JPH06168692A - Ｓｉｍ像の観察方法と二次イオン検出器 - Google Patents
Ｓｉｍ像の観察方法と二次イオン検出器Info
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- JPH06168692A JPH06168692A JP32175692A JP32175692A JPH06168692A JP H06168692 A JPH06168692 A JP H06168692A JP 32175692 A JP32175692 A JP 32175692A JP 32175692 A JP32175692 A JP 32175692A JP H06168692 A JPH06168692 A JP H06168692A
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- Japan
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- ion
- ion detector
- electron conversion
- ions
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Abstract
(57)【要約】
【目的】対称性良いＳＩＭ像観察方法とそれを観察する
ための小型化されたイオン検出器を得ること。 【構成】集束荷電粒子ビーム２を被観察試料３に照射
し、試料面３から放出される二次イオン４を試料面上に
左右対称に配置された小型化したイオン検出器１で検出
することにより、対称性良くＳＩＭ像を得る。イオン検
出器１としてイオン−電子変換メッシュ電極、対向面電
極、傾斜面電極、円錐形電極等を用いる。
ための小型化されたイオン検出器を得ること。 【構成】集束荷電粒子ビーム２を被観察試料３に照射
し、試料面３から放出される二次イオン４を試料面上に
左右対称に配置された小型化したイオン検出器１で検出
することにより、対称性良くＳＩＭ像を得る。イオン検
出器１としてイオン−電子変換メッシュ電極、対向面電
極、傾斜面電極、円錐形電極等を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体ＬＳＩ、
その製造に供するマスクなどの微細加工に用いられるＳ
ＩＭ像の観察方法とそれを観察するための二次イオン検
出器に係わり、特に集束荷電粒子ビーム走査により対称
性の良好な二次荷電粒子信号を得るに好適なＳＩＭ像の
観察方法とそれを観察するための二次イオン検出器に関
する。
その製造に供するマスクなどの微細加工に用いられるＳ
ＩＭ像の観察方法とそれを観察するための二次イオン検
出器に係わり、特に集束荷電粒子ビーム走査により対称
性の良好な二次荷電粒子信号を得るに好適なＳＩＭ像の
観察方法とそれを観察するための二次イオン検出器に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ＬＳＩなどのプロセス解析や不良
解析のために、一般に集束荷電粒子ビームを使った加工
では、被加工物の表面を観察する際、集束荷電粒子ビー
ムを走査して試料面から放出される二次荷電粒子を、シ
ンチレータと光電子増倍管、あるいはエスピイアイイ
第９２３巻 エレクトロンビーム、Ｘレイ、アンド アイ
オンビーム テクノロジー：サブマイクロメータ リソグ
ラフィ 第７回 １９８８年の第９２頁〜第９６頁に記載
された「マイクロサーキット モディフィケーション ユ
ージング フォーカスト アイオン ビームズ」〔Microci
rcuit Modification Using Focused Ion Beams, SPIE V
ol.923 Electron-Beam, X-Ray, and Ion-Beam Technolo
gy: Submicrometer Lithographies VII（1988）P92-9
6〕によればＭＣＰ（マイクロチャネルプレート：Micro
Channel Plate）などにより検出し、走査ビームに同期
してＣＲＴ上を走査している輝点に輝度変調をかけるこ
とにより、ＳＩＭ像（走査イオン像＝Scanning Ion Mic
roscope image）を観察する方法が行われる。
解析のために、一般に集束荷電粒子ビームを使った加工
では、被加工物の表面を観察する際、集束荷電粒子ビー
ムを走査して試料面から放出される二次荷電粒子を、シ
ンチレータと光電子増倍管、あるいはエスピイアイイ
第９２３巻 エレクトロンビーム、Ｘレイ、アンド アイ
オンビーム テクノロジー：サブマイクロメータ リソグ
ラフィ 第７回 １９８８年の第９２頁〜第９６頁に記載
された「マイクロサーキット モディフィケーション ユ
ージング フォーカスト アイオン ビームズ」〔Microci
rcuit Modification Using Focused Ion Beams, SPIE V
ol.923 Electron-Beam, X-Ray, and Ion-Beam Technolo
gy: Submicrometer Lithographies VII（1988）P92-9
6〕によればＭＣＰ（マイクロチャネルプレート：Micro
Channel Plate）などにより検出し、走査ビームに同期
してＣＲＴ上を走査している輝点に輝度変調をかけるこ
とにより、ＳＩＭ像（走査イオン像＝Scanning Ion Mic
roscope image）を観察する方法が行われる。
【０００３】上記二次荷電粒子を検出する際に、シンチ
レータと光電子増倍管を用いた場合に比べ、ＭＣＰは集
束荷電粒子の走査ビーム軸に対して対称的に被観察試料
から放出された荷電粒子を検出できるために、例えば凹
凸パターンの左右傾斜面などを左右対称に捉えることが
できるという特徴があった。
レータと光電子増倍管を用いた場合に比べ、ＭＣＰは集
束荷電粒子の走査ビーム軸に対して対称的に被観察試料
から放出された荷電粒子を検出できるために、例えば凹
凸パターンの左右傾斜面などを左右対称に捉えることが
できるという特徴があった。
【０００４】一方、特開平１−３１１５５２号や特開平
２−１８３９６０号公報に示されているようなイオン検
出器は、ＭＣＰとは異なり、イオンを一度電子に変換し
てから検出するイオン−電子変換型検出器によるもの
で、エッチング等に用いられる反応性ガス雰囲気中でも
イオンを電子に変換する電極表面の二次電子放出率が低
下しないと共に、シンチレータ、光電子増倍管等の他の
構成要素もガスの影響を受けないことから、汚染の影響
を受けずに効率良くイオン検出を行うことができるとい
う特徴があった。
２−１８３９６０号公報に示されているようなイオン検
出器は、ＭＣＰとは異なり、イオンを一度電子に変換し
てから検出するイオン−電子変換型検出器によるもの
で、エッチング等に用いられる反応性ガス雰囲気中でも
イオンを電子に変換する電極表面の二次電子放出率が低
下しないと共に、シンチレータ、光電子増倍管等の他の
構成要素もガスの影響を受けないことから、汚染の影響
を受けずに効率良くイオン検出を行うことができるとい
う特徴があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、二次イオンの
検出における上記従来技術であるＭＣＰによる検出で
は、ビーム加工速度を上げるために反応性ガス雰囲気中
で加工しながら二次荷電粒子像を観察するような場合、
ＭＣＰの汚染により荷電粒子増倍率が低下して鮮明な像
を得られなくなるという問題があった。
検出における上記従来技術であるＭＣＰによる検出で
は、ビーム加工速度を上げるために反応性ガス雰囲気中
で加工しながら二次荷電粒子像を観察するような場合、
ＭＣＰの汚染により荷電粒子増倍率が低下して鮮明な像
を得られなくなるという問題があった。
【０００６】従って、反応性ガスによるイオン検出器の
汚染に対しては上記従来技術であるイオン−電子変換型
検出器が有効であるが、従来のイオン−電子変換電極
は、イオンの入射角に対して９０度方向にて電子変換を
行う電極であるため、比較的大型であった。また、あく
まで全イオンの発生強度を測定する目的で構成されてお
り、像観察に対する配慮がなされていなかった。その結
果、走査荷電粒子ビーム軸に対して一方向からのみの観
察となり、観察像の対称性を得ることができなかった。
汚染に対しては上記従来技術であるイオン−電子変換型
検出器が有効であるが、従来のイオン−電子変換電極
は、イオンの入射角に対して９０度方向にて電子変換を
行う電極であるため、比較的大型であった。また、あく
まで全イオンの発生強度を測定する目的で構成されてお
り、像観察に対する配慮がなされていなかった。その結
果、走査荷電粒子ビーム軸に対して一方向からのみの観
察となり、観察像の対称性を得ることができなかった。
【０００７】したがって本発明の目的は、上記従来の問
題点を解消することにあり、その主たる目的は真空中は
勿論のこと、反応性ガス中においても使用可能で、かつ
試料面に対して左右の対称性を保ちながらＳＩＭ像を得
ることのできる改良されたＳＩＭ像の観察方法を、そし
て他の目的はそれを観察可能とする改良されたイオン−
電子変換電極を有する二次イオン検出器を、それぞれ提
供することにある。
題点を解消することにあり、その主たる目的は真空中は
勿論のこと、反応性ガス中においても使用可能で、かつ
試料面に対して左右の対称性を保ちながらＳＩＭ像を得
ることのできる改良されたＳＩＭ像の観察方法を、そし
て他の目的はそれを観察可能とする改良されたイオン−
電子変換電極を有する二次イオン検出器を、それぞれ提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記主たる目的は、観察
試料面を走査する集束荷電粒子ビームと、試料面から放
出された二次イオンの発生強度を電気信号として捉える
イオン検出器によりＳＩＭ像を観察する方法において、
前記走査集束荷電粒子ビーム軸に対して対称的に複数の
イオン−電子変換型イオン検出器を配置すると共に、前
記イオン−電子変換型イオン検出器を構成する荷電粒子
制御メッシュ電極を介して、試料面から放出された二次
イオンを選択的に入射させ、これを加速してイオン−電
子変換電極に衝突させて二次電子を放出させ、これをシ
ンチレータと光電子増倍管とからなる二次電子検出器で
計測することにより、前記観察像の左右の対称性を保ち
ながら捉えるようにして成るＳＩＭ像の観察方法によ
り、達成される。
試料面を走査する集束荷電粒子ビームと、試料面から放
出された二次イオンの発生強度を電気信号として捉える
イオン検出器によりＳＩＭ像を観察する方法において、
前記走査集束荷電粒子ビーム軸に対して対称的に複数の
イオン−電子変換型イオン検出器を配置すると共に、前
記イオン−電子変換型イオン検出器を構成する荷電粒子
制御メッシュ電極を介して、試料面から放出された二次
イオンを選択的に入射させ、これを加速してイオン−電
子変換電極に衝突させて二次電子を放出させ、これをシ
ンチレータと光電子増倍管とからなる二次電子検出器で
計測することにより、前記観察像の左右の対称性を保ち
ながら捉えるようにして成るＳＩＭ像の観察方法によ
り、達成される。
【０００９】また、上記他の目的は、イオン−電子変換
電極としてメッシュ電極、対向面電極、傾斜面電極、円
錐形電極を用いることによりイオン検出器を小型化し、
また、これら検出器を走査ビーム軸に対して対称的に複
数配置することにより、容易に達成される。これらイオ
ン検出器の具体的な目的達成手段について以下に詳述す
る。
電極としてメッシュ電極、対向面電極、傾斜面電極、円
錐形電極を用いることによりイオン検出器を小型化し、
また、これら検出器を走査ビーム軸に対して対称的に複
数配置することにより、容易に達成される。これらイオ
ン検出器の具体的な目的達成手段について以下に詳述す
る。
【００１０】上記目的は、光電子を増幅する光電子増倍
管と、電子を光に変換するシンチレータと、イオンを電
子に変換するイオン−電子変換電極と、荷電粒子の運動
を制御する電極とを有するイオン検出器において、前記
イオン−電子変換電極をメッシュ電極で構成すると共
に、これを前記光電子増倍管の検出面と平行に、しかも
前記検出面と前記荷電粒子の運動を制御する電極との間
に配設して成るイオン検出器により、達成される。そし
て、好ましくは上記イオン−電子変換メッシュ電極の前
方に荷電粒子の運動を制御する電極として前記イオン−
電子変換メッシュ電極より低電位に設定されたメッシュ
電極からなるイオン加速手段を配設することが望まし
い。
管と、電子を光に変換するシンチレータと、イオンを電
子に変換するイオン−電子変換電極と、荷電粒子の運動
を制御する電極とを有するイオン検出器において、前記
イオン−電子変換電極をメッシュ電極で構成すると共
に、これを前記光電子増倍管の検出面と平行に、しかも
前記検出面と前記荷電粒子の運動を制御する電極との間
に配設して成るイオン検出器により、達成される。そし
て、好ましくは上記イオン−電子変換メッシュ電極の前
方に荷電粒子の運動を制御する電極として前記イオン−
電子変換メッシュ電極より低電位に設定されたメッシュ
電極からなるイオン加速手段を配設することが望まし
い。
【００１１】また、上記目的は、光電子を増幅する光電
子増倍管と、電子を光に変換するシンチレータと、イオ
ンを電子に変換するイオン−電子変換電極と、荷電粒子
の運動を制御する電極とを有するイオン検出器におい
て、前記イオン−電子変換電極を、前記光電子増倍管の
検出面に対向して平行に、しかも前記検出面の中心から
偏心して配設された平板状の変換対向面電極で構成し、
前記荷電粒子の運動を制御する電極をメッシュ電極で構
成し、前記光電子増倍管の軸に対して直交する方向のイ
オンの入射部に配設して成るイオン検出器によっても、
達成される。上記シンチレータと変換対向面電極間に接
地電位に対してバイアス電圧を印加したフロート電源に
より一定加速電圧を供給しながら、入射イオンの運動を
制御する手段を配設することが望ましい。また、上記変
換対向面電極の検出面中心からの偏心の程度は、イオン
の入射部のメッシュ電極から最も離れた位置とすること
が望ましい。
子増倍管と、電子を光に変換するシンチレータと、イオ
ンを電子に変換するイオン−電子変換電極と、荷電粒子
の運動を制御する電極とを有するイオン検出器におい
て、前記イオン−電子変換電極を、前記光電子増倍管の
検出面に対向して平行に、しかも前記検出面の中心から
偏心して配設された平板状の変換対向面電極で構成し、
前記荷電粒子の運動を制御する電極をメッシュ電極で構
成し、前記光電子増倍管の軸に対して直交する方向のイ
オンの入射部に配設して成るイオン検出器によっても、
達成される。上記シンチレータと変換対向面電極間に接
地電位に対してバイアス電圧を印加したフロート電源に
より一定加速電圧を供給しながら、入射イオンの運動を
制御する手段を配設することが望ましい。また、上記変
換対向面電極の検出面中心からの偏心の程度は、イオン
の入射部のメッシュ電極から最も離れた位置とすること
が望ましい。
【００１２】また、上記目的は、光電子を増幅する光電
子増倍管と、電子を光に変換するシンチレータと、イオ
ンを電子に変換するイオン−電子変換電極と、荷電粒子
の運動を制御する電極とを有するイオン検出器におい
て、前記イオン−電子変換電極を、ロート状の傾斜面電
極で構成すると共に、その大なる開口部をイオンの入射
方向に向け前記シンチレータと荷電粒子の運動を制御す
る電極との間に配設して成るイオン検出器によっても、
達成される。この場合も上記ロート状の傾斜面電極の前
方のイオン入射方向に荷電粒子の運動を制御する電極と
して前記傾斜面電極より低電位に設定された荷電粒子制
御メッシュ電極からなるイオン加速手段を配設すること
が望ましい。このイオン加速手段としては、通常、電極
電位の異なる二枚の荷電粒子制御メッシュ電極で構成す
る。上記シンチレータと傾斜面電極および荷電粒子制御
メッシュ電極間には、接地電位に対してバイアス電圧を
印加したフロート電源により一定加速電圧を供給しなが
ら、入射イオンの運動を制御する手段を配設することが
できる。
子増倍管と、電子を光に変換するシンチレータと、イオ
ンを電子に変換するイオン−電子変換電極と、荷電粒子
の運動を制御する電極とを有するイオン検出器におい
て、前記イオン−電子変換電極を、ロート状の傾斜面電
極で構成すると共に、その大なる開口部をイオンの入射
方向に向け前記シンチレータと荷電粒子の運動を制御す
る電極との間に配設して成るイオン検出器によっても、
達成される。この場合も上記ロート状の傾斜面電極の前
方のイオン入射方向に荷電粒子の運動を制御する電極と
して前記傾斜面電極より低電位に設定された荷電粒子制
御メッシュ電極からなるイオン加速手段を配設すること
が望ましい。このイオン加速手段としては、通常、電極
電位の異なる二枚の荷電粒子制御メッシュ電極で構成す
る。上記シンチレータと傾斜面電極および荷電粒子制御
メッシュ電極間には、接地電位に対してバイアス電圧を
印加したフロート電源により一定加速電圧を供給しなが
ら、入射イオンの運動を制御する手段を配設することが
できる。
【００１３】また、上記目的は、光電子を増幅する光電
子増倍管と、電子を光に変換するシンチレータと、イオ
ンを電子に変換するイオン−電子変換電極と、荷電粒子
の運動を制御する電極とを有するイオン検出器におい
て、前記イオン−電子変換電極を、中心軸に走査荷電粒
子ビームの通過孔を有する円錐形電極で構成し、前記荷
電粒子の運動を制御する電極を、前記光電子増倍管の軸
に対して直交する方向のイオンの入射部に配設して成る
イオン検出器によっても、達成される。この場合も上記
シンチレータと円錐形電極間に接地電位に対してバイア
ス電圧を印加したフロート電源により一定加速電圧を供
給しながら、入射イオンの運動を制御する手段を配設す
ることが望ましい。
子増倍管と、電子を光に変換するシンチレータと、イオ
ンを電子に変換するイオン−電子変換電極と、荷電粒子
の運動を制御する電極とを有するイオン検出器におい
て、前記イオン−電子変換電極を、中心軸に走査荷電粒
子ビームの通過孔を有する円錐形電極で構成し、前記荷
電粒子の運動を制御する電極を、前記光電子増倍管の軸
に対して直交する方向のイオンの入射部に配設して成る
イオン検出器によっても、達成される。この場合も上記
シンチレータと円錐形電極間に接地電位に対してバイア
ス電圧を印加したフロート電源により一定加速電圧を供
給しながら、入射イオンの運動を制御する手段を配設す
ることが望ましい。
【００１４】上記した何れのイオン検出器も、試料基板
上の走査荷電粒子ビーム軸に対称にその周囲に複数組配
設することができ、また、これらイオン検出器は試料基
板に平行に配設するのみならず、互いに所定の角度傾斜
させて対称的に複数組配設することもできる。
上の走査荷電粒子ビーム軸に対称にその周囲に複数組配
設することができ、また、これらイオン検出器は試料基
板に平行に配設するのみならず、互いに所定の角度傾斜
させて対称的に複数組配設することもできる。
【００１５】
【作用】イオン−電子変換により、反応性ガス雰囲気中
では真空中より鮮明にＳＩＭ観察像が得られる。イオン
−電子変換電極としてメッシュ電極および傾斜面電極を
用いた場合、光電子増倍管に対して軸方向のイオン検出
ができ、検出器を小型化できる。従って、走査ビーム軸
に対して対称的に複数のイオン検出器を配置することに
より、対称性のあるＳＩＭ観察像を得られる。また、二
次イオンをイオン−電子変換電極に対して９０度の方向
から入射させる従来方式に類似した場合であっても、変
換電極として対向面電極及び円錐形電極を用いれば、走
査ビーム軸に対して対称的に複数配置することができ、
対称性のあるＳＩＭ観察像を得られる。
では真空中より鮮明にＳＩＭ観察像が得られる。イオン
−電子変換電極としてメッシュ電極および傾斜面電極を
用いた場合、光電子増倍管に対して軸方向のイオン検出
ができ、検出器を小型化できる。従って、走査ビーム軸
に対して対称的に複数のイオン検出器を配置することに
より、対称性のあるＳＩＭ観察像を得られる。また、二
次イオンをイオン−電子変換電極に対して９０度の方向
から入射させる従来方式に類似した場合であっても、変
換電極として対向面電極及び円錐形電極を用いれば、走
査ビーム軸に対して対称的に複数配置することができ、
対称性のあるＳＩＭ観察像を得られる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明
する。 〈実施例１〉図１から図３は、本発明の第１の実施例を
示すもので、図１は本実施例におけるイオン−電子変換
電極をメッシュ電極としたイオン検出器の構成図、図２
はイオン検出器の要部断面図、図３は各部分の接地電位
に対する電位およびイオン−電子変換の原理説明図であ
る。
する。 〈実施例１〉図１から図３は、本発明の第１の実施例を
示すもので、図１は本実施例におけるイオン−電子変換
電極をメッシュ電極としたイオン検出器の構成図、図２
はイオン検出器の要部断面図、図３は各部分の接地電位
に対する電位およびイオン−電子変換の原理説明図であ
る。
【００１７】まず図１において、１はイオン検出器、２
は走査荷電粒子ビーム、３は被観察試料、４は被観察試
料３から放出される二次イオンである。荷電粒子ビーム
２を被観察試料３に照射し、試料面３から放出される二
次イオン４を試料面上に左右対称に配置された小型化し
たイオン検出器１で検出し、両検出器からの信号を加算
する等の処理を加えることにより、対称性良くＳＩＭ像
を得ることが可能となる。
は走査荷電粒子ビーム、３は被観察試料、４は被観察試
料３から放出される二次イオンである。荷電粒子ビーム
２を被観察試料３に照射し、試料面３から放出される二
次イオン４を試料面上に左右対称に配置された小型化し
たイオン検出器１で検出し、両検出器からの信号を加算
する等の処理を加えることにより、対称性良くＳＩＭ像
を得ることが可能となる。
【００１８】次に、図２および図３を用いて本実施例の
原理を説明する。なお、これらの図は片側のイオン検出
器１を示している。荷電粒子ビーム２の走査によって試
料３から放出された電子１０およびイオン（二次イオン
で＋イオンを意味する）４が、荷電粒子制御メッシュ電
極９の前方空間に存在している場合、接地電位に対して
低い電位（この例では−１００Ｖ）に設定されたメッシ
ュ電極９によって電子１０は反発し、イオン４のみがメ
ッシュ電極９に向かって加速される。メッシュ電極９を
通り抜けたイオン４は、メッシュ電極８−９間でさらに
高い電界によって十数ＫｅＶ程度のエネルギを得る。つ
まり、この例ではメッシュ電極８の電位をメッシュ電極
９よりさらに低い−１０．１ＫＶに設定しており、これ
ら両電極でイオン４の加速手段を構成している。
原理を説明する。なお、これらの図は片側のイオン検出
器１を示している。荷電粒子ビーム２の走査によって試
料３から放出された電子１０およびイオン（二次イオン
で＋イオンを意味する）４が、荷電粒子制御メッシュ電
極９の前方空間に存在している場合、接地電位に対して
低い電位（この例では−１００Ｖ）に設定されたメッシ
ュ電極９によって電子１０は反発し、イオン４のみがメ
ッシュ電極９に向かって加速される。メッシュ電極９を
通り抜けたイオン４は、メッシュ電極８−９間でさらに
高い電界によって十数ＫｅＶ程度のエネルギを得る。つ
まり、この例ではメッシュ電極８の電位をメッシュ電極
９よりさらに低い−１０．１ＫＶに設定しており、これ
ら両電極でイオン４の加速手段を構成している。
【００１９】引き続きメッシュ電極８を通り抜けたイオ
ン４は、イオン−電子変換メッシュ電極７に到達し、イ
オン４の衝撃によって電極７から二次電子１０がメッシ
ュ電極８の方向に放出される。つまり、イオン４はこの
電極７で二次電子１０に変換される。なお、電極７の電
位は、電極８より高めに設定され、ここでは−１０ＫＶ
に設定した。イオン４の加速手段を構成する荷電粒子制
御メッシュ電極９及び８のメッシュは、それぞれ略同一
パターンからなり加速されたイオン４が十分に通過でき
る口径を有している。また、イオン−電子変換メッシュ
電極７のパターンは、図示のようにメッシュ電極９及び
８とはメッシュの位置がずれており、加速されたイオン
４がメッシュ電極７の面内に有効に衝突するように構成
されている。
ン４は、イオン−電子変換メッシュ電極７に到達し、イ
オン４の衝撃によって電極７から二次電子１０がメッシ
ュ電極８の方向に放出される。つまり、イオン４はこの
電極７で二次電子１０に変換される。なお、電極７の電
位は、電極８より高めに設定され、ここでは−１０ＫＶ
に設定した。イオン４の加速手段を構成する荷電粒子制
御メッシュ電極９及び８のメッシュは、それぞれ略同一
パターンからなり加速されたイオン４が十分に通過でき
る口径を有している。また、イオン−電子変換メッシュ
電極７のパターンは、図示のようにメッシュ電極９及び
８とはメッシュの位置がずれており、加速されたイオン
４がメッシュ電極７の面内に有効に衝突するように構成
されている。
【００２０】バルク アンド サーフェイス エレクトロ
ン エミッション インデュウスト バイ アイオン ボン
バードメント:メソッドズ オブ オブザベーション、ジ
ャーナル オブ フィジックス:コンデンスト マター 第
３巻 ４２号 １９９１年 第８２８９頁〜第８２９６頁
〔Bulk and surface electron emission induced by io
nbombardment:methods of observation, J.Phy.:Conden
s.Matter Vol.3 No.42 （1991）P8289-8296〕による
と、電極７で放出されたほとんどの二次電子１０のエネ
ルギは数ｅＶであるので、メッシュ電極７−８間に加え
られた電界によって減速され、減速に十分なメッシュ電
極間隔でメッシュ電極７方向に運動方向を変える。さら
にメッシュ電極７を通り抜けた電子１０は、より高い電
位に設定されたシンチレータ６（この例では接地電位に
設定）とメッシュ電極７との間で加速され、シンチレー
タ６に到達する。シンチレータ面６は、この電子の衝撃
により発光し、光電子増倍管５により発光強度を電気信
号として捉えることが出来る。従って、光電子増倍管５
に対して径方向ではなく軸方向から入射したイオン量を
電気信号として検出することができ、従来の９０度イオ
ン−電子変換に比べ、より狭い空間で変換及び検出する
ことが可能となる。なお、何れのメッシュ電極７、８、
９も、ここでは開口径１０数μｍの孔のあいたガラス基
板にアルミを蒸着したものを用いた。イオン−電子変換
メッシュ電極７の材質としては、これに限らず例えばス
テンレス、Ｃｕ−Ｂｅ等周知の二次電子放出機能を有す
る金属板が用いられる。また、試料３としてはＳｉウェ
ハを、荷電粒子ビーム２としてはＧａイオンをそれぞれ
用いた。
ン エミッション インデュウスト バイ アイオン ボン
バードメント:メソッドズ オブ オブザベーション、ジ
ャーナル オブ フィジックス:コンデンスト マター 第
３巻 ４２号 １９９１年 第８２８９頁〜第８２９６頁
〔Bulk and surface electron emission induced by io
nbombardment:methods of observation, J.Phy.:Conden
s.Matter Vol.3 No.42 （1991）P8289-8296〕による
と、電極７で放出されたほとんどの二次電子１０のエネ
ルギは数ｅＶであるので、メッシュ電極７−８間に加え
られた電界によって減速され、減速に十分なメッシュ電
極間隔でメッシュ電極７方向に運動方向を変える。さら
にメッシュ電極７を通り抜けた電子１０は、より高い電
位に設定されたシンチレータ６（この例では接地電位に
設定）とメッシュ電極７との間で加速され、シンチレー
タ６に到達する。シンチレータ面６は、この電子の衝撃
により発光し、光電子増倍管５により発光強度を電気信
号として捉えることが出来る。従って、光電子増倍管５
に対して径方向ではなく軸方向から入射したイオン量を
電気信号として検出することができ、従来の９０度イオ
ン−電子変換に比べ、より狭い空間で変換及び検出する
ことが可能となる。なお、何れのメッシュ電極７、８、
９も、ここでは開口径１０数μｍの孔のあいたガラス基
板にアルミを蒸着したものを用いた。イオン−電子変換
メッシュ電極７の材質としては、これに限らず例えばス
テンレス、Ｃｕ−Ｂｅ等周知の二次電子放出機能を有す
る金属板が用いられる。また、試料３としてはＳｉウェ
ハを、荷電粒子ビーム２としてはＧａイオンをそれぞれ
用いた。
【００２１】図４には、本実施例の二次イオン検出器１
を用いて、イオン−電子変換の反応性ガスに対する有効
性を確認するため行った実験結果を示す。同図において
縦軸はイオン−電子変換率を、横軸はイオンの入射エネ
ルギをそれぞれ示している。比較のために真空雰囲気中
と、反応性ガスであるＸｅＦ2雰囲気中とについて測定
した。図示の通り、反応性ガスであるＸｅＦ2雰囲気中
では真空中に比べて高い変換率を示しており、反応性ガ
ス中で十分に使用可能なイオン検出器であることを示し
ている。
を用いて、イオン−電子変換の反応性ガスに対する有効
性を確認するため行った実験結果を示す。同図において
縦軸はイオン−電子変換率を、横軸はイオンの入射エネ
ルギをそれぞれ示している。比較のために真空雰囲気中
と、反応性ガスであるＸｅＦ2雰囲気中とについて測定
した。図示の通り、反応性ガスであるＸｅＦ2雰囲気中
では真空中に比べて高い変換率を示しており、反応性ガ
ス中で十分に使用可能なイオン検出器であることを示し
ている。
【００２２】〈実施例２〉次に、図５および図６を用い
て本発明の第２の実施例を説明する。この例は実施例１
のイオン−電子変換メッシュ電極７及び荷電粒子制御メ
ッシュ電極８の代わりに、これら両者の機能を兼ね備え
たイオン−電子変換対向面電極１３を用いて構成したイ
オン検出器１で、何れの図面も実施例１の図２、図３と
同様に片側のイオン検出器１を代表して示している。
て本発明の第２の実施例を説明する。この例は実施例１
のイオン−電子変換メッシュ電極７及び荷電粒子制御メ
ッシュ電極８の代わりに、これら両者の機能を兼ね備え
たイオン−電子変換対向面電極１３を用いて構成したイ
オン検出器１で、何れの図面も実施例１の図２、図３と
同様に片側のイオン検出器１を代表して示している。
【００２３】図５はイオン−電子変換対向面電極を有す
るイオン検出器１の要部断面図、図６はイオン−電子変
換の原理説明図を示す。図示のようにイオン−電子変換
対向面電極１３は、ステンレス平板で構成され、シンチ
レータ６に対向して所定の間隔をおいて配設され、イオ
ン入射口に設けられた荷電粒子制御メッシュ電極９に略
直交して設けられている。各電極の電位の設定は図６に
示す通りであり、電極９は接地電位に対して−１００
Ｖ、電極１３は−１０ＫＶ、シンチレータ６は接地電位
に設定されている。
るイオン検出器１の要部断面図、図６はイオン−電子変
換の原理説明図を示す。図示のようにイオン−電子変換
対向面電極１３は、ステンレス平板で構成され、シンチ
レータ６に対向して所定の間隔をおいて配設され、イオ
ン入射口に設けられた荷電粒子制御メッシュ電極９に略
直交して設けられている。各電極の電位の設定は図６に
示す通りであり、電極９は接地電位に対して−１００
Ｖ、電極１３は−１０ＫＶ、シンチレータ６は接地電位
に設定されている。
【００２４】図６の各部分の電位関係から、メッシュ電
極９によりシンチレータ面６に対し径方向（光電子増倍
管の軸に直交）から入射したイオン４は、シンチレータ
６がメッシュ電極９に対して高い電位を持つので、イオ
ン−電子変換面１３に向かって運動する。さらに、イオ
ン４はシンチレータ６と対向する変換面１３の空間に到
達するとこの空間の高電界により、変換面１３に向かっ
て加速され、変換面１３へのイオンの衝撃により二次電
子１０が放出される。さらに電子１０はシンチレータ６
と変換面１３間の電界により加速され、シンチレータ６
を発光させる。従って、光電子増倍管５に対して径方向
から入射した二次イオン量を電気信号として検出するこ
とが可能となる。イオンの入射方向は、従来の９０度変
換と同一となるが、走査イオンビーム軸の周囲に左右対
称に少なくとも１組の二次イオン検出器１が配設されて
いるため、ＳＩＭ象の対称性が良好である。また、実施
例１の場合に比べて、イオン４が変換電極１３に漏れな
く入射するのでイオン−電子変換効率がより高くなる。
極９によりシンチレータ面６に対し径方向（光電子増倍
管の軸に直交）から入射したイオン４は、シンチレータ
６がメッシュ電極９に対して高い電位を持つので、イオ
ン−電子変換面１３に向かって運動する。さらに、イオ
ン４はシンチレータ６と対向する変換面１３の空間に到
達するとこの空間の高電界により、変換面１３に向かっ
て加速され、変換面１３へのイオンの衝撃により二次電
子１０が放出される。さらに電子１０はシンチレータ６
と変換面１３間の電界により加速され、シンチレータ６
を発光させる。従って、光電子増倍管５に対して径方向
から入射した二次イオン量を電気信号として検出するこ
とが可能となる。イオンの入射方向は、従来の９０度変
換と同一となるが、走査イオンビーム軸の周囲に左右対
称に少なくとも１組の二次イオン検出器１が配設されて
いるため、ＳＩＭ象の対称性が良好である。また、実施
例１の場合に比べて、イオン４が変換電極１３に漏れな
く入射するのでイオン−電子変換効率がより高くなる。
【００２５】〈実施例３〉次に、図７および図８を用い
て本発明の第３の実施例を説明する。この例は実施例１
のイオン−電子変換メッシュ電極７を、ロート状に傾斜
した斜面電極（以下、変換傾斜面電極と呼ぶ）１４で構
成したイオン検出器１で、何れの図面も実施例１の図
２、図３と同様に片側のイオン検出器１を代表して示し
ている。すなわち、図７はイオン−電子変換傾斜面電極
１４を有するイオン検出器１の要部断面図を、図８はイ
オン−電子変換の原理説明図をそれぞれ示す。イオン−
電子変換傾斜面電極１４は、Ｃｕ−Ｂｅ系合金で形成
し、図示のように大きな口径側をイオン４の入射方向に
向けてシンチレータ６と電極８との間に配設されてい
る。
て本発明の第３の実施例を説明する。この例は実施例１
のイオン−電子変換メッシュ電極７を、ロート状に傾斜
した斜面電極（以下、変換傾斜面電極と呼ぶ）１４で構
成したイオン検出器１で、何れの図面も実施例１の図
２、図３と同様に片側のイオン検出器１を代表して示し
ている。すなわち、図７はイオン−電子変換傾斜面電極
１４を有するイオン検出器１の要部断面図を、図８はイ
オン−電子変換の原理説明図をそれぞれ示す。イオン−
電子変換傾斜面電極１４は、Ｃｕ−Ｂｅ系合金で形成
し、図示のように大きな口径側をイオン４の入射方向に
向けてシンチレータ６と電極８との間に配設されてい
る。
【００２６】図８の電位関係から、メッシュ電極９によ
り入射したイオン４は、実施例１と同様の原理でメッシ
ュ電極８−９間で加速される。変換傾斜面電極１４に対
してシンチレータ６は高い電位を持つので、イオン４は
主に変換傾斜面電極１４に向かい、二次電子１０を放出
させる。電子１０は変換傾斜面電極１４とシンチレータ
６間の電界によりシンチレータ６に向かって運動し、こ
れを発光させる。従って、実施例１と同様に光電子増倍
管５に対して軸方向からのイオン量を電気信号として検
出することが可能となる。この実施例は、軸方向からの
イオンを面で変換できるという特徴を持つが、先の実施
例１、２に比べ、変換傾斜面電極１４の径がシンチレー
タ６の径より大きくなるために、検出器の径が大きくな
る。
り入射したイオン４は、実施例１と同様の原理でメッシ
ュ電極８−９間で加速される。変換傾斜面電極１４に対
してシンチレータ６は高い電位を持つので、イオン４は
主に変換傾斜面電極１４に向かい、二次電子１０を放出
させる。電子１０は変換傾斜面電極１４とシンチレータ
６間の電界によりシンチレータ６に向かって運動し、こ
れを発光させる。従って、実施例１と同様に光電子増倍
管５に対して軸方向からのイオン量を電気信号として検
出することが可能となる。この実施例は、軸方向からの
イオンを面で変換できるという特徴を持つが、先の実施
例１、２に比べ、変換傾斜面電極１４の径がシンチレー
タ６の径より大きくなるために、検出器の径が大きくな
る。
【００２７】〈実施例４〉次に、図９および図１０を用
いて本発明の第４の実施例を説明する。この例は実施例
１のイオン−電子変換メッシュ電極７の代わりに、表面
形状を円錐形とし、その中心に走査荷電粒子ビーム２を
通す絶縁管１６、シールド管１７が装着された円錐形イ
オン−電子変換電極１５としたものである。図９は円錐
形イオン−電子変換電極を用いたイオン検出器の要部断
面図を、図１０はイオン−電子変換の原理説明図をそれ
ぞれ示す。
いて本発明の第４の実施例を説明する。この例は実施例
１のイオン−電子変換メッシュ電極７の代わりに、表面
形状を円錐形とし、その中心に走査荷電粒子ビーム２を
通す絶縁管１６、シールド管１７が装着された円錐形イ
オン−電子変換電極１５としたものである。図９は円錐
形イオン−電子変換電極を用いたイオン検出器の要部断
面図を、図１０はイオン−電子変換の原理説明図をそれ
ぞれ示す。
【００２８】図９において、メッシュ電極９の前方に存
在する荷電粒子ビーム２により発生した二次イオン４
は、図１０の各部の電位関係から、メッシュ電極９に向
かって加速され、これを通過する。さらに、通過したイ
オン４はシンチレータ６とメッシュ電極９間の電界を緩
和するためのメッシュ電極８により、アルミ合金製の円
錐形イオン−電子変換電極１５に向かって運動し到達す
る。到達したイオンの衝撃により二次電子１０が放出さ
れ、放出された電子１０は主にシンチレータ６に向かっ
て進み、光電子増倍管５で検出される。従って、光電子
増倍管５に対して径方向からのイオン量を電気信号とし
て検出することが可能となる。実施例２と同様にイオン
４の入射方向が、従来の９０度イオン−電子変換の検出
器に比較的近い構成であるが、走査ビーム２を円錐形変
換電極１５の中心軸に通したＳＩＭ像に対する配慮がな
されているので、対称性良く像を得ることが可能とな
る。
在する荷電粒子ビーム２により発生した二次イオン４
は、図１０の各部の電位関係から、メッシュ電極９に向
かって加速され、これを通過する。さらに、通過したイ
オン４はシンチレータ６とメッシュ電極９間の電界を緩
和するためのメッシュ電極８により、アルミ合金製の円
錐形イオン−電子変換電極１５に向かって運動し到達す
る。到達したイオンの衝撃により二次電子１０が放出さ
れ、放出された電子１０は主にシンチレータ６に向かっ
て進み、光電子増倍管５で検出される。従って、光電子
増倍管５に対して径方向からのイオン量を電気信号とし
て検出することが可能となる。実施例２と同様にイオン
４の入射方向が、従来の９０度イオン−電子変換の検出
器に比較的近い構成であるが、走査ビーム２を円錐形変
換電極１５の中心軸に通したＳＩＭ像に対する配慮がな
されているので、対称性良く像を得ることが可能とな
る。
【００２９】以上、代表的な実施例を挙げて本発明の詳
細を説明したが、これらの実施例は何れも走査荷電粒子
ビーム軸を中心にして一組のイオン検出器を左右対称
に、しかも試料面に対して平行に配設したものである
が、さらに多数の組を隣接して同一面上に配設すること
も可能であり、対称性良くＳＩＭ像を得ることができ
る。また、これらイオン検出器は、試料面に対して必ず
しも平行に配設する必要はなく、所定の角度傾斜させて
もよい。
細を説明したが、これらの実施例は何れも走査荷電粒子
ビーム軸を中心にして一組のイオン検出器を左右対称
に、しかも試料面に対して平行に配設したものである
が、さらに多数の組を隣接して同一面上に配設すること
も可能であり、対称性良くＳＩＭ像を得ることができ
る。また、これらイオン検出器は、試料面に対して必ず
しも平行に配設する必要はなく、所定の角度傾斜させて
もよい。
【００３０】
【発明の効果】本発明により、所期の目的を達成するこ
とができた。すなわち、反応性の高いエッチングガス等
の雰囲気中でもイオンを効率良く電子に変換し、対称性
の良い被観察試料面の走査二次荷電粒子信号を得ること
ができる。
とができた。すなわち、反応性の高いエッチングガス等
の雰囲気中でもイオンを効率良く電子に変換し、対称性
の良い被観察試料面の走査二次荷電粒子信号を得ること
ができる。
【図１】本発明の一実施例となるイオン−電子変換メッ
シュ電極を用いた二次イオン検出器の断面図。
シュ電極を用いた二次イオン検出器の断面図。
【図２】同じくイオン−電子変換メッシュ電極を用いた
イオン検出器の要部断面図。
イオン検出器の要部断面図。
【図３】同じくイオン−電子変換メッシュ電極を用いた
イオン検出器の原理説明図。
イオン検出器の原理説明図。
【図４】同じく測定結果の一例を示すイオン−電子変換
率の特性曲線図。
率の特性曲線図。
【図５】同じく他の実施例となるイオン−電子変換対向
面電極を用いたイオン検出器の要部断面図。
面電極を用いたイオン検出器の要部断面図。
【図６】同じくイオン−電子変換対向面電極を用いたイ
オン検出器の原理説明図。
オン検出器の原理説明図。
【図７】同じくさらに異なる実施例となるイオン−電子
変換傾斜面電極を用いたイオン検出器の要部断面図。
変換傾斜面電極を用いたイオン検出器の要部断面図。
【図８】同じくイオン−電子変換傾斜面電極を用いたイ
オン検出器の原理説明図。
オン検出器の原理説明図。
【図９】同じくさらに異なる実施例となる円錐形イオン
−電子変換電極を用いたイオン検出器の要部断面図。
−電子変換電極を用いたイオン検出器の要部断面図。
【図１０】同じく円錐形イオン−電子変換電極を用いた
イオン検出器の原理説明図。
イオン検出器の原理説明図。
１…イオン検出器、 ２…荷電粒
子ビーム、３…被観察試料、
４…二次イオン、５…光電子増倍管、
６…シンチレータ、７…イオン−電子変換メッシ
ュ電極、 ８、９…荷電粒子制御メッシュ電極、１０…
二次電子、 １１、１６…絶縁管、１
２、１７…シールド管、 １３…イオン−
電子変換対向面電極、１４…イオン−電子変換傾斜面電
極、 １５…円錐形イオン−電子変換電極。
子ビーム、３…被観察試料、
４…二次イオン、５…光電子増倍管、
６…シンチレータ、７…イオン−電子変換メッシ
ュ電極、 ８、９…荷電粒子制御メッシュ電極、１０…
二次電子、 １１、１６…絶縁管、１
２、１７…シールド管、 １３…イオン−
電子変換対向面電極、１４…イオン−電子変換傾斜面電
極、 １５…円錐形イオン−電子変換電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 嶋瀬 朗 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 伊藤 文和 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内
Claims (13)
- 【請求項１】観察試料面を走査する集束荷電粒子ビーム
と、試料面から放出された二次イオンの発生強度を電気
信号として捉えるイオン検出器によりＳＩＭ像を観察す
る方法において、前記走査集束荷電粒子ビーム軸に対し
て対称的に複数のイオン−電子変換型イオン検出器を配
置すると共に、前記イオン−電子変換型イオン検出器を
構成する荷電粒子制御メッシュ電極を介して、試料面か
ら放出された二次イオンを選択的に入射させ、これを加
速してイオン−電子変換電極に衝突させて二次電子を放
出させ、これをシンチレータと光電子増倍管とからなる
二次電子検出器で計測することにより、前記観察像の左
右の対称性を保ちながら捉えるようにして成るＳＩＭ像
の観察方法。 - 【請求項２】光電子を増幅する光電子増倍管と、電子を
光に変換するシンチレータと、イオンを電子に変換する
イオン−電子変換電極と、荷電粒子の運動を制御する電
極とを有するイオン検出器において、前記イオン−電子
変換電極をメッシュ電極で構成すると共に、これを前記
光電子増倍管の検出面と平行に、しかも前記検出面と前
記荷電粒子の運動を制御する電極との間に配設して成る
イオン検出器。 - 【請求項３】上記イオン−電子変換メッシュ電極の前方
に荷電粒子の運動を制御する電極として前記イオン−電
子変換メッシュ電極より低電位に設定されたメッシュ電
極からなるイオン加速手段を配設して成る請求項２記載
のイオン検出器。 - 【請求項４】光電子を増幅する光電子増倍管と、電子を
光に変換するシンチレータと、イオンを電子に変換する
イオン−電子変換電極と、荷電粒子の運動を制御する電
極とを有するイオン検出器において、前記イオン−電子
変換電極を、前記光電子増倍管の検出面に対向して平行
に配設された平板状の変換対向面電極で構成し、前記荷
電粒子の運動を制御する電極をメッシュ電極構造とし、
前記光電子増倍管の軸に対して直交する方向のイオンの
入射部に配設して成るイオン検出器。 - 【請求項５】上記平板状の変換対向面電極を、上記光電
子増倍管の検出面の中心から偏心して上記メッシュ電極
から最も離れた位置に配設して成る請求項４記載のイオ
ン検出器。 - 【請求項６】上記シンチレータと変換対向面電極間に接
地電位に対してバイアス電圧を印加したフロート電源に
より一定加速電圧を供給しながら、入射イオンの運動を
制御する手段を配設して成る請求項４もしくは５記載の
イオン検出器。 - 【請求項７】光電子を増幅する光電子増倍管と、電子を
光に変換するシンチレータと、イオンを電子に変換する
イオン−電子変換電極と、荷電粒子の運動を制御する電
極とを有するイオン検出器において、前記イオン−電子
変換電極を、ロート状の傾斜面電極で構成すると共に、
その大なる開口部をイオンの入射方向に向け前記シンチ
レータと荷電粒子の運動を制御する電極との間に配設し
て成るイオン検出器。 - 【請求項８】上記ロート状の傾斜面電極の前方のイオン
入射方向に荷電粒子の運動を制御する電極として前記傾
斜面電極より低電位に設定された荷電粒子制御メッシュ
電極からなるイオン加速手段を配設して成る請求項７記
載のイオン検出器。 - 【請求項９】上記イオン加速手段を電極電位の異なる二
枚の荷電粒子制御メッシュ電極で構成して成る請求項７
もしくは８記載のイオン検出器。 - 【請求項１０】上記シンチレータと傾斜面電極および荷
電粒子制御メッシュ電極間に接地電位に対してバイアス
電圧を印加したフロート電源により一定加速電圧を供給
しながら、入射イオンの運動を制御する手段を配設して
成る請求項７乃至９何れか記載のイオン検出器。 - 【請求項１１】光電子を増幅する光電子増倍管と、電子
を光に変換するシンチレータと、イオンを電子に変換す
るイオン−電子変換電極と、荷電粒子の運動を制御する
電極とを有するイオン検出器において、前記イオン−電
子変換電極を、中心軸に走査荷電粒子ビームの通過孔を
有する円錐形電極で構成し、前記荷電粒子の運動を制御
する電極を、前記光電子増倍管の軸に対して直交する方
向のイオンの入射部に配設して成るイオン検出器。 - 【請求項１２】上記シンチレータと円錐形電極間に接地
電位に対してバイアス電圧を印加したフロート電源によ
り一定加速電圧を供給しながら、入射イオンの運動を制
御する手段を配設して成る請求項１１記載のイオン検出
器。 - 【請求項１３】上記請求項２乃至１２何れか記載のイオ
ン検出器を、試料基板上の走査荷電粒子ビーム軸に対称
に複数組配設して成るイオン検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32175692A JP3514783B2 (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | イオン検出器及びそれを用いたｓｉｍ像検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32175692A JP3514783B2 (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | イオン検出器及びそれを用いたｓｉｍ像検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06168692A true JPH06168692A (ja) | 1994-06-14 |
| JP3514783B2 JP3514783B2 (ja) | 2004-03-31 |
Family
ID=18136100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32175692A Expired - Fee Related JP3514783B2 (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | イオン検出器及びそれを用いたｓｉｍ像検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3514783B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007521486A (ja) * | 2003-06-26 | 2007-08-02 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | イオンおよび電子を検出するために適した粒子検出器 |
| JP2009272095A (ja) * | 2008-05-02 | 2009-11-19 | Advantest Corp | 走査型電子顕微鏡及び試料観察方法 |
| KR102103577B1 (ko) * | 2019-08-09 | 2020-04-22 | 경북대학교 산학협력단 | 광 센서 |
-
1992
- 1992-12-01 JP JP32175692A patent/JP3514783B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007521486A (ja) * | 2003-06-26 | 2007-08-02 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | イオンおよび電子を検出するために適した粒子検出器 |
| JP4740422B2 (ja) * | 2003-06-26 | 2011-08-03 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 荷電粒子検出器、集束イオンビーム・システム、イオン−電子変換器および正または負に荷電した粒子を検出する方法 |
| JP2009272095A (ja) * | 2008-05-02 | 2009-11-19 | Advantest Corp | 走査型電子顕微鏡及び試料観察方法 |
| KR102103577B1 (ko) * | 2019-08-09 | 2020-04-22 | 경북대학교 산학협력단 | 광 센서 |
| WO2021029614A1 (ko) * | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 경북대학교 산학협력단 | 광 센서 |
| EP4012458A4 (en) * | 2019-08-09 | 2023-08-02 | Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation | PHOTOSENSOR |
| US11815632B2 (en) | 2019-08-09 | 2023-11-14 | Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation | Photosensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3514783B2 (ja) | 2004-03-31 |
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