JPH061659A - Ｃ／ｃコンポジット製部材の製造方法 - Google Patents
Ｃ／ｃコンポジット製部材の製造方法Info
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- JPH061659A JPH061659A JP4159620A JP15962092A JPH061659A JP H061659 A JPH061659 A JP H061659A JP 4159620 A JP4159620 A JP 4159620A JP 15962092 A JP15962092 A JP 15962092A JP H061659 A JPH061659 A JP H061659A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 部材表層部の開気孔率の制御が可能で、Ｓｉ
Ｃ生成処理に際しての拡散層増大を阻止し、もって部材
の機械的強度劣化を防止することのできるＣ／Ｃコンポ
ジット製部材の製造方法を提供する。 【構成】 ピッチ含浸に際し少なくとも２種類のピッチ
を使用し、ピッチ含浸の前期には低分子量ピッチを使用
し、ピッチ含浸の後期には高分子量ピッチを使用する。
Ｃ生成処理に際しての拡散層増大を阻止し、もって部材
の機械的強度劣化を防止することのできるＣ／Ｃコンポ
ジット製部材の製造方法を提供する。 【構成】 ピッチ含浸に際し少なくとも２種類のピッチ
を使用し、ピッチ含浸の前期には低分子量ピッチを使用
し、ピッチ含浸の後期には高分子量ピッチを使用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、炭素繊維強化炭素複
合材料（以下「Ｃ／Ｃコンポジット」と称する）からな
る部材を製造するのに利用される製造方法に係わり、さ
らに詳しくは、部材表層部の開気孔率の制御が可能で、
例えばＳｉＣの生成工程において、部材表面における拡
散反応層の厚さの調整が可能なＣ／Ｃコンポジット製部
材の製造方法に関するものである。
合材料（以下「Ｃ／Ｃコンポジット」と称する）からな
る部材を製造するのに利用される製造方法に係わり、さ
らに詳しくは、部材表層部の開気孔率の制御が可能で、
例えばＳｉＣの生成工程において、部材表面における拡
散反応層の厚さの調整が可能なＣ／Ｃコンポジット製部
材の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】炭素繊維を強化材とし、炭素または黒鉛
をマトリックスとしたＣ／Ｃコンポジットは、高温強
度，軽量性，耐熱・耐蝕性に優れ、例えばロケットのノ
ズル，航空機や高速車両のブレーキ材，ガスタービンエ
ンジンのタービンロータなどに好適な材料であり、ＣＶ
Ｄ法，含浸法あるいは両者を組合わせた方法によって製
造されている。
をマトリックスとしたＣ／Ｃコンポジットは、高温強
度，軽量性，耐熱・耐蝕性に優れ、例えばロケットのノ
ズル，航空機や高速車両のブレーキ材，ガスタービンエ
ンジンのタービンロータなどに好適な材料であり、ＣＶ
Ｄ法，含浸法あるいは両者を組合わせた方法によって製
造されている。
【０００３】ＣＶＤ法は、目的とする形状に成形した炭
素繊維基材に、メタンやプロパンなどの炭化水素を熱分
解することによって生成する炭素を直接蒸着させるもの
である。
素繊維基材に、メタンやプロパンなどの炭化水素を熱分
解することによって生成する炭素を直接蒸着させるもの
である。
【０００４】また、含浸法は、上記のような炭素繊維基
材にフェノール樹脂やピッチを含浸させ、成形硬化させ
たのち焼成することによって、あるいは炭素繊維にフェ
ノール樹脂などを含浸させたプリプレグを目的とする形
状を考慮して積層したのちホットプレスすることによっ
てＣＦＲＰ（炭素繊維強化プラスチック）となし、この
ＣＦＲＰを焼成することによって、前記樹脂やピッチあ
るいはＣＦＲＰのプラスチック部分を炭化し、さらに必
要に応じて黒鉛化焼成するものである。 なお、この含
浸法においては、１回の焼成で得られるＣ／Ｃコンポジ
ットは、通常、樹脂やピッチあるいはプラスチックの熱
分解ガスによって多孔質となっており、強度も低いた
め、ピッチ含浸と焼成の工程を繰り返すことによって目
標の密度ないしは強度となるようにしている。
材にフェノール樹脂やピッチを含浸させ、成形硬化させ
たのち焼成することによって、あるいは炭素繊維にフェ
ノール樹脂などを含浸させたプリプレグを目的とする形
状を考慮して積層したのちホットプレスすることによっ
てＣＦＲＰ（炭素繊維強化プラスチック）となし、この
ＣＦＲＰを焼成することによって、前記樹脂やピッチあ
るいはＣＦＲＰのプラスチック部分を炭化し、さらに必
要に応じて黒鉛化焼成するものである。 なお、この含
浸法においては、１回の焼成で得られるＣ／Ｃコンポジ
ットは、通常、樹脂やピッチあるいはプラスチックの熱
分解ガスによって多孔質となっており、強度も低いた
め、ピッチ含浸と焼成の工程を繰り返すことによって目
標の密度ないしは強度となるようにしている。
【０００５】そして、この様にして製造した部材には、
必要に応じて、気相あるいは固相においてＳｉを反応さ
せ、ＳｉＣの拡散層を部材表面に生成させることによっ
て当該Ｃ／Ｃコンポジット部材の酸化性雰囲気内でのＳ
ｉＯ2 皮膜の形成により耐久性を向上させることも行わ
れている。
必要に応じて、気相あるいは固相においてＳｉを反応さ
せ、ＳｉＣの拡散層を部材表面に生成させることによっ
て当該Ｃ／Ｃコンポジット部材の酸化性雰囲気内でのＳ
ｉＯ2 皮膜の形成により耐久性を向上させることも行わ
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来、前述
のような含浸法によってＣ／Ｃコンポジット部材を製造
する場合、ピッチ含浸に際しては、ピッチの浸透性を考
慮して、軟化点が低く、粘性の低い、比較的低分子量の
ピッチを用いるようにしていたので、炭素繊維基材や高
密度化過程の多孔質Ｃ／Ｃコンポジット内へのピッチ含
浸が容易である反面、部材表層部の開気孔率が高くなる
関係上、ＳｉＣの拡散反応において、拡散層が増大し、
ＳｉＣ層の生成が部材の内部にまで及ぶ結果、Ｃ／Ｃコ
ンポジット部材自体の機械的強度が低下するという問題
点があり、Ｃ／Ｃコンポジット部材表層部の開気孔率の
制御を可能にすることが含浸法によるＣ／Ｃコンポジッ
ト製造における課題となっていた。
のような含浸法によってＣ／Ｃコンポジット部材を製造
する場合、ピッチ含浸に際しては、ピッチの浸透性を考
慮して、軟化点が低く、粘性の低い、比較的低分子量の
ピッチを用いるようにしていたので、炭素繊維基材や高
密度化過程の多孔質Ｃ／Ｃコンポジット内へのピッチ含
浸が容易である反面、部材表層部の開気孔率が高くなる
関係上、ＳｉＣの拡散反応において、拡散層が増大し、
ＳｉＣ層の生成が部材の内部にまで及ぶ結果、Ｃ／Ｃコ
ンポジット部材自体の機械的強度が低下するという問題
点があり、Ｃ／Ｃコンポジット部材表層部の開気孔率の
制御を可能にすることが含浸法によるＣ／Ｃコンポジッ
ト製造における課題となっていた。
【０００７】
【発明の目的】この発明は、上記した従来の課題に着目
してなされたもので、炭素繊維基材や多孔質Ｃ／Ｃコン
ポジット内へのピッチの浸透性がよく、しかも部材表層
部の開気孔率の制御が可能で、ＳｉＣ生成に際しての拡
散層増大を阻止し、もって部材の機械的強度劣化を防止
することのできるＣ／Ｃコンポジット製部材の製造方法
を提供することを目的としている。
してなされたもので、炭素繊維基材や多孔質Ｃ／Ｃコン
ポジット内へのピッチの浸透性がよく、しかも部材表層
部の開気孔率の制御が可能で、ＳｉＣ生成に際しての拡
散層増大を阻止し、もって部材の機械的強度劣化を防止
することのできるＣ／Ｃコンポジット製部材の製造方法
を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係わるＣ／Ｃ
コンポジット製部材の製造方法は、炭素繊維基材、もし
くは炭素繊維強化プラスチックを焼成して得た低密度Ｃ
／Ｃコンポジット基材にピッチ含浸と焼成とを繰り返し
施すことによって高密度化するＣ／Ｃコンポジット製部
材の製造方法において、分子量が異なる少なくとも２種
類のピッチを使用し、ピッチ含浸の前期には低分子量ピ
ッチを使用する共に、ピッチ含浸の後期には高分子量ピ
ッチを使用する構成としたことを特徴としており、Ｃ／
Ｃコンポジット製部材の製造方法におけるこのような構
成を前述した従来の課題を解決するための手段としてい
る。
コンポジット製部材の製造方法は、炭素繊維基材、もし
くは炭素繊維強化プラスチックを焼成して得た低密度Ｃ
／Ｃコンポジット基材にピッチ含浸と焼成とを繰り返し
施すことによって高密度化するＣ／Ｃコンポジット製部
材の製造方法において、分子量が異なる少なくとも２種
類のピッチを使用し、ピッチ含浸の前期には低分子量ピ
ッチを使用する共に、ピッチ含浸の後期には高分子量ピ
ッチを使用する構成としたことを特徴としており、Ｃ／
Ｃコンポジット製部材の製造方法におけるこのような構
成を前述した従来の課題を解決するための手段としてい
る。
【０００９】この発明に係わるＣ／Ｃコンポジット製部
材の製造方法の工程を図１に基づいて説明すると、まず
工程１において、炭素繊維を用いて目的とするＣ／Ｃコ
ンポジット部材の形状に沿った炭素繊維基材を成形す
る。
材の製造方法の工程を図１に基づいて説明すると、まず
工程１において、炭素繊維を用いて目的とするＣ／Ｃコ
ンポジット部材の形状に沿った炭素繊維基材を成形す
る。
【００１０】あるいは炭素繊維基材を用いる替わりに、
工程２ないし工程４に示すように、炭素繊維にフェノー
ル樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを目
的とするＣ／Ｃコンポジット部材の形状に沿って積層
し、約１５０℃の温度でプレスキュアすることによって
ＣＦＲＰ（炭素繊維強化プラスチック）となし、これを
１次焼成することによって多孔質のＣ／Ｃコンポジット
とした低密度Ｃ／Ｃコンポジット基材を使用してもよ
い。
工程２ないし工程４に示すように、炭素繊維にフェノー
ル樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを目
的とするＣ／Ｃコンポジット部材の形状に沿って積層
し、約１５０℃の温度でプレスキュアすることによって
ＣＦＲＰ（炭素繊維強化プラスチック）となし、これを
１次焼成することによって多孔質のＣ／Ｃコンポジット
とした低密度Ｃ／Ｃコンポジット基材を使用してもよ
い。
【００１１】次に、工程５において、工程１で成形した
炭素繊維基材もしくは、工程２ないし工程４で形成した
低密度Ｃ／Ｃコンポジット基材に、低分子量のピッチを
含浸させると共に、工程６において、炭化焼成および必
要に応じて黒鉛化焼成処理を行う。
炭素繊維基材もしくは、工程２ないし工程４で形成した
低密度Ｃ／Ｃコンポジット基材に、低分子量のピッチを
含浸させると共に、工程６において、炭化焼成および必
要に応じて黒鉛化焼成処理を行う。
【００１２】このとき、使用するピッチは、前記基材の
中心部まで十分に浸透してピッチの含浸効果が高められ
るように低粘度で流動性に富むことが必要であり、その
ためには低分子量でなければならない。 この分子量と
しては、目標とする製品部材の密度や繊維含有率などに
よっても替わるが、概ね、２００〜６００程度の範囲
（ＭＥＫ（メチル・エチルケトン）可溶分重量平均分子
量：ＧＰＣ分析結果）であることが望ましい。 また、
このときの炭化焼成は、通常５００〜９００℃、黒鉛化
焼成については２０００〜３０００℃の温度範囲で行わ
れる。
中心部まで十分に浸透してピッチの含浸効果が高められ
るように低粘度で流動性に富むことが必要であり、その
ためには低分子量でなければならない。 この分子量と
しては、目標とする製品部材の密度や繊維含有率などに
よっても替わるが、概ね、２００〜６００程度の範囲
（ＭＥＫ（メチル・エチルケトン）可溶分重量平均分子
量：ＧＰＣ分析結果）であることが望ましい。 また、
このときの炭化焼成は、通常５００〜９００℃、黒鉛化
焼成については２０００〜３０００℃の温度範囲で行わ
れる。
【００１３】低分子量ピッチの焼成によって形成される
炭素、あるいは黒鉛マトリックスは、開気孔率が高く、
次のピッチ含浸を容易にするので、工程５および工程６
を繰り返すことによって、Ｃ／Ｃコンポジットの密度が
徐々に高められる。
炭素、あるいは黒鉛マトリックスは、開気孔率が高く、
次のピッチ含浸を容易にするので、工程５および工程６
を繰り返すことによって、Ｃ／Ｃコンポジットの密度が
徐々に高められる。
【００１４】そして、Ｃ／Ｃコンポジットの密度がほぼ
目標の密度（通常１．８ｇ／ｃｍ3前後）に達したら、
低分子量ピッチを高分子量ピッチに替え、工程７におい
て高分子量ピッチを含浸させると共に、工程８におい
て、炭化焼成および必要に応じて黒鉛化焼成処理を行う
ことにより目標開気孔率のＣ／Ｃコンポジット製部材が
得られる。 なお、この工程７および工程８は、必要に
応じて２回以上繰り返してもよい。
目標の密度（通常１．８ｇ／ｃｍ3前後）に達したら、
低分子量ピッチを高分子量ピッチに替え、工程７におい
て高分子量ピッチを含浸させると共に、工程８におい
て、炭化焼成および必要に応じて黒鉛化焼成処理を行う
ことにより目標開気孔率のＣ／Ｃコンポジット製部材が
得られる。 なお、この工程７および工程８は、必要に
応じて２回以上繰り返してもよい。
【００１５】このとき高分子量ピッチは、粘性が高くＣ
／Ｃコンポジットの中心部には浸透しないが、工程５お
よび工程６を繰り返すことによって、Ｃ／Ｃコンポジッ
トの内部の密度はこの段階で十分に高められており、前
記高分子量ピッチはＣ／Ｃコンポジット表層部に開口す
る気孔内に入り込み、焼成後の表層部の開気孔率を低く
抑えることになる。 この高分子量ピッチの分子量につ
いては、概ね、６００〜１０００の範囲であればよい。
／Ｃコンポジットの中心部には浸透しないが、工程５お
よび工程６を繰り返すことによって、Ｃ／Ｃコンポジッ
トの内部の密度はこの段階で十分に高められており、前
記高分子量ピッチはＣ／Ｃコンポジット表層部に開口す
る気孔内に入り込み、焼成後の表層部の開気孔率を低く
抑えることになる。 この高分子量ピッチの分子量につ
いては、概ね、６００〜１０００の範囲であればよい。
【００１６】また、工程８における焼成温度について
は、基本的に工程６と変わらないが、炭化焼成をＨＩＰ
処理によって高圧下で行うことにより、残炭率が高くな
り、焼成回数を少なくすることができるので、通常の焼
成処理と適宜併用することが望ましい。
は、基本的に工程６と変わらないが、炭化焼成をＨＩＰ
処理によって高圧下で行うことにより、残炭率が高くな
り、焼成回数を少なくすることができるので、通常の焼
成処理と適宜併用することが望ましい。
【００１７】なお、上記製造工程においては、ピッチ含
浸の前期と後期とで２種類の分子量のピッチを使い分け
る旨の説明をしたが、この発明に係わるＣ／Ｃコンポジ
ット製部材の製造方法において使用するピッチの分子量
は２種類のみに限定される訳ではなく、３種類あるいは
それ以上の分子量のピッチを用意し、ピッチ含浸を繰り
返しながら順次分子量を大きくしていくようにすること
もこの発明の趣旨から逸脱するものではない。
浸の前期と後期とで２種類の分子量のピッチを使い分け
る旨の説明をしたが、この発明に係わるＣ／Ｃコンポジ
ット製部材の製造方法において使用するピッチの分子量
は２種類のみに限定される訳ではなく、３種類あるいは
それ以上の分子量のピッチを用意し、ピッチ含浸を繰り
返しながら順次分子量を大きくしていくようにすること
もこの発明の趣旨から逸脱するものではない。
【００１８】
【発明の作用】この発明に係わるＣ／Ｃコンポジット製
部材の製造方法においては、ピッチ含浸の前期には、浸
透性がよく、しかも焼成によって開気孔率の高いマトリ
ックスとなる低分子量のピッチを使用することにより、
当該ピッチを基材の中心部まで浸透させて、含浸効果を
高めるようにしている。 また、ピッチ含浸の後期にお
いては、浸透性はよくないが焼成によって開気孔率の低
いマトリックスが得られる高分子量のピッチを使用して
おり、この高分子量ピッチがＣ／Ｃコンポジット表層部
の開気孔に入り込み、焼成後の表層部の開気孔率を低く
抑える結果、当該Ｃ／Ｃコンポジット部材の密度を高
め、部材表面にＳｉＣ生成処理を施した場合において
も、ＳｉＣ拡散層の増大が防止されるので、当該Ｃ／Ｃ
コンポジット部材自体の機械的強度が劣化するようなこ
とはない。
部材の製造方法においては、ピッチ含浸の前期には、浸
透性がよく、しかも焼成によって開気孔率の高いマトリ
ックスとなる低分子量のピッチを使用することにより、
当該ピッチを基材の中心部まで浸透させて、含浸効果を
高めるようにしている。 また、ピッチ含浸の後期にお
いては、浸透性はよくないが焼成によって開気孔率の低
いマトリックスが得られる高分子量のピッチを使用して
おり、この高分子量ピッチがＣ／Ｃコンポジット表層部
の開気孔に入り込み、焼成後の表層部の開気孔率を低く
抑える結果、当該Ｃ／Ｃコンポジット部材の密度を高
め、部材表面にＳｉＣ生成処理を施した場合において
も、ＳｉＣ拡散層の増大が防止されるので、当該Ｃ／Ｃ
コンポジット部材自体の機械的強度が劣化するようなこ
とはない。
【００１９】
【実施例】炭素繊維シートにフェノール樹脂を含浸させ
たプリプレグをタービンブレードを想定して、２５ｍｍ
×２０ｍｍ×２．５ｍｍの大きさに積層し、１５０℃で
プレスキュアすることによってＣＦＲＰ状態とし、次い
で８００℃における初期炭化処理および２５００℃にお
ける初期黒鉛化処理を施すことによって、多孔質のＣ／
Ｃコンポジット基材を得た。
たプリプレグをタービンブレードを想定して、２５ｍｍ
×２０ｍｍ×２．５ｍｍの大きさに積層し、１５０℃で
プレスキュアすることによってＣＦＲＰ状態とし、次い
で８００℃における初期炭化処理および２５００℃にお
ける初期黒鉛化処理を施すことによって、多孔質のＣ／
Ｃコンポジット基材を得た。
【００２０】次に、３５０℃に加熱した分子量約４００
の低分子量ピッチを前記基材に含浸させた後、８００℃
における炭化焼成および２５００℃における黒鉛化焼成
処理を施した。 そして、このピッチ含浸および炭化・
黒鉛化焼成の工程をさらに２サイクル繰り返したのち、
３５０℃に加熱した分子量約９００の高分子量ピッチを
含浸させた。
の低分子量ピッチを前記基材に含浸させた後、８００℃
における炭化焼成および２５００℃における黒鉛化焼成
処理を施した。 そして、このピッチ含浸および炭化・
黒鉛化焼成の工程をさらに２サイクル繰り返したのち、
３５０℃に加熱した分子量約９００の高分子量ピッチを
含浸させた。
【００２１】この後、７００℃−１０００ｋｇｆ／ｃｍ
2 の高温高圧下でＨＩＰ処理により炭化焼成し、さらに
２５００℃における黒鉛化焼成処理を施すことによっ
て、密度１．８３ｇ／ｃｍ3 のＣ／Ｃコンポジット試験
片が得られた。
2 の高温高圧下でＨＩＰ処理により炭化焼成し、さらに
２５００℃における黒鉛化焼成処理を施すことによっ
て、密度１．８３ｇ／ｃｍ3 のＣ／Ｃコンポジット試験
片が得られた。
【００２２】次に、このＣ／Ｃコンポジット試験片の表
層部の開気孔率を測定すると共に、前記試験片表面にＳ
ｉＣ生成処理を施し，生成されたＳｉＣ拡散層の厚さを
測定し、同様のＣ／Ｃコンポジット試験片をすべて同一
の低分子量ピッチを用いて製造した場合と比較評価し
た。
層部の開気孔率を測定すると共に、前記試験片表面にＳ
ｉＣ生成処理を施し，生成されたＳｉＣ拡散層の厚さを
測定し、同様のＣ／Ｃコンポジット試験片をすべて同一
の低分子量ピッチを用いて製造した場合と比較評価し
た。
【００２３】その結果は、表１に示すとおりで、すべて
同一の低分子量ピッチを用いた従来方法の場合には、密
度がやや低く、開気孔率が高いためＳｉＣ拡散層の増大
傾向が認められるのに対し、２種類の分子量のピッチを
使い分けた本発明方法の場合には、密度が高くて開気孔
が少なく、ＳｉＣ拡散層が極表層部のみに限定されてい
ることが確認された。
同一の低分子量ピッチを用いた従来方法の場合には、密
度がやや低く、開気孔率が高いためＳｉＣ拡散層の増大
傾向が認められるのに対し、２種類の分子量のピッチを
使い分けた本発明方法の場合には、密度が高くて開気孔
が少なく、ＳｉＣ拡散層が極表層部のみに限定されてい
ることが確認された。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係わる
Ｃ／Ｃコンポジット製部材の製造方法は、ピッチ含浸の
前期には、浸透性のよい低分子量のピッチを使用し、ピ
ッチ含浸の後期においては、焼成によって開気孔率の低
いマトリックスが得られる高分子量のピッチを使用する
ようにしたものであるから、低分子量ピッチが基材の中
心部にまで浸透して含浸効果を高めると共に、高分子量
ピッチがＣ／Ｃコンポジット製部材の表層部を開気孔の
少ないものとするので、当該部材の表面にＳｉＣ生成処
理を施した場合においても、ＳｉＣ拡散層の増大せず当
該部材の機械的強度の劣化が防止できるというに優れた
効果がもたらされる。
Ｃ／Ｃコンポジット製部材の製造方法は、ピッチ含浸の
前期には、浸透性のよい低分子量のピッチを使用し、ピ
ッチ含浸の後期においては、焼成によって開気孔率の低
いマトリックスが得られる高分子量のピッチを使用する
ようにしたものであるから、低分子量ピッチが基材の中
心部にまで浸透して含浸効果を高めると共に、高分子量
ピッチがＣ／Ｃコンポジット製部材の表層部を開気孔の
少ないものとするので、当該部材の表面にＳｉＣ生成処
理を施した場合においても、ＳｉＣ拡散層の増大せず当
該部材の機械的強度の劣化が防止できるというに優れた
効果がもたらされる。
【００２６】なお、この発明に係わるＣ／Ｃコンポジッ
ト製部材の製造方法は、ＳｉＣ生成処理を施す場合のみ
ならず、Ｃ／Ｃコンポジット製部材の密度コントロール
にも適用できることは言うまでもない。
ト製部材の製造方法は、ＳｉＣ生成処理を施す場合のみ
ならず、Ｃ／Ｃコンポジット製部材の密度コントロール
にも適用できることは言うまでもない。
【図１】この発明に係わるＣ／Ｃコンポジット製部材の
製造方法の工程を説明するブロック図である。
製造方法の工程を説明するブロック図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 炭素繊維基材、もしくは炭素繊維強化プ
ラスチックを焼成して得た低密度Ｃ／Ｃコンポジット基
材にピッチ含浸と焼成とを繰り返し施すことによって高
密度化するＣ／Ｃコンポジット製部材の製造方法におい
て、分子量が異なる少なくとも２種類のピッチを使用し
て密度コントロールを行うことを特徴とするＣ／Ｃコン
ポジット製部材の製造方法。 - 【請求項２】 炭素繊維基材、もしくは炭素繊維強化プ
ラスチックを焼成して得た低密度Ｃ／Ｃコンポジット基
材にピッチ含浸と焼成とを繰り返し施すことによって高
密度化するＣ／Ｃコンポジット製部材の製造方法におい
て、分子量が異なる少なくとも２種類のピッチを使用
し、ピッチ含浸の前期には低分子量ピッチを使用する共
に、ピッチ含浸の後期には高分子量ピッチを使用するこ
とを特徴とするＣ／Ｃコンポジット製部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4159620A JPH061659A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | Ｃ／ｃコンポジット製部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4159620A JPH061659A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | Ｃ／ｃコンポジット製部材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH061659A true JPH061659A (ja) | 1994-01-11 |
Family
ID=15697702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4159620A Pending JPH061659A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | Ｃ／ｃコンポジット製部材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061659A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6398564B1 (en) | 1999-10-12 | 2002-06-04 | 3Com Corporation | Communication connector for compact computer devices |
| JP2003033915A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-04 | Nikkiso Co Ltd | Ｃｆｒｐから成る廃材のリサイクル方法 |
-
1992
- 1992-06-18 JP JP4159620A patent/JPH061659A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6398564B1 (en) | 1999-10-12 | 2002-06-04 | 3Com Corporation | Communication connector for compact computer devices |
| JP2003033915A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-04 | Nikkiso Co Ltd | Ｃｆｒｐから成る廃材のリサイクル方法 |
| JP4565461B2 (ja) * | 2001-07-23 | 2010-10-20 | 日機装株式会社 | Ｃｆｒｐから成る廃材のリサイクル方法 |
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