JPH06188303A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JPH06188303A JPH06188303A JP33705692A JP33705692A JPH06188303A JP H06188303 A JPH06188303 A JP H06188303A JP 33705692 A JP33705692 A JP 33705692A JP 33705692 A JP33705692 A JP 33705692A JP H06188303 A JPH06188303 A JP H06188303A
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- clamp ring
- wafer stage
- stage
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハをクランプする時に、該ウェハを適切
な圧力によって押圧することにより、前記ウェハの破損
を防止し、さらに、スパッタリング時の処理生成物が前
記ウェハの裏面やウェハステージに廻り込むのを防止す
る。 【構成】 ウェハ１５を収容して陰極を兼ねたウェハス
テージ１１と、前記ウェハステージ１１を上下に粗動さ
せるウェハステージ昇降装置１２と、前記ウェハステー
ジ１１に当接するように弾性材により構成されたクラン
プリング１３と、前記クランプリング１３の距離を自在
に変化させることができるクランプリング移動機構１４
と、前記クランプリング１３の下面に設けられ、前記ウ
ェハ１５を押さえる爪部１６と、前記クランプリング１
３の雌ねじ部分に取り付けられる調整ねじ１７と、陽極
である１８とから構成されるスパッタリング装置とす
る。
な圧力によって押圧することにより、前記ウェハの破損
を防止し、さらに、スパッタリング時の処理生成物が前
記ウェハの裏面やウェハステージに廻り込むのを防止す
る。 【構成】 ウェハ１５を収容して陰極を兼ねたウェハス
テージ１１と、前記ウェハステージ１１を上下に粗動さ
せるウェハステージ昇降装置１２と、前記ウェハステー
ジ１１に当接するように弾性材により構成されたクラン
プリング１３と、前記クランプリング１３の距離を自在
に変化させることができるクランプリング移動機構１４
と、前記クランプリング１３の下面に設けられ、前記ウ
ェハ１５を押さえる爪部１６と、前記クランプリング１
３の雌ねじ部分に取り付けられる調整ねじ１７と、陽極
である１８とから構成されるスパッタリング装置とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体処理工程におい
てウェハをクランプする機構を備えた設備に関するもの
であり、特に前記ウェハの処理すべき部分以外の部分を
処理雰囲気から保護することを要する半導体処理設備に
適用して有効な技術に関するものである。
てウェハをクランプする機構を備えた設備に関するもの
であり、特に前記ウェハの処理すべき部分以外の部分を
処理雰囲気から保護することを要する半導体処理設備に
適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ウェハの表面上に金属被膜を形成する手
段として、真空中にＡｒガスを導入してＡｒ正イオンを
発生させて、陰極にセットした目的の金属からなるター
ゲットに衝突させることにより、ターゲットに対向した
ウェハ表面にターゲットを構成している目的金属の粒子
を被着させる、スパッタリング法が行なわれている。
段として、真空中にＡｒガスを導入してＡｒ正イオンを
発生させて、陰極にセットした目的の金属からなるター
ゲットに衝突させることにより、ターゲットに対向した
ウェハ表面にターゲットを構成している目的金属の粒子
を被着させる、スパッタリング法が行なわれている。
【０００３】なお、スパッタリング法および装置につい
ては、１９８６年９月１日・平凡社発行「ＶＬＳＩテク
ノロジー入門」１５９〜１６１頁に記載されている。
ては、１９８６年９月１日・平凡社発行「ＶＬＳＩテク
ノロジー入門」１５９〜１６１頁に記載されている。
【０００４】従来のスパッタリング装置の一例を図６の
部分断面図に示す。
部分断面図に示す。
【０００５】図６を用いてその構成を説明すると、１は
ウェハ５を載置する上面が平坦な円板状のウェハステー
ジであり、該ウェハステージ１は陰極を兼ねており、負
電位が与えられている。２は前記ウェハステージ１を上
下動させるウェハステージ昇降装置であり、ミリメート
ル単位またはセンチメートル単位の大きな幅で移動が可
能となっている。３は前記ウェハ５の素子形成エリアを
露出させるために、該ウェハ５の直径より若干小さい径
によって開口しているリング状のクランプリングであ
り、該クランプリング３の先端部には前記ウェハ５の円
周上の縁部と当接するように爪部６が設けられている。
ウェハ５を載置する上面が平坦な円板状のウェハステー
ジであり、該ウェハステージ１は陰極を兼ねており、負
電位が与えられている。２は前記ウェハステージ１を上
下動させるウェハステージ昇降装置であり、ミリメート
ル単位またはセンチメートル単位の大きな幅で移動が可
能となっている。３は前記ウェハ５の素子形成エリアを
露出させるために、該ウェハ５の直径より若干小さい径
によって開口しているリング状のクランプリングであ
り、該クランプリング３の先端部には前記ウェハ５の円
周上の縁部と当接するように爪部６が設けられている。
【０００６】また、前記クランプリング３の爪部６と前
記ウェハステージ１との離間距離は、前記ウェハ５の表
面に形成される金属被膜が、該ウェハ５の裏面まで廻り
込むのを防止するために、前記爪部６が前記ウェハ５の
上面縁部を押圧できるようにある特定の距離に固定され
ており、前記クランプリング３を側壁４に固設すること
によって一定の距離を保持している。
記ウェハステージ１との離間距離は、前記ウェハ５の表
面に形成される金属被膜が、該ウェハ５の裏面まで廻り
込むのを防止するために、前記爪部６が前記ウェハ５の
上面縁部を押圧できるようにある特定の距離に固定され
ており、前記クランプリング３を側壁４に固設すること
によって一定の距離を保持している。
【０００７】このような従来技術において、前記ウェハ
５を前記ウェハステージ１に搬送する場合は、該ウェハ
ステージ１の位置を下限に移動させ、該ウェハステージ
１と前記クランプリング３の先端部の爪部６との距離を
大きく離間させておく。前記離間された状態において、
前記ウェハ５を前記ウェハステージ１上に位置決めし、
正しくセットした後、前記ウェハステージ１を所定距離
だけ上昇させることにより、前記ウェハ５が前記クラン
プリング３によってクランプされるようになっている。
５を前記ウェハステージ１に搬送する場合は、該ウェハ
ステージ１の位置を下限に移動させ、該ウェハステージ
１と前記クランプリング３の先端部の爪部６との距離を
大きく離間させておく。前記離間された状態において、
前記ウェハ５を前記ウェハステージ１上に位置決めし、
正しくセットした後、前記ウェハステージ１を所定距離
だけ上昇させることにより、前記ウェハ５が前記クラン
プリング３によってクランプされるようになっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記ウェハ
ステージ１の移動幅が一定で、しかも前記クランプリン
グ３の位置が固定であり、また前記移動幅が大きく設定
されているため、前記ウェハステージ１の移動誤差も大
きくなる。さらに、前記ウェハ５の厚さや材質に応じた
クランプ圧の調整を自由に行うことが困難であるため、
ウェハ５がクランプ圧に耐え切れずに破損することがあ
る。
ステージ１の移動幅が一定で、しかも前記クランプリン
グ３の位置が固定であり、また前記移動幅が大きく設定
されているため、前記ウェハステージ１の移動誤差も大
きくなる。さらに、前記ウェハ５の厚さや材質に応じた
クランプ圧の調整を自由に行うことが困難であるため、
ウェハ５がクランプ圧に耐え切れずに破損することがあ
る。
【０００９】また、前記ウェハ５がクランプリング３に
より押さえられていないと、ウェハ５の裏面や前記ウェ
ハステージ１にスパッタ膜が付着して、搬送系や次工程
においてウェハ５や装置を汚染するという問題がある。
より押さえられていないと、ウェハ５の裏面や前記ウェ
ハステージ１にスパッタ膜が付着して、搬送系や次工程
においてウェハ５や装置を汚染するという問題がある。
【００１０】本発明の目的は、ウェハのクランプ時に該
ウェハを適切な力で押圧することにより、前記ウェハが
破損するのを確実に防止し、また前記ウェハの状態に係
らず最適なウェハ処理を行えるスパッタリング装置を提
供することにある。
ウェハを適切な力で押圧することにより、前記ウェハが
破損するのを確実に防止し、また前記ウェハの状態に係
らず最適なウェハ処理を行えるスパッタリング装置を提
供することにある。
【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１３】すなわち、ウェハを載置するウェハステー
ジと、前記ウェハに当接するクランプリングとが設けら
れ、前記ウェハステージと前記クランプリングとの相対
距離を変えることができる移動機構を設けたスパッタリ
ング装置とするものである。
ジと、前記ウェハに当接するクランプリングとが設けら
れ、前記ウェハステージと前記クランプリングとの相対
距離を変えることができる移動機構を設けたスパッタリ
ング装置とするものである。
【００１４】また、前記移動機構はクランプリングの弾
性により前記クランプリングがウェハを押圧する力を微
調整できるものである。
性により前記クランプリングがウェハを押圧する力を微
調整できるものである。
【００１５】さらに、前記ウェハを押圧する力を微調整
する手段は前記クランプリングに設置される調整ねじで
ある。
する手段は前記クランプリングに設置される調整ねじで
ある。
【００１６】
【作用】前記した手段によれば、ウェハの状態に応じ
て、クランプリングがウェハをクランプする圧力を微小
な範囲で変えることができるので、前記ウェハの破損を
防止し、該ウェハの裏面やウェハステージへの処理生成
物の付着等を防止できるものである。
て、クランプリングがウェハをクランプする圧力を微小
な範囲で変えることができるので、前記ウェハの破損を
防止し、該ウェハの裏面やウェハステージへの処理生成
物の付着等を防止できるものである。
【００１７】
【実施例１】図１は本発明の一実施例であるスパッタリ
ング装置の部分断面図である。
ング装置の部分断面図である。
【００１８】まず、図１を用いて本実施例のスパッタリ
ング装置の構成を説明すると、１１はウェハ１５を収容
して陰極を兼ねたウェハステージであり、該ウェハステ
ージ１１の中央部上面は平坦に形成されており、前記ウ
ェハ１５を載置できるように該ウェハ１５より大きく形
成されている。
ング装置の構成を説明すると、１１はウェハ１５を収容
して陰極を兼ねたウェハステージであり、該ウェハステ
ージ１１の中央部上面は平坦に形成されており、前記ウ
ェハ１５を載置できるように該ウェハ１５より大きく形
成されている。
【００１９】１２は前記ウェハステージ１１を粗動（例
えばミリ単位）させるウェハステージ昇降装置であり、
前記ウェハステージ１１を、該ウェハステージ１１に対
向して設置されている陽極１８との距離を設定された値
の位置に移動できるようになっている。
えばミリ単位）させるウェハステージ昇降装置であり、
前記ウェハステージ１１を、該ウェハステージ１１に対
向して設置されている陽極１８との距離を設定された値
の位置に移動できるようになっている。
【００２０】１３は前記ウェハ１５を前記ウェハステー
ジ１１との間において挟んで、前記ウェハステージ１１
に当接するように弾性材により構成されたクランプリン
グである。該クランプリング１３はウェハ１５の円周部
を覆うように形成され、さらに、該クランプリング１３
の下端には爪部１６が設けられ、該爪部１６は前記ウェ
ハ１５に当接するように設けられている。
ジ１１との間において挟んで、前記ウェハステージ１１
に当接するように弾性材により構成されたクランプリン
グである。該クランプリング１３はウェハ１５の円周部
を覆うように形成され、さらに、該クランプリング１３
の下端には爪部１６が設けられ、該爪部１６は前記ウェ
ハ１５に当接するように設けられている。
【００２１】１４はウェハ１５に対して前記クランプリ
ング１３の距離を自在に変化させることができるクラン
プリング移動機構であり、本実施例では該クランプリン
グ移動機構１４と前記ウェハステージ昇降装置１２とに
より、前記ウェハ１５と前記クランプリング１３との相
対距離を変える微動機構である。
ング１３の距離を自在に変化させることができるクラン
プリング移動機構であり、本実施例では該クランプリン
グ移動機構１４と前記ウェハステージ昇降装置１２とに
より、前記ウェハ１５と前記クランプリング１３との相
対距離を変える微動機構である。
【００２２】１７は前記クランプリング１３の表面から
裏面にかけて貫通して形成された雌ねじ部分に取り付け
られ、また、前記クランプリング１３から突出した突出
部分の長さＨに応じて、爪部１６がウェハステージ１１
に載置されたウェハ１５ヘ付加する力を調整することが
できる雄ねじからなる手動の調整ねじである。
裏面にかけて貫通して形成された雌ねじ部分に取り付け
られ、また、前記クランプリング１３から突出した突出
部分の長さＨに応じて、爪部１６がウェハステージ１１
に載置されたウェハ１５ヘ付加する力を調整することが
できる雄ねじからなる手動の調整ねじである。
【００２３】図２〜図４は、本発明の一実施例であるス
パッタリング装置の動作を示す要部動作説明図である。
パッタリング装置の動作を示す要部動作説明図である。
【００２４】図２〜図４を用いて、前記クランプリング
１３が前記ウェハ１５に加える圧力（荷重）を微調整す
る原理について説明すると、前記調整ねじ１７の突出量
Ｈが０の状態において、前記クランプリング移動機構１
４によりクランプリング１３をあらかじめ設定されてい
る図示しない幅Ｓ（Ｓ＞Ｓ1 ）だけ下降させた時、前記
爪部１６はＳ1 だけ下降した後、前記ウェハ１５に当接
して停止する。この時、前記クランプリング移動機構１
４はΔＳ＝Ｓ−Ｓ1 の幅で沈み込み、前記ウェハ１５に
は爪部１６によりΔＳに応じた荷重が加えられる。前記
ΔＳ分の荷重がウェハ１５に加わるのであるが、調整ね
じ１７の突出量Ｈを該調整ねじ１７を回転させて微小な
範囲で変化させることにより、前記クランプリング１３
が前記ウェハ１５に加える圧力（荷重）を微調整するこ
とが可能になる。
１３が前記ウェハ１５に加える圧力（荷重）を微調整す
る原理について説明すると、前記調整ねじ１７の突出量
Ｈが０の状態において、前記クランプリング移動機構１
４によりクランプリング１３をあらかじめ設定されてい
る図示しない幅Ｓ（Ｓ＞Ｓ1 ）だけ下降させた時、前記
爪部１６はＳ1 だけ下降した後、前記ウェハ１５に当接
して停止する。この時、前記クランプリング移動機構１
４はΔＳ＝Ｓ−Ｓ1 の幅で沈み込み、前記ウェハ１５に
は爪部１６によりΔＳに応じた荷重が加えられる。前記
ΔＳ分の荷重がウェハ１５に加わるのであるが、調整ね
じ１７の突出量Ｈを該調整ねじ１７を回転させて微小な
範囲で変化させることにより、前記クランプリング１３
が前記ウェハ１５に加える圧力（荷重）を微調整するこ
とが可能になる。
【００２５】次に、図２〜図４を用いて本実施例のスパ
ッタリング装置の動作を説明する。
ッタリング装置の動作を説明する。
【００２６】まず、図示しない搬送ロボットもしくは搬
送ベルトなどの搬送機構等を利用して、ウェハ１５をウ
ェハステージ１１上に搬送した後、該ウェハ１５の位置
決めが行なわれる。この時、前記ウェハステージ１１は
下限位置に退避しているため、前記ウェハ１５がクラン
プリング１３と接触することはない。
送ベルトなどの搬送機構等を利用して、ウェハ１５をウ
ェハステージ１１上に搬送した後、該ウェハ１５の位置
決めが行なわれる。この時、前記ウェハステージ１１は
下限位置に退避しているため、前記ウェハ１５がクラン
プリング１３と接触することはない。
【００２７】また、前記ウェハ１５の位置決めが完了し
た後、ウェハステージ昇降装置１２（図１参照）または
クランプリング移動機構１４の少なくとも一方を駆動さ
せて、前記ウェハ１５の表面に爪部１６を相対的に近付
ける。なお、本実施例では、前記ウェハステージ１１が
上限位置まで急速に移動した後、前記クランプリング１
３が動くものとし、前記ウェハステージ１１が上限位置
に達した時のウェハ１５の表面の高さ位置を基準位置
（０）とする。
た後、ウェハステージ昇降装置１２（図１参照）または
クランプリング移動機構１４の少なくとも一方を駆動さ
せて、前記ウェハ１５の表面に爪部１６を相対的に近付
ける。なお、本実施例では、前記ウェハステージ１１が
上限位置まで急速に移動した後、前記クランプリング１
３が動くものとし、前記ウェハステージ１１が上限位置
に達した時のウェハ１５の表面の高さ位置を基準位置
（０）とする。
【００２８】ここで、図２はウェハステージ１１が上限
位置に移動した時の状態を示した図である。
位置に移動した時の状態を示した図である。
【００２９】図２に示すように、ウェハステージ１１が
上限に移動しても爪部１６はウェハ１５の表面から若干
離間している。この離間した距離をＳ1 とすると、前記
離間した状態から、前記クランプリング移動機構１４を
駆動させて、クランプリング１３をＳ1 だけ微動させる
と、爪部１６はウェハ１５に当接する（図３参照）。
上限に移動しても爪部１６はウェハ１５の表面から若干
離間している。この離間した距離をＳ1 とすると、前記
離間した状態から、前記クランプリング移動機構１４を
駆動させて、クランプリング１３をＳ1 だけ微動させる
と、爪部１６はウェハ１５に当接する（図３参照）。
【００３０】さらに、爪部１６とウェハ１５が接した状
態におけるウェハステージ１１と調整ねじ１７の先端と
の距離をｔとすると、あらかじめクランプリング移動機
構１４は移動する距離として図示しないＳ（Ｓ＞Ｓ1 ）
に設定されているため、爪部１６がウェハ１５の表面に
当接して、爪部１６の下降が停止した後もクランプリン
グ移動機構１４は△Ｓ＝Ｓ−Ｓ1 分だけ下降することに
なる（図４参照）。
態におけるウェハステージ１１と調整ねじ１７の先端と
の距離をｔとすると、あらかじめクランプリング移動機
構１４は移動する距離として図示しないＳ（Ｓ＞Ｓ1 ）
に設定されているため、爪部１６がウェハ１５の表面に
当接して、爪部１６の下降が停止した後もクランプリン
グ移動機構１４は△Ｓ＝Ｓ−Ｓ1 分だけ下降することに
なる（図４参照）。
【００３１】ところで、クランプリング移動機構１４が
△Ｓ移動する途中において、クランプリング１３の下面
から突出されている調整ねじ１７は、クランプリング１
３がウェハ１５に与える圧力を微調整する働きを備えて
いる。すなわち、前記調整ねじ１７の先端がウェハステ
ージ１１の表面端部と接触するように設定されている
（△Ｓ≧ｔ）ため、前記調整ねじ１７の突出量Ｈが小さ
ければ爪部１６がウェハ１５の表面に当接してからのク
ランプリング移動機構１４の下降する距離が長く、従っ
てウェハ１５に対するクランプリング１３の負荷も大と
なる。逆に、前記突出量Ｈが大きければ前記ウェハ１５
に対する負荷は小となる。
△Ｓ移動する途中において、クランプリング１３の下面
から突出されている調整ねじ１７は、クランプリング１
３がウェハ１５に与える圧力を微調整する働きを備えて
いる。すなわち、前記調整ねじ１７の先端がウェハステ
ージ１１の表面端部と接触するように設定されている
（△Ｓ≧ｔ）ため、前記調整ねじ１７の突出量Ｈが小さ
ければ爪部１６がウェハ１５の表面に当接してからのク
ランプリング移動機構１４の下降する距離が長く、従っ
てウェハ１５に対するクランプリング１３の負荷も大と
なる。逆に、前記突出量Ｈが大きければ前記ウェハ１５
に対する負荷は小となる。
【００３２】つまり、調整ねじ１７を調整して、クラン
プリング１３からの調整ねじ１７の突出量Ｈを変化させ
ることによって、前記クランプリング１３が下降する距
離を微小変化させることができるため、爪部１６がウェ
ハ１５に付加する圧力を自在に、かつ微小な範囲で変化
させることが可能となる。
プリング１３からの調整ねじ１７の突出量Ｈを変化させ
ることによって、前記クランプリング１３が下降する距
離を微小変化させることができるため、爪部１６がウェ
ハ１５に付加する圧力を自在に、かつ微小な範囲で変化
させることが可能となる。
【００３３】本実施例によれば、次のような作用効果が
得られる。
得られる。
【００３４】（１）．ウェハステージ１１とクランプリ
ング１３の相対距離を変えることができる移動機構が設
けられ、さらに、前記クランプリング１３がウェハ１５
を押圧する力を微小な範囲で変化させることが可能な押
圧力調整機構を設けることにより、最適なクランプ圧が
得られ、従って前記ウェハ１５が破損したり、前記ウェ
ハ１５の裏面やウェハステージ１１にスパッタした金属
膜が廻り込むなどの問題を回避することが可能となるも
のである。
ング１３の相対距離を変えることができる移動機構が設
けられ、さらに、前記クランプリング１３がウェハ１５
を押圧する力を微小な範囲で変化させることが可能な押
圧力調整機構を設けることにより、最適なクランプ圧が
得られ、従って前記ウェハ１５が破損したり、前記ウェ
ハ１５の裏面やウェハステージ１１にスパッタした金属
膜が廻り込むなどの問題を回避することが可能となるも
のである。
【００３５】（２）．前記押圧力調整機構として調整ね
じ１７を利用することにより、該調整ねじ１７の回転動
作を軸方向への動作に変換することができる。従って、
クランプリング１３から調整ねじ１７の突出量を微調整
することが可能となるものである。
じ１７を利用することにより、該調整ねじ１７の回転動
作を軸方向への動作に変換することができる。従って、
クランプリング１３から調整ねじ１７の突出量を微調整
することが可能となるものである。
【００３６】
【実施例２】図５は本発明の他の実施例であるスパッタ
リング装置を示す部分断面図である。
リング装置を示す部分断面図である。
【００３７】まず、図５を用いて本実施例のスパッタリ
ング装置の構成を説明する。
ング装置の構成を説明する。
【００３８】なお、図５の実施例において、図１と同一
構成部分については、同一符号を付し、その説明は省略
する。
構成部分については、同一符号を付し、その説明は省略
する。
【００３９】図５において、２０はクランプリング１３
と同期して移動し、ウェハステージ１１（ウェハ１５の
表面でも良い）の表面までの距離を検出するための距離
検出手段であり、例えば光を利用して検出しており、そ
の検出した情報２２は自動制御手段２１に送出される。
該自動制御手段２１では、前記距離検出手段２０からの
情報２２を電気信号に変換して、爪部１６の先端とウェ
ハ１５との実際の距離を算出する。前記算出結果に対応
した制御信号２３は、押圧力調整機構駆動手段２４に送
られる。前記制御信号２３が送られた押圧力調整機構駆
動手段２４は、前記制御信号２３の指示に応じて調整ね
じ１７を自動的に回転させ、クランプリング１３の下面
からの前記調整ねじ１７の先端の突出量を自在に変化さ
せることができるため、爪部１６がウェハ１５に付加す
る圧力を自在に、かつ微小な範囲で変化させることが可
能となる。
と同期して移動し、ウェハステージ１１（ウェハ１５の
表面でも良い）の表面までの距離を検出するための距離
検出手段であり、例えば光を利用して検出しており、そ
の検出した情報２２は自動制御手段２１に送出される。
該自動制御手段２１では、前記距離検出手段２０からの
情報２２を電気信号に変換して、爪部１６の先端とウェ
ハ１５との実際の距離を算出する。前記算出結果に対応
した制御信号２３は、押圧力調整機構駆動手段２４に送
られる。前記制御信号２３が送られた押圧力調整機構駆
動手段２４は、前記制御信号２３の指示に応じて調整ね
じ１７を自動的に回転させ、クランプリング１３の下面
からの前記調整ねじ１７の先端の突出量を自在に変化さ
せることができるため、爪部１６がウェハ１５に付加す
る圧力を自在に、かつ微小な範囲で変化させることが可
能となる。
【００４０】次に、本実施例２の作用効果について説明
すると、実施例１において述べた作用効果（１），
（２）に付け加えて、さらに、ウェハ１５の表面もしく
はウェハステージ１１までの距離を検出する手段を設
け、その検出した距離に応じて押圧力調整機構を駆動さ
せることにより、最適なクランプ圧を自動的に得ること
が可能となるものである。
すると、実施例１において述べた作用効果（１），
（２）に付け加えて、さらに、ウェハ１５の表面もしく
はウェハステージ１１までの距離を検出する手段を設
け、その検出した距離に応じて押圧力調整機構を駆動さ
せることにより、最適なクランプ圧を自動的に得ること
が可能となるものである。
【００４１】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００４２】例えば、本実施例では押圧力調整機構とし
て調整ねじを利用しているが、調整ねじの代わりに熱や
電気量に応じて形状が徐々に変化する部材、例えば形状
記憶合金などを利用しても良い。
て調整ねじを利用しているが、調整ねじの代わりに熱や
電気量に応じて形状が徐々に変化する部材、例えば形状
記憶合金などを利用しても良い。
【００４３】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるスパッ
タリング技術に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、ウェハやその他板状体を押
さえつけながら処理する装置に適用して有効な技術に関
するものである。
なされた発明をその背景となった利用分野であるスパッ
タリング技術に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、ウェハやその他板状体を押
さえつけながら処理する装置に適用して有効な技術に関
するものである。
【００４４】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００４５】（１）．ウェハを載置するウェハステージ
と、前記ウェハに当接し、弾性体により構成されたクラ
ンプリングとが設けられ、さらに、前記ウェハステージ
と前記クランプリングの相対距離を変えることができる
移動機構を設けたため、前記相対距離を自在に調整する
ことができる。
と、前記ウェハに当接し、弾性体により構成されたクラ
ンプリングとが設けられ、さらに、前記ウェハステージ
と前記クランプリングの相対距離を変えることができる
移動機構を設けたため、前記相対距離を自在に調整する
ことができる。
【００４６】（２）．ウェハのクランプ圧力（またはク
ランプリングとウェハとの距離）を微小変化させる押圧
力調整機構を設けることにより、ウェハやクランプリン
グ等の状態に対応して、確実にスパッタ処理面以外への
処理生成物の付着を防止することができる。また、ウェ
ハの破損を防止することもできる。
ランプリングとウェハとの距離）を微小変化させる押圧
力調整機構を設けることにより、ウェハやクランプリン
グ等の状態に対応して、確実にスパッタ処理面以外への
処理生成物の付着を防止することができる。また、ウェ
ハの破損を防止することもできる。
【００４７】（３）．ウェハをクランプする圧力を自在
に調整できるため、ウェハをクランプした状態で移動
（回転）することができる。
に調整できるため、ウェハをクランプした状態で移動
（回転）することができる。
【図１】本発明の一実施例であるスパッタリング装置を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図２】本発明の一実施例であるスパッタリング装置の
動作を示す要部動作説明図である。
動作を示す要部動作説明図である。
【図３】本発明の一実施例であるスパッタリング装置の
動作を示す要部動作説明図である。
動作を示す要部動作説明図である。
【図４】本発明の一実施例であるスパッタリング装置の
動作を示す要部動作説明図である。
動作を示す要部動作説明図である。
【図５】本発明の実施例２によるスパッタリング装置を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
【図６】従来のスパッタリング装置を示す部分断面図で
ある。
ある。
１，１１ ウェハステージ ２，１２ ウェハステージ昇降装置 ３，１３ クランプリング ４ 側壁 ５，１５ ウェハ ６，１６ 爪部 １４ クランプリング移動機構 １７ 調整ねじ（押圧力調整機構） １８ 陽極 ２０ 距離検出手段 ２１ 自動制御手段 ２２ 情報 ２３ 制御信号 ２４ 押圧力調整機構駆動手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 昭男 北海道亀田郡七飯町字中島145番地 日立 北海セミコンダクタ株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 ウェハを載置するためのウェハステージ
と、前記ウェハステージに対向して設けられ、前記ウェ
ハに当接して押圧する弾性体により構成されたクランプ
リングと、前記ウェハステージと前記クランプリングと
の相対距離を変えることができる移動機構とからなるこ
とを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項２】 前記移動機構は、前記クランプリングを
上下動させるクランプリング移動機構と、前記クランプ
リングが前記ウェハを押圧する力を該クランプリングの
弾性により、調整することができる押圧力調整機構とか
らなることを特徴とする請求項１記載のスパッタリング
装置。 - 【請求項３】 前記押圧力調整機構は、前記クランプリ
ングに設けられた調整ねじであり、該調整ねじの前記ク
ランプリング下面からの突出量を変えることにより、前
記クランプリングが前記ウェハを押圧する力を調整でき
ることを特徴とする請求項２記載のスパッタリング装
置。 - 【請求項４】 前記ウェハを載置するためのウェハステ
ージと、前記ウェハステージに対向して設けられ、前記
ウェハに当接して押圧する弾性体により構成されたクラ
ンプリングと、前記クランプリングを上下動させるクラ
ンプリング移動機構と、前記クランプリングに設けられ
る調整ねじの前記クランプリング下面からの突出量を変
えることにより、前記クランプリングが前記ウェハを押
圧する力を調整できる押圧力調整機構と、該押圧力調整
機構を駆動する押圧力調整機構駆動手段と、前記クラン
プリングと同期して移動し、前記ウェハまたは前記ウェ
ハステージの表面位置を検出する距離検出手段と、前記
距離検出手段からの情報により前記押圧力調整機構駆動
手段を制御する制御信号を送出する自動制御手段とから
なることを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項５】 前記制御信号は、前記ウェハステージま
たは前記ウェハの上面までの距離を前記距離検出手段に
より検出し、その検出した情報を前記自動制御手段によ
って加工することにより得られた信号であることを特徴
とする請求項４記載のスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33705692A JPH06188303A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33705692A JPH06188303A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188303A true JPH06188303A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18305020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33705692A Pending JPH06188303A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06188303A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7820016B2 (en) * | 2005-06-27 | 2010-10-26 | Lg Display Co., Ltd. | Sputtering apparatus and method of preventing damage thereof |
| KR101468599B1 (ko) * | 2008-10-22 | 2014-12-04 | 주식회사 케이씨텍 | 플라즈마 처리장치 |
| JP2015133448A (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 株式会社荏原製作所 | 回転保持装置及び基板洗浄装置 |
| CN109267030A (zh) * | 2018-10-22 | 2019-01-25 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种磁控溅射用基片装载夹具及磁控溅射装置 |
| JP2020145297A (ja) * | 2019-03-06 | 2020-09-10 | トヨタ自動車株式会社 | クランプリング |
-
1992
- 1992-12-17 JP JP33705692A patent/JPH06188303A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7820016B2 (en) * | 2005-06-27 | 2010-10-26 | Lg Display Co., Ltd. | Sputtering apparatus and method of preventing damage thereof |
| US8052853B2 (en) | 2005-06-27 | 2011-11-08 | Lg Display Co., Ltd. | Sputtering apparatus and method of preventing damage thereof |
| KR101468599B1 (ko) * | 2008-10-22 | 2014-12-04 | 주식회사 케이씨텍 | 플라즈마 처리장치 |
| JP2015133448A (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 株式会社荏原製作所 | 回転保持装置及び基板洗浄装置 |
| CN109267030A (zh) * | 2018-10-22 | 2019-01-25 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种磁控溅射用基片装载夹具及磁控溅射装置 |
| JP2020145297A (ja) * | 2019-03-06 | 2020-09-10 | トヨタ自動車株式会社 | クランプリング |
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