driving the individual liquid crystal pixels LC, and signal lines 2 which supply image signals to the liquid crystal pixels LC through the TRs. A gate pulse VG which places the TR in a selected state is varied in height according to the potential of the image signal supplied to the signal line 2. In concrete, the image signal is inverted in polarity on the basis of a counter electrode potential to make the height of the gate pulse VG lower when the image signal which is lower in level than the counter electrode potential is written in the liquid crystal pixel LC than when the image signal which is higher in level is written.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はマトリクス状に配列され
た液晶画素と個々の液晶画素を駆動する為の薄膜トラン
ジスタを集積的に形成したアクティブマトリクス型液晶
表示装置に関する。より詳しくは、駆動トランジスタを
線順次で選択する為のゲートパルス印加方式に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device in which liquid crystal pixels arranged in a matrix and thin film transistors for driving the individual liquid crystal pixels are integrally formed. More specifically, the present invention relates to a gate pulse application method for line-sequentially selecting drive transistors.

【0002】[0002]

【従来の技術】本発明の背景を明らかにする為に、図7
を参照して従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の回路構成を簡潔に説明する。アクティブマトリクス型
液晶表示装置は互いに直交する複数のゲートライン10
1と複数の信号線102とを備えている。各交点にはマ
トリクス状に液晶画素LCと、駆動トランジスタTrと
が配列されている。さらに、液晶画素LCに並列して補
助容量Csも接続されている。駆動トランジスタTrの
ゲート電極は対応するゲートライン101に接続され、
ドレイン電極は対応する信号線102に接続され、ソー
ス電極は液晶画素LCの一端を構成する画素電極に接続
されている。画素電極LCの他端は対向電極に共通結線
されている。
2. Description of the Related Art To clarify the background of the present invention, FIG.
The circuit configuration of the conventional active matrix type liquid crystal display device will be briefly described with reference to FIG. The active matrix type liquid crystal display device includes a plurality of gate lines 10 which are orthogonal to each other.
One and a plurality of signal lines 102 are provided. Liquid crystal pixels LC and drive transistors Tr are arranged in a matrix at each intersection. Further, an auxiliary capacitance Cs is also connected in parallel with the liquid crystal pixel LC. The gate electrode of the drive transistor Tr is connected to the corresponding gate line 101,
The drain electrode is connected to the corresponding signal line 102, and the source electrode is connected to the pixel electrode forming one end of the liquid crystal pixel LC. The other end of the pixel electrode LC is commonly connected to the counter electrode.

【0003】複数のゲートライン101は垂直シフトレ
ジスタ103に接続されており、線順次でゲートパルス
G を供給する。一方、複数の信号線102はスイッチ
ングトランジスタSWを介してR,G,B三原色に対応
する画像信号の供給を受ける。個々のスイッチングトラ
ンジスタSWは水平シフトレジスタ104により駆動さ
れる。
A plurality of gate lines 101 are connected to a vertical shift register 103 and supply a gate pulse V G in a line sequential manner. On the other hand, the plurality of signal lines 102 are supplied with image signals corresponding to the three primary colors of R, G, and B via the switching transistor SW. Each switching transistor SW is driven by the horizontal shift register 104.

【0004】信号線102に供給された画像信号は、1
水平周期(1H)毎に順次1個づつ発生するゲートパル
スVG に応じて、各液晶画素LCへ順次電荷として書き
込まれる。液晶画素へ書き込まれた電荷は次のフィール
ドで同様のゲートパルスが発生し次の信号電荷が書き込
まれるまで、1フィールド期間中保持される。次のフィ
ールドで供給される画像信号は、液晶画素LCを交流駆
動する為に、対向電極電位に対して反転される。この交
流駆動は液晶の寿命劣化を抑制する為に一般的に行なわ
れる。
The image signal supplied to the signal line 102 is 1
The charges are sequentially written into each liquid crystal pixel LC according to the gate pulse V G that is generated one by one in each horizontal period (1H). The charges written in the liquid crystal pixels are held for one field period until the same gate pulse is generated in the next field and the next signal charges are written. The image signal supplied in the next field is inverted with respect to the potential of the counter electrode in order to AC drive the liquid crystal pixel LC. This AC drive is generally performed in order to suppress deterioration of the life of the liquid crystal.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】さて、実際に液晶画素
LCに保持される信号電位は、様々な要因により信号線
102に供給される画像信号の電位とは異なったものに
なり誤差が含まれる。1つの大きな誤差要因は、ゲート
パルスが立ち下がる時に生じる、駆動トランジスタTr
のゲート領域とチャネル領域の間の容量結合あるいはカ
ップリングによる電圧降下である。このカップリングに
よる電圧降下量は、駆動トランジスタのチャネル領域が
導通状態にある状況下での、ゲートパルスの変化量に大
きく依存している。図8を参照してこの依存性を簡潔に
説明する。信号線電位はフィールド毎に対向電極電位に
対して反転しており、あるフィールドではハイレベルの
VsigAにあり、次のフィールドではローレベルのV
sigBにある。1つの液晶画素に着目すると、A時点
でゲートパルスVG が印加され、対向電極電位に対して
ハイレベルの画像信号VsigAが液晶画素に書き込ま
れる。ゲートパルスVG が立ち下がる時、このパルスが
信号線電位VsigAよりも駆動トランジスタの閾値電
圧Vth分だけ高いレベルまで降下して初めて駆動トラ
ンジスタは非導通状態となる。従って、画素電位は駆動
トランジスタのチャネル導通状態下において、(VG
VsigA−Vth)に応じたカップリングを付けてΔ
G (A)分だけ電圧降下する。
The signal potential actually held in the liquid crystal pixel LC is different from the potential of the image signal supplied to the signal line 102 due to various factors, and includes an error. . One of the major error factors is the drive transistor Tr that occurs when the gate pulse falls.
Is a voltage drop due to capacitive coupling or coupling between the gate region and the channel region. The amount of voltage drop due to this coupling largely depends on the amount of change in the gate pulse under the condition where the channel region of the drive transistor is in the conductive state. This dependency will be briefly described with reference to FIG. The signal line potential is inverted with respect to the counter electrode potential for each field, and is at high level VsigA in a certain field and low level VsigA in the next field.
in sigB. Focusing on one liquid crystal pixel, the gate pulse V G is applied at time A, and the high-level image signal VsigA with respect to the counter electrode potential is written to the liquid crystal pixel. When the gate pulse V G falls, the drive transistor becomes non-conductive only when the pulse drops to a level higher than the signal line potential VsigA by the threshold voltage Vth of the drive transistor. Thus, the pixel potential under the channel conduction state of the driving transistor, (V G -
VsigA-Vth) with a coupling according to Δ
The voltage drops by V G (A).

【0006】一方、1フィールド周期後の時点Bにおい
ては、対向電極電位に対してローレベルの画像信号Vs
igBを書き込む。ゲートパルスVG が立ち下がる時、
当該フィールドでの画素電位は(VG −VsigB−V
th)に応じたカップリングを付けてΔVG (B)分だ
け電圧降下する。
On the other hand, at the time point B after one field period, the low-level image signal Vs with respect to the potential of the counter electrode.
Write igB. When the gate pulse V G falls,
The pixel potential in the field (V G -VsigB-V
The voltage drop by ΔV G (B) with a coupling according to th).

【0007】信号線電位とゲートパルスの高さとの差
が、フィールド毎の反転時と非反転時で大きく異なって
いる。この為、VG を一定とするとカップリングによる
画素電位の電圧降下量は画像信号が負極性になるフィー
ルドで大きくなりアンバランスが生じる。又同時に、個
々の液晶画素間での画素電位降下量のばらつきも大きく
なり、結果として画素間の画素電位のばらつきも大きく
なる。この様な画素電位の画素間ばらつきは液晶表示装
置を中間調表示させた時に微妙な輝度ムラとなって表わ
れ表示品位を著しく損なうという課題があった。
The difference between the potential of the signal line and the height of the gate pulse greatly differs between field inversion and non-inversion. Therefore, if V G is constant, the voltage drop amount of the pixel potential due to the coupling becomes large in the field where the image signal has a negative polarity, resulting in imbalance. At the same time, the variation in the amount of pixel potential drop between individual liquid crystal pixels also increases, and as a result, the variation in pixel potential between pixels also increases. Such a pixel-to-pixel variation in pixel potential appears as subtle luminance unevenness when the liquid crystal display device is displayed in halftone, and there is a problem that display quality is significantly impaired.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題に鑑み、本発明は画像信号の極性反転時に特に顕著と
なる画素電位の電圧降下を抑制して輝度ムラを防止する
事を目的とする。かかる目的を達成する為に以下の手段
を講じた。即ち、本発明は基本的な構成要素としてマト
リクス状に配列された液晶画素と、個々の液晶画素を駆
動する為のトランジスタと、画像信号を前記トランジス
タを介して液晶画素に供給する信号線とを備えたアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置に適用される。本発明の
特徴事項として、前記信号線に供給される画像信号の電
位に応じて、駆動トランジスタを選択状態にするゲート
パルスの高さを変化させる様にした。具体的には、液晶
画素の交流駆動を行ない対向電極電位を基準にして画像
信号を極性反転した場合、対向電極電位に対してローレ
ベルの画像信号を液晶画素に供給する時のゲートパルス
の高さを、ハイレベルの画像信号を供給する時より低く
設定する。例えば1フィールド反転を行なう場合、画像
信号の1フレーム中正極性の電位を印加する第1フィー
ルドと負極性の電位を印加する第2フィールドとでゲー
トパルスの高さを異ならせる様にしている。あるいは、
1水平周期反転を行なう場合には、水平走査毎の画像信
号の極性反転に対応して、ゲートパルスの高さを異なら
せる様にしている。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems of the prior art, an object of the present invention is to suppress the voltage drop of the pixel potential, which becomes particularly remarkable when the polarity of the image signal is inverted, to prevent the uneven brightness. To do. The following measures have been taken in order to achieve this object. That is, the present invention includes, as basic components, liquid crystal pixels arranged in a matrix, transistors for driving the individual liquid crystal pixels, and signal lines for supplying image signals to the liquid crystal pixels via the transistors. The present invention is applied to an active matrix type liquid crystal display device provided. As a feature of the present invention, the height of the gate pulse for selecting the drive transistor is changed according to the potential of the image signal supplied to the signal line. Specifically, when alternating-current driving of the liquid crystal pixel is performed and the polarity of the image signal is inverted with the counter electrode potential as a reference, the high level of the gate pulse when the low level image signal is supplied to the liquid crystal pixel with respect to the counter electrode potential Is set lower than when a high level image signal is supplied. For example, when 1-field inversion is performed, the height of the gate pulse is made different between the first field in which a positive potential is applied and the second field in which a negative potential is applied in one frame of the image signal. Alternatively,
When one horizontal cycle inversion is performed, the height of the gate pulse is made different in correspondence with the polarity inversion of the image signal for each horizontal scanning.

【0009】[0009]

【作用】本発明によれば、対向電極電位に対してローレ
ベルとなる画像信号を液晶画素に書き込む時には、ゲー
トパルスの高さを比較的小さく設定して、ゲートパルス
立ち下がり時のカップリングによる画素電位降下量を小
さくし、画素電位のばらつきを抑制する様にしている。
According to the present invention, the height of the gate pulse is set to a relatively small value when the image signal that is at a low level with respect to the potential of the counter electrode is written in the liquid crystal pixel, and the coupling is performed at the falling edge of the gate pulse. The amount of pixel potential drop is reduced to suppress variations in pixel potential.

【0010】[0010]

【実施例】以下図面を参照して本発明の好適な実施例を
詳細に説明する。図1は本発明にかかるアクティブマト
リクス型液晶表示装置の一実施例を示す模式的な回路図
であって、特に1フィールド反転駆動方式に関する。図
示する様に、本装置は互いに直交する複数のゲートライ
ン1と複数の信号線2を備えている。各交点にはマトリ
クス状に液晶画素LC及び駆動トランジスタTrとが配
列されている。又、液晶画素LCには並列して補助容量
Csが接続されている。駆動トランジスタTrのゲート
電極は対応するゲートライン1に接続されており、ドレ
イン電極は対応する信号線2に接続されており、ソース
電極は対応する液晶画素LCの一端を構成する画素電極
に接続されている。液晶画素LCの他端は共通して対向
電極に結線されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic circuit diagram showing one embodiment of an active matrix type liquid crystal display device according to the present invention, and particularly relates to a one-field inversion drive system. As shown in the figure, this device includes a plurality of gate lines 1 and a plurality of signal lines 2 which are orthogonal to each other. At each intersection, liquid crystal pixels LC and drive transistors Tr are arranged in a matrix. An auxiliary capacitance Cs is connected in parallel with the liquid crystal pixel LC. The gate electrode of the driving transistor Tr is connected to the corresponding gate line 1, the drain electrode is connected to the corresponding signal line 2, and the source electrode is connected to the pixel electrode forming one end of the corresponding liquid crystal pixel LC. ing. The other end of the liquid crystal pixel LC is commonly connected to the counter electrode.

【0011】複数のゲートライン1は垂直シフトレジス
タ3に接続されており、線順次でゲートパルスVG の印
加を受ける。一方複数の信号線2はスイッチング素子S
Wを介してR,G,B三原色の画像信号の供給を受け
る。スイッチング素子SWは水平シフトレジスタ4によ
りその導通が制御されている。
The plurality of gate lines 1 are connected to the vertical shift register 3 and are line-sequentially applied with a gate pulse V G. On the other hand, the plurality of signal lines 2 are switching elements S
The image signals of the three primary colors of R, G and B are supplied via W. The conduction of the switching element SW is controlled by the horizontal shift register 4.

【0012】本実施例では所謂1フィールド反転駆動が
行なわれており、画像信号は例えばnフィールドで対向
電極電位に対してハイレベルの極性を有し、次のn+1
フィールドでは対向電極電位に対してローレベルの極性
を有している。一方、このフィールド毎の画像信号の極
性反転に応じて、垂直シフトレジスタ3から出力される
ゲートパルスの高さが制御されている。例えば、正極性
の画像信号が供給されるnフィールドでは、ゲートパル
スVG は比較的高めに設定されており、次の負極性画像
信号が供給されるn+1フィールドでは比較的低い高さ
のゲートパルスVG が供給される。
In the present embodiment, so-called 1-field inversion driving is performed, and the image signal has a high-level polarity with respect to the potential of the counter electrode in the n-field, and the next n + 1.
In the field, it has a low level polarity with respect to the counter electrode potential. On the other hand, the height of the gate pulse output from the vertical shift register 3 is controlled according to the polarity inversion of the image signal for each field. For example, the gate pulse V G is set to be relatively high in the n field to which the positive image signal is supplied, and the gate pulse having a relatively low height in the next n + 1 field to which the negative image signal is supplied. V G is supplied.

【0013】図2を参照して図1に示したアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の動作を詳細に説明する。前述
した様に、信号線電位はフィールド反転され、例えばn
フィールドでは対向電極電位に対して正極性のVsig
Aとなり、次のn+1フィールドでは対向電極電位に対
して負極性のVsigBとなる。今1個の液晶画素に注
目すると、nフィールド中における特定の時点Aにおい
て、比較的高いゲートパルスVG (A)が印加され、正
極性の画像信号VsigAがサンプリングされる。この
ゲートパルスVG (A)が立ち下がる時、従来と同様に
G (A)−VsigA−Vthのカップリングを付け
て電圧降下ΔVG (A)が生じる。この電圧降下量は従
来と略同程度であるが、もともと正極性駆動時には変化
量が少ないので実際上輝度ムラの原因とはならない。
The operation of the active matrix type liquid crystal display device shown in FIG. 1 will be described in detail with reference to FIG. As described above, the signal line potential is field-inverted, for example, n
In the field, Vsig has a positive polarity with respect to the counter electrode potential.
In the next n + 1 field, the voltage becomes VsigB, which has a negative polarity with respect to the counter electrode potential. Focusing on one liquid crystal pixel, a relatively high gate pulse V G (A) is applied at a specific time point A in the n field, and the positive image signal VsigA is sampled. When this gate pulse V G (A) falls, a voltage drop ΔV G (A) is generated by attaching a coupling of V G (A) -VsigA-Vth as in the conventional case. Although the amount of voltage drop is about the same as the conventional voltage drop, the amount of change is small when driving in the positive polarity, so that it does not actually cause uneven brightness.

【0014】一方、1フィールド周期後の時点Bにおい
て、同一の液晶画素にゲートパルスVG (B)が印加さ
れ、負極性の画像信号VsigBのサンプリングが行な
われる。ゲートパルスVG (B)の立ち下がり時、VG
(B)−VsigB−Vthのカップリングを付けて電
圧降下ΔVG (B)が生じる。図8に示した従来例と比
較すれば明らかな様に、ゲートパルスVG (B)は低め
に設定されており、液晶画素に保持された画素電位との
差が小さくなっている。従って、駆動トランジスタのゲ
ート領域とチャネル領域との間に生じる結合容量に基く
電圧降下量は従来に比し顕著に減少している。
On the other hand, at time B after one field period, the gate pulse V G (B) is applied to the same liquid crystal pixel, and the negative image signal VsigB is sampled. When the gate pulse V G (B) falls, V G
(B) -VsigB-Vth coupling is added to cause a voltage drop ΔV G (B). As is clear from comparison with the conventional example shown in FIG. 8, the gate pulse V G (B) is set to be low, and the difference from the pixel potential held in the liquid crystal pixel is small. Therefore, the voltage drop amount based on the coupling capacitance generated between the gate region and the channel region of the drive transistor is remarkably reduced as compared with the conventional case.

【0015】図3は図1に示した垂直シフトレジスタ3
の具体的な構成例を表わしている。図示する様に、垂直
シフトレジスタ3はD型フリップフロップ14を多段接
続した構造を有している。個々のフリップフロップ14
は出力が共通結線された一対のインバータ15,16を
含んでいる。各インバータはP型のMISトランジスタ
17を介して電源ラインVVDD側に接続されていると
ともに、N型のMISトランジスタ18を介して接地側
GNDに接続されている。これらのトランジスタ17,
18は垂直クロック信号VCK1,VCK2及びこれら
の反転クロック信号に応答して動作し所謂クロックトイ
ンバータを構成する。一対のインバータ15,16の共
通結線された出力端子には第3のインバータ19の入力
端子が接続されている。第3のインバータ19の出力端
子はナンドゲート回路20の一方の入力端子に接続され
ているとともに、次段のフリップフロップの入力端子に
も接続されている。ナンドゲート回路20の他方の入力
端子には前段フリップフロップの出力端子が接続されて
いる。ナンドゲート回路20の出力端子にはインバータ
21が接続されている。垂直シフトレジスタ3の第1段
目のフリップフロップにスタート信号VSTが入力され
ると順次各段毎に1水平周期(1H)毎にゲートパルス
G が出力される。
FIG. 3 shows the vertical shift register 3 shown in FIG.
Represents a specific configuration example of As illustrated, the vertical shift register 3 has a structure in which D-type flip-flops 14 are connected in multiple stages. Individual flip-flop 14
Includes a pair of inverters 15 and 16 whose outputs are commonly connected. Each inverter is connected to the power supply line VVDD side via a P-type MIS transistor 17 and connected to the ground side GND via an N-type MIS transistor 18. These transistors 17,
Reference numeral 18 operates in response to the vertical clock signals VCK1 and VCK2 and their inverted clock signals to form a so-called clocked inverter. The input terminal of the third inverter 19 is connected to the commonly connected output terminals of the pair of inverters 15 and 16. The output terminal of the third inverter 19 is connected to one input terminal of the NAND gate circuit 20 and also to the input terminal of the flip-flop of the next stage. The output terminal of the preceding flip-flop is connected to the other input terminal of the NAND gate circuit 20. An inverter 21 is connected to the output terminal of the NAND gate circuit 20. When the start signal VST is input to the first-stage flip-flop of the vertical shift register 3, the gate pulse V G is sequentially output for each horizontal period (1H) for each stage.

【0016】この垂直シフトレジスタ3には電源ライン
VVDDと接地ラインGNDとの間に直列接続された一
対の分割抵抗R1,R2が付加されている。この直列接
続された抵抗と接地ラインGNDとの間には電源レベル
切り換え用のトランジスタ24が挿入されている。この
トランジスタ24のゲート電極にはフィールド毎の極性
反転に同期した制御信号CTLが印加されている。正極
性駆動のフィールドにおいては、切り換え用のトランジ
スタ24は非導通状態にあり、電源電圧VVDDがその
まま垂直シフトレジスタ3に印加され、ゲートパルスV
G は電源電圧に対応した高いレベルのパルスとなってい
る。一方、負極性駆動を行なうフィールドにおいては、
切り換え用トランジスタ24は導通状態となり、抵抗R
1,R2の比によって分割された電源電圧が垂直シフト
レジスタ3に印加される。これに応じて、ゲートパルス
G の高さも低くなる。
A pair of dividing resistors R1 and R2 connected in series between the power supply line VVDD and the ground line GND are added to the vertical shift register 3. A transistor 24 for switching the power supply level is inserted between the resistor connected in series and the ground line GND. A control signal CTL synchronized with polarity reversal for each field is applied to the gate electrode of the transistor 24. In the field of positive polarity driving, the switching transistor 24 is in the non-conducting state, the power supply voltage VVDD is directly applied to the vertical shift register 3, and the gate pulse V
G is a high level pulse corresponding to the power supply voltage. On the other hand, in the field that drives negative polarity,
The switching transistor 24 becomes conductive and the resistor R
A power supply voltage divided by the ratio of 1 and R2 is applied to the vertical shift register 3. In response to this, the height of the gate pulse V G also decreases.

【0017】図4は本発明にかかるアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の第2の実施例を示す模式的な回路図
であって、所謂1H反転駆動方式の場合である。なお、
基本的に図1に示す実施例と同一の構成を有しており、
対応する部分には対応する参照番号を付して理解を容易
にしている。本例では、画像信号は1水平周期毎に反転
している。例えば、nフィールドでは第1ゲートライン
に割り当てられた1水平期間中画像信号はハイレベルと
なり、次の第2ゲートラインに割り当てられた水平期間
中画像信号は対向電極電位に対してローレベルとなる。
この様に、1水平周期毎に画像信号が反転する。同様
に、n+1フィールドにおいても1水平周期毎に反転す
る。但し、nフィールドと異なり、n+1フィールドで
は第1ゲートラインに割り当てられた水平期間中画像信
号は負極性に保持される。反対に、第2ゲートラインに
割り当てられた水平期間中画像信号はハイレベルにな
る。この様に、フィールド毎でも極性反転が行なわれ
る。1水平周期反転駆動は前述した1フィールド反転駆
動に比べてフリッカを抑制できる点でメリットがある。
FIG. 4 is a schematic circuit diagram showing a second embodiment of an active matrix type liquid crystal display device according to the present invention, which is a so-called 1H inversion drive system. In addition,
Basically, it has the same configuration as the embodiment shown in FIG.
Corresponding parts are designated by corresponding reference numerals to facilitate understanding. In this example, the image signal is inverted every horizontal period. For example, in the n field, the image signal assigned to the first gate line during one horizontal period becomes high level, and the image signal assigned to the next second gate line during horizontal period becomes low level with respect to the counter electrode potential. .
In this way, the image signal is inverted every horizontal period. Similarly, in the (n + 1) th field, it is inverted every horizontal period. However, unlike the n field, in the (n + 1) th field, the image signal is held in the negative polarity during the horizontal period assigned to the first gate line. On the contrary, the image signal becomes high level during the horizontal period assigned to the second gate line. In this way, polarity reversal is performed for each field. The 1-horizontal period inversion drive has an advantage in that flicker can be suppressed as compared with the 1-field inversion drive described above.

【0018】一方垂直シフトレジスタ3は上述した1水
平周期反転駆動に対応してゲートパルスVG の高さを調
整する。例えば、nフィールドでは第1ゲートラインに
対してハイレベルのゲートパルスを印加し、第2ゲート
ラインに対してローレベルのゲートパルスを印加し、第
3ゲートラインに対してハイレベルのゲートパルスを印
加する。この様に、1ライン毎にゲートパルスの高さを
変化させる。次のn+1フィールドでも同様にゲートラ
イン毎にゲートパルスの高さを変化させる。但し、1本
のゲートライン例えば第1ゲートラインに着目すると、
nフィールドではハイレベルのゲートパルスが印加さ
れ、n+1フィールドではローレベルのゲートパルスが
印加される。この様な動作を行なう垂直シフトレジスタ
3は例えば図3に示した具体的な回路構成と同様に得る
事ができる。即ち図3に示した切り換え用トランジスタ
24の制御信号CTLとして1水平周期反転に同期した
信号を供給すれば良い。
On the other hand, the vertical shift register 3 adjusts the height of the gate pulse V G in response to the one horizontal period inversion drive described above. For example, in the n field, a high level gate pulse is applied to the first gate line, a low level gate pulse is applied to the second gate line, and a high level gate pulse is applied to the third gate line. Apply. In this way, the height of the gate pulse is changed line by line. In the next n + 1 fields, the height of the gate pulse is similarly changed for each gate line. However, focusing on one gate line, for example, the first gate line,
A high level gate pulse is applied in the n field, and a low level gate pulse is applied in the n + 1 field. The vertical shift register 3 performing such an operation can be obtained, for example, in the same manner as the specific circuit configuration shown in FIG. That is, a signal synchronized with one horizontal cycle inversion may be supplied as the control signal CTL of the switching transistor 24 shown in FIG.

【0019】図5は本発明にかかるアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の第3実施例を示し、1水平周期反転
駆動の場合を表わしている。基本的に図4に示す実施例
と同一の構成を有しており、対応する部分には対応する
参照番号あるいは参照符号を付して理解を容易にしてい
る。図4に示す実施例と異なる点は、ハイレベルのゲー
トパルスを出力する為の第一垂直シフトレジスタ31と
ローレベルのゲートパルスを出力する第二垂直シフトレ
ジスタ32とを用いた事である。各ゲートライン1の一
端はトランジスタスイッチ33を介してハイレベルの電
源電圧VH により駆動される第一垂直シフトレジスタに
接続され、他端部は他のトランジスタスイッチ34を介
してローレベルの電源電圧VL により駆動される第二垂
直シフトレジスタ32に接続されている。各ゲートライ
ン1の一端部に各々接続された複数のトランジスタスイ
ッチ33のゲート電極は共通の制御ラインに接続されて
おり制御信号FRPの印加を受ける。一方、他のトラン
ジスタスイッチ34の群のゲート電極は別の共通制御ラ
インに接続されており、制御信号FRPの反転信号の印
加を受ける。
FIG. 5 shows the third embodiment of the active matrix type liquid crystal display device according to the present invention, and shows the case of one horizontal period inversion drive. The structure is basically the same as that of the embodiment shown in FIG. 4, and corresponding parts are designated by corresponding reference numbers or reference numerals to facilitate understanding. The difference from the embodiment shown in FIG. 4 is that a first vertical shift register 31 for outputting a high level gate pulse and a second vertical shift register 32 for outputting a low level gate pulse are used. One end of each gate line 1 is connected to a first vertical shift register driven by a high-level power supply voltage V H via a transistor switch 33, and the other end is connected to a low-level power supply voltage via another transistor switch 34. It is connected to a second vertical shift register 32 driven by VL . The gate electrodes of the plurality of transistor switches 33, which are respectively connected to one ends of the respective gate lines 1, are connected to a common control line and receive the control signal FRP. On the other hand, the gate electrodes of the other group of transistor switches 34 are connected to another common control line, and receive an inverted signal of the control signal FRP.

【0020】最後に図6のタイミングチャートを参照し
て図5に示すアクティブマトリクス型液晶表示装置の動
作を詳細に説明する。前述した様に、画像信号は各フィ
ールドにおいて1水平周期毎に対向電極電位を基準にし
て反転している。又制御信号FRPもこの1水平周期反
転に同期して電圧レベルが交互に切り換わっている。例
えば第1ゲートラインに着目すると、nフィールドにお
いて、第1番目の制御信号パルスFRPがハイレベルと
なるので第一垂直シフトレジスタ31側のトランジスタ
スイッチ33が導通し、VH の高さを有するゲートパル
スが出力される。次の第2ゲートラインに対しては、制
御信号FRPがローレベルに切り換わるので第一垂直シ
フトレジスタ31側のトランジスタスイッチ33は非導
通状態となる一方、第二垂直シフトレジスタ側のトラン
ジスタスイッチ34が制御信号FRPの反転信号に同期
して導通状態となり、VL の高さを有するゲートパルス
が出力される。さらに、次のn+1フィールドでは制御
信号FRPの位相関係が逆転する為、第1ゲートライン
に対してはVL の高さを有するゲートパルスが供給さ
れ、第2ゲートラインに対してはVH の高さを有するゲ
ートパルスが供給される。
Finally, the operation of the active matrix type liquid crystal display device shown in FIG. 5 will be described in detail with reference to the timing chart of FIG. As described above, the image signal is inverted every horizontal period in each field with reference to the counter electrode potential. The voltage level of the control signal FRP is also switched alternately in synchronization with this one horizontal cycle inversion. For example, focusing on the first gate line, in the n-th field, the first control signal pulse FRP becomes high level, so that the transistor switch 33 on the first vertical shift register 31 side becomes conductive and the gate having the height of V H. A pulse is output. For the next second gate line, the control signal FRP switches to the low level, so that the transistor switch 33 on the first vertical shift register 31 side becomes non-conductive while the transistor switch 34 on the second vertical shift register side. Becomes conductive in synchronization with the inverted signal of the control signal FRP, and a gate pulse having a height of V L is output. Further, in the next n + 1 field, the phase relationship of the control signal FRP is inverted, so that a gate pulse having a height of V L is supplied to the first gate line and V H of the second gate line is supplied. A gate pulse having a height is provided.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置において、信号線か
ら液晶画素へ駆動トランジスタを介して信号電荷を供給
する際、信号線電位の極性反転に応じてゲートパルスの
高さを随時変化させ、供給する画像信号の電位とゲート
パルスの電位の差を必要最小限に制御している。かかる
構成により、ゲートパルスの立ち下がりによって生じる
画素電位の電圧降下を最小限に抑制できる。従って、液
晶画素間での画素電位ばらつきを低く抑える事ができ、
特に中間調表示における輝度ムラを改善する事ができる
という効果がある。
As described above, according to the present invention, in the active matrix type liquid crystal display device, when the signal charge is supplied from the signal line to the liquid crystal pixel through the driving transistor, the polarity of the signal line potential is reversed. Accordingly, the height of the gate pulse is changed at any time to control the difference between the potential of the image signal supplied and the potential of the gate pulse to the necessary minimum. With this configuration, the voltage drop of the pixel potential caused by the falling edge of the gate pulse can be suppressed to the minimum. Therefore, it is possible to suppress the pixel potential variation between the liquid crystal pixels,
In particular, there is an effect that it is possible to improve luminance unevenness in halftone display.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明にかかるアクティブマトリクス型液晶表
示装置の第1実施例を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of an active matrix type liquid crystal display device according to the present invention.

【図2】図1に示す実施例の動作説明図である。FIG. 2 is an operation explanatory diagram of the embodiment shown in FIG.

【図3】図1に示す実施例に含まれる垂直シフトレジス
タの具体的な回路構成例を示す模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a specific circuit configuration example of a vertical shift register included in the embodiment shown in FIG.

【図4】本発明にかかるアクティブマトリクス型液晶表
示装置の第2実施例を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a second embodiment of an active matrix type liquid crystal display device according to the present invention.

【図5】本発明にかかるアクティブマトリクス型液晶表
示装置の第3実施例を示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a third embodiment of an active matrix type liquid crystal display device according to the present invention.

【図6】図5に示す実施例の動作を説明する為のタイミ
ングチャートである。
FIG. 6 is a timing chart for explaining the operation of the embodiment shown in FIG.

【図7】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
一例を示す回路図である。
FIG. 7 is a circuit diagram showing an example of a conventional active matrix type liquid crystal display device.

【図8】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
課題を説明する為の模式図である。
FIG. 8 is a schematic diagram for explaining a problem of a conventional active matrix type liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ゲートライン 2 信号線 3 垂直シフトレジスタ 4 水平シフトレジスタ LC 液晶画素 Tr 駆動トランジスタ SW スイッチング素子 Cs 補助容量 1 gate line 2 signal line 3 vertical shift register 4 horizontal shift register LC liquid crystal pixel Tr drive transistor SW switching element Cs auxiliary capacitance

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 マトリクス状に配列された液晶画素と、
個々の液晶画素を駆動する為のトランジスタと、画像信
号を前記トランジスタを介して液晶画素に供給する信号
線とを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置にお
いて、 前記信号線に供給される画像信号の電位に応じて、トラ
ンジスタを選択状態にするゲートパルスの高さを変化さ
せた事を特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
置。
1. Liquid crystal pixels arranged in a matrix,
In an active matrix liquid crystal display device including a transistor for driving each liquid crystal pixel and a signal line for supplying an image signal to the liquid crystal pixel through the transistor, a potential of an image signal supplied to the signal line An active matrix type liquid crystal display device characterized in that the height of a gate pulse for selecting a transistor is changed according to the above.
【請求項2】 画像信号の1フレームは正極性の電位を
印加する第1フィールドと負極性の電位を印加する第2
フィールドとを含み、第1フィールドと第2フィールド
とでゲートパルスの高さを異ならせる事を特徴とする請
求項1記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
2. One frame of an image signal includes a first field for applying a positive potential and a second field for applying a negative potential.
2. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, further comprising a field, wherein the height of the gate pulse is different between the first field and the second field.
【請求項3】 1水平走査あるいは数水平走査毎の画像
信号の極性反転に対応してゲートパルスの高さを異なら
せた事を特徴とする請求項1記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置。
3. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the height of the gate pulse is changed in response to the polarity reversal of the image signal for each horizontal scanning or every several horizontal scanning.
【請求項4】 前記画像信号は対向電極電位を基準にし
て極性反転され、対向電極電位に対してローレベルの画
像信号を液晶画素に供給する時のゲートパルスの高さ
を、ハイレベルの画像信号を供給する時より低くした事
を特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置。
4. The polarity of the image signal is inverted with reference to the counter electrode potential, and the height of the gate pulse when supplying a low level image signal to the liquid crystal pixel with respect to the counter electrode potential is the high level image. 2. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the voltage is lower than that when a signal is supplied.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6225866B1 (en) 1994-05-31 2001-05-01 Sharp Kabushiki Kaisha Series connected multi-stage linear FET amplifier circuit

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US6225866B1 (en) 1994-05-31 2001-05-01 Sharp Kabushiki Kaisha Series connected multi-stage linear FET amplifier circuit

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