JPH0619206Y2 - Integrated circuit - Google Patents

Integrated circuit

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JPH0619206Y2
JPH0619206Y2 JP1985187810U JP18781085U JPH0619206Y2 JP H0619206 Y2 JPH0619206 Y2 JP H0619206Y2 JP 1985187810 U JP1985187810 U JP 1985187810U JP 18781085 U JP18781085 U JP 18781085U JP H0619206 Y2 JPH0619206 Y2 JP H0619206Y2
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inverter
terminal
output
circuit
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俊一 徳田
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日本電気アイシ−マイコンシステム株式会社
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  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、相補型金属酸化膜半導体(以下CMOSと称
する)にて構成される集積回路に関し、特に発振回路を
内蔵した集積回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial application] The present invention relates to an integrated circuit composed of a complementary metal oxide semiconductor (hereinafter referred to as CMOS), and more particularly to an integrated circuit having an oscillation circuit built therein.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

一般にこの種の発振回路はインバータと帰還抵抗により
構成され、水晶振動子を接続する事により水晶発振回路
として動作し、主にマイクロコンピュータなどの情報処
理装置に内蔵され、情報処理装置の動作の基準となるク
ロック信号を発生する。近年これら情報処理装置は、低
消費電力化を計るためCMOS集積回路で構成される事
が一般的であり、さらに尚一層の低消費電力化を計るた
めに発振回路の発振動作を停止させるいわゆるスタンバ
イ機能を有するものがある。第3図にそのスタンバイ機
能を実現するための手段を備えた、従来の発振回路の一
例を示す。第3図において1は発振回路を内蔵するマイ
クロコンピュータなどのCMOS集積回路、2はPチャ
ンネルMOSトランジスタ(以下「PMOS」と称す
る)Q及びNチャンネルMOSトランジスタ(以下
「NMOS」と称する)Qにて構成されるインバー
タ、3は帰還抵抗、18はスタンバイ信号線、19はイ
ンバータ、8及び20は共にトランスファゲート、4は
インバータ2、帰還抵抗3、インバータ19、トランス
ファゲート8及び20により構成される発振回路、5は
発振回路4で発生されるクロック信号を使用するマイク
ロコンピュータなどの内部主回路、6及び7は外部接続
端子、13は水晶振動子、14及び15はコンデンサで
ある。この場合発振回路4及び水晶振動子13、コンデ
ンサ14及び15にて、水晶発振回路が構成される。通
常スタンバイ信号線18はLow電位となっているために
トランスファゲート20は非導通状態(以下オフ状態と
称する)、トランスファゲート8は導通状態(以下オン
状態と称する)であるためインバータ2においてその出
力が帰還抵抗3により入力へ帰還される事となり、水晶
発振回路として動作が可能となる。又スタンバイ状態に
おいてはスタンバイ信号線18がHigh電位であるために
トランスファゲート20はオン状態、トランスファゲー
ト8はオフ状態となる。よってインバータ2において帰
還抵抗3による帰還が行われなくなると共に、その入力
はGNDに接続される為、発振回路4の出力はHigh電位
となると共にその発振が停止する。なお、このスタンバ
イ信号は本説明内容と直接関係ないため、以下Low電位
であるものとしてあつかい、特に必要な場合を除いて以
後の説明において省略するものとする。
Generally, this kind of oscillator circuit is composed of an inverter and a feedback resistor, and operates as a crystal oscillator circuit by connecting a crystal oscillator, and is mainly built into an information processing device such as a microcomputer, and is a reference for the operation of the information processing device. To generate a clock signal. In recent years, these information processing apparatuses are generally composed of a CMOS integrated circuit in order to reduce power consumption, and so-called standby for stopping the oscillation operation of the oscillation circuit in order to further reduce power consumption. Some have functions. FIG. 3 shows an example of a conventional oscillator circuit having means for realizing the standby function. In FIG. 3, 1 is a CMOS integrated circuit such as a microcomputer having an oscillation circuit built therein, 2 is a P-channel MOS transistor (hereinafter referred to as “PMOS”) Q 1 and N-channel MOS transistor (hereinafter referred to as “NMOS”) Q 2 3 is a feedback resistor, 18 is a standby signal line, 19 is an inverter, 19 is an inverter, 8 and 20 are both transfer gates, 4 is an inverter 2, a feedback resistor 3, an inverter 19, and transfer gates 8 and 20. 2 is an internal main circuit such as a microcomputer that uses the clock signal generated by the oscillation circuit 4, 6 and 7 are external connection terminals, 13 is a crystal oscillator, and 14 and 15 are capacitors. In this case, the oscillator circuit 4, the crystal oscillator 13, and the capacitors 14 and 15 constitute a crystal oscillator circuit. Since the standby signal line 18 is normally at the Low potential, the transfer gate 20 is in a non-conducting state (hereinafter referred to as an off state), and the transfer gate 8 is in a conducting state (hereinafter referred to as an on state), so that the inverter 2 outputs the same. Is fed back to the input by the feedback resistor 3 and can operate as a crystal oscillation circuit. In the standby state, the transfer gate 20 is turned on and the transfer gate 8 is turned off because the standby signal line 18 is at a high potential. Therefore, the feedback by the feedback resistor 3 is not performed in the inverter 2, and its input is connected to GND, so that the output of the oscillation circuit 4 becomes High potential and its oscillation is stopped. Since this standby signal is not directly related to the contents of this description, it will be treated as a low potential in the following, and will be omitted in the following description unless particularly required.

次に第4図は内部主回路5で使用されるクロック信号を
外部より入力する場合の構成例で、この場合水晶振動子
は不要となり、また、インバータ2を入力バッファとし
て用いるために外部からのクロック信号を端子7に供給
する。第4図において、16は外部クロックを発生する
外部回路に含まれる出力段のインバータで、PMOS Q
及びNMOS Qで構成される。今、インバータ16にお
いて、NMOS Qのみがオン状態で端子7に接続される
外部信号がLow電位であると仮定すると、インバータ2
においてはPMOS Qのみがオン状態となりHigh電位が
出力される。しかし、この時インバータ2の入力と出力
が帰還抵抗3により接続されるために、この時点でLow
電位であるべきインバータ2の入力はある程度上昇しHi
gh電位であるべきインバータ2の出力は、ある程度低下
して平衡状態となる。この時インバータ2の出力電位低
下の度合いによっては内部主回路5におけるインバータ
2の出力を入力とする論理素子がHigh電位と正確に認識
不可能となり誤動作する可能性がある。ここで、NMOS
の平衡状態におけるオン抵抗値をR・PMOS Q
の平衡状態における抵抗値をR,トランスファゲート
8のオン抵抗値をR,帰還抵抗3の抵抗値をRとした
場合、Low電位であるべきインバータ2の入力をVIL、さ
らにHigh電位であるべきインバータ2の出力をVOHとす
ると、それぞれ次の様に表わされる。
Next, FIG. 4 shows an example of the configuration in which the clock signal used in the internal main circuit 5 is input from the outside. In this case, the crystal oscillator is not necessary, and since the inverter 2 is used as an input buffer, The clock signal is supplied to the terminal 7. In Figure 4, 16 at the output stage of the inverter included in the external circuit for generating an external clock, PMOS Q 7
And it consists of NMOS Q 8. Now, assuming that in the inverter 16 only the NMOS Q 8 is in the ON state and the external signal connected to the terminal 7 is at the Low potential, the inverter 2
In, only the PMOS Q 1 is turned on and the High potential is output. However, since the input and output of the inverter 2 are connected by the feedback resistor 3 at this time, at this time, Low
The input of the inverter 2 which should be a potential rises to some extent and becomes Hi
The output of the inverter 2, which should be at the gh potential, drops to some extent and enters an equilibrium state. At this time, depending on the degree of decrease in the output potential of the inverter 2, the logic element that receives the output of the inverter 2 in the internal main circuit 5 may not be accurately recognized as the High potential and may malfunction. Where NMOS
The ON resistance value of Q 8 in the equilibrium state is R 8 · PMOS Q 1
When the resistance value in the equilibrium state of R 1 is R 1 , the on-resistance value of the transfer gate 8 is R t , and the resistance value of the feedback resistor 3 is R, the input of the inverter 2 which should be Low potential is V IL , and the High potential is Letting V OH be the output of the inverter 2 which should be, it is expressed as follows.

これとは逆にインバータ16においてPMOS・Qのみが
オン状態で端子7に接続される外部信号がHigh電位であ
ると仮定した場合、前の例と同様に、帰還抵抗3の影響
により、High電位であるべき、インバータ2の入力はあ
る程度減少し、Low電位であるべきインバータ2の出力
はある程度上昇して平衡状態となる。この時インバータ
2の出力電位低下の度合いによっては、内部主回路5に
おけるインバータ2の出力を入力とする論理素子がLow
電位と正確に認識不可能となり誤動作する可能性があ
る。ここでPMOS・Qの平衡状態における、オン抵抗値
をR・NMOS・Qの平衡状態における抵抗値をR
High電位であるべきインバータ2の入力をVIH、さらにL
ow電位であるべきインバータ2の出力をVOL、以下R
及びRは前の例と同様とすると、次の様に表わされる。
If only PMOS · Q 7 in the inverter 16 to the contrary the external signal connected to the terminal 7 in the ON state is assumed to be High potential, as in the previous examples, due to the influence of the feedback resistor 3, High The input of the inverter 2, which should be at the potential, decreases to some extent, and the output of the inverter 2, which should be at the low potential, rises to some extent and enters a balanced state. At this time, depending on the degree of decrease in the output potential of the inverter 2, the logic element that receives the output of the inverter 2 in the internal main circuit 5 becomes Low.
There is a possibility of malfunction because it cannot be accurately recognized as a potential. Here at equilibrium of PMOS · Q 7, the resistance value of the on-resistance value in the equilibrium state of the R 7 · NMOS · Q 2 R 2,
The input of the inverter 2 which should be high potential is V IH , and L
The output of the inverter 2, which should be at the ow potential, is V OL , hereinafter R t
And R are represented as follows, assuming the same as the previous example.

以上の様な、帰還抵抗3の影響による誤動作を防止する
ために、従来は第5図に示すインバータ10及びインバ
ータ11の様な外付インバータを必要としていた。
In order to prevent the malfunction due to the influence of the feedback resistor 3 as described above, conventionally, an external inverter such as the inverter 10 and the inverter 11 shown in FIG. 5 has been required.

以下に第5図の説明を行う。なお第4図と同一符号は同
一回路を示す。10はPMOS・Q及びNMOS・Qにて構
成されるインバータで、共にドライブ能力の大きいすな
わちオン抵抗の小さいインバータである。第5図におい
て発振回路4に内蔵されるインバータ2と並列となる様
に、CMOS集積回路1の外部にインバータ10を接続
し、間接的にインバータ2を構成するPMOS Q及びNM
OS Qの各トランジスタのドライブ能力を能力を向上
させる事により、インバータ2における帰還抵抗3の影
響による出力電位振幅の減少を抑制している。これは、
先に導いた第2式においてPMOS・Qの平衡時のオン抵
抗値であるRが減少するに伴って、本来High電位であ
るべきインバータ2の出力VOHがVDDに近くなる事、及
び、同じく第4式においてNMOS・Qの平衡時のオン抵
抗値であるRが減少するに伴って、本来Low電位であ
るべきインバータ2の出力VOLが零に近くなる事によっ
て証明出来る。さらに、先に説明した第4図においてイ
ンバータ16を構成するPMOS Q及びNMOS・Qの各
トランジスタのドライブ能力が低く、そのオン抵抗が高
かった場合、第1式において、Rが増加しその結果、
本来Low電位であるべきインバータ2の入力VILがある程
度上昇し、又、第2式においてはRが増加し、その結
果本来High電位であるべきインバータ2の入力VIHがあ
る程度減少してしまう。この様に従来インバータ16を
構成するPMOS・Q及びNMOS Qの各トランジスタの
ドライブ能力が充分でない場合、インバータ2の出力電
位振幅は前に説明した帰還抵抗3による影響の他にイン
バータ16のドライブ能力不足による影響も受けるため
に、さらに低下し誤動作する可能性がさらに増加してし
まう。よって従来は第5図に示す様にインバータ16の
出力を一端ドライブ能力の充分なインバータ11に入力
した後、その出力を端子7に入力しなければならなかっ
た。
The description of FIG. 5 will be given below. The same reference numerals as those in FIG. 4 denote the same circuits. Reference numeral 10 denotes an inverter composed of PMOS.Q 3 and NMOS.Q 4 , both of which have a large drive capacity, that is, a small on-resistance. In FIG. 5, an inverter 10 is connected to the outside of the CMOS integrated circuit 1 so as to be in parallel with the inverter 2 built in the oscillation circuit 4, and the PMOS Q 1 and NM indirectly constituting the inverter 2 are formed.
By improving the drive capability of each transistor of the OS Q 2 , the reduction of the output potential amplitude due to the influence of the feedback resistor 3 in the inverter 2 is suppressed. this is,
In the second formula introduced above, the output V OH of the inverter 2, which should be originally at high potential, becomes close to V DD as the ON resistance value R 1 at the time of equilibrium of the PMOS Q 1 decreases. Also, it can be proved that the output V OL of the inverter 2 which should be originally at the low potential becomes close to zero as R 2 which is the on-resistance value of the NMOS Q 2 in equilibrium decreases in the fourth equation. . Further, when the driving capability of each of the transistors of the PMOS Q 7 and the NMOS Q 8 which constitute the inverter 16 in FIG. 4 described above is low and the on resistance thereof is high, R 8 increases in the first equation. as a result,
The input V IL of the inverter 2 which should originally be at a low potential rises to some extent, and in the second equation, R 7 increases, and as a result, the input V IH of the inverter 2 which is supposed to be at a high potential decreases to some extent. . In this way, when the drive capability of each of the PMOS Q 7 and NMOS Q 8 transistors forming the conventional inverter 16 is not sufficient, the output potential amplitude of the inverter 2 is affected by the feedback resistor 3 as described above, and the output potential amplitude of the inverter 16 is It is also affected by the lack of drive capacity, which further reduces the possibility of malfunction and increases the possibility of malfunction. Therefore, conventionally, as shown in FIG. 5, the output of the inverter 16 had to be input to the inverter 11 having a sufficient drive capacity, and then the output had to be input to the terminal 7.

〔考案が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

CMOS集積回路に内蔵される従来の発振回路におい
て、水晶振動子を接続する事により、水晶発振回路を構
成しその出力を内部回路でクロック信号として使用する
場合、特に問題はない。しかし発振回路におけるインバ
ータを前述のように入力バッファとして外部クロックを
入力し、その出力を内部回路におけるクロック信号とし
て使用する場合発振回路に内蔵される帰還抵抗の影響に
より発振回路の出力レベル振幅が減少してしまいその出
力を使用する内部回路が誤動作する可能性があった。よ
って従来は外部にドライブ能力の大きなインバータを接
続する事によりそれを改善していた。一方インバータ素
子は複数個を1つのパッケージに封入したIC(Integr
ated Curcuit)として市販されており、この様なインバ
ータを必要とする場合には、このパッケージを配置する
スペースが必要である。パッケージは一般にプリント基
板に装着されプリント基板のスペースを広くしなければ
ならず、コスト的に不利であり又、I.C.の購入コストが
かかるという欠点もある。そこで本考案は以上の欠点を
解決し外部クロックを使用する場合においても、外部に
インバータを接続する事なく正常な動作が得られる発振
回路を内蔵した集積回路を提供する事にある。
In the conventional oscillation circuit built in the CMOS integrated circuit, there is no particular problem when the crystal oscillation circuit is configured by connecting the crystal oscillator and the output thereof is used as the clock signal in the internal circuit. However, when the external clock is input as the input buffer using the inverter in the oscillator circuit and the output is used as the clock signal in the internal circuit, the output level amplitude of the oscillator circuit decreases due to the influence of the feedback resistor built in the oscillator circuit. The internal circuit using the output may malfunction. Therefore, in the past, this was improved by connecting an inverter with a large drive capacity to the outside. On the other hand, the inverter elements are ICs (Integr
ated Curcuit) is marketed, if you need such an inverter, you need space to place this package. The package generally has to be mounted on a printed circuit board to increase the space of the printed circuit board, which is disadvantageous in terms of cost and also has the drawback of increasing the cost of purchasing the IC. Therefore, the present invention is to solve the above-mentioned drawbacks and to provide an integrated circuit incorporating an oscillation circuit capable of obtaining a normal operation without connecting an inverter externally even when an external clock is used.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

かかる目的のために、本考案の集積回路は、発振素子を
接続して発振信号を得る第1の動作モードと外部からの
クロック信号にもとづき信号を得る第2の動作モードと
のいずれかを指定する第3の端子を有しており、さら
に、帰還ループ内のスイッチを第1の動作モードのとき
はスタンバイ状態か通常状態かに応じて制御し、一方、
第2の動作モードのときはいずれかの状態にかかわらず
開成するようにしている。
To this end, the integrated circuit of the present invention specifies either a first operation mode in which an oscillation element is connected to obtain an oscillation signal or a second operation mode in which a signal is obtained based on a clock signal from the outside. The switch in the feedback loop is controlled according to whether it is in the standby state or the normal state in the first operation mode.
In the second operation mode, the opening is performed regardless of any state.

〔実施例〕〔Example〕

次に本考案について図面を参照して説明する。第1図及
び第2図は本考案の一実施例である。第1図は従来例第
3図と対応しており、第3図と同一符号は同一回路を示
す。9は外部端子、17は2入力NORで、ゲートの一
方がスタンバイ信号線18に接続され、他方が外部端子
9に接続されている。第1図に示す様に、この発振回路
を水晶発振回路として使用する場合外部端子9をLow電
位に保つ事によって、インバータ2における出力が帰還
抵抗3を介してその入力に接続され水晶発振が可能とな
る。
Next, the present invention will be described with reference to the drawings. 1 and 2 show an embodiment of the present invention. FIG. 1 corresponds to FIG. 3 of the conventional example, and the same reference numerals as those in FIG. 3 denote the same circuits. Reference numeral 9 is an external terminal, 17 is a 2-input NOR, and one of the gates is connected to the standby signal line 18 and the other is connected to the external terminal 9. As shown in FIG. 1, when this oscillator circuit is used as a crystal oscillator circuit, by keeping the external terminal 9 at a low potential, the output of the inverter 2 is connected to its input via the feedback resistor 3 and crystal oscillation is possible. Becomes

次に第2図は従来例第4図と対応しており、第4図及び
第1図と同一符号は、同一回路を示す。この第4図の様
にこの発振回路を一種の入力バッファ回路として、外部
クロックを入力する場合においては、外部端子9をHigh
電位に保つ事でNORゲート17の出力はLow電位とな
り、トランスファゲート8はオフ状態となる。従ってイ
ンバータ2から帰還抵抗3が除去される事となるので、
インバータ2の入力レベルは完全に外部端子7の電圧レ
ベルにより制御される事になる。つまり帰還抵抗3の影
響によるインバータ2の出力電位振幅の減少を防ぐ事が
出来るので、従来例第5図におけるインバータ10及び
インバータ11の様な外付インバータを必要としない
で、正常な動作が実現出来る。
Next, FIG. 2 corresponds to FIG. 4 of the conventional example, and the same reference numerals as those in FIGS. 4 and 1 denote the same circuits. As shown in FIG. 4, when this oscillator circuit is used as a kind of input buffer circuit and an external clock is input, the external terminal 9 is set to High.
By keeping the potential, the output of the NOR gate 17 becomes Low potential, and the transfer gate 8 is turned off. Therefore, since the feedback resistor 3 is removed from the inverter 2,
The input level of the inverter 2 is completely controlled by the voltage level of the external terminal 7. In other words, since it is possible to prevent the output potential amplitude of the inverter 2 from decreasing due to the influence of the feedback resistor 3, normal operation is realized without the need for external inverters such as the inverter 10 and the inverter 11 shown in FIG. I can.

〔考案の効果〕 以上の説明で明かな様に本考案によれば帰還抵抗を内蔵
した発振回路に外部クロックを入力して使用する場合に
も従来の様に外部にインバータを付加する事なく帰還抵
抗の影響による出力レベル振幅の減少を完全に除去出来
る。よって従来に比べコスト的及びスペース的にその効
果は大きい。又特にスタンバイ機能を有する手段として
第3図におけるトランスファゲート8の様に帰還抵抗の
働きを制御する回路をすでに内蔵している場合、この制
御回路を外部から操作出来る様にするだけで本考案を実
現出来るためにわずかな回路の変更で済ませることがで
きるので、特に製造コストの上昇を招かない。従ってト
ータルとしての最終コストの引き下げに対する効果は非
常に大なるものがある。
[Effects of the Invention] As is clear from the above description, according to the present invention, even when an external clock is input to an oscillator circuit with a built-in feedback resistor, feedback is performed without adding an external inverter as in the past. The reduction in output level amplitude due to the effect of resistance can be completely eliminated. Therefore, the effect is large in terms of cost and space as compared with the conventional one. Further, in particular, when a circuit for controlling the action of the feedback resistor such as the transfer gate 8 in FIG. 3 is already built in as a means having a standby function, the present invention can be realized by simply operating this control circuit from the outside. Since it can be realized, only a slight change in the circuit can be performed, so that the manufacturing cost is not particularly increased. Therefore, the effect on the reduction of the final cost as a total is very large.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図及び第2図は本考案による発振回路を示す回路
図。第3図及び第4図,第5図は従来の発振回路を示す
回路図。 1……発振回路を内蔵するCMOS集積回路、2,1
0,11,16……インバータ、3……帰還抵抗、4…
…発振回路、5……内部主回路、6,7,9,12……
端子、8,20……トランスファゲート、13……水晶
振動子、14,15……コンデンサー、17……NOR
回路、18……スタンバイ信号線、Q,Q,Q
……Pチャンネル・MOSトランジスタ(PMO
S)、Q,Q,Q,Q……Nチャンネル・MO
Sトランジスタ(NMOS)。
1 and 2 are circuit diagrams showing an oscillator circuit according to the present invention. FIG. 3, FIG. 4, and FIG. 5 are circuit diagrams showing a conventional oscillator circuit. 1 ... CMOS integrated circuit incorporating an oscillation circuit, 2, 1
0, 11, 16 ... Inverter, 3 ... Feedback resistor, 4 ...
… Oscillation circuit, 5 …… Internal main circuit, 6,7,9,12 ……
Terminals, 8, 20 ... Transfer gates, 13 ... Crystal oscillators, 14, 15 ... Capacitors, 17 ... NOR
Circuit, 18 ... Standby signal line, Q 1 , Q 3 , Q 5 ,
Q 7 ... P-channel MOS transistor (PMO
S), Q 2 , Q 4 , Q 6 , Q 8 ... N-channel MO
S transistor (NMOS).

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】第1、第2および第3の端子と、前記第1
および第2の端子に入力および出力がそれぞれ接続され
たインバータと、このインバータの入出力間に接続され
た帰還抵抗およびスイッチ手段の直列回路と、制御信号
を受けこの信号が通常動作状態を指定するときは前記ス
イッチ手段を閉成せしめ、スタンバイ状態を指定すると
きは前記スイッチ手段を開成せしめるとともに前記イン
バータの出力を所定電位レベルに保持せしめる制御手段
とを備える集積回路であって、第1の動作モードのとき
は前記第1および第2の端子間に集積回路外部において
接続された発振素子により前記インバータの出力に発振
信号を発生し、第2の動作モードのときは前記第1の端
子に集積回路外部から供給されるクロック信号にもとづ
き前記インバータの出力にクロック信号を発生する集積
回路において、前記第3の端子のレベルにより前記第1
の動作モードか又は前記第2の動作モードを指定するよ
うになし、かつ、前記第3の端子のレベルが前記第1の
動作モードを指定するときは前記スイッチ手段の開閉を
前記制御信号にもとづき制御し、前記第2の動作モード
を指定するときは前記制御信号にかかわらず前記スイッ
チ手段を開成せしめるゲート回路を設けたことを特徴と
する集積回路。
1. A first terminal, a second terminal and a third terminal, and the first terminal.
An inverter having an input and an output connected to the second terminal and a second terminal, a series circuit of a feedback resistor and a switch means connected between the input and output of the inverter, and a control signal, which specifies a normal operation state. And a control means for closing the switch means when the standby state is specified and for holding the output of the inverter at a predetermined potential level when designating a standby state. An oscillation signal is generated at the output of the inverter by an oscillation element connected outside the integrated circuit between the first and second terminals in the mode, and integrated in the first terminal in the second operation mode. In an integrated circuit that generates a clock signal at the output of the inverter based on a clock signal supplied from the outside of the circuit, Wherein the level of the third terminal first
Or the second operation mode is specified, and when the level of the third terminal specifies the first operation mode, the opening / closing of the switch means is based on the control signal. An integrated circuit comprising a gate circuit for opening the switch means regardless of the control signal when controlling and designating the second operation mode.
JP1985187810U 1985-12-04 1985-12-04 Integrated circuit Expired - Lifetime JPH0619206Y2 (en)

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