JPH0618555A - Microspring contact, its aggregate, terminal for electric connection composed of the aggregate and production of microspring contact - Google Patents

Microspring contact, its aggregate, terminal for electric connection composed of the aggregate and production of microspring contact

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JPH0618555A
JPH0618555A JP19611292A JP19611292A JPH0618555A JP H0618555 A JPH0618555 A JP H0618555A JP 19611292 A JP19611292 A JP 19611292A JP 19611292 A JP19611292 A JP 19611292A JP H0618555 A JPH0618555 A JP H0618555A
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surface
contact
portion
metal coating
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JP19611292A
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Inventor
Kenji Mino
Shinzo Nomura
Tetsuo Sugano
健司 美野
哲夫 菅野
眞三 野村
Original Assignee
Meisei Denshi Kogyo Kk
明生電子工業株式会社
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Abstract

PURPOSE:To obtain a spring function, obtain uniform and proper contact load, get a microspring contact, its aggregate, and a terminal for electric connection composed of said aggregate superior in contact density and position precision and in addition, obtain a production method of the microspring contact with regard to a contact terminal for electric connection. CONSTITUTION:In a terminal for electric connection, a base part 12 providing a plurality of insulation layers 1-5 on the surface of a silicon board 1 and forming a recess, the other insulation layer 8 having a spring function on the surface of the base part 12 and a metal coating layer 9 are provided and in addition, a projection-like contact 10 is set at a position corresponding to the recess of the base part 12. After a contact surface is connected with metal coating 11, each layer from the insulation layer 8 having the spring function provided on the surface of the base part 12 up to an outermost metal coating layer 11 is etched and removed in the form of a groove on the circumference of a contact, and further the terminal is composed of a microspring contact 17 composed of a contact part 16 having a contact part 13 for an electronic parts terminal integrally formed with the base part 12 and a conductive part for outside connection 14 and an aggragate of the microspring contact 17.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は微細な表面積を有する接点相互の電気的接続に用いられる高接点密度、高位置精度、高接触信頼性を有するマイクロスプリングコンタクト、マイクロスプリングコンタクトの集合体、該マイクロスプリングコンタクトの集合体からなる電気的接続用端子及びマイクロスプリンコンタクトの製造方法に関する。 The present invention relates to a high contact density for use in contact mutually electrical connection having fine surface area, high positional accuracy, microspring contacts with high contact reliability, collection of microspring contacts, the the method of manufacturing the electrical connection terminals and microspheres purine contact comprising an aggregate of microspring contacts.

【0002】 [0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、 BACKGROUND OF invention is to provide a conventional,
半導体集積回路素子および電子回路部品の電気的な試験、検査においては、プローブ針と称されるタングステン等の微細な針をプローブカード(プローブ針を搭載したプリント基板からなる治具)上に設け、このプローブ針に半導体集積回路素子上に形成された外部接触用電極または電子回路部品の外部接触用電極を接触させて、試験、検査する方法が一般的である。 Electrical testing of semiconductor integrated circuit devices and electronic circuit components, in the test, is provided a fine needle, such as tungsten termed probes on the probe card (jig a printed board mounted with the probe needles), the probe needle is brought into contact with the external contact electrode of the semiconductor integrated circuit external contact electrodes or electronic circuit component formed on the element, the test method of testing is generally used. 近年、半導体集積回路素子の集積度の増大に伴って、外部接触用電極の数が増大しつつある。 Recently, with increasing integration of semiconductor integrated circuit devices, the number of external contact electrodes is increasing. 一方で、半導体集積回路素子そのものの占める面積の縮小化への要求も増大してきており、該回路素子においてはより高密度な外部接続用電極が望まれていた。 On the other hand, demand for reduction of the area occupied by the per se semiconductor integrated circuit device has also been increasing, denser external connection electrode has been desired in the circuit element.

【0003】また、従来電子回路相互の接続に用いられていたものにコネクターがあり、このコネクターにおいては、電子回路配線パターンの高密度化に伴って、より高密度なコネクター端子が望まれていた。 [0003] Further, there is a connector to those used in conventional electronic circuitry interconnections, in this connector, with the density of the electronic circuit wiring patterns, higher density connector terminal has been desired .

【0004】しかしながら、外部接触用電極に接触させるプローブ針の密度、或いはコネクター端子の密度は、 However, the density of the probe needles into contact with the external contact electrode, or the density of the connector pin,
プローブ針、或いはコネクター端子の物理的な寸法の限界があり、飛躍的に増加させることはできなかった。 Probe, or there is a limit of the physical dimensions of the connector terminal, it could not be increased dramatically. また、コネクターにおいては、コネクター端子相互の電気的接触を得るために、片側の端子がもう片側の端子を一定荷重下で押さえるか、または挟み込む構造を有しているが、この荷重によって、押さえられる側もしくは押さえる側の端子の金属皮膜を破り、そのために、該金属皮膜下層にある絶縁物の亀裂(クラック)によるリーク電流の発生が起こり、接触抵抗にバラツキを生じ易くなるという欠点を有していた。 In the connector, in order to obtain the electrical contact of the connector terminals mutually, the one side of the terminal has a structure in which the other or pressing one side of the terminal under a constant load, or sandwiched by the load, is pressed breaking the metal coating of the side or pressing the side terminals, in order that occur generation of leakage current due to the crack (crack) of the insulator in the metal film underlayer, it has the disadvantage that tends to occur a variation in contact resistance It was.

【0005】また、半導体集積回路素子上に形成された外部接触用電極または電子回路部品の外部接触用電極とプローブ針との間で電気的接触を得るために、オーバードライブと称する荷重をプローブ針に与えるが、この荷重によってプローブ針の先端が電極外の金属皮膜を破ったり、絶縁物に亀裂を発生させたり、プローブ針が変形、破損したり、またプローブ針の移動時に半導体集積回路素子にひっかき傷をつける虞れがあった。 Further, in order to obtain electrical contact between the external contact electrodes and the probe needles of the semiconductor integrated circuit external contact electrodes or electronic circuit component formed on the element, the probe needles load called overdrive give it or breaking the metal coating of the outer tip electrode of the probe needle by the load, or to generate cracks in the insulator, the probe needle is deformed, damaged or, also in the semiconductor integrated circuit device during movement of the probe needles there is a possibility to put a scratch. また、過大な荷重をかけるメカニズムに起因する電極膜の亀裂、 Further, the electrode film due to the mechanism to apply excessive force to crack,
下地の絶縁膜のクラックが、絶縁不良の原因となっていた。 Crack of the underlying insulating film, it has been the cause of insulation failure. このプローブ針の傷あとから、電極上に凹凸が発生し、凹部にはプローブ針が接触できなくなり、多数回の繰り返し測定が不可能であった。 From scar of the probe needles, unevenness is generated on the electrode, it becomes impossible contact probe needle is in the recess, it was impossible to many times repeated measurements. またそれらの障害を防ぐために、プローブ針の針圧、高さ、角度の調節、修理および針先に付着した絶縁物の除去などの定期的な補修と点検が必要であった。 In order to prevent those disorders, the probe needles of probe pressure, height, adjustment of the angle, regular maintenance and inspection, such as the removal of insulating material adhered to repair and tip is required.

【0006】また、半導体集積回路素子または電子回路部品によっては、同一部品を多数回繰り返しプローブ針に接触させる必要があり、精密な基板側の移動が要求されるのに伴って、プローブ針の精密な位置精度が要求されるが、前記に示す如くプローブ針の変形、破損により、精密な位置精度を保つことが困難であった。 Further, the semiconductor integrated circuit device or electronic circuit components, it is necessary to contact the repeated many times the probe needles to the same parts, as the movement of the precise substrate side is required, precision of the probe needle Although Do positional accuracy is required, the deformation of the probe needle as shown above, due to a broken, it is difficult to maintain precise positional accuracy.

【0007】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、 [0007] The present invention has been devised in view of the above,
電気的接続用接点端子において、接点密度、位置精度に優れ、また相手側接点端子を傷つけず、かつ均一な接触抵抗を示す、均一で適切な接触荷重を実現するためのスプリング機能を有するマイクロスプリングコンタクト、 In the electrical connection contact terminal, microspring having contact density, excellent in positional precision and without damaging the mating contact terminal, and shows a uniform contact resistance, the spring functions to achieve a uniform and adequate contact load contact,
その集合体及びマイクロスプリングコンタクトの集合体からなる電気的接続用端子を提供することを目的とするものである。 It is an object to provide an electrical connection terminal consisting of the aggregate and the aggregate of microspring contacts. また本発明はマイクロスプリングコンタクトの製造方法を提供することを目的とするものである。 The present invention has an object to provide a method for manufacturing a micro-spring contacts.

【0008】 [0008]

【課題を解決するための手段】本発明マイクロスプリングコンタクトは、シリコン基板の表面に複数層の絶縁層を設けて窪みを形成した基部と、基部表面にスプリング機能を有する絶縁層、金属皮膜層を設け、更に基部の窪みと対応する位置に凸形状の接点を設け、該接点表面を金属皮膜で被覆した後、基部表面に設けたスプリング機能を有する絶縁層から最表面の金属皮膜層までの各層を、接点周囲において溝状にエッチング除去するとともに基部の絶縁層の一部をエッチング除去して前記基部と一体に形成された、電子部品端子への接触部と外部接続用導通部とを有する接点部とからなることを特徴とする。 The present invention microspring contact SUMMARY OF THE INVENTION comprises a base forming a recess in an insulating layer of a plurality of layers on the surface of the silicon substrate, the insulating layer having a spring function to the base surface, the metal coating layer It provided further contacts provided with a convex recess as the corresponding position in the base, each of the said contact surface after coating with a metal film, an insulating layer having a spring function provided in the base surface to the metal coating layer on the outermost surface a contact having a formed on the base and integral part of the base of the insulating layer is removed by etching with etching away the grooved around the contact, the contact portion of the electronic component terminal and the external connection conductive portion characterized in that comprising a part.

【0009】本発明マイクロスプリングコンタクトは、 [0009] The present invention micro-spring contact,
接触部の裏側で、ポリシリコン膜とナイトライドシリコン膜を順次積層してなるスプリング機能を有する絶縁層の裏面に、基部の窪みに嵌合した形状の絶縁層からなる突子を設けてなることを特徴とする。 Behind the contact portion, the back surface of the polysilicon film and the nitride silicon film are sequentially laminated insulating layer having a spring function comprising, it is provided with projections made of an insulating layer of fitted shape recess of the base the features.

【0010】本発明マイクロスプリングコンタクトは、 [0010] The present invention micro-spring contact,
電子部品端子への接触部の幅が数μm〜数100μm、 Width of several μm~ number 100μm contact portion of the electronic component terminal,
好ましくは20μm〜200μmであり、外部接続用導通部の幅が数μm〜数100μm、好ましくは20μm Preferably 20Myuemu~200myuemu, [mu] m to the number 100μm width of conductive portions for external connection number, preferably 20μm
〜200μmであることを特徴とする。 Characterized in that it is a ~200Myuemu.

【0011】また本発明マイクロスプリングコンタクトの集合体は、上記マイクロスプリングコンタクトが複数個配列されてなるマイクロスプリングコンタクトの集合体である。 [0011] assembly of the present invention microspring contact is a collection of microspring contacts the microspring contacts, which are a plurality sequences.

【0012】本発明マイクロスプリングコンタクトの集合体は、マイクロスプリングコンタクト間のピッチが数μm〜数100μm、好ましくは20μm〜200μm [0012] assembly of the present invention microspring contacts, pitch number μm~ number 100μm between microspring contacts, preferably 20μm~200μm
であることを特徴とする。 And characterized in that.

【0013】本発明電気的接続用接点端子は、上記マイクロスプリングコンタクトの集合体が、同一平面上にそれぞれ異なる方向で複数個設けられていることを特徴とする。 [0013] contact terminals for the present invention electrical connection assembly of the microspring contacts, characterized in that provided plurality in different directions on the same plane.

【0014】本発明電気的接続用接点端子は、上記マイクロスプリングコンタクトの集合体が、一枚のプリント基板上の端部において、表面と裏面に、それぞれ接触部が上記プリント基板を挟んで向かい合う形で、該プリント基板の外側に突出されて設けられており、該対向する接触部間には上記プリント基板の厚みに相当する間隔が設けられていて、かつ外部接続用導通部の部分で、上記プリント基板と接着されていて、かつ上記外部接続用導通部が、上記プリント基板上に形成された電気的導通配線と電気的に接続されていることを特徴とする。 The present invention electrical connection contact terminal assembly of the microspring contact, at the end on a single printed board, the front and rear surfaces, shapes facing each respective contact portions sandwiching the printed circuit board in is provided protrudes outside said printed circuit board, between the contact portion of the opposed be provided spacing corresponding to the thickness of the printed circuit board, and in a portion of the external connection conductive portion, the It has been bonded to the printed circuit board, and the external connection conductive portion, characterized in that connected the printed circuit electrically conductive wire electrically formed in the substrate.

【0015】本発明電気的接続用接点端子は、上記マイクロスプリングコンタクトの集合体が、一枚のプリント基板上の端部において、表面と裏面に、それぞれ接触部が上記プリント基板を挟んで背向する形で設けられており、かつ外部接続用導通部の部分で、該プリント基板と接着されていて、かつ該外部接続用導通部が、該プリント基板上に形成された電気的導通配線と電気的に接続されていることを特徴とする The contact terminals for the present invention electrical connection assembly of the microspring contact, at the end on a single printed board, the front and back, respectively contact portions turned away across the printed circuit board provided in the form of, and in a portion of the external connection conductive portion, the printed board and have been adhered, and conductive portions for external connection, electrical continuity wiring electrically formed on the printed board characterized in that it is connected

【0016】また本発明マイクロスプリングコンタクトの製造方法は、表面の一部に窪みを設けたシリコン基板の表面に、第1の絶縁層を積層し、この第1の絶縁層の表面で前記窪みの周囲に第2の絶縁層を形成し、その表面及び窪みの表面を被覆して第3の絶縁層を形成した後、この第3の絶縁層表面の窪みの周囲全面に第4の絶縁層を形成し、次いで第4の絶縁層の形成されていない部分に第5の絶縁層を形成し、この表面に形成された窪み内に第6の絶縁層を形成して平滑表面とした後、その表面に更にスプリング機能を有する第7の絶縁層を形成した後、この表面に第1の金属皮膜層を形成し、この第1の金属皮膜層の表面上で第6の絶縁層の位置と対応する位置に凸形状の接点を設けた後、第1の金属皮膜層及び凸形状の接点を被 [0016] the production method of the present invention microspring contacts, the surface of the silicon substrate which is provided a depression in a portion of the surface, the first insulating layer are stacked, the Mino Kubo the surface of the first insulating layer the second insulating layer was formed around, after forming the third insulating layer covers the surface of the surface and depressions, the fourth insulating layer around the entire surface of the recess of the third insulating layer surface after formation, and then the fifth insulating layer is formed on the fourth insulating layer is not formed part of, and the sixth insulating layer formed to smooth the surface in the recess formed in the surface thereof after further forming the seventh insulating layer having a spring function on the surface, the first metal coating layer formed on the surface, corresponding to the first six of the insulating layer located on the surface of the first metal coating layer after providing the contact convex in position, the contacts of the first metal coating layer and convex object to する第2の金属皮膜層を設けた後、接点周囲部分において第2の金属皮膜層、第1の金属皮膜層及び第7の絶縁層をエッチングによって溝状に除去するとともに、第5の絶縁層をエッチング除去して、シリコン基板表面に絶縁層を積層して形成した窪みを有する基部と、該基部と一体の接点部とを形成することを特徴とする。 After providing the second metal coating layer, the second metal coating layer in contact peripheral portion, thereby removing the groove shape by etching the insulating layer of the first metal coating layer and the seventh, the fifth insulating layer the removed by etching, and wherein a base having a surface of the silicon substrate recess is formed by laminating the insulating layer, to form a contact portion of the base portion and integrally.

【0017】また本発明マイクロスプリングコンタクトの製造方法は、表面の一部に窪みを設けたシリコン基板の表面に、第1の絶縁層を積層し、この第1の絶縁層の表面で前記窪みの周囲に第2の絶縁層を形成し、その表面及び窪みの表面を被覆して第3の絶縁層を形成した後、この第3の絶縁層表面の窪みの周囲全面に第4の絶縁層を形成し、次いで第4の絶縁層の形成されていない部分に第5の絶縁層を形成し、更にこの第5の絶縁層の表面に、該第5の絶縁層表面に形成されている窪みが埋没して、かつ第4の絶縁層の表面が埋没しないように第6の絶縁層を設けた後、第6の絶縁層の表面に第5の絶縁層を再び形成し、その後、表面を研削して、前記第4 [0017] the production method of the present invention microspring contacts, the surface of the silicon substrate which is provided a depression in a portion of the surface, the first insulating layer are stacked, the Mino Kubo the surface of the first insulating layer the second insulating layer was formed around, after forming the third insulating layer covers the surface of the surface and depressions, the fourth insulating layer around the entire surface of the recess of the third insulating layer surface formed, and then the fourth is not formed part of the insulating layer to form a fifth insulating layer, further the surface of the fifth insulation layer, a recess is formed on the insulating layer surface of the fifth buried in, and after the surface of the fourth insulating layer provided with an insulating layer of the sixth to not buried, the fifth insulating layer again formed on the surface of the sixth dielectric layer, then grinding the surface and the fourth
の絶縁層および二度目に設けた第5の絶縁層が表出した平滑表面を形成し、次いで、その表面に更にスプリング機能を有する第7の絶縁層を形成した後、この表面に第1の金属皮膜層を形成し、この第1の金属皮膜層の表面上で第6の絶縁層の位置と対応する位置に凸形状の接点を設けた後、第1の金属皮膜層及び凸形状の接点を被覆する第2の金属皮膜層を設けた後、接点周囲部分において第2の金属皮膜層、第1の金属皮膜層及び第7の絶縁層をエッチングによって溝状に除去するとともに、第5 The fifth provided in the insulating layer and the second time the insulating layer forms a exposed, smooth surface and then, after further forming the seventh insulating layer having a spring function on the surface thereof, a first on the surface forming a metal coating layer, after providing a contact that is convex toward the sixth position corresponding to the position of the insulating layer on the surface of the first metal coating layer, the contacts of the first metal coating layer and convex after providing the second metal coating layer covering the second metal coating layer in contact peripheral portion, thereby removing the groove shape by etching the insulating layer of the first metal coating layer and the seventh, fifth
の絶縁層をエッチング除去して、シリコン基板表面に絶縁層を積層して形成した窪みを有する基部と、該基部と一体の接点部とを形成することを特徴とする。 The insulating layer is removed by etching, and forming a base having a recess formed by stacking an insulating layer on the silicon substrate surface, and a contact portion of the base portion and integrally.

【0018】 [0018]

【作用】本発明では、接点端子にスプリング機能を持たせたことで、相手側接点端子との電気的接触において、 According to the present invention, by which gave spring function contact terminal in electrical contact with the mating contact terminal,
適切な接触抵抗を得るための微妙な荷重の調整の必要がなく、相手側接触端子との間の適切な接触抵抗のもとに、確実に電気的接触を行うので、電気的接続の信頼性が飛躍的に向上する。 Suitable contact resistance without the need for fine adjustment of the load for obtaining, on the basis of appropriate contact resistance between the mating contact terminal, so reliably make electrical contact, the reliability of the electrical connection There is dramatically improved. また、接点密度が高く、かつ位置精度が高いので、非常に小さいスペースの中で多数の接点相互の接触が同時に行え、しかも接点端子相互の位置合わせに要する手間もかからず短時間で確実に接触が行え、かつ、スプリングが余分な荷重をその弾力で吸収して、接点の繰り返し接触や荷重過多などに伴う、相手側接点の損傷を防ぐこともでき、更に、多数ポイントの接点端子接触の際に防ぐことが困難であった、各接点ポイント間の接触荷重の不均一さが、荷重を自己調節するスプリング機能を付与したことで解消でき、全ての接点における接触抵抗を均一に制御することができるので、均一な接触抵抗を示す接点を大面積にわたって形成でき、 Moreover, high contact density and because of the high positional accuracy, a very performing small contact of a large number of contacts each other in the space at the same time, yet short time reliably despite labor required for positioning of the contact terminal mutual contact can, and spring absorbs at its elasticity extra load, accompanied like repeated contact and excessive force of the contact, can also prevent damage to the mating contact, further, the point of contact terminals contact number it is difficult to avoid when, the unevenness in the contact load between the contacts points, the load can be fixed by imparted with spring function of self-regulating, to uniformly control the contact resistance in all contacts since it is, the contact indicating a uniform contact resistance can be formed over a large area,
電気的接続の信頼性が向上し、そのため、検査用プローブ針の代替として用いたときには検査の信頼性が増し、 Increased reliability of the electrical connection, therefore, the reliability of the test is increased when it is used as a substitute for the inspection probe,
かつ検査の手間もかからず、また、接触用端子に付いた絶縁物を取り除くなどの補修、点検の必要もない。 And despite labor inspection, also repair such as by removing the attached contact terminal insulators, no need inspection. また、本発明マイクロスプリングコンタクトにおいて、接触部の裏側で、スプリング機能を有する絶縁層の裏面に、基部の窪みに嵌合する絶縁層からなる突子を設けた場合は、上記突子が上記基部の窪みの内壁に、水平方向の動きを阻止されて、上記突子を裏面に伴った接触部もまた水平方向に移動することがなく、その結果、上記接触部は、スプリング機能を発現する方向以外の方向への外力、即ちねじれの力、偏った引張の力または圧縮の力等を直接受けることがない。 Further, in the present invention microspring contacts, behind the contact portion, the back surface of the insulating layer having a spring function, the case of providing the projections made of an insulating layer which fits into the recess of the base, the projections are the base the inner wall of the recess of, is prevented horizontal movement, the contact portions with the projections on the back surface also without moving horizontally, as a result, the contact portion, a direction of expressing the spring function external force in the direction other than, i.e., twisting force, not subject to direct biased pulling force or a force such as compression.

【0019】 [0019]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づき説明する。 BRIEF DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT Examples of the present invention with reference to the drawings. 図1、図2は本発明の一実施例を示すものであり、 1, 2 show an embodiment of the present invention,
本発明マイクロスプリングコンタクトは、基本的に同図に示すように、表面の一部が窪んだ形状のシリコン基板1の表面に、第1の絶縁層2(a)(b)が積層され、第1の絶縁層2(a)(b)の表面で、該窪みの周囲の全面に第2の絶縁層3が形成され、その表面に第3の絶縁層4(a)(b) The present invention microspring contacts, as shown essentially the figure, part recessed surface of the silicon substrate 1 of the shape of the surface, the first insulating layer 2 (a) (b) is laminated, the 1 of the insulation layer 2 (a) at the surface of (b), the second insulating layer 3 is formed on the entire surface of the surrounding depressions Mino, on the surface of the third insulating layer 4 (a) (b)
が積層され、さらにこれによってできる窪みの周囲の全面に第4の絶縁層5が形成され、これらによってできる窪みの内壁及び底辺に第5の絶縁層6(a) が積層され、 There are stacked, and further a fourth insulation layer 5 is formed around the entire surface of the recess may thereby, a fifth insulating layer 6 (a) is laminated on the inner wall and the base of the recess can be these,
これによって形成された窪みに埋没して、かつ表面は第4の絶縁層5の表層と平滑になるような形状の第6の絶縁層7が該窪みの中に形成され、その表面に、スプリング機能を有する第7の絶縁層8(a)(b)(c)(d)、外部接続用導通部14及び接触部13を構成する第1の金属皮膜層9(a)(b)、第1の金属皮膜層9(a)(b)の表面であって、上記窪みの部分の上方に位置する部分に設けられる凸形状の接点10、第1の金属皮膜層9(a)(b)と凸形状の接点10の表面の第2の金属皮膜層11(a)(b)(c) 、 This buried in the recesses formed by, and surface sixth insulating layer 7 having a shape such that the surface layer and the smoothing of the fourth insulating layer 5 is formed in the depressions only on its surface, the spring seventh insulating layer 8 having a function (a) (b) (c) (d), the first metal coating layer 9 constituting the external connection conductive portions 14 and the contact portion 13 (a) (b), the 1 metal coating layer 9 (a) a surface (b), the contacts 10 of the convex shape is provided in a portion positioned above the portion of the recess, the first metal coating layer 9 (a) (b) a second metal coating layer 11 on the surface of the contact 10 of the convex shape (a) (b) (c),
凸形状の接点10と外部接続用導通部14との間の接続用金属皮膜15、が設けられていて、接触部13の周囲で、かつ上記窪みよりも外側の部分において、外部接続用導通部14を残した状態で、所定の幅で、第2の金属皮膜層11(a)(b)(c) 、第1の金属皮膜層9(a)(b)および第7の絶縁層8(a)(b)(c)(d)が除去され、さらに第5 Connection metal film 15 between the contacts 10 of the convex shape and the external connection conductive portion 14, have is provided around the contact portion 13, and the outside portion of the recess, conductive portions for external connection while leaving the 14, a predetermined width, the second metal coating layer 11 (a) (b) (c), the first metal coating layer 9 (a) (b) and the seventh insulating layer 8 ( a) (b) (c) (d) is removed, further fifth
の絶縁層6(a) が除去されることによって、接触部13 The insulating layer 6 (a) by is removed, the contact portion 13
において、基部12の上層が、絶縁層8(a)(b)(c)(d)を伴って、基部12から遊離した構造からなる。 In the upper layer of the base 12, with an insulating layer 8 (a) (b) (c) (d), consisting of loose structure from the base 12.

【0020】基部12を構成する、表面の一部が窪んだシリコン基板1は以下の方法で形成される。 [0020] constituting the base 12, the silicon substrate 1 a recessed part of the surface is formed by the following method. (1) 表面が平坦なシリコン基板上に、ポリシリコン膜(多結晶シリコン膜)を堆積する。 (1) surface on the flat silicon substrate, depositing a polysilicon film (polycrystalline silicon film). (2) 上記ポリシリコン膜の表面にナイトライドシリコン膜(窒化シリコン膜)を堆積する。 (2) depositing a nitride silicon film (silicon nitride film) on the surface of the polysilicon film. (3) 上記ナイトライドシリコン膜の表面にレジストをスピンコートする。 (3) the resist is spin-coated on the surface of the nitride silicon film. (4) 上記レジストに、フォトマスクを介してレジスト感光光を照射し、レジストを感光硬化させる。 (4) in the resist, irradiated resist photosensitive light through a photo mask to a photosensitive resist is cured. (5) 未硬化部のレジストを現像液で現像し、窪みを設けたい部分以外の部分にレジストが残り、窪みを設けたい部分の表面には、ナイトライドシリコン膜が露出した状態を得る。 (5) developing the resist uncured portion with a developing solution, the remaining resist on portions other than the portion to be provided with a recess, the surface of the part to be provided with a recess, and the state of nitride silicon film is exposed. (6) 上記の、表面に露出したナイトライドシリコン膜およびその下層のポリシリコン膜をエッチング液でエッチングして、窪みを設けたい部分のシリコン基板表面を露出させる。 (6) above, the nitride silicon film and the underlying polysilicon film that was exposed on the surface by etching with an etchant, to expose the silicon substrate surface portion to be provided with a recess. (7) ナイトライドシリコン膜上に残ったレジストをレジスト剥離液で剥離する。 (7) stripping the remaining resist on nitride silicon film resist stripping solution. (8) ナイトライドシリコン膜をマスクとして、表面に露出したシリコン基板の表面を一部、エッチング液でエッチングする。 (8) The nitride silicon film as a mask, a part of the surface of the silicon substrate exposed on the surface is etched with an etchant. (9) シリコン基板の表面に残っているナイトライドシリコン膜およびポリシリコン膜をエッチング液でウェットエッチングして、シリコン基板上に窪みが形成される。 (9) The nitride silicon film and the polysilicon film remaining on the surface of the silicon substrate by wet etching with an etching solution, a recess on the silicon substrate is formed.

【0021】レジストには、光に感応して硬化するタイプのネガ型レジストと、光に感応して分解するポジ型レジストとがあり、感応する光の種類には、紫外線、可視光などがあり、本発明においては、上記のいずれかのタイプのレジストを、必要に合わせて選択して用いる。 [0021] The resist the type of negative resist which cures with light sensitive, there is a positive resist decomposes sensitive to light, the type of sensitive light, ultraviolet light, it includes visible light in the present invention, any type of resist above, selected and used to suit needs.

【0022】レジストはまた、硬化後の皮膜がエッチングの対象物(金属、無機物、高分子化合物など)を溶解するエッチング剤(液)に対して、充分に耐性を有していて、エッチング液が作用することにより、エッチングの対象物は溶解するが、該エッチングレジストの硬化皮膜は侵されないような性質の材料からなる。 The resist also coating objects etching after curing (metal, inorganic, polymer compounds, etc.) etchant that dissolves the relative (liquid), have a well tolerated, etchant by acting, but the object of etching is soluble, the cured film of the etching resist is made of a material properties such as not attacked.

【0023】レジストがポジ型レジストである場合は、 [0023] When the resist is a positive resist,
エッチングの対象物を、所望のパターンに従ってエッチングする場合、該対象物の表面のエッチングしようとするパターンに相当する部分には、レジストが硬化した状態で存在している必要があるので、感光光は該パターン部分に選択的に照射されなければならず、そのため、フォトマスクとしては、該パターンの部分だけに光透過性があって、その他の部分は光を遮蔽するようにした、所謂ポジタイプフォトマスクが用いられる。 The object of etching, when etching according to a desired pattern, the portion corresponding to the pattern to be etched on the surface of the object, it is necessary to resist is present in a cured state, photosensitive light must be selectively irradiated to the pattern portion, therefore, as a photomask, only if there is light transmissive portion of the pattern, the other part was to shield the light, so-called positive type photo mask is used.

【0024】レジストがネガ型レジストである場合は、 [0024] When the resist is a negative type resist,
エッチングの対象物を、所望のパターンに従ってエッチングする場合、該対象物の表面のエッチングしようとするパターンに相当する部分には、レジストが硬化した状態で存在している必要があるので、感光光は該パターン以外の部分に選択的に照射されなければならず、そのため、フォトマスクとしては、該パターンの部分だけに光遮蔽性があって、その他の部分は光を透過するようにした、所謂ネガタイプフォトマスクが用いられる。 The object of etching, when etching according to a desired pattern, the portion corresponding to the pattern to be etched on the surface of the object, it is necessary to resist is present in a cured state, photosensitive light must be selectively irradiated on a portion other than the pattern, therefore, it is as a photomask, only if there is light-shielding portions of the pattern, the other part was to transmit light, so-called negative type photo mask is used.

【0025】第1の絶縁層2(a)(b)は、単一の層から構成されていても、複数の層から構成されていてもよいが、好ましくは図1に示すように、ナイトライドシリコン膜(窒化シリコン膜)2(a) の上層にポリシリコン膜(多結晶シリコン膜)2(b) が積層されて構成されていて、シリコン基板上に、LPCVD(低圧気相生長)法により堆積される。 The first insulating layer 2 (a) (b) also consist of a single layer, but may be composed of a plurality of layers, as preferably shown in Figure 1, Knight Ride silicon film upper layer polysilicon film (silicon nitride film) 2 (a) (polycrystalline silicon film) 2 (b) has not been formed by laminating, on a silicon substrate, LPCVD (low-pressure vapor phase growth) method It is deposited by. ナイトライドシリコン膜およびポリシリコン膜の厚みは通常数1000Å〜数100μmに形成される。 The thickness of the nitride silicon film and a polysilicon film is formed on the normal number 1000Å~ number 100 [mu] m.

【0026】第2の絶縁層3は、硬化した感光性ポリイミドからなり、以下の方法で形成される。 [0026] The second insulating layer 3 is made from the cured photosensitive polyimide, it is formed in the following manner. (1) 上記第1の絶縁層2(a)(b)の表面に感光性ポリイミドをスピンコートする。 (1) spin-coating a photosensitive polyimide on the surface of the first insulating layer 2 (a) (b). (2) 上記のシリコン基板に窪みを設ける工程で用いたフォトマスクを介して、感光性ポリイミドに対して感光光を照射し、照射部の感光性ポリイミドを硬化させる。 (2) through a photomask used in the step of providing a recess in said silicon substrate, a photosensitive light irradiates the photosensitive polyimide, is cured photosensitive polyimide of the illuminating part. 相対露光量を1とする。 The relative exposure to 1. (3) 未硬化部の感光性ポリイミドを現像液で現像して、 (3) developing the photosensitive polyimide uncured portion with a developer,
硬化ポリイミド膜からなる第2の絶縁層3が形成される。 The second insulating layer 3 is formed consisting of the cured polyimide film.

【0027】第3の絶縁層4(a)(b)は、図1に示すように、プラズマシリコン酸化膜4(a)とSOG(スピンオンガラス,シランカップリングガラス溶液)4(b) とからなり、上記第1の絶縁層2および第2の絶縁層3の表面にプラズマシリコン酸化膜4(a) を堆積した後、SO The third insulating layer 4 (a) (b), as shown in FIG. 1, since the plasma silicon oxide film 4 and (a) SOG (spin-on glass, a silane coupling glass solution) 4 and (b) will, after depositing a plasma silicon oxide film 4 (a) to the first insulating layer 2 and the second insulating layer 3 of the surface, SO
G(スピンオンガラス,シランカップリングガラス溶液)4(b) を、スピンコートし、硬化させて積層する。 G (spin-on glass, a silane coupling glass solution) 4 (b), and spin coated, laminated and cured.

【0028】第4の絶縁層5は、硬化した感光性ポリイミドからなり、第5の絶縁層6(a)は、プラズマシリコン酸化膜からなり、また、第6の絶縁層7は、耐熱性ポリイミドからなり、三者は以下の方法で形成される。 The fourth insulating layer 5 is made of the cured photosensitive polyimide, a fifth insulating layer. 6 (a), consists of plasma silicon oxide film, also, the insulating layer 7 of the sixth heat-resistant polyimide consists, tripartite is formed by the following method. (1) 感光性ポリイミドを上記第3の絶縁層4(a)(b)の表面にスピンコートして堆積、硬化させる。 (1) deposited by spin coating on the surface of the photosensitive polyimide third insulating layer 4 (a) (b), and cured. (2) シリコン基板に窪みを設ける工程で用いたフォトマスクを介して、感光性ポリイミドに対して感光光を照射し、照射部の感光性ポリイミドを硬化させる。 (2) through a photomask used in the step of providing a recess in a silicon substrate, a photosensitive light irradiates the photosensitive polyimide, is cured photosensitive polyimide of the illuminating part. (3) 未硬化部の感光性ポリイミドを現像液で現像して、 (3) developing the photosensitive polyimide uncured portion with a developer,
窒素雰囲気中でポストベークを行い、第3の絶縁層4 It was post-baked in a nitrogen atmosphere, the third insulating layer 4
(a)(b)の平坦な面との間に段差が設けられた状態の第4 Fourth state a step is provided between the flat surface (a) (b)
の絶縁層5が形成される。 The insulating layer 5 is formed. (4) その後、硬化した感光性ポリイミドおよび第3の絶縁層4(a)(b)、および第4の絶縁層5の表面に、プラズマシリコン酸化膜を堆積する。 (4) Then, the cured photosensitive polyimide, and the third insulating layer 4 (a) (b), and the surface of the fourth insulating layer 5 is deposited a plasma silicon oxide film. (5) 耐熱性ポリイミドを上記プラズマシリコン酸化膜の表面に、スピンコートして堆積させ、窒素雰囲気中でポストベークを行い、耐熱性ポリイミドを硬化させて、図5に示すような形状を得る。 (5) heat-resistant polyimide to the surface of the plasma silicon oxide film, is deposited by spin coating, subjected to post-baking in a nitrogen atmosphere, to cure the heat-resistant polyimide to obtain a shape as shown in FIG. (6) 上記耐熱性ポリイミド膜、およびその下層のプラズマシリコン酸化膜、硬化した感光性ポリイミド膜を、第4の絶縁層5の表面が露出するまで、エッチング液でエッチングして、その後に表面を洗浄することによって、 (6) the heat-resistant polyimide film, and the lower layer of the plasma silicon oxide film thereof, a cured photosensitive polyimide film, until the surface of the fourth insulating layer 5 is exposed and etched with an etching solution, after which the surface by washing,
図6に示すような、窪みの内壁および底辺にのみに第5 As shown in FIG. 6, the fifth only the inner wall and the bottom of the recess
の絶縁層6(a) が形成され、該窪みの中で、第5の絶縁層6(a) に周囲を囲まれた部分に第6の絶縁層7が形成された状態の基部12を得る。 The insulating layer 6 (a) is formed, in the depressions only to obtain the base 12 of the fifth state to the portion surrounded by the insulating layer 6 (a) insulating layer 7 sixth formed .

【0029】スプリング機能を有する第7の絶縁層8 The insulating layer 8 of the seventh having spring function
(a)(b)(c)(d)は、圧縮応力を有するポリシリコン膜8 (A) (b) (c) (d), the polysilicon film 8 having a compressive stress
(a)(c)と、引張応力を有するナイトライドシリコン膜8 (A) and (c), nitride silicon film 8 having a tensile stress
(b)(d)とからなり、これらはポリシリコン膜8(a) の上層にナイトライドシリコン膜8(b) が積層されたスプリング1と、スプリング1の上層に積層される、同様の、 And (b) from the (d), which are a spring 1 nitride silicon film 8 on the upper layer of the polysilicon film 8 (a) (b) are stacked, it is stacked on the upper layer of the spring 1, the same,
ポリシリコン膜8(c) の上層にナイトライドシリコン膜8(d) が積層されたスプリング2とから、この順序で積層されて構成されていて、外部からの力の作用に対し、 The upper layer of the polysilicon film 8 (c) from nitride silicon film 8 (d) is laminated a spring 2 which, they are stacked in this order, to the action of an external force,
応力の増加する方向と反対の方向に復元力を発現する、 Expressing a restoring force in the direction opposite to the direction of increasing stress,
所謂スプリング機能を有している。 And a so-called spring function. ポリシリコン膜およびナイトライドシリコン膜のいずれも、LPCVD(低圧気相生長)法により、上記基部12の表面に形成される。 Any of the polysilicon film and the nitride silicon film, by LPCVD (low-pressure vapor phase growth) method, is formed on the surface of the base portion 12.

【0030】第7の絶縁層8(a)(b)(c)(d)は、ポリシリコン膜8(a) 、ナイトライドシリコン膜8(b) がこの順序で積層されていても、上記のように、ポリシリコン膜8(a) 、ナイトライドシリコン膜8(b) の組合せからなる層が、この順序で複数層積層されていてもよい。 The seventh insulating layer 8 (a) (b) (c) (d), the polysilicon film 8 (a), nitride silicon film 8 (b) is be laminated in this order, the as in the polysilicon film 8 (a), a layer composed of a combination of nitride silicon film 8 (b) may be a plurality of layers laminated in this order.

【0031】外部接続用導通部14及び接触部13を構成する第1の金属皮膜層9(a)(b)、および第1の金属皮膜層9(a)(b)の表面であって、上記窪みの部分の上方に位置する部分に設けられる凸形状の接点10、および第1の金属皮膜層9(a)(b)と凸形状の接点10の表面の第2の金属皮膜層11(a)(b)(c) 、および凸形状の接点1 [0031] A surface of the first metal coating layer 9 constituting the external connection conductive portions 14 and the contact portion 13 (a) (b), and the first metal coating layer 9 (a) (b), the second metal coating layer 11 of the recess of the convex contacts 10 provided in a portion positioned above the portion, and a first metal coating layer 9 (a) (b) and the surface of the contact 10 of the convex shape ( a) (b) (c), and a convex contact 1
0と外部接続用導通部14との間の接続用金属皮膜15 0 and connection metal film 15 between the external connection conductive portion 14
は、以下の方法で形成される。 It is formed by the following method. (1) 上記第7の絶縁層8(a)(b)(c)(d)の表面に、図1に示すように、第1の金属皮膜層9(a)(b)を構成するAl (1) on the surface of the seventh insulating layer 8 (a) (b) (c) (d), constructed as shown in FIG. 1, the first metal coating layer 9 (a) (b) Al
9(a) を、スパッタリングにより堆積させる。 9 (a), is deposited by sputtering. (2) 上記第1の金属皮膜層9(a)(b)を構成するAl層9 (2) Al layer 9 constituting the first metal coating layer 9 (a) (b)
(a) の表面に、エッチングレジストをスピンコートする。 The surface of (a), an etching resist is spin-coated. (3) 上記エッチングレジストに、所望の配線パターンが記録されたフォトレジストを介して感光光を照射し、該レジストを硬化させる。 (3) in the etching resist, a photosensitive light irradiated through the photo-resist desired wiring pattern is recorded, thereby curing the resist. (4) 未露光部のエッチングレジストを現像液で現像して、所望の配線パターン部分のエッチングレジストを除去する。 (4) developing the etching resist of the unexposed portion with a developing solution, the etching resist is removed the desired wiring pattern portion. (5) 金属皮膜層9(a)(b)を構成するAl−Cu−Si9 (5) Al-Cu-Si9 constituting the metal coating layer 9 (a) (b)
(b) をスパッタにより堆積し、上記エッチングレジストが除去された部分であって、上記Al層が露出している、所望の配線パターンの部分にAl−Cu−Si9 The (b) is deposited by sputtering, the etching resist is a portion removed, the Al layer is exposed, Al-Cu-Si9 the portion of the desired wiring pattern
(b) からなる配線パターンを形成させる。 (B) to form a wiring pattern made of. (6) エッチングレジストを剥離すると、外部接続用導通部14及び接触部13を構成する第1の金属皮膜層9 (6) When peeling off the etching resist, first metallization layer 9 constituting the external connection conductive portions 14 and the contact portion 13
(a)(b)が形成される。 (A) (b) is formed. (7) その後、表面に、感光性ポリイミドをスピンコートにより堆積させる。 (7) Then, the surface and the photosensitive polyimide is deposited by spin coating. (8) 上記感光性ポリイミドに、接点部10の表面の、凸形状を設けたい位置に感光光が照射されるようなフォトマスクを介して、感光光を照射し、感光性ポリイミドを硬化させる。 (8) The photosensitive polyimide, the surface of the contact portion 10, where you want provided a convex shape through a photomask, such as a photosensitive light is irradiated, the photosensitive light irradiated to cure the photosensitive polyimide. (9) 未硬化の感光性ポリイミドを現像液で現像して、ポストベークを行うと、凸形状の接点10の形状が得られる。 (9) developing an uncured photosensitive polyimide with a developer, when the post-baking, the shape of the contact 10 of the convex shape is obtained. (10)その後、表面に、レジストをスピンコートにより堆積させる。 (10) Then, on the surface, is deposited by spin coating the resist. (11)上記レジストに、第1の金属皮膜層9(a)(b)と凸形状の接点10の表面に形成する第2の金属皮膜層11 (11) The resist, the second metal coating layer 11 formed on the first metal coating layer 9 (a) (b) and the surface of the contact 10 of the convex
(a)(b)(c) の部分に相当するパターンからなり、該部分において感光光を遮蔽するようなフォトマスクを介して、感光光を照射し、該部分以外の部分のレジストを硬化させる。 (A) (b) consists pattern corresponding to a portion of (c), through a photomask so as to shield the photosensitive light in partial, photosensitive light irradiation, the resist is cured in the portion other than the partial . (12)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部において、下層を露出させる。 (12) developing the resist of the unexposed portion with a developing solution, the unexposed portion to expose the lower layer. このときの下層は、凸形状に形成された硬化したポリイミドではなく、金属皮膜層9(a)(b)の表層のAl−Cu−Si9(b) である。 Lower at this time is not the cured polyimide is formed in a convex shape, a metal coating layer 9 (a) (b) Al-Cu-Si9 surface of (b). (13)その後、第2の金属皮膜層11(a)(b)(c) を構成する、Ptからなる金属皮膜層11(a) 、Cr/Cuからなる金属皮膜層11(b) 、Auからなる金属皮膜層11 (13) Then, the second metal coating layer 11 (a) (b) constituting the (c), the metal coating layer 11 made of Pt (a), the metal coating layer 11 made of Cr / Cu (b), Au made of a metal coating layer 11
(c) を、スパッタリングにより順次積層して、第1の金属皮膜層9(a)(b)と凸形状の接点10の表面に第2の金属皮膜層11(a)(b)(c) を形成させる。 The (c), are sequentially laminated by sputtering, the first metal coating layer 9 (a) on the surface of the contact 10 (b), and the convex second metal coating layer 11 (a) (b) (c) to form. 第2の金属皮膜層11(a)(b)(c) は、11(a) がPtからなり、11 The second metal coating layer 11 (a) (b) (c) is, 11 (a) consists of Pt, 11
(c) がAuからなること以外は、11(b) としては、C Except that (c) is made of Au, as the 11 (b), C
r/Cuに特に限定されるものではない。 But the present invention is not particularly limited to r / Cu. また、11 In addition, 11
(b) として、複数の金属皮膜層を設けることもできる。 As (b), it is also possible to provide a plurality of metallization layers. (14)その後、レジストを剥離する。 (14) Then, the resist is removed. (15)その後、表面に、レジストをスピンコートにより堆積させる。 (15) Then, on the surface, depositing a resist by spin coating. (16)上記レジストに、凸形状の接点10と外部接続用導通部14との間の接続用金属皮膜15の部分に相当するパターンからなり、該部分において感光光を遮蔽するようなフォトマスクを介して、感光光を照射し、該部分以外の部分のレジストを硬化させる。 (16) in the resist, made from a pattern corresponding to portions of the connection metal film 15 between the contacts 10 and the external connection conductive portions 14 of the convex shape, a photomask that shields the photosensitive light in partial through it, a photosensitive light irradiation, the resist is cured in the portion other than the partial. (17)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部において、下層を露出させる。 (17) developing the resist of the unexposed portion with a developing solution, the unexposed portion to expose the lower layer. (18)その後、Wを堆積させて接続用金属皮膜層15を形成させる。 (18) Thereafter, by depositing W to form a connection metal coating layer 15. (19)その後、レジストを剥離して、図7に示すような、 (19) Then, the resist is removed, as shown in FIG. 7,
外部接続用導通部14及び接触部13を構成する第1の金属皮膜層9(a)(b)、および第1の金属皮膜層9(a)(b) The first metal film layer 9 constituting the external connection conductive portions 14 and the contact portion 13 (a) (b), and the first metal coating layer 9 (a) (b)
の表面であって、上記窪みの部分の上方に位置する部分に設けられる凸形状の接点10、および第1の金属皮膜層9(a)(b)と凸形状の接点10の表面の第2の金属皮膜層11(a)(b)(c) 、および凸形状の接点10と外部接続用導通部14との間の接続用金属皮膜15を、第7の絶縁層8(a)(b)(c)(d)上に設けた、接点部16を形成する。 A surface of the second of the recess of the convex contacts 10 provided in a portion positioned above the portion, and a first metal coating layer 9 (a) (b) and the surface of the contact 10 of the convex the metal coating layer 11 (a) (b) (c), and a connection metal coating 15 between the contacts 10 of the convex shape and the external connection conductive portion 14, the seventh insulating layer 8 (a) (b ) (provided on c) (d), to form the contact portion 16.

【0032】上記によって形成された、スプリング機能を有する第7の絶縁層8(a)(b)(c)(d)に積層された接触部13を構成する第1の金属皮膜層9(a)(b)、および第1の金属皮膜層9(a)(b)の表面であって、上記窪みの部分の上方に位置する部分に設けられる凸形状の接点1 [0032] formed by the first metal coating layer 9 constituting a seventh insulating layer 8 (a) (b) (c) a contact portion 13 which are laminated in (d) of which has a spring function (a ) (b), and the first metal coating layer 9 a surface of (a) (b), the contact 1 of the convex provided in a portion positioned above the portion of the recess
0、および第1の金属皮膜層9(a)(b)と凸形状の接点1 0, and the first metal coating layer 9 (a) (b) and contact of the convex 1
0の表面の第2の金属皮膜層11(a)(b)(c) 、および凸形状の接点10と外部接続用導通部14との間の接続用金属皮膜15を、上記基部12から剥離、リフトオフさせるためには、以下の方法を用いる。 The second metal coating layer 11 on the surface of the 0 (a) (b) (c), and a connection metal coating 15 between the contacts 10 of the convex shape and the external connection conductive portions 14, detached from the base portion 12 , in order to lift off, the following method is used. (1) 表面に、高分子保護膜をスピンコートする。 (1) on the surface, spin coating a polymer protective layer. (2) エッチングレジストをスピンコートにより堆積する。 (2) an etching resist is deposited by spin coating. (3) 上記エッチングレジストに、接触部13の周囲で、 (3) in the etching resist, around the contact portion 13,
かつ基部12の第5の絶縁層6(a) の外側の部分において、外部接続用導通部14の部分は遮蔽し、所定の幅の部分に相当するパターンからなり、該所定の幅の部分において感光光を遮蔽するようなフォトマスクを介して、 And the outer portion of the fifth insulating layer 6 of the base 12 (a), part of the external connection conductive portion 14 is shielded, it consists pattern corresponding to a portion of the predetermined width, in the region of the predetermined width through a photomask so as to shield the photosensitive light,
感光光を照射し、該所定の幅の部分以外の部分のレジストを硬化させる。 The photosensitive light irradiation, the resist is cured in the portion other than the portion of said predetermined width. (4) 未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部において、下層である金属皮膜層11(a)(b)(c) を構成するAu層11(c) を露出させる。 (4) developing the resist of the unexposed portion with a developing solution, the unexposed portion to expose the metal coating layer 11 as a lower (a) (b) Au layer 11 which constitutes the (c) (c). (5) ドライエッチングにより、Auが露出した部分の真下の、Au、Cr/Cu、Pt、Alの各金属皮膜層をエッチングして、下層の、第7の絶縁膜層8(a)(b)(c) (5) by dry etching, beneath the portion where Au is exposed, Au, Cr / Cu, Pt, by etching the metal coating layer of Al, the lower layer, the seventh insulating layer 8 (a) (b ) (c)
(d)を構成するナイトライドシリコン膜8(d) を露出させる。 Exposing the nitride silicon film 8 (d) constituting the (d). (6) 更にドライエッチングにより、上記で露出したナイトライドシリコン膜8(d) をエッチングして、下層のポリシリコン膜8(c) を露出させる。 (6) further dry etching, the nitride silicon film 8 exposed at (d) above is etched to expose the underlying polysilicon film 8 (c). (7) 更にポリシリコン膜8(c) をドライエッチングしてナイトライドシリコン膜8(b) を露出させる。 (7) further polysilicon film 8 (c) exposing the nitride silicon film 8 is dry etched (b). (8) 更にナイトライドシリコン膜8(b) をドライエッチングしてポリシリコン膜8(a) を露出させる。 (8) further nitride silicon film 8 (b) exposing the polysilicon film 8 is dry etched (a). (9) 上記で露出したポリシリコン膜を、ドライエッチングによりエッチングすることによって、図8に示すように、第5の絶縁層6(a) の端面が露出して、更に第5の絶縁層6(a) をウェットエッチングすれば、接触部13 (9) a polysilicon film exposed above, by etching by dry etching, as shown in FIG. 8, the end face of the fifth insulating layer 6 (a) is exposed, further fifth insulating layer 6 the (a) if the wet etching, the contact portion 13
において、基部12の上層、即ちスプリング機能を有する第7の絶縁層8(a)(b)(c)(d)に積層された接触部13 In the upper layer of the base 12, i.e., the seventh insulating layer 8 (a) (b) (c) (d) to be laminated a contact portion 13 having a spring function
を構成する第1の金属皮膜層9(a)(b)、および第1の金属皮膜層9(a)(b)の表面であって、上記窪みの部分の上方に位置する部分に設けられる凸形状の接点10、および第1の金属皮膜層9(a)(b)と凸形状の接点10の表面の第2の金属皮膜層11(a)(b)(c) 、および凸形状の接点10と外部接続用導通部14との間の接続用金属皮膜15、が第6の絶縁層7を伴って、上記基部12から剥離、リフトオフして、本発明マイクロスプリングコンタクト17が完成する。 A surface of the first metal coating layer 9 constituting the (a) (b), and the first metal coating layer 9 (a) (b), is provided in a portion positioned above the portion of the recess contact 10 of the convex shape, and the first metal coating layer 9 (a) (b) and the second metal coating layer 11 on the surface of the contact 10 of the convex shape (a) (b) (c), and the convex connection metal film 15 between the contacts 10 and the external connection conductive portion 14, but with an insulating layer 7 of the sixth, detached from the base 12, is lifted off, the present invention microspring contact 17 is completed.

【0033】本発明マイクロスプリングコンタクト17 [0033] The present invention micro-spring contact 17
はまた、図3、図4に示すように、上記マイクロスプリングコンタクトにおいて、接触部13の裏側で、第7の絶縁層8(a)(b)(c)(d)の裏面に、第6の絶縁層7からなる突子を伴わない構造であってもよい。 Also, FIG. 3, as shown in FIG. 4, in the microspring contacts, behind the contact portion 13, the back surface of the seventh insulating layer 8 (a) (b) (c) (d), sixth projections consisting of the insulating layer 7 may have a structure without.

【0034】また、図5〜図8は、本発明マイクロスプリングコンタクトの製造工程の一例を示すものであり、 Further, 5 to 8, showing an example of the present invention microspring contacts of the manufacturing process,
本発明マイクロスプリングコンタクトの製造方法は、表面の一部に窪みを設けたシリコン基板の表面に、第1の絶縁層を積層し、この第1の絶縁層の表面で前記窪みの周囲に第2の絶縁層を形成し、その表面及び窪みの表面を被覆して第3の絶縁層を形成した後、この第3の絶縁層表面の窪みの周囲全面に第4の絶縁層を形成し、次いで第4の絶縁層の形成されていない部分に第5の絶縁層を形成し、この表面に形成された窪み内に第6の絶縁層を形成して平滑表面とした後、その表面に更にスプリング機能を有する第7の絶縁層を形成した後、この表面に第1の金属皮膜層を形成し、この第1の金属皮膜層の表面上で第6の絶縁層の位置と対応する位置に凸形状の接点を設けた後、第1の金属皮膜及び接点を被覆する第2 Production method of the present invention microspring contacts, the surface of the silicon substrate which is provided a depression in a portion of the surface, the first insulating layer are stacked, the surrounding of the recess the surface of the first insulating layer 2 the insulating layer is formed, after forming the third insulating layer covers the surface of the surface and depressions, the fourth insulating layer is formed around the entire surface of the recess of the third insulating layer surface and then the fourth is not formed part of the insulating layer to form a fifth insulating layer, after the sixth insulating layer formed to smooth the surface in the recess formed on the surface, further springs on its surface after forming the seventh insulating layer having a function, the first metal coating layer is formed on this surface, convex to the sixth position corresponding to the position of the insulating layer on the surface of the first metal coating layer after providing the contact shape, the covering the first metal film and contacts 2
の金属皮膜層を設けた後、接点周囲部分において第2の金属皮膜層、第1の金属皮膜層及び第7の絶縁層をエッチングによって溝状に除去するとともに、第5の絶縁層をエッチング除去することによって、シリコン基板表面に絶縁層を積層して形成した窪みを有する基部と、該基部と一体の接点部とを形成する方法であり、基本的に、 After providing the metal coating layer, the second metal coating layer in contact peripheral portion, thereby removing the first metal film layer and the seventh insulating layer of the groove by etching, the fifth insulating layer etched away by a method of forming a base having a recess formed by stacking an insulating layer on the silicon substrate surface, and a contact portion of the base portion and integrally, basically,
以下に示す工程からなる。 Consisting of the steps shown below.

【0035】(1) 表面が平坦なシリコン基板上に、ポリシリコン膜(多結晶シリコン膜)を堆積する。 [0035] (1) on the flat silicon substrate surface, depositing a polysilicon film (polycrystalline silicon film). (2) 上記ポリシリコン膜の表面にナイトライドシリコン膜(窒化シリコン膜)を堆積する。 (2) depositing a nitride silicon film (silicon nitride film) on the surface of the polysilicon film. (3) 上記ナイトライドシリコン膜の表面にレジストをスピンコートする。 (3) the resist is spin-coated on the surface of the nitride silicon film. (4) 上記レジストに、フォトマスクを介してレジスト感光光を照射し、レジストを感光硬化させる。 (4) in the resist, irradiated resist photosensitive light through a photo mask to a photosensitive resist is cured. (5) 未硬化部のレジストを現像液で現像し、窪みを設けたい部分以外の部分にレジストが残り、窪みを設けたい部分の表面には、ナイトライドシリコン膜が露出した状態を得る。 (5) developing the resist uncured portion with a developing solution, the remaining resist on portions other than the portion to be provided with a recess, the surface of the part to be provided with a recess, and the state of nitride silicon film is exposed. (6) 上記の、表面に露出したナイトライドシリコン膜およびその下層のポリシリコン膜をエッチング液でエッチングして、窪みを設けたい部分のシリコン基板表面を露出させる。 (6) above, the nitride silicon film and the underlying polysilicon film that was exposed on the surface by etching with an etchant, to expose the silicon substrate surface portion to be provided with a recess. (7) ナイトライドシリコン膜上に残ったレジストをレジスト剥離液で剥離する。 (7) stripping the remaining resist on nitride silicon film resist stripping solution. (8) ナイトライドシリコン膜をマスクとして、表面に露出したシリコン基板の表面を一部、エッチング液でエッチングする。 (8) The nitride silicon film as a mask, a part of the surface of the silicon substrate exposed on the surface is etched with an etchant. (9) シリコン基板の表面に残っているナイトライドシリコン膜およびポリシリコン膜をエッチング液でウェットエッチングして、シリコン基板上に窪みが形成される。 (9) The nitride silicon film and the polysilicon film remaining on the surface of the silicon substrate by wet etching with an etching solution, a recess on the silicon substrate is formed. (10)第1の絶縁層2のナイトライドシリコン膜(窒化シリコン膜)2(a) を、シリコン基板上に、LPCVD (10) a first insulating layer 2 of the nitride silicon film (silicon nitride film) 2 (a), on a silicon substrate, LPCVD
(低圧気相生長)法により、通常数1000Å〜数10 By (low-pressure vapor-phase growth) method, the number usually the number of 1000Å~ 10
0μmの厚みで堆積する。 It is deposited to a thickness of 0μm. (11)ナイトライドシリコン膜(窒化シリコン膜)2(a) (11) nitride silicon film (silicon nitride film) 2 (a)
の上層にポリシリコン膜(多結晶シリコン膜)2(b) をLPCVD(低圧気相生長)法により、通常数1000 The upper polysilicon film (polycrystalline silicon film) 2 (b) the LPCVD (low-pressure vapor phase growth) method, typically a few 1000
Å〜数100μmの厚みで積層する。 Laminated at a thickness of Å~ number 100 [mu] m. (12)上記第1の絶縁層2(a)(b)の表面に感光性ポリイミドをスピンコートする。 (12) is spin-coated a photosensitive polyimide on the surface of the first insulating layer 2 (a) (b). (13)上記のシリコン基板に窪みを設ける工程で用いたフォトマスクを介して、感光性ポリイミドに対して感光光を照射し、照射部の感光性ポリイミドを硬化させる。 (13) through a photomask used in the step of providing a recess in said silicon substrate, a photosensitive light irradiates the photosensitive polyimide, it is cured photosensitive polyimide of the illuminating part. (14)未硬化部の感光性ポリイミドを現像液で現像して、 (14) developing the photosensitive polyimide uncured portion with a developer,
硬化ポリイミド膜からなる第2の絶縁層3が形成される。 The second insulating layer 3 is formed consisting of the cured polyimide film. (15)第1の絶縁層2および第2の絶縁層3の表面に第3 (15) Third in the first insulating layer 2 and the second insulating layer 3 of the surface
の絶縁層4のプラズマシリコン酸化膜4(a) をスピンコートし、堆積する。 Of the insulating layer 4 plasma silicon oxide film 4 (a) by spin coating, it is deposited. (16)プラズマシリコン酸化膜4(a) の表面にSOG(スピンオンガラス,シランカップリングガラス溶液)4 (16) SOG (spin-on glass, a silane coupling glass solution) on the surface of the plasma silicon oxide film 4 (a) 4
(b) を、スピンコートし、硬化させて積層する。 The (b), and spin coated, laminated and cured. (17)感光性ポリイミドを上記第3の絶縁層4(a)(b)の表面にスピンコートして堆積、硬化させる。 (17) deposited by spin coating on the surface of the photosensitive polyimide third insulating layer 4 (a) (b), and cured. (18)シリコン基板に窪みを設ける工程で用いたフォトマスクを介して、感光性ポリイミドに対して感光光を照射し、照射部の感光性ポリイミドを硬化させる。 (18) through a photomask used in the step of providing a recess in a silicon substrate, a photosensitive light irradiates the photosensitive polyimide, is cured photosensitive polyimide of the illuminating part. (19)未硬化部の感光性ポリイミドを現像液で現像して、 (19) developing the photosensitive polyimide uncured portion with a developer,
窒素雰囲気中でポストベークを行い、第3の絶縁層4 It was post-baked in a nitrogen atmosphere, the third insulating layer 4
(a)(b)の平坦な面との間に段差が設けられた状態の第4 Fourth state a step is provided between the flat surface (a) (b)
の絶縁層5が形成される。 The insulating layer 5 is formed. (20)その後、硬化した感光性ポリイミドおよび第3の絶縁層4(a)(b)、および第4の絶縁層5の表面に、プラズマシリコン酸化膜を堆積する。 (20) Then, the cured photosensitive polyimide, and the third insulating layer 4 (a) (b), and the surface of the fourth insulating layer 5 is deposited a plasma silicon oxide film. (21)耐熱性ポリイミドを上記プラズマシリコン酸化膜の表面に、スピンコートして堆積させ、窒素雰囲気中でポストベークを行い、耐熱性ポリイミドを硬化させて、図5に示すような形状を得る。 (21) heat-resistant polyimide to the surface of the plasma silicon oxide film, is deposited by spin coating, subjected to post-baking in a nitrogen atmosphere, to cure the heat-resistant polyimide to obtain a shape as shown in FIG. (22)上記耐熱性ポリイミド膜、およびその下層のプラズマシリコン酸化膜、硬化した感光性ポリイミド膜を、第4の絶縁層5の表面が露出するまで、エッチング液でエッチングして、その後に表面を洗浄することによって、 (22) the heat-resistant polyimide film, and the lower layer of the plasma silicon oxide film thereof, a cured photosensitive polyimide film, until the surface of the fourth insulating layer 5 is exposed and etched with an etching solution, after which the surface by washing,
図6に示すような、窪みの内壁および底辺にのみに第5 As shown in FIG. 6, the fifth only the inner wall and the bottom of the recess
の絶縁層6(a) が形成され、該窪みの中で、第5の絶縁層6(a) に周囲を囲まれた部分に第6の絶縁層7が形成された状態の基部12を得る。 The insulating layer 6 (a) is formed, in the depressions only to obtain the base 12 of the fifth state to the portion surrounded by the insulating layer 6 (a) insulating layer 7 sixth formed . (23)上記基部12の表面に、スプリング機能を有する第7の絶縁層8のポリシリコン膜8(a) 、ナイトライドシリコン膜8(b) 、ポリシリコン膜8(c) 、ナイトライドシリコン膜8(d) を、LPCVD(低圧気相生長)法により、この順序で積層する。 (23) on the surface of the base 12, the polysilicon film 8 of the seventh insulating layer 8 having a spring function (a), nitride silicon film 8 (b), the polysilicon film 8 (c), nitride silicon film 8 (d), by LPCVD (low-pressure vapor phase growth) method, laminated in this order. (24)上記第7の絶縁層8(a)(b)(c)(d)の表面に、図1に示すように、第1の金属皮膜層9(a)(b)を構成するAl The surface of (24) the seventh insulating layer 8 (a) (b) (c) (d), constructed as shown in FIG. 1, the first metal coating layer 9 (a) (b) Al
9(a) を、スパッタリングにより堆積させる。 9 (a), is deposited by sputtering. (25)上記第1の金属皮膜層9(a)(b)を構成するAl層9 (25) Al layer 9 constituting the first metal coating layer 9 (a) (b)
(a) の表面に、エッチングレジストをスピンコートする。 The surface of (a), an etching resist is spin-coated. (26)上記エッチングレジストに、所望の配線パターンが記録されたフォトレジストを介して感光光を照射し、該レジストを硬化させる。 (26) to the etching resist, a photosensitive light irradiated through the photo-resist desired wiring pattern is recorded, thereby curing the resist. (27)未露光部のエッチングレジストを現像液で現像して、所望の配線パターン部分のエッチングレジストを除去する。 (27) developing the etching resist of the unexposed portion with a developing solution, the etching resist is removed the desired wiring pattern portion. (28)金属皮膜層9(a)(b)を構成するAl−Cu−Si9 (28) Al-Cu-Si9 constituting the metal coating layer 9 (a) (b)
(b) をスパッタにより堆積し、上記エッチングレジストが除去された部分であって、上記Al層が露出している、所望の配線パターンの部分にAl−Cu−Si9 The (b) is deposited by sputtering, the etching resist is a portion removed, the Al layer is exposed, Al-Cu-Si9 the portion of the desired wiring pattern
(b) からなる配線パターンを形成させる。 (B) to form a wiring pattern made of. (29)エッチングレジストを剥離すると、外部接続用導通部14及び接触部13を構成する第1の金属皮膜層9 (29) when peeling off the etching resist, first metallization layer 9 constituting the external connection conductive portions 14 and the contact portion 13
(a)(b)が形成される。 (A) (b) is formed. (30)その後、表面に、感光性ポリイミドをスピンコートにより堆積させる。 (30) Then, on the surface and the photosensitive polyimide is deposited by spin coating. (31)上記感光性ポリイミドに、接点部10の表面の、凸形状を設けたい位置に感光光が照射されるようなフォトマスクを介して、感光光を照射し、感光性ポリイミドを硬化させる。 To (31) above photosensitive polyimide, the surface of the contact portion 10, where you want provided a convex shape through a photomask, such as a photosensitive light is irradiated, the photosensitive light irradiated to cure the photosensitive polyimide. (32)未硬化の感光性ポリイミドを現像液で現像して、ポストベークを行うと、凸形状の接点10の形状が得られる。 (32) developing an uncured photosensitive polyimide with a developer, when the post-baking, the shape of the contact 10 of the convex shape is obtained. (33)その後、表面に、レジストをスピンコートにより堆積させる。 (33) Then, on the surface, is deposited by spin coating the resist. (34)上記レジストに、第1の金属皮膜層9(a)(b)と凸形状の接点10の表面に形成する第2の金属皮膜層11 (34) The resist, the second metal coating layer 11 formed on the first metal coating layer 9 (a) (b) and the surface of the contact 10 of the convex
(a)(b)(c) の部分に相当するパターンからなり、該部分において感光光を遮蔽するようなフォトマスクを介して、感光光を照射し、該部分以外の部分のレジストを硬化させる。 (A) (b) consists pattern corresponding to a portion of (c), through a photomask so as to shield the photosensitive light in partial, photosensitive light irradiation, the resist is cured in the portion other than the partial . (35)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部において、下層を露出させる。 (35) developing the resist of the unexposed portion with a developing solution, the unexposed portion to expose the lower layer. このときの下層は、凸形状に形成された硬化したポリイミドではなく、金属皮膜層9(a)(b)の表層のAl−Cu−Si9(b) である。 Lower at this time is not the cured polyimide is formed in a convex shape, a metal coating layer 9 (a) (b) Al-Cu-Si9 surface of (b). (36)その後、第2の金属皮膜層11(a)(b)(c) を構成する、Ptからなる金属皮膜層11(a) 、Cr/Cuからなる金属皮膜層11(b) 、Auからなる金属皮膜層11 (36) Then, the second metal coating layer 11 (a) (b) constituting the (c), the metal coating layer 11 made of Pt (a), the metal coating layer 11 made of Cr / Cu (b), Au made of a metal coating layer 11
(c) を、スパッタリングにより順次積層して、第1の金属皮膜層9(a)(b)と凸形状の接点10の表面に第2の金属皮膜層11(a)(b)(c) を形成させる。 The (c), are sequentially laminated by sputtering, the first metal coating layer 9 (a) on the surface of the contact 10 (b), and the convex second metal coating layer 11 (a) (b) (c) to form. 第2の金属皮膜層11(a)(b)(c) は、11(a) がPtからなり、11 The second metal coating layer 11 (a) (b) (c) is, 11 (a) consists of Pt, 11
(c) がAuからなること以外は、11(b) としては、C Except that (c) is made of Au, as the 11 (b), C
r/Cuに特に限定されるものではない。 But the present invention is not particularly limited to r / Cu. また、11 In addition, 11
(b) として、複数の金属皮膜層を設けることもできる。 As (b), it is also possible to provide a plurality of metallization layers. (37)その後、レジストを剥離する。 (37) Then, the resist is removed. (38)その後、表面に、レジストをスピンコートにより堆積させる。 (38) Then, on the surface, is deposited by spin coating the resist. (39)上記レジストに、凸形状の接点10と外部接続用導通部14との間の接続用金属皮膜15の部分に相当するパターンからなり、該部分において感光光を遮蔽するようなフォトマスクを介して、感光光を照射し、該部分以外の部分のレジストを硬化させる。 (39) in the resist, made from a pattern corresponding to portions of the connection metal film 15 between the contacts 10 and the external connection conductive portions 14 of the convex shape, a photomask that shields the photosensitive light in partial through it, a photosensitive light irradiation, the resist is cured in the portion other than the partial. (40)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部において、下層を露出させる。 (40) developing the resist of the unexposed portion with a developing solution, the unexposed portion to expose the lower layer. (41)その後、Wを堆積させて接続用金属皮膜層15を形成させる。 (41) Thereafter, by depositing W to form a connection metal coating layer 15. (42)その後、レジストを剥離して、図7に示すような、 (42) Then, the resist is removed, as shown in FIG. 7,
外部接続用導通部14及び接触部13を構成する第1の金属皮膜層9(a)(b)、および第1の金属皮膜層9(a)(b) The first metal film layer 9 constituting the external connection conductive portions 14 and the contact portion 13 (a) (b), and the first metal coating layer 9 (a) (b)
の表面であって、上記窪みの部分の上方に位置する部分に設けられる凸形状の接点10、および第1の金属皮膜層9(a)(b)と凸形状の接点10の表面の第2の金属皮膜層11(a)(b)(c) 、および凸形状の接点10と外部接続用導通部14との間の接続用金属皮膜15を、第7の絶縁層8(a)(b)(c)(d)上に設けた、接点部16を形成する。 A surface of the second of the recess of the convex contacts 10 provided in a portion positioned above the portion, and a first metal coating layer 9 (a) (b) and the surface of the contact 10 of the convex the metal coating layer 11 (a) (b) (c), and a connection metal coating 15 between the contacts 10 of the convex shape and the external connection conductive portion 14, the seventh insulating layer 8 (a) (b ) (provided on c) (d), to form the contact portion 16. (43)その後、表面に、高分子保護膜をスピンコートする。 (43) Then, on the surface, spin coating a polymer protective layer. (44)エッチングレジストをスピンコートにより堆積する。 (44) an etching resist is deposited by spin coating. (45)上記エッチングレジストに、接触部13の周囲で、 (45) to the etching resist, around the contact portion 13,
かつ基部12の第5の絶縁層6(a) の外側の部分において、外部接続用導通部14の部分は遮蔽し、所定の幅の部分に相当するパターンからなり、該所定の幅の部分において感光光を遮蔽するようなフォトマスクを介して、 And the outer portion of the fifth insulating layer 6 of the base 12 (a), part of the external connection conductive portion 14 is shielded, it consists pattern corresponding to a portion of the predetermined width, in the region of the predetermined width through a photomask so as to shield the photosensitive light,
感光光を照射し、該所定の幅の部分以外の部分のレジストを硬化させる。 The photosensitive light irradiation, the resist is cured in the portion other than the portion of said predetermined width. (46)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部において、下層である金属皮膜層11(a)(b)(c) を構成するAu層11(c) を露出させる。 (46) developing the resist of the unexposed portion with a developing solution, the unexposed portion to expose the metal coating layer 11 as a lower (a) (b) Au layer 11 which constitutes the (c) (c). (47)ドライエッチングにより、Auが露出した部分の真下の、Au、Cr/Cu、Pt、Alの各金属皮膜層をエッチングして、下層の、第7の絶縁膜層8(a)(b)(c) (47) by dry etching, beneath the portion where Au is exposed, Au, Cr / Cu, Pt, by etching the metal coating layer of Al, the lower layer, the seventh insulating layer 8 (a) (b ) (c)
(d)を構成するナイトライドシリコン膜8(d) を露出させる。 Exposing the nitride silicon film 8 (d) constituting the (d). (48)更にドライエッチングにより、上記で露出したナイトライドシリコン膜8(d) をエッチングして、下層のポリシリコン膜8(c) を露出させる。 By (48) further dry etching, the nitride silicon film 8 exposed at (d) above is etched to expose the underlying polysilicon film 8 (c). (49)更にポリシリコン膜8(c) をドライエッチングしてナイトライドシリコン膜8(b) を露出させる。 (49) further polysilicon film 8 (c) exposing the nitride silicon film 8 is dry etched (b). (50)更にナイトライドシリコン膜8(b) をドライエッチングしてポリシリコン膜8(a) を露出させる。 (50) further nitride silicon film 8 (b) exposing the polysilicon film 8 is dry etched (a). (51)上記で露出したポリシリコン膜を、ドライエッチングによりエッチングすることによって、図8に示すように、第5の絶縁層6(a) の端面が露出して、更に第5の絶縁層6(a) をウェットエッチングすれば、接触部13 (51) a polysilicon film exposed above, by etching by dry etching, as shown in FIG. 8, the end face of the fifth insulating layer 6 (a) is exposed, further fifth insulating layer 6 the (a) if the wet etching, the contact portion 13
において、基部12の上層、即ちスプリング機能を有する第7の絶縁層8(a)(b)(c)(d)に積層された接触部13 In the upper layer of the base 12, i.e., the seventh insulating layer 8 (a) (b) (c) (d) to be laminated a contact portion 13 having a spring function
を構成する第1の金属皮膜層9(a)(b)、および第1の金属皮膜層9(a)(b)の表面であって、上記窪みの部分の上方に位置する部分に設けられる凸形状の接点10、および第1の金属皮膜層9(a)(b)と凸形状の接点10の表面の第2の金属皮膜層11(a)(b)(c) 、および凸形状の接点10と外部接続用導通部14との間の接続用金属皮膜15、が第6の絶縁層7を伴って、上記基部12から剥離、リフトオフして、本発明マイクロスプリングコンタクト17が完成する。 A surface of the first metal coating layer 9 constituting the (a) (b), and the first metal coating layer 9 (a) (b), is provided in a portion positioned above the portion of the recess contact 10 of the convex shape, and the first metal coating layer 9 (a) (b) and the second metal coating layer 11 on the surface of the contact 10 of the convex shape (a) (b) (c), and the convex connection metal film 15 between the contacts 10 and the external connection conductive portion 14, but with an insulating layer 7 of the sixth, detached from the base 12, is lifted off, the present invention microspring contact 17 is completed.

【0036】本発明マイクロスプリングコンタクトが、 [0036] The present invention micro-spring contact,
上記の構造からなる場合の製造方法は、図9〜図12に示すように、上記の、接触部13の裏側で、第7の絶縁層8(a)(b)(c)(d)の裏面に、第6の絶縁層7からなる突子を伴った構造からなるマイクロスプリングコンタクトの製造方法の一部を変更したもので、以下に示す工程からなる。 Method of manufacturing a case having the above structure, as shown in FIGS. 9 to 12, above, behind the contact portion 13, the seventh insulating layer 8 (a) (b) (c) (d) on the back, a partial modification of the manufacturing method of microspring contacts consisting of structures with projections made of insulating layer 7 sixth, comprising the step shown below. (1) 表面が平坦なシリコン基板上に、ポリシリコン膜(多結晶シリコン膜)を堆積する。 (1) surface on the flat silicon substrate, depositing a polysilicon film (polycrystalline silicon film). (2) 上記ポリシリコン膜の表面にナイトライドシリコン膜(窒化シリコン膜)を堆積する。 (2) depositing a nitride silicon film (silicon nitride film) on the surface of the polysilicon film. (3) 上記ナイトライドシリコン膜の表面にレジストをスピンコートする。 (3) the resist is spin-coated on the surface of the nitride silicon film. (4) 上記レジストに、フォトマスクを介してレジスト感光光を照射し、レジストを感光硬化させる。 (4) in the resist, irradiated resist photosensitive light through a photo mask to a photosensitive resist is cured. (5) 未硬化部のレジストを現像液で現像し、窪みを設けたい部分以外の部分にレジストが残り、窪みを設けたい部分の表面には、ナイトライドシリコン膜が露出した状態を得る。 (5) developing the resist uncured portion with a developing solution, the remaining resist on portions other than the portion to be provided with a recess, the surface of the part to be provided with a recess, and the state of nitride silicon film is exposed. (6) 上記の、表面に露出したナイトライドシリコン膜およびその下層のポリシリコン膜をエッチング液でエッチングして、窪みを設けたい部分のシリコン基板表面を露出させる。 (6) above, the nitride silicon film and the underlying polysilicon film that was exposed on the surface by etching with an etchant, to expose the silicon substrate surface portion to be provided with a recess. (7) ナイトライドシリコン膜上に残ったレジストをレジスト剥離液で剥離する。 (7) stripping the remaining resist on nitride silicon film resist stripping solution. (8) ナイトライドシリコン膜をマスクとして、表面に露出したシリコン基板の表面を一部、エッチング液でエッチングする。 (8) The nitride silicon film as a mask, a part of the surface of the silicon substrate exposed on the surface is etched with an etchant. (9) シリコン基板の表面に残っているナイトライドシリコン膜およびポリシリコン膜をエッチング液でウェットエッチングして、シリコン基板上に窪みが形成される。 (9) The nitride silicon film and the polysilicon film remaining on the surface of the silicon substrate by wet etching with an etching solution, a recess on the silicon substrate is formed. (10)第1の絶縁層2のナイトライドシリコン膜(窒化シリコン膜)2(a) を、シリコン基板上に、LPCVD (10) a first insulating layer 2 of the nitride silicon film (silicon nitride film) 2 (a), on a silicon substrate, LPCVD
(低圧気相生長)法により、通常数1000Å〜数10 By (low-pressure vapor-phase growth) method, the number usually the number of 1000Å~ 10
0μmの厚みで堆積する。 It is deposited to a thickness of 0μm. (11)ナイトライドシリコン膜(窒化シリコン膜)2(a) (11) nitride silicon film (silicon nitride film) 2 (a)
の上層にポリシリコン膜(多結晶シリコン膜)2(b) をLPCVD(低圧気相生長)法により、通常数1000 The upper polysilicon film (polycrystalline silicon film) 2 (b) the LPCVD (low-pressure vapor phase growth) method, typically a few 1000
Å〜数100μmの厚みで積層する。 Laminated at a thickness of Å~ number 100 [mu] m. (12)上記第1の絶縁層2(a)(b)の表面に感光性ポリイミドをスピンコートする。 (12) is spin-coated a photosensitive polyimide on the surface of the first insulating layer 2 (a) (b). (13)上記のシリコン基板に窪みを設ける工程で用いたフォトマスクを介して、感光性ポリイミドに対して感光光を照射し、照射部の感光性ポリイミドを硬化させる。 (13) through a photomask used in the step of providing a recess in said silicon substrate, a photosensitive light irradiates the photosensitive polyimide, it is cured photosensitive polyimide of the illuminating part. (14)未硬化部の感光性ポリイミドを現像液で現像して、 (14) developing the photosensitive polyimide uncured portion with a developer,
硬化ポリイミド膜からなる第2の絶縁層3が形成される。 The second insulating layer 3 is formed consisting of the cured polyimide film. (15)第1の絶縁層2および第2の絶縁層3の表面に第3 (15) Third in the first insulating layer 2 and the second insulating layer 3 of the surface
の絶縁層4のプラズマシリコン酸化膜4(a) をスピンコートし、堆積する。 Of the insulating layer 4 plasma silicon oxide film 4 (a) by spin coating, it is deposited. (16)プラズマシリコン酸化膜4(a) の表面にSOG(スピンオンガラス,シランカップリングガラス溶液)4 (16) SOG (spin-on glass, a silane coupling glass solution) on the surface of the plasma silicon oxide film 4 (a) 4
(b) を、スピンコートし、硬化させて積層する。 The (b), and spin coated, laminated and cured. (17)感光性ポリイミドを上記第3の絶縁層4(a)(b)の表面にスピンコートして堆積、硬化させる。 (17) deposited by spin coating on the surface of the photosensitive polyimide third insulating layer 4 (a) (b), and cured. (18)シリコン基板に窪みを設ける工程で用いたフォトマスクを介して、感光性ポリイミドに対して感光光を照射し、照射部の感光性ポリイミドを硬化させる。 (18) through a photomask used in the step of providing a recess in a silicon substrate, a photosensitive light irradiates the photosensitive polyimide, is cured photosensitive polyimide of the illuminating part. (19)未硬化部の感光性ポリイミドを現像液で現像して、 (19) developing the photosensitive polyimide uncured portion with a developer,
窒素雰囲気中でポストベークを行い、第3の絶縁層4 It was post-baked in a nitrogen atmosphere, the third insulating layer 4
(a)(b)の平坦な面との間に段差が設けられた状態の第4 Fourth state a step is provided between the flat surface (a) (b)
の絶縁層5が形成される。 The insulating layer 5 is formed. (20)その後、硬化した感光性ポリイミドおよび第3の絶縁層4(a)(b)、および第4の絶縁層5の表面に、第5の絶縁層6(a) の、窪み部分における表面が、第4の絶縁層5の最表面よりも低くなるように、第5の絶縁層6 (20) Then, the cured photosensitive polyimide, and the third insulating layer 4 (a) (b), and the fourth surface of the insulating layer 5, the fifth insulating layer 6 (a), the surface of the recessed portion but to be lower than the outermost surface of the fourth insulating layer 5, a fifth insulating layer 6
(a) であるプラズマシリコン酸化膜を堆積する。 Depositing a plasma silicon oxide film is (a). (21)耐熱性ポリイミドを上記プラズマシリコン酸化膜6 (21) above the heat-resistant polyimide plasma silicon oxide film 6
(a) の表面に、耐熱性ポリイミド膜7の、窪み部分における表面が、第4の絶縁層5の最表面よりも低くなるように、スピンコートして堆積させ、窒素雰囲気中でポストベークを行い、耐熱性ポリイミドを硬化させて、図9 The surface of (a), the heat-resistant polyimide film 7, the surface of the recess portion, to be lower than the outermost surface of the fourth insulating layer 5, is deposited by spin coating, a post-baking in a nitrogen atmosphere performed, to cure the heat-resistant polyimide, 9
に示すような形状を得る。 Obtain a shape as shown in. (22)第6の絶縁層7である上記耐熱性ポリイミド膜の表面に、再び、第5の絶縁層6(a) に用いたプラズマシリコン酸化膜(第5の絶縁層6(b) )を形成する。 (22) on the surface of the heat-resistant polyimide film is an insulating layer 7 of the sixth, again, a plasma silicon oxide film used for the fifth dielectric layer 6 (a) (the fifth insulating layer 6 (b)) the Form. (23)上記プラズマシリコン酸化膜6(b) 、耐熱性ポリイミド膜7、およびその下層のプラズマシリコン酸化膜6 (23) the plasma silicon oxide film 6 (b), heat-resistant polyimide film 7, and the underlying plasma silicon oxide film 6
(a) 、硬化した感光性ポリイミド膜を、第4の絶縁層5 (A), the cured photosensitive polyimide film, the fourth insulating layer 5
の表面が露出するまで、エッチング液でエッチングして、その後に表面を洗浄することによって、図10に示すような、窪みの内壁および底辺にのみに第5の絶縁層6(a) が形成され、該窪みの中で、第5の絶縁層6(a) Until the surface of the exposed and etched with an etching solution, by then washing the surface, as shown in FIG. 10, the fifth insulating layer 6 (a) only in the inner wall and bottom of the recesses is formed , in the depressions only, the fifth insulating layer 6 (a)
に周囲を囲まれ、第5の絶縁層6(b) に上面で塞がれた内部に第6の絶縁層7が形成された状態の基部12を得る。 Obtaining surrounded, the base portion 12 of the fifth state to the inside is blocked by the upper surface in the insulating layer 6 (b) an insulating layer 7 sixth formed. (24)上記基部12の表面に、スプリング機能を有する第7の絶縁層8のポリシリコン膜8(a) 、ナイトライドシリコン膜8(b) 、ポリシリコン膜8(c) 、ナイトライドシリコン膜8(d) を、LPCVD(低圧気相生長)法により、この順序で積層する。 (24) on the surface of the base 12, the polysilicon film 8 of the seventh insulating layer 8 having a spring function (a), nitride silicon film 8 (b), the polysilicon film 8 (c), nitride silicon film 8 (d), by LPCVD (low-pressure vapor phase growth) method, laminated in this order. (25)上記第7の絶縁層8(a)(b)(c)(d)の表面に、図1に示すように、第1の金属皮膜層9(a)(b)を構成するAl (25) on the surface of the seventh insulating layer 8 (a) (b) (c) (d), as shown in FIG. 1, Al constituting the first metal coating layer 9 (a) (b)
9(a) を、スパッタリングにより堆積させる。 9 (a), is deposited by sputtering. (26)上記第1の金属皮膜層9(a)(b)を構成するAl層9 (26) Al layer 9 constituting the first metal coating layer 9 (a) (b)
(a) の表面に、エッチングレジストをスピンコートする。 The surface of (a), an etching resist is spin-coated. (27)上記エッチングレジストに、所望の配線パターンが記録されたフォトレジストを介して感光光を照射し、該レジストを硬化させる。 (27) to the etching resist, a photosensitive light irradiated through the photo-resist desired wiring pattern is recorded, thereby curing the resist. (28)未露光部のエッチングレジストを現像液で現像して、所望の配線パターン部分のエッチングレジストを除去する。 (28) developing the etching resist of the unexposed portion with a developing solution, the etching resist is removed the desired wiring pattern portion. (29)金属皮膜層9(a)(b)を構成するAl−Cu−Si9 (29) Al-Cu-Si9 constituting the metal coating layer 9 (a) (b)
(b) をスパッタにより堆積し、上記エッチングレジストが除去された部分であって、上記Al層が露出している、所望の配線パターンの部分にAl−Cu−Si9 The (b) is deposited by sputtering, the etching resist is a portion removed, the Al layer is exposed, Al-Cu-Si9 the portion of the desired wiring pattern
(b) からなる配線パターンを形成させる。 (B) to form a wiring pattern made of. (30)エッチングレジストを剥離すると、外部接続用導通部14及び接触部13を構成する第1の金属皮膜層9 (30) when peeling off the etching resist, first metallization layer 9 constituting the external connection conductive portions 14 and the contact portion 13
(a)(b)が形成される。 (A) (b) is formed. (31)その後、表面に、感光性ポリイミドをスピンコートにより堆積させる。 (31) Then, on the surface, is deposited by spin-coating a photosensitive polyimide. (32)上記感光性ポリイミドに、接点部10の表面の、凸形状を設けたい位置に感光光が照射されるようなフォトマスクを介して、感光光を照射し、感光性ポリイミドを硬化させる。 (32) The photosensitive polyimide, the surface of the contact portion 10, where you want provided a convex shape through a photomask, such as a photosensitive light is irradiated, the photosensitive light irradiated to cure the photosensitive polyimide. (33)未硬化の感光性ポリイミドを現像液で現像して、ポストベークを行うと、凸形状の接点10の形状が得られる。 (33) developing an uncured photosensitive polyimide with a developer, when the post-baking, the shape of the contact 10 of the convex shape is obtained. (34)その後、表面に、レジストをスピンコートにより堆積させる。 (34) Then, on the surface, is deposited by spin coating the resist. (35)上記レジストに、第1の金属皮膜層9(a)(b)と凸形状の接点10の表面に形成する第2の金属皮膜層11 (35) The resist, the second metal coating layer 11 formed on the first metal coating layer 9 (a) (b) and the surface of the contact 10 of the convex
(a)(b)(c) の部分に相当するパターンからなり、該部分において感光光を遮蔽するようなフォトマスクを介して、感光光を照射し、該部分以外の部分のレジストを硬化させる。 (A) (b) consists pattern corresponding to a portion of (c), through a photomask so as to shield the photosensitive light in partial, photosensitive light irradiation, the resist is cured in the portion other than the partial . (36)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部において、下層を露出させる。 (36) developing the resist of the unexposed portion with a developing solution, the unexposed portion to expose the lower layer. このときの下層は、凸形状に形成された硬化したポリイミドではなく、金属皮膜層9(a)(b)の表層のAl−Cu−Si9(b) である。 Lower at this time is not the cured polyimide is formed in a convex shape, a metal coating layer 9 (a) (b) Al-Cu-Si9 surface of (b). (37)その後、第2の金属皮膜層11(a)(b)(c) を構成する、Ptからなる金属皮膜層11(a) 、Cr/Cuからなる金属皮膜層11(b) 、Auからなる金属皮膜層11 (37) Then, the second metal coating layer 11 (a) (b) constituting the (c), the metal coating layer 11 made of Pt (a), the metal coating layer 11 made of Cr / Cu (b), Au made of a metal coating layer 11
(c) を、スパッタリングにより順次積層して、第1の金属皮膜層9(a)(b)と凸形状の接点10の表面に第2の金属皮膜層11(a)(b)(c) を形成させる。 The (c), are sequentially laminated by sputtering, the first metal coating layer 9 (a) on the surface of the contact 10 (b), and the convex second metal coating layer 11 (a) (b) (c) to form. 第2の金属皮膜層11(a)(b)(c) は、11(a) がPtからなり、11 The second metal coating layer 11 (a) (b) (c) is, 11 (a) consists of Pt, 11
(c) がAuからなること以外は、11(b) としては、C Except that (c) is made of Au, as the 11 (b), C
r/Cuに特に限定されるものではない。 But the present invention is not particularly limited to r / Cu. また、11 In addition, 11
(b) として、複数の金属皮膜層を設けることもできる。 As (b), it is also possible to provide a plurality of metallization layers. (38)その後、レジストを剥離する。 (38) Then, the resist is removed. (39)その後、表面に、レジストをスピンコートにより堆積させる。 (39) Then, on the surface, is deposited by spin coating the resist. (40)上記レジストに、凸形状の接点10と外部接続用導通部14との間の接続用金属皮膜15の部分に相当するパターンからなり、該部分において感光光を遮蔽するようなフォトマスクを介して、感光光を照射し、該部分以外の部分のレジストを硬化させる。 (40) the resist consists pattern corresponding to the portion of the connecting metal coating 15 between the contacts 10 and the external connection conductive portions 14 of the convex shape, a photomask that shields the photosensitive light in partial through it, a photosensitive light irradiation, the resist is cured in the portion other than the partial. (41)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部において、下層を露出させる。 (41) developing the resist of the unexposed portion with a developing solution, the unexposed portion to expose the lower layer. (42)その後、Wを堆積させて接続用金属皮膜層15を形成させる。 (42) Thereafter, by depositing W to form a connection metal coating layer 15. (43)その後、レジストを剥離して、図11に示すような、外部接続用導通部14及び接触部13を構成する第1の金属皮膜層9(a)(b)、および第1の金属皮膜層9 (43) Then, the resist is peeled off, as shown in FIG. 11, the first metal coating layer 9 constituting the external connection conductive portions 14 and the contact portion 13 (a) (b), and the first metal coating layer 9
(a)(b)の表面であって、上記窪みの部分の上方に位置する部分に設けられる凸形状の接点10、および第1の金属皮膜層9(a)(b)と凸形状の接点10の表面の第2の金属皮膜層11(a)(b)(c) 、および凸形状の接点10と外部接続用導通部14との間の接続用金属皮膜15を、第7の絶縁層8(a)(b)(c)(d)上に設けた、接点部16を形成する。 A surface of the (a) (b), the recess portion of the contact of the convex contacts 10 provided in the portion located above, and the first metal film layer 9 and (a) (b) convex the second metal coating layer 11 on the surface of the 10 (a) (b) (c), and a connection metal coating 15 between the contacts 10 of the convex shape and the external connection conductive portion 14, the insulating layer of the seventh provided on the 8 (a) (b) (c) (d), to form the contact portion 16. (44)その後、表面に、高分子保護膜をスピンコートする。 (44) Then, on the surface, spin coating a polymer protective layer. (45)エッチングレジストをスピンコートにより堆積する。 (45) an etching resist is deposited by spin coating. (46)上記エッチングレジストに、接触部13の周囲で、 (46) to the etching resist, around the contact portion 13,
かつ基部12の第5の絶縁層6(a) の外側の部分において、外部接続用導通部14の部分は遮蔽し、所定の幅の部分に相当するパターンからなり、該所定の幅の部分において感光光を遮蔽するようなフォトマスクを介して、 And the outer portion of the fifth insulating layer 6 of the base 12 (a), part of the external connection conductive portion 14 is shielded, it consists pattern corresponding to a portion of the predetermined width, in the region of the predetermined width through a photomask so as to shield the photosensitive light,
感光光を照射し、該所定の幅の部分以外の部分のレジストを硬化させる。 The photosensitive light irradiation, the resist is cured in the portion other than the portion of said predetermined width. (47)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部において、下層である金属皮膜層11(a)(b)(c) を構成するAu層11(c) を露出させる。 (47) developing the resist of the unexposed portion with a developing solution, the unexposed portion to expose the metal coating layer 11 as a lower (a) (b) Au layer 11 which constitutes the (c) (c). (48)ドライエッチングにより、Auが露出した部分の真下の、Au、Cr/Cu、Pt、Alの各金属皮膜層をエッチングして、下層の、第7の絶縁膜層8(a)(b)(c) (48) by dry etching, beneath the portion where Au is exposed, Au, Cr / Cu, Pt, by etching the metal coating layer of Al, the lower layer, the seventh insulating layer 8 (a) (b ) (c)
(d)を構成するナイトライドシリコン膜8(d) を露出させる。 Exposing the nitride silicon film 8 (d) constituting the (d). (49)更にドライエッチングにより、上記で露出したナイトライドシリコン膜8(d) をエッチングして、下層のポリシリコン膜8(c) を露出させる。 By (49) further dry etching, the nitride silicon film 8 exposed at (d) above is etched to expose the underlying polysilicon film 8 (c). (50)更にポリシリコン膜8(c) をドライエッチングしてナイトライドシリコン膜8(b) を露出させる。 (50) further polysilicon film 8 (c) exposing the nitride silicon film 8 is dry etched (b). (51)更にナイトライドシリコン膜8(b) をドライエッチングしてポリシリコン膜8(a) を露出させる。 (51) further nitride silicon film 8 (b) exposing the polysilicon film 8 is dry etched (a). (52)上記で露出したポリシリコン膜を、ドライエッチングによりエッチングすることによって、図12に示すように、二度目に積層した第5の絶縁層6(b) の端面が露出して、更に第5の絶縁層6(b) およびその下の第5の絶縁層6(a) をウェットエッチングすれば、接触部13 (52) a polysilicon film exposed above, by etching by dry etching, as shown in FIG. 12, to expose the end face of the fifth insulating layer 6 laminated on the second time (b), further the 5 of the insulating layer 6 (b) and if the fifth wet etching the insulating layer 6 (a) of the underlying, contacting portions 13
において、基部12の上層、即ちスプリング機能を有する第7の絶縁層8(a)(b)(c)(d)に積層された接触部13 In the upper layer of the base 12, i.e., the seventh insulating layer 8 (a) (b) (c) (d) to be laminated a contact portion 13 having a spring function
を構成する第1の金属皮膜層9(a)(b)、および第1の金属皮膜層9(a)(b)の表面であって、上記窪みの部分の上方に位置する部分に設けられる凸形状の接点10、および第1の金属皮膜層9(a)(b)と凸形状の接点10の表面の第2の金属皮膜層11(a)(b)(c) 、および凸形状の接点10と外部接続用導通部14との間の接続用金属皮膜15、が第6の絶縁層7を伴わずに、上記第6の絶縁層7および基部12から剥離、リフトオフして、本発明マイクロスプリングコンタクト17が完成する。 A surface of the first metal coating layer 9 constituting the (a) (b), and the first metal coating layer 9 (a) (b), is provided in a portion positioned above the portion of the recess contact 10 of the convex shape, and the first metal coating layer 9 (a) (b) and the second metal coating layer 11 on the surface of the contact 10 of the convex shape (a) (b) (c), and the convex connection metal film 15 between the contacts 10 and the external connection conductive portion 14, the but without the insulating layer 7 of the sixth, detached from the sixth insulating layer 7 and the base 12 of, and lifted off, the present invention micro spring contact 17 is completed. 尚、上記第6の絶縁層7は、上記基部12からも剥離されているので、基部12の窪みから排除される。 The insulating layer 7 of the sixth, because it is peeled off from the base portion 12, it is excluded from the recess of the base 12.

【0037】本発明マイクロスプリングコンタクトの集合体は、上記マイクロスプリングコンタクト形成工程で用いられるフォトマスクを、マイクロスプリングコンタクトの単体を形成するためのパターンから、マイクロスプリングコンタクトの集合体を形成するためのパターンに換えて用い、上記マイクロスプリングコンタクト形成工程と同一の工程を経ることによって形成される。 [0037] The present invention aggregates microspring contacts, the photomask used in the above microspring contact forming step, a pattern for forming a single microspring contacts, to form a collection of microspring contacts used in place of the pattern, it is formed by passing through the microspring contact forming step in the same process.

【0038】本発明電気的接続用接点端子は、上記マイクロスプリングコンタクトの集合体を、表裏両面に予め電気導体からなる配線パターンを設けた絶縁物(プリント基板)の端部の表裏両面に、それぞれ接触部が上記プリント基板を挟んで向かい合う形で、該プリント基板の外側に突出されて設け、該対向する接触部間には上記プリント基板の厚みに相当する間隔を設け、かつ外部接続用導通部の部分で、上記プリント基板と接着させて、かつ上記外部接続用導通部を、上記プリント基板上に形成された電気的導通配線と電気的に接続させることによって形成される。 The contact terminals for the present invention the electrical connection, a collection of the microspring contacts, on both sides of the end portion of the formed insulating material wiring pattern in advance of electrical conductors on both sides (PCB), respectively in the form of the contact portion face each other by sandwiching the printed circuit board, provided protruding outside said printed circuit board, between the contact portion of the opposed spaced corresponding to thickness of the printed circuit board, and conductive portions for external connection in part, it is adhered with the printed circuit board, and the external connection conductive portion is formed by connecting the printed circuit electrically and formed electrically conductive wires to the substrate.

【0039】また、本発明電気的接続用接点端子は、上記マイクロスプリングコンタクトの集合体を、表裏両面に予め電気導体からなる配線パターンを設けた絶縁物(プリント基板)の端部の表裏両面に、それぞれ接触部が上記プリント基板を挟んで背向する形で設け、かつ外部接続用導通部の部分で、該プリント基板と接着させて、かつ該外部接続用導通部を、該プリント基板上に形成された電気的導通配線と電気的に接続させることによって形成される。 Further, the contact terminal present invention electrical connections, the assembly of the microspring contacts, on both sides of the end portion of the formed insulating material wiring pattern in advance of electrical conductors on both sides (PCB) , respectively contact portion in the form of back to back across the printed circuit board, and in a portion of the external connection conductive portion, is adhered with the printed circuit board, and a conductive portion for external connection, on the printed board It is formed by the formed electrically conductive wire and electrically connected.

【0040】図13は、本発明マイクロスプリングコンタクトの集合体18の該略図である。 [0040] Figure 13 is a schematic representation of the assembly 18 of the present invention microspring contacts. 各々のマイクロスプリングコンタクト17の接点部16は、基部12の表面で、用途に応じて互いに接続されていても、またエンチングによって切り離されていてもよい。 Contact portion 16 of each of the micro-spring contact 17, the surface of the base 12, be connected to each other depending on the application, also may be separated by Enchingu. 該マイクロスプリングコンタクトの接点部16の平面的形状パターン(幅、ピッチ、引き回し)は、フォトマスクのパターンで適宜に決まる。 The planar shape pattern of microspring contact of the contact portion 16 (the width, pitch, lead) is appropriately determined by the pattern of the photomask.

【0041】また、本発明マイクロスプリングコンタクト17が、外部電極と接触する際の態様の一例を、図1 Further, the present invention microspring contacts 17, one example of a mode at the time of contact with the external electrodes, FIG. 1
4に示す。 4 to show. 接触部13は、第7の絶縁層8が有するスプリング機能により、相手側電極パッド19との間に、常に適切な接触荷重を保つことができる。 Contact portion 13, the spring functions of the insulating layer 8 in the seventh, can be kept between the mating electrode pad 19, always an appropriate contact load.

【0042】また、本発明マイクロスプリングコンタクトの集合体を用いたマルチチップモジュールの検査態様の一例を、図15に示す。 Further, an example of a test mode of a multi-chip module using the aggregate of the present invention microspring contacts, shown in FIG. 15. マイクロスプリングコンタクトの集合体18を、図中矢印方向に移動させて、相手側電極パッド20とフェイス・トゥー・フェイス接触させる。 Microspring contact assembly 18, it is moved in the direction shown by the arrow, the mating electrode pad 20 and to face-to-face contact. このとき、マイクロスプリングコンタクトの集合体18の個々のマイクロスプリングコンタクトの接触部1 At this time, the contact portion 1 of each microspring contact assembly 18 of microspring contacts
3は、相手側電極パッド20の個々の電極パッドに精密に位置合わせされており、かつ全て均一な接触荷重で接触させられる。 3 is precisely aligned to each electrode pad of the mating electrode pad 20, and is contacted at all uniform contact load. 図15では、数千〜数万個の検査用電極パッド20が、数cm平方の大きさの支持体21の表面に形成されている。 In Figure 15, thousands to tens of thousands pieces of the inspection electrode pads 20 is formed on the surface of the support 21 of several cm square in size.

【0043】本発明マイクロスプリングコンタクトの技術を利用した、マイクロスプリングコンタクトの集合体を用いたプローブカード、および、マイクロスプリングコンタクトを用いたコネクターと、従来技術による、プローブ針式プローブカード、および、コネクターの性能を比較して、表1に示した。 [0043] Using the present invention microspring contact technique, a probe card using an aggregate of microspring contacts, and a connector using the micro-spring contact according to the prior art, the probe needle type probe card, and the connector performance compared to the, shown in Table 1.

【0044】 [0044]

【表1】 [Table 1]

【0045】次に、具体的実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。 Next, further detailed description of the present invention by way of specific examples. 実施例1表面が平坦なシリコン基板上に、ポリシリコン膜(多結晶シリコン膜)を堆積し、次いで上記ポリシリコン膜の表面にナイトライドシリコン膜(窒化シリコン膜)を堆積し、次いで上記ナイトライドシリコン膜の表面にレジストをスピンコートした後、上記レジストに、所定の幅のマイクロスプリングコンタクトを一辺に所定の数だけ並列させ、更に該一辺が正方形の四辺に対応するようにそれぞれの辺を配列させたようにパターン形成してなり、並列した各マイクロスプリングコンタクトのピッチが所定の長さのフォトマスクを介してレジスト感光光を照射し、レジストを感光硬化させ、次いで、未硬化部のレジストを現像液で現像し、窪みを設けたい部分以外の部分にレジストが残り、窪みを設けたい部分の表面には、ナイトラ Example 1 surface flat silicon substrate, a polysilicon film (polycrystalline silicon film) is deposited, followed by deposition of a nitride silicon film (silicon nitride film) on the surface of the polysilicon film, and then the nitride after the resist was spin-coated on the surface of the silicon film, the resist, a microspring contact with a predetermined width are arranged in parallel to one side by a predetermined number, further arranged each side as the one side corresponds to the four sides of the square and it is patterned as was, the pitch of the micro spring contacts in parallel irradiates the resist photosensitive light through a photomask having a predetermined length, the resist was photocured and then, the resist uncured portion was developed with a developer, depression resist remains on portions other than the portion to be provided, on the portion of the surface to be provided with a recess, Naitora ドシリコン膜が露出した状態を得た後、 After Doshirikon film to obtain a state of being exposed,
上記の、表面に露出したナイトライドシリコン膜およびその下層のポリシリコン膜をエッチング液でエッチングして、窪みを設けたい部分のシリコン基板表面を露出させ、その後、ナイトライドシリコン膜上に残ったレジストをレジスト剥離液で剥離し、ナイトライドシリコン膜をマスクとして、表面に露出したシリコン基板の表面を一部、エッチング液でエッチングして、シリコン基板の表面に残っているナイトライドシリコン膜およびポリシリコン膜をエッチング液でウェットエッチングして、シリコン基板上に窪みを形成した。 Above, the nitride silicon film and the underlying polysilicon film that was exposed on the surface by etching with an etchant, to expose the silicon substrate surface portion to be provided with a recess, then remaining on the nitride silicon film resist stripping the resist stripping solution, night ride silicon film as a mask, a part of the surface of the silicon substrate exposed on the surface, by etching with an etchant, nitride silicon film and a polysilicon remaining on the surface of the silicon substrate film by wet etching with an etching solution to form a recess on a silicon substrate.

【0046】上記した、表面に窪みを形成したシリコン基板上に、ナイトライドシリコン膜(窒化シリコン膜)、次いでポリシリコン膜(多結晶シリコン膜)を、 [0046] described above, the depression on a silicon substrate formed with a surface, nitride silicon film (silicon nitride film), and then a polysilicon film (polycrystalline silicon film),
LPCVD(低圧気相生長)法により、それぞれ所定の膜厚で堆積した。 The LPCVD (low-pressure vapor phase growth) method, respectively deposited at a predetermined thickness.

【0047】次いで、第2の絶縁層を、以下の方法で形成した。 [0047] Then, a second insulating layer was formed by the following method. (1) 上記第1の絶縁層の表面に感光性ポリイミドをスピンコートした。 (1) was spin coated photosensitive polyimide on the surface of the first insulating layer. (2) 上記のシリコン基板に窪みを設ける工程で用いたフォトマスクを介して、感光性ポリイミドに対して感光光を照射し、照射部の感光性ポリイミドを硬化させた。 (2) through a photomask used in the step of providing a recess in said silicon substrate, a photosensitive light irradiates the photosensitive polyimide was cured photosensitive polyimide of the illuminating part. (3) 未硬化部の感光性ポリイミドを現像液で現像して、 (3) developing the photosensitive polyimide uncured portion with a developer,
硬化ポリイミド膜からなる第2の絶縁層を形成した。 To form a second insulating layer made of a cured polyimide film.

【0048】次いで、上記第1の絶縁層および第2の絶縁層の表面に第3の絶縁層として、プラズマシリコン酸化膜を堆積した後、SOG(スピンオンガラス,シランカップリングガラス溶液)を、スピンコートし、硬化させて積層した。 [0048] Next, as a third insulating layer on the surface of the first insulating layer and the second insulating layer, after depositing a plasma silicon oxide film, SOG (spin-on glass, a silane coupling glass solution), spin coated and laminated and cured.

【0049】次いで、以下のようにして、第4の絶縁層、第5の絶縁層、第6の絶縁層を形成した。 [0049] Then, in the following, a fourth insulating layer, the fifth insulating layer to form an insulating layer 6. (1) 感光性ポリイミドを上記第3の絶縁層の表面にスピンコートして堆積、硬化させた。 (1) depositing a photosensitive polyimide was spin-coated on the surface of the third insulating layer, and cured. (2) シリコン基板に窪みを設ける工程で用いたフォトマスクを介して、感光性ポリイミドに対して感光光を照射し、照射部の感光性ポリイミドを硬化させた。 (2) through a photomask used in the step of providing a recess in a silicon substrate, a photosensitive light irradiates the photosensitive polyimide was cured photosensitive polyimide of the illuminating part. (3) 未硬化部の感光性ポリイミドを現像液で現像して、 (3) developing the photosensitive polyimide uncured portion with a developer,
窒素雰囲気中でポストベークを行い、第3の絶縁層の平坦な面との間に段差が設けられた状態の第4の絶縁層が形成された。 Was post-baked in a nitrogen atmosphere, a fourth insulating layer in a state where a step is provided between the flat surfaces of the third insulating layer is formed. (4) その後、硬化した感光性ポリイミドおよび第3の絶縁層、および第4の絶縁層の表面に、プラズマシリコン酸化膜を堆積した。 (4) Then, the cured photosensitive polyimide, and the third insulating layer, and the surface of the fourth insulating layer was deposited plasma silicon oxide film. (5) 耐熱性ポリイミドを上記プラズマシリコン酸化膜の表面に、スピンコートして堆積させ、窒素雰囲気中でポストベークを行い、耐熱性ポリイミドを硬化させた。 (5) heat-resistant polyimide to the surface of the plasma silicon oxide film, is deposited by spin coating, subjected to post-baking in a nitrogen atmosphere to cure the heat-resistant polyimide. (6) 上記耐熱性ポリイミド膜、およびその下層のプラズマシリコン酸化膜、硬化した感光性ポリイミド膜を、第4の絶縁層の表面が露出するまで、エッチング液でエッチングして、その後に表面を洗浄することによって、窪みの内壁および底辺にのみに第5の絶縁層を形成し、該窪みの中で、第5の絶縁層に周囲を囲まれた部分に第6 (6) the heat-resistant polyimide film, and the underlying plasma silicon oxide film, the cured photosensitive polyimide film, until the surface of the fourth insulating layer to expose the etched with an etching solution, followed by washing the surface by the fifth insulating layer is formed only on the inner wall and the bottom of the recess, in the depressions only, the portion surrounded by the fifth insulating layer 6
の絶縁層が形成された状態の基部を得た。 To obtain a base in a state where an insulating layer is formed.

【0050】次いで、スプリング機能を有する第7の絶縁層である、ポリシリコン膜、ナイトライドシリコン膜、、ポリシリコン膜、ナイトライドシリコン膜を、この順序で、LPCVD(低圧気相生長)法により、上記基部の表面に積層した。 [0050] Next, a seventh insulating layer having a spring function, a polysilicon film, nitride silicon film ,, polysilicon film, a nitride silicon film, in this order, by LPCVD (low-pressure vapor phase growth) method It was laminated on the surface of the base portion.

【0051】外部接続用導通部及び接触部を構成する第1の金属皮膜層、および第1の金属皮膜層の表面であって、上記窪みの部分の上方に位置する部分に設けられる凸形状の接点、および第1の金属皮膜層と凸形状の接点の表面の第2の金属皮膜層、および凸形状の接点と外部接続用導通部との間の接続用金属皮膜を、以下の方法で形成した。 The first metal film layers constituting the external connection conductive portion and the contact portion, and the first a surface of the metal coating layer, the convex shape is provided in a portion positioned above the portion of the recess contacts, and a second metal coating layer of the first metal coating layer and the contact surface of the convex shape, and the convex connecting metal coating between the contacts and the external connection conductive portion, formed by the following method did. (1) 上記第7の絶縁層の表面にAlを、スパッタリングにより堆積させた。 (1) the Al on the surface of the seventh dielectric layer was deposited by sputtering. (2) 上記Al層の表面に、エッチングレジストをスピンコートした。 (2) the surface of the Al layer, and the etching resist was spin-coated. (3) 上記エッチングレジストに、所望の配線パターンが記録されたフォトレジストを介して感光光を照射し、該レジストを硬化させた。 (3) in the etching resist, a photosensitive light irradiated through the photo-resist desired wiring pattern is recorded, and curing the resist. (4) 未露光部のエッチングレジストを現像液で現像して、所望の配線パターン部分のエッチングレジストを除去した。 (4) developing the etching resist of the unexposed portion with a developing solution to remove the etching resist of a desired wiring pattern portion. (5) Al−Cu−Siをスパッタにより堆積し、Al層が露出している、所望の配線パターンの部分に配線パターンを形成させた。 (5) the Al-Cu-Si is deposited by sputtering, Al layer is exposed, to form a wiring pattern in a portion of the desired wiring pattern. (6) エッチングレジストを剥離して、第1の金属皮膜層を形成した。 (6) stripping the etching resist, thereby forming a first metal coating layer. (7) その後、表面に、感光性ポリイミドをスピンコートにより堆積させた。 (7) Then, on the surface, a photosensitive polyimide is deposited by spin coating. (8) 上記感光性ポリイミドに、接点部表面の、凸形状を設けたい位置に感光光が照射されるようなフォトマスクを介して、感光光を照射し、感光性ポリイミドを硬化させた。 (8) to the photosensitive polyimide, the contact area surface, where you want provided a convex shape through a photomask, such as a photosensitive light is irradiated, the photosensitive light irradiated to cure the photosensitive polyimide. (9) 未硬化の感光性ポリイミドを現像液で現像して、ポストベークを行い、接点の凸形状を得た。 (9) developing an uncured photosensitive polyimide with a developer, it was post-baked to obtain a contact convex. (10)その後、表面に、レジストをスピンコートにより堆積させた。 (10) Then, on the surface, the resist is deposited by spin coating. (11)上記レジストに、第1の金属皮膜層と凸形状の接点の表面に形成する第2の金属皮膜層の部分に相当するパターンからなり、該部分において感光光を遮蔽するようなフォトマスクを介して、感光光を照射し、該部分以外の部分のレジストを硬化させた。 (11) The resist consists pattern corresponding to a portion of the second metal coating layer formed on the surface of contact of the first metal coating layer and the convex photomask to shield the photosensitive light in partial through, the photosensitive light irradiated to cure the resist in the portion other than the partial. (12)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部において、下層の金属皮膜層の表層のAl−Cu−Si (12) developing the resist of the unexposed portion with a developing solution, the unexposed portion, of the surface layer of the underlying metal coating layer Al-Cu-Si
を露出させた。 The exposed. (13)その後、Ptからなる金属皮膜層、Cr/Cuからなる金属皮膜層、Auからなる金属皮膜層を、スパッタリングにより順次積層して、第1の金属皮膜層と凸形状の接点の表面に第2の金属皮膜層を形成させた。 (13) Then, a metal coating layer made of Pt, a metal coating layer made of Cr / Cu, the metal coating layer made of Au, are sequentially laminated by sputtering, the surface of contact of the first metal coating layer and the convex to form a second metal coating layer. (14)その後、レジストを剥離した。 (14) Thereafter, the resist is removed. (15)その後、表面に、レジストをスピンコートにより堆積させた。 (15) Then, on the surface, the resist is deposited by spin coating. (16)上記レジストに、凸形状の接点と外部接続用導通部との間の接続用金属皮膜の部分に相当するパターンからなり、該部分において感光光を遮蔽するようなフォトマスクを介して、感光光を照射し、該部分以外の部分のレジストを硬化させた。 (16) in the resist, made from a pattern corresponding to portions of the connection metal coating between the contacts and the external connection conductive portion of the convex shape, through a photomask so as to shield the photosensitive light in moiety, the photosensitive light irradiated to cure the resist in the portion other than the partial. (17)未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部において、下層を露出させた。 (17) developing the resist of the unexposed portion with a developing solution, the unexposed portion to expose the lower layer. (18)その後、Wを堆積させて接続用金属皮膜層を形成させた。 (18) Then, to form a connection metal coating layer by depositing W. (19)その後、レジストを剥離して、第1の金属皮膜層、 (19) Then, the resist is peeled off, the first metal coating layer,
および第1の金属皮膜層の表面であって、上記窪みの部分の上方に位置する部分に設けられる凸形状の接点、および第1の金属皮膜層と凸形状の接点の表面の第2の金属皮膜層、および凸形状の接点と外部接続用導通部との間の接続用金属皮膜を、第7の絶縁層上に設けた状態の、接点部を形成した。 And a first a surface of the metal coating layer, the second metal of said recess contacts the convex shape is provided in a portion positioned above the portion, and a first metal coating layer and the contact surface of the convex coating layer, and a connection metal coating between the contacts and the external connection conductive portion of the convex shape, in the state provided with the seventh insulating layer was formed on the contact portion.

【0052】上記によって形成した、スプリング機能を有する第7の絶縁層に積層された接触部を構成する第1 [0052] The first constituting formed by the, the seventh contact portions stacked insulating layer having a spring function
の金属皮膜層、および第1の金属皮膜層の表面であって、上記窪みの部分の上方に位置する部分に設けられる凸形状の接点、および第1の金属皮膜層と凸形状の接点の表面の第2の金属皮膜層、および凸形状の接点と外部接続用導通部との間の接続用金属皮膜を、以下のようにして上記基部から剥離、リフトオフさせた。 Metal coating layer, and first a surface of the metal coating layer, the contact of the dent convex provided in a portion positioned above the portion, and the contact surface of the first metal coating layer and the convex the second metal coating layer, and a connection metal coating between the contacts and the external connection conductive portion of the convex shape, peeling from the base in the following manner was lifted off. (1) 表面に、高分子保護膜をスピンコートした。 (1) on the surface, it was spin-coated with a polymer protective film. (2) エッチングレジストをスピンコートにより堆積した。 (2) and the etching resist is deposited by spin coating. (3) 上記エッチングレジストに、接触部の周囲で、かつ基部の第5の絶縁層6の外側の部分において、外部接続用導通部の部分は遮蔽し、所定の幅の部分に相当するパターンからなり、該所定の幅の部分において感光光を遮蔽するようなフォトマスクを介して、感光光を照射し、 (3) in the etching resist, around the contact portion, and the fifth outer portion of the insulating layer 6 of the base, portions of the conductive portion for external connection is shielded from the pattern corresponding to a portion of a predetermined width becomes, through a photomask so as to shield the photosensitive light in the region of the predetermined width, by irradiating the photosensitive light,
該所定の幅の部分以外の部分のレジストを硬化させた。 To cure the resist in the portion other than the portion of said predetermined width. (4) 未露光部のレジストを現像液で現像して、未露光部において、下層の、Au層を露出させた。 (4) developing the resist of the unexposed portion with a developing solution, the unexposed area of ​​the lower layer to expose the Au layer. (5) ドライエッチングにより、Auが露出した部分の真下の、Au、Cr/Cu、Pt、Alの各金属皮膜層をエッチングして、下層の、ナイトライドシリコン膜を露出させた。 (5) by dry etching, beneath the portion where Au is exposed, Au, and Cr / Cu, Pt, each metal coating layer of Al is etched, the lower layer, to expose the nitride silicon film. (6) 更にドライエッチングにより、上記で露出したナイトライドシリコン膜をエッチングして、下層のポリシリコン膜を露出させた。 (6) further dry etching, by etching the nitride silicon film exposed above, to expose the underlying polysilicon film. (7) 更にポリシリコン膜をドライエッチングしてナイトライドシリコン膜を露出させた。 (7) was further a polysilicon film to expose the nitride silicon film is dry-etched. (8) 更にナイトライドシリコン膜をドライエッチングしてポリシリコン膜を露出させた。 (8) was further expose the polysilicon film nitride silicon film is dry-etched. (9) 上記で露出したポリシリコン膜を、ドライエッチングによりエッチングして、第5の絶縁層の端面が露出させて、更に第5の絶縁層をウェットエッチングして、接触部において、第6の絶縁層を伴った、基部の上層を上記基部から剥離、リフトオフして、マイクロスプリングコンタクトの集合体を得た。 (9) a polysilicon film exposed above, is etched by dry etching to expose the end face of the fifth insulating layer, and further wet-etching the fifth insulating layer, at the contact portion, of the sixth accompanied by an insulating layer, separating the upper layer of the base from the base portion, it is lifted off to obtain an aggregate of microspring contacts.

【0053】 [0053]

【発明の効果】本発明のマイクロスプリングコンタクトおよびマイクロスプリングコンタクトの集合体は、以上のように構成されているので下記のような効果を奏する。 Collection of microspring contacts and microspring contacts of the present invention according to the present invention, which is configured as described above exhibits the effects described below. 本発明では、接点端子にスプリング機能を持たせたことで、相手側接点端子との電気的接触において、適切な接触抵抗を得るための微妙な荷重の調整を、接点端子自身が行い、相手側接触端子との間の適切な接触抵抗のもとに、確実に電気的接触を行うので、電気的接続の信頼性が飛躍的に向上する。 In the present invention, by which gave spring function contact terminal in electrical contact with the mating contact terminal, subtle load adjustment for obtaining a proper contact resistance, performs the contact terminal itself, the other party to the original proper contact resistance between the contact terminals, because reliably make electrical contact, the reliability of electrical connection is remarkably improved.

【0054】また、本発明によれば、上記に示したように、半導体集積回路素子の製造プロセスと同様のプロセスを採用しているので、パターン形成の寸法精度が非常に高く、しかも微細な加工ができ、従って接点端子の接点密度が高く、かつ位置精度が高いマイクロスプリングコンタクトが形成できる。 Further, according to the present invention, as indicated above, because it uses a process similar to a semiconductor integrated circuit device, a very high dimensional accuracy of the pattern formation, yet microfabrication It can be, therefore high contact density of the contact terminals, and high microspring contact positional accuracy can be formed.

【0055】このマイクロスプリングコンタクトを集合させて設けた、本発明マイクロスプリングコンタクト集合体によれば、非常に小さいスペースの中で多数の接点相互の接触が同時に行え、しかも接点端子相互の位置合わせに要する手間もかからず短時間で確実に接触が行え、かつ、スプリングが余分な荷重をその弾力で吸収して、接点の繰り返し接触や荷重過多などに伴う、相手側接点の損傷を防ぐこともでき、更に、多数ポイントの接点端子接触の際に防ぐことが困難であった、各接点ポイント間の接触荷重の不均一さが、荷重を自己調節するスプリング機能を付与したことで解消でき、全ての接点における接触抵抗を低く、均一に制御することができ、電気的接続の信頼性が向上する。 [0055] provided by a set of the microspring contacts, according to the present invention microspring contact assemblies, very performed small contact of a large number of contacts each other in the space at the same time, moreover the alignment of the contact terminal mutual short despite labor in performing reliably contact required, and the spring is absorbed by its elasticity the extra load caused such a repeated contact and excessive force of the contact, also prevent damage to the mating contacts can further be solved by making it difficult to prevent in many points of contact terminal contact, it is unevenness in the contact load between the contacts points, and the load imparted to the spring function of self-regulating, all low contact resistance at the contact point, it is possible to uniformly control the reliability of the electrical connection is improved. 従って、検査用プローブ針の代替として用いたときには検査の信頼性が増し、かつ検査の手間もかからず、また、応答速度が速いので検査時間の短縮が図れ、さらに、接触用端子に付いた絶縁物を取り除くなどの補修、点検の必要もなく、また、コネクターの代替として用いたときには接触抵抗が低く、 Therefore, the reliability of the test is increased when it is used as a substitute for testing probe needles, and despite labor inspection, also, since the response speed is fast Hakare shorten the inspection time, further, with the contact terminal repair, such as removing the insulating material, without the need for inspection, also low contact resistance when used as a substitute of the connector,
高い導電性能を維持することができ、また、接触不良による誤動作、および不作動の虞れがなく、しかも、繰り返し抜き差しによる摩擦にも強く、優れた耐久性を示す。 It is possible to maintain a high conductivity performance, also malfunctions due to contact failure, and there is no danger of inoperative, moreover, resistant to friction caused by repeated insertion and removal, exhibit excellent durability.

【0056】更に、接触部の裏側に突子状の絶縁層を設けた場合は、スプリング機能を有する絶縁層に直接余分な力がかからないので、曲げや、ねじれの力がかかりやすい、繰り返し接触や抜き差しを伴う検査作業に対して、優れた耐久性を示す。 [0056] Further, the case of providing the projections like insulating layer on the back side of the contact portion, so direct extra force to the insulating layer having a spring function is not applied, bending or predisposed force of twisting, repeated contact Ya the inspection work with insertion and removal, showing excellent durability.

【0057】 [0057]

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】マイクロスプリングコンタクトの側方向縦断面図である。 1 is a lateral longitudinal sectional view of the micro-spring contacts.

【図2】マイクロスプリングコンタクトの正方向縦断面図である。 2 is a forward longitudinal sectional view of the micro-spring contacts.

【図3】接触部の裏側に突子状の絶縁層を伴わない、マイクロスプリングコンタクトの側方向縦断面図である。 [3] without the projections like insulating layer on the back side of the contact portion, a lateral longitudinal sectional view of the micro-spring contacts.

【図4】接触部の裏側に突子状の絶縁層を伴わない、マイクロスプリングコンタクトの正方向縦断面図である。 [4] without projections like insulating layer on the back side of the contact portion, a forward longitudinal sectional view of the micro-spring contacts.

【図5】第6の絶縁層7までを設けた側方向縦断面図である。 5 is a lateral longitudinal sectional view in which a until the insulating layer 7 sixth.

【図6】基部12を完成した側方向縦断面図である。 6 is a lateral longitudinal sectional view of the finished base portion 12.

【図7】接続用金属皮膜15までを設けた側方向縦断面図である。 7 is a lateral longitudinal sectional view in which a to connection metal coating 15.

【図8】所定の幅で接続用金属皮膜15、第2の金属皮膜層11、第1の金属皮膜層9、および第7の絶縁層8 [8] connection metal coating 15 at a predetermined width, the second metal coating layer 11, the first metal coating layer 9, and the seventh insulating layer 8
をエッチングした側方向縦断面図である。 Which is a lateral longitudinal sectional view of the etched.

【図9】接触部の裏側に突子状の絶縁層を伴わない、マイクロスプリングコンタクトにおいて、第6の絶縁層7 [9] without projections like insulating layer on the back side of the contact portion, the microspring contact, the insulating layer of the sixth 7
までを設けた側方向縦断面図である。 It is a lateral vertical sectional view in which a to.

【図10】接触部の裏側に突子状の絶縁層を伴わない、 [10] without projections like insulating layer on the back side of the contact portion,
マイクロスプリングコンタクトにおいて、基部12を完成した側方向縦断面図である。 In microspring contacts a lateral longitudinal sectional view of the finished base portion 12.

【図11】接触部の裏側に突子状の絶縁層を伴わない、 [11] without projections like insulating layer on the back side of the contact portion,
マイクロスプリングコンタクトにおいて、接続用金属皮膜15までを設けた側方向縦断面図である。 In microspring contacts a lateral longitudinal sectional view in which a to connection metal coating 15.

【図12】接触部の裏側に突子状の絶縁層を伴わない、 [12] without projections like insulating layer on the back side of the contact portion,
マイクロスプリングコンタクトにおいて、所定の幅で接続用金属皮膜15、第2の金属皮膜層11、第1の金属皮膜層9、および第7の絶縁層8をエッチングした側方向縦断面図である。 In microspring contacts, connection metal coating 15 at a predetermined width, the second metal coating layer 11, the first metal coating layer 9, and the seventh insulating layer 8 is a lateral longitudinal sectional view of the etched.

【図13】マイクロスプリングコンタクトの集合体である。 FIG. 13 is a collection of micro-spring contact.

【図14】マイクロスプリングコンタクトと、外部電極との接触状態の態様である。 [Figure 14] and microspring contacts, an embodiment of the contact with the external electrode.

【図15】マイクロスプリングコンタクトの集合体を用いた検査態様である。 15 is a test mode using a collection of micro-spring contacts.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 シリコン基板 2 第1の絶縁層 3 第2の絶縁層 4 第3の絶縁層 5 第4の絶縁層 6 第5の絶縁層 7 第6の絶縁層 8 第7の絶縁層 9 第1の金属皮膜層 10 凸形状の接点 11 第2の金属皮膜層 12 基部 13 接触部 14 外部接続用導通部 15 接続用金属皮膜 16 接点部 17 マイクロスプリングコンタクト 1 silicon substrate 2 first insulating layer 3 and the second insulating layer 4 third insulating layer 5 fourth insulating layer 6 fifth insulating layer 7 sixth insulating layer 8 seventh insulating layer 9 first metal contact 11 and the second metal coating layer 12 the base 13 contact portion 14 metal coating for external connection conductive portion 15 connecting 16 contacts 17 microspring contact coating layer 10 convex

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【手続補正書】 [Procedure amendment]

【提出日】平成5年3月4日 [Filing date] 1993 March 4

【手続補正1】 [Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書 [Correction target document name] specification

【補正対象項目名】発明の名称 [Correction target item name] name of the invention

【補正方法】変更 [Correction method] change

【補正内容】 [Correction contents]

【発明の名称】 マイクロスプリングコンタクト、マイクロスプリングコンタクトの集合体、該マイクロスプリングコンタクトの集合体からなる電気的接続用端子及びマイクロスプリングコンタクトの製造方法 [Title of Invention] microspring contacts, collection of microspring contact method of electrical connection terminals and microspring contacts comprising an aggregate of the microspring contact

【手続補正2】 [Amendment 2]

【補正対象書類名】図面 [Correction target document name] drawings

【補正対象項目名】全図 [Correction target item name] all the drawings

【補正方法】変更 [Correction method] change

【補正内容】 [Correction contents]

【図4】 [Figure 4]

【図5】 [Figure 5]

【図1】 [Figure 1]

【図2】 [Figure 2]

【図3】 [Figure 3]

【図6】 [Figure 6]

【図7】 [7]

【図9】 [9]

【図8】 [Figure 8]

【図10】 [Figure 10]

【図11】 [11]

【図12】 [Figure 12]

【図13】 [13]

【図14】 [Figure 14]

【図15】 [Figure 15]

Claims (10)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 シリコン基板の表面に複数層の絶縁層を設けて窪みを形成した基部と、基部表面に、ポリシリコン膜とナイトライドシリコン膜を順次積層してなるスプリング機能を有する絶縁層、金属皮膜層を設け、更に基部の窪みと対応する位置に凸状の接点を設け、該接点表面を金属皮膜で被覆した後、基部表面に設けたスプリング機能を有する絶縁層から最表面の金属皮膜層までの各層を、接点周囲において溝状にエッチング除去するとともに基部の絶縁層の一部をエッチング除去して前記基部と一体に形成された、電子部品端子への接触部と外部接続用導通部とを有する接点部とからなることを特徴とするマイクロスプリングコンタクト。 1. A base portion forming a recess in an insulating layer of a plurality of layers on the surface of the silicon substrate, the base surface, an insulating layer having a spring function composed by sequentially laminating a polysilicon film and a nitride silicon film, the metal coating layer is provided, further a convex contacts provided in the recess as the corresponding position in the base after the said contact surface is coated with metal coating, metal coating of the outermost surface insulating layer having a spring function provided on the base surface the layers up to the layer, formed on the base and integral part of the base of the insulating layer is removed by etching with etching away the grooved around the contact, the contact portion of the electronic component terminal and the external connection conductive portion microspring contacts, characterized in that it consists of a contact portion with and.
  2. 【請求項2】 接触部の裏側で、ポリシリコン膜とナイトライドシリコン膜を順次積層してなるスプリング機能を有する絶縁層の裏面に、基部の窪みに嵌合した形状の絶縁層からなる突子を設けてなることを特徴とする請求項1記載のマイクロスプリングコンタクト。 Behind the wherein the contact portion, the back surface of the polysilicon film and the nitride silicon film are sequentially laminated insulating layer having a spring function comprising, consisting of an insulating layer of fitted shape recess of the base portion projections microspring contacts according to claim 1, characterized by being provided.
  3. 【請求項3】 請求項1または2記載のマイクロスプリングコンタクトにおいて、電子部品端子への接触部の幅が数μm〜数100μm、好ましくは20μm〜200 3. A micro-spring contacts according to claim 1 or 2, wherein a width of several μm~ number 100μm contact portion of the electronic component terminal, preferably 20μm~200
    μmであり、外部接続用導通部の幅が数μm〜数100 μm and is, [mu] m to several 100 numbers width of conductive portions for external connection
    μm、好ましくは20μm〜200μmであるマイクロスプリングコンタクト。 [mu] m, microspring contacts preferably 20Myuemu~200myuemu.
  4. 【請求項4】 請求項1または2もしくは3記載のマイクロスプリングコンタクトを複数配列したことを特徴とするマイクロスプリングコンタクトの集合体。 4. The assembly of microspring contacts, characterized in that the microspring contact of claim 1 or 2 or 3, wherein a plurality sequences.
  5. 【請求項5】 各マイクロスプリングコンタクト間のピッチが数μm〜数100μm、好ましくは20μm〜2 5. A pitch number μm~ number 100μm between respective microspring contacts, preferably 20μm~2
    00μmである請求項4記載のマイクロスプリングコンタクトの集合体。 Collection of microspring contact of claim 4 wherein the 00Myuemu.
  6. 【請求項6】 請求項4または5記載のマイクロスプリングコンタクトの集合体が、同一平面上にそれぞれ異なる方向で複数個設けられていることを特徴とするマイクロスプリングコンタクトの集合体からなる電気的接続用端子。 6. The assembly of microspring contacts according to claim 4 or 5, wherein the electrical connections that consist of a collection of microspring contacts, characterized in that present in a plural different directions on the same plane use terminal.
  7. 【請求項7】 請求項4または5記載のマイクロスプリングコンタクトの集合体が、一枚のプリント基板上の端部において、表面と裏面に、それぞれ接触部が上記プリント基板を挟んで向かい合う形で、該プリント基板の外側に突出されて設けられており、該対向する接触部間には上記プリント基板の厚みに相当する間隔が設けられていて、かつ外部接続用導通部の部分で、上記プリント基板と接着されていて、かつ上記外部接続用導通部が、上記プリント基板上に形成された電気的導通配線と電気的に接続されていることを特徴とするマイクロスプリングコンタクトの集合体からなる電気的接続用端子。 7. The assembly of microspring contacts according to claim 4 or 5, wherein the, at the end on a single printed board, the front and back, respectively the contact portion is in the form of face by sandwiching the printed circuit board, provided protrudes outside said printed circuit board, between the contact portions of the face have intervals corresponding to the thickness of the printed circuit board is provided, and the portion of the external connection conductive portions, the printed circuit board have been adhered to, and electrically to the external connection conductive portion is composed of a set of microspring contacts, characterized in that connected the printed electrically conductive wires electrically formed on the substrate connection terminal.
  8. 【請求項8】 請求項4または5記載のマイクロスプリングコンタクトの集合体が、一枚のプリント基板上の端部において、表面と裏面に、それぞれ接触部が上記プリント基板を挟んで背向する形で設けられており、かつ外部接続用導通部の部分で、該プリント基板と接着されていて、かつ該外部接続用導通部が、該プリント基板上に形成された電気的導通配線と電気的に接続されていることを特徴とするマイクロスプリングコンタクトの集合体からなる電気的接続用端子。 8. The assembly of microspring contacts according to claim 4 or 5, wherein the, at the end on a single printed board, the front and back, respectively the contact portion is turned away across the printed circuit board form provided in and at a portion of the external connection conductive portion, the printed board and have been adhered, and conductive portions for external connection, the print on which is formed on the electrically conductive wires electrically substrate electrical connection terminal comprising an aggregate of microspring contacts, characterized in that it is connected.
  9. 【請求項9】 表面の一部に窪みを設けたシリコン基板の表面に、第1の絶縁層を積層し、この第1の絶縁層の表面で前記窪みの周囲に第2の絶縁層を形成し、その表面及び窪みの表面を被覆して第3の絶縁層を形成した後、この第3の絶縁層表面の窪みの周囲全面に第4の絶縁層を形成し、次いで第4の絶縁層の形成されていない部分に第5の絶縁層を形成し、更にこの第5の絶縁層の表面に、該第5の絶縁層表面に形成されている窪みが埋没するように第6の絶縁層を設けた後、表面を研削して、前記第4の絶縁層および第6の絶縁層が表出した平滑表面を形成し、次いで、その表面に更にスプリング機能を有する第7の絶縁層を形成した後、この表面に第1 9. A surface of a silicon substrate having a recess in a part of the surface, the first insulating layer are laminated, forming a second insulating layer around the recess the surface of the first insulating layer and, after forming the third insulating layer covers the surface of the surface and depressions, the fourth insulating layer is formed around the entire surface of the recess of the third insulating layer surface and then a fourth insulating layer a fifth insulating layer is formed on the portion which is not of the form, further on the surface of the fifth insulating layer, the insulating layer of the sixth as recesses are formed in the insulating layer surface of the fifth is buried after the provided by grinding the surface, the fourth insulating layer and the sixth insulating layer forms a exposed, smooth surface, then forming a seventh insulating layer having a further spring function on the surface thereof after, the first on the surface
    の金属皮膜層を形成し、この第1の金属皮膜層の表面上で第6の絶縁層の位置と対応する位置に凸形状の接点を設けた後、第1の金属皮膜層及び凸形状の接点を被覆する第2の金属皮膜層を設けた後、接点周囲部分において第2の金属皮膜層、第1の金属皮膜層及び第7の絶縁層をエッチングによって溝状に除去するとともに、第5の絶縁層をエッチング除去して、シリコン基板表面に絶縁層を積層して形成した窪みを有する基部と、該基部と一体であって、裏面に基部の窪みに嵌合する絶縁層からなる突子を伴った接点部とを形成することを特徴とするマイクロスプリングコンタクトの製造方法。 Metal coating layer is formed, after forming the contact convex sixth position corresponding to the position of the insulating layer on the surface of the first metal coating layer, the first metal coating layer and convex after providing the second metal coating layer covering the contact, the second metal coating layer in contact peripheral portion, thereby removing the groove shape by etching the insulating layer of the first metal coating layer and the seventh, fifth projections of the insulating layer is removed by etching, a base having a recess formed by stacking an insulating layer on a silicon substrate surface, be integral with the base portion, made of an insulating layer which fits into the recess of the base portion on the back surface the method of manufacturing microspring contacts and forming a contact portion with.
  10. 【請求項10】 表面の一部に窪みを設けたシリコン基板の表面に、第1の絶縁層を積層し、この第1の絶縁層の表面で前記窪みの周囲に第2の絶縁層を形成し、その表面及び窪みの表面を被覆して第3の絶縁層を形成した後、この第3の絶縁層表面の窪みの周囲全面に第4の絶縁層を形成し、次いで第4の絶縁層の形成されていない部分に第5の絶縁層を形成し、更にこの第5の絶縁層の表面に、該第5の絶縁層表面に形成されている窪みが埋没して、かつ第4の絶縁層の表面が埋没しないように第6の絶縁層を設けた後、第4の絶縁層および第6の絶縁層の表面に第5の絶縁層を再び形成し、その後、表面を研削して、前記第4の絶縁層および二度目に設けた第5 10. A surface of a silicon substrate having a recess in a part of the surface, the first insulating layer are laminated, forming a second insulating layer around the recess the surface of the first insulating layer and, after forming the third insulating layer covers the surface of the surface and depressions, the fourth insulating layer is formed around the entire surface of the recess of the third insulating layer surface and then a fourth insulating layer a fifth insulating layer is formed on the portion which is not of the form, further on the surface of the fifth insulation layer, buried recesses are formed in the insulating layer surface of the fifth and fourth insulating after the surface of the layer provided with the sixth insulating layer so as not to be embedded, the fifth insulating layer again formed on the surface of the fourth insulating layer and the sixth insulating layer, then grinding the surface, 5 provided on the fourth insulating layer and the second time
    の絶縁層が表出した平滑表面を形成し、次いで、その表面に更にスプリング機能を有する第7の絶縁層を形成した後、この表面に第1の金属皮膜層を形成し、この第1 The insulating layer forms a exposed, smooth surface and then, after further forming the seventh insulating layer having a spring function on the surface, forming a first metal coating layer on the surface, the first
    の金属皮膜層の表面上で第6の絶縁層の位置と対応する位置に凸形状の接点を設けた後、第1の金属皮膜層及び凸形状の接点を被覆する第2の金属皮膜層を設けた後、 The first six of the insulating layer located on the surface of the metal coating layer after providing a contact that is convex toward the corresponding position, the second metal coating layer covering the contacts of the first metal coating layer and convex after providing,
    接点周囲部分において第2の金属皮膜層、第1の金属皮膜層及び第7の絶縁層をエッチングによって溝状に除去するとともに、第5の絶縁層をエッチング除去して、シリコン基板表面に絶縁層を積層して形成した窪みを有する基部と、該基部と一体の接点部とを形成することを特徴とするマイクロスプリングコンタクトの製造方法。 The second metal coating layer in contact peripheral portion, thereby removing the first metal film layer and the seventh insulating layer of the groove by etching, the fifth insulating layer is removed by etching, the insulating layer on the silicon substrate surface a base having a recess formed by stacking a method for producing a microspring contacts and forming a contact portion of the base portion and integrally.
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