JPH06163385A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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Publication number
JPH06163385A
JPH06163385A JP31171192A JP31171192A JPH06163385A JP H06163385 A JPH06163385 A JP H06163385A JP 31171192 A JP31171192 A JP 31171192A JP 31171192 A JP31171192 A JP 31171192A JP H06163385 A JPH06163385 A JP H06163385A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
back surface
cleaning
nozzle
semiconductor wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31171192A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuhiro Saito
哲弘 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP31171192A priority Critical patent/JPH06163385A/ja
Publication of JPH06163385A publication Critical patent/JPH06163385A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウェーハ3の裏面ゴミや表面に滴下さ
れた薬液の除去を効果的に行う。 【構成】 径方向に自由に移動できるウェーハ裏面洗浄
用ノズル1を有する。 【効果】 ウェーハ3裏面全体を洗浄でき、かつウェー
ハ3表面に滴下される薬液の種類や条件により、洗浄条
件を変更でき、ウェーハ3裏面およびエッジを常時きれ
いな状態にできる。その結果、投影露光時の焦点ボケが
なくなったり後工程でのウェーハ表面への再付着がなく
なるため、所望するパターンが形成でき、歩留りの向上
が可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この考案は、半導体製造におい
て、半導体ウェーハの表面に薬液を回転しながら滴下す
る装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体製造装置では図3に示すよ
うに、半導体ウェーハ(以下単にウェーハと称す)3の
表面に薬液(フォトレジスト液、現像液、純水等)を滴
下する際、ウェーハ裏面に回り込んだ薬液を除去した
り、洗浄する液が出るノズル1が薬液処理槽5に固定さ
れている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】最近の半導体素子の高
集積化、微細化によりゴミによる歩留り低下の割合が大
きくなっている。また、ウェーハ裏面は表面に比べ、接
触する回数が多く、ゴミ除去方法が少ないため、裏面ゴ
ミ対策および除去方法の確立がより必要である。
【0004】ところで、従来の装置では、ウェーハ裏面
に付着した薬液やゴミを除去する液が出るノズルは、装
置本体に固定されているため、ウェーハ裏面の一部しか
ゴミ除去されていない。また、ウェーハ厚や表面に滴下
する薬液の状態により、裏面やウェーハエッジに回り込
んだ薬液が除去されなかったり、逆にウェーハ表面に飛
び散ったりしてしまう。
【0005】ウェーハ裏面にゴミや薬液が付着している
と、投影露光時にウェーハ平坦性が悪くなり、焦点ボケ
が発生し、その結果所望のパターンが形成されなくな
る。また、ウェーハ裏面やエッジに付着したゴミや薬液
はあと工程でウェーハ表面に再付着し、パターン形成時
の障害となる。この様な素子は電気的にも絶縁もしく
は、短絡状態となり歩留りの低下の原因となる。
【0006】
【課題を解決するための手段】この半導体製造装置は、
ウェーハの径方向に自由に移動できるウェーハ裏面洗浄
用のノズルを有しているものである。
【0007】
【作用】上記の装置によると、ウェーハ裏面の内、回転
チャックを除く全ての箇所が洗浄でき、かつウェーハ表
面に滴下される薬液の種類や条件により、洗浄条件を変
更でき、ウェーハ裏面およびエッジを常時きれいな状態
にできる。
【0008】
【実施例】図1は、本考案の半導体装置の概略断面図で
ある。
【0009】図1によると、ウェーハを専用するに用い
る場合、ウェーハ裏面洗浄用ノズル1は、径方向に自由
に移動できる構造にしてあるため、回転チャック2に吸
着保持されたウェーハ3は回転しながら、ウェーハ表面
と同様な洗浄方法で回転チャック部以外のウェーハ裏面
を洗浄できる。
【0010】
【実施例2】ウェーハ表面にフォトレジスト膜を滴下す
る場合について説明する。図1においてウェーハ表面か
ら裏面に回り込んだフォトレジスト膜を除去する時に
は、径方向に自由な裏面洗浄用ノズル1からフォトレジ
スト膜を除去する液が出てくる。その際、フォトレジス
ト膜厚が薄い時には、裏面洗浄用ノズル1のウェーハ3
外周部での吐出時間を長くして行えば、それぞれの条件
で良好なウェーハ裏面状態になる。
【0011】
【実施例3】前記第1の実施例で洗浄が不可能であった
回転チャック部を洗浄可能にした実施例について説明す
る。
【0012】図2において、ウェーハ3がウェーハスラ
イダー6により回転チャック2より離れた時、回転チャ
ック2内に取り付けられた裏面洗浄用ノズルより洗浄駅
が出てくる。これによりウェーハ裏面全体が洗浄され
る。
【0013】
【実施例4】前記第3の実施例で、移動可能な裏面洗浄
用ノズル1がウェーハ3の回転チャック2近くまで移動
でき、回転チャック2部分まで洗浄することもできる。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように、この考案は、ウェ
ーハ径方向に自由に移動できるウェーハ裏面洗浄用ノズ
ルを取り付けたことにより、ウェーハ表面と同様なゴミ
除去ができたり、ウェーハ表面に滴下された薬品の状態
を問わずウェーハ裏面やエッジ部分を薬液のない状態に
できる。
【0015】その結果、投影露光時の焦点ボケがなくな
ったり、後工程でのウェーハ表面への再付着がなくなる
ため、所望するパターンが形成でき、歩留り向上が可能
になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この考案の概略断面図である。
【図2】 実施例1で洗浄不可能な回転チャック部を洗
浄可能にした装置の概略断面図である。
【図3】 従来の裏面洗浄用ノズルが固定された装置の
概略断面図である。
【符号の説明】
1 裏面洗浄用ノズル 2 回転チェック 3 半導体ウェーハ 4 薬液滴下用ノズル 5 薬液処理槽 6 ウェーハスライダー

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体ウェーハを吸着保持する回転チャッ
    クと、半導体ウェーハ表面に薬液を滴下するノズルと、
    半導体ウェーハ裏面を洗浄する移動可能なノズルを有す
    る半導体製造装置。
  2. 【請求項2】半導体ウェーハを吸着保持する回転チャッ
    クと半導体ウェーハ表面に薬液を滴下するノズルと、任
    意の箇所に設定可能な半導体ウェーハ裏面おいびウェー
    ハエッジを洗浄するノズルを有する半導体製造装置。
  3. 【請求項3】半導体ウェーハが吸着保持する回転チャッ
    クから離れる際に、半導体ウェーハ裏面を回転チャック
    部を含んで洗浄するノズルを有する半導体製造装置。
JP31171192A 1992-11-20 1992-11-20 半導体製造装置 Pending JPH06163385A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31171192A JPH06163385A (ja) 1992-11-20 1992-11-20 半導体製造装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP31171192A JPH06163385A (ja) 1992-11-20 1992-11-20 半導体製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06163385A true JPH06163385A (ja) 1994-06-10

Family

ID=18020552

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31171192A Pending JPH06163385A (ja) 1992-11-20 1992-11-20 半導体製造装置

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JP (1) JPH06163385A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103424997A (zh) * 2013-08-30 2013-12-04 中国电子科技集团公司第二十六研究所 光刻工艺的显影方法
JP2017098295A (ja) * 2015-11-18 2017-06-01 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造装置及び製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103424997A (zh) * 2013-08-30 2013-12-04 中国电子科技集团公司第二十六研究所 光刻工艺的显影方法
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