KR101468599B1 - 플라즈마 처리장치 - Google Patents

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Abstract

배기량을 확보하고 균일하게 배기시킬 수 있는 대면적 기판의 처리가 가능한 플라즈마 처리장치가 개시된다. 배기량을 일정하게 유지할 수 있는 플라즈마 처리장치는, 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 내부에 구비되어 기판이 안착되며 상하 방향으로 승강 구동되는 서셉터, 상기 서셉터 주변에 구비되며 상기 프로세스 챔버 내부의 배기가스를 배출시키는 복수개의 배기구가 형성된 배플부 및 상기 서셉터에 대해 상기 기판을 고정시키며, 상기 배플부 상부에 구비되어 상기 프로세스 챔버 내의 배기가스를 상기 배플부로 유출시키는 배기홀이 형성된 클램프 링을 포함하여 구성된다. 따라서, 클램프 링과 배플을 일체로 형성함으로써 배기홀과 기판 사이의 거리를 항상 일정하게 유지할 수 있으므로 배기량을 일정하게 유지할 수 있다.
Figure R1020080103683
증착, CVD, 태양전지, 배플, 클램프 링(clamp ring)

Description

플라즈마 처리장치{CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}
본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 배기량을 균일하게 유지시킬 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하는 것이다.
태양전지(solar cell 또는 photovoltaic cell)는 태양에너지를 직접 전기로 변환시키는 태양광 발전의 핵심소자이다. 태양전지는 실리콘 기판(single c-Si 또는 multi c-Si wafer)을 절단 등의 가공으로 제조하는 것이 일반적이다. 이러한 방식은 태양전지의 원래의 목적이라고 할 수 있는 전기 생산효율 면에서는 우수하나, 고가인 실리콘 기판이 필요 이상으로 과도하게 사용되고 있기 때문에 생산 단가가 높다는 문제점이 있다. 즉, 기존의 c-Si 태양전지는 제조기술(혹은 절단기술)의 한계로 인하여 300~400 ㎛의 두께로 제조되고 있으나, 실제로 태양전지에서 광(光)을 흡수하여 전기를 생산하는데 필요한 실리콘의 두께는 50 ㎛면 충분하므로 나머지 두께의 실리콘 기판은 낭비되고 있는 것이다.
이러한 문제점을 해결하고자 고가의 실리콘 기판 대신 유리, 금속, 플라스틱과 같은 저가 기판 상에 1~3 ㎛의 실리콘 박막층을 형성하여 태양전지를 제조하는 기술이 연구되고 있다. 이러한 박막 태양전지는 기존의 반도체 장치나 디스플레이 장치의 제조와 유사한 기술을 이용하여 대면적, 대량생산이 가능하므로 생산성 향상 및 제조 단가를 획기적으로 낮출 수 있는 장점이 있다. 대표적인 예로, 비정질 실리콘(amorphous silicon, a-Si:H) 박막을 기판 위에 비정질 상태로 증착하고 증착된 비정질 실리콘 박막을 결정화하여 태양전지를 제조하는 기술이 개발되어 있다.
이러한 박막 태양전지의 제조를 위한 실리콘 박막을 증착하는 장치로는 스퍼터링(sputtering)과 같이 물리적인 충돌을 이용하는 물리 기상 증착(physical vapor deposition, PVD)이나 플라즈마를 이용한 화학 기상 증착(chemical vapor deposition, CVD) 등 다양한 형태의 증착장치가 사용될 수 있다.
한편, 기존의 태양전지 제조를 위한 증착장치는 기판이 안착되는 서셉터와 서셉터 주변에 프로세스 챔버 내의 배기가스를 배출시키는 배플이 구비된다.
그러나 기존의 증착장치는 배플과 기판 사이의 거리에 따라 배기량이 달라지며 기판의 형태에 따라서도 배플과 기판 사이의 거리가 달라지므로 배기량이 불균일해진다. 즉, 배기량이 큰 부분에서는 배기량이 작은 부분에 비해 상대적으로 소스가스가 외부로 배출되는 양이 많으므로 기판에 제공되는 소스가스 양의 차이로 인해 기판에 형성되는 박막의 두께가 불균일하게 되는 문제점이 있다
특히, 기판의 크기가 커질수록 배기량을 확보하고 균일하게 유지시키기가 어려워서 배기 불량이 발생할 수 있다. 이러한 배기불량으로 인해 프로세스 챔버 내의 잔류 소스가스로 인해 파티클이 발생할 수 있으며 증착 품질이 저하된다.
또한, 기판의 중앙 부분에서의 배기량을 확보하기 위해서 배기량을 증가시키 는 경우 분사된 소스가스의 일부가 기판에 도달하기 전에 바로 배기부를 통해 흡입될 수 있으며, 이로 인해, 소스가스의 낭비가 발생하게 되고 증착 공정에 사용되는 소스가스의 소비량이 증가하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 배플과 기판의 거리에 따른 배기량 차가 발생하는 것을 방지하고 배기량을 일정하게 유지하여 증착 품질을 향상시킬 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 배기량을 일정하게 유지하여 소스가스 사용량을 절감할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하기 위한 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 배기량을 일정하게 유지할 수 있는 플라즈마 처리장치는, 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 내부에 구비되어 기판이 안착되며 상하 방향으로 승강 구동되는 서셉터, 상기 서셉터 주변에 구비되며 상기 프로세스 챔버 내부의 배기가스를 배출시키는 복수개의 배기구가 형성된 배플부 및 상기 서셉터에 대해 상기 기판을 고정시키며, 상기 배플부 상부에 구비되어 상기 프로세스 챔버 내의 배기가스를 상기 배플부로 유출시키는 배기홀이 형성된 클램프 링을 포함하여 구성된다.
실시예에서, 상기 클램프 링은, 본체를 형성하고 상기 배플부에 결합되는 바디부, 상기 바디부 내부에서 상기 배기구와 연통되도록 형성된 버퍼부, 상기 바디부를 관통하여 상기 버퍼부와 연통되며 상기 프로세스 챔버 내부의 배기가스를 상기 버퍼부로 유출시키는 배기홀 및 상기 바디부 내측으로 돌출되며 상기 기판 에지(edge)부에 선택적으로 결합 가능하게 형성된 립부를 포함하는 이루어진다.
실시예에서, 상기 바디부는 상기 기판을 향한 제1 면이 상기 기판 표면에 대해 경사지게 형성될 수 있다. 또한, 상기 배기홀은 상기 기판 표면과 근접한 위치에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 배기홀은 상기 기판 표면에 대해 나란하도록 수평 방향으로 형성될 수 있다.
실시예에서, 상기 바디부는 상기 배플부와 결합되는 제2 면이 상기 제1 면과 평행하게 형성되며, 상기 배플부 상부는 상기 제2 면에 대응되도록 경사지게 형성될 수 있다.
실시예에서, 상기 바디부 일측에는 상기 바디부의 힌지 회동 가능하도록 힌지축이 구비될 수 있다. 예를 들어, 상기 힌지축은 상기 기판의 승강이동에 대해 상기 립부가 상기 기판과의 접촉상태를 유지한 상태로 힌지 회동할 수 있도록 구비된다. 또한, 상기 바디부의 힌지 회동에 의해 상기 바디부와 상기 배플부가 분리되는 내측 부분에는 상기 바디부와 상기 배플부를 실링하는 실링부가 구비될 수 있다. 예를 들어, 시상기 실링부는 상기 기판의 이동 시 신축 가능하게 형성된다.
실시예에서, 상기 립부는 상기 기판 상부에 결합되되 에지부 일부를 덮는 형태를 가지며, 상기 기판과 접촉되는 부분에는 첨부 형태의 접촉부가 형성될 수 있다.
본 발명에 따르면, 첫째, 배플과 클램프 링이 결합되며 클램프 링에 배기홀에 형성되므로 기판의 승강 이동 시에도 기판과 배기홀 사이의 거리를 일정하게 유지시킬 수 있으며, 증착 품질을 향상시킬 수 있다.
둘째, 배기홀을 기판과 인접한 위치에 형성함으로써 배기량을 확보하고 배기효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 배기효율을 향상시켜 배기량을 일정 이상으로 확보할 수 있으므로 소스가스 사용량을 절감할 수 있다.
첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
이하, 도 1내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치에 대해 상세하게 설명한다. 참고적으로 도 1과 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 설명하기 위한 종단면도로서, 도 1은 증착 공정이 수행될 때를 도시하였고 도 2는 기판이 로딩 또는 언로딩될 때를 도시하였다. 도 3은 도 1에서 서셉터가 상승하였을 때 클램프 링의 상태를 설명하기 위한 요부 단면도이다.
도 1과 도 2를 참조하면, 플라즈마 처리장치(100)는 프로세스 챔버(101), 서셉터(102), 샤워헤드(103), 플라즈마 발생부(104), 클램프 링(clamp ring)(105) 및 배플(baffle)부(106)를 포함하여 구성된다.
상기 프로세스 챔버(101)는 기판(10)을 수용하여 플라즈마가 발생되는 공간을 제공한다. 예를 들어, 상기 기판(10)은 태양전지용 유리 기판이고, 상기 기판(10) 표면에 비정질 실리콘이 증착된다.
이하에서는 태양전지의 제조를 위한 플라즈마 처리장치로서, 사각형 형태를 갖는 대면적 유리 기판을 대상으로 하는 플라즈마 처리장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명은 유리 기판 이외에도 실리콘 기판이나 금속, 플라스틱 재질의 기판에 적용될 수 있으며, 기판의 형태 역시 사각형 이외의 다각형이나 원형의 기판에 적용하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명에 따른 플라즈마 발생부(104)는 플라즈마 처리장치 이외에도 식각이나 애싱(ashing)과 같이 플라즈마를 이용한 장치에는 모두 적용이 가능하다.
상기 프로세스 챔버(101)의 일측에는 상기 프로세스 챔버(101)로 상기 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 위한 도어(111)가 형성된다.
상기 서셉터(102)는 상기 프로세스 챔버(101) 내부에 구비되어 상기 기판(10)이 안착되고, 상기 서셉터(102)의 하부에는 상기 서셉터(102)의 승강 이동을 위한 구동축(125)이 구비되며, 상기 서셉터(102) 내부 또는 하부 일측에는 증착 공정을 위해 상기 기판(10)을 가열하기 위한 히터(미도시)가 구비될 수 있다.
상기 샤워헤드(103)는 상기 서셉터(102) 상부에 구비되어 상기 기판(10)으로 증착을 위한 소스가스를 분사하는 복수개의 분사홀(131)이 형성되고, 상기 샤워헤드(103)의 일측에는 상기 샤워헤드(103)로 소스가스를 공급하는 상기 소스가스 공급부(135)가 연결된다.
여기서, 상기 소스가스는 상기 기판(10)에 증착시키고자 하는 박막을 구성하는 물질이 포함된 가스로서, 상기 플라즈마 발생부(104)에서 발생한 유도자기장에 의해 플라즈마 상태로 여기되는 반응가스와 상기 반응가스가 여기된 플라즈마의 반 응성을 이용하여 상기 기판(10) 표면과 반응하여 박막을 형성하는 소스 물질을 포함하는 가스를 포함한다.
또한, 상기 소스가스는 상기 기판(10)의 종류나 증착하고자 하는 박막의 종류에 따라 그 종류가 달라질 수 있다. 예를 들어, 상기 소스가스는 실리콘을 포함하고 있는 실란(SiH4), TEOS(테트라에톡시-실란), 4불화 실리콘(SiF4) 중 어느 하나의 가스를 사용할 수 있으며, 상기 반응가스로는 질소(N2), 산소(O2), 아르곤(Ar), 헬륨(He), 수소(H2) 중 어느 하나의 가스 또는 둘 이상 혼합된 가스를 사용할 수 있다.
상기 서셉터(102) 주변에는 상기 프로세스 챔버(101) 내부의 배기가스를 배출시키는 배플부(106)가 구비된다. 상기 배플부(106)는 상기 프로세스 챔버(101)에서 배기가스를 배출시기키 위한 배플 배기구(161) 및 배기펌프(165)가 구비된다. 예를 들어, 상기 배플부(106)는 복수개의 배플 배기구(161)가 형성되고 상기 배플 배기구(161)를 통해 배기가스가 유입되는 소정 체적의 빈 공간이 형성된 박스 형태를 가질 수 있다. 또한, 상기 프로세스 챔버(101)의 하부에는 상기 배플부(106) 내부와 연통되며 상기 배기펌프(165)로 배기가스를 유출시키는 챔버 배기구(112)가 형성된다.
상기 클램프 링(105)은 상기 배플부(106) 상부에 구비되어 상기 기판(10) 에지 부분에 결합되어 증착 공정이 수행되는 동안 상기 기판(10)을 상기 서셉터(102)에 대해 고정시킨다.
상세하게는, 상기 클램프 링(105)은 버퍼부(154)와 배기홀(153)이 형성된 바 디부(152)와 립부(151)로 이루어진다.
상기 립부(151)는 상기 기판(10)에 접촉될 수 있도록 상기 바디부(152)에서 내측으로 연장 형성되며, 상기 기판(10)의 에지부 일부를 덮을 수 있도록 연장된다. 또한, 상기 립부(151)는 연속된 형태로 형성되며 상기 기판(10)과 접촉되는 부분에는 접촉부(151a)가 형성된다. 예를 들어 상기 접촉부(151a)는 상기 기판(10)과 접촉 면적을 최소화할 수 있도록 첨단부를 갖는다.
상기 바디부(152)는 상기 클램프 링(105)의 본체를 형성하며, 상기 배기홀(153)은 상기 프로세스 챔버(101)와 연통되어 배기가스를 상기 버퍼부(154)로 유입시키고 상기 버퍼부(154)는 상기 바디부(152) 내부에 구비되어 상기 배플 배기구(161)와 연통된다.
상기 바디부(152)는 상기 배플부(106) 상부에 결합 가능하도록 형성되며 상기 서셉터(102) 둘레를 따라 연속된 형태를 갖는다.
여기서, 상기 바디부(152)는 상기 배기홀(153)이 상기 기판(10) 표면과 평행한 위치에 형성될 수 있도록 상기 바디부(152)에서 상기 기판(10)에 대향된 제1 면(152a)이 상기 기판(10) 표면에 대해 소정 각도 경사지게 형성된다. 또한, 상기 바디부(152)는 상기 배플부(106)에 접촉되는 제2 면(152b)이 상기 제1 면(152a)과 대략 평행한 직사각형 단면 형태를 가진다. 예를 들어, 상기 서셉터(102)는 사각형 형태를 갖고 상기 바디부(152)는 사각형 형태의 깔대기 형태를 가질 수 있다. 또한, 상기 제2 면(152b)이 경사지게 형성됨에 따라 상기 배플부(106) 상면도 상기 제2 면(152b)의 경사에 대응되게 경사진 면으로 형성될 수 있다.
상기 배기홀(153)은 배기가스의 배출효과를 향상시킬 수 있도록 상기 배기홀(153)의 입구가 상기 기판(10) 표면과 대략 비슷한 위치에 형성된다. 또한, 상기 배기홀(153)은 상기 기판(10) 표면과 평행하도록 상기 바디부(152)를 대략 수평 방향으로 관통하도록 형성될 수 있다. 또는, 도면에 도시한 바와 같이, 상기 배기홀(153)은 수평 방향에서 하부로 소정 각도 경사지게 형성되는 것도 가능하다.
상기 배기홀(153)은 상기 바디부(152)에서 상기 제1 면(152a)을 따라 복수개의 배기홀(153)이 형성된다. 예를 들어, 상기 배기홀(153)은 동일한 크기의 배기홀(153)이 일정 간격으로 배치될 수 있다. 또는, 상기 기판(10)의 형태와 크기에 따라 배기량이 저하된 부분에서는 크기가 큰 배기홀(153) 또는 배기홀(153)의 간격을 조밀하게 배치하거나 배기량이 많은 부분에는 상대적으로 작은 크기의 배기홀(153) 또는 배기홀(153)의 간격을 넓게 배치하는 것도 가능하다.
그러나 상기 배기홀(153)의 위치와 방향은 도면에 의해 한정되는 것은 아니며 상기 프로세스 챔버(101) 내부의 배기량을 확보하고 균일하게 유지할 수 있는 실질적으로 다양한 위치와 방향에 형성된다. 또한, 상기 배기홀(153)의 수와 크기 및 간격 역시 상기 프로세스 챔버(101) 내부에서 배기량에 따라 적절하게 변경된다.
상기 버퍼부(154)는 상기 배기홀(153)에서 유입되는 배기가스의 버퍼 공간을 형성하도록 상기 바디부(152) 내부에 소정 체적의 빈 공간으로 형성된다. 또한, 상기 버퍼부(154)는 상기 배기홀(153)에서 유입된 배기가스를 상기 배플 배기구(161)로 원활하게 유입시키기 위해서 상기 배기홀(153) 및 상기 배플 배기 구(161)보다 큰 면적을 갖는 공간으로 형성된다. 또한, 상기 버퍼부(154)는 상기 바디부(152)를 따라 연속된 공간으로 형성될 수 있다.
상기 클램프 링(105)은 상기 배플부(106) 상부에 고정 구비된다. 그러나 상기 기판(10)이 증착 공정 동안 상기 프로세스 챔버(101) 내부에서 소정 거리 승강 이동하는데 이러한 기판(10)의 승강 이동 시 상기 립부(151)와 상기 기판(10)의 접촉 상태를 유지할 수 있도록 상기 클램프 링(105)의 일측에는 힌지축(155)이 구비된다.
도 3을 참조하면, 상기 기판(10)이 도 1의 도시된 상태보다 상부로 이동하더라도 상기 클램프 링(105)이 상기 힌지축(155)을 기준으로 힌지 회동함으로써 상기 기판(10)과 상기 립부(151)의 접촉 상태가 유지된다.
예를 들어, 상기 힌지축(155)은 상기 바디부(152)에서 상기 제2 면(152b)의 단부에 구비된다.
여기서, 상기 클램프 링(105)의 힌지 회동 시 상기 바디부(152)와 상기 배플부(106)가 분리되면서 이격되는 부분에는 상기 클램프 링(105) 내부를 밀봉하는 실링부(156)가 구비된다. 즉, 상기 실링부(156)는 상기 힌지축(155)에서 원거리에 있는 상기 바디부(152)의 내측 단부와 상기 배플부(106) 사이에 구비되며, 상기 바디부(152)의 이동에 대해 신축 가능하게 형성된다.
상기 힌지축(155) 및 상기 실링부(156)의 위치와 형태는 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(10)의 승강 이동 시 상기 기판(10)과 상기 클램프 링(105)의 접촉 상태를 유지시키도록 상기 클램프 링(105)을 힌지 회동 가능한 위 치와 형태로 실질적으로 다양하게 변경 가능하다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100) 및 클램프 링(105)의 동작에 대해 설명한다.
우선, 도 2에 도시한 바와 같이, 증착 공정을 위해 기판(10)의 로딩 시에는 상기 서셉터(102) 상부에 상기 기판(10)이 안착될 수 있도록 상기 서셉터(102)가 상기 도어(111)보다 하부로 하강한다.
상기 서셉터(102)에 상기 기판(10)이 안착되면 상기 서셉터(102)가 상승하여 상기 기판(10)과 상기 립부(151)가 접촉된다. 여기서, 상기 클램프 링(105)이 상기 기판(10) 상부에서 상기 기판(10)에 접촉되므로, 상기 클램프 링(105)의 하중에 의해 상기 기판(10)이 상기 서셉터(102)에 대해 고정되며, 증착 공정 동안 상기 기판(10)에 뒤틀림이 발생하는 것을 억제한다.
상기 서셉터(102)의 상승이 완료되면 상기 샤워헤드(103)에서 상기 기판(10)으로 소스가스를 분사하고 상기 플라즈마 발생부(104)에서 플라즈마를 발생시킴에 따라 상기 기판(10) 표면에 박막이 증착된다.
상기 클램프 링(105)은 증착 공정이 수행되는 동안 상기 기판(10)의 위치를 고정시킬 뿐만 아니라 상기 기판(10)의 에지부에 박막이 증착되는 것을 방지한다.
상기 증착 공정 동안 상기 프로세스 챔버(101) 내부의 미반응 소스가스를 포함하는 배기가스는 상기 클램프 링(105)의 배기홀(153)을 통해 상기 배플부(106)로 유입되어 상기 배기펌프(165)로 배출된다. 특히, 상기 배기홀(153)이 상기 기판(10) 표면과 유사한 위치에 형성되므로 배기가스가 상기 배기홀(153)로 원활하게 유입시킬 수 있으므로 배기량을 확보하는 데 유리하다.
한편, 상기 기판(10)이 승강 이동 시 상기 클램프 링(105)이 상기 힌지축(155)에 의해 힌지 회동하므로 상기 기판(10)과 상기 립부(151)의 접촉 상태가 지속적으로 유지되며, 상기 배기홀(153)과 상기 기판(10) 사이의 거리가 동일하게 유지된다.
즉, 상기 기판(10)의 이동 시에도 상기 기판(10)과 상기 배기홀(153) 사이의 거리가 변경됨으로 인해 배기량이 변화되는 것을 방지할 수 있으며, 배기량을 균일하게 유지시킬 수 있는 장점이 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1과 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 설명하기 위한 종단면도;
도 3은 도 1의 플라즈마 처리장치에서 클램프 링을 설명하기 위한 요부 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 기판 100: 플라즈마 처리장치
101: 프로세스 챔버 102: 서셉터
103: 샤워헤드 104: 플라즈마 발생부
105: 클램프 링 106: 배플부
111: 도어 112: 챔버 배기구
125: 구동축 131: 분사홀
135: 소스가스 공급부 145: 전원 공급부
151: 립(lip)부 151a: 접촉부
152, 152a, 152b: 바디부 153: 배기홀
154: 버퍼부 155: 힌지부
156: 실링부 161: 배플 배기구
165: 배기펌프

Claims (11)

  1. 프로세스 챔버;
    상기 프로세스 챔버 내부에 구비되어 기판이 안착되며 상하 방향으로 승강 구동되는 서셉터;
    상기 서셉터 주변에 구비되며 상기 프로세스 챔버 내부의 배기가스를 배출시키는 복수개의 배기구가 형성된 배플부; 및
    상기 서셉터에 대해 상기 기판을 고정시키며, 상기 배플부 상부에 구비되어 상기 프로세스 챔버 내의 배기가스를 상기 배플부로 유출시키는 배기홀이 형성된 클램프 링;
    을 포함하고,
    상기 클램프 링은,
    본체를 형성하고 상기 배플부에 결합되는 바디부;
    상기 바디부 내부에서 상기 배기구와 연통되도록 형성된 버퍼부;
    상기 바디부를 관통하여 상기 버퍼부와 연통되며 상기 프로세스 챔버 내부의 배기가스를 상기 버퍼부로 유출시키는 배기홀; 및
    상기 바디부 내측으로 돌출되며 상기 기판 에지(edge)부에 선택적으로 결합 가능하게 형성된 립부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 바디부는 상기 기판을 향한 제1 면이 상기 기판 표면에 대해 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  4. 삭제
  5. 제3항에 있어서,
    상기 배기홀은 상기 기판 표면에 대해 나란하도록 수평 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 바디부는 상기 배플부와 결합되는 제2 면이 상기 제1 면과 평행하게 형성되며, 상기 배플부 상부는 상기 제2 면에 대응되도록 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 바디부 일측에는 상기 바디부의 힌지 회동 가능하도록 힌지축이 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 힌지축은 상기 기판의 승강이동에 대해 상기 립부가 상기 기판과의 접촉상태를 유지한 상태로 힌지 회동할 수 있도록 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 바디부의 힌지 회동에 의해 상기 바디부와 상기 배플부가 분리되는 내측 부분에는 상기 바디부와 상기 배플부를 실링하는 실링부가 더 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 실링부는 상기 기판의 이동 시 신축 가능하게 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 립부는 상기 기판 상부에 결합되되 에지부 일부를 덮는 형태를 가지며, 상기 기판과 접촉되는 부분에는 첨부 형태의 접촉부가 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
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