JPH06148701A - 導波路型波長変換素子 - Google Patents
導波路型波長変換素子Info
- Publication number
- JPH06148701A JPH06148701A JP29420292A JP29420292A JPH06148701A JP H06148701 A JPH06148701 A JP H06148701A JP 29420292 A JP29420292 A JP 29420292A JP 29420292 A JP29420292 A JP 29420292A JP H06148701 A JPH06148701 A JP H06148701A
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- Japan
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- wavelength conversion
- conversion element
- polymer
- waveguide
- waveguide type
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 光通信，光情報処理分野における非線形光学
効果による波長変換デバイスを提供する。 【構成】 基板１上には高分子材料により薄膜とした下
部クラッド層２Ａが設けられており、この下部クラッド
層２Ａには特定方向に方向付けされている非線形高分子
からなるグレーティング４と高分子材料５とが水平方向
に交互に並んで形成されると共に、その上面に上部クラ
ッド層２Ｂを形成してなる。
効果による波長変換デバイスを提供する。 【構成】 基板１上には高分子材料により薄膜とした下
部クラッド層２Ａが設けられており、この下部クラッド
層２Ａには特定方向に方向付けされている非線形高分子
からなるグレーティング４と高分子材料５とが水平方向
に交互に並んで形成されると共に、その上面に上部クラ
ッド層２Ｂを形成してなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非線形光学効果のうち
波長変換を応用する光機能デバイスを構成する導波路型
波長変換素子に関する。
波長変換を応用する光機能デバイスを構成する導波路型
波長変換素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、二次の非線形光学効果を利用した
波長変換素子の材料としては無機結晶が代表的な材料で
あり、多くの波長変換素子が実現されている。この種の
素子では材料の非線形光学定数を有効に利用するため、
導波路型にする場合が多い。この場合、入力パワーが非
常に小さくてすむ利点を有する。
波長変換素子の材料としては無機結晶が代表的な材料で
あり、多くの波長変換素子が実現されている。この種の
素子では材料の非線形光学定数を有効に利用するため、
導波路型にする場合が多い。この場合、入力パワーが非
常に小さくてすむ利点を有する。
【０００３】しかし、実効入力パワーが非常に大きくな
るため、導波路構成材料がオプティカルダメージをうけ
やすいという問題がある。このため導波路構成材料とし
ては光損傷しきい値が高いことが必要となるが無機材料
はこのしきい値が低く不利である欠点を有する。また、
導波路作製工程も複雑であるという欠点を有する。ま
た、近赤外域（１．３−１．５５μｍ帯）において非線
形光学定数が大きい材料の数はそれほど多くない。
るため、導波路構成材料がオプティカルダメージをうけ
やすいという問題がある。このため導波路構成材料とし
ては光損傷しきい値が高いことが必要となるが無機材料
はこのしきい値が低く不利である欠点を有する。また、
導波路作製工程も複雑であるという欠点を有する。ま
た、近赤外域（１．３−１．５５μｍ帯）において非線
形光学定数が大きい材料の数はそれほど多くない。
【０００４】これに対し、有機化合物の非線形材料はオ
プティカルダメージに強く、加工性に富み、しかも二次
の非線形光学定数が大きいものが多いため、高性能な波
長変換素子を形成する材料として期待されている。
プティカルダメージに強く、加工性に富み、しかも二次
の非線形光学定数が大きいものが多いため、高性能な波
長変換素子を形成する材料として期待されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、非線形
光学効果を利用した波長変換導波路においては、基本波
と波長変換された発生波との間で位相を合わせる、いわ
ゆる位相整合を如何に実現させるか大きな問題である
が、有機材料の導波路では位相整合法は決め手となる作
製法が余り報告されていない。
光学効果を利用した波長変換導波路においては、基本波
と波長変換された発生波との間で位相を合わせる、いわ
ゆる位相整合を如何に実現させるか大きな問題である
が、有機材料の導波路では位相整合法は決め手となる作
製法が余り報告されていない。
【０００６】これらを解決する方法として無機材料ＫＴ
Ｐ，ＬｉＮｂＯ3 で有効な方法とされている疑似位相整
合（文献：伊藤弘昌：光学、第１９巻、第６号ｐｐ３７
３−３７４、１９９０年）を取り入れた例があるが、効
率的に低いものしか報告されていない（例えば、文献：
G.Khanarian et al ；ＳＰＩＥ vol.１１４７，ｐｐ１
２９−１３３、１９８９参照）。ここで疑似位相整合と
は、基本波による非線形分極波と発生した伝搬高周波と
の位相の打ち消し合いが生じない整合法をいう。
Ｐ，ＬｉＮｂＯ3 で有効な方法とされている疑似位相整
合（文献：伊藤弘昌：光学、第１９巻、第６号ｐｐ３７
３−３７４、１９９０年）を取り入れた例があるが、効
率的に低いものしか報告されていない（例えば、文献：
G.Khanarian et al ；ＳＰＩＥ vol.１１４７，ｐｐ１
２９−１３３、１９８９参照）。ここで疑似位相整合と
は、基本波による非線形分極波と発生した伝搬高周波と
の位相の打ち消し合いが生じない整合法をいう。
【０００７】本発明は、これら従来材料の欠点を解決す
るために提案された導波路型波長変換素子であり、その
目的は光通信、光情報処理分野における非線形光学効果
による波長変換デバイスを提供することにある。
るために提案された導波路型波長変換素子であり、その
目的は光通信、光情報処理分野における非線形光学効果
による波長変換デバイスを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の導波路型光学素子の構成は、基板上に形成されたコ
ア部と上下クラッド部もしくはコア部と下部クラッド部
とからなり、前記コア部に非線形材料を有する導波路型
波長変換素子において、前記コア部が、二次の非線形感
受率βが１０-30 ｅｓｕ以上の色素を分散するかあるい
は化学的に結合した高分子と、前記高分子との屈折率差
が０．０２以下である材料とが基板に対して水平方向に
交互に並んでいる構造を有することを特徴とする。
明の導波路型光学素子の構成は、基板上に形成されたコ
ア部と上下クラッド部もしくはコア部と下部クラッド部
とからなり、前記コア部に非線形材料を有する導波路型
波長変換素子において、前記コア部が、二次の非線形感
受率βが１０-30 ｅｓｕ以上の色素を分散するかあるい
は化学的に結合した高分子と、前記高分子との屈折率差
が０．０２以下である材料とが基板に対して水平方向に
交互に並んでいる構造を有することを特徴とする。
【０００９】ここで、本発明においては、波長変換用導
波路材料として二次の非線形感受率βが１０-30 ｅｓｕ
以上の色素を分散あるいは化学的に結合した高分子を用
いるため、二次の非線形光学定数を大きくすることがで
きる。
波路材料として二次の非線形感受率βが１０-30 ｅｓｕ
以上の色素を分散あるいは化学的に結合した高分子を用
いるため、二次の非線形光学定数を大きくすることがで
きる。
【００１０】また、位相整合法においても、無機材料Ｋ
ＴＰ，ＬｉＮｂＯ3 で有効な方法とされている、基本波
による非線形分極波と発生した伝搬高周波との打ち消し
合いが生じない疑似位相整合（文献：伊藤弘昌：光学、
第１９巻、第６号ｐｐ３７３−３７４、１９９０年参
照）を、異なる２種の高分子材料を用いてフォトリソグ
ラフィによる加工および電界印加によるポーリングを施
すことにより精度よく実現することができる。
ＴＰ，ＬｉＮｂＯ3 で有効な方法とされている、基本波
による非線形分極波と発生した伝搬高周波との打ち消し
合いが生じない疑似位相整合（文献：伊藤弘昌：光学、
第１９巻、第６号ｐｐ３７３−３７４、１９９０年参
照）を、異なる２種の高分子材料を用いてフォトリソグ
ラフィによる加工および電界印加によるポーリングを施
すことにより精度よく実現することができる。
【００１１】さらに本発明では異なる２種の高分子の屈
折率差が０．０２以下とすることで界面での伝搬光の反
射損をできるだけ少なくすること、導波路構成材料とし
て色素を含む非線形高分子の割合をできるだけ少なくす
ることで可視域での吸収損を少なくすることができる。
この結果、本発明では従来、高分子材料では実現してい
なかった高効率な波長変換を構成することができる。
折率差が０．０２以下とすることで界面での伝搬光の反
射損をできるだけ少なくすること、導波路構成材料とし
て色素を含む非線形高分子の割合をできるだけ少なくす
ることで可視域での吸収損を少なくすることができる。
この結果、本発明では従来、高分子材料では実現してい
なかった高効率な波長変換を構成することができる。
【００１２】図１に本発明に係る導波路型波長変換素子
の概略を示す。同図に示すように、基板１上には高分子
材料により薄膜とした下部クラッド層２Ａが設けられて
おり、この下部クラッド層２Ａには特定方向に方向付け
されている非線形高分子からなるグレーティング４と高
分子材料５とが水平方向に交互に並んで形成されると共
に、その上面に上部クラッド層２Ｂが形成されて導波路
型波長変換素子９を構成している。
の概略を示す。同図に示すように、基板１上には高分子
材料により薄膜とした下部クラッド層２Ａが設けられて
おり、この下部クラッド層２Ａには特定方向に方向付け
されている非線形高分子からなるグレーティング４と高
分子材料５とが水平方向に交互に並んで形成されると共
に、その上面に上部クラッド層２Ｂが形成されて導波路
型波長変換素子９を構成している。
【００１３】次に図２に基づき、本発明による波長変換
素子の一般的作製法の概念を示す。
素子の一般的作製法の概念を示す。
【００１４】まず電極付き基板１上に高分子材料の薄膜
をスピンコートにより作製し、下部クラッド層２Ａとす
る（図２（Ａ））。次にＴｇ1 のガラス転移温度を有す
る高分子材料からなる高分子薄膜３をスピンコートによ
り作製する（図２（Ｂ））。さらにこの高分子薄膜３に
フォトリソグラフの手法を用いて、グレーティング４を
作製する（図２（Ｃ））。次に、高分子材料５のスピン
コート溶液を用いて高分子材料５をグレーティング中に
挿入する（図２（Ｄ））。次に余分の高分子材料５をエ
ッチングにより除去する（図２（Ｅ））。その後、上記
下部クラッド層２Ａを構成したのと同様の高分子材料の
薄膜をスピンコートにより作製して、上層クラッド層２
Ｂとし、複合膜６を形成する（図２（Ｆ））。さらに、
この複合膜６を基板加熱ヒータ８によりＴｇ1 以上に加
熱し、電界印加装置８により電界を印加し、ポーリング
処理を施す（図２（Ｇ））。
をスピンコートにより作製し、下部クラッド層２Ａとす
る（図２（Ａ））。次にＴｇ1 のガラス転移温度を有す
る高分子材料からなる高分子薄膜３をスピンコートによ
り作製する（図２（Ｂ））。さらにこの高分子薄膜３に
フォトリソグラフの手法を用いて、グレーティング４を
作製する（図２（Ｃ））。次に、高分子材料５のスピン
コート溶液を用いて高分子材料５をグレーティング中に
挿入する（図２（Ｄ））。次に余分の高分子材料５をエ
ッチングにより除去する（図２（Ｅ））。その後、上記
下部クラッド層２Ａを構成したのと同様の高分子材料の
薄膜をスピンコートにより作製して、上層クラッド層２
Ｂとし、複合膜６を形成する（図２（Ｆ））。さらに、
この複合膜６を基板加熱ヒータ８によりＴｇ1 以上に加
熱し、電界印加装置８により電界を印加し、ポーリング
処理を施す（図２（Ｇ））。
【００１５】前述した作製においては、電極付きの基板
を用いているが、電極は上層クラッド上に後から作製す
ることも可能であり、各種の基板を用いることができる
のはいうまでもない。また、本例では、２次の非線形性
を有する高分子材料３を初めに加工し、グレーティング
４を作製したが、例えば、初めに高分子材料５を加工
し、その後、高分子材料３を挿入し、グレーティング４
を形成するようにしてもよい。
を用いているが、電極は上層クラッド上に後から作製す
ることも可能であり、各種の基板を用いることができる
のはいうまでもない。また、本例では、２次の非線形性
を有する高分子材料３を初めに加工し、グレーティング
４を作製したが、例えば、初めに高分子材料５を加工
し、その後、高分子材料３を挿入し、グレーティング４
を形成するようにしてもよい。
【００１６】上述した方法により、図１に示す導波路型
波長変換素子９を形成する。尚、同図中符号１０は非線
形高分子のダイポールの向きを示している。この方法で
得られる導波路は図１に示すように、非線形高分子がグ
レーティングを形成するため、ポーリング処理を施すこ
とによりダイポールの向きを周期的に制御することが可
能である。このため、この周期をコヒーレント長にあわ
せれば変換効率は極大と極小を繰り返さず、位相整合が
疑似位相整合の形で実現する。
波長変換素子９を形成する。尚、同図中符号１０は非線
形高分子のダイポールの向きを示している。この方法で
得られる導波路は図１に示すように、非線形高分子がグ
レーティングを形成するため、ポーリング処理を施すこ
とによりダイポールの向きを周期的に制御することが可
能である。このため、この周期をコヒーレント長にあわ
せれば変換効率は極大と極小を繰り返さず、位相整合が
疑似位相整合の形で実現する。
【００１７】このようにして、図３に示すようなスラブ
型の導波路型波長変換素子１１を形成することができ
る。また、図４に示すようにチャネルコア部１２を形成
してチャネル型の導波路型波長変換素子１３を形成する
ようにしてもよい。
型の導波路型波長変換素子１１を形成することができ
る。また、図４に示すようにチャネルコア部１２を形成
してチャネル型の導波路型波長変換素子１３を形成する
ようにしてもよい。
【００１８】
【実施例】以下、上記の一般的作製法に従って、作製し
た本発明の導波路型波長変換素子の具体例を詳細に説明
する。
た本発明の導波路型波長変換素子の具体例を詳細に説明
する。
【００１９】実施例１ 上記に示した作製法に従い、下部クラッド層２Ａとして
ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）、高分子薄膜
３を形成した後グレーティング４を形成する高分子とし
て、下記「化１」に示す構造を有する高分子材料を用い
た。コア層の膜厚としては５μｍであり、１４０℃に加
熱し、ポーリング電圧は１００Ｖ／μｍ程度でポーリン
グしている。
ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）、高分子薄膜
３を形成した後グレーティング４を形成する高分子とし
て、下記「化１」に示す構造を有する高分子材料を用い
た。コア層の膜厚としては５μｍであり、１４０℃に加
熱し、ポーリング電圧は１００Ｖ／μｍ程度でポーリン
グしている。
【化１】
【００２０】また、高分子材料５としては、下記「化
２」に示す構造を有する高分子材料を用いた。
２」に示す構造を有する高分子材料を用いた。
【化２】 但し、グレーティング周期Λについては高分子膜３及び
高分子材料５の屈折率の波長分散をあらかじめ求めて、
以下の式で示される周期Λに合うことが望ましい。 Λ＝（２ｍ＋１）λ／（４（Ｎω−Ｎ2 ω）） ここで、ｍは正の実数、λは基本波、Ｎω，Ｎ2 ωはそ
れぞれ基本波波長λ、ＳＨＧ波長λ／２における高分子
膜３及び高分子材料５からなる導波路の実効屈折率であ
る。
高分子材料５の屈折率の波長分散をあらかじめ求めて、
以下の式で示される周期Λに合うことが望ましい。 Λ＝（２ｍ＋１）λ／（４（Ｎω−Ｎ2 ω）） ここで、ｍは正の実数、λは基本波、Ｎω，Ｎ2 ωはそ
れぞれ基本波波長λ、ＳＨＧ波長λ／２における高分子
膜３及び高分子材料５からなる導波路の実効屈折率であ
る。
【００２１】次にこの導波路を用いてＳＨＧの発生実験
を行った。基本波としてはＬＤ励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
（波長１．３２ｕｍ、入射パワー１００ｍＷＣＷ）を用
い、対物レンズにより、端面より、基本波を入射した。
入射端面と反対面より0.６６μｍのＳＨＧを観測するこ
とができた。効率としては約0.５％であった。この実施
例の場合、基本波ｗ＝1.３２μｍであり、グレーティン
グ周期Λは１４μｍとしている。
を行った。基本波としてはＬＤ励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
（波長１．３２ｕｍ、入射パワー１００ｍＷＣＷ）を用
い、対物レンズにより、端面より、基本波を入射した。
入射端面と反対面より0.６６μｍのＳＨＧを観測するこ
とができた。効率としては約0.５％であった。この実施
例の場合、基本波ｗ＝1.３２μｍであり、グレーティン
グ周期Λは１４μｍとしている。
【００２２】比較として同膜厚の高分子３及び５の単一
の膜を作製し、上記ポーリング条件でポーリングして、
ＳＨＧの発生実験を行ったが、ＳＨＧ光は検出レベル以
下であった。このことから本実施例の波長変換素子では
有効な位相整合条件が満たされていることがわかる。
の膜を作製し、上記ポーリング条件でポーリングして、
ＳＨＧの発生実験を行ったが、ＳＨＧ光は検出レベル以
下であった。このことから本実施例の波長変換素子では
有効な位相整合条件が満たされていることがわかる。
【００２３】実施例２ 上記した作製法に従い、クラッド層２に紫外線硬化樹
脂、グレーティング４を形成する高分子として、下記
「化３」に示す構造を有する高分子材料を用いた。コア
層の膜厚は５μｍであり、ポーリングは１４０℃で印加
電圧は１００Ｖ／μｍで処理した。
脂、グレーティング４を形成する高分子として、下記
「化３」に示す構造を有する高分子材料を用いた。コア
層の膜厚は５μｍであり、ポーリングは１４０℃で印加
電圧は１００Ｖ／μｍで処理した。
【化３】
【００２４】また、高分子材料５としては、エポキシア
クリレート系の紫外線硬化樹脂を用い実施例１と同様な
波長変換デバイスを作製した。同様にＳＨＧの発生実験
を行い、効率としては約0.４％のＳＨＧ光が観測され
た。この実施例の場合、基本波ｗ＝1.５５μｍであり、
グレーティング周期Λは２０μｍとしている。
クリレート系の紫外線硬化樹脂を用い実施例１と同様な
波長変換デバイスを作製した。同様にＳＨＧの発生実験
を行い、効率としては約0.４％のＳＨＧ光が観測され
た。この実施例の場合、基本波ｗ＝1.５５μｍであり、
グレーティング周期Λは２０μｍとしている。
【００２５】実施例３ 次にクラッド層２に紫外線硬化樹脂、グレーティングを
形成する高分子として、下記「化４」に示す構造を有す
る高分子材料を用いた。
形成する高分子として、下記「化４」に示す構造を有す
る高分子材料を用いた。
【化４】
【００２６】また、高分子材料５としては、紫外線硬化
樹脂を用い、実施例１のスラブ導波路をまず作製し、フ
ォトリソグラフィとドライエッチングによりチャネル構
造を形成し波長変換デバイスを作製した。ポーリング処
理は実施例１と同様の条件とし、コア形状は５μｍ×５
μｍとした。同様にＳＨＧの発生実験を行い、効率とし
ては約５％のＳＨＧ光が長さ５mmの導波路から観測され
た。この実施例の場合、基本波ｗ＝1.３２μｍであり、
グレーティング周期Λは１６μｍとしている。
樹脂を用い、実施例１のスラブ導波路をまず作製し、フ
ォトリソグラフィとドライエッチングによりチャネル構
造を形成し波長変換デバイスを作製した。ポーリング処
理は実施例１と同様の条件とし、コア形状は５μｍ×５
μｍとした。同様にＳＨＧの発生実験を行い、効率とし
ては約５％のＳＨＧ光が長さ５mmの導波路から観測され
た。この実施例の場合、基本波ｗ＝1.３２μｍであり、
グレーティング周期Λは１６μｍとしている。
【００２７】尚、実施例の波長変換については、ＳＨＧ
の例のみを示したが、他の二次非線形光学効果、差周波
発生、和周波発生、パラメトリック発振等も、グレーテ
ィング間隔を変えることにより同様に実現できることは
容易に類推できる。
の例のみを示したが、他の二次非線形光学効果、差周波
発生、和周波発生、パラメトリック発振等も、グレーテ
ィング間隔を変えることにより同様に実現できることは
容易に類推できる。
【００２８】また、本発明において用いた材料は実施例
に示した様に二次の非線形感受率の大きな有機化合物を
ポリマー側鎖にペンダントさせたものであるが、この
他、二次の非線形感受率の大きな有機化合物をポリマー
に分散させた材料、あるいは二次の非線形感受率の大き
な有機化合物をポリマー主鎖に組み込んだ材料であって
も同様の波長変換素子を構成することができる。
に示した様に二次の非線形感受率の大きな有機化合物を
ポリマー側鎖にペンダントさせたものであるが、この
他、二次の非線形感受率の大きな有機化合物をポリマー
に分散させた材料、あるいは二次の非線形感受率の大き
な有機化合物をポリマー主鎖に組み込んだ材料であって
も同様の波長変換素子を構成することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による導波
路型波長変換素子は、非線形光学効果が大きく、しかも
波長変換において大きな問題となる位相整合が比較的簡
単にとれることから、波長変換を応用した素子、例えば
高効率な半導体レーザ励起可視光レーザ、光サンプリン
グ測定器、可変波長光源、波長可変光スイッチを構築す
る上で重要な基本素子となりうる。
路型波長変換素子は、非線形光学効果が大きく、しかも
波長変換において大きな問題となる位相整合が比較的簡
単にとれることから、波長変換を応用した素子、例えば
高効率な半導体レーザ励起可視光レーザ、光サンプリン
グ測定器、可変波長光源、波長可変光スイッチを構築す
る上で重要な基本素子となりうる。
【図１】本発明における導波路型波長変換素子の概略図
である。
である。
【図２】本発明における導波路型波長変換素子の作製方
法の工程図である。
法の工程図である。
【図３】スラブ型の導波路型波長変換素子の斜視図であ
る。
る。
【図４】チャネル型の導波路型波長変換素子の斜視図で
ある。
ある。
１ 基板 ２Ａ 下部クラッド層 ２Ｂ 上部クラッド層 ３ 高分子薄膜（Ｔｇ1 のガラス転移温度を有する） ４ グレーティング ５ 高分子材料 ６ 複合膜 ７ 基板加熱ヒータ ８ 電圧印加装置 ９ 導波路型波長変換素子 １０ 非線形高分子グレーティング中のダイポールの向
き １１ スラブ型の導波路型波長変換素子 １２ チャネルコア部 １３ チャネル型の導波路型波長変換素子
き １１ スラブ型の導波路型波長変換素子 １２ チャネルコア部 １３ チャネル型の導波路型波長変換素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 天野 道之 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に形成されたコア部と上下クラッ
ド部もしくはコア部と下部クラッド部とからなり、前記
コア部に非線形材料を有する導波路型波長変換素子にお
いて、 前記コア部が、二次の非線形感受率βが１０-30 ｅｓｕ
以上の色素を分散するかあるいは化学的に結合した高分
子と、前記高分子との屈折率差が０．０２以下である材
料とが基板に対して水平方向に交互に並んでいる構造を
有することを特徴とする導波路型波長変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29420292A JPH06148701A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 導波路型波長変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29420292A JPH06148701A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 導波路型波長変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06148701A true JPH06148701A (ja) | 1994-05-27 |
Family
ID=17804646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29420292A Pending JPH06148701A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | 導波路型波長変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06148701A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3636028A1 (de) * | 1985-10-25 | 1987-04-30 | Olympus Optical Co | Endoskop |
-
1992
- 1992-11-02 JP JP29420292A patent/JPH06148701A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3636028A1 (de) * | 1985-10-25 | 1987-04-30 | Olympus Optical Co | Endoskop |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020402 |