JPH06160027A - Non-contact measuring device - Google Patents
Non-contact measuring deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は非接触測定装置に係り、
特に測定物の外径寸法等をレーザ光等の光線の走査に基
づいて測定する非接触測定装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a non-contact measuring device,
In particular, the present invention relates to a non-contact measuring device for measuring the outer diameter dimension of an object to be measured based on the scanning of a light beam such as a laser beam.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の非接触測定装置には、レーザ光の
投光部と受光部との間に測定物（以下「ワーク」と称
す）を介在させ、そのワークの外径寸法をレーザ光の走
査に基づいて測定するものがある。この非接触測定装置
は図６に示すように、半導体レーザ１００から発振され
たレーザ光を半導体レーザ１００内のレンズで平行光線
１０２にし、この平行光線１０２を一定速度で回転する
多面のポリゴンミラー１０４で反射させる。反射した平
行光線１０２は、コリメータレンズ１０６で屈折されて
ワーク１０８の中心線上であってコリメータレンズ１０
６の焦点距離で焦点を結ぶ。また、コリメータレンズ１
０６で屈折した光線は、コリメータレンズ１０６の光軸
に対し平行光線となり、受光用レンズ１１０を介して受
光素子１１２に導かれる。2. Description of the Related Art In a conventional non-contact measuring device, an object to be measured (hereinafter referred to as "work") is interposed between a laser light projecting portion and a light receiving portion, and the outer diameter of the work is measured by the laser light. There are some that are measured based on the scanning of. As shown in FIG. 6, this non-contact measuring device converts a laser beam oscillated from a semiconductor laser 100 into a parallel light beam 102 by a lens in the semiconductor laser 100, and the parallel light beam 102 is rotated at a constant speed. To reflect. The reflected parallel light beam 102 is refracted by the collimator lens 106 and is on the center line of the work 108, and the collimator lens 10
Focus at a focal length of 6. Also, the collimator lens 1
The light beam refracted at 06 becomes a parallel light beam with respect to the optical axis of the collimator lens 106 and is guided to the light receiving element 112 via the light receiving lens 110.
【０００３】受光素子１１２には、焦点を結んだレーザ
光の立ち上がり光線と立ち下がり光線とが加えられる。
そして、受光素子１１２は、前記立ち上がり光線と立ち
下がり光線とを光電流変換し、光電流変換して得られた
電流信号をエッヂ検出回路１１４の電流／電圧変換器
（以下、「Ｉ／Ｖ変換器」と称す）１１６に入力する。
Ｉ／Ｖ変換器１１６は、前記電流信号を電圧信号に変換
して得た図７に示す電圧信号１１８を、図６に示したエ
ッヂ検出回路１１４の演算増幅器１２０に出力する。
尚、図７に示した電圧信号１１８は、ポリゴンミラー１
０４の１面、即ち１走査で検出された電圧変化に対応す
る波形であり、その横軸はレーザ光の走査時間を示し、
縦軸は電圧を示している。The light receiving element 112 is applied with rising and falling rays of focused laser light.
Then, the light receiving element 112 performs photocurrent conversion of the rising and falling rays, and the current signal obtained by the photocurrent conversion is converted into a current / voltage converter (hereinafter referred to as “I / V conversion”) of the edge detection circuit 114. 116)).
The I / V converter 116 outputs the voltage signal 118 shown in FIG. 7 obtained by converting the current signal to a voltage signal to the operational amplifier 120 of the edge detection circuit 114 shown in FIG.
The voltage signal 118 shown in FIG.
No. 04 surface, that is, a waveform corresponding to the voltage change detected in one scan, the horizontal axis of which shows the scanning time of the laser beam,
The vertical axis represents voltage.
【０００４】前記演算増幅器１２０は、図７に示した電
圧信号１１８を図８に示すオフセット電圧ｖ1 （固定
値）で減算する。そして、コンパレータ１２２は、演算
増幅器１２０から出力された電圧信号を０クロスコンパ
レートして二値化信号１１８Ａを作成し、この二値化信
号１１８Ａを図６に示すコントローラ部１２４に出力す
る。The operational amplifier 120 subtracts the voltage signal 118 shown in FIG. 7 by the offset voltage v 1 (fixed value) shown in FIG. Then, the comparator 122 zero-cross-compares the voltage signal output from the operational amplifier 120 to create a binarized signal 118A, and outputs this binarized signal 118A to the controller unit 124 shown in FIG.
【０００５】前記コントローラ部１２４は、前記二値化
信号１１８Ａからレーザ光遮断時間ｔ1 の時間を演算
し、そして演算して求めたｔ1 と前記ポリゴンミラー１
０４の回転速度からワーク１０８の直径寸法を測定す
る。尚、ワーク１０８の直径寸法は、レーザ光を複数回
走査してその平均値をとることにより測定されている。The controller unit 124 calculates the laser light cutoff time t 1 from the binarized signal 118A, and calculates the calculated t 1 and the polygon mirror 1
The diameter dimension of the workpiece 108 is measured from the rotational speed of 04. The diameter dimension of the work 108 is measured by scanning the laser light a plurality of times and taking the average value thereof.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
非接触測定装置は、ポリゴンミラー１０４の各ミラーの
反射率の違いでコンパレータ１２２に出力される電圧信
号のレベルが１走査毎に変化するので、コンパレータ１
２２は１走査毎にレベルの異なる二値化信号をコントロ
ーラ部１２４に出力する。従って、コントローラ部１２
４は、例えば図９で実線で示す二値化信号１１８Ａと二
点鎖線で示す二値化信号１１８Ｂとも基づいてワーク１
０８の寸法を測定した場合、これらの二値化信号１１８
Ａ、１１８Ｂの各ｔ1 に数％のズレを含んだ状態でｔ1
の平均値をとるので、ワーク１０８の寸法を精度良く測
定できないという欠点がある。However, in the conventional non-contact measuring device, the level of the voltage signal output to the comparator 122 changes every scanning due to the difference in the reflectance of each mirror of the polygon mirror 104. Comparator 1
Reference numeral 22 outputs a binarized signal having a different level for each scanning to the controller section 124. Therefore, the controller unit 12
4 is based on, for example, the binarized signal 118A indicated by the solid line and the binarized signal 118B indicated by the chain double-dashed line in FIG.
These binarized signals 118 when measuring 08 dimensions.
A, in a state containing a few percent deviation in the t 1 of 118B t 1
Therefore, there is a drawback that the dimension of the work 108 cannot be measured accurately.
【０００７】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、ポリゴンミラーの各ミラーの反射率の違いを補
正してワークの測定精度を上げる非接触測定装置を提供
することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a non-contact measuring device which corrects a difference in reflectance of each mirror of a polygon mirror to improve the measurement accuracy of a work. .
【０００８】[0008]
【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
する為に、発光部と、該発光部から発振された光線を反
射させるポリゴンミラーと、該ポリゴンミラーで反射し
た光線を入射して平行光線に変えるコリメータレンズ
と、該平行光線を受光用レンズを介して受光し、受光量
に応じた電圧信号を出力する手段と、から成る測定部
と、前記ポリゴンミラーの反射光線を受光し、ポリゴン
ミラーの各ミラーの反射率に対応したオフセット電圧を
出力するオフセット電圧作成手段と、前記電圧信号を前
記オフセット電圧でオフセットするオフセット手段と、
該オフセット手段でオフセットされた電圧信号を所定の
基準レベルと比較して二値化する比較手段と、該比較手
段で二値化された二値化信号に基づいて測定物の寸法を
測定する手段と、から成るコントローラ部と、を備えた
ことを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention provides a light emitting section, a polygon mirror for reflecting a light beam oscillated from the light emitting section, and a light beam reflected by the polygon mirror. And a collimator lens for converting the parallel rays into parallel rays, and a means for receiving the parallel rays via a light receiving lens and outputting a voltage signal according to the amount of received light, and a reflected ray of the polygon mirror. Offset voltage creating means for outputting an offset voltage corresponding to the reflectance of each mirror of the polygon mirror, and offset means for offsetting the voltage signal by the offset voltage,
Comparing means for binarizing the voltage signal offset by the offset means with a predetermined reference level, and means for measuring the dimension of the object to be measured based on the binarized signal binarized by the comparing means. And a controller unit including.
【０００９】[0009]
【作用】本発明によれば、測定部から出力される電圧信
号と、オフセット電圧作成手段で出力されるポリゴンミ
ラーの各ミラーの反射率に対応したオフセット電圧と
を、オフセット手段でオフセットする。そして、このオ
フセットした電圧信号を、比較手段で所定の基準レベル
と比較して二値化する。これにより、測定部から出力さ
れるレベルの異なる電圧信号を同一レベルの二値化信号
にすることができるので、ポリゴンミラーの各ミラーの
反射率の違いを補正することができる。従って、ワーク
の測定精度を、従来の非接触測定装置と比較して上げる
ことができる。According to the present invention, the voltage signal output from the measuring unit and the offset voltage corresponding to the reflectance of each mirror of the polygon mirror output by the offset voltage creating unit are offset by the offset unit. Then, the offset voltage signal is binarized by comparison with a predetermined reference level by the comparison means. As a result, the voltage signals of different levels output from the measuring unit can be binarized signals of the same level, so that the difference in the reflectance of each mirror of the polygon mirror can be corrected. Therefore, the measurement accuracy of the workpiece can be increased as compared with the conventional non-contact measuring device.
【００１０】また、測定部から出力される前記電圧信号
を、基準レベル作成手段で出力されるポリゴンミラーの
各ミラーの反射率に対応した基準レベルと比較して二値
化しても、測定部から出力されるレベルの異なる電圧信
号を同一レベルの二値化信号にすることができる。従っ
て、この場合も同様に、ワークの測定精度を、従来の非
接触測定装置と比較して上げることができる。Further, even if the voltage signal output from the measuring section is binarized by comparing with the reference level corresponding to the reflectance of each mirror of the polygon mirror output by the reference level creating means, The output voltage signals having different levels can be binarized signals having the same level. Therefore, also in this case, similarly, the measurement accuracy of the work can be increased as compared with the conventional non-contact measuring device.
【００１１】[0011]
【実施例】以下添付図面に従って本発明に係る非接触測
定装置の好ましい実施例について詳説する。図１には、
本発明に係る非接触測定装置の全体構成図が示されてい
る。同図に於いて、この非接触測定装置は測定部１０、
エッヂ検出回路１２、及びコントローラ部１４とから成
る。前記測定部１０は半導体レーザ１６、ポリゴンミラ
ー１８、及びコリメータレンズ２０から成る投光手段
と、受光用レンズ２２及び受光素子２４から成る受光手
段とから構成されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A preferred embodiment of the non-contact measuring device according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. In Figure 1,
The whole block diagram of the non-contact measuring device concerning this invention is shown. In the figure, this non-contact measuring device is a measuring unit 10,
It includes an edge detection circuit 12 and a controller unit 14. The measuring unit 10 is composed of a semiconductor laser 16, a polygon mirror 18, and a light projecting means including a collimator lens 20, and a light receiving means including a light receiving lens 22 and a light receiving element 24.
【００１２】前記半導体レーザ１６から発振されたレー
ザ光は、半導体レーザ１６内のレンズで平行光線２６に
され、この平行光線２６は一定速度で回転する多面のポ
リゴンミラー１８で反射された後、コリメータレンズ２
０で屈折されてワーク２８の中心線上であってコリメー
タレンズ２０の焦点距離で焦点を結ぶ。焦点を結んだレ
ーザ光は、受光用レンズ２２を介して受光素子２４に集
光され、ここで光電流変換される。従って、所定の走査
領域内にワーク２８を位置させると、そのワーク２８の
外径形状に応じてレーザ光が遮断され、受光素子２４か
ら光の明暗に応じたパルス波形の電流信号が前述したエ
ッヂ検出回路１２のＩ／Ｖ変換器３０に出力される。The laser light oscillated from the semiconductor laser 16 is converted into parallel rays 26 by a lens in the semiconductor laser 16, and the parallel rays 26 are reflected by a polygonal polygon mirror 18 rotating at a constant speed and then collimated. Lens 2
It is refracted at 0 and is focused on the center line of the work 28 at the focal length of the collimator lens 20. The focused laser light is focused on the light receiving element 24 via the light receiving lens 22, and is converted into photocurrent there. Therefore, when the work 28 is positioned within a predetermined scanning region, the laser light is blocked according to the outer diameter shape of the work 28, and the current signal having a pulse waveform corresponding to the brightness of the light is emitted from the light receiving element 24 as described above. It is output to the I / V converter 30 of the detection circuit 12.
【００１３】前記エッヂ検出回路１２は受光素子３２及
びピークホールド回路３４等から成るオフセット電圧作
成手段と、演算増幅器３８及びコンパレータ４０から成
る比較手段とから構成される。前記受光素子３２は、ポ
リゴンミラー１８で反射した半導体レーザ１６からのレ
ーザ光を受光可能な位置に取り付けられている。また、
前記コントローラ部１４は、前記コンパレータ４０の出
力端に接続されており、このコンパレータ４０から後述
する二値化信号が出力される。そして、コントローラ部
１４は前記二値化信号に基づいて、レーザ光遮断時間ｔ
1 を演算し、演算して求めた時間とポリゴンミラー１８
の回転速度から前記ワーク２８の直径寸法を測定する。The edge detecting circuit 12 is composed of an offset voltage generating means including a light receiving element 32 and a peak hold circuit 34, and a comparing means including an operational amplifier 38 and a comparator 40. The light receiving element 32 is attached to a position where the laser light from the semiconductor laser 16 reflected by the polygon mirror 18 can be received. Also,
The controller unit 14 is connected to the output end of the comparator 40, and the comparator 40 outputs a binarized signal described later. Then, the controller unit 14 determines the laser light cutoff time t based on the binarized signal.
Calculate 1 and calculate the calculated time and polygon mirror 18
The diameter dimension of the work 28 is measured from the rotation speed of.
【００１４】次に、前記エッヂ検出回路１２による二値
化信号作成方法について説明する。先ず、受光素子２４
からＩ／Ｖ変換器３０に出力された電流信号は、Ｉ／Ｖ
変換器３０で電圧信号４２（図２参照）に変換されてパ
ルス波形となり、演算増幅器３８の＋入力側に出力され
る。尚、図２の横軸はレーザ光の走査時間（Ｔ）を示
し、縦軸は電圧（Ｖ）を示している。Next, a method of creating a binarized signal by the edge detection circuit 12 will be described. First, the light receiving element 24
The current signal output from the I / V converter 30 to the I / V converter 30 is
The converter 30 converts the voltage signal 42 (see FIG. 2) into a pulse waveform, which is output to the + input side of the operational amplifier 38. The horizontal axis of FIG. 2 represents the scanning time (T) of the laser light, and the vertical axis represents the voltage (V).
【００１５】演算増幅器３８の−入力側には、前述した
オフセット電圧作成手段から以下述べる信号が前記電圧
信号４２と同期して出力される。即ち、オフセット電圧
作成手段の受光素子３２が、ポリゴンミラー１８で反射
したレーザ光を光電流変換し、この光電流変換した電流
信号をＩ／Ｖ変換器４４で電圧信号に変換する。そし
て、この電圧信号のピークをピークホールド回路３４で
保持する。そして、ピークで保持した電圧を、抵抗４
６、４８で分圧してオフセット電圧信号５０（図３参
照）を作成する。このオフセット電圧信号５０が、前記
演算増幅器３８の−入力側に出力される。To the negative input side of the operational amplifier 38, a signal described below is output from the offset voltage generating means described above in synchronization with the voltage signal 42. That is, the light receiving element 32 of the offset voltage creating means photo-current converts the laser light reflected by the polygon mirror 18, and the I / V converter 44 converts the photo-current converted current signal into a voltage signal. Then, the peak of the voltage signal is held by the peak hold circuit 34. Then, the voltage held at the peak is applied to the resistor 4
The voltage is divided by 6 and 48 to create an offset voltage signal 50 (see FIG. 3). This offset voltage signal 50 is output to the-input side of the operational amplifier 38.
【００１６】次に、演算増幅器３８は、図２に示した電
圧信号４２と図３に示したオフセット電圧信号５０とを
減算する。そして、演算増幅器３８は図４に示すよう
に、ｖ 1 レベル下がった電圧信号４２Ａを作成し、この
電圧信号４２Ａをコンパレータ４０に主力する。次い
で、コンパレータ４０は、前記電圧信号４２Ａを０クロ
スコンパレートする。これにより、図５に示す二値化信
号５２がコンパレータ４０によって作成される。この二
値化信号５２は、前述したようにコントローラ部１４に
出力されるそして、コントローラ部１４は、この二値化
信号５２に基づいてレーザ光遮断時間ｔ1 を演算する。Next, the operational amplifier 38 operates as shown in FIG.
The pressure signal 42 and the offset voltage signal 50 shown in FIG.
Subtract. And the operational amplifier 38 is as shown in FIG.
To v 1Create a voltage signal 42A whose level has dropped,
The voltage signal 42A is mainly applied to the comparator 40. Next
Then, the comparator 40 outputs the voltage signal 42A to 0 clock.
Comparing. As a result, the binary signal shown in FIG.
No. 52 is generated by the comparator 40. This two
The digitized signal 52 is sent to the controller unit 14 as described above.
Then, the controller unit 14 performs this binarization.
Based on the signal 52, the laser light cutoff time t1Is calculated.
【００１７】このように、本実施例の演算増幅器１２で
は、投光部１０に設けた受光素子２４からの電圧信号４
２を、オフセット電圧作成手段からのオフセット電圧信
号５０でオフセットし、このオフセットした電圧信号を
コンパレータ４０で０クロスコンパレートして二値化信
号５２を作成するようにした。これにより、測定部１０
から出力されるレベルの異なる電圧信号を、同一レベル
の二値化信号にすることができるので、ポリゴンミラー
の各ミラーの反射率の違いを補正することができる。従
って、ワークの測定精度を、従来の非接触測定装置と比
較して上げることができる。As described above, in the operational amplifier 12 of this embodiment, the voltage signal 4 from the light receiving element 24 provided in the light projecting section 10 is used.
2 is offset by the offset voltage signal 50 from the offset voltage creating means, and the offset voltage signal is zero cross-compared by the comparator 40 to create the binarized signal 52. Thereby, the measuring unit 10
Since the voltage signals of different levels output from the same can be binarized signals of the same level, it is possible to correct the difference in the reflectance of each mirror of the polygon mirror. Therefore, the measurement accuracy of the workpiece can be increased as compared with the conventional non-contact measuring device.
【００１８】一方、他の実施例として、前記電圧信号４
２を、ポリゴンミラー１８の各ミラーの反射率に対応し
たオフセット電圧信号５０と比較して二値化しても、レ
ベルの異なる電圧信号４２を同一レベルの二値化信号に
することができる。従って、この場合も同様に、ワーク
の測定精度を、従来の非接触測定装置と比較して上げる
ことができる。On the other hand, as another embodiment, the voltage signal 4
Even if 2 is binarized by comparing the offset voltage signal 50 corresponding to the reflectance of each mirror of the polygon mirror 18, the voltage signals 42 having different levels can be binarized signals of the same level. Therefore, also in this case, similarly, the measurement accuracy of the work can be increased as compared with the conventional non-contact measuring device.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る非接触
測定装置によれば、測定部で出力された電圧信号を、ポ
リゴンミラーの各ミラーの反射率に対応したオフセット
電圧でオフセットし、このオフセット電圧信号を所定の
基準レベルと比較して二値化信号を作成するようにし
た。これにより、測定部から出力されるレベルの異なる
電圧信号を同一レベルの二値化信号にすることができる
ので、ポリゴンミラーの各ミラーの反射率の違いを補正
することができる。従って、ワークの測定精度を、従来
の非接触測定装置と比較して上げることができる。As described above, according to the non-contact measuring device of the present invention, the voltage signal output from the measuring section is offset by the offset voltage corresponding to the reflectance of each mirror of the polygon mirror. The offset voltage signal is compared with a predetermined reference level to generate a binarized signal. As a result, the voltage signals of different levels output from the measuring unit can be binarized signals of the same level, so that the difference in the reflectance of each mirror of the polygon mirror can be corrected. Therefore, the measurement accuracy of the workpiece can be increased as compared with the conventional non-contact measuring device.
【００２０】また、測定部で出力された前記電圧信号
を、ポリゴンミラーの各ミラーの反射率に対応した基準
レベルと比較して二値化しても、測定部から出力される
レベルの異なる電圧信号を同一レベルの二値化信号にす
ることができる。従って、この場合も同様に、ワークの
測定精度を、従来の非接触測定装置と比較して上げるこ
とができる。Further, even if the voltage signal output from the measuring section is binarized by comparing it with a reference level corresponding to the reflectance of each mirror of the polygon mirror, voltage signals of different levels output from the measuring section. Can be binarized signals of the same level. Therefore, also in this case, similarly, the measurement accuracy of the work can be increased as compared with the conventional non-contact measuring device.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明に係る非接触測定装置の全体構成図FIG. 1 is an overall configuration diagram of a non-contact measuring device according to the present invention.
【図２】エッヂ検出回路のＩ／Ｖ変換器から演算増幅器
に出力される電圧信号FIG. 2 is a voltage signal output from an I / V converter of an edge detection circuit to an operational amplifier.
【図３】エッヂ検出回路のインバータから演算増幅器に
出力されるオフセット電圧FIG. 3 Offset voltage output from the inverter of the edge detection circuit to the operational amplifier
【図４】エッヂ検出回路の演算増幅器からコンパレータ
に出力される電圧信号FIG. 4 is a voltage signal output from the operational amplifier of the edge detection circuit to the comparator.
【図５】演算増幅器からコンパレータに出力された電圧
信号を０レベルで比較して得た二値化信号FIG. 5 is a binarized signal obtained by comparing the voltage signal output from the operational amplifier to the comparator at 0 level.
【図６】従来の非接触測定装置の全体構成図FIG. 6 is an overall configuration diagram of a conventional non-contact measuring device.
【図７】エッヂ検出回路のＩ／Ｖ変換器から演算増幅器
に出力される電圧信号FIG. 7 is a voltage signal output from the I / V converter of the edge detection circuit to the operational amplifier.
【図８】電圧信号にオフセット電圧を減算した電圧信号FIG. 8 is a voltage signal obtained by subtracting an offset voltage from a voltage signal.
【図９】電圧信号にオフセット電圧を減算した電圧信号FIG. 9 is a voltage signal obtained by subtracting an offset voltage from a voltage signal.
１０…投光部 １２…エッヂ検出回路 １４…コントローラ部 １６…半導体レーザ １８…ポリゴンミラー ２０…コリメータレンズ ２２…受光用レンズ ２４、３２…受光素子 ３４…ピークホールド回路 ３８…演算増幅器 ４０…コンパレータ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Projector 12 ... Edge detection circuit 14 ... Controller 16 ... Semiconductor laser 18 ... Polygon mirror 20 ... Collimator lens 22 ... Light receiving lens 24, 32 ... Light receiving element 34 ... Peak hold circuit 38 ... Operational amplifier 40 ... Comparator
Claims (2)
を反射させるポリゴンミラーと、該ポリゴンミラーで反
射した光線を入射して平行光線に変えるコリメータレン
ズと、該平行光線を受光用レンズを介して受光し、受光
量に応じた電圧信号を出力する手段と、から成る測定部
と、 前記ポリゴンミラーの反射光線を受光し、ポリゴンミラ
ーの各ミラーの反射率に対応したオフセット電圧を出力
するオフセット電圧作成手段と、前記電圧信号を前記オ
フセット電圧でオフセットするオフセット手段と、該オ
フセット手段でオフセットされた電圧信号を所定の基準
レベルと比較して二値化する比較手段と、該比較手段で
二値化された二値化信号に基づいて測定物の寸法を測定
する手段と、から成るコントローラ部と、 を備えたことを特徴とする非接触測定装置。1. A light emitting unit, a polygon mirror for reflecting the light beam oscillated from the light emitting unit, a collimator lens for converting the light beam reflected by the polygon mirror into parallel light beams, and a lens for receiving the parallel light beams. A measuring unit consisting of a means for receiving light via the output unit and outputting a voltage signal according to the amount of received light, and receiving the reflected light from the polygon mirror and outputting an offset voltage corresponding to the reflectance of each mirror of the polygon mirror. Offset voltage generating means, offset means for offsetting the voltage signal by the offset voltage, comparing means for binarizing the voltage signal offset by the offset means with a predetermined reference level, and the comparing means. And a controller section including means for measuring the dimension of the object to be measured based on the binarized signal binarized by Contact measurement device.
を反射させるポリゴンミラーと、該ポリゴンミラーで反
射した光線を入射して平行光線に変えるコリメータレン
ズと、該平行光線を受光用レンズを介して受光し、受光
量に応じた電圧信号を出力する手段と、から成る測定部
と、 前記ポリゴンミラーの反射光線を受光し、ポリゴンミラ
ーの各ミラーの反射率に対応した基準レベルを出力する
基準レベル作成手段と、前記電圧信号を前記基準レベル
と比較して二値化する比較手段と、該比較手段で二値化
された二値化信号に基づいて測定物の寸法を測定する手
段と、から成るコントローラ部と、 を備えたことを特徴とする非接触測定装置。2. A light emitting unit, a polygon mirror for reflecting the light beam oscillated from the light emitting unit, a collimator lens for converting the light beam reflected by the polygon mirror into parallel light beams, and a lens for receiving the parallel light beams. A measuring unit consisting of a means for receiving light via a light source and outputting a voltage signal according to the amount of received light, and receiving the reflected light from the polygon mirror and outputting a reference level corresponding to the reflectance of each mirror of the polygon mirror. Reference level creating means, comparing means for binarizing the voltage signal with the reference level, and means for measuring the dimension of the object to be measured based on the binarized signal binarized by the comparing means. A non-contact measuring device comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15510992A JP2782675B2 (en) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | Non-contact measurement device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15510992A JP2782675B2 (en) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | Non-contact measurement device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06160027A true JPH06160027A (en) | 1994-06-07 |
| JP2782675B2 JP2782675B2 (en) | 1998-08-06 |
Family
ID=15598800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15510992A Expired - Fee Related JP2782675B2 (en) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | Non-contact measurement device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2782675B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11132730A (en) * | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Anritsu Corp | Dimension measuring device |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP15510992A patent/JP2782675B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11132730A (en) * | 1997-10-30 | 1999-05-21 | Anritsu Corp | Dimension measuring device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2782675B2 (en) | 1998-08-06 |
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