JPH05166702A - Semiconductor wafer alignment device - Google Patents

Semiconductor wafer alignment device

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Publication number
JPH05166702A
JPH05166702A JP35144891A JP35144891A JPH05166702A JP H05166702 A JPH05166702 A JP H05166702A JP 35144891 A JP35144891 A JP 35144891A JP 35144891 A JP35144891 A JP 35144891A JP H05166702 A JPH05166702 A JP H05166702A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
alignment
mark
semiconductor wafer
chuck
Prior art date
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Pending
Application number
JP35144891A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Norio Furuno
紀雄 古野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP35144891A priority Critical patent/JPH05166702A/en
Publication of JPH05166702A publication Critical patent/JPH05166702A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Abstract

PURPOSE:To highly accurately align a semiconductor wafer without being affected by a circuit pattern formed on the surface of the semiconductor wafer. CONSTITUTION:At least two alignment marks are provided on the rear surface of a wafer 1 and, when the wafer 1 is placed on and fixed to a wafer chuck 2, the marks are optically detected with a detector 4 through mark detecting holes 3 provided through the chuck 2. Depending upon the detected states of the marks, the wafer 1 is finely aligned by moving and controlling the chuck 2 in the theta-, X-, and Y-directions by means of stages 6-8, respectively.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【技術分野】本発明は半導体ウェハアライメント装置に
関し、特に回路パターンを有する半導体ウェハの処理及
び検査を行う場合に必要なウェハ位置合せのためのアラ
イメントをなす半導体ウェハアライメント装置に関する
ものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer alignment apparatus, and more particularly to a semiconductor wafer alignment apparatus that performs alignment for wafer alignment necessary when processing and inspecting a semiconductor wafer having a circuit pattern.

【0002】[0002]

【従来技術】従来のこの種のアライメント方式では、半
導体ウェハの結晶方位を示すオリエンテーションフラッ
トの位置を用いてウェハの回転方向を補正する粗位置合
せであるプリアライメントの後、高精度に位置合せを行
うファインアライメントを行うようになっている。
2. Description of the Related Art In a conventional alignment method of this type, alignment is performed with high accuracy after pre-alignment, which is rough alignment for correcting the rotation direction of a wafer by using a position of an orientation flat indicating a crystal orientation of a semiconductor wafer. Fine alignment is performed.

【0003】ウェハ表面の各チップ間には、通常50〜
100 μm程度の幅を有するストリートラインと称するチ
ップ分離用境界線がある。ファインアライメントとして
は、このストリートラインを検出してアライメントを行
うストリート検出方式や、ストリートラインが明瞭でな
い場合やストリートライン上にテスト用パターンが存在
する場合などストリートラインを直接光学的に検出でき
ない場合には、パターン認識によるアライメント方式が
用いられる。
Between each chip on the wafer surface is usually 50 to
There is a chip separation boundary line called a street line having a width of about 100 μm. For fine alignment, a street detection method that detects and aligns this street line, or when the street line cannot be detected directly optically, such as when the street line is not clear or when a test pattern exists on the street line. Uses an alignment method based on pattern recognition.

【0004】図4(a)はストリート検出方式の概要説
明図であり、図4(b)はストリートラインを光学的に
検出するストリートライン検出器20の内部の光学系の
概略説明図である。
FIG. 4A is a schematic explanatory view of a street detection system, and FIG. 4B is a schematic explanatory view of an optical system inside a streetline detector 20 which optically detects a streetline.

【0005】ストリート検出方式では、レーザ発光源2
2で作られたHe−Neレーザ光は光路23中のミラー25
によって光路23を変えられ、一部のミラー26によっ
て振動を加えられ、さらにミラー27〜36を通ること
によって矩形状のビームとしてレンズ37に入力され、
レンズ37によって絞られ、矩形状の絞られたビーム2
1としてウェハ1表面に照射される。
In the street detection system, the laser emission source 2
The He-Ne laser light produced in 2 is reflected by the mirror 25 in the optical path 23.
The optical path 23 is changed by, a vibration is applied by a part of the mirrors 26, and further, the light is input into the lens 37 as a rectangular beam by passing through the mirrors 27 to 36,
Beam 2 narrowed by the lens 37 and rectangular
The surface of the wafer 1 is irradiated with 1.

【0006】ウェハ1表面からの反射光39は再びレン
ズ37を通してミラー36とレンズ38によって受光セ
ンサ24に入射するようになっている。ビーム21によ
る反射光39は、回路パターン部では、パターンによっ
て散乱光となるが、ストリートライン部では、ほとんど
そのまま反射して元の光路に戻ってくる。この反射光の
違いを受光センサ24で受けることにより、ビーム21
とストリートラインの位置関係によるセンサ出力信号に
よって、位置ずれを検出してウェハ位置を制御する。
Reflected light 39 from the surface of the wafer 1 is again incident on the light receiving sensor 24 through the lens 37 by the mirror 36 and the lens 38. The reflected light 39 from the beam 21 becomes scattered light at the circuit pattern portion due to the pattern, but is reflected as it is at the street line portion and returns to the original optical path. By receiving the difference in the reflected light by the light receiving sensor 24, the beam 21
The position shift is detected and the wafer position is controlled by the sensor output signal depending on the positional relationship between the line and the street line.

【0007】このストリート検出方式を用いたものの例
としては、A−PM−6000Aフルオートプローバ(東京
精密製)などがある。
An example of the one using this street detection system is A-PM-6000A full auto prober (manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.).

【0008】一方、パターン認識によるアライメント方
式は、ストリート検出方式の様にビームを走査して、ウ
ェハ表面からの反射光を受光しているが、反射光を一定
の長さだけサンプリングして、予め記録してあるアライ
メント位置データとの相関を求めることにより、位置ず
れを制御するものである。
On the other hand, the pattern recognition-based alignment method scans a beam and receives the reflected light from the wafer surface as in the street detection method. However, the reflected light is sampled for a certain length and is preliminarily sampled. The position shift is controlled by obtaining the correlation with the recorded alignment position data.

【0009】この方式では、表面にパターンが形成され
ているウェハであれば、ほとんどのものがアライメント
可能であるが、回路パターンによっては、ストリート検
出方式に対してアライメント時間が長くなることがあ
る。
In this method, almost any wafer can be aligned as long as it has a pattern formed on its surface, but depending on the circuit pattern, the alignment time may be longer than that of the street detection method.

【0010】このパターン認識によるアライメント方式
を用いたものの例としては、AF−6000フルオートプロ
ーバ(安藤電気製)などがある。
An example of the one using the alignment method by this pattern recognition is AF-6000 full auto prober (manufactured by Ando Electric Co., Ltd.).

【0011】この様な従来のアライメント方式では、ス
トリート検出方式の場合、ストリートラインを直接光学
的に検出できない場合には、アライメントが困難とな
り、パターン認識によるアライメント方式についても、
回路パターンが変更となる毎に規定値の入力が必要とな
るといった問題点がある。
In such a conventional alignment method, in the case of the street detection method, if the street line cannot be directly optically detected, the alignment becomes difficult.
There is a problem that it is necessary to input a specified value every time the circuit pattern is changed.

【0012】また、チップサイズによってストリートラ
イン位置が異なるため、予めチップサイズによる検出場
所の限定や限定しない場合には、ビーム走査する範囲を
拡げて実施するためアライメント時間が多くかかるとい
った問題点がある。
Further, since the street line position is different depending on the chip size, there is a problem that it takes a lot of alignment time because the beam scanning range is expanded when the detection location is not limited by the chip size or is not limited in advance. ..

【0013】[0013]

【発明の目的】本発明の目的は、ウェハ表面に形成され
ている回路パターンに影響されない高精度の半導体ウェ
ハアライメントの実現を可能とする半導体ウェハアライ
メント装置を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a semiconductor wafer alignment apparatus capable of realizing highly accurate semiconductor wafer alignment that is not affected by the circuit pattern formed on the wafer surface.

【0014】[0014]

【発明の構成】本発明によれば、裏面にアライメント用
マークを少なくとも2箇所設けた半導体ウェハのアライ
メント装置であって、前記ウェハを載置固着しこの載置
固着状態での前記マークの位置に夫々対応したマーク検
出用穴を有するウェハ載置部と、前記ウェハ表面に平行
な面において互いに直交する方向に前記載置部を直線駆
動自在な駆動手段と、前記ウェハの中心を通りこのウェ
ハ表面に直交する軸を中心に前記載置部を回動駆動自在
な駆動手段と、前記マーク検出用穴を夫々通して前記ウ
ェハの裏面のマークを検出光学的に検出すべく位置固定
されたマーク検出手段とを含むことを特徴とする半導体
ウェハアライメント装置が得られる。
According to the present invention, there is provided a semiconductor wafer alignment apparatus having at least two alignment marks on the back surface thereof, wherein the wafer is mounted and fixed, and the mark is positioned at the position of the mounted and fixed state. A wafer mounting portion having corresponding mark detection holes, driving means for linearly driving the mounting portion in directions orthogonal to each other in a plane parallel to the wafer surface, and the wafer surface passing through the center of the wafer. A drive means for freely driving the mounting portion around an axis orthogonal to the mark, and a mark detection position-fixed for optically detecting the mark on the back surface of the wafer through each of the mark detection holes. There is provided a semiconductor wafer alignment apparatus including:

【0015】[0015]

【実施例】次に、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。
An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0016】図1は本発明の一実施例のウェハアライメ
ント機構についての概略を示す斜視図、図2はアライメ
ント機構部分の概略を示す側面図、図3はウェハ裏面の
アライメント用マークの一実施例を示す図である。なお
全図を通して同等部分については同一符号を付与してい
る。
FIG. 1 is a perspective view showing an outline of a wafer alignment mechanism according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a side view showing an outline of an alignment mechanism portion, and FIG. 3 is an example of an alignment mark on the back surface of a wafer. FIG. The same parts are denoted by the same reference numerals throughout the drawings.

【0017】ウェハ1には、裏面2箇所(少くとも2箇
所あれば良い)にウェハプロセス段階で消えない様に十
分な深さを有するアライメント用マーク10が、ウェハ
プロセス中でエッチングやレーザマーカー等によって形
成されている。
On the wafer 1, alignment marks 10 having a sufficient depth so as not to be erased in the wafer process stage are formed at two places on the back surface (at least two places are required), etching, laser markers, etc. during the wafer process. Is formed by.

【0018】このウェハ1は図示していないプリアライ
メント機構によってオリエンテーションフラット11位
置により向きを修正され、ウェハチャック2上のガイド
ピン5に沿ってウェハチャック2上の規定位置に置かれ
る。規定位置にウェハ1が置かれることによりウェハチ
ャック2に設けられている検出用穴3の位置にウェハ1
裏面のアライメント用マーク10が来る。検出用穴3は
アライメント用マーク10を光学的に検出するためにア
ライメント用マーク10より大きめとなっていて、規定
位置からの若干のウェハ1のずれに対処している。
The orientation of the wafer 1 is corrected by the position of the orientation flat 11 by a pre-alignment mechanism (not shown), and the wafer 1 is placed at a prescribed position on the wafer chuck 2 along the guide pins 5 on the wafer chuck 2. By placing the wafer 1 at the specified position, the wafer 1 is placed at the position of the detection hole 3 provided in the wafer chuck 2.
The alignment mark 10 on the back surface comes. The detection hole 3 is larger than the alignment mark 10 in order to optically detect the alignment mark 10, and copes with a slight deviation of the wafer 1 from the specified position.

【0019】ウェハチャック2上に置かれたウェハ1は
真空吸着によってウェハチャック2上に吸着固定され、
ウェハチャック2の移動時に位置がずれないようになっ
ている。
The wafer 1 placed on the wafer chuck 2 is attracted and fixed on the wafer chuck 2 by vacuum attraction.
The position of the wafer chuck 2 does not shift when it is moved.

【0020】また、ウェハチャック2はウェハチャック
2の中心を軸として円周方向に微小回転が可能なθステ
ージ6の上に取付けられており、更にこのθステージ6
は図示Y軸方向に移動可能なY軸ステージ7上に取付け
られている。
Further, the wafer chuck 2 is mounted on a θ stage 6 which is capable of minute rotation in the circumferential direction about the center of the wafer chuck 2, and the θ stage 6 is further provided.
Is mounted on a Y-axis stage 7 movable in the Y-axis direction shown.

【0021】Y軸ステージ7は図示Y軸と90°直交し
たX軸方向に移動可能なX軸ステージ8上に取付けられ
ており、X軸ステージ8は基台9上に取付けられてい
る。θステージ6、Y軸ステージ7、X軸ステージ8の
移動はパルスモータによって精度よく行われる。
The Y-axis stage 7 is mounted on an X-axis stage 8 which is movable in the X-axis direction which is 90 ° orthogonal to the Y-axis shown, and the X-axis stage 8 is mounted on a base 9. The θ stage 6, the Y-axis stage 7, and the X-axis stage 8 are accurately moved by a pulse motor.

【0022】プリアライメントが正常であると、ウェハ
チャック2に設けられている検出用穴3にウェハ1のア
ライメント用マーク10が来ているため、各検出用穴3
に対応して配置されているマーク形状を光学的に検知す
る光学的センサのマーク検出器4から所定の検出信号が
得られるようになり、基準位置と検出位置の相互関係か
ら各ステージを移動して精度良いアライメント動作を行
う。
When the pre-alignment is normal, the alignment mark 10 of the wafer 1 is located in the detection hole 3 provided in the wafer chuck 2, so that each detection hole 3 is detected.
A predetermined detection signal can be obtained from the mark detector 4 of the optical sensor which optically detects the mark shape arranged corresponding to, and each stage is moved based on the mutual relationship between the reference position and the detection position. And perform accurate alignment operation.

【0023】プリアライメントが正しくない場合には、
ウェハチャック2の検出用穴3の位置にアライメント用
マーク10が来ないため、マーク検出器4の出力信号が
なくなるため、再度プリアライメントを実行することに
なる。
If the pre-alignment is incorrect,
Since the alignment mark 10 does not come to the position of the detection hole 3 of the wafer chuck 2 and the output signal of the mark detector 4 disappears, pre-alignment is performed again.

【0024】アライメント動作としては、マーク検出器
4の取付け時に基準位置を設定しておき、マーク検出器
4で検知されたアライメント用マーク10の検出信号と
位置ずれを2箇所のマーク検出器4からの信号入力によ
り、モニタ12等で確認を行う。
As the alignment operation, a reference position is set when the mark detector 4 is attached, and the detection signal of the alignment mark 10 detected by the mark detector 4 and the positional deviation are detected from the two mark detectors 4. The signal is input to confirm on the monitor 12 or the like.

【0025】次いで、図示していないコントロール機構
によって、先ずいずれかひとつのマーク位置に注目し、
そのマーク位置が基準位置のY軸と一致するようにY軸
ステージ7を移動する。次いで注目したマーク位置がY
軸上からずれないようにしつつθステージ6とY軸ステ
ージ7とを交互に移動させつつ、注目したマーク位置と
残りのマーク位置がY軸上に一致するまで動作を行う。
Next, by using a control mechanism (not shown), first pay attention to any one of the mark positions,
The Y-axis stage 7 is moved so that the mark position coincides with the Y-axis of the reference position. Next, the marked mark position is Y
The θ stage 6 and the Y-axis stage 7 are moved alternately while being not displaced from the axis, and operation is performed until the focused mark position and the remaining mark positions coincide with each other on the Y-axis.

【0026】次に、いずれかのマーク位置に注目し、マ
ーク位置がY軸上からずれないことを確認しつつX軸ス
テージ8を移動させ、マーク位置が基準位置となるまで
動作を行い基準位置に一致することによってアライメン
ト動作が終了となる。
Next, paying attention to one of the mark positions, the X-axis stage 8 is moved while confirming that the mark position does not deviate from the Y-axis, and operation is performed until the mark position becomes the reference position. The alignment operation is completed by matching with.

【0027】上記の実施例では、Y軸のアライメントを
行っていたが、X軸のアライメントを先に実施しても良
い。また、マーク検出器4からの検出信号をモニタ12
に表示しないで、位置ずれを算出して自動的に各ステー
ジの移動量に応じいて各ステージを制御するような制御
器を備えることも可能である。
In the above embodiment, the Y-axis alignment is performed, but the X-axis alignment may be performed first. Further, the detection signal from the mark detector 4 is monitored 12
It is also possible to provide a controller that calculates the positional deviation and automatically controls each stage according to the movement amount of each stage, instead of displaying the above.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、裏
面の2箇所以上にアライメント用マークを有するウェハ
を、アライメント用マークに対応したマーク検出用穴を
有するウェハチャック上に搭載し、検出用穴に対応した
光学的センサのマーク検出器によりアライメント用マー
クを検出して位置ずれを制御することにより、ウェハ表
面の回路パターンを使用した従来のアライメント方式に
対して、表面のパターンの影響を受けないため、パター
ンが希薄なウェハやマルチチップ搭載ウェハなどに対し
て一定の高精度なアライメントが可能となるという効果
を有する。
As described above, according to the present invention, a wafer having alignment marks at two or more locations on the back surface is mounted on a wafer chuck having mark detection holes corresponding to the alignment marks, and detection is performed. By detecting the alignment mark by the mark detector of the optical sensor corresponding to the use hole and controlling the position shift, the influence of the surface pattern is affected compared to the conventional alignment method using the circuit pattern on the wafer surface. Since it is not received, there is an effect that a certain high-precision alignment can be performed on a wafer having a thin pattern, a wafer on which multi-chips are mounted, and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例の構造を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing the structure of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例の側面図である。FIG. 2 is a side view of an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例に用いるウェハ裏面のアライメ
ント用マークの例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of an alignment mark on the back surface of a wafer used in an embodiment of the present invention.

【図4】従来のファインアライメント方式を説明するた
めの図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining a conventional fine alignment method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体ウェハ 2 ウェハチャック 3 マーク検出用穴 4 マーク検出器 6 θステージ 7 Y軸ステージ 8 X軸ステージ 9 基台 10 アライメント用マーク 11 オリエンテーションフラット 12 モニタ 1 Semiconductor Wafer 2 Wafer Chuck 3 Mark Detection Hole 4 Mark Detector 6 θ Stage 7 Y-Axis Stage 8 X-Axis Stage 9 Base 10 Alignment Mark 11 Orientation Flat 12 Monitor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/68 F 8418−4M ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 21/68 F 8418-4M

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 裏面にアライメント用マークを少なくと
も2箇所設けた半導体ウェハのアライメント装置であっ
て、前記ウェハを載置固着しこの載置固着状態での前記
マークの位置に夫々対応したマーク検出用穴を有するウ
ェハ載置部と、前記ウェハ表面に平行な面において互い
に直交する方向に前記載置部を直線駆動自在な駆動手段
と、前記ウェハの中心を通りこのウェハ表面に直交する
軸を中心に前記載置部を回動駆動自在な駆動手段と、前
記マーク検出用穴を夫々通して前記ウェハの裏面のマー
クを検出光学的に検出すべく位置固定されたマーク検出
手段とを含むことを特徴とする半導体ウェハアライメン
ト装置。
1. A semiconductor wafer alignment apparatus having at least two alignment marks on a back surface thereof, wherein the wafer is mounted and fixed, and mark detection is performed corresponding to each position of the marks in the mounted and fixed state. A wafer mounting portion having a hole, a driving means capable of linearly driving the mounting portion in a direction orthogonal to each other in a plane parallel to the wafer surface, and an axis passing through the center of the wafer and orthogonal to the wafer surface. And a mark detecting means fixed in position for detecting and optically detecting a mark on the back surface of the wafer through each of the mark detecting holes. Characteristic semiconductor wafer alignment device.
JP35144891A 1991-12-12 1991-12-12 Semiconductor wafer alignment device Pending JPH05166702A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8061500B2 (en) 2007-10-24 2011-11-22 Applied Materials Italia S.R.L. Alignment device and method to align plates for electronic circuits
JP2016092043A (en) * 2014-10-30 2016-05-23 ウシオ電機株式会社 Alignment device, exposure device and alignment method
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