JPH1064809A - Device and method for exposure - Google Patents
Device and method for exposureInfo
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- JPH1064809A JPH1064809A JP8239716A JP23971696A JPH1064809A JP H1064809 A JPH1064809 A JP H1064809A JP 8239716 A JP8239716 A JP 8239716A JP 23971696 A JP23971696 A JP 23971696A JP H1064809 A JPH1064809 A JP H1064809A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置及び露光
方法に係り、更に詳しくは半導体メモリあるいは液晶表
示基板(LCDパネル)等の製造におけるフォトリソグ
ラフィ工程で使用される露光装置及び露光方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus and an exposure method, and more particularly, to an exposure apparatus and an exposure method used in a photolithography process in manufacturing a semiconductor memory or a liquid crystal display substrate (LCD panel).
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、半導体素子や液晶表示素子等
の製造過程中のフォトリソグラフィ工程においては、マ
スク上に形成された回路パターンを投影光学系を介して
ウエハやプレート等の感光基板上に投影露光する投影露
光装置が用いられている。この投影露光装置の一つとし
て、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影型露光
装置、即ちいわゆるステッパーが比較的多く用いられて
いる。2. Description of the Related Art Conventionally, in a photolithography process during the manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a circuit pattern formed on a mask is projected onto a photosensitive substrate such as a wafer or a plate via a projection optical system. A projection exposure apparatus that performs projection exposure is used. As one of the projection exposure apparatuses, a step-and-repeat type reduction projection type exposure apparatus, that is, a so-called stepper is used relatively frequently.
【0003】このステッパーは、1つのマスク(レチク
ル)のパターン全体を内包し得る露光フィールドを持っ
た投影光学系を介して感光基板をステップ・アンド・リ
ピート方式で露光するものである。このステッパーは、
スキャン露光方式を採用したアライナー等に比べて解像
力、重ね合せ精度等が高いという利点がある。This stepper exposes a photosensitive substrate by a step-and-repeat method via a projection optical system having an exposure field that can include the entire pattern of one mask (reticle). This stepper
There is an advantage that resolution, overlay accuracy, and the like are higher than an aligner or the like employing a scan exposure method.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のステッ
パーでは、感光基板上のショット領域を順次露光するた
め、直交二軸方向に移動可能な基板ステージが設けられ
ているが、このステージの位置決めサーボ時には、目標
位置とステージの位置を計測する干渉計の出力値である
現在位置との誤差が所定時間以上所定値以内に収まった
ときに位置決め完了と判断し、その直後に露光が行なわ
れていた。しかしながら、上述した従来のステッパーで
は、基板ステージの位置決めが完了した後、露光中のス
テージの振動量を監視していなかったことから、ステー
ジ制御系の異常、あるいは露光中の装置内の他部の動作
若しくは外部からの振動等の外乱により露光中にステー
ジの位置ずれ等が発生し、このため露光不良となった感
光基板(デバイス)をそのまま次工程に進ませるという
不都合があった。In the above-described conventional stepper, a substrate stage movable in two orthogonal axes is provided for sequentially exposing a shot area on a photosensitive substrate. Sometimes, when the error between the target position and the current position, which is the output value of the interferometer that measures the position of the stage, is within a predetermined value for a predetermined time or more, it is determined that the positioning is complete, and immediately after that, exposure was performed. . However, in the conventional stepper described above, since the vibration amount of the stage during exposure is not monitored after the positioning of the substrate stage is completed, an abnormality in the stage control system or other parts in the apparatus during exposure is not performed. A stage displacement or the like occurs during exposure due to an operation or a disturbance such as vibration from the outside, so that a photosensitive substrate (device) having an exposure failure has an inconvenience of proceeding to the next step as it is.
【0005】本発明は、かかる従来技術の有する不都合
に鑑みてなされたもので、請求項1ないし4に記載の発
明の目的は、露光不良の発生した感光基板が次の処理工
程へ進むのを事前に回避することができる露光装置を提
供することにある。The present invention has been made in view of the disadvantages of the prior art, and an object of the present invention is to prevent a photosensitive substrate having an exposure defect from proceeding to the next processing step. An object of the present invention is to provide an exposure apparatus which can be avoided in advance.
【0006】また、請求項5に記載の発明の目的は、露
光不良の発生した感光基板が次の処理工程へ進むのを事
前に回避することができる露光方法を提供することにあ
る。Another object of the present invention is to provide an exposure method capable of preventing a photosensitive substrate having an exposure failure from proceeding to the next processing step in advance.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、感光基板を所定の露光位置に位置決めした状態でマ
スク(R)に形成されたパターンの像を投影光学系(P
L)を介して前記感光基板(52)上に投影露光する露
光装置であって、前記マスク(R)を照明する照明系
(40)と;前記マスクを保持する保持手段(11)
と;前記マスクのパターンを結像面に投影する投影光学
系(PL)と;前記感光基板を前記結像面に保持すると
ともに前記投影光学系の光軸に直交する面内で移動する
基板ステージ(64)と;前記基板ステージの位置を計
測する位置計測手段(56)と;目標位置と前記位置計
測手段の出力とに基づいて前記基板ステージを露光位置
に位置決めするステージ制御手段(76-1)と;前記基
板ステージの位置決め完了後、前記照明系から前記マス
クに対する照明光の照射を開始し所定時間後に終了する
照明系制御手段(76-1)と;前記照明系制御手段によ
る前記マスクに対する照明光の照射開始から終了までの
間の露光中に、前記位置計測手段(56)を介して前記
基板ステージの位置座標を逐次モニタするとともに、こ
のモニタ結果に基づいて露光時における目標座標と現在
位置座標との偏差が許容範囲内にあるか否かを判断し、
許容範囲外である場合に異常信号を発する異常判別手段
(76-1)とを有する。According to the first aspect of the present invention, an image of a pattern formed on a mask (R) is projected on a projection optical system (P) while a photosensitive substrate is positioned at a predetermined exposure position.
L) an exposure system for projecting and exposing the photosensitive substrate (52) onto the photosensitive substrate (52), the illumination system (40) illuminating the mask (R); and holding means (11) for holding the mask.
A projection optical system (PL) for projecting the pattern of the mask onto an imaging surface; and a substrate stage that holds the photosensitive substrate on the imaging surface and moves in a plane perpendicular to the optical axis of the projection optical system. (64); position measuring means (56) for measuring the position of the substrate stage; and stage control means (76-1) for positioning the substrate stage at an exposure position based on a target position and an output of the position measuring means. After the positioning of the substrate stage is completed, illumination system control means (76-1) which starts irradiating the mask with illumination light from the illumination system and ends after a predetermined time; and During the exposure from the start to the end of the irradiation of the illumination light, the position coordinates of the substrate stage are sequentially monitored via the position measuring means (56), and based on the monitoring result. And determine whether the deviation between the target coordinates and the current position coordinates at the time of exposure is within an allowable range,
An abnormality determining means (76-1) for issuing an abnormality signal when the value is outside the allowable range.
【0008】これによれば、露光開始に際して、ステー
ジ制御手段に目標位置の指令が与えられると、ステージ
制御手段では、この目標位置と位置計測手段の出力とに
基づいて基板ステージを露光位置に位置決めする。この
位置決めの完了後、照明系制御手段により、照明系から
マスクに対する照明光の照射が開始され、これにより、
マスクのパターンが投影光学系を介して感光基板上に投
影露光される。そして、所定時間後に露光が終了する。
この露光中に、異常判別手段では、位置計測手段を介し
て基板ステージの位置座標を逐次モニタするとともに、
このモニタ結果に基づいて露光時における目標座標と現
在位置座標との偏差が許容範囲内にあるか否かを判断
し、許容範囲外である場合に異常信号を発する。このた
め、ステージ制御手段の異常又は何らかの外乱により露
光中の基板ステージの目標位置に対する位置偏差が許容
範囲を超えた場合には、異常判別手段により異常判別が
なされ、異常信号が発せられる。従って、この異常信号
に基づいて装置を緊急停止し、その基板ステージの位置
誤差により露光不良が発生した感光基板を速やかに取り
除くことが可能になる。また、この露光不良の感光基板
の取り除きとともに装置を修理・調整してもよい。According to this, when a target position command is given to the stage control means at the start of exposure, the stage control means positions the substrate stage at the exposure position based on the target position and the output of the position measurement means. I do. After the completion of the positioning, the illumination system control means starts irradiating the mask with illumination light from the illumination system.
The pattern of the mask is projected and exposed on a photosensitive substrate via a projection optical system. Then, after a predetermined time, the exposure ends.
During this exposure, the abnormality determination means sequentially monitors the position coordinates of the substrate stage via the position measurement means,
Based on the monitoring result, it is determined whether or not the deviation between the target coordinates and the current position coordinates at the time of exposure is within an allowable range. If the deviation is outside the allowable range, an abnormal signal is issued. Therefore, when the position deviation of the substrate stage during exposure from the target position exceeds the allowable range due to an abnormality of the stage control means or some disturbance, the abnormality determination means makes an abnormality determination and issues an abnormality signal. Therefore, it is possible to stop the apparatus urgently based on this abnormal signal and quickly remove the photosensitive substrate on which the exposure failure has occurred due to the positional error of the substrate stage. In addition, the apparatus may be repaired and adjusted while removing the photosensitive substrate having the exposure failure.
【0009】この場合において、異常判別手段(76-
1)では、例えば所定のサンプリング時間間隔毎に取り
込んだ位置データのそれぞれについての位置偏差の単純
平均(相加平均)値、最大位置偏差と最小位置偏差の
差、あるいは偏差の自乗の相加平均の平方根等に基づい
て位置偏差が許容範囲を超えたか否かの判断をするよう
にしてもよい。In this case, the abnormality determining means (76-
In 1), for example, a simple average (arithmetic mean) value of the position deviation, a difference between the maximum position deviation and the minimum position deviation, or an arithmetic mean of the square of the deviation for each of the position data acquired at predetermined sampling time intervals. It may be determined whether or not the position deviation has exceeded the allowable range based on the square root of.
【0010】この場合において、異常判別手段による異
常の判別は、露光の終了後に行ってよく、この場合も異
常信号に基づく装置の緊急停止、感光基板の交換等は勿
論可能であるが、請求項2に記載の発明の如く、照明系
制御手段(76-1)によるマスク(R)に対する照明光
の照射開始・停止の制御は照明系(40)内に設けられ
たシャッタ(16)の開閉により行い、異常判別手段
(76-1)が、シャッタの閉開始から閉終了までの間に
前記異常判別を終了するようにすることもできる。この
ようにすれば、異常判別手段によりシャッタの閉開始か
ら閉終了までの間に異常判別がなされるので、露光が終
了した時点では異常判別が完了しており、シャッタ閉終
了後に異常判別を行う場合に比べてスループットの向上
を図ることが可能になる。In this case, the determination of the abnormality by the abnormality determining means may be performed after the end of the exposure. In this case as well, the emergency stop of the apparatus and the replacement of the photosensitive substrate based on the abnormality signal can be performed. As in the invention described in Item 2, the control of the start / stop of irradiation of the illumination light to the mask (R) by the illumination system control means (76-1) is performed by opening and closing a shutter (16) provided in the illumination system (40). Then, the abnormality determination means (76-1) may terminate the abnormality determination from the start of closing of the shutter to the end of closing. With this configuration, the abnormality determination is performed by the abnormality determination unit during the period from the start to the closing of the shutter. Therefore, the abnormality determination is completed when the exposure is completed, and the abnormality determination is performed after the shutter is closed. It is possible to improve the throughput as compared with the case.
【0011】ここで、シャッタとは閉開始から閉終了ま
でに一定時間を要する光路開閉手段の代表例であって、
同等の機能を有するものであれば、可動ブラインド等も
含む概念である。Here, the shutter is a typical example of an optical path opening / closing means that requires a certain time from the start of closing to the end of closing.
The concept includes a movable blind and the like as long as it has the same function.
【0012】この場合、照明系制御手段からのシャッタ
閉開始の信号に基づいて、異常判別手段では異常判別動
作を開始するようにしても特に問題はないが、請求項3
に記載の発明の如く、シャッタ(16)の開状態におけ
る照明光の光量を検出する光センサ(38)を更に設
け、異常判別手段が、光センサの出力に基づいて基板ス
テージの位置座標のモニタを終了して前記異常判別を実
行するようにすることもできる。このようにすれば、露
光が開始されシャッタが「開」状態になると、そのとき
の照明光の光量が光センサによって検出され、異常判別
手段では、この光センサの出力に基づいて基板ステージ
の位置座標のモニタを終了して異常判別を実行する。例
えば、異常判別手段では、光センサの検出光量が、ある
値を超えてから再び下がるまでの間ステージの位置座標
のモニタを実施し、ある値以下に下がった後、このモニ
タ結果に基づいて異常の判断を実施するようにしてもよ
い。この場合も照明系制御手段によってシャッタが完全
に閉じられる前に、判別手段ではモニタ結果に基づいて
異常の判断を実施するため、処理能力(スループット)
の低下を抑えることができる。In this case, there is no particular problem if the abnormality determination means starts the abnormality determination operation based on a shutter closing start signal from the illumination system control means.
As described above, an optical sensor (38) for detecting the amount of illumination light when the shutter (16) is open is further provided, and the abnormality determining means monitors the position coordinates of the substrate stage based on the output of the optical sensor. May be terminated to execute the abnormality determination. With this configuration, when the exposure is started and the shutter is opened, the light amount of the illumination light at that time is detected by the optical sensor, and the abnormality determining means determines the position of the substrate stage based on the output of the optical sensor. The coordinate monitoring is terminated, and the abnormality is determined. For example, the abnormality determining means monitors the position coordinates of the stage from when the amount of light detected by the optical sensor exceeds a certain value to when it falls again, and after it falls below a certain value, an abnormality is determined based on the monitoring result. May be performed. Also in this case, before the shutter is completely closed by the illumination system control means, the determination means makes an abnormality determination based on the monitoring result, so that the processing capacity (throughput)
Can be suppressed.
【0013】上記いずれの場合にも、前述した如く、判
別手段によって異常信号が発せられたときに、装置を直
ちに停止するようにすることは可能であるが、使用条件
により、あるいは使用者によっては装置を停止すること
なく、感光基板のみを取り替えて露光を続行したい場合
もある。In any of the above cases, as described above, it is possible to immediately stop the apparatus when an abnormal signal is issued by the determination means, but depending on the use conditions or the user, In some cases, it is desired to replace only the photosensitive substrate and continue exposure without stopping the apparatus.
【0014】かかる場合に、請求項4に記載の発明の如
く、前記感光基板(52)を搬送する搬送手段(54、
76-2)と、前記異常信号に基づいて搬送手段を介して
基板を交換する搬送制御手段(74)とを更に設けるこ
とが望ましい。このようにすれば、判別手段により異常
が判別され、異常信号が発せられた場合に、搬送制御手
段ではこの異常信号に基づいて搬送手段を介して基板を
交換する。このため、装置を停止することなく、次の基
板に対し露光が続行される。ここで、交換され装置外に
排出(リジェクト)された基板については何らかの履歴
を残し、後にオペレータが確認(認識)できるようにし
ても良い。In such a case, the transport means (54, 54) for transporting the photosensitive substrate (52) may be configured as described above.
76-2) and a transfer control means (74) for exchanging the substrate via the transfer means based on the abnormality signal. With this configuration, when an abnormality is determined by the determination unit and an abnormality signal is issued, the transfer control unit replaces the substrate via the transfer unit based on the abnormality signal. Therefore, the exposure of the next substrate is continued without stopping the apparatus. Here, some history may be left for the board that has been exchanged and ejected (rejected) out of the apparatus so that the operator can confirm (recognize) it later.
【0015】請求項5に記載の発明は、感光基板を所定
の露光位置に位置決めした状態でマスクに形成されたパ
ターンの像を投影光学系を介して前記感光基板上に投影
露光する露光方法であって、前記感光基板の決め完了
後、露光開始から露光終了までの間に、前記感光基板の
位置座標を逐次モニタする第1工程と;前記第1工程に
おけるモニタ結果に基づいて露光時における目標座標と
現在位置座標との偏差が許容範囲内にあるか否かを判断
し、許容範囲外である場合に異常と判別して警告を発
し、あるいは現露光中の感光基板を別の基板と交換する
第2工程とを含む。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an exposure method for projecting and exposing a pattern image formed on a mask onto the photosensitive substrate via a projection optical system while the photosensitive substrate is positioned at a predetermined exposure position. A step of sequentially monitoring the position coordinates of the photosensitive substrate from the start of exposure to the end of exposure after the completion of the determination of the photosensitive substrate; and a target at the time of exposure based on the monitoring result in the first step. Determines whether the deviation between the coordinates and the current position coordinates is within the allowable range, and if it is outside the allowable range, determines that it is abnormal and issues a warning, or replaces the photosensitive substrate currently being exposed with another substrate And a second step.
【0016】これによれば、露光開始に際して、基板ス
テージが露光位置に位置決めされ、この位置決めの完了
後、マスクのパターンが投影光学系を介して感光基板上
に投影露光される。この露光開始から露光終了までの間
に、感光基板の位置座標が逐次モニタされる。そして、
このモニタ結果に基づいて露光時における目標座標と現
在位置座標との偏差が許容範囲内にあるか否かが判断さ
れ、許容範囲外である場合に異常と判別して警告が発せ
られ、あるいは現露光中の感光基板が別の基板と交換さ
れる。従って、この異常警告に基づいて露光処理を中止
したり、あるいは感光基板を交換する場合には、そのま
ま露光処理を続行することができる。According to this, at the start of exposure, the substrate stage is positioned at the exposure position, and after this positioning is completed, the mask pattern is projected and exposed on the photosensitive substrate via the projection optical system. During the period from the start of the exposure to the end of the exposure, the position coordinates of the photosensitive substrate are sequentially monitored. And
Based on the monitor result, it is determined whether or not the deviation between the target coordinates and the current position coordinates at the time of exposure is within an allowable range. If the deviation is out of the allowable range, it is determined that an error has occurred, and a warning is issued, or The photosensitive substrate being exposed is replaced with another substrate. Therefore, when the exposure process is stopped or the photosensitive substrate is replaced based on the abnormality warning, the exposure process can be continued.
【0017】[0017]
《第1の実施形態》以下、本発明の第1の実施形態を図
1ないし図5に基づいて説明する。<< First Embodiment >> A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【0018】図1には、第1の実施形態に係る露光装置
10の全体構成が概略的に示されている。この露光装置
10は、いわゆるステップ・アンド・リピート方式の縮
小投影型露光装置(いわゆるステッパー)である。この
露光装置10は、照明系40、保持手段としてのレチク
ルホルダ11、投影光学系PL、ステージ装置50、及
び制御系等を有している。FIG. 1 schematically shows the entire configuration of an exposure apparatus 10 according to the first embodiment. The exposure apparatus 10 is a so-called step-and-repeat type reduction projection type exposure apparatus (so-called stepper). The exposure apparatus 10 includes an illumination system 40, a reticle holder 11 as a holding unit, a projection optical system PL, a stage device 50, a control system, and the like.
【0019】照明系40は、水銀ランプ12、楕円鏡1
4、光路開閉手段の一種であるロータリーシャッタ1
6、ミラー18、インプットレンズ20、フライアイレ
ンズ系22、ビームスプリッタ24、レンズ系26、レ
チクルブラインド28、レンズ系30、ミラー32、及
びメインコンデンサレンズ34を含んで構成されてい
る。ここで、この照明系の構成各部についてその作用と
共に詳述する。The illumination system 40 includes a mercury lamp 12, an elliptical mirror 1
4. Rotary shutter 1 which is a kind of optical path opening / closing means
6, a mirror 18, an input lens 20, a fly-eye lens system 22, a beam splitter 24, a lens system 26, a reticle blind 28, a lens system 30, a mirror 32, and a main condenser lens 34. Here, each component of the illumination system will be described in detail together with its operation.
【0020】水銀ランプ12からの露光用照明光は楕円
鏡14でその第2焦点に集光される。この第2焦点近傍
には、モータ36によって照明光の遮断と透過とを切り
替えるロータリーシャッタ(以下、適宜「シャッタ」と
いう)16が配置されており、当該シャッタ16が
「開」状態のとき、シャッタ部分を通過した照明光束は
ミラー18で反射され、インプットレンズ20を介して
フライアイレンズ系22に入射する。The illumination light for exposure from the mercury lamp 12 is condensed by the elliptical mirror 14 at its second focal point. In the vicinity of the second focal point, a rotary shutter (hereinafter, appropriately referred to as “shutter”) 16 that switches between blocking and transmission of illumination light by a motor 36 is disposed. When the shutter 16 is in an “open” state, the shutter is closed. The illumination light beam passing through the portion is reflected by the mirror 18 and enters the fly-eye lens system 22 via the input lens 20.
【0021】このフライアイレンズ系22は、照明光の
露光範囲内の照度ムラを防止するためのもので、このフ
ライアイレンズ系22の射出側には、多数の2次光源像
が形成され、各2次光源像からの照明光はビームスプリ
ッタ24を介してレンズ系(コンデンサレンズ)26に
入射する。The fly-eye lens system 22 is for preventing illuminance unevenness within the exposure range of the illumination light. A large number of secondary light source images are formed on the exit side of the fly-eye lens system 22. Illumination light from each secondary light source image enters a lens system (condenser lens) 26 via a beam splitter 24.
【0022】レンズ系26の後側焦点面には、所定形状
の開口を有するレチクルブラインド28が配置されてい
る。この開口の形状は、投影光学系PLの円形イメージ
フィールドIF内に包含されるように設定されている。At the rear focal plane of the lens system 26, a reticle blind 28 having an opening of a predetermined shape is arranged. The shape of this opening is set so as to be included in the circular image field IF of the projection optical system PL.
【0023】レンズ系26を通過した照明光は、レチク
ルブラインド28の位置では均一な照度分布となってお
り、この照明光は、その後レチクルブラインド28の開
口を通過し、レンズ系30、ミラー32、及びメインコ
ンデンサレンズ34を介して当該コンデンサレンズ34
と投影光学系PLとの間に配設されたマスクとしてのレ
チクルRを照射する。これにより、レチクルブラインド
28の開口の像がレチクルR下面のパターン面に結像さ
れる。The illumination light that has passed through the lens system 26 has a uniform illuminance distribution at the position of the reticle blind 28, and this illumination light then passes through the opening of the reticle blind 28, and passes through the lens system 30, the mirror 32, And the condenser lens 34 via the main condenser lens 34
Irradiate a reticle R as a mask disposed between the reticle R and the projection optical system PL. Thus, an image of the opening of the reticle blind 28 is formed on the pattern surface on the lower surface of the reticle R.
【0024】ここで、本実施形態では、フライアイレン
ズ系22とレンズ系26との間に、ビームスプリッタ2
4(このビームスプリッタ24は、露光用照明光を約9
5パーセント以上透過させる)が配置されており、この
ビームスプリッタ24によって取り出された照明光束の
一部の光量が光センサとしてのインテグレータセンサ3
8で検出されるようになっている。このインテグレータ
センサ38の検出信号は、ステージコントローラ76-1
に供給される。In this embodiment, the beam splitter 2 is disposed between the fly-eye lens system 22 and the lens system 26.
4 (this beam splitter 24 emits about 9
5% or more), and the light amount of a part of the illumination light beam extracted by the beam splitter 24 is changed to an integrator sensor 3 as an optical sensor.
8 to be detected. The detection signal of the integrator sensor 38 is transmitted to the stage controller 76-1.
Supplied to
【0025】前記レチクルホルダ11は、不図示のバキ
ュームチャック等を介してマスクとしてのレチクルRを
投影光学系PLの光軸AXに直交する面内で保持してお
り、不図示の駆動系によって光軸AXに直交するXY面
内で微動可能に構成されている。ここでは、このレチク
ルホルダ11は、レチクルR上の回路パターンの中心
(レチクルセンタ)がほぼ光軸AXに一致するように位
置決めされている。The reticle holder 11 holds a reticle R as a mask in a plane perpendicular to the optical axis AX of the projection optical system PL via a vacuum chuck or the like (not shown). It is configured to be finely movable in an XY plane orthogonal to the axis AX. Here, the reticle holder 11 is positioned such that the center (reticle center) of the circuit pattern on the reticle R substantially coincides with the optical axis AX.
【0026】前記投影光学系PLは、少なくとも像面側
がテレセントリック、例えば両側テレセントリックで、
所定の縮小倍率、例えば1/5の屈折素子のみ、あるい
は屈折素子と反射素子との組み合わせで構成されてい
る。この投影光学系PLの光軸AXは鉛直軸(Z軸)方
向とされている。このため、照明系40からの露光用照
明光によりレチクルRが照明されると、この投影光学系
PLを介して回路パターンの1/5縮小像が結像面に結
像される。In the projection optical system PL, at least the image plane side is telecentric, for example, both-side telecentric.
It is composed of only a refraction element having a predetermined reduction ratio, for example, 1/5, or a combination of a refraction element and a reflection element. The optical axis AX of the projection optical system PL is set to a vertical axis (Z axis) direction. Therefore, when the reticle R is illuminated by the exposure illumination light from the illumination system 40, a 1/5 reduced image of the circuit pattern is formed on the image forming plane via the projection optical system PL.
【0027】前記ステージ装置50は、不図示のベース
上を光軸AXに直交する水平面内でY軸方向(図1にお
ける紙面直交方向)に移動可能なYステージ48Yと、
このYステージ48Y上をY軸に直交するX軸方向(図
1における紙面平行方向)に移動可能なXステージ48
Xと、このXステージ上に搭載され,投影光学系PLの
光軸AX方向(Z軸方向)に微動可能な基板ステージと
してのZステージ64とを備えている。これら3つのス
テージ48Y、48X、64は、駆動系58によって駆
動される。The stage device 50 includes a Y stage 48Y movable on a base (not shown) in a Y-axis direction (a direction perpendicular to the plane of FIG. 1) in a horizontal plane perpendicular to the optical axis AX.
An X stage 48 movable on the Y stage 48Y in an X axis direction orthogonal to the Y axis (a direction parallel to the plane of FIG. 1).
X and a Z stage 64 as a substrate stage mounted on the X stage and capable of finely moving in the optical axis AX direction (Z axis direction) of the projection optical system PL. These three stages 48Y, 48X, 64 are driven by a drive system 58.
【0028】Zステージ64上面の一端部には、移動鏡
62が設けられており、この移動鏡62に対向して当該
移動鏡62にレーザ光を投射し、その反射光を受光して
Zステージ64のXY面内の位置を計測する位置計測手
段としてのレーザ干渉計56が配置されている。At one end of the upper surface of the Z stage 64, a movable mirror 62 is provided. The movable mirror 62 is opposed to the movable mirror 62, and a laser beam is projected on the movable mirror 62. A laser interferometer 56 as a position measuring means for measuring a position in the XY plane 64 is disposed.
【0029】ここで、実際には、移動鏡はX軸に直交す
る方向の反射面を有するX移動鏡とY軸に直交する反射
面を有するY移動鏡とが設けられ、これに対応してX軸
方向の位置計測用のX1軸レーザ干渉計、X2軸レーザ
干渉計と、Y軸方向の位置計測用のY軸レーザ干渉計と
が設けられているが、図1ではこれらが移動鏡62、レ
ーザ干渉計56として代表的に図示されている。従っ
て、X1軸レーザ干渉計、X2軸レーザ干渉計の計測値
の平均によりZステージ64のX座標が計測され、X1
軸レーザ干渉計、X2軸レーザ干渉計の計測値の差によ
りヨーイング量(Z軸回りの回転量)が計測され、Y軸
レーザ干渉計の計測値によりZステージ64のY座標が
計測される。以下の説明ではZステージ64のXY座標
位置とヨーイング量とがレーザ干渉計56によって計測
されるものとする。このレーザ干渉計56の出力もステ
ージコントローラ76-1に供給されている。なお、この
レーザ干渉計56のための固定鏡は実際には投影光学系
PLの鏡筒下端部に固定されているが、図1では図示を
省略している。Here, in practice, the movable mirror is provided with an X movable mirror having a reflecting surface orthogonal to the X axis and a Y movable mirror having a reflecting surface orthogonal to the Y axis. An X1-axis laser interferometer and an X2-axis laser interferometer for position measurement in the X-axis direction, and a Y-axis laser interferometer for position measurement in the Y-axis direction are provided. In FIG. , Laser interferometer 56 as a representative. Therefore, the X coordinate of the Z stage 64 is measured by averaging the measurement values of the X1-axis laser interferometer and the X2-axis laser interferometer, and X1
The yawing amount (the amount of rotation around the Z axis) is measured based on the difference between the measurement values of the X-axis laser interferometer and the X-axis laser interferometer, and the Y coordinate of the Z stage 64 is measured based on the measurement value of the Y-axis laser interferometer. In the following description, it is assumed that the XY coordinate position and the yawing amount of the Z stage 64 are measured by the laser interferometer 56. The output of the laser interferometer 56 is also supplied to the stage controller 76-1. The fixed mirror for the laser interferometer 56 is actually fixed to the lower end of the lens barrel of the projection optical system PL, but is not shown in FIG.
【0030】前記Zステージ64上には不図示のθテー
ブル、及び基板ホルダを介して感光基板52が保持され
ている。θテーブルは駆動系58によってZ軸回りに微
小角度範囲内で回転可能とされている。すなわち、上述
したような構成により、感光基板52は、X,Y,Z,
θ(Z軸回りの回転)方向に4自由度で移動可能になっ
ている。The photosensitive substrate 52 is held on the Z stage 64 via a θ table (not shown) and a substrate holder. The θ table is rotatable around the Z axis within a minute angle range by the drive system 58. That is, with the above-described configuration, the photosensitive substrate 52 is formed of X, Y, Z,
It is movable with four degrees of freedom in the θ (rotation around the Z axis) direction.
【0031】前述した如く、本実施形態では投影倍率を
1/5としたことから、合焦状態(ウエハW表面と投影
光学系PLの結像面とが一致した状態)では、レチクル
Rに形成されたパターンの像は投影光学系PLによって
1/5に縮小されてウエハW上に結像される。As described above, in this embodiment, since the projection magnification is set to 1/5, when the focused state (the state where the surface of the wafer W coincides with the imaging plane of the projection optical system PL) is formed on the reticle R. The image of the formed pattern is reduced to 1/5 by the projection optical system PL and formed on the wafer W.
【0032】また、Zステージ64上にはレチクルアラ
イメント、いわゆるベースライン計測等のための種々の
基準マークが形成された不図示の基準マーク板も固定さ
れている。A reference mark plate (not shown) on which various reference marks for reticle alignment, so-called baseline measurement, etc. are formed is also fixed on the Z stage 64.
【0033】この他、図示は省略したが、レチクルRと
投影光学系PLとを介して感光基板52上のアライメン
トマーク(又は基準マーク板上のマーク)を検出するT
TR(スルーザレチクル)方式のアライメントシステ
ム、レチクルRの下方空間から投影光学系PLを介して
ウエハW上のアライメントマーク(又は基準マーク板上
のマーク)を検出するTTL(スルーザレンズ)方式の
アライメントシステム、及びフォーカス検出システム等
が設けられ、ステップ・アンド・リピート方式の各ショ
ットの露光開始前にレチクルRと感光基板52との相対
的な位置合わせ、オートフォーカス等が行なわれる。In addition, although not shown, T for detecting an alignment mark on the photosensitive substrate 52 (or a mark on the reference mark plate) via the reticle R and the projection optical system PL.
A TR (through-the-reticle) type alignment system, and a TTL (through-the-lens) type that detects an alignment mark on the wafer W (or a mark on a reference mark plate) from the space below the reticle R via the projection optical system PL. An alignment system, a focus detection system, and the like are provided, and before the start of exposure of each shot of the step-and-repeat method, relative positioning between the reticle R and the photosensitive substrate 52, automatic focusing, and the like are performed.
【0034】前記ステージコントローラ76-1は、プロ
セッサ、ROM、RAM、I/Oインタフェース等から
成るいわゆるマイクロコンピュータで構成されている。
このステージコントローラ76-1の基本的な動作はレー
ザ干渉計56からの位置情報、ヨーイング情報の入力等
に基づいて、駆動系58を介してXステージ48X、Y
ステージ48Yを制御して露光時に感光基板52を位置
決めしたり、不図示のフォーカス検出系からの情報に基
づいて駆動系を介してZステージ64を制御して感光基
板52を結像面位置に位置合わせしたり、後述するホス
トコンピュータ74からの指令に応じてモータ36を制
御してシャッタ16を開閉したりすることにある。この
ステージコントローラ76-1の具体的な制御動作につい
ては、後に更に詳述する。The stage controller 76-1 is constituted by a so-called microcomputer comprising a processor, a ROM, a RAM, an I / O interface and the like.
The basic operation of the stage controller 76-1 is based on the input of position information and yawing information from the laser interferometer 56, etc., via the drive system 58 and the X stage 48X, Y stage.
The stage 48Y is controlled to position the photosensitive substrate 52 at the time of exposure, or the Z stage 64 is controlled via a drive system based on information from a focus detection system (not shown) to position the photosensitive substrate 52 at the image plane position. In other words, the shutter 16 is opened and closed by controlling the motor 36 in response to a command from a host computer 74 described later. The specific control operation of the stage controller 76-1 will be described later in further detail.
【0035】さらに、本実施形態では、感光基板52を
搬入、搬出及び搬送する搬送アーム54が設けられてお
り、この搬送アーム54は後述する搬送系コントローラ
76-2によって制御される。Further, in this embodiment, a transfer arm 54 for loading, unloading and transferring the photosensitive substrate 52 is provided, and the transfer arm 54 is controlled by a transfer system controller 76-2 described later.
【0036】図2には、この露光装置10全体の制御系
の主要な構成が示されている。この制御系は、装置全体
のジョブの流れを管理するホストコンピュータ(マスタ
ープロセッサ)74と、このホストコンピュータ74の
支配下にある複数のコントローラ76-1 、76-2 、…
…、76-mとから構成される。FIG. 2 shows a main configuration of a control system of the entire exposure apparatus 10. This control system includes a host computer (master processor) 74 for managing the flow of jobs of the entire apparatus, and a plurality of controllers 76-1, 76-2,... Under the control of the host computer 74.
.., 76-m.
【0037】ここで、ホストコンピュータ74は、いわ
ゆるミニコンコンピュータにより構成されている。ステ
ージコントローラ76-1は、ホストコンピュータ74の
支配下におかれるスレーブプロセッサ(以下、「SP」
という)78-1とこのSP78-1の支配下におかれるス
テージ制御ファンクション・プロセッサ(以下「ステー
ジ制御FP」という)80-1、露光制御ファンクション
・プロセッサ(以下「露光制御FP」という)80-2等
を含んで構成されている。このステージコントローラ7
6-1の他に、搬送系コントローラ76-2 及び照明系コ
ントローラ、レンズコントローラ、アライメントコント
ローラ等の種々の制御装置76-3、……、76-mが設け
られている。コントローラ76-1 、76-2 、……、7
6-mは、実際にはコントロールボードとしてホストコン
ピュータ74が収納されている図示しないラックに収納
されてる。Here, the host computer 74 is constituted by a so-called mini computer. The stage controller 76-1 includes a slave processor (hereinafter, “SP”) under the control of the host computer 74.
78-1), a stage control function processor (hereinafter referred to as "stage control FP") 80-1 under the control of the SP 78-1, and an exposure control function processor (hereinafter referred to as "exposure control FP") 80-. 2 and so on. This stage controller 7
In addition to 6-1, various control devices 76-3,..., 76-m such as a transport system controller 76-2, an illumination system controller, a lens controller, and an alignment controller are provided. Controllers 76-1, 76-2, ..., 7
6-m is actually stored as a control board in a rack (not shown) in which the host computer 74 is stored.
【0038】次に、この制御系の露光時の動作について
説明する。図3には、SP78-1の制御アルゴリズムを
示すフローチャートが示され、図4には、ステージ制御
FP80-1の制御アルゴリズムを示すフローチャートが
示されている。Next, the operation of this control system during exposure will be described. FIG. 3 is a flowchart showing the control algorithm of SP78-1, and FIG. 4 is a flowchart showing the control algorithm of stage control FP80-1.
【0039】図3のフローチャートがスタートするの
は、ホストコンピュータ74から露光シーケンス実行の
コマンドが入力されたときである。まず、ステップ10
2でSP78-1は「ステージを指定位置へ移動」のコマ
ンドとともに位置の指令値をステージFPに出力した
後、ステージ制御FP80-1から移動終了が通知される
のを待つ(ステップ104)。The flowchart in FIG. 3 starts when an exposure sequence execution command is input from the host computer 74. First, step 10
In step 2, the SP 78-1 outputs the position command value to the stage FP together with the command of "moving the stage to the designated position", and then waits for the stage control FP 80-1 to notify the end of the movement (step 104).
【0040】上記の「ステージを指定位置へ移動」のコ
マンドとともに位置の指令値がステージ制御FP80-1
に入力されると、図4のフローチャートがスタートす
る。ここでは、Xステージ48Xを移動させる場合を例
にとって説明する。Along with the command of "moving the stage to the designated position", the position command value is changed to the stage control FP80-1.
Is started, the flowchart of FIG. 4 starts. Here, a case where the X stage 48X is moved will be described as an example.
【0041】まず、ステージ制御FP80-1はステップ
202〜ステップ204でステージの移動を行い、位置
決めが完了するのを待つ。具体的には、位置の指令値と
レーザ干渉計56の出力である現在値との差である位置
偏差に基づいて駆動系58を介してXステージ48Xを
サーボ制御する。位置決め完了の判断は、公知の手法と
同様に、位置偏差が所定時間以上所定範囲内に収まった
か否かによりなされる。First, the stage control FP 80-1 moves the stage in steps 202 to 204, and waits for completion of positioning. Specifically, the X stage 48X is servo-controlled via the drive system 58 based on the position deviation which is the difference between the position command value and the current value output from the laser interferometer 56. The determination of the completion of the positioning is made based on whether or not the position deviation has fallen within a predetermined range for a predetermined time or more, similarly to a known method.
【0042】そして、位置決めが完了すると、ステージ
制御FP80-1では、ステップ206に進んで「移動終
了」をSP78-1に通知した後、ステップ208に進ん
で位置ずれモニタ開始の指示があるのを待つ。When the positioning is completed, the stage control FP80-1 proceeds to step 206 to notify "end of movement" to the SP 78-1, and then proceeds to step 208 to confirm that there is an instruction to start the displacement monitoring. wait.
【0043】一方、SP78-1では、上記の「移動終
了」の通知を受けると、ステップ106に進んで、露光
制御FP80-2に「指定時間のシャッタ16の開閉指
令」を送出するとともに、ステージ制御FP80-1に
「位置ずれモニタの開始」の指令を送出した後、ステッ
プ108に進んでシャッタ16の「閉」が終了するのを
待つ。On the other hand, in SP78-1, upon receiving the above-mentioned "movement end" notification, the flow advances to step 106 to send a "shutter 16 opening / closing command for a designated time" to the exposure control FP 80-2, After sending the command of “start of displacement monitoring” to the control FP 80-1, the process proceeds to step 108 and waits for the closing of the shutter 16 to be completed.
【0044】これにより、露光制御FP80-2によりモ
ータ36が制御され、シャッタ16が開き始める。そし
て、シャッタ16が完全に開いた後、指定された露光時
間だけ露光制御FP80-2はシャッタ16を「開」にし
た後、シャッタ16を閉じる。As a result, the motor 36 is controlled by the exposure control FP80-2, and the shutter 16 starts to open. After the shutter 16 is completely opened, the exposure control FP80-2 opens the shutter 16 for a designated exposure time and then closes the shutter 16.
【0045】一方、ステージ制御FP80-1では「位置
ずれモニタの開始」の指令を受け、ステップ210に進
んでシャッタ16の「開」開始とほぼ同時に位置ずれモ
ニタを開始する。具体的には、所定のサンプリング時間
(例えば、1mmsec)間隔でレーザ干渉計の計測値
と目標値との差である位置偏差(位置ずれ量)をサンプ
リングする。On the other hand, the stage control FP80-1 receives the command of "start of position shift monitoring", and proceeds to step 210 to start position shift monitoring almost simultaneously with the start of "opening" of the shutter 16. Specifically, a position deviation (position deviation amount), which is a difference between a measured value of the laser interferometer and a target value, is sampled at intervals of a predetermined sampling time (for example, 1 mmsec).
【0046】この位置ずれモニタ開始後、ステージ制御
FP80-1では「位置ずれモニタ終了」の指示があるま
で位置ずれモニタを続ける(ステップ210、21
2)。これにより、感光基板52上のあるショット領域
の露光中位置ずれモニタが続行されることになる。After the start of the displacement monitoring, the stage control FP80-1 continues to monitor the displacement until there is an instruction of "end of the displacement monitoring" (steps 210 and 21).
2). As a result, the position shift monitoring during exposure of a certain shot area on the photosensitive substrate 52 is continued.
【0047】露光制御FP80-2では、露光が終了しシ
ャッタ16が完全に閉じ終わった時点で、シャッタ
「閉」をSP78-1に通知する。SP78-1では、これ
を受け、ステップ110に進んで「位置ずれモニタの終
了と解析、判断」の指令をステージ制御FP80-1に送
出した後、ステップ112に進んでステージ制御FP8
0-1から解析結果が通知されるのを待つ。In the exposure control FP80-2, when the exposure is completed and the shutter 16 is completely closed, the shutter "closed" is notified to the SP 78-1. In SP78-1, in response to this, the process proceeds to step 110 to send a command of “end, analysis, and determination of position deviation monitoring” to the stage control FP80-1, and then proceeds to step 112 to execute the stage control FP8.
Wait for the result of analysis from 0-1.
【0048】一方、ステージ制御FP80-1では上記の
「位置ずれモニタの終了と解析、判断」の指令を受け、
位置ずれモニタを終了してステップ214に進み、モニ
タ結果の解析と異常の有無を判断する。具体的には、
サンプリングした各位置ずれ量の相加平均が指定値を超
えたか否かを判断することにより、露光中心のずれを判
断したり、サンプリングした各位置ずれ量の最大値と
最小値の差(ピークツーピーク)又は絶対値の平均値が
指定値を越えたか否かを判断することにより露光線幅の
変動を判断したりする。あるいは、各サンプリングし
た位置ずれ量の自乗の相加平均の平方根に基づいてXス
テージ48X、Yステージ48Y、Zステージ64の振
動をある程度定量的に評価するようにしても良い。On the other hand, the stage control FP80-1 receives the above-mentioned "end of position deviation monitor, analysis and judgment" command,
After the displacement monitor is completed, the process proceeds to step 214, where the monitor result is analyzed and the presence or absence of an abnormality is determined. In particular,
By determining whether or not the arithmetic mean of each sampled positional deviation amount exceeds a specified value, the deviation of the exposure center can be determined, or the difference between the maximum value and the minimum value of each sampled positional deviation amount (peak-to-peak) can be determined. The variation of the exposure line width is determined by determining whether the average value of the peak value or the absolute value exceeds a specified value. Alternatively, the vibrations of the X stage 48X, the Y stage 48Y, and the Z stage 64 may be evaluated to some extent quantitatively based on the square root of the arithmetic mean of the squares of the sampled positional shift amounts.
【0049】そして、このようにしてモニタ結果の解析
と、異常の判断が終了すると、ステージ制御FP80-1
では、ステップ216でその解析結果(判断結果)をS
P78-1に通知した後、本ルーチンの一連の処理を終了
する。When the analysis of the monitor result and the determination of the abnormality are completed in this way, the stage control FP80-1
Then, in step 216, the analysis result (judgment result) is set to S
After notifying P78-1, the series of processing of this routine ends.
【0050】一方、SP78-1ではこの通知を受け、
「露光シーケンス終了」の通知とともに異常判断の結果
をホストコンピュータ74に通知した後、本ルーチンの
一連の処理を終了する。On the other hand, SP78-1 receives this notification,
After notifying the host computer 74 of the result of the abnormality determination together with the notification of “exposure sequence end”, a series of processing of this routine is ended.
【0051】以上の動作の流れ図が図5に示されてい
る。FIG. 5 is a flowchart showing the above operation.
【0052】ホストコンピュータ74は、露光終了の結
果が異常の場合、オペレータにエラーを通知し、装置を
停止する。あるいは、ホストコンピュータ74は露光終
了の結果が異常の場合に、現在Zステージ64上の不図
示の基板ホルダに保持されている感光基板52の露光シ
ーケンスを打切り、搬送系コントローラ76-2を介して
搬送アーム54及び不図示の感光基板交換機構を制御し
て、上記の感光基板52を別の感光基板と交換し、その
感光基板の露光へと移行するようにしてもよい。後者の
場合には、交換により装置外へ排出された(リジェクト
された)感光基板52を後でオペレータが確認できるよ
うに、何らかの履歴を残しておくことが望ましい。この
履歴の残しかたの具体的方法としては、例えばホストコ
ンピュータ74に接続された不図示のディスプレイ画面
上に1ロット内の全ての感光基板について途中でリジェ
クトしたか否かを表示するようにすることが挙げられ
る。If the result of the exposure end is abnormal, the host computer 74 notifies the operator of the error and stops the apparatus. Alternatively, when the result of the exposure end is abnormal, the host computer 74 aborts the exposure sequence of the photosensitive substrate 52 currently held by a substrate holder (not shown) on the Z stage 64 and sends the sequence through the transport system controller 76-2. By controlling the transfer arm 54 and a photosensitive substrate exchange mechanism (not shown), the photosensitive substrate 52 may be exchanged for another photosensitive substrate, and the process may be shifted to the exposure of the photosensitive substrate. In the latter case, it is desirable to leave some history so that the operator can confirm the photosensitive substrate 52 discharged (rejected) out of the apparatus by replacement. As a specific method of how to retain the history, for example, it is displayed on a display screen (not shown) connected to the host computer 74 whether or not all the photosensitive substrates in one lot have been rejected halfway. Is mentioned.
【0053】なお、オペレータにエラーを通知し、装置
を停止するか、感光基板を交換して露光処理を継続する
かを、予めモードを設定することにより選択できるよう
にしておくことが望ましい。オペレータ(ユーザ)によ
っては多少の露光不良の発生では装置を停止したくない
者もあり、また、少しでも露光不良が発生した場合に
は、直ちに装置の保守点検を実行したい者もあると考え
られ、いずれのオペレータの要求にも応えることが期待
されるからである。It is desirable that the operator be notified of the error and that the apparatus be stopped or the photosensitive substrate be replaced to continue the exposure processing by setting a mode in advance so that the operator can select it. It is considered that some operators (users) do not want to stop the apparatus when a slight exposure defect occurs, and may want to immediately execute maintenance and inspection of the apparatus when any exposure defect occurs. This is because it is expected to meet the requirements of any operator.
【0054】これまでの説明から明らかなように、本第
1の実施形態では、ステージコントローラ76-1によっ
て、ステージ制御手段、照明系制御手段、異常判別手段
が構成されている。具体的には、ステージ制御FP80
-1によってステージ制御手段と異常判別手段が構成さ
れ、露光制御FP80-2によって照明系制御手段が構
成されている。また、搬送アーム54、搬送系コントロ
ーラ76-2及び不図示の感光基板交換機構とによって搬
送手段が構成され、ホストコンピュータ74によって搬
送制御手段が構成される。As is clear from the above description,
In the first embodiment, the stage controller 76-1 constitutes a stage control unit, an illumination system control unit, and an abnormality determination unit. Specifically, the stage control FP80
The stage control means and the abnormality determination means are constituted by -1 and the illumination system control means is constituted by the exposure control FP80-2. In addition, a transport unit is configured by the transport arm 54, the transport system controller 76-2, and the photosensitive substrate exchange mechanism (not shown), and a transport control unit is configured by the host computer 74.
【0055】以上説明したように、本第1の実施形態の
露光装置10によると、ステージ制御および露光のため
のシャッタ制御のシーケンスを管理するSP78-1にお
いて、ステージ制御FP80-1に対し、露光開始および
終了の通知を行い、スーテジ制御FP80-1では開始〜
終了間のXステージ48X、Yステージ48Y(可動ス
テージ)の座標の目標値と現在値との差を決められた時
間間隔でサンプリングし、終了時にサンプリングした値
より、ピークツーピーク若しくは平均値等により異常か
否か判断し、異常があった場合にSP78-1を介してホ
ストコンピュータ74に通知する。ホストコンピュータ
74ではこの異常の通知に基づいて露光シーケンスを中
断し、停止するか、若しくは、感光基板52をリジェク
トし、次の感光基板の装置投入および露光へと処理を継
続する。As described above, according to the exposure apparatus 10 of the first embodiment, in the step SP78-1, which manages the sequence of the stage control and the shutter control for the exposure, the stage control FP80-1 is exposed. The start and end are notified, and the status control FP80-1 starts to
The difference between the target value and the current value of the coordinates of the X stage 48X and the Y stage 48Y (movable stage) during the end is sampled at a predetermined time interval, and the value sampled at the end is represented by a peak-to-peak or average value. It is determined whether or not there is an abnormality. If there is an abnormality, the host computer 74 is notified via the SP 78-1. The host computer 74 interrupts and stops the exposure sequence based on the notification of the abnormality, or rejects the photosensitive substrate 52, and continues the process for loading the next photosensitive substrate and exposing.
【0056】従って、本実施形態の露光装置10による
と、露光不良の感光基板52(不良デバイス)を次の行
程に進ませないようにすることが可能になる。また、前
述したエラー通知に基づいて装置を修理したり調整した
りすることもできるようになる。Therefore, according to the exposure apparatus 10 of the present embodiment, it is possible to prevent the photosensitive substrate 52 (defective device) of the exposure failure from proceeding to the next step. In addition, the device can be repaired or adjusted based on the error notification described above.
【0057】上記第1の実施形態では、露光制御FP8
0-2からの終了通知後に実施するステージFP80-1の
サンプリング・データの解析および異常の判断の実施に
要する時間及びこれらの実施に必要なSP−FP間のイ
ンタフェースに要する時間分が実露光時間に加わり、処
理能力(スループット)の低下を招くことが考えられ
る。すなわち、ステップ・アンド・リピート方式の露光
装置においては、感光基板1枚あたりの露光回数が多い
(ショット数が多い)場合、この影響は無視できなくな
る可能性がある。In the first embodiment, the exposure control FP8
The actual exposure time is the time required for the analysis of the sampling data of stage FP80-1 and the determination of an abnormality to be performed after the completion notification from 0-2, and the time required for the SP-FP interface required for performing these. In addition to this, it is conceivable that the processing capacity (throughput) is reduced. That is, in the step-and-repeat type exposure apparatus, if the number of exposures per photosensitive substrate is large (the number of shots is large), this influence may not be negligible.
【0058】そこで、このスループットを向上させる
(不要に低下させない)ために、なされたのが、次の第
2の実施形態である。Therefore, the following second embodiment has been made in order to improve (do not unnecessarily lower) the throughput.
【0059】《第2の実施形態》次に、本発明の第2の
実施形態について図6ないし図8に基づいて説明する。
この第2の実施形態の露光装置は、前述した第1の実施
形態とステージコントローラを構成する各プロセッサ
(SP、FP)の機能が異なるのみで、その他の部分の
構成等は同様であるから、ここでは、この点についての
み説明する。<Second Embodiment> Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
The exposure apparatus of the second embodiment differs from the above-described first embodiment only in the functions of the processors (SP, FP) constituting the stage controller, and the configuration of the other parts is the same. Here, only this point will be described.
【0060】図6には、SP78-1の制御アルゴリズム
を示すフローチャートが示され、図7には、ステージ制
御FP80-1の制御アルゴリズムを示すフローチャート
が示されている。FIG. 6 is a flowchart showing the control algorithm of the SP 78-1, and FIG. 7 is a flowchart showing the control algorithm of the stage control FP 80-1.
【0061】図6のフローチャートがスタートするの
は、ホストコンピュータ74から露光シーケンス実行の
コマンドが入力されたときである。The flowchart in FIG. 6 starts when an exposure sequence execution command is input from the host computer 74.
【0062】ステップ302〜ステップ306ではSP
78-1は前述した第1の実施形態におけるステップ10
2〜ステップ106と同様の処理・判断を行い、ステッ
プ308で露光制御FP80-2からシャッタ「閉」開始
のステイタスが通知されるのを待つ。In steps 302 to 306, SP
78-1 is Step 10 in the first embodiment described above.
The same processing and judgment as in Steps 2 to 106 are performed, and in Step 308, the process waits until the exposure control FP 80-2 notifies the shutter start closing status.
【0063】一方、ステージ制御FP80-1は、第1の
実施形態と同様に、SP78-1からの「ステージを指定
位置へ移動」のコマンドとともに位置の指令値が入力さ
れると、図7の制御アルゴリズムの動作を開始し、ステ
ップ402〜ステップ408では、前述した第1の実施
形態のステップ202〜ステップ208と同様の処理・
判断を行い、ステップ410、412で位置ずれ「モニ
タ終了」の指示があるまで位置ずれモニタを続けてい
る。すなわち、感光基板52上のあるショット領域の露
光中位置ずれモニタを続行中である。On the other hand, similarly to the first embodiment, when the position command value is input together with the command of “moving the stage to the designated position” from the SP 78-1, the stage control FP80-1 receives the position shown in FIG. The operation of the control algorithm is started, and in steps 402 to 408, the same processing and processing as steps 202 to 208 in the first embodiment described above are performed.
The determination is made, and the position deviation monitoring is continued until there is an instruction of the position deviation “monitor end” in steps 410 and 412. That is, the monitoring of the displacement during exposure of a certain shot area on the photosensitive substrate 52 is being continued.
【0064】露光制御FP80-2では、ステップ306
におけるSP78-1からの「指定時間のシャッタ開閉の
指令」に応じてシャッタ16を所定時間開き露光を行っ
ているのであるが、指定された露光時間がほぼ経過した
時点でモータ36を制御してシャッタ16の「閉」制御
を開始すると同時に、このシャッタ「閉」開始のステイ
タスをSP78-1に通知する。In exposure control FP80-2, step 306
The shutter 16 is opened for a predetermined time in accordance with the "command for opening / closing the shutter for a specified time" from SP78-1 in step S7, and the exposure is performed. When the specified exposure time has almost elapsed, the motor 36 is controlled. At the same time as starting the "close" control of the shutter 16, the status of the start of the "close" of the shutter is notified to the SP 78-1.
【0065】SP78-1では、これを受け、ステップ3
10に進んで「位置ずれモニタの終了と解析、判断」の
指令をステージ制御FP80-1に送出した後、ステップ
312に進んでステージ制御FP80-1から解析結果が
通知されるのを待つ。In SP78-1, this is received, and step 3
Proceeding to 10, the command of "end of position deviation monitoring, analysis and judgment" is sent to the stage control FP80-1, and then the process proceeds to step 312 to wait for the stage control FP80-1 to notify the analysis result.
【0066】一方、ステージ制御FP80-1ではこの指
令を受け、ステップ413に進んで一定時間(所定の待
ち時間)が経過するのを待ち、待ち時間経過後に位置ず
れモニタ(サンプリング)を終了するとともにステップ
414に進んでモニタ結果の解析と異常の有無を判断す
る。この具体的な手法は前述した第1の実施形態と同様
である。On the other hand, in response to this command, the stage control FP80-1 proceeds to step 413 and waits for a predetermined time (a predetermined waiting time) to elapse. After the elapse of the waiting time, the position deviation monitor (sampling) ends. Proceeding to step 414, the analysis of the monitoring result and the presence or absence of an abnormality are determined. This specific method is the same as in the first embodiment.
【0067】そして、このようにしてモニタ結果の解析
と、異常の判断が終了すると、ステージ制御FP80-1
では、ステップ416でその解析結果(判断結果)をS
P78-1に通知した後、本ルーチンの一連の処理を終了
する。When the analysis of the monitor result and the judgment of the abnormality are completed in this way, the stage control FP80-1
Then, in step 416, the analysis result (judgment result) is set to S
After notifying P78-1, the series of processing of this routine ends.
【0068】一方、SP78-1ではこの通知を受け、ス
テップ313に進んで露光制御FP80-2からシャッタ
「閉」終了の通知があるのを待ち、シャッタ「閉」開始
から所定時間、例えば40mmsec経過して露光制御
SP78-1からシャッタ「閉」終了が通知されると、
「露光シーケンス終了」の通知とともに異常判断の結果
をホストコンピュータ74に通知した後、本ルーチンの
一連の処理を終了する。On the other hand, at SP78-1, upon receiving this notification, the flow advances to step 313 to wait for notification of the end of the shutter "close" from the exposure control FP80-2, and a predetermined time, for example, 40 mmsec, has elapsed since the start of the shutter "close". Then, when the shutter “close” end is notified from the exposure control SP 78-1,
After notifying the host computer 74 of the result of the abnormality determination together with the notification of “exposure sequence end”, a series of processing of this routine is ended.
【0069】以上の動作の流れ図が図8に示されてい
る。FIG. 8 is a flowchart showing the above operation.
【0070】ホストコンピュータ74は、露光終了の結
果が異常の場合、第1の実施形態と同様に、オペレータ
にエラーを通知し、装置を停止する、あるいは、現在Z
ステージ64上の不図示の基板ホルダに保持されている
感光基板52の露光シーケンスを打切り、上記感光基板
52を別の感光基板と交換し、その感光基板の露光へと
移行する。When the result of the completion of the exposure is abnormal, the host computer 74 notifies the operator of the error and stops the apparatus, or stops the current Z, as in the first embodiment.
The exposure sequence of the photosensitive substrate 52 held by a substrate holder (not shown) on the stage 64 is terminated, the photosensitive substrate 52 is replaced with another photosensitive substrate, and the process shifts to exposure of the photosensitive substrate.
【0071】以上説明したように、本第2の実施形態に
よると、露光制御FP80-2は露光終了の通知の前に、
シャッタの閉動作開始と同時に「開始」のステイタスを
SP78-1に与え、SP78-1は本ステイタスにより、
ステージ制御FP80-1に対しサンプリングの中止とサ
ンプリング・データの解析および異常の判断の指令を与
える。この場合、シャッタ16の閉開始から終了までの
間も、感光基板52への露光は継続されているが、シャ
ッタ16の閉開始とともに露光パワーが低下していくた
め、ある程度低下した状態までシャッタ16の閉動作が
進めばステージの位置ずれが感光基板52の露光に与え
る影響は小さいと考えられるので、ステージ制御FP8
0-1は一定の時間待ちをおいた後(ステップ413)、
サンプリングの中止とサンプリング・データの解析およ
び異常の判断を実施するようにしたのである。As described above, according to the second embodiment, the exposure control FP80-2 performs
The status of “start” is given to SP78-1 at the same time as the shutter closing operation starts, and SP78-1
A command is issued to the stage control FP80-1 to stop sampling, analyze sampling data, and judge abnormalities. In this case, the exposure of the photosensitive substrate 52 is continued from the start to the end of the closing of the shutter 16, but since the exposure power decreases with the start of the closing of the shutter 16, the exposure of the shutter 16 is reduced to a certain level. It is considered that if the closing operation is advanced, the influence of the position shift of the stage on the exposure of the photosensitive substrate 52 is small.
0-1 waits for a certain time (step 413),
Sampling was stopped, the sampled data was analyzed, and abnormalities were determined.
【0072】本実施形態によると、前述した第1の実施
形態と同等の効果に加え、露光が終了する(シャッタが
閉じ終わる)までに、ステージ制御FP80-1のサンプ
リング・データの解析および異常の判断の実施が終了し
ているので(図8参照)、第1の実施形態に比べて処理
能力(スループット)を向上させることができるという
効果がある。具体的には、例えば液晶用のステッパーの
場合で感光基板52上の1ショット領域当たり、500
mmsecの露光時間が掛かるとして30mmsec程
度の時間短縮が可能である。特に、ステップ・アンド・
リピート方式の露光装置においては、感光基板1枚あた
りの露光回数が多い程、スループット向上の効果が大き
くなる。According to the present embodiment, in addition to the same effects as those of the above-described first embodiment, the analysis of sampling data of the stage control FP80-1 and the detection of abnormalities are performed before the exposure is completed (shutter is closed). Since the determination has been completed (see FIG. 8), there is an effect that the processing capacity (throughput) can be improved as compared with the first embodiment. Specifically, for example, in the case of a liquid crystal stepper, 500 shots per one shot area on the photosensitive substrate 52.
Assuming that an exposure time of mmsec is required, a time reduction of about 30 mmsec is possible. In particular, step and
In a repeat type exposure apparatus, the effect of improving the throughput increases as the number of exposures per photosensitive substrate increases.
【0073】なお、シャッタ16の「閉」に要する時間
が充分に短い場合は、SP78-1がステップ310にお
いてステージ制御FP80-1に指令を与えるインタフェ
ース時間がその待ちに相当することも考えられ、かかる
場合には、上記フローチャートのステップ413は省略
してよい。If the time required to “close” the shutter 16 is sufficiently short, the interface time at which the SP 78-1 issues a command to the stage control FP 80-1 in step 310 may correspond to the waiting time. In such a case, step 413 of the above flowchart may be omitted.
【0074】露光制御FP80-2によるシャッタ閉動作
が終了する前に解析および異常の判断を実施する別の方
法として、露光制御FP80-2が本来積算露光量の制御
に用いるインテグレータ・センサ38をステージ制御F
P80-1が逐次モニタし、このセンサ38の受光量があ
るレベルを越えてから再び下がるまでの間上述したサン
プリング(位置ずれモニタ)を実施し、下がった後デー
タの解析および異常の判断を実施する方法が考えられ
る。この方法も露光制御FP80-2によるシャッタ閉動
作が終了する前に解析および異常の判断が実施されるの
で、上記第2の実施形態と同程度の高いスループットを
維持することが可能である。このようなことは、ステー
ジコントローラ76-1内の各プロセッサの制御ソフトウ
ェアの変更により容易に実現できる。なお、この場合、
ステージ制御FP80-1は次のSP78-1からの指令時
に本結果を通知すれば良い。As another method of performing the analysis and determining the abnormality before the shutter closing operation by the exposure control FP80-2 is completed, the exposure control FP80-2 uses the integrator sensor 38 which is originally used for controlling the integrated exposure amount. Control F
P80-1 sequentially monitors, and performs the above-described sampling (positional deviation monitor) from the time when the amount of light received by the sensor 38 exceeds a certain level until it falls again, and after the fall, analyzes the data and judges the abnormality. There is a way to do it. In this method, too, the analysis and the determination of the abnormality are performed before the shutter closing operation by the exposure control FP80-2 ends, so that it is possible to maintain the same high throughput as in the second embodiment. This can be easily realized by changing the control software of each processor in the stage controller 76-1. In this case,
The stage control FP80-1 may notify this result at the time of the next instruction from SP78-1.
【0075】なお、上記第1、第2の実施形態では、光
路開閉手段としてシャッタ16を用いる場合について説
明したが、図1のレチクルブラインド28に代えて、複
数枚の可動ブレードから成るいわゆる可動ブラインドを
用いる場合には、この可動ブラインドを光路開閉手段と
して用いるようにしても良い。In the first and second embodiments, the case where the shutter 16 is used as the optical path opening / closing means has been described. However, instead of the reticle blind 28 in FIG. 1, a so-called movable blind comprising a plurality of movable blades is used. When this is used, the movable blind may be used as an optical path opening / closing means.
【0076】[0076]
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に記載の
発明によれば、露光不良の発生した感光基板が次の処理
工程へ進むのを事前に回避することができるという従来
にない優れた効果がある。As described above, according to the first aspect of the present invention, it is possible to prevent a photosensitive substrate having an exposure failure from proceeding to the next processing step in advance. Has an effect.
【0077】また、請求項2ないし請求項3に記載の発
明によれば、請求項1に記載の発明の効果に加え、処理
能力の向上をも図ることができるという効果がある。According to the second and third aspects of the present invention, in addition to the effects of the first aspect of the invention, there is an effect that the processing capacity can be improved.
【0078】また、請求項4に記載の発明によれば、上
記各請求項記載の発明の効果に加え、装置を停止するこ
となく、次の基板に対して露光を続行することができる
という効果がある。According to the invention described in claim 4, in addition to the effects of the invention described in each of the above-mentioned claims, an effect that exposure of the next substrate can be continued without stopping the apparatus. There is.
【0079】また、請求項5に記載の発明によれば、露
光不良の発生した感光基板が次の処理工程へ進むのを事
前に回避することができるとともに、感光基板を交換す
る場合には次の基板に対して露光を続行することができ
るという効果がある。According to the fifth aspect of the present invention, it is possible to prevent the photosensitive substrate having the exposure failure from proceeding to the next processing step in advance, and to replace the photosensitive substrate when exchanging the photosensitive substrate. There is an effect that exposure can be continued for the substrate.
【図1】第1の実施形態に係る露光装置の概略構成を示
す図である。FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of an exposure apparatus according to a first embodiment.
【図2】図1の装置全体の制御系の構成を示すブロック
図である。FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a control system of the entire apparatus of FIG.
【図3】図2のステージコントローラ内SPの制御アル
ゴリズムを示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart showing a control algorithm of an SP in the stage controller of FIG. 2;
【図4】図2のステージ制御FPの制御アルゴリズムを
示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart illustrating a control algorithm of a stage control FP of FIG. 2;
【図5】第1の実施形態に係る制御系の動作の流れを示
す図である。FIG. 5 is a diagram showing a flow of an operation of a control system according to the first embodiment.
【図6】第2の実施形態に係るステージコントローラ内
SPの制御アルゴリズムを示すフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart illustrating a control algorithm of an SP in a stage controller according to a second embodiment.
【図7】第2の実施形態に係るステージ制御FPの制御
アルゴリズムを示すフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart illustrating a control algorithm of a stage control FP according to a second embodiment.
【図8】第2の実施形態に係る制御系の動作の流れを示
す図である。FIG. 8 is a diagram showing a flow of an operation of a control system according to a second embodiment.
10 露光装置 11 レチクルホルダ 16 シャッタ 38 インテグレータセンサ 40 照明系 52 感光基板 54 搬送アーム 56 レーザ干渉計 64 Zステージ 74 ホストコンピュータ 76-1 ステージコントローラ 76-2 搬送系コントローラ 80-1 ステージ制御FP 80-2 露光制御FP R レチクル PL 投影光学系 REFERENCE SIGNS LIST 10 exposure apparatus 11 reticle holder 16 shutter 38 integrator sensor 40 illumination system 52 photosensitive substrate 54 transfer arm 56 laser interferometer 64 Z stage 74 host computer 76-1 stage controller 76-2 transfer system controller 80-1 stage control FP 80-2 Exposure control FPR reticle PL Projection optical system
Claims (5)
た状態でマスクに形成されたパターンの像を投影光学系
を介して前記感光基板上に投影露光する露光装置であっ
て、 前記マスクを照明する照明系と;前記マスクを保持する
保持手段と;前記マスクのパターンを結像面に投影する
投影光学系と;前記感光基板を前記結像面位置に保持す
るとともに前記投影光学系の光軸に直交する面内で移動
する基板ステージと;前記基板ステージの位置を計測す
る位置計測手段と;目標位置と前記位置計測手段の出力
とに基づいて前記基板ステージを露光位置に位置決めす
るステージ制御手段と;前記基板ステージの位置決め完
了後、前記照明系から前記マスクに対する照明光の照射
を開始し所定時間後に終了する照明系制御手段と;前記
照明系制御手段による前記マスクに対する照明光の照射
開始から終了までの間の露光中に、前記位置計測手段を
介して前記基板ステージの位置座標を逐次モニタすると
ともに、このモニタ結果に基づいて露光時における目標
座標と現在位置座標との偏差が許容範囲内にあるか否か
を判断し、許容範囲外である場合に異常信号を発する異
常判別手段とを有する露光装置。1. An exposure apparatus for projecting and exposing an image of a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate via a projection optical system with the photosensitive substrate positioned at a predetermined exposure position, wherein the mask is illuminated. An illumination system for holding; a holding unit for holding the mask; a projection optical system for projecting the pattern of the mask onto an image plane; and an optical axis of the projection optical system for holding the photosensitive substrate at the image plane position. A stage moving in a plane perpendicular to the plane; position measuring means for measuring the position of the substrate stage; and stage control means for positioning the substrate stage at an exposure position based on a target position and an output of the position measuring means. Illumination system control means for starting irradiation of illumination light from the illumination system to the mask after completion of positioning of the substrate stage and ending after a predetermined time; During the exposure from the start to the end of the irradiation of the illumination light to the mask, while sequentially monitoring the position coordinates of the substrate stage via the position measuring means, based on the monitoring result, the target coordinates at the time of exposure and An exposure apparatus that determines whether a deviation from the current position coordinates is within an allowable range and issues an abnormal signal when the deviation is out of the allowable range.
対する照明光の照射開始・停止の制御は前記照明系内に
設けられたシャッタの開閉により行われ、 前記異常判別手段は、前記シャッタの閉開始から閉終了
までの間に前記異常判別を終了することを特徴とする請
求項1に記載の露光装置。2. The control of starting / stopping irradiation of the mask with the illumination light by the illumination system control means is performed by opening and closing a shutter provided in the illumination system. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the abnormality determination is ended from to when the closing is completed.
光の光量を検出する光センサを更に有し、 前記異常判別手段は、前記光センサの出力に基づいて前
記基板ステージの位置座標のモニタを終了して前記異常
判別を実行することを特徴とする請求項2に記載の露光
装置。3. An optical sensor for detecting a light amount of the illumination light in an open state of the shutter, wherein the abnormality determining means ends monitoring of position coordinates of the substrate stage based on an output of the optical sensor. The exposure apparatus according to claim 2, wherein the abnormality determination is performed by performing the determination.
記異常信号に基づいて前記搬送手段を介して前記基板を
交換する搬送制御手段とを更に有することを特徴とする
請求項1ないし3のいずれか一項に記載の露光装置。4. The apparatus according to claim 1, further comprising: transport means for transporting said photosensitive substrate; and transport control means for exchanging said substrate via said transport means based on said abnormality signal. The exposure apparatus according to claim 1.
た状態でマスクに形成されたパターンの像を投影光学系
を介して前記感光基板上に投影露光する露光方法であっ
て、 前記感光基板の決め完了後、露光開始から露光終了まで
の間に、前記感光基板の位置座標を逐次モニタする第1
工程と;前記第1工程におけるモニタ結果に基づいて露
光時における目標座標と現在位置座標との偏差が許容範
囲内にあるか否かを判断し、許容範囲外である場合に異
常と判別して警告を発し、あるいは現露光中の感光基板
を別の感光基板と交換する第2工程とを含む露光方法。5. An exposure method for projecting an image of a pattern formed on a mask onto a photosensitive substrate via a projection optical system while positioning the photosensitive substrate at a predetermined exposure position, the exposure method comprising: After the completion of the determination, the first coordinate for sequentially monitoring the position coordinates of the photosensitive substrate between the start of exposure and the end of exposure.
Determining whether or not the deviation between the target coordinates and the current position coordinates at the time of exposure is within an allowable range based on the monitoring result in the first step, and determining that there is an abnormality when the deviation is outside the allowable range. Issuing a warning or replacing the photosensitive substrate currently being exposed with another photosensitive substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8239716A JPH1064809A (en) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | Device and method for exposure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8239716A JPH1064809A (en) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | Device and method for exposure |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1064809A true JPH1064809A (en) | 1998-03-06 |
Family
ID=17048870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8239716A Pending JPH1064809A (en) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | Device and method for exposure |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1064809A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10145182A1 (en) * | 2001-09-13 | 2003-04-03 | Infineon Technologies Ag | Automatic detection, assessment of crystal grid displacements during photolithographic process involves checking data against tolerance band, evaluating systems causing band violations |
KR100598091B1 (en) * | 1999-10-29 | 2006-07-07 | 삼성전자주식회사 | Wafer repair system having wafer chuck |
JP2008020843A (en) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Nikon Corp | Image acquisition controller and microscope system having the same |
JP2014078640A (en) * | 2012-10-11 | 2014-05-01 | Canon Inc | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2014080957A1 (en) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | 株式会社ニコン | Exposure device, mobile device, and device manufacturing method |
JP2019056875A (en) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | 株式会社ミツトヨ | Exposure method and exposure device |
-
1996
- 1996-08-22 JP JP8239716A patent/JPH1064809A/en active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100598091B1 (en) * | 1999-10-29 | 2006-07-07 | 삼성전자주식회사 | Wafer repair system having wafer chuck |
DE10145182A1 (en) * | 2001-09-13 | 2003-04-03 | Infineon Technologies Ag | Automatic detection, assessment of crystal grid displacements during photolithographic process involves checking data against tolerance band, evaluating systems causing band violations |
DE10145182C2 (en) * | 2001-09-13 | 2003-10-23 | Infineon Technologies Ag | Process for the automatic detection and evaluation of crystal lattice dislocations in the ongoing photolithography process |
JP2008020843A (en) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Nikon Corp | Image acquisition controller and microscope system having the same |
JP2014078640A (en) * | 2012-10-11 | 2014-05-01 | Canon Inc | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2014080957A1 (en) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | 株式会社ニコン | Exposure device, mobile device, and device manufacturing method |
JP2019056875A (en) * | 2017-09-22 | 2019-04-11 | 株式会社ミツトヨ | Exposure method and exposure device |
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