JPH06177005A - Aligner - Google Patents
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程で使用
するレチクルやマスク用のプレートあるいは半導体ウエ
ハ上のレジストに所望のパターンを露光する露光装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus for exposing a desired pattern on a reticle or mask plate used in a semiconductor manufacturing process or a resist on a semiconductor wafer.
【0002】[0002]
【従来の技術】この種の装置では、露光しようとするプ
レートやウエハ等のワークがX−Yステージ上に搬入さ
れると、ワークをステージ上のホルダで真空吸着した上
で、露光位置を合わせるためにアライメント調整を行な
う。ワークの反りや欠損などにより吸着やアライメント
ができなかった場合は、リジェクト処理としてワークを
露光処理することなくステージから搬出する。リジェク
ト処理されたワークはそのまま現像機側へ送るか、正常
に露光処理されたワークを収納するキャリアに混載す
る。特にリジェクトされたワーク専用のキャリアが用意
されている場合はそこに収納する。2. Description of the Related Art In this type of apparatus, when a work such as a plate or a wafer to be exposed is carried onto an XY stage, the work is vacuum-sucked by a holder on the stage and the exposure position is adjusted. To adjust the alignment. If the workpiece cannot be attracted or aligned due to warpage or loss, the workpiece is unloaded as a reject process from the stage without exposure processing. The rejected work is sent to the developing machine side as it is, or is mixedly mounted on a carrier that stores the normally exposed work. If a carrier dedicated to rejected work is prepared, store it there.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】一般に現像前の段階で
はワーク上のレジストが露光しているか否かを判別でき
ないので、リジェクト処理されたワークを現像機へ送っ
た場合および露光処理済のワークのキャリアに混載した
場合は、正常に露光処理されたワークとともにリジェク
ト処理された未露光のワークも現像処理せざるを得な
い。ところが、現像後であっても露光処理がされている
か否かを外観上判別し難い場合が多く、結局何等かの検
査工程を経るまでリジェクト処理されたワークを選別で
きず、この間に無駄な処理時間、費用が発生する。特に
何層にも渡ってパターン形成が繰り返されるウエハの場
合は、未露光のウエハといえども前回の処理で形成され
たパターンがその表面に残っているので、正常に露光処
理されたウエハと区別することが極めて困難である。一
方、リジェクトされたワーク専用のキャリアを設けた場
合には上述した問題は生じないが、専用キャリアを設置
するスペースを新たに確保する必要があり、露光装置の
専有面積が増大する。特に面積が大きいプレートを対象
としたときは問題が多い。In general, it is not possible to determine whether or not the resist on the work is exposed in the stage before the development, and therefore, when the rejected work is sent to the developing machine or when the work is exposed. In the case of being mixedly mounted on the carrier, the rejected unexposed work as well as the normally exposed work have to be developed. However, even after development, it is often difficult to determine visually whether or not exposure processing has been performed, and eventually rejected workpieces cannot be selected until some inspection process has passed, and wasteful processing is performed during this period. It takes time and money. In particular, in the case of a wafer in which pattern formation is repeated over many layers, even if it is an unexposed wafer, the pattern formed by the previous processing remains on the surface, so it is distinguished from the wafer that has been normally exposed. Is extremely difficult to do. On the other hand, when the carrier dedicated to the rejected work is provided, the above-mentioned problem does not occur, but it is necessary to newly secure a space for installing the dedicated carrier, and the area occupied by the exposure apparatus increases. There are many problems especially when a plate having a large area is targeted.
【0004】本発明の目的は、正常に露光処理できなか
ったワークを後工程で容易に発見できる状態にして搬出
でき、かつ装置の専有面積も増加しない露光装置を提供
することにある。An object of the present invention is to provide an exposure apparatus which can carry out a work which has not been normally exposed to light in a state where it can be easily found in a post process and which does not increase the area occupied by the apparatus.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】一実施例を示す図1およ
び図3に対応付けて説明すると、本発明は、ステージ3
上に搬入されたワークPが正常に露光処理できる状態に
あるか否かを判別するワーク状態判別手段7,8,10
を備えた露光装置に適用される。そして、上述した目的
は、ワークPが正常に露光処理できない状態にあると判
別されたとき、ワークPに対して正常な露光処理時の露
光パターンとは異なるパターンEr1を露光するリジェ
クト露光手段10を設けることにより達成される。異な
るパターンを露光する露光光学系は、正常な露光処理を
行なう露光光学系と別に設けてもよく、請求項2の装置
のように正常な露光処理を行なう露光光学系を用いて異
なるパターンを露光してもよい。請求項3の装置では、
リジェクト露光手段10が、正常な露光処理時における
露光範囲の外に露光を行なう。請求項4の装置では、リ
ジェクト露光手段10が、正常な露光処理時の露光パタ
ーンを露光しつつステージ3を移動させて異なるパター
ンを露光する。1 and 3 showing an embodiment, the present invention will be described with reference to FIG.
Work state discrimination means 7, 8, 10 for discriminating whether or not the work P carried on is in a state where the exposure process can be performed normally.
It is applied to an exposure apparatus equipped with. The above-described object is to provide the reject exposure unit 10 that exposes the pattern Er1 different from the exposure pattern during the normal exposure process on the work P when it is determined that the work P cannot be normally exposed. It is achieved by providing. The exposure optical system for exposing different patterns may be provided separately from the exposure optical system for performing normal exposure processing, and different patterns are exposed using the exposure optical system for performing normal exposure processing as in the apparatus of claim 2. You may. In the device of claim 3,
The reject exposure unit 10 performs exposure outside the exposure range during normal exposure processing. In the apparatus according to the fourth aspect, the reject exposure unit 10 moves the stage 3 to expose a different pattern while exposing the exposure pattern in the normal exposure process.
【0006】[0006]
【作用】ワーク状態判別手段7,8,10によりワーク
Pが正常に露光処理できない状態にあると判別される
と、リジェクト露光手段10によりワークP上に正常な
露光処理時の露光パターンとは異なるパターンEr1が
露光される。リジェクト露光手段10による露光パター
ンEr1と正常な露光処理での露光パターンとの差を大
きくすれば、現像処理後のワークPを一見しただけで正
常な露光処理がなされているか否かを判別できる。請求
項3の装置では、通常は露光パターンがあり得ない位置
にリジェクト露光手段による露光パターンEr1が形成
される。請求項4の装置では、ステージ3の移動により
正常な露光処理では得られない大きさの露光パターンE
r1が得られる。When the work state determining means 7, 8 and 10 determine that the work P is in a state where the normal exposure processing cannot be performed, the reject exposure means 10 makes an exposure pattern different from the normal exposure pattern on the work P. The pattern Er1 is exposed. If the difference between the exposure pattern Er1 by the reject exposure unit 10 and the exposure pattern in the normal exposure process is increased, it is possible to determine whether or not the normal exposure process is performed just by looking at the work P after the development process. In the apparatus according to the third aspect, the exposure pattern Er1 is formed by the reject exposure means at a position where there is usually no exposure pattern. In the apparatus according to claim 4, the exposure pattern E having a size which cannot be obtained by the normal exposure process due to the movement of the stage 3.
r1 is obtained.
【0007】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段と作用の項では、本発明を分かり易
くするために実施例の図を用いたが、これにより本発明
が実施例に限定されるものではない。Incidentally, in the section of means and action for solving the above problems for explaining the constitution of the present invention, the drawings of the embodiments are used for making the present invention easy to understand. It is not limited to.
【0008】[0008]
【実施例】以下、図1〜図3を参照して本発明の一実施
例を説明する。図1に示すように本実施例の露光装置
は、水銀ランプ等を用いた光源1からの光でレチクルR
を照射してそのパターン像を投影レンズ2によりX−Y
ステージ3上に載置したプレートP上に縮小投影するも
ので、光源1からプレートPに至る光路上には、露光時
間を調整するシャッタ4、レチクルRの照射範囲を調整
するブラインド5が設けられている。X−Yステージ3
は互いに直交する方向へ移動可能な2基のステージを組
合せてプレートPを水平面内の任意位置に移動させるも
ので、その上面にはプレートPを真空吸着する不図示の
ホルダが装着される。X−Yステージ3の側方には、一
対の腕6a(図では一方のみ示す)でプレートPを把持
してホルダに対するプレートPの搬入および搬出を行な
うローダ6が配置される。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. As shown in FIG. 1, the exposure apparatus of the present embodiment uses a light from a light source 1 such as a mercury lamp to reticle R.
And irradiate the pattern image with the projection lens 2 for XY
The image is reduced and projected onto the plate P placed on the stage 3, and a shutter 4 for adjusting the exposure time and a blind 5 for adjusting the irradiation range of the reticle R are provided on the optical path from the light source 1 to the plate P. ing. XY stage 3
Is a combination of two stages movable in directions orthogonal to each other to move the plate P to an arbitrary position in the horizontal plane, and a holder (not shown) for vacuum-sucking the plate P is mounted on the upper surface thereof. A loader 6 that carries the plate P into and out of the holder by gripping the plate P with a pair of arms 6a (only one of which is shown in the figure) is arranged on the side of the XY stage 3.
【0009】10は露光装置の各部を制御する制御回路
であって、この制御回路10にはシャッタ駆動回路1
1、ブラインド駆動回路12、ステージ駆動回路13、
ローダ駆動回路14が接続される。シャッタ駆動回路1
1は制御回路10から指令されるタイミングでシャッタ
4を駆動し、ブラインド駆動回路12は制御回路10か
ら指令される照射範囲に応じてブラインド5の開口量を
調整し、ローダ駆動回路14は制御回路10からの指令
に応答してローダ6のアクチュエータ(不図示)を駆動
する。ステージ駆動回路13は、制御回路10からのス
テージ駆動指令にしたがってX−Yステージ3のアクチ
ュエータ(不図示)を駆動するとともに、制御回路10
からのプレート着脱指令に応答してホルダを駆動する。
ホルダによるプレートPの吸着動作はセンサ7で監視さ
れ、このセンサ7はプレートPが正常に吸着されたとき
所定の吸着完了信号を制御回路10へ出力する。A control circuit 10 controls each part of the exposure apparatus. The control circuit 10 includes a shutter drive circuit 1
1, blind drive circuit 12, stage drive circuit 13,
The loader drive circuit 14 is connected. Shutter drive circuit 1
1 drives the shutter 4 at the timing commanded by the control circuit 10, the blind drive circuit 12 adjusts the opening amount of the blind 5 according to the irradiation range commanded by the control circuit 10, and the loader drive circuit 14 controls the control circuit. In response to a command from 10, the actuator (not shown) of the loader 6 is driven. The stage drive circuit 13 drives an actuator (not shown) of the XY stage 3 according to a stage drive command from the control circuit 10, and at the same time, the control circuit 10
The holder is driven in response to the plate attachment / detachment command from.
The suction operation of the plate P by the holder is monitored by the sensor 7. The sensor 7 outputs a predetermined suction completion signal to the control circuit 10 when the plate P is normally sucked.
【0010】投影レンズ2の側方にはアライメント顕微
鏡8が設けられる。このアライメント顕微鏡8は、X−
Yステージ3上のプレートPに設けたアライメントマー
クの位置を検出し、その座標値を制御回路10へ送出す
る。制御回路10は検出されたアライメントマークの位
置と正規のアライメントマーク位置とのずれ量を算出
し、その結果に応じた量だけX−Yステージ3を駆動す
べくステージ駆動回路13へステージ駆動信号を出力す
る。これによりプレートPのアライメント調整が行なわ
れる。An alignment microscope 8 is provided on the side of the projection lens 2. This alignment microscope 8 has an X-
The position of the alignment mark provided on the plate P on the Y stage 3 is detected, and the coordinate value is sent to the control circuit 10. The control circuit 10 calculates the amount of deviation between the detected alignment mark position and the regular alignment mark position, and sends a stage drive signal to the stage drive circuit 13 to drive the XY stage 3 by an amount according to the result. Output. As a result, the alignment of the plate P is adjusted.
【0011】図2は制御回路10による露光処理手順を
示すフローチャートである。露光すべきパターンに対応
したレチクルRがブラインド5と投影レンズ2との間に
介装され、露光装置の操作盤(不図示)から露光処理が
指令されると図2のプログラムによる処理が開始され
る。ステップS1ではローダ駆動回路14にプレート搬
入命令を出力し、X−Yステージ3上にプレートPを搬
入させる。次のステップS2では吸着動作の経過時間を
計時するタイマを起動し、ステップS3ではX−Yステ
ージ3上のホルダを駆動してプレートPを吸着する。ス
テップS4ではセンサ7からプレートPの吸着完了信号
が出力されたか否かを判断する。吸着未了と判断したと
きはステップS5に進み、ステップS2で起動したタイ
マの計時時間が所定の計時時間に達したか否かを判断す
る。所定の計時時間に達していないと判断したときはス
テップS3へ戻り、プレートPの吸着動作を継続する。FIG. 2 is a flow chart showing an exposure processing procedure by the control circuit 10. The reticle R corresponding to the pattern to be exposed is interposed between the blind 5 and the projection lens 2, and when the exposure process is instructed from the operation panel (not shown) of the exposure apparatus, the process by the program of FIG. 2 is started. It In step S1, a plate loading command is output to the loader driving circuit 14 to load the plate P onto the XY stage 3. In the next step S2, a timer for measuring the elapsed time of the suction operation is started, and in step S3, the holder on the XY stage 3 is driven to suck the plate P. In step S4, it is determined whether the sensor 7 has output a suction completion signal for the plate P. When it is determined that the adsorption is not completed, the process proceeds to step S5, and it is determined whether the time measured by the timer started in step S2 has reached a predetermined time. When it is determined that the predetermined time has not been reached, the process returns to step S3 and the suction operation of the plate P is continued.
【0012】ステップS4で吸着完了と判断したとき
は、ステップS6へ進んでアライメント調整の経過時間
を計時するタイマを起動し、次のステップS7でアライ
メント調整を開始する。ステップS8ではアライメント
顕微鏡8が検出するアライメントマークの位置と正規の
アライメント位置とを比較してアライメント調整が完了
したか否かを判断する。アライメント未了と判断したと
きはステップS9へ進み、ステップS6で起動したタイ
マの計時時間が所定の計時時間に達したか否かを判断す
る。所定の計時時間に達していないと判断したときはス
テップS7へ戻り、アライメント調整を継続する。When it is determined in step S4 that the suction is completed, the process proceeds to step S6, a timer for counting the elapsed time of alignment adjustment is started, and alignment adjustment is started in next step S7. In step S8, the position of the alignment mark detected by the alignment microscope 8 is compared with the regular alignment position to determine whether or not the alignment adjustment is completed. When it is determined that the alignment has not been completed, the process proceeds to step S9, and it is determined whether the time measured by the timer started in step S6 has reached a predetermined time. When it is determined that the predetermined time count has not been reached, the process returns to step S7 and the alignment adjustment is continued.
【0013】ステップS8でアライメント完了と判断し
たときはステップS10へ進み、予め制御回路10に入
力された露光情報にしたがってX−Yステージ3、シャ
ッタ4およびブラインド5を制御してプレートP上の所
定位置にレチクルRのパターン像に応じた露光パターン
を露光する。一方、ステップS5またはステップS9で
タイムアップと判断されたときはステップS11へ進
み、ステップS10での露光処理とは異なるリジェクト
露光処理を行なう。このリジェクト露光処理では、シャ
ッタ4を開放しかつブラインド5を全開した状態で、図
3に示すように「X」状の露光パターンEr1がプレー
トP上に形成されるようにX−Yステージ3を駆動す
る。なお図3において点線で示す範囲ZsはX−Yステ
ージ3を停止した状態でブラインド5を全開したときの
露光範囲であり、ステップS10の正常露光処理では、
かかる範囲Zs内での露光とX−Yステージ3の移動と
を交互に繰り返してレチクルRのパターン像を多数形成
する。When it is determined in step S8 that the alignment is completed, the process proceeds to step S10, in which the XY stage 3, the shutter 4 and the blind 5 are controlled according to the exposure information previously input to the control circuit 10 to control the predetermined position on the plate P. An exposure pattern corresponding to the pattern image of the reticle R is exposed at the position. On the other hand, when it is determined in step S5 or step S9 that the time is up, the process proceeds to step S11, and a reject exposure process different from the exposure process in step S10 is performed. In this reject exposure process, the XY stage 3 is moved so that the “X” -shaped exposure pattern Er1 is formed on the plate P as shown in FIG. To drive. The range Zs shown by the dotted line in FIG. 3 is the exposure range when the blind 5 is fully opened while the XY stage 3 is stopped, and in the normal exposure process of step S10,
A large number of pattern images of the reticle R are formed by alternately repeating the exposure within the range Zs and the movement of the XY stage 3.
【0014】ステップS10またはステップS11によ
る露光処理を終えた後は、ステップS12へ進み、ホル
ダからプレートを開放してローダ6によりプレートPを
X−Yステージ3から搬出する。搬出したプレートPは
現像処理工程に送る。After the exposure process in step S10 or step S11 is completed, the process proceeds to step S12, the plate is released from the holder, and the plate P is unloaded from the XY stage 3 by the loader 6. The carried-out plate P is sent to the development processing step.
【0015】以上の処理手順では、反り等の変形によっ
てプレートPをホルダに吸着できない場合はステップS
4が否定され続け、タイムアップによりステップS5が
肯定されてステップS11でリジェクト露光処理が行な
われ、ステップS12でプレートPが搬出される。ま
た、アライメントマークの欠損やプレートPの汚れによ
りアラメント顕微鏡8がアライメントマークを検出でき
ない場合、およびアライメントのずれ量が調整可能な範
囲を越えている場合はステップS8が否定され続け、タ
イムアップによりステップS9が肯定されてステップS
11でリジェクト露光処理が行なわれ、ステップS12
でプレートPが搬出される。図3から明らかなように、
リジェクト露光処理による露光パターンEr1は正常な
露光処理による露光パターンと全く異なるので、現像処
理後に一見しただけで正常な露光処理がされていないこ
とを判別できる。本実施例ではリジェクト露光処理した
プレートPと、正常に露光処理したプレートとを区別す
ることなく現像工程へ送るので、正常に露光処理できな
かったプレート専用のキャリアを用意する必要がなく、
装置の専有面積は何等増加しない。In the above processing procedure, if the plate P cannot be attracted to the holder due to deformation such as warpage, step S
4 continues to be denied, step S5 is affirmed due to time-up, the reject exposure process is performed in step S11, and the plate P is unloaded in step S12. Further, when the alignment microscope 8 cannot detect the alignment mark due to the loss of the alignment mark or the contamination of the plate P, and when the amount of alignment deviation exceeds the adjustable range, step S8 continues to be denied, and step S8 is performed due to time-up. If S9 is positive, step S
Rejection exposure processing is performed in step 11, and step S12
The plate P is unloaded. As is clear from FIG.
Since the exposure pattern Er1 by the reject exposure process is completely different from the exposure pattern by the normal exposure process, it is possible to determine that the normal exposure process has not been performed at a glance after the development process. In this embodiment, since the plate P subjected to the reject exposure process and the plate subjected to the normal exposure process are sent to the developing process without being distinguished from each other, it is not necessary to prepare a carrier for exclusive use of the plate which cannot be normally subjected to the exposure process.
The area occupied by the equipment does not increase at all.
【0016】本実施例では、X−Yステージ3を移動さ
せつつリジェクト露光処理を行なっているので、一回の
正常な露光処理では得られない大きさの露光パターンE
r1を露光でき、プレートの判別が一層容易となる。た
だし、本発明はこのような態様に限るものではなく、正
常な露光処理時の露光パターンとの相違を現像後に目視
で把握できるようなパターンであれば種々変更可能であ
る。正常な露光処理による露光範囲が図3の2点鎖線で
囲まれた範囲Za内であるとしたとき、かかる範囲Za
の外にリジェクト露光処理の露光パターンが形成される
ようにすれば、通常は露光パターンがあり得ない箇所に
露光パターンが存在することになるのでリジェクト露光
処理されたプレートPの判別が一層容易となる。この
点、図3に示すように正常な露光パターンの露光範囲Z
aの内外にかけてリジェクト露光処理を行なう例に限ら
ず、例えば図4に示すように範囲Zaの外側にのみリジ
ェクト露光処理による露光パターンEr2を形成しても
よい。リジェクト露光処理に用いる露光光学系は、正常
な露光処理を行なう露光光学系とは別に設けてもよい。In this embodiment, since the reject exposure process is performed while moving the XY stage 3, the exposure pattern E having a size that cannot be obtained by one normal exposure process.
r1 can be exposed and the plate can be more easily identified. However, the present invention is not limited to such an aspect, and various changes can be made as long as the pattern can be visually recognized after development, which is different from the exposure pattern during normal exposure processing. Assuming that the exposure range by the normal exposure process is within the range Za surrounded by the chain double-dashed line in FIG.
If the exposure pattern of the reject exposure process is formed outside the area, the exposure pattern exists at a position where the exposure pattern cannot normally exist, so that the plate P subjected to the reject exposure process can be more easily discriminated. Become. In this respect, the exposure range Z of a normal exposure pattern as shown in FIG.
The exposure pattern Er2 is not limited to the example in which the reject exposure process is performed inside and outside a, but the exposure pattern Er2 may be formed by the reject exposure process only outside the range Za as shown in FIG. The exposure optical system used for the reject exposure processing may be provided separately from the exposure optical system that performs normal exposure processing.
【0017】リジェクト露光処理の露光時間について
は、正常な露光処理を行なうときの露光時間より長く設
定するとよい。露光時間が長くなればそれに応じてプレ
ートP上に形成される露光パターンが拡大するので、正
常な露光処理による露光パターンとリジェクト露光処理
による露光パターンとの差が一層鮮明となる。The exposure time of the reject exposure process may be set longer than the exposure time of the normal exposure process. As the exposure time becomes longer, the exposure pattern formed on the plate P expands accordingly, so that the difference between the exposure pattern by the normal exposure process and the exposure pattern by the reject exposure process becomes more distinct.
【0018】実施例ではプレートPをワークとする露光
装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、ウエハや
その他種々のワーク上のレジストに対して光学的にパタ
ーンを形成するあらゆる露光装置に適用される。In the embodiment, the exposure apparatus using the plate P as a work is taken as an example, but the present invention is not limited to this, and any exposure that optically forms a pattern on a resist on a wafer or other various works. Applies to equipment.
【0019】以上の実施例では、センサ7、アライメン
ト顕微鏡8および制御回路10がワーク状態判別手段
を、制御回路10がリジェクト露光処理手段を構成す
る。In the above embodiment, the sensor 7, the alignment microscope 8 and the control circuit 10 constitute the work state determining means, and the control circuit 10 constitutes the reject exposure processing means.
【0020】[0020]
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、リジ
ェクト露光手段による露光パターンと正常な露光処理時
の露光パターンとの差を大きく設定することにより、現
像処理後にワークを一見しただけで正常な露光処理がな
されているか否かを判別できるようになるので、正常に
露光処理できなかったワークを現像直後の段階で取り除
いて無駄時間や無駄費用の発生を最小限に止めることが
できる。正常に露光処理できなかったプレート専用のキ
ャリアを増設する必要がないので、装置の専有面積が増
加することもない。この点、請求項2の装置のように露
光光学系を共通とすれば、装置の専有面積の増加が一層
確実に防止される。請求項3の装置では、リジェクト露
光手段により、通常は露光パターンがあり得ない位置に
露光パターンが形成されるので、正常に露光処理できな
かったプレートの判別が一層容易となる。請求項4の装
置では、ステージの移動により1回の正常な露光処理で
は得られない大きさの露光パターンを露光でき、正常に
露光処理できなかったプレートの判別が一層容易とな
る。As described above, according to the present invention, by setting a large difference between the exposure pattern by the reject exposure means and the exposure pattern at the time of normal exposure processing, it is possible to normalize the work only at a glance after the development processing. Since it is possible to determine whether or not various exposure processes have been performed, it is possible to remove the work that could not be normally exposed at the stage immediately after development to minimize the generation of dead time and cost. Since it is not necessary to add a carrier dedicated to the plate that could not be normally exposed, the area occupied by the apparatus does not increase. In this respect, if the exposure optical system is common as in the apparatus of claim 2, the increase of the area occupied by the apparatus can be prevented more reliably. In the apparatus according to the third aspect, since the exposure pattern is formed by the reject exposure means at a position where there is usually no exposure pattern, it is easier to discriminate the plate that could not be normally exposed. In the apparatus according to the fourth aspect, it is possible to expose an exposure pattern having a size that cannot be obtained by one normal exposure process by moving the stage, and it becomes easier to discriminate a plate that has not been normally exposed.
【図1】本発明の一実施例の全体構成を示す図。FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of an embodiment of the present invention.
【図2】図1の制御回路による露光処理の手順を示すフ
ローチャート。FIG. 2 is a flowchart showing a procedure of exposure processing by the control circuit of FIG.
【図3】図1の装置でリジェクト露光処理されたプレー
トの平面図。3 is a plan view of a plate that has been subjected to reject exposure processing by the apparatus of FIG.
【図4】図3の変形例を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a modification of FIG.
3 X−Yステージ 7 センサ 8 アライメント顕微鏡 10 制御回路 P プレート R レチクル 3 XY stage 7 sensor 8 alignment microscope 10 control circuit P plate R reticle
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G06F 15/46 7218−5L H01L 21/66 J 7377−4M ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI Technical display location G06F 15/46 7218-5L H01L 21/66 J 7377-4M
Claims (4)
露光処理できる状態にあるか否かを判別するワーク状態
判別手段を備えた露光装置において、 前記ワークが正常に露光処理できない状態にあると判別
されたとき、前記ワークに対して正常な露光処理時の露
光パターンとは異なるパターンを露光するリジェクト露
光手段を設けたことを特徴とする露光装置。1. An exposure apparatus having a work state determination means for determining whether or not a work carried in on a stage is in a state in which normal exposure processing can be performed, and when the work is in a state in which normal exposure processing cannot be performed. An exposure apparatus comprising: a reject exposure unit that exposes a pattern different from an exposure pattern at the time of a normal exposure process on the work when determined.
露光処理を行なう露光光学系を用いて前記異なるパター
ンを露光することを特徴とする請求項1記載の露光装
置。2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the reject exposure unit exposes the different pattern by using an exposure optical system that performs the normal exposure process.
処理時における露光範囲の外に露光を行なうことを特徴
とする請求項1または2記載の露光装置。3. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the reject exposure means performs exposure outside the exposure range during normal exposure processing.
処理時の露光パターンを露光しつつ前記ステージを移動
させて前記異なるパターンを露光することを特徴とする
請求項1〜3のいずれかに記載の露光装置。4. The reject exposure means exposes the different pattern by moving the stage while exposing the exposure pattern at the time of normal exposure processing. Exposure equipment.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33075292A JP3198309B2 (en) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | Exposure apparatus, exposure method and work processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33075292A JP3198309B2 (en) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | Exposure apparatus, exposure method and work processing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06177005A true JPH06177005A (en) | 1994-06-24 |
JP3198309B2 JP3198309B2 (en) | 2001-08-13 |
Family
ID=18236158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP33075292A Expired - Lifetime JP3198309B2 (en) | 1992-12-10 | 1992-12-10 | Exposure apparatus, exposure method and work processing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3198309B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10209623B2 (en) | 2003-10-09 | 2019-02-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
-
1992
- 1992-12-10 JP JP33075292A patent/JP3198309B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10209623B2 (en) | 2003-10-09 | 2019-02-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
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Publication number | Publication date |
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