JPH06132507A - 固体撮像素子とその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子とその製造方法Info
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- JPH06132507A JPH06132507A JP4305994A JP30599492A JPH06132507A JP H06132507 A JPH06132507 A JP H06132507A JP 4305994 A JP4305994 A JP 4305994A JP 30599492 A JP30599492 A JP 30599492A JP H06132507 A JPH06132507 A JP H06132507A
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- lens
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体撮像素子のオンチップレンズのレンズ形
状の制御性を高める。 【構成】 オンチップレンズ１１を、第１のレンズ材料
からなる芯部９と、第２のレンズ材料からなり該芯部９
側面に形成したサイドウォール１０とにより構成する。
状の制御性を高める。 【構成】 オンチップレンズ１１を、第１のレンズ材料
からなる芯部９と、第２のレンズ材料からなり該芯部９
側面に形成したサイドウォール１０とにより構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子、特にオ
ンチップレンズを有する固体撮像素子とその製造方法に
関する。
ンチップレンズを有する固体撮像素子とその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像素子として感度を良くするため
に各受光素子上方にオンチップレンズを形成したものが
ある。そして、従来においてオンチップレンズの形成
は、一般に、有機材料であるレジスト膜を塗布し、それ
に対して露光、現像処理を施してパターニングし、その
後、そのパターニングされたレジスト膜に対してリフロ
ー処理を施してレジスト膜の形状をドームに近い形状に
するという方法により行われた。
に各受光素子上方にオンチップレンズを形成したものが
ある。そして、従来においてオンチップレンズの形成
は、一般に、有機材料であるレジスト膜を塗布し、それ
に対して露光、現像処理を施してパターニングし、その
後、そのパターニングされたレジスト膜に対してリフロ
ー処理を施してレジスト膜の形状をドームに近い形状に
するという方法により行われた。
【０００３】また、リフロー処理後、エッチバックによ
りレンズ形状を転写する方法もオンチップレンズの形成
に用いられる場合が多い。いずれの方法をとるにせよ、
従来においてはリフローによりレンズ形状をつくるとい
うことが不可欠であり、そして、レンズ材料としてレジ
スト等の有機材料を用いることが不可欠であった。
りレンズ形状を転写する方法もオンチップレンズの形成
に用いられる場合が多い。いずれの方法をとるにせよ、
従来においてはリフローによりレンズ形状をつくるとい
うことが不可欠であり、そして、レンズ材料としてレジ
スト等の有機材料を用いることが不可欠であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、有機材料を
リフロー処理するというオンチップレンズの形成方法に
は、レンズ形状の制御性が悪いという問題があった。具
体的には、下地の表面状態、リフロー温度の微妙な狂い
等によりレンズの形状も狂い、図５に示すように隣接す
るレンズどうしがくっついてしまい（レンズショー
ト）、表面張力でレンズが浮き上ってしまうということ
が起きる。
リフロー処理するというオンチップレンズの形成方法に
は、レンズ形状の制御性が悪いという問題があった。具
体的には、下地の表面状態、リフロー温度の微妙な狂い
等によりレンズの形状も狂い、図５に示すように隣接す
るレンズどうしがくっついてしまい（レンズショー
ト）、表面張力でレンズが浮き上ってしまうということ
が起きる。
【０００５】これは、感度の向上を阻み、スミア、シェ
ーディングの増大をもたらすので好ましくないことはい
うまでもない。そして、このことが固体撮像素子の小型
化、高集積化、画素数増加を制約する要因となってい
た。
ーディングの増大をもたらすので好ましくないことはい
うまでもない。そして、このことが固体撮像素子の小型
化、高集積化、画素数増加を制約する要因となってい
た。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、固体撮像素子のレンズ形状の制御性
を高めることを目的とする。
されたものであり、固体撮像素子のレンズ形状の制御性
を高めることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の固体撮像素子
は、オンチップレンズが、第１のレンズ材料からなる芯
部と、第２のレンズ材料からなり該芯部側面に形成され
たサイドウォールとにより構成されたことを特徴とす
る。請求項２の固体撮像素子は、請求項１の固体撮像素
子において第２のレンズ材料が第１のレンズ材料よりも
屈折率が大きいことを特徴とする。
は、オンチップレンズが、第１のレンズ材料からなる芯
部と、第２のレンズ材料からなり該芯部側面に形成され
たサイドウォールとにより構成されたことを特徴とす
る。請求項２の固体撮像素子は、請求項１の固体撮像素
子において第２のレンズ材料が第１のレンズ材料よりも
屈折率が大きいことを特徴とする。
【０００８】請求項３の固体撮像素子は、請求項１又は
２の固体撮像素子において、第１のレンズ材料及び第２
のレンズ材料が無機物であることを特徴とする。請求項
４の固体撮像素子の製造方法は、芯部となる第１のレン
ズ材料を選択的に形成し、第２のレンズ材料を全面的に
形成し、該第２のレンズ材料をエッチバックすることに
より芯部の側面にサイドウォールとして残存させること
を特徴とする。
２の固体撮像素子において、第１のレンズ材料及び第２
のレンズ材料が無機物であることを特徴とする。請求項
４の固体撮像素子の製造方法は、芯部となる第１のレン
ズ材料を選択的に形成し、第２のレンズ材料を全面的に
形成し、該第２のレンズ材料をエッチバックすることに
より芯部の側面にサイドウォールとして残存させること
を特徴とする。
【０００９】請求項５の固体撮像素子の製造方法は、請
求項４の固体撮像素子の製造方法において、第２のレン
ズ材料に対するエッチバックを、エッチング深さが各オ
ンチップレンズ間部分に第２のレンズ材料の下地が露出
する前に停止することを特徴とする。
求項４の固体撮像素子の製造方法において、第２のレン
ズ材料に対するエッチバックを、エッチング深さが各オ
ンチップレンズ間部分に第２のレンズ材料の下地が露出
する前に停止することを特徴とする。
【００１０】
【作用】請求項１の固体撮像素子によれば、第１のレン
ズ材料からなる芯部と第２のレンズ材料からなり該芯部
の側面に形成されたサイドウォールによりオンチップレ
ンズを構成したので、サイドウォールによってオンチッ
プレンズを形成することができ、芯部の高さ、各芯部間
の距離を適宜に設定することによりより的確に各オンチ
ップレンズの大きさ、曲率を制御でき、隣接レンズ間の
ショートを防止することができる。
ズ材料からなる芯部と第２のレンズ材料からなり該芯部
の側面に形成されたサイドウォールによりオンチップレ
ンズを構成したので、サイドウォールによってオンチッ
プレンズを形成することができ、芯部の高さ、各芯部間
の距離を適宜に設定することによりより的確に各オンチ
ップレンズの大きさ、曲率を制御でき、隣接レンズ間の
ショートを防止することができる。
【００１１】請求項２の固体撮像素子によれば、オンチ
ップレンズの外寄りの部分、即ちサイドウォールが屈折
率の高い材料からなるので、オンチップレンズの中心部
から離れた部分に入射した光をより大きく屈折させて受
光素子に入射するようにすることができ、オンチップレ
ンズの集光効果をより強め、延いては感度の向上を図る
ことができる。
ップレンズの外寄りの部分、即ちサイドウォールが屈折
率の高い材料からなるので、オンチップレンズの中心部
から離れた部分に入射した光をより大きく屈折させて受
光素子に入射するようにすることができ、オンチップレ
ンズの集光効果をより強め、延いては感度の向上を図る
ことができる。
【００１２】請求項３の固体撮像素子によれば、第１の
レンズ材料及び第２のレンズ材料が無機物からなるの
で、有機物からなる場合よりも耐熱性に優れる。従っ
て、熱によりレンズ形状が崩れる虞れをなくすことがで
き、レンズ形状の制御性を更に高めることができる。請
求項４の固体撮像素子の製造方法によれば、芯部とその
サイドウォールによってレンズを形成するので、芯部の
高さ、各芯部の径を適宜に設定することによりより的確
に各オンチップレンズの大きさ、曲率を制御でき、隣接
レンズ間のショートを防止することができる。
レンズ材料及び第２のレンズ材料が無機物からなるの
で、有機物からなる場合よりも耐熱性に優れる。従っ
て、熱によりレンズ形状が崩れる虞れをなくすことがで
き、レンズ形状の制御性を更に高めることができる。請
求項４の固体撮像素子の製造方法によれば、芯部とその
サイドウォールによってレンズを形成するので、芯部の
高さ、各芯部の径を適宜に設定することによりより的確
に各オンチップレンズの大きさ、曲率を制御でき、隣接
レンズ間のショートを防止することができる。
【００１３】請求項５の固体撮像素子とその製造方法に
よれば、オンチップレンズ間に第２のレンズ材料の下地
が露出する前にサイドウォール形成のためのエッチバッ
クを停止するので、下地、例えばオンチップフィルタが
バックエッチにより破壊されるのを防止することができ
る。
よれば、オンチップレンズ間に第２のレンズ材料の下地
が露出する前にサイドウォール形成のためのエッチバッ
クを停止するので、下地、例えばオンチップフィルタが
バックエッチにより破壊されるのを防止することができ
る。
【００１４】
【実施例】以下、本発明固体撮像素子とその製造方法を
図示実施例に従って詳細に説明する。図１は本発明固体
撮像素子の一つの実施例を示す断面図である。図面にお
いて、１は半導体基板、２は熱酸化膜、３は多結晶シリ
コンからなる垂直転送レジスタ、４は層間絶縁膜、５は
アルミニウムからなる遮光部で、撮像領域の受光素子以
外の部分を覆っている。
図示実施例に従って詳細に説明する。図１は本発明固体
撮像素子の一つの実施例を示す断面図である。図面にお
いて、１は半導体基板、２は熱酸化膜、３は多結晶シリ
コンからなる垂直転送レジスタ、４は層間絶縁膜、５は
アルミニウムからなる遮光部で、撮像領域の受光素子以
外の部分を覆っている。
【００１５】６は撮像領域を全体的に覆うパシベーショ
ン膜、７は平坦化膜、８は該平坦化膜７上に形成された
色分解用オンチップカラーフィルタ、９は第１のレンズ
材料、例えば二酸化炭素ＳｉＯ2 からなる芯部、１０は
該芯部９の側面に形成された第２のレンズ材料、例えば
ナイトライドＳｉ3 Ｎ4 からなるサイドウォールで、該
芯部９及びその側面に形成されたサイドウォール１０に
よりオンチップレンズ１１が構成されている。
ン膜、７は平坦化膜、８は該平坦化膜７上に形成された
色分解用オンチップカラーフィルタ、９は第１のレンズ
材料、例えば二酸化炭素ＳｉＯ2 からなる芯部、１０は
該芯部９の側面に形成された第２のレンズ材料、例えば
ナイトライドＳｉ3 Ｎ4 からなるサイドウォールで、該
芯部９及びその側面に形成されたサイドウォール１０に
よりオンチップレンズ１１が構成されている。
【００１６】各オンチップレンズ１１の芯部９は各受光
素子の開口部上に位置されており、サイドウォール１０
は例えばライトドープトドレイン構造のＭＯＳＩＣの製
造に用いられるサイドウォール技術を駆使して形成され
る。従って、レンズ形状の制御性がきわめて高い。依っ
て、芯部の高さ、各芯部の径を適宜に設定することによ
りより的確に各オンチップレンズの大きさ、曲率を制御
でき、隣接レンズ間のショートを防止することができ
る。そして、オンチップレンズ１１を成す芯部９及びサ
イドウォール１０は、共にＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 という
無機材料からなるので、加熱処理によって形状が崩れる
虞れもない。
素子の開口部上に位置されており、サイドウォール１０
は例えばライトドープトドレイン構造のＭＯＳＩＣの製
造に用いられるサイドウォール技術を駆使して形成され
る。従って、レンズ形状の制御性がきわめて高い。依っ
て、芯部の高さ、各芯部の径を適宜に設定することによ
りより的確に各オンチップレンズの大きさ、曲率を制御
でき、隣接レンズ間のショートを防止することができ
る。そして、オンチップレンズ１１を成す芯部９及びサ
イドウォール１０は、共にＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 という
無機材料からなるので、加熱処理によって形状が崩れる
虞れもない。
【００１７】また、サイドウォール材料であるＳｉ3 Ｎ
4 は、芯部材料である第２のレンズ材料よりも屈折率が
大きい。従って、オンチップレンズの周縁部が屈折率が
高いので、オンチップレンズの中心部から離れた部分に
入射した光をより大きく屈折させて受光素子に入射する
ようにすることができ、オンチップレンズの集光効果を
より強め、延いては感度の向上を図ることができる。
4 は、芯部材料である第２のレンズ材料よりも屈折率が
大きい。従って、オンチップレンズの周縁部が屈折率が
高いので、オンチップレンズの中心部から離れた部分に
入射した光をより大きく屈折させて受光素子に入射する
ようにすることができ、オンチップレンズの集光効果を
より強め、延いては感度の向上を図ることができる。
【００１８】図２（Ａ）、（Ｂ）及び図３（Ａ）乃至
（Ｃ）は図１に示した固体撮像素子の製造方法の要部を
工程順に示すものであり、図２（Ａ）、（Ｂ）はオンチ
ップレンズの芯部を形成する方法を工程順に示す断面図
であり、図３（Ａ）乃至（Ｃ）はレンズのサイドウォー
ルを形成する方法を工程順に示す断面図である。先ず、
図２（Ａ）、（Ｂ）に従って、オンチップレンズ１１の
芯部９の形成方法を説明する。
（Ｃ）は図１に示した固体撮像素子の製造方法の要部を
工程順に示すものであり、図２（Ａ）、（Ｂ）はオンチ
ップレンズの芯部を形成する方法を工程順に示す断面図
であり、図３（Ａ）乃至（Ｃ）はレンズのサイドウォー
ルを形成する方法を工程順に示す断面図である。先ず、
図２（Ａ）、（Ｂ）に従って、オンチップレンズ１１の
芯部９の形成方法を説明する。
【００１９】（Ａ）公知の技術により撮像領域の受光素
子、転送電極３、遮光膜５、パシベーション膜６等を形
成し、更に平坦化膜７を形成し、更に、オンチップフィ
ルタ８を形成した後、該フィルタ８上に第１のレンズ材
料であるＳｉＯ2 膜９をデポジションする。その後、Ｓ
ｉＯ2 膜９の表面の芯部を形成すべき各部分に、具体的
には各受光素子の開口部上方にあたる部分にレジスト膜
１２を選択的に形成する。これは、レジスト膜１２の塗
布形成、露光現像処理により行うことはいうまでもな
い。図２（Ａ）はレジスト膜１２の選択的形成後の状態
を示す。
子、転送電極３、遮光膜５、パシベーション膜６等を形
成し、更に平坦化膜７を形成し、更に、オンチップフィ
ルタ８を形成した後、該フィルタ８上に第１のレンズ材
料であるＳｉＯ2 膜９をデポジションする。その後、Ｓ
ｉＯ2 膜９の表面の芯部を形成すべき各部分に、具体的
には各受光素子の開口部上方にあたる部分にレジスト膜
１２を選択的に形成する。これは、レジスト膜１２の塗
布形成、露光現像処理により行うことはいうまでもな
い。図２（Ａ）はレジスト膜１２の選択的形成後の状態
を示す。
【００２０】（Ｂ）次に、上記レジスト膜１２をマスク
としてＳｉＯ2 膜９をＲＩＥにより選択的にエッチング
し、その後、レジスト膜１２を除去する。図２（Ｂ）は
レジスト膜１２の除去後の状態を示す。この工程（Ｂ）
により各オンチップレンズ１１の芯部９が受光素子の開
口部上方に形成された状態になる。次に、図３（Ａ）乃
至（Ｃ）に従ってオンチップレンズ１１のサイドウォー
ル１０の形成方法を説明する。
としてＳｉＯ2 膜９をＲＩＥにより選択的にエッチング
し、その後、レジスト膜１２を除去する。図２（Ｂ）は
レジスト膜１２の除去後の状態を示す。この工程（Ｂ）
により各オンチップレンズ１１の芯部９が受光素子の開
口部上方に形成された状態になる。次に、図３（Ａ）乃
至（Ｃ）に従ってオンチップレンズ１１のサイドウォー
ル１０の形成方法を説明する。
【００２１】（Ａ）図３（Ａ）に示すように、芯部９上
も含めオンチップフィルタ８上に第２のレンズ材料であ
るＳｉ3 Ｎ4 膜１０を芯部９上を充分に覆うように厚く
形成する。 （Ｂ）次に、図３（Ｂ）に示すようにＳｉ3 Ｎ4 膜１０
を全面的にエッチバックする。この図３（Ｂ）はエッチ
バックの途中である。
も含めオンチップフィルタ８上に第２のレンズ材料であ
るＳｉ3 Ｎ4 膜１０を芯部９上を充分に覆うように厚く
形成する。 （Ｂ）次に、図３（Ｂ）に示すようにＳｉ3 Ｎ4 膜１０
を全面的にエッチバックする。この図３（Ｂ）はエッチ
バックの途中である。
【００２２】（Ｃ）そして、図３（Ｃ）に示すように、
第１のレンズ材料であるＳｉＯ2 からなる芯部９の表面
が露出した状態になるとエッチバックを終える。する
と、芯部９の側面に第２のレンズ材料からなるサイドウ
ォール１０が形成されたオンチップレンズ１１を有する
図１に示す固体撮像素子が出来る。
第１のレンズ材料であるＳｉＯ2 からなる芯部９の表面
が露出した状態になるとエッチバックを終える。する
と、芯部９の側面に第２のレンズ材料からなるサイドウ
ォール１０が形成されたオンチップレンズ１１を有する
図１に示す固体撮像素子が出来る。
【００２３】図４は図１の固体撮像素子の変形例を示す
断面図である。図１の固体撮像素子のように、芯部９の
上面が露出するまでエッチバックすると、エッチバック
によりオンチップフィルタ表面が各隣接オンチップレン
ズ間において若干破壊される虞れがある。そこで、その
虞れを防止するためにエッチバックを芯部９の上面が露
出する寸前においてエッチバックを終了するようにして
も良い。また、図４の二点鎖線に示すようにオンチップ
フィルタ８の形成後第１のレンズ材料デポジション前に
保護膜１３を形成してエッチバックによりオンチップフ
ィルタ８の表面が破壊されるのを防止するようにしても
良い。
断面図である。図１の固体撮像素子のように、芯部９の
上面が露出するまでエッチバックすると、エッチバック
によりオンチップフィルタ表面が各隣接オンチップレン
ズ間において若干破壊される虞れがある。そこで、その
虞れを防止するためにエッチバックを芯部９の上面が露
出する寸前においてエッチバックを終了するようにして
も良い。また、図４の二点鎖線に示すようにオンチップ
フィルタ８の形成後第１のレンズ材料デポジション前に
保護膜１３を形成してエッチバックによりオンチップフ
ィルタ８の表面が破壊されるのを防止するようにしても
良い。
【００２４】尚、上記実施例は本発明をオンチップカラ
ーフィルタを有する固体撮像素子に適用したものであっ
たが、本発明はオンチップカラーフィルタを有しない固
体撮像素子にも適用することができる。このような固体
撮像素子においては、オンチップレンズ１１は平坦化膜
７上に形成されることになり、オンチップカラーフィル
タの保護という配慮は必要としない。
ーフィルタを有する固体撮像素子に適用したものであっ
たが、本発明はオンチップカラーフィルタを有しない固
体撮像素子にも適用することができる。このような固体
撮像素子においては、オンチップレンズ１１は平坦化膜
７上に形成されることになり、オンチップカラーフィル
タの保護という配慮は必要としない。
【００２５】
【発明の効果】請求項１の固体撮像素子は、オンチップ
レンズが、第１のレンズ材料からなる芯部と、第２のレ
ンズ材料からなり該芯部側面のサイドウォールとにより
構成されたことを特徴とするものである。従って、請求
項１の固体撮像素子によれば、第１のレンズ材料からな
る芯部と第２のレンズ材料からなり該芯部の側面に形成
されたサイドウォールによりオンチップレンズを構成し
たので、サイドウォールによってオンチップレンズを形
成することができ、芯部の高さ、各芯部の径を適宜に設
定することによりより的確に各オンチップレンズの大き
さ、曲率を制御でき、隣接レンズ間のショートを防止す
ることができる。
レンズが、第１のレンズ材料からなる芯部と、第２のレ
ンズ材料からなり該芯部側面のサイドウォールとにより
構成されたことを特徴とするものである。従って、請求
項１の固体撮像素子によれば、第１のレンズ材料からな
る芯部と第２のレンズ材料からなり該芯部の側面に形成
されたサイドウォールによりオンチップレンズを構成し
たので、サイドウォールによってオンチップレンズを形
成することができ、芯部の高さ、各芯部の径を適宜に設
定することによりより的確に各オンチップレンズの大き
さ、曲率を制御でき、隣接レンズ間のショートを防止す
ることができる。
【００２６】請求項２の固体撮像素子は、第２のレンズ
材料が第１のレンズ材料よりも屈折率が大きいことを特
徴とするものである。従って、請求項２の固体撮像素子
によれば、オンチップレンズの外寄りの部分、即ちサイ
ドウォールが屈折率の高い材料からなるので、オンチッ
プレンズの中心部から離れた部分に入射した光をより大
きく屈折させて受光素子に入射するようにすることがで
き、オンチップレンズの集光効果をより強め、延いては
感度の向上を図ることができる。
材料が第１のレンズ材料よりも屈折率が大きいことを特
徴とするものである。従って、請求項２の固体撮像素子
によれば、オンチップレンズの外寄りの部分、即ちサイ
ドウォールが屈折率の高い材料からなるので、オンチッ
プレンズの中心部から離れた部分に入射した光をより大
きく屈折させて受光素子に入射するようにすることがで
き、オンチップレンズの集光効果をより強め、延いては
感度の向上を図ることができる。
【００２７】請求項３の固体撮像素子は、第１のレンズ
材料及び第２のレンズ材料が無機物であることを特徴と
するものである。従って、請求項３の固体撮像素子によ
れば、第１のレンズ材料及び第２のレンズ材料が無機物
からなるので、有機物からなる場合よりも耐熱性に優れ
る。従って、熱によりレンズ形状が崩れる虞れをなくす
ことができ、レンズ形状の制御性を更に高めることがで
きる。
材料及び第２のレンズ材料が無機物であることを特徴と
するものである。従って、請求項３の固体撮像素子によ
れば、第１のレンズ材料及び第２のレンズ材料が無機物
からなるので、有機物からなる場合よりも耐熱性に優れ
る。従って、熱によりレンズ形状が崩れる虞れをなくす
ことができ、レンズ形状の制御性を更に高めることがで
きる。
【００２８】請求項４の固体撮像素子の製造方法は、芯
部となる第１のレンズ材料を選択的に形成し、第２のレ
ンズ材料を全面的に形成し、該第２のレンズ材料をエッ
チバックすることにより芯部の側面にサイドウォールと
して残存させることを特徴とするものである。従って、
請求項４の固体撮像素子の製造方法によれば、レンズを
芯部とそのサイドウォールによって形成するので、芯部
の高さ、各芯部の径を適宜に設定することによりより的
確に各オンチップレンズの大きさ、曲率を制御でき、隣
接レンズ間のショートを防止することができる。
部となる第１のレンズ材料を選択的に形成し、第２のレ
ンズ材料を全面的に形成し、該第２のレンズ材料をエッ
チバックすることにより芯部の側面にサイドウォールと
して残存させることを特徴とするものである。従って、
請求項４の固体撮像素子の製造方法によれば、レンズを
芯部とそのサイドウォールによって形成するので、芯部
の高さ、各芯部の径を適宜に設定することによりより的
確に各オンチップレンズの大きさ、曲率を制御でき、隣
接レンズ間のショートを防止することができる。
【００２９】請求項５の固体撮像素子の製造方法は、第
２のレンズ材料に対する異方性エッチングを、エッチン
グ深さが各オンチップレンズ間部分に第２のレンズ材料
の下地が露出する前に停止することを特徴とするもので
ある。従って、請求項５の固体撮像素子の製造方法によ
れば、各隣接オンチップレンズ間に第２のレンズ材料の
下地が露出する前にサイドウォール形成のための異方性
エッチングを停止するので、下地、例えばオンチップフ
ィルタがエッチバックにより破壊されるのを防止するこ
とができる。
２のレンズ材料に対する異方性エッチングを、エッチン
グ深さが各オンチップレンズ間部分に第２のレンズ材料
の下地が露出する前に停止することを特徴とするもので
ある。従って、請求項５の固体撮像素子の製造方法によ
れば、各隣接オンチップレンズ間に第２のレンズ材料の
下地が露出する前にサイドウォール形成のための異方性
エッチングを停止するので、下地、例えばオンチップフ
ィルタがエッチバックにより破壊されるのを防止するこ
とができる。
【図１】本発明固体撮像素子の一つの実施例を示す断面
図である。
図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）は図１の固体撮像素子のオンチ
ップレンズの芯部の形成方法を工程順に示す断面図であ
る。
ップレンズの芯部の形成方法を工程順に示す断面図であ
る。
【図３】（Ａ）乃至（Ｃ）は図１の固体撮像素子のオン
チップレンズのサイドウォールの形成方法を工程順に示
す断面図である。
チップレンズのサイドウォールの形成方法を工程順に示
す断面図である。
【図４】図１の固体撮像素子の変形例を示す断面図であ
る。
る。
【図５】発明が解決しようとする問題点を示す断面図で
ある。
ある。
１ 半導体基板 ７ 平坦化膜 ８ オンチップフィルタ ９ 芯部 １０ サイドウォール １１ オンチップレンズ
Claims (5)
- 【請求項１】 各受光素子上にオンチップレンズを有す
る固体撮像素子において、 上記オンチップレンズが、第１のレンズ材料からなる芯
部と、第２のレンズ材料からなり該芯部側面に形成され
たサイドウォールとにより構成されたことを特徴とする
固体撮像素子 - 【請求項２】 第２のレンズ材料が第１のレンズ材料よ
りも屈折率が大きいことを特徴とする請求項１記載の固
体撮像素子 - 【請求項３】 第１のレンズ材料及び第２のレンズ材料
が無機物であることを特徴とする請求項１又は２記載の
固体撮像素子 - 【請求項４】 撮像領域の平坦化膜上又は該平坦化膜表
面のオンチップフィルタ上に第１のレンズ材料からなる
芯部を各受光素子中央部上に位置するように選択的に形
成し、 次に、上記芯部を含め撮像領域の平坦化膜上又は該平坦
化膜表面のオンチップフィルタ上に第２のレンズ材料を
該芯部を充分に覆うように形成し、 その後、上記第２のレンズ材料に対してエッチバック処
理を施すことにより第２のレンズ材料が芯部の側面にサ
イドウォールとして残存した状態にすることを特徴とす
る固体撮像素子の製造方法 - 【請求項５】 第２のレンズ材料に対する異方性エッチ
ングを、エッチング深さが各オンチップレンズ間部分に
第２のレンズ材料の下地が露出する前に停止することを
特徴とする請求項４記載の固体撮像素子の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30599492A JP3277952B2 (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 固体撮像素子の製造方法とオンチップレンズの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30599492A JP3277952B2 (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 固体撮像素子の製造方法とオンチップレンズの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132507A true JPH06132507A (ja) | 1994-05-13 |
| JP3277952B2 JP3277952B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=17951797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30599492A Expired - Fee Related JP3277952B2 (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 固体撮像素子の製造方法とオンチップレンズの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3277952B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100410594B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2003-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 씨모스 이미지센서의 제조방법 |
-
1992
- 1992-10-19 JP JP30599492A patent/JP3277952B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100410594B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2003-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 씨모스 이미지센서의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3277952B2 (ja) | 2002-04-22 |
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