JPH06188168A - 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 - Google Patents
投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法Info
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- JPH06188168A JPH06188168A JP4355966A JP35596692A JPH06188168A JP H06188168 A JPH06188168 A JP H06188168A JP 4355966 A JP4355966 A JP 4355966A JP 35596692 A JP35596692 A JP 35596692A JP H06188168 A JPH06188168 A JP H06188168A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 投影面内の照度分布の均一化を図り、高解像
度の投影パターン像が得られる投影露光装置及びそれを
用いた半導体素子の製造方法を得ること。 【構成】 光源１からの光束で照明した第１物体Ｒ面上
のパターンを投影光学系６により第２物体面上に投影露
光する際、該光源と該第２物体Ｗ面との間の光路中に所
定領域の光束の通過面にコーティングを施した光学素子
により密閉された空間１１を形成し、該空間内の湿度を
制御する湿度制御手段１０１を用いて制御することによ
り、該第２物体面上の照度分布を調整していること。
度の投影パターン像が得られる投影露光装置及びそれを
用いた半導体素子の製造方法を得ること。 【構成】 光源１からの光束で照明した第１物体Ｒ面上
のパターンを投影光学系６により第２物体面上に投影露
光する際、該光源と該第２物体Ｗ面との間の光路中に所
定領域の光束の通過面にコーティングを施した光学素子
により密閉された空間１１を形成し、該空間内の湿度を
制御する湿度制御手段１０１を用いて制御することによ
り、該第２物体面上の照度分布を調整していること。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は投影露光装置及びそれを
用いた半導体素子の製造方法に関し、特にＩＣ，ＬＳＩ
等の半導体素子を製造する際にレチクル面上の電子回路
パターンをウエハ面上に投影光学系により投影するとき
のレチクル面上又は投影面上（ウエハ面上）の照度分布
を調整し、高精度な投影パターン像が得られるようにし
たものである。
用いた半導体素子の製造方法に関し、特にＩＣ，ＬＳＩ
等の半導体素子を製造する際にレチクル面上の電子回路
パターンをウエハ面上に投影光学系により投影するとき
のレチクル面上又は投影面上（ウエハ面上）の照度分布
を調整し、高精度な投影パターン像が得られるようにし
たものである。
【０００２】
【従来の技術】従来よりＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子製
造用の投影露光装置（アライナー）においては半導体素
子の高集積化が進み、それに伴いウエハ面上での最小線
幅が１μｍ以下という非常に高い光学性能が要求されて
いる。
造用の投影露光装置（アライナー）においては半導体素
子の高集積化が進み、それに伴いウエハ面上での最小線
幅が１μｍ以下という非常に高い光学性能が要求されて
いる。
【０００３】一般にレチクル面上の回路パターンを投影
光学系を介してウエハ面（投影面）上に投影する際、回
路パターンの解像線幅は使用波長や投影光学系のＮ．Ａ
等と共に投影面上における照度分布の均一性の良否が大
きく影響している。
光学系を介してウエハ面（投影面）上に投影する際、回
路パターンの解像線幅は使用波長や投影光学系のＮ．Ａ
等と共に投影面上における照度分布の均一性の良否が大
きく影響している。
【０００４】通常、半導体素子の高集積化に伴い投影面
上の照度ムラは±１％以内であることが要望されてい
る。
上の照度ムラは±１％以内であることが要望されてい
る。
【０００５】図７は従来の投影露光装置の光学系の要部
概略図である。
概略図である。
【０００６】同図において光源７１からの光束は光学系
７２により集光し、微小レンズを２次元的に配列したオ
プティカルインテグレータ７３の入射面７３ａに入射し
ている。そしてオプティカルインテグレータ７３の射出
面７３ｂに複数の２次光源を形成している。射出面７３
ｂに形成した複数の２次光源からの発散光束は各々コン
デンサーレンズ７４で集光し、重なり合って被照射面７
５を照明する。
７２により集光し、微小レンズを２次元的に配列したオ
プティカルインテグレータ７３の入射面７３ａに入射し
ている。そしてオプティカルインテグレータ７３の射出
面７３ｂに複数の２次光源を形成している。射出面７３
ｂに形成した複数の２次光源からの発散光束は各々コン
デンサーレンズ７４で集光し、重なり合って被照射面７
５を照明する。
【０００７】被照射面７５上には電子回路パターンを形
成したレチクルＲが配置されている。レチクルＲ面上の
電子回路パターンを投影レンズ７６により投影面７７に
載置したウエハＷ面上に投影結像している。このときコ
ンデンサーレンズ７４はオプティカルインテグレータ７
３の射出面７３ｂの２次光源が投影レンズ７６の瞳７６
ａ近傍に形成するようにしている。
成したレチクルＲが配置されている。レチクルＲ面上の
電子回路パターンを投影レンズ７６により投影面７７に
載置したウエハＷ面上に投影結像している。このときコ
ンデンサーレンズ７４はオプティカルインテグレータ７
３の射出面７３ｂの２次光源が投影レンズ７６の瞳７６
ａ近傍に形成するようにしている。
【０００８】従来の投影露光装置はこのような構成によ
り投影面７７上の照度分布の均一化を図っていた。
り投影面７７上の照度分布の均一化を図っていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】一般にレンズやミラー
等の光学部材の面にはコーティング膜が施されており、
入射光束の反射特性や透過特性を制御している。このと
きコーティング膜の軸対称ムラや膜厚誤差があると光軸
対称な照度ムラが発生し、照射面中心に比べて照射面周
辺の照度が上がったり、下がったりする場合がある。
等の光学部材の面にはコーティング膜が施されており、
入射光束の反射特性や透過特性を制御している。このと
きコーティング膜の軸対称ムラや膜厚誤差があると光軸
対称な照度ムラが発生し、照射面中心に比べて照射面周
辺の照度が上がったり、下がったりする場合がある。
【００１０】このため、従来の投影露光装置ではコンデ
ンサーレンズとして歪曲収差（ディストーション）を種
々と変えた複数のコンデンサーレンズを用意して、各装
置毎に最適なコンデンサーレンズを選択して使用した
り、又はコンデンサーレンズをズームレンズより構成
し、各装置毎に最適な屈折力配置として使用したりして
照度ムラに対応していた。しかしながら１つの装置内に
おいて、その環境条件の変化に起因する照度ムラの変化
には何んら対応をしていなかった。
ンサーレンズとして歪曲収差（ディストーション）を種
々と変えた複数のコンデンサーレンズを用意して、各装
置毎に最適なコンデンサーレンズを選択して使用した
り、又はコンデンサーレンズをズームレンズより構成
し、各装置毎に最適な屈折力配置として使用したりして
照度ムラに対応していた。しかしながら１つの装置内に
おいて、その環境条件の変化に起因する照度ムラの変化
には何んら対応をしていなかった。
【００１１】本発明は光路中に設けた密閉空間内の湿度
を制御することにより光学部材の製作誤差や環境条件の
変化等に起因する投影面上の照度ムラを補正し、レチク
ル面上の電子回路パターンをウエハ面上に高い分解能で
投影することができる投影露光装置及びそれを用いた半
導体素子の製造方法の提供を目的とする。
を制御することにより光学部材の製作誤差や環境条件の
変化等に起因する投影面上の照度ムラを補正し、レチク
ル面上の電子回路パターンをウエハ面上に高い分解能で
投影することができる投影露光装置及びそれを用いた半
導体素子の製造方法の提供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の投影露光装置
は、光源からの光束で照明した第１物体面上のパターン
を投影光学系により第２物体面上に投影露光する際、該
光源と該第２物体面との間の光路中に所定領域の光束の
通過面にコーティングを施した光学素子により密閉され
た空間を形成し、該空間内の湿度を制御する湿度制御手
段を用いて制御することにより、該第２物体面上の照度
分布を調整していることを特徴としている。
は、光源からの光束で照明した第１物体面上のパターン
を投影光学系により第２物体面上に投影露光する際、該
光源と該第２物体面との間の光路中に所定領域の光束の
通過面にコーティングを施した光学素子により密閉され
た空間を形成し、該空間内の湿度を制御する湿度制御手
段を用いて制御することにより、該第２物体面上の照度
分布を調整していることを特徴としている。
【００１３】また本発明の半導体素子の製造方法として
は、光源からの光束で照明したレチクル面上のパターン
を投影光学系によりウエハ面上に投影露光した後、該ウ
エハを現像処理工程を介して半導体素子を製造する際、
該光源と該第２物体面との間の光路中に所定領域の光束
の通過面にコーティングを施した光学素子により密閉さ
れた空間を形成し、該空間内の湿度を制御する湿度制御
手段を用いて制御することにより、該第２物体面上の照
度分布を調整していることを特徴としている。
は、光源からの光束で照明したレチクル面上のパターン
を投影光学系によりウエハ面上に投影露光した後、該ウ
エハを現像処理工程を介して半導体素子を製造する際、
該光源と該第２物体面との間の光路中に所定領域の光束
の通過面にコーティングを施した光学素子により密閉さ
れた空間を形成し、該空間内の湿度を制御する湿度制御
手段を用いて制御することにより、該第２物体面上の照
度分布を調整していることを特徴としている。
【００１４】
【実施例】図１は本発明の投影露光装置の実施例１の光
学系の要部概略図、図２は図１の一部分の拡大説明図で
ある。
学系の要部概略図、図２は図１の一部分の拡大説明図で
ある。
【００１５】図中、１は光源であり、超高圧水銀灯やレ
ーザ（エキシマレーザ）等から成っている。２は光学系
であり、光源１からの光束を集光し、オプティカルイン
テグレータ３の入射面３ａに入射させている。
ーザ（エキシマレーザ）等から成っている。２は光学系
であり、光源１からの光束を集光し、オプティカルイン
テグレータ３の入射面３ａに入射させている。
【００１６】オプティカルインテグレータ３は図２に示
すように複数の微小レンズを２次元的に配列して構成し
ており、その射出面３ｂに複数の２次光源を形成してい
る。射出面３ｂに形成した複数の２次光源からの発散光
束は各々湿度制御手段１０１の一要素である光学部材８
の透過面を介してコンデンサーレンズ４で集光し、各々
重なり合った状態で照射面５を照明している。
すように複数の微小レンズを２次元的に配列して構成し
ており、その射出面３ｂに複数の２次光源を形成してい
る。射出面３ｂに形成した複数の２次光源からの発散光
束は各々湿度制御手段１０１の一要素である光学部材８
の透過面を介してコンデンサーレンズ４で集光し、各々
重なり合った状態で照射面５を照明している。
【００１７】１１は光学部材８の密閉した空間であり、
所定のコーティング膜を施した２枚の平行平面板１２，
１３とリング状部材１２ａより形成している。
所定のコーティング膜を施した２枚の平行平面板１２，
１３とリング状部材１２ａより形成している。
【００１８】照射面５には電子回路パターンを形成した
レチクルＲ（第１物体）が配置されている。６は投影光
学系（投影レンズ）であり、レチクルＲ面上の電子回路
パターンを投影面７に載置したウエハＷ面（第２物体）
上に所定の倍率で投影している。コンデンサーレンズ４
はオプティカルインテグレータ３の射出面３ｂの２次光
源が投影光学系６の入射瞳６ａ近傍に形成するようにし
ている。これにより照射面５をケーラー照明するように
している。
レチクルＲ（第１物体）が配置されている。６は投影光
学系（投影レンズ）であり、レチクルＲ面上の電子回路
パターンを投影面７に載置したウエハＷ面（第２物体）
上に所定の倍率で投影している。コンデンサーレンズ４
はオプティカルインテグレータ３の射出面３ｂの２次光
源が投影光学系６の入射瞳６ａ近傍に形成するようにし
ている。これにより照射面５をケーラー照明するように
している。
【００１９】１４は照度ムラ測定器であり、ウエハＷ面
上の照度分布（照度ムラ）を測定し、その結果を照度ム
ラ制御部１５に入力している。１０は湿度制御部であ
り、照度ムラ制御部１５からの信号に基づいて密閉され
た空間１１内の湿度を制御している。９は湿度検出器で
あり、空間１１内の湿度を検出している。
上の照度分布（照度ムラ）を測定し、その結果を照度ム
ラ制御部１５に入力している。１０は湿度制御部であ
り、照度ムラ制御部１５からの信号に基づいて密閉され
た空間１１内の湿度を制御している。９は湿度検出器で
あり、空間１１内の湿度を検出している。
【００２０】本実施例では湿度制御部１０により空間１
１内に乾燥空気を送出したり又は蒸気を送出したりして
空間１１内の湿度を制御して、ウエハＷ面上の照度分布
が均一となるように制御している。
１内に乾燥空気を送出したり又は蒸気を送出したりして
空間１１内の湿度を制御して、ウエハＷ面上の照度分布
が均一となるように制御している。
【００２１】各要素８，９，１０は湿度制御手段１０１
の一要素を構成している。又湿度制御手段１０１、照度
ムラ制御部１５、そして照度ムラ測定器１４は照度ムラ
制御手段の一要素を構成している。
の一要素を構成している。又湿度制御手段１０１、照度
ムラ制御部１５、そして照度ムラ測定器１４は照度ムラ
制御手段の一要素を構成している。
【００２２】次に本実施例において空間１１内の湿度を
制御し、投影面７（ウエハ面Ｗ）上の照度ムラを調整す
る際の光学的作用について説明する。
制御し、投影面７（ウエハ面Ｗ）上の照度ムラを調整す
る際の光学的作用について説明する。
【００２３】光学部材に蒸着される反射防止膜は通常何
層かの蒸着膜（コーティング膜）より成り、各層の蒸着
膜は膜実質部（バルクと同様）と空隙から成っている。
各蒸着層の屈折率ｎf は ｎf ＝ｎ0 Ｐ＋ｎ（１−Ｐ） ・・・・（１） で表わされる。
層かの蒸着膜（コーティング膜）より成り、各層の蒸着
膜は膜実質部（バルクと同様）と空隙から成っている。
各蒸着層の屈折率ｎf は ｎf ＝ｎ0 Ｐ＋ｎ（１−Ｐ） ・・・・（１） で表わされる。
【００２４】ここでｎ0 は膜実質部の屈折率、ｎは空隙
に充たされた雰囲気中の屈折率（真空や乾燥空気中でｎ
＝１．０，飽和水蒸気中でｎ＝１．３３）、Ｐは各蒸着
層の充填率で空隙を含む層の体積中の膜実質部の占める
割合として定義されるものであり、一般にＰ＝０．８〜
０．９である。
に充たされた雰囲気中の屈折率（真空や乾燥空気中でｎ
＝１．０，飽和水蒸気中でｎ＝１．３３）、Ｐは各蒸着
層の充填率で空隙を含む層の体積中の膜実質部の占める
割合として定義されるものであり、一般にＰ＝０．８〜
０．９である。
【００２５】空隙に充たされた雰囲気中の屈折率ｎは湿
度の値によって１．０〜１．３３と大きく変化する。こ
のため（１）式より明かのように各蒸着層の屈折率ｎf
は湿度の変化に伴って同様に大きく変化する。例えば、
ある蒸着層がある波長で屈折率ｎ0 ＝１．５，充填率Ｐ
＝０．８であった場合、その層の屈折率ｎf は湿度の変
化により（１）式からｎf ＝１．４〜１．４６６に変化
する。コーティング膜において上記のように各層の屈折
率変化があった場合には、そのコーティング膜の施され
ている光学素子（光学部材）の分光特性はシフトしてく
る。
度の値によって１．０〜１．３３と大きく変化する。こ
のため（１）式より明かのように各蒸着層の屈折率ｎf
は湿度の変化に伴って同様に大きく変化する。例えば、
ある蒸着層がある波長で屈折率ｎ0 ＝１．５，充填率Ｐ
＝０．８であった場合、その層の屈折率ｎf は湿度の変
化により（１）式からｎf ＝１．４〜１．４６６に変化
する。コーティング膜において上記のように各層の屈折
率変化があった場合には、そのコーティング膜の施され
ている光学素子（光学部材）の分光特性はシフトしてく
る。
【００２６】図３はある角度特性がシャープなコーティ
ング膜においてＰ＝０．８とし、ｎ＝１．０〜１．３３
と変化させたときの特定波長における透過率角度依存性
を示したものである。
ング膜においてＰ＝０．８とし、ｎ＝１．０〜１．３３
と変化させたときの特定波長における透過率角度依存性
を示したものである。
【００２７】図中、（ａ）はｎ＝１．３３，（ｂ）はｎ
＝１．１７，（ｃ）はｎ＝１．０のときを示している。
この図３より明かのように、湿度の変化によって光学素
子の透過率の角度依存性を調整することができる。
＝１．１７，（ｃ）はｎ＝１．０のときを示している。
この図３より明かのように、湿度の変化によって光学素
子の透過率の角度依存性を調整することができる。
【００２８】本実施例においては図２に示すようにオプ
ティカルインテグレータ３の射出面３ｂに形成した２次
光源により被照射面５をケーラー照明しているため、光
学部材８の透過率角度特性の変化がそのまま被照射面５
の照度ムラの変化となって現われる。
ティカルインテグレータ３の射出面３ｂに形成した２次
光源により被照射面５をケーラー照明しているため、光
学部材８の透過率角度特性の変化がそのまま被照射面５
の照度ムラの変化となって現われる。
【００２９】本実施例では以上説明した光学的作用に基
づいて光学部材８内の空間１１の湿度を制御することに
よるウエハＷ面の照度ムラを制御している。その後、レ
チクルＲ面上の電子回路パターンを投影光学系６により
ウエハＷ面上に縮小投影し、公知の現像処理工程を経て
半導体素子を製造している。
づいて光学部材８内の空間１１の湿度を制御することに
よるウエハＷ面の照度ムラを制御している。その後、レ
チクルＲ面上の電子回路パターンを投影光学系６により
ウエハＷ面上に縮小投影し、公知の現像処理工程を経て
半導体素子を製造している。
【００３０】図４，図５，図６は各々本発明の投影露光
装置の実施例２，３，４の光学系の一部分の拡大説明図
である。実施例２，３，４は図１の実施例１に比べて光
路中に設ける密閉した空間の位置又は数が異なってお
り、その他の構成は基本的に同じである。
装置の実施例２，３，４の光学系の一部分の拡大説明図
である。実施例２，３，４は図１の実施例１に比べて光
路中に設ける密閉した空間の位置又は数が異なってお
り、その他の構成は基本的に同じである。
【００３１】図４の実施例２ではオプティカルインテグ
レータ３を含む空間を光学部材８を用いて密閉空間１１
としている。図５の実施例３ではコンデンサーレンズ４
を含む空間をコンデンサーレンズ４を構成するレンズ４
ａ，レンズ４ｂ、そしてレンズ鏡筒４ｃとを用いて密閉
空間１１としている。尚、本実施例ではコンデンサーレ
ンズ４が密閉空間１１を有する実施例１と同様の光学部
材８としての作用を有している。図６の実施例４では図
１の実施例１で用いた密閉空間と図５の実施例３で用い
た密閉空間の２つの密閉空間を利用している。
レータ３を含む空間を光学部材８を用いて密閉空間１１
としている。図５の実施例３ではコンデンサーレンズ４
を含む空間をコンデンサーレンズ４を構成するレンズ４
ａ，レンズ４ｂ、そしてレンズ鏡筒４ｃとを用いて密閉
空間１１としている。尚、本実施例ではコンデンサーレ
ンズ４が密閉空間１１を有する実施例１と同様の光学部
材８としての作用を有している。図６の実施例４では図
１の実施例１で用いた密閉空間と図５の実施例３で用い
た密閉空間の２つの密閉空間を利用している。
【００３２】この他、本発明においては投影露光装置全
体を含む空間を密閉空間としても良い。
体を含む空間を密閉空間としても良い。
【００３３】本発明においては光源１とウエハＷ面との
間の光路中の任意の一領域を密閉空間とし、この密閉空
間内の湿度を制御すれば前述したのと同様の効果を得る
ことができる。
間の光路中の任意の一領域を密閉空間とし、この密閉空
間内の湿度を制御すれば前述したのと同様の効果を得る
ことができる。
【００３４】尚、本発明において光学部材に蒸着する反
射防止膜は湿度制御する領域の光学部材には透過率の角
度特性が湿度に敏感なもの（反射防止の帯域の狭いも
の）を使用し、湿度制御しない領域の光学部材には湿度
に敏感でないもの（反射防止帯域の広いもの）を使用す
るのが良い。
射防止膜は湿度制御する領域の光学部材には透過率の角
度特性が湿度に敏感なもの（反射防止の帯域の狭いも
の）を使用し、湿度制御しない領域の光学部材には湿度
に敏感でないもの（反射防止帯域の広いもの）を使用す
るのが良い。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば以上のように、光路中に
設けた密閉空間内の湿度を制御することにより光学部材
の製作誤差や環境条件の変化等に起因する投影面上の照
度ムラを補正し、レチクル面上の電子回路パターンをウ
エハ面上に高い分解能で投影することができる投影露光
装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を達成する
ことができる。
設けた密閉空間内の湿度を制御することにより光学部材
の製作誤差や環境条件の変化等に起因する投影面上の照
度ムラを補正し、レチクル面上の電子回路パターンをウ
エハ面上に高い分解能で投影することができる投影露光
装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を達成する
ことができる。
【図１】 本発明の投影露光装置の実施例１の光学系の
要部概略図
要部概略図
【図２】 図１の一部分の拡大説明図
【図３】 湿度とコーティング膜の透過角度特性との関
係を示す説明図
係を示す説明図
【図４】 本発明の投影露光装置の実施例２の光学系の
一部分の拡大説明図
一部分の拡大説明図
【図５】 本発明の投影露光装置の実施例３の光学系の
一部分の拡大説明図
一部分の拡大説明図
【図６】 本発明の投影露光装置の実施例４の光学系の
一部分の拡大説明図
一部分の拡大説明図
【図７】 従来の投影露光装置の光学系の要部概略図
１ 光源 ２ 光学系 ３ オプティカルインテグレータ ４ コンデンサーレンズ ５ 照射面 ６ 投影光学系 ７ 投影面 ８ 光学部材 ９ 湿度検出器 １０ 湿度制御部 １１ 密閉空間 １２，１３ 平行平面板 １４ 照度ムラ検出器 １５ 照度ムラ制御部 １０１ 湿度制御手段 Ｒ レチクル Ｗ ウエハ
Claims (2)
- 【請求項１】 光源からの光束で照明した第１物体面上
のパターンを投影光学系により第２物体面上に投影露光
する際、該光源と該第２物体面との間の光路中に所定領
域の光束の通過面にコーティングを施した光学素子によ
り密閉された空間を形成し、該空間内の湿度を制御する
湿度制御手段を用いて制御することにより、該第２物体
面上の照度分布を調整していることを特徴とする投影露
光装置。 - 【請求項２】 光源からの光束で照明したレチクル面上
のパターンを投影光学系によりウエハ面上に投影露光し
た後、該ウエハを現像処理工程を介して半導体素子を製
造する際、該光源と該第２物体面との間の光路中に所定
領域の光束の通過面にコーティングを施した光学素子に
より密閉された空間を形成し、該空間内の湿度を制御す
る湿度制御手段を用いて制御することにより、該第２物
体面上の照度分布を調整していることを特徴とする半導
体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4355966A JPH06188168A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4355966A JPH06188168A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188168A true JPH06188168A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18446646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4355966A Pending JPH06188168A (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06188168A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0936032A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Canon Inc | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JPH09127418A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Nikon Corp | 照明光学系 |
| CN100422856C (zh) * | 2001-04-27 | 2008-10-01 | 株式会社东芝 | 曝光装置及其照度不匀度的测定方法和修正方法、半导体器件的制造方法 |
| JP2010278433A (ja) * | 2009-05-26 | 2010-12-09 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
| JP2018190905A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レーザ装置 |
-
1992
- 1992-12-18 JP JP4355966A patent/JPH06188168A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0936032A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Canon Inc | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JPH09127418A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Nikon Corp | 照明光学系 |
| CN100422856C (zh) * | 2001-04-27 | 2008-10-01 | 株式会社东芝 | 曝光装置及其照度不匀度的测定方法和修正方法、半导体器件的制造方法 |
| JP2010278433A (ja) * | 2009-05-26 | 2010-12-09 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
| JP2018190905A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レーザ装置 |
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