JPH06140303A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JPH06140303A JPH06140303A JP28562392A JP28562392A JPH06140303A JP H06140303 A JPH06140303 A JP H06140303A JP 28562392 A JP28562392 A JP 28562392A JP 28562392 A JP28562392 A JP 28562392A JP H06140303 A JPH06140303 A JP H06140303A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multilayer film
- exposure apparatus
- projection exposure
- reflective
- reflecting mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】露光強度の低下を避けながら、マスク寿命が長
いＸ線投影露光装置を提供する。 【構成】反射型マスク２のパターンを、反射鏡３、４か
らなる結像光学系により基板５に転写するＸ線投影露光
装置において、反射型マスク２の反射面６が反射鏡３、
４の反射面７を構成する多層膜より耐熱性のよい第１の
多層膜で形成され、反射鏡３、４の反射面７が第１の多
層膜より反射率の高い第２の多層膜で構成される。 【効果】反射率と耐熱性の点から最適なＸ線投影露光装
置が構成され、Ｘ線投影露光装置のコスト低減の効果が
大きい。
いＸ線投影露光装置を提供する。 【構成】反射型マスク２のパターンを、反射鏡３、４か
らなる結像光学系により基板５に転写するＸ線投影露光
装置において、反射型マスク２の反射面６が反射鏡３、
４の反射面７を構成する多層膜より耐熱性のよい第１の
多層膜で形成され、反射鏡３、４の反射面７が第１の多
層膜より反射率の高い第２の多層膜で構成される。 【効果】反射率と耐熱性の点から最適なＸ線投影露光装
置が構成され、Ｘ線投影露光装置のコスト低減の効果が
大きい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、投影露光装置、更に詳
しく言えば、半導体集積回路等の製造工程におけるリソ
グラフィ技術に使用するＸ線又は真空紫外線と反射型光
学系を用いる投影露光装置に関する。
しく言えば、半導体集積回路等の製造工程におけるリソ
グラフィ技術に使用するＸ線又は真空紫外線と反射型光
学系を用いる投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】リソグラフィ技術に使用するマスク上に
描かれた半導体集積回路等のパターンを半導体集積回路
の基板に転写する投影露光装置においては、解像度と焦
点深度が重要である。一般に、結像光学系の開口数をＮ
Ａ、露光波長をλとすると、解像度Ｒと焦点深度ＤＯＦ
は次式で与えられる。
描かれた半導体集積回路等のパターンを半導体集積回路
の基板に転写する投影露光装置においては、解像度と焦
点深度が重要である。一般に、結像光学系の開口数をＮ
Ａ、露光波長をλとすると、解像度Ｒと焦点深度ＤＯＦ
は次式で与えられる。
【０００３】 Ｒ＝ｋ1λ／ＮＡ （１） ＤＯＦ＝ｋ2λ／ＮＡ2 （２） ただし、ｋ1、ｋ2は定数である。現在、波長３６５ｎｍ
の水銀ｉ線とＮＡ０．５程度のレンズ光学系を用いて、
解像度０．３５μｍ、焦点深度１μｍが実現されてい
る。
の水銀ｉ線とＮＡ０．５程度のレンズ光学系を用いて、
解像度０．３５μｍ、焦点深度１μｍが実現されてい
る。
【０００４】半導体集積回路を高密度化するために、さ
らに高解像度の投影露光装置が要求されている。式
（１）から判るように、開口数ＮＡが大きいほど、ある
いは露光波長λが短いほど解像度Ｒは向上する。しかし
開口数ＮＡを大きくすると、式（２）にしたがって焦点
深度ＤＯＦが低下するので、この方法による高解像度化
は限界がある。一方、露光波長を十数ｎｍないし数ｎｍ
のＸ線領域まで短波長化すると、焦点深度１μｍを確保
しながら解像度０．１μｍ以下を達成することが可能で
ある。しかし、Ｘ線領域では物質の屈折率が１に極めて
近いので、屈折型光学系の適用は困難であり、反射型光
学系を使用する必要がある。近年、屈折率の異なる２種
類の物質の薄膜を交互に多数積層した多層膜鏡が実用化
され、高反射率のＸ線反射が可能となってきた。そこ
で、多層膜反射型光学系を用いるＸ線投影露光装置の検
討が盛んに行なわれている。
らに高解像度の投影露光装置が要求されている。式
（１）から判るように、開口数ＮＡが大きいほど、ある
いは露光波長λが短いほど解像度Ｒは向上する。しかし
開口数ＮＡを大きくすると、式（２）にしたがって焦点
深度ＤＯＦが低下するので、この方法による高解像度化
は限界がある。一方、露光波長を十数ｎｍないし数ｎｍ
のＸ線領域まで短波長化すると、焦点深度１μｍを確保
しながら解像度０．１μｍ以下を達成することが可能で
ある。しかし、Ｘ線領域では物質の屈折率が１に極めて
近いので、屈折型光学系の適用は困難であり、反射型光
学系を使用する必要がある。近年、屈折率の異なる２種
類の物質の薄膜を交互に多数積層した多層膜鏡が実用化
され、高反射率のＸ線反射が可能となってきた。そこ
で、多層膜反射型光学系を用いるＸ線投影露光装置の検
討が盛んに行なわれている。
【０００５】従来のＸ線投影露光装置は、例えばJ.Vac.
Sci.Technol. B7, 第1648頁〜第1651頁 1989年に開示
されている。図４は、従来のＸ線投影露光装置における
光学系の構成を示す。電子蓄積リングから放射されるＸ
線４１は、コンデンサミラー（図示しない）で反射型マ
スク４２に集光される。反射型マスク４２は、非反射性
の基板上に反射面４６のパターンを形成したものであ
る。照明された反射型マスク４０上のパターンは、反射
鏡４３、４４で構成される結像光学系により基板４５上
に縮小投影される。ここで、反射型マスク４２と反射鏡
４３、４４の反射面４６は全て、モリブデン（Ｍｏ）と
ケイ素（Ｓｉ）を交互に積層したＭｏ／Ｓｉ多層膜４６
で形成され、露光波長は１３ｎｍである。また他のＸ線
投影露光装置が文献、オー・エス・エー プロシーディ
ング・オブ・ソフト・エックス・レイ プロジェクショ
ン リソグラフィー （OSA Proceedings of Soft-X-Ra
yProjection Lithography）第11頁〜第15頁 オプティ
カル ソサエティ オブアメリカ（Optica1 Society of
America）１２巻、1991年に開示されている。これは、
前記従来例と同一露光装置において、反射型マスクと反
射鏡の反射面をすべて、モリブデン（Ｍｏ）と炭化ホウ
素（Ｂ4Ｃ）を交互に積層したＭｏ／Ｂ4Ｃ多層膜で形成
したものであり、露光波長は１３ｎｍである。上記各従
来技術のＸ線投影露光装置では、反射型マスクと反射鏡
は同じ構成物質の多層膜で形成されている。
Sci.Technol. B7, 第1648頁〜第1651頁 1989年に開示
されている。図４は、従来のＸ線投影露光装置における
光学系の構成を示す。電子蓄積リングから放射されるＸ
線４１は、コンデンサミラー（図示しない）で反射型マ
スク４２に集光される。反射型マスク４２は、非反射性
の基板上に反射面４６のパターンを形成したものであ
る。照明された反射型マスク４０上のパターンは、反射
鏡４３、４４で構成される結像光学系により基板４５上
に縮小投影される。ここで、反射型マスク４２と反射鏡
４３、４４の反射面４６は全て、モリブデン（Ｍｏ）と
ケイ素（Ｓｉ）を交互に積層したＭｏ／Ｓｉ多層膜４６
で形成され、露光波長は１３ｎｍである。また他のＸ線
投影露光装置が文献、オー・エス・エー プロシーディ
ング・オブ・ソフト・エックス・レイ プロジェクショ
ン リソグラフィー （OSA Proceedings of Soft-X-Ra
yProjection Lithography）第11頁〜第15頁 オプティ
カル ソサエティ オブアメリカ（Optica1 Society of
America）１２巻、1991年に開示されている。これは、
前記従来例と同一露光装置において、反射型マスクと反
射鏡の反射面をすべて、モリブデン（Ｍｏ）と炭化ホウ
素（Ｂ4Ｃ）を交互に積層したＭｏ／Ｂ4Ｃ多層膜で形成
したものであり、露光波長は１３ｎｍである。上記各従
来技術のＸ線投影露光装置では、反射型マスクと反射鏡
は同じ構成物質の多層膜で形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】Ｘ線投影露光装置にお
いて露光強度を高めるためには、高反射率の多層膜を使
用する必要がある。図２は、上記の従来例で使用される
多層膜の反射率計算値を示す。Ｍｏ／Ｓｉ多層膜とＭｏ
／Ｂ4Ｃ多層膜のピーク反射率はそれぞれ７０％、６０
％である。多層膜反射面は３枚あるので、ウェハへの入
射Ｘ線強度とマスクへの入射Ｘ線強度との比は、Ｍｏ／
Ｓｉ多層膜では３４．３％、Ｍｏ／Ｂ4Ｃ多層膜で２
１．６％となる。したがって、露光強度に関しては、Ｍ
ｏ／Ｓｉ多層膜はＭｏ／Ｂ4Ｃ多層膜よりも有利であ
る。
いて露光強度を高めるためには、高反射率の多層膜を使
用する必要がある。図２は、上記の従来例で使用される
多層膜の反射率計算値を示す。Ｍｏ／Ｓｉ多層膜とＭｏ
／Ｂ4Ｃ多層膜のピーク反射率はそれぞれ７０％、６０
％である。多層膜反射面は３枚あるので、ウェハへの入
射Ｘ線強度とマスクへの入射Ｘ線強度との比は、Ｍｏ／
Ｓｉ多層膜では３４．３％、Ｍｏ／Ｂ4Ｃ多層膜で２
１．６％となる。したがって、露光強度に関しては、Ｍ
ｏ／Ｓｉ多層膜はＭｏ／Ｂ4Ｃ多層膜よりも有利であ
る。
【０００７】ところで、電子蓄積リングから放射される
ビームすなわちシンクロトロン放射光は、Ｘ線から可視
光にわたる連続波長光である。また、多層膜反射は干渉
効果を利用するので、図２に示したように反射波長帯域
が狭い。特に、反射型マスクはビームが最初に入射する
多層膜反射面であるので、入射ビームの大部分は吸収さ
れて熱に変換する。多層膜が加熱されると、層間で拡散
が生じたり界面の粗さが増加するので、反射率が低下す
る。多層膜の耐熱性は構成物質に依存するが、図３に示
すように、Ｍｏ／Ｂ4Ｃ多層膜はＭｏ／Ｓｉ多層膜より
も高温に耐えられる。したがって、反射型マスクの寿命
に関しては、Ｍｏ／Ｂ4Ｃ多層膜はＭｏ／Ｓｉ多層膜よ
りも有利である。上記のように従来のＸ線投影露光装置
では、露光強度とマスク寿命を両立させることが困難で
あった。本発明の目的は、露光強度の低下をできるだけ
避けながら、マスク寿命が長いＸ線投影露光装置を提供
することである。
ビームすなわちシンクロトロン放射光は、Ｘ線から可視
光にわたる連続波長光である。また、多層膜反射は干渉
効果を利用するので、図２に示したように反射波長帯域
が狭い。特に、反射型マスクはビームが最初に入射する
多層膜反射面であるので、入射ビームの大部分は吸収さ
れて熱に変換する。多層膜が加熱されると、層間で拡散
が生じたり界面の粗さが増加するので、反射率が低下す
る。多層膜の耐熱性は構成物質に依存するが、図３に示
すように、Ｍｏ／Ｂ4Ｃ多層膜はＭｏ／Ｓｉ多層膜より
も高温に耐えられる。したがって、反射型マスクの寿命
に関しては、Ｍｏ／Ｂ4Ｃ多層膜はＭｏ／Ｓｉ多層膜よ
りも有利である。上記のように従来のＸ線投影露光装置
では、露光強度とマスク寿命を両立させることが困難で
あった。本発明の目的は、露光強度の低下をできるだけ
避けながら、マスク寿命が長いＸ線投影露光装置を提供
することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、Ｘ線又は真空紫外線で照明された反射型
マスク上のパターンを反射鏡で構成される結像光学系に
より基板に転写する投影露光装置において、上記反射型
マスクの反射面を上記反射鏡の反射面を形成する物質よ
り耐熱性のよい第１の物質で形成し、上記反射鏡の反射
面を上記第１の物質物質より反射率の高い第２の物質で
形成した。好ましい実施形態として、上記反射型マスク
及び反射鏡の反射面は多層膜で形成し、反射率の優れた
多層膜として、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｗ、Ｒｅ等の重元素
とＢｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ等の軽元素を交互に積層したも
の、耐熱性のよい多層膜として上記重元素と炭化物、窒
化物、ホウ化物のいずれかの化合物を交互に積層したも
のが使用される。
め、本発明は、Ｘ線又は真空紫外線で照明された反射型
マスク上のパターンを反射鏡で構成される結像光学系に
より基板に転写する投影露光装置において、上記反射型
マスクの反射面を上記反射鏡の反射面を形成する物質よ
り耐熱性のよい第１の物質で形成し、上記反射鏡の反射
面を上記第１の物質物質より反射率の高い第２の物質で
形成した。好ましい実施形態として、上記反射型マスク
及び反射鏡の反射面は多層膜で形成し、反射率の優れた
多層膜として、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｗ、Ｒｅ等の重元素
とＢｅ、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ等の軽元素を交互に積層したも
の、耐熱性のよい多層膜として上記重元素と炭化物、窒
化物、ホウ化物のいずれかの化合物を交互に積層したも
のが使用される。
【０００９】
【作用】反射型マスクの反射面は耐熱性に優れた多層膜
で形成されるので、寿命が向上する。一方、反射鏡の反
射面は高反射率の多層膜で形成されるので、高い露光強
度が得られる。
で形成されるので、寿命が向上する。一方、反射鏡の反
射面は高反射率の多層膜で形成されるので、高い露光強
度が得られる。
【００１０】
【実施例】以下本発明の実施例を詳細に説明する。図１
は本発明によるＸ線投影露光装置の一実施例の要部構成
を示す図である。電子蓄積リングから放射されるＸ線１
は、コンデンサミラー（図示しない）で反射型マスク２
に集光される。照明された反射型マスク２上の反射面６
のパターンは、反射鏡３、４で構成される結像光学系に
より半導体集積回路の基板５上に縮小投影される。反射
型マスク２は、非反射性のガラス基板上にＭｏ／Ｂ4Ｃ
多層膜６のパターンを形成したものである。Ｍｏ／Ｂ4
Ｃ多層膜は、厚さ２.５ｎｍのＭｏ薄膜と厚さ４.２ｎｍ
のＢ4Ｃ薄膜を各５０層交互に形成したものである。ま
た、反射鏡３、４の反射面としてＭｏ／Ｓｉ多層膜７が
形成されている。Ｍｏ／Ｓｉ多層膜は、厚さ２.５ｎｍ
のＭｏ薄膜と厚さ４.２ｎｍのＳｉ薄膜の各５０層から
構成される。露光波長は１３ｎｍである。
は本発明によるＸ線投影露光装置の一実施例の要部構成
を示す図である。電子蓄積リングから放射されるＸ線１
は、コンデンサミラー（図示しない）で反射型マスク２
に集光される。照明された反射型マスク２上の反射面６
のパターンは、反射鏡３、４で構成される結像光学系に
より半導体集積回路の基板５上に縮小投影される。反射
型マスク２は、非反射性のガラス基板上にＭｏ／Ｂ4Ｃ
多層膜６のパターンを形成したものである。Ｍｏ／Ｂ4
Ｃ多層膜は、厚さ２.５ｎｍのＭｏ薄膜と厚さ４.２ｎｍ
のＢ4Ｃ薄膜を各５０層交互に形成したものである。ま
た、反射鏡３、４の反射面としてＭｏ／Ｓｉ多層膜７が
形成されている。Ｍｏ／Ｓｉ多層膜は、厚さ２.５ｎｍ
のＭｏ薄膜と厚さ４.２ｎｍのＳｉ薄膜の各５０層から
構成される。露光波長は１３ｎｍである。
【００１１】図２及び図３はそれぞれＭｏ／Ｂ4Ｃ多層
膜及びＭｏ／Ｓｉ多層膜の反射率の温度及び波長に対す
る依存性を示す。図３に示すように、Ｍｏ／Ｂ4Ｃ多層
膜はＭｏ／Ｓｉ多層膜よりも耐熱性が高いので、反射型
マスクの寿命が長くなる。露光に不要な波長成分はほと
んど反射型マスクで吸収されるので、反射鏡に関しては
耐熱性の問題はない。また、図２に示したように、Ｍｏ
／Ｓｉ多層膜とＭｏ／Ｂ4Ｃ多層膜のピーク反射率はそ
れぞれ７０％、６０％である。多層膜反射面は、Ｍｏ／
Ｂ4Ｃ多層膜１枚とＭｏ／Ｓｉ多層膜２枚であるので、
ウェハへの入射Ｘ線強度とマスクへの入射Ｘ線強度との
比は、２９．４％となる。この数値は、すべての反射面
にＭｏ／Ｓｉ多層膜を使用する場合の３４．３％より小
さいが、すべての反射面にＭｏ／Ｂ4Ｃ多層膜を使用す
る場合の２１．６％より大きい。
膜及びＭｏ／Ｓｉ多層膜の反射率の温度及び波長に対す
る依存性を示す。図３に示すように、Ｍｏ／Ｂ4Ｃ多層
膜はＭｏ／Ｓｉ多層膜よりも耐熱性が高いので、反射型
マスクの寿命が長くなる。露光に不要な波長成分はほと
んど反射型マスクで吸収されるので、反射鏡に関しては
耐熱性の問題はない。また、図２に示したように、Ｍｏ
／Ｓｉ多層膜とＭｏ／Ｂ4Ｃ多層膜のピーク反射率はそ
れぞれ７０％、６０％である。多層膜反射面は、Ｍｏ／
Ｂ4Ｃ多層膜１枚とＭｏ／Ｓｉ多層膜２枚であるので、
ウェハへの入射Ｘ線強度とマスクへの入射Ｘ線強度との
比は、２９．４％となる。この数値は、すべての反射面
にＭｏ／Ｓｉ多層膜を使用する場合の３４．３％より小
さいが、すべての反射面にＭｏ／Ｂ4Ｃ多層膜を使用す
る場合の２１．６％より大きい。
【００１２】このように本実施例では、露光強度の低下
をできるだけ避けながら、反射型マスクの寿命向上が可
能である。
をできるだけ避けながら、反射型マスクの寿命向上が可
能である。
【００１３】なお、本発明は前述した実施例に限定され
るものではない。結像光学系の中に特に熱負荷の大きい
反射鏡があるならば、その反射面を耐熱性の優れた多層
膜で形成してもよい。また、多層膜の構成物質として
は、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｗ、Ｒｅなどの重元素とＢｅ、
Ｂ、Ｃ、Ｓｉなどの軽元素を組み合わせてもよい。特に
反射型マスクの多層膜を、炭化物、窒化物、ホウ化物等
の化合物で形成することが耐熱性の点で望ましい。多層
膜の形成法としては、マグネトロンスパッタ法、イオン
ビームスパッタ法、電子ビーム蒸着法、ＣＶＤ法などを
使用することができる。
るものではない。結像光学系の中に特に熱負荷の大きい
反射鏡があるならば、その反射面を耐熱性の優れた多層
膜で形成してもよい。また、多層膜の構成物質として
は、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｗ、Ｒｅなどの重元素とＢｅ、
Ｂ、Ｃ、Ｓｉなどの軽元素を組み合わせてもよい。特に
反射型マスクの多層膜を、炭化物、窒化物、ホウ化物等
の化合物で形成することが耐熱性の点で望ましい。多層
膜の形成法としては、マグネトロンスパッタ法、イオン
ビームスパッタ法、電子ビーム蒸着法、ＣＶＤ法などを
使用することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によると、
露光強度の低下をできるだけ避けながら、寿命が長い反
射型マスクを使用することが可能であり、リソグラフィ
コスト低減の効果が大きい。
露光強度の低下をできるだけ避けながら、寿命が長い反
射型マスクを使用することが可能であり、リソグラフィ
コスト低減の効果が大きい。
【図１】本発明によるＸ線投影露光装置の一実施例の要
部構成を示す図である。
部構成を示す図である。
【図２】多層膜の反射率と波長の関係を説明する図であ
る。
る。
【図３】多層膜の反射率と温度の関係を説明する図であ
る。
る。
【図４】従来のＸ線投影露光装置の構成を示す図であ
る。
る。
【符号の説明】 １…Ｘ線、 ２…反射型マス
ク、３、４…反射鏡、 ５…基板、６
…Ｍｏ／Ｂ4Ｃ多層膜、 ７…Ｍｏ／Ｓｉ多層
膜、４１…Ｘ線、 ４２…反射型
マスク、４３、４４…反射鏡、 ４５…基
板、４６…Ｍｏ／Ｓｉ多層膜。
ク、３、４…反射鏡、 ５…基板、６
…Ｍｏ／Ｂ4Ｃ多層膜、 ７…Ｍｏ／Ｓｉ多層
膜、４１…Ｘ線、 ４２…反射型
マスク、４３、４４…反射鏡、 ４５…基
板、４６…Ｍｏ／Ｓｉ多層膜。
Claims (5)
- 【請求項１】Ｘ線又は真空紫外線で照明された反射型マ
スク上のパターンを、反射鏡で構成される結像光学系に
より基板に転写する投影露光装置において、上記反射型
マスクの反射面が上記反射鏡の反射面を形成する物質よ
り耐熱性のよい第１の物質で形成され、上記反射鏡の反
射面を形成する物質が上記第１の物質物質より反射率の
高い第２の物質で形成されたことを特徴とする投影露光
装置。 - 【請求項２】Ｘ線又は真空紫外線で照明された多層膜反
射型マスク上のパターンを、多層膜反射鏡で構成される
結像光学系により基板に転写する投影露光装置におい
て、上記反射型マスクの多層膜が上記反射鏡の多層膜よ
り耐熱性のよい第１の多層膜で形成され、上記反射鏡の
多層膜が上記第１の多層膜より反射率の高い第２の多層
膜で形成されたことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項３】請求項２記載の投影露光装置において、上
記第１の多層膜を構成する少なくとも１つの物質が上記
第２の１つの物質の融点より高い融点を持つことを特徴
とする投影露光装置。 - 【請求項４】請求項２又は３記載の投影露光装置におい
て、上記第１の多層膜が炭化物、窒化物、ホウ化物のい
ずれかを含むことを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項５】請求項２記載の投影露光装置において、上
記反射型マスクの多層膜がＭｏとＢ4Ｃを交互に積層し
た多層膜であり、上記反射鏡の多層膜がＭｏとＳｉを交
互に積層した多層膜であることを特徴とする投影露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28562392A JPH06140303A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28562392A JPH06140303A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140303A true JPH06140303A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17693931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28562392A Pending JPH06140303A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140303A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4833237A (en) * | 1984-07-31 | 1989-05-23 | Fuji Spinning Co., Ltd. | Process for producing granular porous chitosan |
| JP2009260183A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-05 | Asahi Glass Co Ltd | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法 |
| JP2010500776A (ja) * | 2006-08-16 | 2010-01-07 | サイマー インコーポレイテッド | Ｅｕｖ光学器械 |
-
1992
- 1992-10-23 JP JP28562392A patent/JPH06140303A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4833237A (en) * | 1984-07-31 | 1989-05-23 | Fuji Spinning Co., Ltd. | Process for producing granular porous chitosan |
| JP2010500776A (ja) * | 2006-08-16 | 2010-01-07 | サイマー インコーポレイテッド | Ｅｕｖ光学器械 |
| JP2009260183A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-05 | Asahi Glass Co Ltd | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法 |
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