JPH06145660A - ルミネセンス物質を有する装置及びその製造方法 - Google Patents
ルミネセンス物質を有する装置及びその製造方法Info
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- JPH06145660A JPH06145660A JP4324425A JP32442592A JPH06145660A JP H06145660 A JPH06145660 A JP H06145660A JP 4324425 A JP4324425 A JP 4324425A JP 32442592 A JP32442592 A JP 32442592A JP H06145660 A JPH06145660 A JP H06145660A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 ルミネセンス物質を有する装置のルミネセン
ス物質がシロキセン及びシロキセン誘導体からなるグル
ープから選択されたものである装置。特に前記ルミネセ
ンス物質と関連して二つのエレクトロルミネセンス励起
電極が設けられ、その一つ以上が薄い層の形態を有して
いる装置。 【効果】 シロキセンとシロキセン誘導体はシリコンと
適合性を有し、且つシリコン単結晶体上にエピタキシャ
ル層として形成でき、例えばディスプレイ、画像変換
器、オプトエレクトロニック集積回路などの有用なエレ
クトロルミネセンス装置を製造できる。シロキセンとシ
ロキセン誘導体は更に、例えばレーザ活性物質などのレ
ーザ及びルミネセンス物質として蛍光灯ランプ又は管に
使用できる。
ス物質がシロキセン及びシロキセン誘導体からなるグル
ープから選択されたものである装置。特に前記ルミネセ
ンス物質と関連して二つのエレクトロルミネセンス励起
電極が設けられ、その一つ以上が薄い層の形態を有して
いる装置。 【効果】 シロキセンとシロキセン誘導体はシリコンと
適合性を有し、且つシリコン単結晶体上にエピタキシャ
ル層として形成でき、例えばディスプレイ、画像変換
器、オプトエレクトロニック集積回路などの有用なエレ
クトロルミネセンス装置を製造できる。シロキセンとシ
ロキセン誘導体は更に、例えばレーザ活性物質などのレ
ーザ及びルミネセンス物質として蛍光灯ランプ又は管に
使用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はルミネセンス物質を有す
る装置に関するものである。更に詳細には、本発明は、
その様な装置を製造する方法に関するものである。
る装置に関するものである。更に詳細には、本発明は、
その様な装置を製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】画像変換器、ディスプレイ、オプトエレ
クトロニック回路、光学ＩＣ、レーザなどの多くの装置
は、例えばＺｎＳ：Ｍｎなどの結晶性蛍光体か、又は、
電気光学的装置の場合においては、典型的にＩＩＩ−Ｖ
半導体物質におけるＰＮ接合などのルミネセンス物質を
有している。これら両方のタイプの物質の欠点は、広範
囲に使用されているシリコン技術と適合性を有するもの
ではなく、且つ製造に当っては、非常に有害な物質を使
用せねばならないことがしばしばであるということであ
る。更に、新たなルミネセンス物質に対する必要性が存
在しており、特に、電気的に励起可能な物質の必要性が
存在している。
クトロニック回路、光学ＩＣ、レーザなどの多くの装置
は、例えばＺｎＳ：Ｍｎなどの結晶性蛍光体か、又は、
電気光学的装置の場合においては、典型的にＩＩＩ−Ｖ
半導体物質におけるＰＮ接合などのルミネセンス物質を
有している。これら両方のタイプの物質の欠点は、広範
囲に使用されているシリコン技術と適合性を有するもの
ではなく、且つ製造に当っては、非常に有害な物質を使
用せねばならないことがしばしばであるということであ
る。更に、新たなルミネセンス物質に対する必要性が存
在しており、特に、電気的に励起可能な物質の必要性が
存在している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主要
な目的とするところは、シリコン半導体技術と適合性乃
至は互換性を有する新規なルミネセンス装置及びルミネ
センス装置の製造方法を提供することである。本発明の
別の目的とするところは、新規な電気的に励起可能な物
質を提供すると共にその製造方法及びその新規な用途を
提供することである。
な目的とするところは、シリコン半導体技術と適合性乃
至は互換性を有する新規なルミネセンス装置及びルミネ
センス装置の製造方法を提供することである。本発明の
別の目的とするところは、新規な電気的に励起可能な物
質を提供すると共にその製造方法及びその新規な用途を
提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、特に、
ポリマー形態、単結晶形態又は多結晶形態において、シ
ロキセン及び／又はシロキセン誘導体をルミネセンス物
質又はセンサ物質として有する装置が提供される。
ポリマー形態、単結晶形態又は多結晶形態において、シ
ロキセン及び／又はシロキセン誘導体をルミネセンス物
質又はセンサ物質として有する装置が提供される。
【０００５】シロキセンは、シリコンとの適合性に優れ
ており、且つ砒素、燐などの有害な物質なしで製造する
ことが可能であり且つ小さな層の形態で製造することが
可能であって、そのルミネセンスカラーは容易に変化さ
せることが可能である。シロキセン及びシロキセン誘導
体は、例えばディスプレイ、電気光学回路及びＩＣなど
の電気光学装置において有用に使用することが可能であ
り、その構造的特性及び使用可能な製造方法のために、
その用途も、例えば、Ｘ線又はＵＶ画像変換層におい
て、例えば非線形物質としての集積化光学的システムに
おいての、波長変換のために蛍光の光学的励起が行なわ
れる光学的装置において有用なものである。
ており、且つ砒素、燐などの有害な物質なしで製造する
ことが可能であり且つ小さな層の形態で製造することが
可能であって、そのルミネセンスカラーは容易に変化さ
せることが可能である。シロキセン及びシロキセン誘導
体は、例えばディスプレイ、電気光学回路及びＩＣなど
の電気光学装置において有用に使用することが可能であ
り、その構造的特性及び使用可能な製造方法のために、
その用途も、例えば、Ｘ線又はＵＶ画像変換層におい
て、例えば非線形物質としての集積化光学的システムに
おいての、波長変換のために蛍光の光学的励起が行なわ
れる光学的装置において有用なものである。
【０００６】
【実施例】以下の説明においてはシロキセンについての
み説明するが、本発明は、シロキセン誘導体及び結晶面
内に二重又は三重の配位でシリコンを含有する全ての構
造的に関連した物質に対して適用可能なものである。
み説明するが、本発明は、シロキセン誘導体及び結晶面
内に二重又は三重の配位でシリコンを含有する全ての構
造的に関連した物質に対して適用可能なものである。
【０００７】シロキセンＳｉ6 Ｏ3 Ｈ6 及びＳｉ6 Ｏ
3+n Ｈ6-m 及びその誘導体は公知な物質であり、例え
ば、Ｇｍｅｌｉｎの「シリコン（Ｓｉｌｉｃｏｎ）」、
Ｖｏｌ．Ｂ、５９１−５９６頁を参照するとよい。それ
は、基本的な構成要素として、シリコンの６要素リング
又はシリコン面を有する高度にポリマー化された固体の
不溶解性物質を形成する。
3+n Ｈ6-m 及びその誘導体は公知な物質であり、例え
ば、Ｇｍｅｌｉｎの「シリコン（Ｓｉｌｉｃｏｎ）」、
Ｖｏｌ．Ｂ、５９１−５９６頁を参照するとよい。それ
は、基本的な構成要素として、シリコンの６要素リング
又はシリコン面を有する高度にポリマー化された固体の
不溶解性物質を形成する。
【０００８】シロキセンの三つの異なった構造的な変形
例を図１乃至３に示してあり、その各々はシロキセン結
晶の［１１１］面の一部を示している。大きな黒丸はＳ
ｉ原子を示しており、大きな白丸はＯ原子を示してお
り、且つ小さな黒丸はＨ原子を示している。最も安定な
構造は図１に示したものであり、それは酸素原子により
一体的に連結された６個の要素からなるリングを有して
いる。
例を図１乃至３に示してあり、その各々はシロキセン結
晶の［１１１］面の一部を示している。大きな黒丸はＳ
ｉ原子を示しており、大きな白丸はＯ原子を示してお
り、且つ小さな黒丸はＨ原子を示している。最も安定な
構造は図１に示したものであり、それは酸素原子により
一体的に連結された６個の要素からなるリングを有して
いる。
【０００９】シロキセンは光ルミネセンス及び化学ルミ
ネセンスの特性を有することが知られており、且つルミ
ネセンスカラーはシロキセンのＨ原子の置換により変化
させることが可能であることも知られている。しかしな
がら、これまでに認識されていない事実は、シロキセ
ン、特に適切なコンタクト技術により、シロキセンがエ
レクトロルミネセンスを発揮することが可能であるとい
う事実であり、且つその組成及び使用可能な製造方法の
ために、シロキセンが光学的及びエレクトロオプティッ
ク装置において使用するのに極めて適したものであり、
特にシリコン及びシリコン半導体装置に関連して使用す
るのに特に適したものであるという事実は認識されてい
なかった。
ネセンスの特性を有することが知られており、且つルミ
ネセンスカラーはシロキセンのＨ原子の置換により変化
させることが可能であることも知られている。しかしな
がら、これまでに認識されていない事実は、シロキセ
ン、特に適切なコンタクト技術により、シロキセンがエ
レクトロルミネセンスを発揮することが可能であるとい
う事実であり、且つその組成及び使用可能な製造方法の
ために、シロキセンが光学的及びエレクトロオプティッ
ク装置において使用するのに極めて適したものであり、
特にシリコン及びシリコン半導体装置に関連して使用す
るのに特に適したものであるという事実は認識されてい
なかった。
【００１０】特定の利点は、シロキセンの格子定数は実
際的にシリコンのものと同一であるということである。
従って、シロキセン層をシリコン単結晶、特にシリコン
の［１１１］表面に対してエピタキシャル的に付着させ
ることが可能である。更に、単結晶又は多結晶シリコン
本体の表面層を、該層の構造を実質的に変形させること
なしに、シロキセンへ化学的に変換させることが可能で
ある。同じことは、サファイヤ基板及びいわゆるＳＯＳ
構成体（シリコン・オン・サファイヤ）に関してもいえ
る。
際的にシリコンのものと同一であるということである。
従って、シロキセン層をシリコン単結晶、特にシリコン
の［１１１］表面に対してエピタキシャル的に付着させ
ることが可能である。更に、単結晶又は多結晶シリコン
本体の表面層を、該層の構造を実質的に変形させること
なしに、シロキセンへ化学的に変換させることが可能で
ある。同じことは、サファイヤ基板及びいわゆるＳＯＳ
構成体（シリコン・オン・サファイヤ）に関してもいえ
る。
【００１１】更に重要な特徴としては、シロキセン層も
比較的低い温度、特に８００℃以下の温度で付与するこ
とが可能であり、且つ半導体基板、特に集積回路を有す
るシリコン基板に対して付与することが可能であり、従
って、従来の半導体製造技術、例えばホトマスク技術を
使用することにより、集積回路上に所望の形態のエレク
トロルミネセンス装置を製造することが可能である。こ
のことは、集積化した電子−電気光学回路を与えること
を可能としている。シロキセン及びその誘導体は、更
に、例えばガラス、石英、ＰＭＭＡなどの有機ポリマー
（プラスチック）などのその他の基板上においても効果
的に使用することが可能である。
比較的低い温度、特に８００℃以下の温度で付与するこ
とが可能であり、且つ半導体基板、特に集積回路を有す
るシリコン基板に対して付与することが可能であり、従
って、従来の半導体製造技術、例えばホトマスク技術を
使用することにより、集積回路上に所望の形態のエレク
トロルミネセンス装置を製造することが可能である。こ
のことは、集積化した電子−電気光学回路を与えること
を可能としている。シロキセン及びその誘導体は、更
に、例えばガラス、石英、ＰＭＭＡなどの有機ポリマー
（プラスチック）などのその他の基板上においても効果
的に使用することが可能である。
【００１２】ルミネセンス物質として使用するためのシ
ロキセンは、種々の態様で製造することが可能であり、
例えば、Ｋａｕｔｓｋｙ（例えば、Ｚ． ａｎｏｒｇ．
Ｃｈｅｍｉｅ １１７，２０９−２４２，１９２１）
又はＷｏｈｌｅｒ（例えば、Ｌｉｅｂｉｇ’ｓ Ａｎｎ
ａｌｓ １２７，２５７，１８６３）に基づく公知のウ
ェット化学的方法により、且つ、更に、例えばＳｉＨ
4 ，Ｈ2 Ｏ及び／又はＨ2 ，Ｏ2 の混合物及び例えばア
ルゴン又は別の稀ガス又は窒素などの希釈ガスを使用し
て上述した如く単結晶シリコンなどの適宜の基板上に気
体相から付着することにより製造することが可能であ
り、且つその反応は光、特にレーザ照射、プラズマ放
電、高周波数又はマイクロ波放電、サイクロトロンレゾ
ナンス、例えば基板の加熱などの熱により活性化させる
ことが可能である。その他の可能性としては、例えば液
相エピタキシなどの液相からの付着、懸濁によるスピン
コーティング、及び例えば分子ビームエピタキシなどの
分子ビーム付着、などがあり、分子ビームエピタキシの
場合には、シリコンが噴散セルから蒸発され且つ水素及
び酸素がイオンビームとして使用される。シロキセンを
製造するための電気化学的方法も公知である。
ロキセンは、種々の態様で製造することが可能であり、
例えば、Ｋａｕｔｓｋｙ（例えば、Ｚ． ａｎｏｒｇ．
Ｃｈｅｍｉｅ １１７，２０９−２４２，１９２１）
又はＷｏｈｌｅｒ（例えば、Ｌｉｅｂｉｇ’ｓ Ａｎｎ
ａｌｓ １２７，２５７，１８６３）に基づく公知のウ
ェット化学的方法により、且つ、更に、例えばＳｉＨ
4 ，Ｈ2 Ｏ及び／又はＨ2 ，Ｏ2 の混合物及び例えばア
ルゴン又は別の稀ガス又は窒素などの希釈ガスを使用し
て上述した如く単結晶シリコンなどの適宜の基板上に気
体相から付着することにより製造することが可能であ
り、且つその反応は光、特にレーザ照射、プラズマ放
電、高周波数又はマイクロ波放電、サイクロトロンレゾ
ナンス、例えば基板の加熱などの熱により活性化させる
ことが可能である。その他の可能性としては、例えば液
相エピタキシなどの液相からの付着、懸濁によるスピン
コーティング、及び例えば分子ビームエピタキシなどの
分子ビーム付着、などがあり、分子ビームエピタキシの
場合には、シリコンが噴散セルから蒸発され且つ水素及
び酸素がイオンビームとして使用される。シロキセンを
製造するための電気化学的方法も公知である。
【００１３】シロキセンを製造する別のウェット化学方
法では、カルシウムジシリサイドＣａＳｉ2 （又は例え
ばマグネシウム、ストロンチウム及びバリウムなどのそ
の他のアルカリ土類元素のシリサイドなどの同様の構成
を有する適宜の金属シリサイド）を数時間の間煙霧性塩
酸（３８％ＨＣｌ）に露呈させ且つその反応成生物をエ
ーテル又は水で洗浄して塩素を除去するものである。こ
のタイプの別の方法においては、金属シリサイドを数時
間の間氷で冷却したアルコール、水又はＨＣｌの混合物
で処理し、その後にエーテルで洗浄する。この場合に
は、６０容積部のエタノールと、１１容積部のＨ2 Ｏ
と、２容積部のＨＣｌの混合物が好適であることが判明
した。
法では、カルシウムジシリサイドＣａＳｉ2 （又は例え
ばマグネシウム、ストロンチウム及びバリウムなどのそ
の他のアルカリ土類元素のシリサイドなどの同様の構成
を有する適宜の金属シリサイド）を数時間の間煙霧性塩
酸（３８％ＨＣｌ）に露呈させ且つその反応成生物をエ
ーテル又は水で洗浄して塩素を除去するものである。こ
のタイプの別の方法においては、金属シリサイドを数時
間の間氷で冷却したアルコール、水又はＨＣｌの混合物
で処理し、その後にエーテルで洗浄する。この場合に
は、６０容積部のエタノールと、１１容積部のＨ2 Ｏ
と、２容積部のＨＣｌの混合物が好適であることが判明
した。
【００１４】該反応及びその後の洗浄は、暗所において
酸素から離した状態で実施すべきである。
酸素から離した状態で実施すべきである。
【００１５】単結晶シリコン基板上に均一なエピタキシ
ャルのシロキセン層を形成するためには、金属シリサイ
ド、特にＣａＳｉ2 をＪ．Ｆ． Ｍｏｒａｒ ｅｔ ａ
ｌ．、フィジカルレビュー（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖ
ｉｅｗ）Ｂ、Ｖｏｌ．３７、Ｎｏ．５、１９８８年２月
１５日、２６１８−２６２１頁、及びＪ． Ｖａｃ．Ｓ
ｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． Ａ６／３、１９８８年５月
／６月、１３４０−１３４２頁の文献に記載されている
如く、シリコン本体の［１１１］表面上にエピタキシャ
ル的に形成することが可能である。この方法において
は、シリコン基板の表面上に、好適にはＳｉ単結晶の研
磨した［１１１］表面上に、カルシウム金属層を所望の
厚さ、例えば１００乃至５００ｎｍの厚さに蒸着させ、
且つ約８００℃に加熱することにより合金化させる。次
いで、この層を、ＨＣｌの作用により、上述した如き態
様で、ウェットで且つ化学的にシロキセンへ変換させ
る。この様に、単結晶Ｓｉ基板上に高密度で均一なエピ
タキシャルシロキセン層が得られ、それを、ホトエッチ
ング、粒子線ビームエッチング又はその他の公知の半導
体形成方法により所定の構成とすることが可能である。
ャルのシロキセン層を形成するためには、金属シリサイ
ド、特にＣａＳｉ2 をＪ．Ｆ． Ｍｏｒａｒ ｅｔ ａ
ｌ．、フィジカルレビュー（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖ
ｉｅｗ）Ｂ、Ｖｏｌ．３７、Ｎｏ．５、１９８８年２月
１５日、２６１８−２６２１頁、及びＪ． Ｖａｃ．Ｓ
ｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． Ａ６／３、１９８８年５月
／６月、１３４０−１３４２頁の文献に記載されている
如く、シリコン本体の［１１１］表面上にエピタキシャ
ル的に形成することが可能である。この方法において
は、シリコン基板の表面上に、好適にはＳｉ単結晶の研
磨した［１１１］表面上に、カルシウム金属層を所望の
厚さ、例えば１００乃至５００ｎｍの厚さに蒸着させ、
且つ約８００℃に加熱することにより合金化させる。次
いで、この層を、ＨＣｌの作用により、上述した如き態
様で、ウェットで且つ化学的にシロキセンへ変換させ
る。この様に、単結晶Ｓｉ基板上に高密度で均一なエピ
タキシャルシロキセン層が得られ、それを、ホトエッチ
ング、粒子線ビームエッチング又はその他の公知の半導
体形成方法により所定の構成とすることが可能である。
【００１６】更に、例えば、スピンコーティングによ
り、基板上に一様な薄い層として適宜の溶媒（例えば、
エタノール）内に懸濁させたシロキセンを付与すること
も可能である。
り、基板上に一様な薄い層として適宜の溶媒（例えば、
エタノール）内に懸濁させたシロキセンを付与すること
も可能である。
【００１７】エレクトロルミネセンス電子装置において
は、所定の形状とさせることのあるシロキセン層の基板
は対応する電極パターンを有しており、且つ例えば金又
は酸化錫の薄い透明な層からなる対応する透明なカウン
タ電極アレイがシロキセンの自由表面へ付与される。
は、所定の形状とさせることのあるシロキセン層の基板
は対応する電極パターンを有しており、且つ例えば金又
は酸化錫の薄い透明な層からなる対応する透明なカウン
タ電極アレイがシロキセンの自由表面へ付与される。
【００１８】電気光学装置の特に有用な形態は、Ｐ又は
Ｎ導電型でドープした単結晶シリコンからなる基板、例
えばＳｉＯ2 又はＳｉ3 Ｎ4 からなる薄い透明な誘電体
層、シロキセン又はシロキセン誘導体からなる層、及び
例えば金、錫又は酸化インジウムなどの透明な対向電極
を有する層構成体から構成されている。透明な誘電体中
間層が、高い電界により（トンネル動作による注入）高
度に励起された電荷キャリアを発生することが可能であ
る重要な機能を有している。上述した構成体は、薄い透
明な層により有害な環境からの影響に対して保護するこ
とが可能である。
Ｎ導電型でドープした単結晶シリコンからなる基板、例
えばＳｉＯ2 又はＳｉ3 Ｎ4 からなる薄い透明な誘電体
層、シロキセン又はシロキセン誘導体からなる層、及び
例えば金、錫又は酸化インジウムなどの透明な対向電極
を有する層構成体から構成されている。透明な誘電体中
間層が、高い電界により（トンネル動作による注入）高
度に励起された電荷キャリアを発生することが可能であ
る重要な機能を有している。上述した構成体は、薄い透
明な層により有害な環境からの影響に対して保護するこ
とが可能である。
【００１９】シロキセンは、更に、例えばＳｉＯ2 など
の透明な物質からなる保護層により保護することが可能
であり、該保護層は酸素、湿気及びその他の有害な環境
条件からシロキセンを保護するがその光学的な機能に障
害を与えるものではない。
の透明な物質からなる保護層により保護することが可能
であり、該保護層は酸素、湿気及びその他の有害な環境
条件からシロキセンを保護するがその光学的な機能に障
害を与えるものではない。
【００２０】ルミネセンス物質としてシロキセンを使用
する特定の利点は、加熱及び／又は置換によりルミネセ
ンスカラーを変化させることが可能であり、且つそれを
現場において且つ選択的に行なうことが可能であるとい
う点である。これはシロキセンの光ルミネセンスの場合
には公知であり、且つルミネセンスカラーを調節するた
めに、公知の置換方法及び置換物を使用することが可能
である。
する特定の利点は、加熱及び／又は置換によりルミネセ
ンスカラーを変化させることが可能であり、且つそれを
現場において且つ選択的に行なうことが可能であるとい
う点である。これはシロキセンの光ルミネセンスの場合
には公知であり、且つルミネセンスカラーを調節するた
めに、公知の置換方法及び置換物を使用することが可能
である。
【００２１】シロキセンの水素原子は、例えば、ハロゲ
ン、特にＣ１により、ＯＨ基により、アルコールにより
（アルコールのＣ原子の結合が例えばシロキセンの水素
と置換する）、又は水素と異なった電子負極性を有する
その他の単原子基により相継いで置換させることが可能
である。その置換の結果、［１１１］方向においてのシ
ロキセンの結晶格子が拡大される。更に、より長い波長
に向かっての発光のシフトが発生する。この置換に対し
て、公知の方法を使用することが可能であり、例えば、
Ｅ． Ｈｅｎｇｇｅ、化学研究の進展（Ａｄｖａｎｃｅ
ｓ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ）９、
１４５（１９６７）及びＨ． Ｕｂａｒａ ｅｔ ａ
ｌ．、Ｊ． Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔ． Ｓｏｌｉｄｓ ５
９＆６０、６４１（１９８３）の文献に記載されている
技術を使用することが可能である。シロキセン層を形成
し且つ所定の形状とした後にこの置換を行なうことが可
能であるので、その置換は、例えば、置換期間中に置換
が発生しないか又は異なった置換が発生されるべきシロ
キセン層の部分を、例えば、ホトリソグラフィにより、
被覆することにより局所的に異なった状態で実施するこ
とが可能である。この様に、シロキセン領域は、集積回
路又はその他の電気光学装置上に設けることが可能であ
り、それは、電気的又は光学的励起により異なったカラ
ー即ち色を射出することが可能である。
ン、特にＣ１により、ＯＨ基により、アルコールにより
（アルコールのＣ原子の結合が例えばシロキセンの水素
と置換する）、又は水素と異なった電子負極性を有する
その他の単原子基により相継いで置換させることが可能
である。その置換の結果、［１１１］方向においてのシ
ロキセンの結晶格子が拡大される。更に、より長い波長
に向かっての発光のシフトが発生する。この置換に対し
て、公知の方法を使用することが可能であり、例えば、
Ｅ． Ｈｅｎｇｇｅ、化学研究の進展（Ａｄｖａｎｃｅ
ｓ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ）９、
１４５（１９６７）及びＨ． Ｕｂａｒａ ｅｔ ａ
ｌ．、Ｊ． Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔ． Ｓｏｌｉｄｓ ５
９＆６０、６４１（１９８３）の文献に記載されている
技術を使用することが可能である。シロキセン層を形成
し且つ所定の形状とした後にこの置換を行なうことが可
能であるので、その置換は、例えば、置換期間中に置換
が発生しないか又は異なった置換が発生されるべきシロ
キセン層の部分を、例えば、ホトリソグラフィにより、
被覆することにより局所的に異なった状態で実施するこ
とが可能である。この様に、シロキセン領域は、集積回
路又はその他の電気光学装置上に設けることが可能であ
り、それは、電気的又は光学的励起により異なったカラ
ー即ち色を射出することが可能である。
【００２２】シロキセン又はシロキセン誘導体の電気的
特性は、特に、加熱及び／又はドーピングにより変化さ
せることが可能である。シロキセンの導電性は、面のシ
リコン原子を置換することによるか又は格子間ドーピン
グ、特に例えばＬｉ，Ｃｓなどのアルカリ金属でのドー
ピングにより変化させることが可能である。更に、面の
導電度を、二つの面毎の間に適宜の分子を相互整合させ
ることにより変化させることが可能である。最後に、ド
ープしていないシロキセンは絶縁体であるので、電界効
果形態においてのシリコン面の導電度も、導電性基板か
らシリコン面内への電荷転送により変化させることが可
能である。
特性は、特に、加熱及び／又はドーピングにより変化さ
せることが可能である。シロキセンの導電性は、面のシ
リコン原子を置換することによるか又は格子間ドーピン
グ、特に例えばＬｉ，Ｃｓなどのアルカリ金属でのドー
ピングにより変化させることが可能である。更に、面の
導電度を、二つの面毎の間に適宜の分子を相互整合させ
ることにより変化させることが可能である。最後に、ド
ープしていないシロキセンは絶縁体であるので、電界効
果形態においてのシリコン面の導電度も、導電性基板か
らシリコン面内への電荷転送により変化させることが可
能である。
【００２３】シロキセン及びその誘導体のルミネセンス
の一つの特性は、広範囲の励起寿命であり、それは光電
気通信技術（データ伝送）において使用する場合には不
所望のものである場合がある。この場合には、特に結晶
欠陥の形態での再結合中心を導入することにより励起寿
命を制御することが必要である場合がある。このこと
は、例えば、イオンビームなどのイオン化ラディエーシ
ョン（照射）での処置によるか、又は酸化により行なう
ことが可能であり、且つ再結合中心の導入は、シロキセ
ン層の局所的な発光特性を形成するために、局所的に選
択した態様で実施することが可能である。
の一つの特性は、広範囲の励起寿命であり、それは光電
気通信技術（データ伝送）において使用する場合には不
所望のものである場合がある。この場合には、特に結晶
欠陥の形態での再結合中心を導入することにより励起寿
命を制御することが必要である場合がある。このこと
は、例えば、イオンビームなどのイオン化ラディエーシ
ョン（照射）での処置によるか、又は酸化により行なう
ことが可能であり、且つ再結合中心の導入は、シロキセ
ン層の局所的な発光特性を形成するために、局所的に選
択した態様で実施することが可能である。
【００２４】構造的な特性及び光学的な特性のために、
特に光ルミネセンスが効率的であるために、ルミネセン
スで動作するがシロキセンの電気的励起では動作するこ
とのないその他の光学的装置においてシロキセン及びシ
ロキセン誘導体を使用することが有益的である。上述し
た製造方法の場合、例えば結晶シリコンなどの基板上に
空間的に一定であるか又は制御された可変の屈折率を有
する薄膜又はシロキセンエピタキシャル層を付着形成す
ることが可能である。この様な適用例は、センサ要素又
は光学的導波路としてシリコン上に薄いシロキセン層を
使用する場合である。具体的な例は酸化用媒体に対する
センサである。シロキセンの酸化は化学的ルミネセンス
を発生し、それはシリコンにおいて電気的に検知され
る。
特に光ルミネセンスが効率的であるために、ルミネセン
スで動作するがシロキセンの電気的励起では動作するこ
とのないその他の光学的装置においてシロキセン及びシ
ロキセン誘導体を使用することが有益的である。上述し
た製造方法の場合、例えば結晶シリコンなどの基板上に
空間的に一定であるか又は制御された可変の屈折率を有
する薄膜又はシロキセンエピタキシャル層を付着形成す
ることが可能である。この様な適用例は、センサ要素又
は光学的導波路としてシリコン上に薄いシロキセン層を
使用する場合である。具体的な例は酸化用媒体に対する
センサである。シロキセンの酸化は化学的ルミネセンス
を発生し、それはシリコンにおいて電気的に検知され
る。
【００２５】更に有益的なことは、スペクトルマッチン
グのために既存の感光性構成体上にシロキセン又はシロ
キセン誘導体を付着形成することである（感度を改善す
るために、特に、粒子線照射、Ｘ線照射又は紫外線を可
視光照射へ変換するための画像変換器、太陽電池）。こ
れは、特に、４００ｎｍを超えた波長範囲においての結
晶シリコンに基づいたホトダイオードの量子効率の降下
を少なくとも部分的に補償することを可能としている。
反射防止層として作用し、且つ、短い波長の光、特にＵ
Ｖ光をＳｉ太陽電池がより高い感度を有するより長い波
長の光へ変換するシロキセンの薄い層によりＳｉ太陽電
池の効率を増加させることが可能である。
グのために既存の感光性構成体上にシロキセン又はシロ
キセン誘導体を付着形成することである（感度を改善す
るために、特に、粒子線照射、Ｘ線照射又は紫外線を可
視光照射へ変換するための画像変換器、太陽電池）。こ
れは、特に、４００ｎｍを超えた波長範囲においての結
晶シリコンに基づいたホトダイオードの量子効率の降下
を少なくとも部分的に補償することを可能としている。
反射防止層として作用し、且つ、短い波長の光、特にＵ
Ｖ光をＳｉ太陽電池がより高い感度を有するより長い波
長の光へ変換するシロキセンの薄い層によりＳｉ太陽電
池の効率を増加させることが可能である。
【００２６】シロキセンは反転対称性を示すものではな
いので（結晶構造はある点において反射することにより
それ自身転送されることは不可能である）、それは光学
的周波数倍化のために使用することが可能である。
いので（結晶構造はある点において反射することにより
それ自身転送されることは不可能である）、それは光学
的周波数倍化のために使用することが可能である。
【００２７】適宜の厚さを有するシロキセン層は、イオ
ン化照射を検知するためのシンチレータ物質として適し
ており、且つシリコン技術と完全に適合性を有する物質
の組合わせ（シリコン上のシロキセン）と共に使用する
ことが可能である。この場合の利点は、特に、不純物が
導入されることがないということであり、且つ例えばプ
ラズマからのシロキセンの付着形成の場合、大きな表面
のものを形成することも可能である。この用途は、例え
ば、大面積のアモルファスシリコン基板に関連して使用
する場合に効果的である。
ン化照射を検知するためのシンチレータ物質として適し
ており、且つシリコン技術と完全に適合性を有する物質
の組合わせ（シリコン上のシロキセン）と共に使用する
ことが可能である。この場合の利点は、特に、不純物が
導入されることがないということであり、且つ例えばプ
ラズマからのシロキセンの付着形成の場合、大きな表面
のものを形成することも可能である。この用途は、例え
ば、大面積のアモルファスシリコン基板に関連して使用
する場合に効果的である。
【００２８】その他の用途は、シリコンを基礎にした集
積化光学系である。この場合には、現在のところ、Ｓｉ
Ｏ2 又はオキシナイトライドなどの物質が考えられてい
るが、それらは可視光領域においては光学的に活性なも
のではない。シロキセンは前述した誘電体と同様にシリ
コン技術と適合性があり、シリコンよりも小さな屈折率
を有しており、且つ、更に、そのルミネセンスの発生率
が高いので、シリコン技術に対して関係のない物質を必
要とすることなしに、集積化光学系において光学的に活
性な成分を発生する場合に使用することが可能な特性を
有している。例えば、シロキセン又はシロキセン誘導体
は、光学的変調器、マルチプレクサ及びレーザなどに対
する光学的に非線形な物質としての適用において使用す
ることが可能である。結晶形態又は懸濁状態において、
シロキセンは活性なレーザ物質として直接的に使用する
ことも可能である。
積化光学系である。この場合には、現在のところ、Ｓｉ
Ｏ2 又はオキシナイトライドなどの物質が考えられてい
るが、それらは可視光領域においては光学的に活性なも
のではない。シロキセンは前述した誘電体と同様にシリ
コン技術と適合性があり、シリコンよりも小さな屈折率
を有しており、且つ、更に、そのルミネセンスの発生率
が高いので、シリコン技術に対して関係のない物質を必
要とすることなしに、集積化光学系において光学的に活
性な成分を発生する場合に使用することが可能な特性を
有している。例えば、シロキセン又はシロキセン誘導体
は、光学的変調器、マルチプレクサ及びレーザなどに対
する光学的に非線形な物質としての適用において使用す
ることが可能である。結晶形態又は懸濁状態において、
シロキセンは活性なレーザ物質として直接的に使用する
ことも可能である。
【００２９】エレクトロルミネセンスは、直流及び交流
の両方で励起させることが可能である。
の両方で励起させることが可能である。
【００３０】図４乃至８を参照して、本発明の幾つかの
具体的実施例について詳細に説明する。図４はドープし
た単結晶シリコンからなる基板１０を有するエレクトロ
ルミネセンス装置を示している。この例においては、基
板は高度にＮ導電型であり、且つ数Ω・ｃｍの大きさの
程度の固有抵抗を有している。基板１０を形成するシリ
コン単結晶の上に配設してエピタキシャルシロキセン層
１２が設けられており、そのシロキセン層１２の上には
ＳｎＯ2 又はその他の公知のシロキセンと適合性を有す
る透明な導電性物質からなる透明電極１４が配設されて
いる。シロキセン層１２と離れた基板１０の側部上に
は、蒸着したアルミニウム層などの形態で背面電極１６
が設けられている。
具体的実施例について詳細に説明する。図４はドープし
た単結晶シリコンからなる基板１０を有するエレクトロ
ルミネセンス装置を示している。この例においては、基
板は高度にＮ導電型であり、且つ数Ω・ｃｍの大きさの
程度の固有抵抗を有している。基板１０を形成するシリ
コン単結晶の上に配設してエピタキシャルシロキセン層
１２が設けられており、そのシロキセン層１２の上には
ＳｎＯ2 又はその他の公知のシロキセンと適合性を有す
る透明な導電性物質からなる透明電極１４が配設されて
いる。シロキセン層１２と離れた基板１０の側部上に
は、蒸着したアルミニウム層などの形態で背面電極１６
が設けられている。
【００３１】電極１４，１６へ電圧を印加すると、電子
がＮ導電型基板１０から注入され且つホールが透明対向
電極１４からシロキセン層１２内へ供給され、従ってシ
ロキセン層１２においてエレクトロルミネセンスが発生
する。Ｎ導電型基板の代わりに、Ｐ導電型基板を使用す
ることも可能であり、その場合には、前述した電荷キャ
リアの符号が反対となる。
がＮ導電型基板１０から注入され且つホールが透明対向
電極１４からシロキセン層１２内へ供給され、従ってシ
ロキセン層１２においてエレクトロルミネセンスが発生
する。Ｎ導電型基板の代わりに、Ｐ導電型基板を使用す
ることも可能であり、その場合には、前述した電荷キャ
リアの符号が反対となる。
【００３２】図５に示した実施例は、基板１０とシロキ
セン層１２との間に薄い絶縁層１８が配設されていると
いう点を除いて、図４の実施例と対応している。実際的
な実施例においては、絶縁層１８はＳｉＯ2 から構成さ
れており、且つ約５ｎｍ乃至１００ｎｍの範囲の厚さを
有している。その目的のために、埋め込み酸化物層を有
する市販されているＳｉ基板物質を使用することも可能
である。絶縁層１８は、電荷キャリア、即ちこの場合に
おいては電子が、適切な大きさの電極１４に関して負の
電圧が電極１６へ印加される場合に、トンネル動作によ
り貫通するような薄さを有している。この構成において
は、シロキセン層１２内に注入された電荷キャリアは図
４の装置における場合よりも、シロキセンの導電バンド
端部に関してより高いエネルギを有しており、従って、
より効率的な注入が発生し、従ってより高いルミネセン
スの発生が得られる。
セン層１２との間に薄い絶縁層１８が配設されていると
いう点を除いて、図４の実施例と対応している。実際的
な実施例においては、絶縁層１８はＳｉＯ2 から構成さ
れており、且つ約５ｎｍ乃至１００ｎｍの範囲の厚さを
有している。その目的のために、埋め込み酸化物層を有
する市販されているＳｉ基板物質を使用することも可能
である。絶縁層１８は、電荷キャリア、即ちこの場合に
おいては電子が、適切な大きさの電極１４に関して負の
電圧が電極１６へ印加される場合に、トンネル動作によ
り貫通するような薄さを有している。この構成において
は、シロキセン層１２内に注入された電荷キャリアは図
４の装置における場合よりも、シロキセンの導電バンド
端部に関してより高いエネルギを有しており、従って、
より効率的な注入が発生し、従ってより高いルミネセン
スの発生が得られる。
【００３３】図６に示した装置は、基板１０ａとして、
従来の構成を有するＰＮ又はＰＩＮホトダイオードを有
しており、それは背面電極１６を有すると共に、光入力
側において透明電極１４ａを有している。透明電極１４
ａの上にはシロキセン層１２が配設されており、それ
は、例えば二酸化シリコンなどの透明な保護層２０で被
覆されている。保護層２０を介してシロキセン層１２へ
入る電磁照射、特に例えばＵＶ又はＸ線照射などの短い
波長の照射及び粒子線照射は該シロキセン層１２内にお
いてより長い波長の照射へ変換され、それは、更に、ホ
トダイオード１０ａ，１４ａ，１６により高い効率で電
気信号へ変換される。
従来の構成を有するＰＮ又はＰＩＮホトダイオードを有
しており、それは背面電極１６を有すると共に、光入力
側において透明電極１４ａを有している。透明電極１４
ａの上にはシロキセン層１２が配設されており、それ
は、例えば二酸化シリコンなどの透明な保護層２０で被
覆されている。保護層２０を介してシロキセン層１２へ
入る電磁照射、特に例えばＵＶ又はＸ線照射などの短い
波長の照射及び粒子線照射は該シロキセン層１２内にお
いてより長い波長の照射へ変換され、それは、更に、ホ
トダイオード１０ａ，１４ａ，１６により高い効率で電
気信号へ変換される。
【００３４】センサ装置として使用することの可能な図
６に基づく装置の変形例においては、保護層２０は存在
せず又は透過性であるか又は有孔性であり、従って検知
すべき物質がシロキセン層内において化学的ルミネセン
スを発生することが可能であり、該ルミネセンスはホト
ダイオード１０ａにより検知される。
６に基づく装置の変形例においては、保護層２０は存在
せず又は透過性であるか又は有孔性であり、従って検知
すべき物質がシロキセン層内において化学的ルミネセン
スを発生することが可能であり、該ルミネセンスはホト
ダイオード１０ａにより検知される。
【００３５】図７はドープしたシリコンからなる基板１
０と、その背面に取付けた背面電極１６と、上側に配設
したシロキセン層１２とを有するセンサ装置を示してい
る。シロキセン層上には、電極構成体２２が設けられて
おり、それは、この場合には、櫛型形状に形成されてお
り且つシロキセン層の表面の一部１２ａを露出させてお
り、従って該露出部分は大気に露出されている。例えば
酸化基、ハロゲンなどのラジカルの作用により、シリコ
ン基板１０及びシロキセン層１２により形成されるダイ
オード状の構成体の導電度が変化する。この構成体を包
含する回路２４内に対応する信号が発生される。
０と、その背面に取付けた背面電極１６と、上側に配設
したシロキセン層１２とを有するセンサ装置を示してい
る。シロキセン層上には、電極構成体２２が設けられて
おり、それは、この場合には、櫛型形状に形成されてお
り且つシロキセン層の表面の一部１２ａを露出させてお
り、従って該露出部分は大気に露出されている。例えば
酸化基、ハロゲンなどのラジカルの作用により、シリコ
ン基板１０及びシロキセン層１２により形成されるダイ
オード状の構成体の導電度が変化する。この構成体を包
含する回路２４内に対応する信号が発生される。
【００３６】図８は特に簡単な実施例を示している。図
８に示した装置は、薄いシロキセン層１２を有してお
り、それは一方の側部には電極１６が設けられており且
つ他方の側部には透明電極１４が設けられている。電極
１４，１６へＡＣ電圧を印加することにより、シロキセ
ンが励起されてエレクトロルミネセンス現象を発生す
る。背面電極は支持構成体として形成することが可能で
あり、従って、例えば、金属プレートから構成するか及
び／又は例えばショットキーコンタクトなどの注入コン
タクトを形成することが可能である。シロキセン層１２
と透明電極１４との間において、この実施例において
は、ＳｉＯ2 などからなる薄い透明な誘電体層２６が設
けられており、且つシロキセン内においてより高い電界
を発生することを可能としている。この様な誘電体層
は、図４，５，７に示した装置においても設けることが
可能である。
８に示した装置は、薄いシロキセン層１２を有してお
り、それは一方の側部には電極１６が設けられており且
つ他方の側部には透明電極１４が設けられている。電極
１４，１６へＡＣ電圧を印加することにより、シロキセ
ンが励起されてエレクトロルミネセンス現象を発生す
る。背面電極は支持構成体として形成することが可能で
あり、従って、例えば、金属プレートから構成するか及
び／又は例えばショットキーコンタクトなどの注入コン
タクトを形成することが可能である。シロキセン層１２
と透明電極１４との間において、この実施例において
は、ＳｉＯ2 などからなる薄い透明な誘電体層２６が設
けられており、且つシロキセン内においてより高い電界
を発生することを可能としている。この様な誘電体層
は、図４，５，７に示した装置においても設けることが
可能である。
【００３７】シロキセンは、更に、蛍光灯ランプ又は
管、特に他の蛍光物質と結合してルミネセンス物質とし
て効果的に使用することも可能である。この場合には、
シロキセンを放電中において発生されるＵＶ照射と電子
衝撃の両方により励起される。以上、本発明の具体的実
施の態様について詳細に説明したが、本発明は、これら
具体例にのみ限定されるべきものではなく、本発明の技
術的範囲を逸脱することなしに種々の変形が可能である
ことは勿論である。
管、特に他の蛍光物質と結合してルミネセンス物質とし
て効果的に使用することも可能である。この場合には、
シロキセンを放電中において発生されるＵＶ照射と電子
衝撃の両方により励起される。以上、本発明の具体的実
施の態様について詳細に説明したが、本発明は、これら
具体例にのみ限定されるべきものではなく、本発明の技
術的範囲を逸脱することなしに種々の変形が可能である
ことは勿論である。
【図１】 同一の化学的組成を有するシロキセンの一つ
の構成を示した概略図。
の構成を示した概略図。
【図２】 同一の化学的組成を有するシロキセンの一つ
の構成を示した概略図。
の構成を示した概略図。
【図３】 同一の化学的組成を有するシロキセンの一つ
の構成を示した概略図。
の構成を示した概略図。
【図４】 エレクトロルミネセンス物質としてシロキセ
ンを有する本発明の一実施例に基づく半導体装置を示し
た概略断面図。
ンを有する本発明の一実施例に基づく半導体装置を示し
た概略断面図。
【図５】 図４に示した装置の変形例を示した概略断面
図。
図。
【図６】 本発明の更に別の実施例に基づいて構成した
装置を示した概略断面図。
装置を示した概略断面図。
【図７】 本発明の一実施例に基づいて構成したセンサ
装置を示した概略斜視図。
装置を示した概略斜視図。
【図８】 本発明の特に簡単な実施例に基づいて製造し
た装置を示した概略断面図。
た装置を示した概略断面図。
１０ 基板 １２ エピタキシャルシロキセン層 １４ 透明電極 １６ 背面電極 １８ 絶縁層 ２０ 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マーチン シュトゥッツマン ドイツ国， 7000 シュトゥッツガルト 80， アルフォンス−ヘーテル−ベーク 13 (72)発明者 マーチン シュテファン ブラント ドイツ国， 7250 レオンベルグ， ブラ ッハベーク 16 (72)発明者 アルフ ブライトシュベルト ドイツ国， 7000 シュトゥッツガルト １， ポール−リンケ−シュトラーセ 22 (72)発明者 ハインツ ディーター フックス ドイツ国， 7030 ベーリンゲン， ホヘ シュトラーセ ４ (72)発明者 ヨーグ ウエイバー ドイツ国， 7016 ゲーリンゲン， ブレ ナーシュトラーセ 94
Claims (30)
- 【請求項１】 ルミネセンス物質を有する装置におい
て、前記ルミネセンス物質がシロキセン及びシロキセン
誘導体からなるグループから選択されたものであること
を特徴とする装置。 - 【請求項２】 請求項１において、前記ルミネセンス物
質と関連して二つのエレクトロルミネセンス励起電極が
設けられており、該電極のうちの少なくとも一つが薄い
層の形態を有していることを特徴とする装置。 - 【請求項３】 請求項２において、前記ルミネセンス物
質と電極との間に誘電体層が配設されていることを特徴
とする装置。 - 【請求項４】 請求項１において、前記ルミネセンス物
質が、誘電体物質及び半導体物質からなるグループから
選択された物質からなる基板上の層として配列されてお
り、前記誘電体物質がガラス、石英、サファイヤ及びプ
ラスチックを包含していることを特徴とする装置。 - 【請求項５】 請求項１において、前記ルミネセンス物
質がシリコン基板上に配設されていることを特徴とする
装置。 - 【請求項６】 請求項５において、前記シリコン基板が
単結晶であることを特徴とする装置。 - 【請求項７】 請求項６において、前記シリコン基板が
ドープされていることを特徴とする装置。 - 【請求項８】 請求項６において、前記シリコン基板が
集積回路を有することを特徴とする装置。 - 【請求項９】 請求項６において、前記ルミネセンス物
質が前記シリコン基板上にエピタキシャル構成体を形成
していることを特徴とする装置。 - 【請求項１０】 請求項１において、前記ルミネセンス
物質がドープされていることを特徴とする装置。 - 【請求項１１】 シリコン基板とその上に配設されたル
ミネセンス物質層とを有する装置を製造する方法におい
て、前記シリコン基板上にカルシウム層を付着形成し、
加熱によりカルシウムをシリコン内に表面的に合金化さ
せ、且つ合金層がシロキセンへ変換されることを特徴と
する方法。 - 【請求項１２】 請求項１１において、前記変換がＨＣ
Ｌを含有する液体で処理し且つその後に洗浄することに
より行なわれることを特徴とする方法。 - 【請求項１３】 請求項１２において、前記変換のため
にエタノールとＨ2ＯとＨＣｌとの混合物を使用し且つ
前記洗浄をエーテルで実施することを特徴とする方法。 - 【請求項１４】 請求項１３において、前記処理溶液
が、６０容積部のエタノールと、１１容積部のＨ2 Ｏ
と、２容積部のＨＣｌの氷で冷却した混合物であること
を特徴とする方法。 - 【請求項１５】 請求項１１において、前記処理が酸素
及び光のない状態で実施することを特徴とする方法。 - 【請求項１６】 基板とその上に配設したルミネセンス
物質層とを有する装置を製造する方法において、ガス相
反応によりシロキセンを発生させ且つ基板上に付着形成
させることを特徴とする方法。 - 【請求項１７】 請求項１６において、前記ガス相反応
がレーザ照射、ガス放電、熱作用及びそれらの組合わせ
を包含するグループから選択されたエネルギにより開始
されることを特徴とする方法。 - 【請求項１８】 請求項１１において、前記シロキセン
の水素の少なくとも一部を置換させることを特徴とする
方法。 - 【請求項１９】 請求項１８において、前記置換物が、
ハロゲン、アルコール、ＯＨ及びその他の互換性のある
単原子基を有するグループから選択されたものであるこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項２０】 請求項１８において、前記置換が局所
的に選択的な態様で実施されることを特徴とする方法。 - 【請求項２１】 請求項１１において、再結合中心及び
／又はドーピング原子がシロキセン内に組込まれること
を特徴とする方法。 - 【請求項２２】 請求項２１において、前記反応中心が
シロキセン又はシロキセン誘導体の層内に局所的に選択
的な態様で組込まれることを特徴とする方法。 - 【請求項２３】 基板及びシロキセンとシロキセン誘導
体からなるグループから選択したルミネセンス（蛍光
体）物質からなる層を有することを特徴とするディスプ
レイ。 - 【請求項２４】 基板及びシロキセンとシロキセン誘導
体からなるグループから選択したルミネセンス（蛍光
体）物質からなる層を有することを特徴とする画像変換
器。 - 【請求項２５】 基板及びシロキセンとシロキセン誘導
体からなるグループから選択したルミネセンス（蛍光
体）物質からなる層を有することを特徴とする光学電気
装置。 - 【請求項２６】 基板及びシロキセンとシロキセン誘導
体からなるグループから選択したルミネセンス（蛍光
体）物質からなる層を有することを特徴とする集積化光
学装置。 - 【請求項２７】 シロキセンとシロキセン誘導体からな
るグループから選択したルミネセンス物質を有すること
を特徴とするシンチレータ装置。 - 【請求項２８】 シロキセンとシロキセン誘導体からな
るグループから選択したルミネセンス物質を有すること
を特徴とする蛍光ランプ。 - 【請求項２９】 レーザ活性物質を有しており、前記レ
ーザ活性物質がシロキセンとシロキセン誘導体からなる
グループから選択した物質を有することを特徴とするレ
ーザ。 - 【請求項３０】 シロキセン及びシロキセン誘導体から
なるグループから選択したルミネセンス物質を具備する
エネルギ変換に有用な光電装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4139852A DE4139852A1 (de) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | Optische einrichtung mit einem lumineszenten material und verfahren zu ihrer herstellung |
| DE4139852.1 | 1991-12-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06145660A true JPH06145660A (ja) | 1994-05-27 |
Family
ID=6446173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4324425A Pending JPH06145660A (ja) | 1991-12-03 | 1992-12-03 | ルミネセンス物質を有する装置及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5578379A (ja) |
| EP (1) | EP0545388B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06145660A (ja) |
| DE (2) | DE4139852A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007262574A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-10-11 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体原料及び蛍光体原料用合金の製造方法 |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5707745A (en) | 1994-12-13 | 1998-01-13 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor organic light emitting devices |
| US6548956B2 (en) | 1994-12-13 | 2003-04-15 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
| US5703436A (en) | 1994-12-13 | 1997-12-30 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
| US6358631B1 (en) | 1994-12-13 | 2002-03-19 | The Trustees Of Princeton University | Mixed vapor deposited films for electroluminescent devices |
| FI100758B (fi) * | 1996-09-11 | 1998-02-13 | Planar Internat Oy Ltd | Menetelmä ZnS:Mn-loisteainekerroksen kasvattamiseksi ohutkalvoelektrol uminenssikomponentteja varten |
| US5792509A (en) * | 1997-02-07 | 1998-08-11 | Industrial Technology Research Institute | Phosphor particle with antireflection coating |
| US6330262B1 (en) | 1997-05-09 | 2001-12-11 | The Trustees Of Princeton University | Organic semiconductor lasers |
| US6160828A (en) * | 1997-07-18 | 2000-12-12 | The Trustees Of Princeton University | Organic vertical-cavity surface-emitting laser |
| US6111902A (en) * | 1997-05-09 | 2000-08-29 | The Trustees Of Princeton University | Organic semiconductor laser |
| DE10014287A1 (de) | 2000-03-26 | 2001-09-27 | Guenther Vogg | Schichtförmige Germaniumpolymere, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung in optoelektronischen Bauelementen |
| JPWO2006009073A1 (ja) * | 2004-07-16 | 2008-05-01 | 株式会社豊田中央研究所 | シリコンナノシート、ナノシート溶液及びその製造方法、ナノシート含有複合体、並びに、ナノシート凝集体 |
| TWI251931B (en) * | 2004-12-29 | 2006-03-21 | Advanced Chip Eng Tech Inc | Imagine sensor with a protection layer |
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| JP2010508620A (ja) | 2006-09-12 | 2010-03-18 | キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド | 所定のパターンを表示するために有用なエレクトロルミネセントディスプレイ |
| KR101995371B1 (ko) | 2008-04-03 | 2019-07-02 | 삼성 리서치 아메리카 인코포레이티드 | 양자점들을 포함하는 발광 소자 |
| US9525148B2 (en) | 2008-04-03 | 2016-12-20 | Qd Vision, Inc. | Device including quantum dots |
| US20100057068A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | Kwangyeol Lee | Gold nanostructure and methods of making and using the same |
| CN103999244B (zh) | 2011-08-05 | 2017-02-15 | 沃斯特克公司 | 具有纳米结构化层的发光二极管及制造和使用方法 |
| WO2013109157A1 (en) | 2012-01-18 | 2013-07-25 | Wostec, Inc. | Arrangements with pyramidal features having at least one nanostructured surface and methods of making and using |
| WO2014142700A1 (en) | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Wostec Inc. | Polarizer based on a nanowire grid |
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