JPH06168956A - Manufacture of thin-film transistor - Google Patents
Manufacture of thin-film transistorInfo
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- JPH06168956A JPH06168956A JP32156992A JP32156992A JPH06168956A JP H06168956 A JPH06168956 A JP H06168956A JP 32156992 A JP32156992 A JP 32156992A JP 32156992 A JP32156992 A JP 32156992A JP H06168956 A JPH06168956 A JP H06168956A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体工業における半
導体薄膜素子の製造方法に関し、特にアクティブマトリ
ックス方式の液晶ディスプレイ等に用いられる薄膜トラ
ンジスタの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor thin film element in the semiconductor industry, and more particularly to a method for manufacturing a thin film transistor used in an active matrix type liquid crystal display or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、薄膜トランジスタの製造において
は、図３ａに示すように、水素希釈のホスフィン（ＰＨ
3 ）のような価電子制御用の不純物を含む気体を放電分
解し、生成したイオン１９、２０を質量分離せずに大口
径のイオンビームとして半導体薄膜１６に一括して打ち
込み、ドーピング層２１（図３ｂ）を形成するという方
法が採られている。尚、この場合、ドーピング層２１の
形成は、有機材料からなるレジスト１８及び保護膜１７
をマスクとして選択的に行われる［A. Yoshida,et al.
: Jpn J. Appl. Phys. 56(1991)L118］。2. Description of the Related Art Conventionally, in manufacturing a thin film transistor, as shown in FIG. 3a, hydrogen diluted phosphine (PH) is used.
A gas containing impurities for controlling valence electrons such as 3 ) is discharged and decomposed, and the generated ions 19 and 20 are collectively implanted into the semiconductor thin film 16 as a large-diameter ion beam without mass separation, and the doping layer 21 ( The method of forming FIG. 3b) is adopted. In this case, the doping layer 21 is formed by forming the resist 18 and the protective film 17 made of an organic material.
Is used as a mask [A. Yoshida, et al.
: Jpn J. Appl. Phys. 56 (1991) L118].
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような方法を採用した場合、大面積処理は容易である
が、以下のような課題がある。すなわち、図４に示すよ
うに、薄膜トランジスタを形成するために、イオン源開
口部２５から基板台２３上の試料２４に対してイオンを
連続的に打ち込むと、水素及びＰ、Ａｓ、Ｂ等の価電子
制御用の不純物を含むイオン１９、２０の照射によって
（図３ａ）、半導体薄膜１６及びレジスト１８の表面付
近の温度が急激に上昇し、レジスト１８が変質・硬化し
てしまう（図３ｂ）。この変質・硬化層２２の形成は、
例えば、ドーピングガス；Ｈ2 希釈５％ＰＨ3 、イオン
のエネルギー；１５ｋＶ、イオン照射量；５×１０15ｉ
ｏｎｓ／（ｃｍ2 ・分）で確認されている。従って、イ
オン注入処理後は、有機溶媒洗浄、発煙硝酸洗浄、酸素
ラジカルによるアッシング（灰化）ではレジスト１８を
容易に除去することができず、酸素イオンを用いたスパ
ッタエッチングによらなければならないため、レジスト
１８の除去作業が非常に面倒であるという課題があっ
た。However, when the above method is adopted, large area processing is easy, but there are the following problems. That is, as shown in FIG. 4, when ions are continuously implanted into the sample 24 on the substrate table 23 from the ion source opening 25 to form a thin film transistor, hydrogen and the values of P, As, B and the like are obtained. Irradiation with ions 19 and 20 containing impurities for electronic control (FIG. 3A) causes the temperature in the vicinity of the surfaces of the semiconductor thin film 16 and the resist 18 to rise sharply, and the resist 18 is altered and hardened (FIG. 3B). The alteration / cured layer 22 is formed by
For example, doping gas; H 2 diluted 5% PH 3 , ion energy; 15 kV, ion irradiation dose; 5 × 10 15 i
It is confirmed in ons / (cm 2 · min). Therefore, after the ion implantation process, the resist 18 cannot be easily removed by organic solvent cleaning, fuming nitric acid cleaning, and ashing (ashing) by oxygen radicals, and sputter etching using oxygen ions must be performed. However, there is a problem that the work of removing the resist 18 is very troublesome.
【０００４】また、イオン照射中の温度上昇により、半
導体薄膜１６の特性が劣化し、薄膜トランジスタの信頼
性を低下させるという課題があった。本発明は、前記従
来技術の課題を解決するため、イオン注入処理後におけ
るレジストの除去を容易とし、かつ、半導体薄膜の特性
を劣化させることのない薄膜トランジスタの製造方法を
提供することを目的とする。Further, there is a problem that the characteristics of the semiconductor thin film 16 are deteriorated due to the temperature rise during the ion irradiation and the reliability of the thin film transistor is lowered. In order to solve the above-mentioned problems of the prior art, it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a thin film transistor, which facilitates the removal of the resist after the ion implantation process and does not deteriorate the characteristics of the semiconductor thin film. .
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る薄膜トランジスタの第１の製造方法
は、基体上に形成された絶縁体薄膜及び半導体薄膜を少
なくとも備えた薄膜トランジスタの製造方法において、
水素及び価電子制御用の不純物を含むイオンの注入を、
所定の注入量まで不連続的に行うことを特徴とする。In order to achieve the above-mentioned object, a first method of manufacturing a thin film transistor according to the present invention is a method of manufacturing a thin film transistor including at least an insulator thin film and a semiconductor thin film formed on a substrate. ,
Implantation of ions containing hydrogen and impurities for controlling valence electrons,
It is characterized in that the injection is carried out discontinuously up to a predetermined injection amount.
【０００６】また、本発明に係る薄膜トランジスタの第
２の製造方法は、基体上に形成された絶縁体薄膜及び半
導体薄膜を備えた薄膜トランジスタの製造方法におい
て、水素及び価電子制御用の不純物を含むイオンの注入
を、所定の注入量まで複数枚の基体に対して交互に行う
ことを特徴とする。A second method of manufacturing a thin film transistor according to the present invention is the method of manufacturing a thin film transistor including an insulator thin film and a semiconductor thin film formed on a substrate, wherein ions containing hydrogen and impurities for controlling valence electrons are included. Are alternately injected into a plurality of substrates up to a predetermined injection amount.
【０００７】前記第１又は第２の製造方法においては、
イオンの注入後に、加熱処理を行なうことが好ましい。
また、前記第１又は第２の製造方法においては、半導体
薄膜が非晶質シリコン薄膜であることが好ましい。In the first or second manufacturing method,
It is preferable to perform heat treatment after the ion implantation.
In the first or second manufacturing method, the semiconductor thin film is preferably an amorphous silicon thin film.
【０００８】また、前記第１又は第２の製造方法におい
ては、半導体薄膜が微結晶シリコン薄膜であることが好
ましい。また、前記第１又は第２の製造方法において
は、半導体薄膜が多結晶シリコン薄膜であることが好ま
しい。In the first or second manufacturing method, the semiconductor thin film is preferably a microcrystalline silicon thin film. Further, in the first or second manufacturing method, the semiconductor thin film is preferably a polycrystalline silicon thin film.
【０００９】[0009]
【作用】本発明の第１の製造方法によれば、半導体薄膜
及びマスクの表面付近の急激な温度上昇を防ぎ、マスク
の変質・硬化、さらには半導体薄膜の特性劣化を抑制す
ることができるので、レジストをマスクとしてドーピン
グ層を選択的に形成した場合でも、有機溶媒洗浄、発煙
硝酸洗浄、あるいは酸素ラジカルによるアッシング（灰
化）によってレジストを容易に除去することができ、か
つ、良好な特性を示す薄膜トランジスタを作製すること
ができる。According to the first manufacturing method of the present invention, it is possible to prevent a rapid temperature rise in the vicinity of the surface of the semiconductor thin film and the mask, and to suppress alteration / hardening of the mask and further deterioration of the characteristics of the semiconductor thin film. Even when the doping layer is selectively formed using the resist as a mask, the resist can be easily removed by organic solvent cleaning, fuming nitric acid cleaning, or ashing with oxygen radicals, and good characteristics can be obtained. The thin film transistor shown can be manufactured.
【００１０】本発明の第２の製造方法によれば、さら
に、イオン注入工程が中断することがないので、処理個
数を確保して生産の低減を抑えることができる。本発明
方法において、イオンの注入後に、加熱処理を行なうと
いう好ましい構成によれば、ドーピング層の損傷を回復
し、イオン注入物を活性化させることができるので、よ
り良好な特性を示す薄膜トランジスタを作製することが
できる。According to the second manufacturing method of the present invention, since the ion implantation process is not interrupted, it is possible to secure the number to be processed and suppress the reduction in production. In the method of the present invention, according to a preferable configuration in which the heat treatment is performed after the ion implantation, the damage of the doping layer can be recovered and the ion-implanted material can be activated, so that a thin film transistor having better characteristics is manufactured. can do.
【００１１】また、本発明方法において、半導体薄膜が
非晶質シリコン薄膜であるという好ましい構成によれ
ば、プラズマ励起ＣＶＤ法等により容易にガラス基板が
使用可能な温度で大面積基板上に均一に薄膜を形成する
ことができるので、低コストで大面積の薄膜トランジス
タを作製することができる。Further, in the method of the present invention, according to the preferable structure in which the semiconductor thin film is an amorphous silicon thin film, the glass substrate can be easily uniformly formed on a large area substrate at a temperature at which the glass substrate can be easily used by a plasma excitation CVD method or the like. Since a thin film can be formed, a large-area thin film transistor can be manufactured at low cost.
【００１２】また、本発明方法において、半導体薄膜が
微結晶シリコン薄膜であるという好ましい構成によれ
ば、薄膜トランジスタの特性をより安定なものとするこ
とができる。Further, in the method of the present invention, if the semiconductor thin film is a microcrystalline silicon thin film, it is possible to make the characteristics of the thin film transistor more stable.
【００１３】また、本発明方法において、半導体薄膜が
多結晶シリコン薄膜であるという好ましい構成によれ
ば、薄膜トランジスタの電界移動度をより高いものとす
ることができ、かつ、ｐ型の薄膜トランジスタとするこ
とができる。Further, in the method of the present invention, according to the preferable structure that the semiconductor thin film is a polycrystalline silicon thin film, the electric field mobility of the thin film transistor can be made higher, and a p-type thin film transistor can be obtained. You can
【００１４】[0014]
【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的
に説明する。図１は本発明に係る薄膜トランジスタの製
造方法の一実施例を示す工程断面図である。EXAMPLES The present invention will be described in more detail below with reference to examples. FIG. 1 is a process sectional view showing an embodiment of a method of manufacturing a thin film transistor according to the present invention.
【００１５】ガラス等の基体１上に、ゲート電極２を形
成した後、窒化シリコンからなるゲート絶縁膜３、非晶
質シリコンからなる半導体薄膜４、窒化シリコンからな
る保護膜５を、プラズマ励起ＣＶＤ法により形成する。
そして、フォトリソ工程を経てパターニングしたレジス
ト６をマスクとして、保護膜５を図１ａのように部分的
に蝕刻する。この後、レジスト６及び保護膜５をマスク
とし、例えば、ＰＨ3とＨ2 の混合ガスの放電分解によ
って発生するＰを含んだイオン７及び水素イオン８を、
質量分離せずに打ち込んでドーピングすることにより、
半導体薄膜４のうちレジスト６及び保護膜５の直下以外
の領域にｎ型のドーピング層９を形成する（図１ｂ）。
尚、ｐ型のドーピング層を形成する場合には、例えば、
Ｂ2 Ｈ6とＨ2 の混合ガスの放電分解によって発生する
Ｂを含んだイオン及び水素イオンを、質量分離せずに打
ち込んでドーピングすればよい。After forming the gate electrode 2 on the substrate 1 such as glass, a gate insulating film 3 made of silicon nitride, a semiconductor thin film 4 made of amorphous silicon, and a protective film 5 made of silicon nitride are plasma-enhanced CVD. It is formed by the method.
Then, using the resist 6 patterned through the photolithography process as a mask, the protective film 5 is partially etched as shown in FIG. 1A. After that, using the resist 6 and the protective film 5 as masks, for example, P-containing ions 7 and hydrogen ions 8 generated by discharge decomposition of a mixed gas of PH 3 and H 2 ,
By implanting and doping without mass separation,
An n-type doping layer 9 is formed in a region of the semiconductor thin film 4 other than immediately below the resist 6 and the protective film 5 (FIG. 1b).
When forming a p-type doping layer, for example,
Ions and hydrogen ions containing B generated by discharge decomposition of a mixed gas of B 2 H 6 and H 2 may be implanted and doped without mass separation.
【００１６】Ｐを含んだイオン７及び水素イオン８の注
入は、イオンビームの引出しを電気的に制御することに
より、半導体薄膜４に対し１５秒行い、１５秒休止する
という不連続的な照射によって行う。ここで、イオンの
注入は、ドーピングガス；Ｈ 2 希釈５％ＰＨ3 、イオン
のエネルギー；１５ｋＶ、イオンの照射量；２×１０ 15
ｉｏｎｓ／（ｃｍ2 ・分）という条件で行う。Injection of P-containing ions 7 and hydrogen ions 8
On to electrically control the extraction of the ion beam
The semiconductor thin film 4 for 15 seconds and then rest for 15 seconds.
This is done by discontinuous irradiation. Where ionic
Injection is doping gas; H 2Diluted 5% PH3,ion
Energy: 15 kV, ion dose: 2 × 10 15
ions / (cm2・ Min.)
【００１７】この注入工程は非質量分離のイオンビ−ム
によるものであるため、装置の構成が簡易で大面積処理
が可能であり、かつ処理時間も短い。また、このように
イオン注入を不連続的に行えば、半導体薄膜４及びマス
クとしてのレジスト６、保護膜５の表面付近の急激な温
度上昇を防ぐことができるので、レジスト６における変
質・硬化層の形成がなくなり、その結果、イオン注入処
理後に、有機溶媒洗浄、発煙硝酸洗浄、あるいは酸素ラ
ジカルによるアッシング（灰化）によってレジスト６を
容易に除去することができる。さらに、この方法を採用
すれば、急激な温度上昇による半導体薄膜４の特性劣化
も抑制することができるので、良好な特性を示す薄膜ト
ランジスタを作製することができる。Since this implantation step is performed by the ion beam of non-mass separation, the construction of the apparatus is simple, large area processing is possible, and the processing time is short. If the ion implantation is performed discontinuously in this way, a rapid temperature rise near the surfaces of the semiconductor thin film 4, the resist 6 as a mask, and the protective film 5 can be prevented. As a result, after the ion implantation process, the resist 6 can be easily removed by cleaning with an organic solvent, cleaning with fuming nitric acid, or ashing (ashing) with oxygen radicals. Further, by adopting this method, it is possible to suppress the characteristic deterioration of the semiconductor thin film 4 due to the rapid temperature rise, so that it is possible to manufacture a thin film transistor having excellent characteristics.
【００１８】また、レジスト６を除去した後に、加熱処
理を行えば、ドーピング層９の損傷を回復し、イオン注
入物を活性化させることができるので、より良好な特性
を示す薄膜トランジスタを作製することができる。Further, if the heat treatment is performed after removing the resist 6, the damage of the doping layer 9 can be recovered and the ion-implanted substance can be activated, so that a thin film transistor having better characteristics can be manufactured. You can
【００１９】尚、上記実施例においては、イオン注入処
理を、１個の半導体薄膜４に対し１５秒行い、１５秒休
止するという不連続的な照射によって行っているが、必
ずしもこの方法に限定されるものではなく、以下のよう
な方法によっても同様の効果を得ることができる。すな
わち、図２に示すように、基板台１１上に４枚の試料１
０をセットし、イオン源開口部１２から引き出されるイ
オンに対し、基板台１１を９０゜ずつのステップで回転
させることにより、各試料１０に対し１５秒ごとに照射
する。そして、この方法を採用すれば、イオン注入工程
が中断することはないので、処理個数を確保して生産の
低減を抑えることができる。In the above embodiment, the ion implantation process is performed by discontinuous irradiation in which one semiconductor thin film 4 is applied for 15 seconds and rested for 15 seconds, but the method is not necessarily limited to this method. However, the same effect can be obtained by the following method. That is, as shown in FIG. 2, four samples 1 are placed on the substrate table 11.
0 is set, and the substrate table 11 is rotated in steps of 90 ° with respect to the ions extracted from the ion source opening 12, so that each sample 10 is irradiated every 15 seconds. If this method is adopted, the ion implantation process is not interrupted, so that it is possible to secure the number to be processed and suppress the reduction in production.
【００２０】また、半導体薄膜４の材料としては、プラ
ズマ励起ＣＶＤ法等により容易にガラス基板が使用可能
な温度で大面積基板上に均一に形成することができ、低
コストで大面積の薄膜素子を作製することができる点
で、上記実施例に記載した非晶質シリコンが好ましい
が、必ずしもこれに限定されるものではなく、例えば、
微結晶シリコン、多結晶シリコンであってもよい。そし
て、半導体薄膜４の材料として微結晶シリコンを用いれ
ば、薄膜トランジスタの特性をより安定なものとするこ
とができる。また、多結晶シリコンを用いれば、薄膜ト
ランジスタの電界移動度をより高いものとすることがで
き、かつ、ｐ型の薄膜トランジスタとすることができる
というメリットがある。As the material of the semiconductor thin film 4, a thin film element having a large area can be easily formed uniformly by a plasma-enhanced CVD method or the like on a large area substrate at a temperature at which a glass substrate can be used. Amorphous silicon described in the above examples is preferable in that it can be manufactured, but it is not necessarily limited to this, and, for example,
It may be microcrystalline silicon or polycrystalline silicon. If microcrystalline silicon is used as the material of the semiconductor thin film 4, the characteristics of the thin film transistor can be made more stable. Further, the use of polycrystalline silicon has an advantage that the electric field mobility of the thin film transistor can be made higher and the p-type thin film transistor can be obtained.
【００２１】[0021]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１の製
造方法によれば、半導体薄膜及びマスクの表面付近の急
激な温度上昇を防ぎ、マスクの変質・硬化、さらには半
導体薄膜の特性劣化を抑制することができるので、レジ
ストをマスクとしてドーピング層を選択的に形成した場
合でも、有機溶媒洗浄、発煙硝酸洗浄、あるいは酸素ラ
ジカルによるアッシング（灰化）によってレジストを容
易に除去することができ、かつ、良好な特性を示す薄膜
トランジスタを作製することができる。As described above, according to the first manufacturing method of the present invention, a rapid temperature rise in the vicinity of the surfaces of the semiconductor thin film and the mask is prevented, the mask is altered and hardened, and the characteristics of the semiconductor thin film are improved. Since deterioration can be suppressed, even when the doping layer is selectively formed using the resist as a mask, the resist can be easily removed by organic solvent cleaning, fuming nitric acid cleaning, or ashing by oxygen radicals (ashing). It is possible to manufacture a thin film transistor that exhibits good characteristics.
【００２２】また、本発明の第２の製造方法によれば、
さらに、イオン注入工程が中断することはないので、処
理個数を確保して生産の低減を抑えることができる。ま
た、本発明方法において、イオンの注入後に、加熱処理
を行なうという好ましい構成によれば、ドーピング層の
損傷を回復し、イオン注入物を活性化させることができ
るので、より良好な特性を示す薄膜トランジスタを作製
することができる。According to the second manufacturing method of the present invention,
Further, since the ion implantation process is not interrupted, it is possible to secure the number of processed products and suppress the reduction in production. Further, in the method of the present invention, according to a preferable configuration in which the heat treatment is performed after the ion implantation, the damage of the doping layer can be recovered and the ion-implanted material can be activated, so that the thin film transistor having better characteristics can be obtained. Can be produced.
【００２３】また、本発明方法において、半導体薄膜が
非晶質シリコン薄膜であるという好ましい構成によれ
ば、プラズマ励起ＣＶＤ法等により容易にガラス基板が
使用可能な温度で大面積基板上に均一に半導体薄膜を形
成することができるので、低コストで大面積の薄膜トラ
ンジスタを作製することができる。Further, in the method of the present invention, according to the preferable structure in which the semiconductor thin film is an amorphous silicon thin film, the glass substrate can be easily uniformly formed on a large area substrate at a temperature at which the glass substrate can be easily used by a plasma excitation CVD method or the like. Since the semiconductor thin film can be formed, a large-area thin film transistor can be manufactured at low cost.
【００２４】また、本発明方法において、半導体薄膜が
微結晶シリコン薄膜であるという好ましい構成によれ
ば、薄膜トランジスタの特性をより安定なものとするこ
とができる。Further, in the method of the present invention, if the semiconductor thin film is a microcrystalline silicon thin film, it is possible to make the characteristics of the thin film transistor more stable.
【００２５】さらに、本発明方法において、半導体薄膜
が多結晶シリコン薄膜であるという好ましい構成によれ
ば、薄膜トランジスタの電界移動度をより高いものとす
ることができ、かつ、ｐ型の薄膜トランジスタとするこ
とができる。Further, in the method of the present invention, according to the preferable structure that the semiconductor thin film is a polycrystalline silicon thin film, the electric field mobility of the thin film transistor can be made higher and a p-type thin film transistor can be obtained. You can
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法の一
実施例を示す工程断面図である。FIG. 1 is a process sectional view showing an embodiment of a method of manufacturing a thin film transistor according to the present invention.
【図２】本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法の他
の実施例を示す工程概略図である。FIG. 2 is a process schematic view showing another embodiment of the method of manufacturing a thin film transistor according to the present invention.
【図３】従来技術における薄膜トランジスタの製造方法
を示す工程断面図である。3A to 3D are process cross-sectional views showing a method of manufacturing a thin film transistor in the related art.
【図４】従来技術における薄膜トランジスタの製造方法
を示す工程概略図である。FIG. 4 is a process schematic diagram showing a method of manufacturing a thin film transistor in the prior art.
１ 基体 ２ ゲート電極 ３ ゲート絶縁膜 ４ 非晶質シリコン薄膜 ５ 保護膜 ６ レジスト ７ Ｐを含んだイオン ８ 水素イオン ９ ｎ型のドーピング層 １０ 試料 １１ 基板台 １２ イオン源開口部 1 Base 2 Gate Electrode 3 Gate Insulating Film 4 Amorphous Silicon Thin Film 5 Protective Film 6 Resist 7 P-Containing Ion 8 Hydrogen Ion 9 n-Type Doping Layer 10 Sample 11 Substrate Stand 12 Ion Source Opening
Claims (6)
体薄膜を少なくとも備えた薄膜トランジスタの製造方法
において、水素及び価電子制御用の不純物を含むイオン
の注入を、所定の注入量まで不連続的に行うことを特徴
とする薄膜トランジスタの製造方法。1. A method of manufacturing a thin film transistor comprising at least an insulator thin film and a semiconductor thin film formed on a substrate, wherein the implantation of ions containing hydrogen and impurities for controlling valence electrons is discontinuous up to a predetermined implantation amount. 1. A method of manufacturing a thin film transistor, comprising:
体薄膜を少なくとも備えた薄膜トランジスタの製造方法
において、水素及び価電子制御用の不純物を含むイオン
の注入を、所定の注入量まで複数枚の基体に対して交互
に行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。2. A method of manufacturing a thin film transistor comprising at least an insulator thin film and a semiconductor thin film formed on a substrate, wherein a plurality of ions are implanted up to a predetermined implantation amount of ions containing hydrogen and impurities for controlling valence electrons. A method of manufacturing a thin film transistor, characterized in that the steps are alternately performed on a substrate.
求項１又は２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。3. The method of manufacturing a thin film transistor according to claim 1, wherein heat treatment is performed after the ion implantation.
請求項１又は２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。4. The method for manufacturing a thin film transistor according to claim 1, wherein the semiconductor thin film is an amorphous silicon thin film.
請求項１又は２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。5. The method of manufacturing a thin film transistor according to claim 1, wherein the semiconductor thin film is a microcrystalline silicon thin film.
請求項１又は２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。6. The method of manufacturing a thin film transistor according to claim 1, wherein the semiconductor thin film is a polycrystalline silicon thin film.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32156992A JP3219501B2 (en) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | Method for manufacturing thin film transistor |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|
| JPH06168956A true JPH06168956A (en) | 1994-06-14 |
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| JP (1) | JP3219501B2 (en) |
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| JPWO2005020306A1 (en) * | 2003-08-25 | 2006-10-19 | 松下電器産業株式会社 | Method for forming impurity introduction layer, method for cleaning object to be processed, impurity introduction apparatus and device manufacturing method |
| JP2008066486A (en) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Method for manufacturing semiconductor device |
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1992
- 1992-12-01 JP JP32156992A patent/JP3219501B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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|---|---|
| JP3219501B2 (en) | 2001-10-15 |
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