JPH06163687A - Method and device for dicing semiconductor device - Google Patents
Method and device for dicing semiconductor deviceInfo
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- JPH06163687A JPH06163687A JP4308959A JP30895992A JPH06163687A JP H06163687 A JPH06163687 A JP H06163687A JP 4308959 A JP4308959 A JP 4308959A JP 30895992 A JP30895992 A JP 30895992A JP H06163687 A JPH06163687 A JP H06163687A
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- semiconductor wafer
- kerf
- blade
- cut
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハ上に形
成された各素子を分離する半導体装置のダイシング方法
及び装置に関し、特にテープ屑を発生させず、半導体ウ
エハを完全切断でき、ブレード破損を防止することので
きる半導体装置のダイシング方法及び装置に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing method and apparatus for a semiconductor device for separating each element formed on a semiconductor wafer, and in particular, it is possible to completely cut a semiconductor wafer without generating tape scraps and to prevent blade damage. The present invention relates to a dicing method and device for a semiconductor device that can be prevented.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体ウエハ上に形成された集
積回路等の各種半導体装置を分離するためには、電極を
形成したウエハをペレットまたは、チップ状に分割、分
離するダイシング（もしくはスクライピング）と称され
る切断処理を行うことによってその目的を達成してい
る。2. Description of the Related Art Generally, in order to separate various semiconductor devices such as integrated circuits formed on a semiconductor wafer, a wafer on which electrodes are formed is divided into pellets or chips and dicing (or scraping) is performed. The purpose is achieved by performing a so-called cutting process.
【０００３】ところで、ダイシングによって分離した個
々の半導体装置を破損、もしくは飛散することなく保持
するためには、ダイシング処理を行う時点において半導
体装置を個々に保持できる処理を施すことが必要であ
る。By the way, in order to hold individual semiconductor devices separated by dicing without damaging or scattering, it is necessary to perform a process capable of individually holding the semiconductor devices at the time of performing the dicing process.
【０００４】従来、このような要求に応えるものとし
て、例えば図２に示すような半導体装置のダイシング方
法及び装置が提案されている。図２は半導体装置のダイ
シング方法及び装置を示す断面図である。Conventionally, in order to meet such a demand, for example, a method and an apparatus for dicing a semiconductor device as shown in FIG. 2 have been proposed. FIG. 2 is a sectional view showing a dicing method and device for a semiconductor device.
【０００５】図において、１は半導体ウエハとしてのシ
リコンウエハ、２はこのシリコンウエハ１に貼り付けら
れた粘着テープ、３はこの粘着テープ２が貼り付けられ
たシリコンウエハ１に切り溝４を形成するためのブレー
ドで、このブレード３はその軸３ａを中心に矢印ｘで示
す方向に回転する。また、このブレード３は図示せず
も、円盤状となっている。In the figure, 1 is a silicon wafer as a semiconductor wafer, 2 is an adhesive tape attached to this silicon wafer 1, and 3 is a kerf 4 formed in the silicon wafer 1 to which this adhesive tape 2 is attached. This blade 3 rotates about its axis 3a in the direction indicated by the arrow x. The blade 3 has a disk shape, which is not shown.
【０００６】次に動作について説明する。ブレード３
は、その先端が粘着テープ２を切り込むように高さ調整
された状態で、図示しない駆動部により軸３ａが高速で
回転駆動されることにより高速で回転する。一方、粘着
テープ２が貼り付けられた半導体ウエハ１は図示しない
移動部によって相対的にブレード３の回転方向と逆の方
向に移動し、これによって図２Ｂに示すように半導体ウ
エハ１が完全に切断されると共に、粘着テープ２が途中
まで切られて半導体ウエハ１に粘着テープ２が貼り付け
られた状態で切り溝４が形成される。Next, the operation will be described. Blade 3
The shaft 3a is rotated at a high speed by driving the shaft 3a at a high speed by a driving unit (not shown) with its tip adjusted in height so as to cut the adhesive tape 2. On the other hand, the semiconductor wafer 1 to which the adhesive tape 2 is attached moves relatively in the direction opposite to the rotating direction of the blade 3 by a moving unit (not shown), and thus the semiconductor wafer 1 is completely cut as shown in FIG. 2B. At the same time, the cut groove 4 is formed in a state where the adhesive tape 2 is cut halfway and the adhesive tape 2 is attached to the semiconductor wafer 1.
【０００７】図２Ｂに示すように、半導体ウエハ１に切
り溝４を形成する処理過程においては、切り溝４が形成
される過程で粘着テープ２が途中まで切られ、切られた
粘着テープ２がブレード３でかき出されて粘着性の高い
テープ屑８となって半導体ウエハ１の表面並びに切り溝
４内部に飛散して付着する。As shown in FIG. 2B, in the process of forming the kerfs 4 on the semiconductor wafer 1, the adhesive tape 2 is cut halfway in the process of forming the kerfs 4, and the cut adhesive tape 2 is removed. It is scraped out by the blade 3 and becomes a highly adhesive tape scrap 8 which scatters and adheres to the surface of the semiconductor wafer 1 and the inside of the cut groove 4.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置のダ
イシングは以上の方法で行われ、以上のように構成され
ているので、図２Ｂにおいて説明したように、テープ屑
が付着することにより半導体ウエハが汚染されると共
に、粘着テープがブレードにも付着してブレードの目詰
まりを発生させ、これによってブレードの破損が発生し
易くなり、ブレードの破損が発生した場合には半導体ウ
エハに傷を付けてしまうなどの問題点があった。Since the conventional dicing of the semiconductor device is performed by the above method and configured as described above, as described in FIG. When the blade is contaminated, the adhesive tape also adheres to the blade and causes the blade to be clogged, which easily causes the blade to be damaged.If the blade is damaged, scratch the semiconductor wafer. There was a problem such as being lost.
【０００９】この発明はこのような問題点を解決するた
めになされたもので、テープ屑を発生させずに半導体ウ
エハを完全切断できると共に、ブレードの破損を防止す
ることのできる半導体装置のダイシング方法及び装置を
得ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and a semiconductor device dicing method capable of completely cutting a semiconductor wafer without generating tape scraps and preventing damage to a blade. And to obtain the device.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置のダイシング方法は、粘着テープに予め貼り付けられ
た半導体ウエハの全厚を完全切断しないように上記半導
体ウエハの表面から切り溝を入れた後、レーザー光によ
り、前記切り溝下部の残りの部分を切断、または溶断す
るものである。In the method for dicing a semiconductor device according to the present invention, a kerf is formed in the surface of the semiconductor wafer so as not to completely cut the entire thickness of the semiconductor wafer previously attached to the adhesive tape. After that, the remaining part of the lower part of the kerf is cut or melted by a laser beam.
【００１１】また、この発明に係る半導体装置のダイシ
ング装置は、粘着テープに予め貼り付けられた半導体ウ
エハの全厚を完全切断しないように上記半導体ウエハに
切り溝を入れる切り溝形成手段と、上記切り溝下部の残
りの部分を切断、または溶断するレーザー光を出射する
レーザー光出力手段とを備えたものである。The semiconductor device dicing apparatus according to the present invention further comprises a kerf forming means for forming a kerf on the semiconductor wafer so as not to completely cut the entire thickness of the semiconductor wafer previously attached to the adhesive tape. It is provided with a laser beam output means for emitting a laser beam for cutting or fusing the remaining portion below the kerf.
【００１２】[0012]
【作用】この発明においては、粘着テープに予め貼り付
けられた半導体ウエハの全厚を完全切断しないように、
ウエハ表面から切り溝を入れた後、レーザー光源によ
り、切り溝下部の残りの部分を切断、または溶断する。In the present invention, the entire thickness of the semiconductor wafer previously attached to the adhesive tape is not completely cut,
After making a kerf from the surface of the wafer, a laser light source is used to cut or melt the remaining portion below the kerf.
【００１３】また、この発明においては、切り溝形成手
段で半導体ウエハに切り溝を形成した後に、レーザー光
出力手段から出力されたレーザー光によって半導体ウエ
ハの切り溝下部の残りの部分を切断、または溶断する。Further, according to the present invention, after the kerfs are formed in the semiconductor wafer by the kerf forming means, the remaining portion of the lower part of the kerf of the semiconductor wafer is cut by the laser light output from the laser light output means, or To melt down.
【００１４】[0014]
実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の一実施例を示す断面図であり、
図において、図２と対応する部分には同一符号を付し、
その詳細説明を省略する。図において、５はレーザー光
６を発光するレーザー光出力手段としてのレーザー光発
光部で図示せずも、例えばレーザー光を出射する発振器
及び駆動回路などで構成する。Example 1. An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention,
In the figure, the parts corresponding to those in FIG.
Detailed description thereof will be omitted. In the figure, reference numeral 5 is a laser light emitting portion as a laser light output means for emitting the laser light 6, and is constituted by, for example, an oscillator and a drive circuit for emitting the laser light, which is not shown.
【００１５】次に動作について説明する。まず、切り溝
形成手段としてのブレード３をその先端が粘着テープ２
を切り込むように高さ調整した後、図示しない駆動部で
軸３ａを高速で回転駆動することにより高速で回転させ
る。一方、粘着テープ２を貼り付けた半導体ウエハ１を
図示しない移動部によって相対的にブレード３の回転方
向と逆の方向に移動する。これによって図１Ｂに示すよ
うに半導体ウエハ１を完全に切断しない状態で切り溝７
を形成する。この切り溝７の深さは例えば半導体ウエハ
１の厚さを４００μｍとした場合、３７０〜３８０μｍ
程度とする。Next, the operation will be described. First, the blade 3 as a kerf forming means has an adhesive tape 2 at its tip.
After the height is adjusted so as to cut, the shaft 3a is rotated at a high speed by a driving unit (not shown) to rotate at a high speed. On the other hand, the semiconductor wafer 1 to which the adhesive tape 2 is attached is moved in a direction relatively opposite to the rotation direction of the blade 3 by a moving unit (not shown). As a result, as shown in FIG. 1B, the semiconductor wafer 1 is not completely cut and the kerf 7
To form. The depth of the kerf 7 is, for example, 370 to 380 μm when the thickness of the semiconductor wafer 1 is 400 μm.
The degree.
【００１６】次に、図１Ｂに示すように、レーザー光発
光部５を駆動させて切り溝７の幅に等しいか又はこれよ
り細く絞られたレーザー光６を出射させ、出射させたレ
ーザー光６を半導体ウエハ１に形成した切り溝７の底の
部分に照射して切り溝７の底を切断または溶断すること
により、図１Ｃに示すように切断または溶断部９を形成
して、半導体ウエハ１を完全に切断する。Next, as shown in FIG. 1B, the laser beam emitting section 5 is driven to emit a laser beam 6 equal to or narrower than the width of the kerf 7, and the emitted laser beam 6 is emitted. Is irradiated to the bottom portion of the kerf 7 formed in the semiconductor wafer 1 to cut or melt the bottom of the kerf 7, thereby forming a cut or melt portion 9 as shown in FIG. 1C. Completely disconnect.
【００１７】このように本実施例においては、ブレード
３で半導体ウエハ１に切り溝７を形成した後に、レーザ
ー光発光部５から出射したレーザー光６によって半導体
ウエハ１の切り溝７の底を切断、または溶断するように
したので、テープ屑を発生させずに半導体ウエハを完全
切断できると共に、ブレードの破損を防止することがで
きる。As described above, in this embodiment, after the cutting groove 7 is formed in the semiconductor wafer 1 by the blade 3, the bottom of the cutting groove 7 of the semiconductor wafer 1 is cut by the laser light 6 emitted from the laser light emitting section 5. Alternatively, the semiconductor wafer can be completely cut without producing tape scraps and the blade can be prevented from being damaged because the blade is melted.
【００１８】実施例２．尚、切り溝形成手段とレーザー
光出力手段は１つの卓上に一体構成としてもよい。因
に、切り溝形成手段とレーザー光出力手段とを夫々個別
に専用に設ける場合には両者間で半導体ウエハを移動す
る際に例えば振動や衝撃を受けた場合に未完全切断状態
にあるチップがずれて切り溝が蛇行し、このためこの切
り溝下部を完全切断する際にウエハの表面にもレーザー
光が当たってその表面を溶かしてしまうおそれがある
が、切り溝形成手段とレーザー光出力手段を一体構成と
することにより、かかる問題点も解消され、半導体装置
の信頼性、歩留まりが向上する。Example 2. The kerf forming means and the laser light output means may be integrally configured on one desk. Incidentally, when the kerf forming means and the laser light output means are individually and individually provided, when the semiconductor wafer is moved between the kerf forming means and the laser light output means, for example, a chip which is in an incompletely cut state when subjected to vibration or impact The kerfs are misaligned and meandered, and therefore, when the lower part of the kerfs is completely cut, the laser beam may hit the surface of the wafer and melt the surface. However, the kerf forming means and the laser light output means This problem can be solved and the reliability and the yield of the semiconductor device can be improved by integrating the above.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、粘着
テープに予め貼り付けられた半導体ウエハの全厚を完全
切断しないように上記半導体ウエハの表面から切り溝を
入れた後、レーザー光により、前記切り溝下部の残りの
部分を切断、または溶断するので、テープ屑を発生させ
ずに半導体ウエハを完全切断できると共に、切り溝形成
手段の破損、半導体ウエハの損傷を防止することができ
るという効果がある。As described above, according to the present invention, after the semiconductor wafer pre-attached to the adhesive tape is not completely cut, the semiconductor wafer is cut with a groove and then laser light is applied. With this, the remaining portion of the lower part of the kerf is cut or melted, so that the semiconductor wafer can be completely cut without generating tape scraps, and damage to the kerf forming means and damage to the semiconductor wafer can be prevented. There is an effect.
【００２０】また、以上のようにこの発明によれば、粘
着テープに予め貼り付けられた半導体ウエハの全厚を完
全切断しないように上記半導体ウエハに切り溝を入れる
切り溝形成手段と、上記切り溝下部の残りの部分を切
断、または溶断するレーザー光を出射するレーザー光出
力手段とを備えたので、テープ屑を発生させずに半導体
ウエハを完全切断できると共に、切り溝形成手段の破
損、半導体ウエハの損傷を防止することができ、しかも
半導体装置の信頼性、歩留まりを向上できるという効果
がある。Further, as described above, according to the present invention, a kerf forming means for forming a kerf on the semiconductor wafer so as not to completely cut the entire thickness of the semiconductor wafer previously attached to the adhesive tape, and the kerf forming means. Since the semiconductor wafer is provided with laser light output means for emitting laser light for cutting or fusing the remaining portion under the groove, the semiconductor wafer can be completely cut without generating tape scraps, damage to the kerf forming means, and semiconductor There is an effect that the damage of the wafer can be prevented and the reliability and the yield of the semiconductor device can be improved.
【図１】この発明による半導体装置のダイシング方法及
び装置の一実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a dicing method and device for a semiconductor device according to the present invention.
【図２】従来の半導体装置のダイシング方法及び装置を
示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a conventional semiconductor device dicing method and device.
１ 半導体ウエハ ２ 粘着テープ ３ ブレード ３ａ 軸 ５ レーザー光発光部 ６ レーザー光 ７ 切り溝 ９ 切断または溶断部 1 Semiconductor Wafer 2 Adhesive Tape 3 Blade 3a Axis 5 Laser Light Emitting Section 6 Laser Light 7 Cutting Groove 9 Cutting or Fusing Section
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成５年７月８日[Submission date] July 8, 1993
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００１[Correction target item name] 0001
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウエハ上に形
成された各素子を分離する半導体装置のダイシング方法
及び装置に関し、特にテープ屑を発生させず、半導体ウ
エハを完全切断でき、ブレード破損率を低減することの
できる半導体装置のダイシング方法及び装置に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing method and apparatus for a semiconductor device for separating each element formed on a semiconductor wafer, and in particular, it is possible to completely cut the semiconductor wafer without generating tape scraps and the blade damage rate. The present invention relates to a semiconductor device dicing method and device capable of reducing the noise.
【手続補正２】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】０００９[Correction target item name] 0009
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【０００９】この発明はこのような問題点を解決するた
めになされたもので、テープ屑を発生させずに半導体ウ
エハを完全切断できると共に、ブレードの破損率を低減
することのできる半導体装置のダイシング方法及び装置
を得ることを目的とする。The present invention has been made in order to solve such problems, and it is possible to completely cut a semiconductor wafer without generating tape scraps and to reduce the blade breakage rate. An object is to obtain a dicing method and device for a semiconductor device.
【手続補正３】[Procedure 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１５[Name of item to be corrected] 0015
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００１５】次に動作について説明する。まず、切り溝
形成手段としてのブレード３をその先端が粘着テープ２
を切り込まないように高さ調整した後、図示しない駆動
部で軸３ａを高速で回転駆動することにより高速で回転
させる。一方、粘着テープ２を貼り付けた半導体ウエハ
１を図示しない移動部によって相対的にブレード３の移
動方向と逆の方向に移動する。これによって図１Ｂに示
すように半導体ウエハ１を完全に切断しない状態で切り
溝７を形成する。この切り溝７の深さは例えば半導体ウ
エハ１の厚さを４００μｍとした場合、３７０〜３８０
μｍ程度とする。Next, the operation will be described. First, the blade 3 as a kerf forming means has an adhesive tape 2 at its tip.
After height adjustment to cut write Manai so the, it is rotated at high speed by rotating the shaft 3a at a high speed by an unillustrated driving unit. On the other hand, transfer a relatively blade 3 by a moving unit (not shown) of the semiconductor wafer 1 stuck adhesive tape 2
Moves in the moving direction opposite to the direction. As a result, as shown in FIG. 1B, the kerf 7 is formed without completely cutting the semiconductor wafer 1. The depth of the kerf 7 is 370 to 380, for example, when the thickness of the semiconductor wafer 1 is 400 μm.
It is about μm.
【手続補正４】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１７[Correction target item name] 0017
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００１７】このように本実施例においては、ブレード
３で半導体ウエハ１に切り溝７を形成した後に、レーザ
ー光発光部５から出射したレーザー光６によって半導体
ウエハ１の切り溝７の底を切断、または溶断するように
したので、テープ屑を発生させずに半導体ウエハを完全
切断できると共に、ブレードの破損率を低減することが
できる。As described above, in this embodiment, after the cutting groove 7 is formed in the semiconductor wafer 1 by the blade 3, the bottom of the cutting groove 7 of the semiconductor wafer 1 is cut by the laser light 6 emitted from the laser light emitting section 5. Alternatively, the semiconductor wafer can be completely cut without generating tape scraps, and the blade breakage rate can be reduced .
【手続補正５】[Procedure Amendment 5]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２０[Correction target item name] 0020
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【００２０】また、以上のようにこの発明によれば、粘
着テープに予め貼り付けられた半導体ウエハの全厚を完
全切断しないように上記半導体ウエハに切り溝を入れる
切り溝形成手段と、上記切り溝下部の残りの部分を切
断、または溶断するレーザー光を出射するレーザー光出
力手段とを備えたので、テープ屑を発生させずに半導体
ウエハを完全切断できると共に、切り溝形成手段の破損
率低減、半導体ウエハの損傷を防止することができ、し
かも半導体装置の信頼性、歩留まりを向上できるという
効果がある。Further, as described above, according to the present invention, a kerf forming means for forming a kerf on the semiconductor wafer so as not to completely cut the entire thickness of the semiconductor wafer previously attached to the adhesive tape, and the kerf forming means. Since it is equipped with a laser beam output means for emitting a laser beam for cutting or fusing the remaining portion under the groove, the semiconductor wafer can be completely cut without generating tape scraps and the kerf forming means is damaged.
There is an effect that the rate can be reduced , damage to the semiconductor wafer can be prevented, and the reliability and yield of the semiconductor device can be improved.
Claims (2)
ウエハの全厚を完全切断しないように上記半導体ウエハ
の表面から切り溝を入れた後、レーザー光により、前記
切り溝下部の残りの部分を切断、または溶断することを
特徴とする半導体装置のダイシング方法。1. After making a kerf from the surface of the semiconductor wafer so as not to completely cut the entire thickness of the semiconductor wafer previously attached to the adhesive tape, the remaining portion under the kerf is removed by laser light. A method for dicing a semiconductor device, which comprises cutting or fusing.
ウエハの全厚を完全切断しないように上記半導体ウエハ
に切り溝を入れる切り溝形成手段と、上記切り溝下部の
残りの部分を切断、または溶断するレーザー光を出射す
るレーザー光出力手段とを備えたことを特徴とする半導
体装置のダイシング装置。2. A kerf forming means for forming a kerf in the semiconductor wafer so as not to completely cut the entire thickness of the semiconductor wafer previously adhered to the adhesive tape, and a remaining portion below the kerf, or A dicing device for a semiconductor device, comprising: a laser beam output means for emitting a laser beam for fusing.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4308959A JPH06163687A (en) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | Method and device for dicing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4308959A JPH06163687A (en) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | Method and device for dicing semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163687A true JPH06163687A (en) | 1994-06-10 |
Family
ID=17987303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4308959A Pending JPH06163687A (en) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | Method and device for dicing semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
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