JPH06132413A - Semiconductor package - Google Patents

Semiconductor package

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Publication number
JPH06132413A
JPH06132413A JP28137492A JP28137492A JPH06132413A JP H06132413 A JPH06132413 A JP H06132413A JP 28137492 A JP28137492 A JP 28137492A JP 28137492 A JP28137492 A JP 28137492A JP H06132413 A JPH06132413 A JP H06132413A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ring
sealing
preform
sealing operation
sealing material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28137492A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsuhiro Sakuma
光廣 咲間
Taku Kikuchi
卓 菊池
Ikuo Yoshida
育生 吉田
Hiroshi Kikuchi
広 菊地
Toshihiko Sato
俊彦 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP28137492A priority Critical patent/JPH06132413A/en
Publication of JPH06132413A publication Critical patent/JPH06132413A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To eliminate a leak due to the difference between an internal pressure and an external pressure in a sealing operation and to achieve the reliability of the sealing operation by a method wherein, in the sealing operation using a sealing material composed of an Au-Sn eutectic alloy, the wettability of the sealing material is improved and a ring-shaped preform is used for the sealing operation. CONSTITUTION:A semiconductor package is formed in such a way that a cap 2 and a chip carrier substrate 1 are sealed with a ring-shaped sealing material (a ring preform) 4 in which a cutout 3 or a stepped part has been formed. Since an internal gas is removed from the cutout or the stepped part, it is possible to prevent a leak defect even when an internal pressure is exerted in a sealing operation.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体パッケージに関
し、特に、AuーSn共晶合金などよりなる濡れ性の悪
いリング状の封止材を用いて封止する場合に有効な封止
技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package, and more particularly, to a sealing technique effective when sealing is performed using a ring-shaped sealing material having poor wettability, such as Au-Sn eutectic alloy.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体パッケージの気密封止方法の1つ
として、PbーSnはんだによる流し込み封止がある
が、それに代わるものとして、AuーSn共晶合金(例
えば、Au−20Snの組成からなる)よりなる封止材
を用いた封止方法が検討されている。当該方式の一例
は、ガラス封止よりも低い300〜350℃の封止温度
で、キャップとマイクロチップキャリア(MCC)ベー
スを接合するもので、量産性に優れ、材料コストも比較
的低いものになる。
2. Description of the Related Art One of the methods for hermetically sealing a semiconductor package is a flow-sealing method using Pb-Sn solder. As an alternative method, an Au-Sn eutectic alloy (for example, Au-20Sn composition is used. The sealing method using the sealing material consisting of An example of the method is to bond a cap and a microchip carrier (MCC) base at a sealing temperature of 300 to 350 ° C., which is lower than that of glass sealing, and has excellent mass productivity and relatively low material cost. Become.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、AuーSn共
晶合金よりなる封止材を用いた封止では、当該封止材の
濡れ性が悪いという欠点がある。そこで、上記のような
流し込み封止では、濡れ性の悪いAuーSnはんだなど
の場合、リング状のプリフォーム(リングプリフォー
ム)により封止する必要があるが、封止されるときの内
圧と外圧の差からリークが生じるという問題点がある。
すなわち、封止の弱い部分が生じるなど、封止の信頼性
を欠如することがある。本発明は、かかる従来技術の有
する欠点を解消し、リーク不良を防止して、封止の信頼
性を確保することを目的とする。本発明の前記ならびに
そのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および
添付図面からあきらかになるであろう。
However, the encapsulation using the Au-Sn eutectic alloy encapsulant has a drawback that the encapsulant has poor wettability. Therefore, in the flow-in sealing as described above, in the case of Au-Sn solder or the like having poor wettability, it is necessary to seal with a ring-shaped preform (ring preform). There is a problem that leakage occurs due to the difference in external pressure.
That is, the reliability of the sealing may be lacking, such as the occurrence of a weakly sealed portion. It is an object of the present invention to eliminate the drawbacks of the prior art, prevent leak defects, and ensure the reliability of sealing. The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。本発明のリングプリフォームは、プ
リフォームの一部を除去する形で切り込みを設けあるい
は段差を設けて、封止するときにその部分からガスが抜
けるようにしたものである。
The outline of the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. The ring preform of the present invention is provided with a notch or a step so as to remove a part of the preform so that gas can escape from the part when sealing.

【0005】[0005]

【作用】従来の切り込みあるいは段差を設けていないリ
ングプリフォームでは、封止されるときの内圧と外圧の
差からリーク不良が生じるが、上記構成の本発明による
リングプリフォームでは、切り込みを設けあるいは段差
を設けて封止するときにその部分からガスが抜けるよう
にしたので、封止の際に内圧がかかってもリーク不良を
防止することができる。
In the conventional ring preform having no cuts or steps, a leak failure occurs due to the difference between the internal pressure and the external pressure when the ring is sealed. Since the gas is allowed to escape from the portion when the step is provided and sealing is performed, a leak defect can be prevented even if internal pressure is applied during sealing.

【0006】[0006]

【実施例】以下図面を参照しながら本発明の実施例につ
いて説明する。 実施例1.図1は、本発明の一実施例を示す。MCC基
体1とキャップ2の間に、切り込み3を付けたリングプ
リフォーム4を置き、当該プリフォームの融点以上の温
度に設定した炉体を通して、MCC基体1とキャップ2
を封止する。このとき、当該プリフォーム4の切り込み
部分3から内部ガスが抜けて、その後に、封止されるの
で、封止の際に内圧がかかってもリーク不良を防止する
ことができる。尚、図1にて、5は予備はんだである。
MCC基体1は、MCCベース6とチップ7とを備えて
成る。チップ7は、例えばシリコン単結晶基板から成
り、周知の技術によってその内部には多数の回路素子が
形成され、1つの回路機能が与えられている。回路素子
の具体例は、例えばMOSトランジスタから成り、これ
らの回路素子によって、例えば論理回路およびメモリの
回路機能が形成されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Example 1. FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. A ring preform 4 having a notch 3 is placed between the MCC substrate 1 and the cap 2, and the MCC substrate 1 and the cap 2 are passed through a furnace body set to a temperature equal to or higher than the melting point of the preform.
Is sealed. At this time, since the internal gas escapes from the cut portion 3 of the preform 4 and is then sealed, a leak failure can be prevented even if internal pressure is applied during sealing. In FIG. 1, 5 is a preliminary solder.
The MCC substrate 1 comprises an MCC base 6 and a chip 7. The chip 7 is made of, for example, a silicon single crystal substrate, has a large number of circuit elements formed therein by a well-known technique, and is given one circuit function. A specific example of the circuit element includes, for example, a MOS transistor, and these circuit elements form a circuit function of a logic circuit and a memory, for example.

【0007】実施例2.図2に示す実施例は、図1の平
板状のリングプリフォーム4の代わりに、断面が円形
の、切り込み8を付けた針金状リングプリフォーム9を
用いる例を示す。この場合も、同様にリーク不良を防止
することができる。
Example 2. The embodiment shown in FIG. 2 shows an example in which a wire-shaped ring preform 9 having a circular cross section and having a cut 8 is used instead of the flat plate-shaped ring preform 4 of FIG. Also in this case, it is possible to prevent the leak failure.

【0008】実施例3.図3は、切り込みの代わりに、
プリフォームの一部に段差をつけたリングプリフォーム
を用いる実施例を示す。図3(A)に示すものは、リン
グの一辺に切断された段差10を有するリングプリフォ
ーム11の実施例で、また、図3(B)に示すものは、
リングの二辺に盛り上がった段差12,12を有するリ
ングプリフォーム13の実施例を示す。
Embodiment 3. FIG. 3 shows that instead of the notch,
An example of using a ring preform in which a step is provided on a part of the preform is shown. What is shown in FIG. 3 (A) is an embodiment of a ring preform 11 having a step 10 cut on one side of the ring, and what is shown in FIG. 3 (B) is
An example of a ring preform 13 having raised steps 12 and 12 on two sides of the ring is shown.

【0009】実施例4.図4に示す実施例は、同図
(A)に示すような、肉厚の薄い通常のリングプリフォ
ーム14と実施例1に示す切り込み3付きリングプリフ
ォーム4を、同図(B)に示すように重ね合わせる実施
例を示す。このようにすると、より一層封止の確実性が
増す。
Example 4. The embodiment shown in FIG. 4 shows an ordinary thin ring preform 14 as shown in FIG. 4A and the ring preform 4 with the notch 3 shown in Embodiment 1 in FIG. 4B. An example of overlapping is shown below. By doing so, the reliability of the sealing is further increased.

【0010】図5(A)は、組立後の半導体パッケージ
の外観図である。図5(B)は、MCC基体1の要部外
観図で、同図にて15はリードである。以上本発明者に
よってなされた発明を実施例にもとずき具体的に説明し
たが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは
いうまでもない。例えば、前記実施例では、MCC基体
とキャップの間に、リングプリフォームを設置する例を
示したが、リングプリフォームをキャップなどに蒸着し
たり、予備はんだを付けておいて封止する形態でもよ
い。以上の説明では主として本発明者によってなされた
発明をその背景となった利用分野であるMCC半導体パ
ッケージに適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではなく、他の封止はんだを用いる半導体
パッケージなどにも適用できる。
FIG. 5A is an external view of the semiconductor package after assembly. FIG. 5 (B) is an external view of the main part of the MCC substrate 1, in which reference numeral 15 is a lead. Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments,
It goes without saying that various changes can be made without departing from the spirit of the invention. For example, in the above-described embodiment, an example in which the ring preform is installed between the MCC substrate and the cap has been shown, but the ring preform may be vapor-deposited on the cap or the like, or pre-solder may be attached to seal the ring preform. Good. In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to the MCC semiconductor package which is the field of application which is the background has been described, but the invention is not limited to this, and a semiconductor using another sealing solder. It can also be applied to packages.

【0011】[0011]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。本発明によれば、封止の際のリーク
不良を防止することができ、封止の信頼性を確保でき
る。本発明は、AuSn共晶合金など濡れ性の悪いはん
だを用いた封止に対して有効である。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. According to the present invention, it is possible to prevent leakage failure during sealing and ensure sealing reliability. The present invention is effective for sealing using solder having poor wettability such as AuSn eutectic alloy.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は、本発明の一実施例を示す組立構成斜視
図、
FIG. 1 is a perspective view of an assembled structure showing an embodiment of the present invention,

【図2】図2は、本発明の他の一実施例を示すリングプ
リフォームの斜視図、
FIG. 2 is a perspective view of a ring preform showing another embodiment of the present invention,

【図3】図3(A)、(B)は、それぞれ本発明のさら
に他の一実施例を示す段差をつけたリングプリフォーム
の斜視図、
3 (A) and 3 (B) are perspective views of a ring preform with steps, showing still another embodiment of the present invention.

【図4】図4(A)は、リングプリフォームを2層にす
る前の構成図、同(B)は、リングプリフォームを2層
にした構成図、
FIG. 4 (A) is a configuration diagram before the ring preform has two layers, and FIG. 4 (B) is a configuration diagram in which the ring preform has two layers.

【図5】図5(A)は、半導体パッケージ外観図、同
(B)は、MCC基体要部構成図、
5A is an external view of a semiconductor package, FIG. 5B is a configuration diagram of a main part of an MCC substrate,

【符合の説明】[Explanation of sign]

1・・・MCC基体 2・・・キャップ 3・・・切り込み 4・・・リングプリフォーム 5・・・予備はんだ 6・・・MCCベース 7・・・チップ 8・・・切り込み 9・・・針金状リングプリフォーム 10・・・段差 11・・・リングプリフォーム 12・・・段差 13・・・リングプリフォーム 14・・・リングプリフォーム 15・・・リード 1 ... MCC base 2 ... Cap 3 ... Notch 4 ... Ring preform 5 ... Pre-solder 6 ... MCC base 7 ... Chip 8 ... Notch 9 ... Wire Ring preform 10 ... Step 11 ... Ring preform 12 ... Step 13 ... Ring preform 14 ... Ring preform 15 ... Lead

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菊地 広 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 佐藤 俊彦 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Hiroshi Kikuchi 2326 Imai, Ome City, Tokyo Metropolitan Area, Hitachi Device Development Center (72) Inventor Toshihiko Sato 2326 Imai, Ome City, Tokyo Hitachi Device Development Center Within

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】キャップとチップキャリア基体とを、切り
込みあるいは段差を設けたリング状の封止材により封止
して成ることを特徴とする半導体パッケージ。
1. A semiconductor package characterized in that a cap and a chip carrier base are sealed with a ring-shaped sealing material having cuts or steps.
【請求項2】キャップとチップキャリア基体とを、切り
込みあるいは段差を設けたリング状の封止材と平坦なリ
ング状の封止材とを重ね合わせて封止して成ることを特
徴とする半導体パッケージ。
2. A semiconductor device characterized in that a cap and a chip carrier substrate are sealed by stacking a ring-shaped sealing material having cuts or steps and a flat ring-shaped sealing material on top of each other. package.
JP28137492A 1992-10-20 1992-10-20 Semiconductor package Pending JPH06132413A (en)

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