JPH06167813A - レジスト用有機系剥離液組成物 - Google Patents
レジスト用有機系剥離液組成物Info
- Publication number
- JPH06167813A JPH06167813A JP33944792A JP33944792A JPH06167813A JP H06167813 A JPH06167813 A JP H06167813A JP 33944792 A JP33944792 A JP 33944792A JP 33944792 A JP33944792 A JP 33944792A JP H06167813 A JPH06167813 A JP H06167813A
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- Japan
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- resist
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- organic
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 （Ａ）アルキル基の炭素数が１５以上のアル
キルベンゼンスルホン酸５〜４５重量％と、（Ｂ）ハロ
ゲン化炭化水素系溶剤及び芳香族炭化水素系溶剤５５〜
９５重量％とを含有して成るレジスト用有機系剥離液組
成物及び前記（Ａ）成分５〜４５重量％と、（Ｂ）成分
５０〜９０重量％と、（Ｃ）フェノール類５〜４０重量
％とを含有して成るレジスト用有機系剥離液組成物。 【効果】 金属基板に対する防食効果を有し、高精度の
加工が要求される電子材料分野などにおいて好適に用い
られる。
キルベンゼンスルホン酸５〜４５重量％と、（Ｂ）ハロ
ゲン化炭化水素系溶剤及び芳香族炭化水素系溶剤５５〜
９５重量％とを含有して成るレジスト用有機系剥離液組
成物及び前記（Ａ）成分５〜４５重量％と、（Ｂ）成分
５０〜９０重量％と、（Ｃ）フェノール類５〜４０重量
％とを含有して成るレジスト用有機系剥離液組成物。 【効果】 金属基板に対する防食効果を有し、高精度の
加工が要求される電子材料分野などにおいて好適に用い
られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規なレジスト用有機系
剥離液組成物、さらに詳しくは、従来の剥離液に比べ
て、金属基板に対する防食作用に優れ、高精度の加工が
要求される電子材料分野などにおいて好適に用いられる
レジスト用有機系剥離液組成物に関するものである。
剥離液組成物、さらに詳しくは、従来の剥離液に比べ
て、金属基板に対する防食作用に優れ、高精度の加工が
要求される電子材料分野などにおいて好適に用いられる
レジスト用有機系剥離液組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩなど
の半導体デバイスはホトエッチング法によって製造され
ている。このホトエッチング法によると、該半導体デバ
イスは、例えばシリコーンウエハーなどの無機質基体上
に、ホトレジスト層を形成し、その上に所望のパターン
を有するマスクを重ねて露光し、現像処理を施すことで
レジストパターンを形成させたのち、このレジストパタ
ーンをマスクとして、露出した無機質基体に対してエッ
チング処理や拡散処理を行い、次いで該レジストパター
ンを無機質基体から剥離除去することにより得られる。
の半導体デバイスはホトエッチング法によって製造され
ている。このホトエッチング法によると、該半導体デバ
イスは、例えばシリコーンウエハーなどの無機質基体上
に、ホトレジスト層を形成し、その上に所望のパターン
を有するマスクを重ねて露光し、現像処理を施すことで
レジストパターンを形成させたのち、このレジストパタ
ーンをマスクとして、露出した無機質基体に対してエッ
チング処理や拡散処理を行い、次いで該レジストパター
ンを無機質基体から剥離除去することにより得られる。
【０００３】レジストパターンを剥離除去するための剥
離剤は、一般に水溶性の剥離剤と非水溶性の剥離剤とに
大別することができる。水溶性の剥離剤としては、例え
ば有機アミンと、グリコールモルアルキルエーテル又は
非プロトン性極性溶剤、例えばジメチルスルホキシド、
Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチルホル
ムアミド、Ｎ‐メチル‐２‐ピロリドン及びＮ，Ｎ‐ジ
メチルイミダゾリジノンなどの組合せから成るものが知
られている。
離剤は、一般に水溶性の剥離剤と非水溶性の剥離剤とに
大別することができる。水溶性の剥離剤としては、例え
ば有機アミンと、グリコールモルアルキルエーテル又は
非プロトン性極性溶剤、例えばジメチルスルホキシド、
Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ‐ジメチルホル
ムアミド、Ｎ‐メチル‐２‐ピロリドン及びＮ，Ｎ‐ジ
メチルイミダゾリジノンなどの組合せから成るものが知
られている。
【０００４】しかしながら、このような水溶性の剥離剤
は、水洗時、特に浸せき法による水洗時に、成分の有機
アミンが解離してアルカリ性を呈し、アルミニウムや銅
などを腐食するし、また、剥離液の吸湿により、該有機
アミンが解離して、微細化の進む半導体デバイスの製造
において避けるべきアルミニウムや銅基板の腐食をもた
らすため、アルミニウムや銅から成る基板を用いる場合
には剥離後に、さらにアルコール系の有機溶剤によるリ
ンス処理を行わなければならない。
は、水洗時、特に浸せき法による水洗時に、成分の有機
アミンが解離してアルカリ性を呈し、アルミニウムや銅
などを腐食するし、また、剥離液の吸湿により、該有機
アミンが解離して、微細化の進む半導体デバイスの製造
において避けるべきアルミニウムや銅基板の腐食をもた
らすため、アルミニウムや銅から成る基板を用いる場合
には剥離後に、さらにアルコール系の有機溶剤によるリ
ンス処理を行わなければならない。
【０００５】一方、非水溶性の剥離剤としては、例えば
ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンス
ルホン酸などのアリールスルホン酸、フェノール類及び
塩素系有機溶剤から成る剥離剤（米国特許第３，５８
２，４０１号明細書）、オクチルベンゼンスルホン酸、
ノニルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン
酸などのアルキルベンゼンスルホン酸及び芳香族炭化水
素系溶剤から成る剥離剤（特開昭５１−７２５０３号公
報）などが知られている。しかしながら、これらの非水
溶性の剥離剤においても、アルミニウム、銅、ニッケル
などの金属基板に対する防食性を欠き、実用的でない。
ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンス
ルホン酸などのアリールスルホン酸、フェノール類及び
塩素系有機溶剤から成る剥離剤（米国特許第３，５８
２，４０１号明細書）、オクチルベンゼンスルホン酸、
ノニルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン
酸などのアルキルベンゼンスルホン酸及び芳香族炭化水
素系溶剤から成る剥離剤（特開昭５１−７２５０３号公
報）などが知られている。しかしながら、これらの非水
溶性の剥離剤においても、アルミニウム、銅、ニッケル
などの金属基板に対する防食性を欠き、実用的でない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情のもとで、金属基板に対する防食作用に優れ、高精
度の加工が要求される電子材料分野などにおいて好適に
用いられる非水溶性のレジスト用有機系剥離液組成物を
提供することを目的としてなされたものである。
事情のもとで、金属基板に対する防食作用に優れ、高精
度の加工が要求される電子材料分野などにおいて好適に
用いられる非水溶性のレジスト用有機系剥離液組成物を
提供することを目的としてなされたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、金属基板
に対する防食効果を有する非水溶性のレジスト用有機系
剥離液組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、アル
キル基の炭素数が１５以上のアルキルベンゼンスルホン
酸とハロゲン化炭化水素系溶剤や芳香族炭化水素系溶剤
と場合によりフェノール類とを特定の割合で含有して成
る組成物により、その目的を達成しうることを見出し、
この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
に対する防食効果を有する非水溶性のレジスト用有機系
剥離液組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、アル
キル基の炭素数が１５以上のアルキルベンゼンスルホン
酸とハロゲン化炭化水素系溶剤や芳香族炭化水素系溶剤
と場合によりフェノール類とを特定の割合で含有して成
る組成物により、その目的を達成しうることを見出し、
この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【０００８】すなわち、本発明は、（Ａ）一般式
【化３】 （式中のＲは炭素数１５以上のアルキル基である）で表
わされるアルキルベンゼンスルホン酸５〜４５重量％
と、（Ｂ）ハロゲン化炭化水素系溶剤及び芳香族炭化水
素系溶剤の中から選ばれた少なくとも１種５５〜９５重
量％とを含有して成るレジスト用有機系剥離液組成物、
及び前記（Ａ）成分５〜４５重量％と（Ｂ）成分５０〜
９０重量％と（Ｃ）フェノール類５〜４０重量％とを含
有して成るレジスト用有機系剥離液組成物を提供するも
のである。
わされるアルキルベンゼンスルホン酸５〜４５重量％
と、（Ｂ）ハロゲン化炭化水素系溶剤及び芳香族炭化水
素系溶剤の中から選ばれた少なくとも１種５５〜９５重
量％とを含有して成るレジスト用有機系剥離液組成物、
及び前記（Ａ）成分５〜４５重量％と（Ｂ）成分５０〜
９０重量％と（Ｃ）フェノール類５〜４０重量％とを含
有して成るレジスト用有機系剥離液組成物を提供するも
のである。
【０００９】本発明組成物においては、（Ａ）成分とし
て前記一般式（Ｉ）で表わされるアルキルベンゼンスル
ホン酸が用いられる。このアルキルベンゼンスルホン酸
のアルキル基は炭素数が１５以上、好ましくは１５〜２
０の範囲にあることが必要である。この炭素数が１５未
満のものでは、金属基板に対する防食効果は得られな
い。該アルキル基の具体例としてはペンタデシル基、ヘ
キサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナ
デシル基、エイコシル基などが挙げられる。これらのア
ルキル基は直鎖状のものであってもよいし、分枝鎖を有
するものであってもよい。
て前記一般式（Ｉ）で表わされるアルキルベンゼンスル
ホン酸が用いられる。このアルキルベンゼンスルホン酸
のアルキル基は炭素数が１５以上、好ましくは１５〜２
０の範囲にあることが必要である。この炭素数が１５未
満のものでは、金属基板に対する防食効果は得られな
い。該アルキル基の具体例としてはペンタデシル基、ヘ
キサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナ
デシル基、エイコシル基などが挙げられる。これらのア
ルキル基は直鎖状のものであってもよいし、分枝鎖を有
するものであってもよい。
【００１０】該一般式（Ｉ）で表わされるアルキルベン
ゼンスルホン酸は公知の方法、例えば対応するアルキル
ベンゼンを三酸化硫黄などによりスルホン化することに
よって容易に得られる。またスルホン酸基の位置につい
ては特に制限はなく、アルキル基に対してオルソ位、メ
タ位、パラ位のいずれであってもよい。
ゼンスルホン酸は公知の方法、例えば対応するアルキル
ベンゼンを三酸化硫黄などによりスルホン化することに
よって容易に得られる。またスルホン酸基の位置につい
ては特に制限はなく、アルキル基に対してオルソ位、メ
タ位、パラ位のいずれであってもよい。
【００１１】本発明組成物においては、この（Ａ）成分
のアルキルベンゼンスルホン酸は単独で用いてもよい
し、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
のアルキルベンゼンスルホン酸は単独で用いてもよい
し、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１２】本発明組成物においては、（Ｂ）成分とし
てハロゲン化炭化水素系溶剤や芳香族炭化水素系溶剤が
用いられる。ハロゲン化炭化水素系溶剤としては、例え
ば１，２，３‐トリクロロプロパン、ジクロロペンタ
ン、塩化ヘキシル、臭化エチレン、クロロベンゼン、ｏ
‐ジクロロベンゼン、ｏ‐ジブロモベンゼン、ｏ‐クロ
ロトルエン、ｐ‐クロロトルエンなどが挙げられる。一
方、芳香族炭化水素系溶剤としては、例えばナフタレ
ン、メチルナフタレン、ジメチルナフタレン、テトラリ
ン、ドデシルベンゼン、ジドデシルベンゼン、オクチル
ベンゼン、デシルベンゼン、イソプロピルナフタレン、
ジイソプロピルナフタレンなどが挙げられる。これらの
溶剤は単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用い
てもよい。
てハロゲン化炭化水素系溶剤や芳香族炭化水素系溶剤が
用いられる。ハロゲン化炭化水素系溶剤としては、例え
ば１，２，３‐トリクロロプロパン、ジクロロペンタ
ン、塩化ヘキシル、臭化エチレン、クロロベンゼン、ｏ
‐ジクロロベンゼン、ｏ‐ジブロモベンゼン、ｏ‐クロ
ロトルエン、ｐ‐クロロトルエンなどが挙げられる。一
方、芳香族炭化水素系溶剤としては、例えばナフタレ
ン、メチルナフタレン、ジメチルナフタレン、テトラリ
ン、ドデシルベンゼン、ジドデシルベンゼン、オクチル
ベンゼン、デシルベンゼン、イソプロピルナフタレン、
ジイソプロピルナフタレンなどが挙げられる。これらの
溶剤は単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用い
てもよい。
【００１３】本発明組成物には、レジストの剥離性を向
上させるために、場合により（Ｃ）成分としてフェノー
ル類を配合するのが好ましい。該フェノール類として
は、例えばフェノール、ハロゲン化フェノール、カテコ
ール、クレゾール、キシレノール、ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチ
ルフェノール、ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルカテコール、ノニ
ルフェノールなどが挙げられる。これらのフェノール類
は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用い
てもよい。
上させるために、場合により（Ｃ）成分としてフェノー
ル類を配合するのが好ましい。該フェノール類として
は、例えばフェノール、ハロゲン化フェノール、カテコ
ール、クレゾール、キシレノール、ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチ
ルフェノール、ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルカテコール、ノニ
ルフェノールなどが挙げられる。これらのフェノール類
は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用い
てもよい。
【００１４】本発明のレジスト用有機系剥離液組成物に
おける各成分の配合割合については、（Ａ）成分と
（Ｂ）成分との２成分系の場合、（Ａ）成分が５〜４５
重量％及び（Ｂ）成分が５５〜９５重量％になるような
割合で配合することが必要であり、一方（Ａ）成分と
（Ｂ）成分と（Ｃ）成分との３成分系の場合は、（Ａ）
成分が５〜４５重量％、（Ｂ）成分が５０〜９０重量％
及び（Ｃ）成分が５〜４０重量％になるような割合で配
合することが必要である。この配合割合が前記範囲を逸
脱すると十分な防食効果及び剥離効果が得られない。
おける各成分の配合割合については、（Ａ）成分と
（Ｂ）成分との２成分系の場合、（Ａ）成分が５〜４５
重量％及び（Ｂ）成分が５５〜９５重量％になるような
割合で配合することが必要であり、一方（Ａ）成分と
（Ｂ）成分と（Ｃ）成分との３成分系の場合は、（Ａ）
成分が５〜４５重量％、（Ｂ）成分が５０〜９０重量％
及び（Ｃ）成分が５〜４０重量％になるような割合で配
合することが必要である。この配合割合が前記範囲を逸
脱すると十分な防食効果及び剥離効果が得られない。
【００１５】次に、本発明のレジスト用剥離液組成物の
使用方法の１例について説明すると、まず基板上に設け
られたホトレジスト層に、活性光線を用いて画像形成露
光を施したのち、現像処理して基板上にレジストパター
ンを形成し、次いでこのレジストパターンをマスクとし
て基板をエッチング処理したのち、基板上に残存するレ
ジストパターンを該剥離液組成物を用いて除去処理す
る。この除去処理には、通常従来慣用されている浸せき
法が用いられる。除去処理後、適当なリンス液でリンス
処理を施すことで、レジストパターンが完全に除去され
た高品質の基板を得ることができる。
使用方法の１例について説明すると、まず基板上に設け
られたホトレジスト層に、活性光線を用いて画像形成露
光を施したのち、現像処理して基板上にレジストパター
ンを形成し、次いでこのレジストパターンをマスクとし
て基板をエッチング処理したのち、基板上に残存するレ
ジストパターンを該剥離液組成物を用いて除去処理す
る。この除去処理には、通常従来慣用されている浸せき
法が用いられる。除去処理後、適当なリンス液でリンス
処理を施すことで、レジストパターンが完全に除去され
た高品質の基板を得ることができる。
【００１６】
【発明の効果】本発明のレジスト用有機系剥離液組成物
は、従来の非水溶性の有機系剥離液に比べて、アルミニ
ウムやニッケルなどの金属基板に対する防食効果を有
し、高精度の加工が要求される電子材料分野などにおい
て好適に用いられる。
は、従来の非水溶性の有機系剥離液に比べて、アルミニ
ウムやニッケルなどの金属基板に対する防食効果を有
し、高精度の加工が要求される電子材料分野などにおい
て好適に用いられる。
【００１７】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。
明する。
【００１８】実施例１ アルミニウムが蒸着された４インチシリコンウエハー上
にポジ型ホトレジストＯＦＰＲ‐８００（東京応化工業
社製）を３．０μｍの膜厚に塗布し、ホットプレート上
で１１０℃、９０秒間加熱乾燥した。次いでマスクを介
して活性光線を選択的に照射したのち現像し、ホットプ
レート上で１４０℃、５分間ポストベーキングを行って
得られたウエハーを、ｏ‐ジクロロベンゼン６０重量
％、フェノール２０重量％及びペンタデシルベンゼンス
ルホン酸２０重量％から成る有機系剥離液中に２０分間
浸せきしたのち、アルコール及び水の各溶液に浸せきし
乾燥した。このようにして得られたシリコンウエハーを
調べたところ、基板上のレジストパターンは完全に剥離
しており、またアルミニウム表面を電子顕微鏡により観
察した結果、その表面は剥離処理前と変わらず、腐食は
認められなかった。
にポジ型ホトレジストＯＦＰＲ‐８００（東京応化工業
社製）を３．０μｍの膜厚に塗布し、ホットプレート上
で１１０℃、９０秒間加熱乾燥した。次いでマスクを介
して活性光線を選択的に照射したのち現像し、ホットプ
レート上で１４０℃、５分間ポストベーキングを行って
得られたウエハーを、ｏ‐ジクロロベンゼン６０重量
％、フェノール２０重量％及びペンタデシルベンゼンス
ルホン酸２０重量％から成る有機系剥離液中に２０分間
浸せきしたのち、アルコール及び水の各溶液に浸せきし
乾燥した。このようにして得られたシリコンウエハーを
調べたところ、基板上のレジストパターンは完全に剥離
しており、またアルミニウム表面を電子顕微鏡により観
察した結果、その表面は剥離処理前と変わらず、腐食は
認められなかった。
【００１９】比較例１ 実施例１で使用した有機系剥離液の組成において、アル
キルベンゼンスルホン酸としてドデシルベンゼンスルホ
ン酸を用いた以外は全く実施例１と同様の操作によりレ
ジストパターンの剥離処理とアルミニウム表面の観察を
行ったところ、レジストパターンは完全に剥離していた
が、アルミニウム表面は荒れ、腐食が確認された。
キルベンゼンスルホン酸としてドデシルベンゼンスルホ
ン酸を用いた以外は全く実施例１と同様の操作によりレ
ジストパターンの剥離処理とアルミニウム表面の観察を
行ったところ、レジストパターンは完全に剥離していた
が、アルミニウム表面は荒れ、腐食が確認された。
【００２０】実施例２ 実施例１で使用した有機系剥離液に代えて、メチルナフ
タレン３５重量％、ジメチルナフタレン３０重量％及び
ヘキサデシルベンゼンスルホン酸３５重量％から成る有
機系剥離液を用いた以外は全く実施例１と同様の操作に
よりレジストパターンの剥離処理とアルミニウム表面の
観察を行ったところ、基板上のレジストパターンは完全
に剥離しており、また、アルミニウム表面は剥離処理前
と変わらず、腐食は認められなかった。
タレン３５重量％、ジメチルナフタレン３０重量％及び
ヘキサデシルベンゼンスルホン酸３５重量％から成る有
機系剥離液を用いた以外は全く実施例１と同様の操作に
よりレジストパターンの剥離処理とアルミニウム表面の
観察を行ったところ、基板上のレジストパターンは完全
に剥離しており、また、アルミニウム表面は剥離処理前
と変わらず、腐食は認められなかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 初幸 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）一般式 【化１】 （式中のＲは炭素数１５以上のアルキル基である）で表
わされるアルキルベンゼンスルホン酸５〜４５重量％
と、（Ｂ）ハロゲン化炭化水素系溶剤及び芳香族炭化水
素系溶剤の中から選ばれた少なくとも１種５５〜９５重
量％とを含有して成るレジスト用有機系剥離液組成物。 - 【請求項２】 （Ａ）一般式 【化２】 （式中のＲは炭素数１５以上のアルキル基である）で表
わされるアルキルベンゼンスルホン酸５〜４５重量％
と、（Ｂ）ハロゲン化炭化水素系溶剤及び芳香族炭化水
素系溶剤の中から選ばれた少なくとも１種５０〜９０重
量％と、（Ｃ）フェノール類５〜４０重量％とを含有し
て成るレジスト用有機系剥離液組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33944792A JPH06167813A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | レジスト用有機系剥離液組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33944792A JPH06167813A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | レジスト用有機系剥離液組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06167813A true JPH06167813A (ja) | 1994-06-14 |
Family
ID=18327554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33944792A Pending JPH06167813A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | レジスト用有機系剥離液組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06167813A (ja) |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP33944792A patent/JPH06167813A/ja active Pending
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