JPH061294B2 - 焦点検出装置を備えたカメラ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はカメラ等の焦点検出装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、一眼レフ・カメラ等の焦点検出装置は、撮影レン
ズの２つの互いに異なる瞳領域を通過した光束が形成す
る２つの像を、２列のセンサ列１対で受光して光電変換
し、その出力である像信号の相対位置変位を求めること
により、撮影レンズの焦点はずれ量いわゆるデフオーカ
ス量を検出するという方式が一般的である。この場合、
一対のセンサは被写体空間の特定の領域の輝度分布のみ
を抽出するために、その領域に輝度分布を有しない被写
体ではデフオーカス量を検出することができない。

そこでセンサ対とそれに対応する焦点検出光学系を複数
用意して、複数の被写体領域の輝度分布を抽出する事に
よって、より多くの被写体に対して焦点検出を可能とす
る方法が、特公昭59−28886号、特開昭62−212611号と
して知られ、又本出願人によっても特願昭62−234895号
等で多数提案されている。

〔発明が解決しようとしている問題点〕

ところで、センサが蓄積型の場合、その出力信号を処理
系のダイナミツクレンジに納めるために、被写体輝度に
応じて蓄積時間を適正に制御する必要があるが、前記の
ようにセンサ対が複数ある方式において、同一の蓄積時
間で総てのセンサを同時に蓄積終了させると、各々のセ
ンサ対が抽出する被写体の空間領域が互いに異なるた
め、輝度が異なる場合があり、それ故得られる像信号の
レンジが処理系に対して不適正となる場合がある。

例えば、被写体のある部分の輝度が高くて、その部分に
対応しているセンサ対に合わせて早めに蓄積を終了させ
ると、他の暗い部分に対応したセンサからはほとんど被
写体パターンが得られないという不都合になる。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は上記のような問題の解消を目的としており、複
数のセンサ対それぞれ独立に被写体輝度のモニタ機能と
蓄積終了機能を持たせ、それによって各センサ対毎に適
正な蓄積制御を行わせるようにしたものである。

ところで、複数のセンサ列を同一基板上に配したセンサ
チツプを考えた場合、端子数の制約から、一つの共通出
力を設け、外部からの読み出しクロツクに応じて、チツ
プ上での配置からあらかじめ決められた順序で各センサ
列の光電変換信号が順次出力される、という構造が一般
的である。

従って、上記構造のセンサチツプを用いた焦点検出装置
では、上記の如く各センサ列が抽出する被写体の空間領
域が互いに異なり、輝度が異なる場合に、各センサの蓄
積時間を制御させても、例えば出力の順番の遅いセンサ
が時間的に早く蓄積終了しても、順番の早いセンサの蓄
積が終了しない限り光電変換信号を出力する事ができ
ず、それ故のみによって無駄な待ち時間を費してしまう
ことになる。

本発明は上記の様な問題点の解消を目的としており、各
センサーでの蓄積が終了した場合他のセンサーでの蓄積
が継続中であっても、蓄積が終了したセンサーでの蓄積
電荷を読み出して焦点検出演算を蓄積動作が終了したセ
ンサー順で順次行われる様にしたものである。

［実施例］ 本発明の実施例を第１図以降の図面に沿って説明してゆ
く。

第１図は本発明の焦点検出装置に用いられる光学系を表
している。

同図において、ＦＬＮＳは対物レンズ（撮影レンズ）、
ＭＳＫは対物レンズの予定焦点面の近傍に配置された視
野マスク、ＦＬＤＬは同じくフイールドレンズ（ＭＩ
１，ＭＩ２）（ＭＯ１，ＭＯ２）は対物レンズＦＬＮＳ
の光軸に対して対称に、かつ基線長を異にして直交に配
置された２対の２次光学系である。本実施例では、２次
光学系（ＭＩ１，ＭＩ２）に対して（ＭＯ１，ＭＯ２）
の基線長を長く採る構成をしている。

（ＳＮＳＩ１，ＳＮＳＩ２）は前記レンズ（ＭＩ１，Ｍ
Ｉ２）に対応してその後方に配置されたセンサ列対、
（ＳＮＳＯ１，ＳＮＳＯ２）は同じく前記レンズ（ＭＯ
１，ＭＯ２）に対応してその後方に配置されたセンサ列
対である。（ＤＰＩ１，ＤＰＩ２）は前記レンズ（ＭＩ
１，ＭＩ２）に、（ＤＰＯ１，ＤＰＯ２）は前記レンズ
（ＤＰＯ１，ＤＰＯ２）のそれぞれ対応して配置された
絞りである。

フイールドレンズＦＬＤＬは絞り（ＤＰＩ１，ＤＰＩ
２）を対物レンズＦＬＮＳの射出瞳領域（ＡＲＩ１，Ａ
ＲＩ２）に、同様に絞り（ＤＰＯ１，ＤＰＯ２）を領域
（ＡＲＯ１，ＡＲＯ２）に結像させる作用を有してお
り、領域（ＡＲＩ１，ＡＲＩ２）を通過した光束センサ
列（ＳＮＳＩ１，ＳＮＳＩ２）に、領域（ＡＲＯ１，Ａ
ＲＯ２）を通過した光束がセンサ列（ＳＮＳＯ１，ＳＮ
ＳＯ２）にそれぞれ入射するようになっている。

この第１図に示す焦点検出系では、対物レンズＦＬＮＳ
の焦点が予定焦点面より前方にある場合、各センサ列対
上に形成される被写体像は互いに近付いた状態になり、
焦点が後方にある場合には、被写体像は互いに離れた状
態になる。この被写体像の相対位置変位量は対物レンズ
の焦点外れ量と特定の関数関係にあるため、各センサ列
対でそのセンサ出力に対してそれぞれ適当な演算を施せ
ば、対物レンズの焦点外れ量（デフオーカス量）を検出
することが出来る。

このような光学系では、センサ列対（ＳＮＳＩ１，ＳＮ
ＳＩ２）は被写体の縦方向の光量分布を抽出し、逆にセ
ンサ列対（ＳＮＳＯ１，ＳＮＳＯ２）は横方向の光量分
布を抽出するため、様々な被写体のパターンに対応する
ことができる。また縦方向の２次光学系（ＭＯ１，ＭＯ
２）の基線長を横方向の２次光学系（ＭＩ１，ＭＩ２）
に比較して長く採ってるため、同一デフオカースにおい
て、縦方向の被写体像のほうの相対位置変位置が大き
く、従って縦方向では横方向に比較して精度の高い焦点
検出を行うことができる。逆に横方向では相対位置変位
量が小さいため、検出し得る位置変位量が同じだとする
と、縦方向に比較して大きなデフオーカス量を検出する
ことができることになる。

第２図は本発明の焦点検出装置を備えたカメラの実施例
を示す回路図であり、先ず各部の構成について説明す
る。

図において、ＰＲＳはカメラの制御装置で、例えば、内
部にＣＰＵ（中央処理装置）、ＲＯＭ，ＲＡＭ，Ａ／Ｄ
変換機能を有する１チツプのマイクロコンピユータであ
る。コンピユーターＰＲＳはＲＯＭに格納されたカメラ
のシーケンス・プログラムに従って、自動露出制御機
能、自動焦点調節機能、フイルムの巻き上げ・巻き戻し
等のカメラの一連の動作を行っている。そのために、コ
ンピユーターＰＲＳは通信用信号ＳＯ，ＳＩ，ＳＣＬ
Ｋ，通信選択信号ＣＬＣＭ，ＣＳＤＲ，ＸＤＤＲを用い
て、カメラ本体内の周辺回路およびレンズ内制御装置と
通信を行って、各々の回路やレンズの動作を制御する。

ＳＯはコンピユーターから出力されるデータ信号、ＳＩ
はコンピユーターＰＲＳに入力されるデータ信号、ＳＣ
ＬＫは信号ＳＯ，ＳＩの同期クロツクである。

ＬＣＭはレンズ通信バツフア回路であり、カメラが動作
中のときにはレンズ用電源端子ＶＬに電力を供給すると
ともに、コンピユーターＰＲＳからの選択信号ＣＬＣＭ
が高電位レベル（以下、“Ｈ”と略記し、低電位レベル
は“Ｌ”と略記する）のときには、カメラとレンズ間の
通信バツフアとなる。

コンピユーターＰＲＳがＣＬＣＭを“Ｈ”にして、ＳＣ
ＬＫに同期して所定のデータをＳＯから送出すると、バ
ツフア回路ＬＣＭはカメラ・レンズ間通信接点を介し
て、ＳＣＬＫ，ＳＯの各々のバツフア信号ＬＣＫ，ＤＣ
Ｌをレンズへ出力する。それと同時にレンズからの信号
ＤＬＣのバツフア信号をＳＩに出力し、コンピユーター
ＰＲＳはＳＣＬＫに同期してＳＩからレンズのデータを
入力する。

ＤＤＲはスイツチ検知および表示用回路であり、信号Ｃ
ＤＤＲが“Ｈ”のとき選択されて、ＳＯ，ＳＩ，ＳＣＬ
Ｋを用いてコンピユーターＰＲＳから制御される。即
ち、コンピユーターＰＲＳから送られてくるデータに基
づいてカメラの表示部材ＤＳＰの表示を切り替えたり、
カメラの各種操作部材のオン・オフ状態を通信によって
コンピユーターＰＲＳに報知する。

ＳＷ１，ＳＷ２は不図示のレリーズボタンに連動したス
イツチで、レリーズボタンの第一段階の押下によりＳＷ
１がオンし、引き続いて第２段階の押下でＳＷ２がオン
する。コンピユーターＰＲＳはＳＷ１オンで測光、自動
焦点調節を行い、ＳＷ２オンをトリガとして露出制御と
その後のフイルムの巻き上げを行う。

なお、ＳＷ２はマイクロコンピユーターであるＰＲＳの
「割り込み入力端子」に接続され、ＳＷ１オン時のプロ
グラム実行中でもＳＷ２オンによって割り込みがかか
り、直ちに所定の割り込みプログラムへ制御を移すこと
ができる。

ＭＴＲ１はフイルム給送用、ＭＴＲ２はミラーアツプ・
ダウンおよびシヤツタばねチヤージ用のモータであり、
各々の駆動回路ＭＤＲ１，ＭＤＲ２により正転、逆転の
制御が行われる。コンピユーターＰＲＳからＭＤＲ１，
ＭＤＲ２に入力されている信号Ｍ１Ｆ，Ｍ１Ｒ，Ｍ２
Ｆ，Ｍ２Ｒはモータ制御用の信号である。

ＭＧ１，ＭＧ２は各々シヤツタ先幕・後幕走行開始用マ
グネツトで、信号ＳＭＧ１，ＳＭＧ２、増幅トランジス
タＴＲ１，ＴＲ２で通電され、コンピユーターＰＲＳに
よりシヤツタ制御が行われる。

なお、スイツチ検知および表示用回路ＤＤＲ、モーター
駆動回路ＭＤＲ１，ＭＤＲ２、シヤツタ制御は、本発明
と直接関わりがないので、詳しい説明は省略する。

ＬＰＲＳはレンズ内制御回路で、該回路ＬＰＲＳにＬＣ
Ｋに同期して入力される信号ＤＣＬは、カメラから撮影
レンズＬＮＳに対する命令のデータであり、命令に対す
るレンズの動作は予め決められている。制御回路ＬＰＲ
Ｓは所定の手続きに従ってその命令を解析し、焦点調節
や絞り制御の動作や、出力ＤＬＣからレンズの各部動作
状況（焦点調節光学系の駆動状況や、絞りの駆動状態
等）や各種パラメータ（開放Ｆナンバ、焦点距離、デフ
オーカス量対焦点調節光学系の移動量の係数等）の出力
を行う。

実施例では、ズームレンズの例を示しており、カメラか
ら焦点調節の命令が送られた場合には、同時に送られて
くる駆動量・方向に従って焦点調節用モータＬＴＭＲを
信号ＬＭＦ，ＬＭＲによって駆動して、焦点調節光学系
を光軸方向に移動させて焦点調節を行う。光学系の移動
量は光学系に連動して回動するパルス板のパターンをフ
オトカプラーにて検出し移動量に応じた数のパルスを出
力するエンコーダ回路ＥＮＣＦのパルス信号ＳＥＮＣＦ
でモニタし、回路ＬＰＲＳ内のカウンタで計数し、該カ
ウント値が回路ＬＰＲＳに送られた移動量に一致した時
点でＬＰＲＳ自身が信号ＬＭＦ，ＬＭＲを“Ｌ”にして
モータＬＭＴＲを制御する。

このため、一旦カメラから焦点調節の命令が送られた後
は、カメラの制御装置コンピユーターＰＲＳはレンズの
駆動が終了するまで、レンズ駆動に関して全く関与する
必要がない。また、カメラから要求があった場合には、
上記カウンタの内容をカメラに送出することも可能な構
成になっている。

カメラから絞り制御の命令が送られた場合には、同時に
送られてくる絞り段数に従って、絞り駆動用としては公
知のステツピング・モータＤＭＴＲを駆動する。なお、
ステツピング・モータはオープン制御を可能なため、動
作をモニタするためのエンコーダを必要としない。

ＥＮＣＺはズーム光学系に付随したエンコーダ回路であ
り、回路ＬＰＲＳはエンコーダー回路ＥＮＣＺからの信
号ＳＥＮＣＺを入力してズーム位置を検出する。制御回
路ＬＰＲＳ内には各ズーム位置におけるレンズ・パラメ
ータが格納されており、カメラ側のコンピユーターＰＲ
Ｓから要求があった場合には、現在のズーム位置に対応
したパラメータをカメラに送出する。

ＳＰＣは撮影レンズを介した被写体からの光を受光す
る。露光制御用の測光センサであり、その出力ＳＳＰＣ
はコンピユーターＰＲＳのアナログ入力端子に入力さ
れ、Ａ／Ｄ変換後、所定のプログラムに従って自動露光
制御に用いられる。

ＳＤＲは焦点検出用ラインセンサ装置ＳＮＳの駆動回路
であり、信号ＣＳＤＲが“Ｈ”のときに選択されて、Ｓ
Ｏ，ＳＩ，ＳＣＬＫを用いてコンピユーターＰＲＳから
制御される。

駆動回路ＳＤＲからセンサ装置ＳＮＳへ与える信号φＳ
ＥＬは、コンピユーターＰＲＳからの信号ＳＥＬそのも
ので、縦方向のセンサ列対（ＳＮＳＯ１，ＳＮＳＯ２）
と横方向のセンサ列対（ＳＮＳＩ１，ＳＮＳＩ２）の像
信号出力のいずれかを選択する信号であり、φＳＥＬ
（ＳＥＬ）が“Ｈ”のとき縦方向が選択され、蓄積終了
後にクロツクφＳＨ，φＨＲＳに同期してセンサ列ＳＮ
ＳＯ１，次にＳＮＳＯ２の像信号が出力ＶＯＵＴからシ
リアルに出力される。φＳＥＬ（ＳＥＬ）が“Ｌ”のと
きには、横方向が選択されて、ＳＮＳＩ１，ＳＮＳＩ２
の順にその像信号が出力される。

ＶＰＯは縦方向センサ列（ＳＮＳＯ１，ＳＮＳＯ２）の
近傍に配置された被写体輝度モニタ用センサからのモニ
タ信号で、ＶＰＩは同じく横方向のモニタ信号である。
ＶＰＯ，ＶＰＩは蓄積開始とともにその電位が上昇し、
これによって各センサ列の蓄積制御が行われる。

信号φＲＥＳ，φＶＲＳはセンサのリセツト用クロツ
ク、φＨＲＳ，φＳＨ、は像信号の読みだし用クロツ
ク、φＴＯ，φＴＩは蓄積を終了させるためのクロツク
である。

駆動回路ＳＤＲの出力ＶＩＤＥＯは、センサ装置ＳＮＳ
からの像信号ＶＯＵＴと暗電流出力の差をとったのち、
被写体の輝度によって決定されるゲインで増幅された増
信号である。上記暗電流出力とは、センサ列中の遮光さ
れた画素の出力値であり、ＳＤＲはコンピユーターＰＲ
Ｓからの信号ＤＳＨによってコンデンサにその出力を保
持して号信号との差動増幅を行う。ＶＩＤＥＯはコンピ
ユーターＰＲＳのアナログ入力端子に接続されており、
コンピユーターＰＲＳは同信号をＡ／Ｄ変換後、そのデ
イジタル値をＲＡＭ上に所定アドレスに順次格納してゆ
く。

／ＴＩＮＴＥＯ，／ＴＩＮＴＥＩはそれぞれ縦方向セン
サ列（ＳＮＳＯ１，ＳＮＳＯ２）、横方向センサ列（Ｓ
ＮＳＩ１，ＳＮＳＩ２）に蓄積された電荷が適正になっ
たことを表す信号で、コンピユーターＰＲＳはこれを受
けて像信号の読みだしを実行する。

ＢＴＩＭＥはＳＤＲ内の像信号増幅アンプのゲイン決定
のタイミングを与える信号で、通常ＳＤＲはこの信号が
“Ｈ”となった時点でのＶＰＯあるいはＶＰＩの電圧か
ら、上記アンプのゲインを決定する。

ＣＫ１，ＣＫ２は上記φＲＥＳ，φＶＲＳ，φＨＲＳ，
φＳＨを生成するためのクロツクである。

コンピユーターＰＲＳが信号ＣＳＤＲを“Ｈ”として所
定の「蓄積開始コマンド」をＳＤＲＲに送出することに
よってセンサ装置ＳＮＳの蓄積動作が開始される。

これより縦方向、横方向のセンサで被写体像の光電変換
が行われ、センサの光電変換素子部には電荷が蓄積され
る。同時に縦方向、横方向の輝度モニタ用センサの出力
ＶＰＯ，ＶＰＩが上昇してゆき、この電位が所定のレベ
ルに達すると、ＳＤＲは上記信号／ＴＩＮＴＥＯ，／Ｔ
ＩＮＴＥＩがそれぞれ独立に“Ｌ”となる。

コンピユーターＰＲＳはこれを受けてクロツクＣＫ２に
所定の波形を出力する。駆動回路ＳＤＲはＣＫ２に基づ
いてクロツクφＳＨ，φＨＲＳを生成してセンサー装置
ＳＮＳに与え、センサー装置ＳＮＳは前記クロツクによ
って像信号を出力し、ＰＲＳは自ら出力しているＣＫ２
に同期して内部のＡ／Ｄ変換機能でアナログ入力端子に
入力されているＶＩＤＥＯを、Ａ／Ｄ変換後デイジタル
信号として、ＲＡＭの所定アドレスに順次格納する。

以上説明してきた回路構成のうち、特に本発明に関わる
センサ装置ＳＮＳとセンサ駆動回路ＳＤＲについて、更
に詳細な構成を第３図で説明する。

センサ装置ＳＮＳ内のＳＮＳＰＸＯ１，ＳＮＳＰＸＯ２
は縦方向の像信号検出用のセンサ列対、ＳＮＳＰＸＩ
１，ＳＮＳＰＸＩ２は同じく横方向のセンサ列対であ
り、それぞれ第１図のＳＮＳＯ１，ＳＮＳＯ２，ＳＮＳ
Ｉ１，ＳＮＳＩ２に対応している。ＤＲＣＫＴＯ１，Ｄ
ＲＣＫＴＯ２，ＤＲＣＫＴＩ１，ＤＲＣＫＴＩ２は各セ
ンサ列の制御並に読出用の回路である。ＳＮＳＳＲＯ
１，ＳＮＳＳＲＯ２，ＳＮＳＳＲＩ１，ＳＮＳＳＲＩ２
はセンサ列の各画素に蓄積された電荷信号を順次出力さ
せるためのシフトレジスタである。さらに、ＡＧＣＰＸ
Ｏ１，ＡＧＣＰＸＯ２は縦方向の被写体輝度モニタ用の
センサ列対、ＡＧＣＰＸＩ１，ＡＧＣＰＸＩ２は同じく
横方向のモニタ用のセンサ列対であり、それぞれ対応す
る像信号検出用センサ列に近接して平行にかつ互いに点
対称に配置されている。ＡＧＣＣＫＴＯ１，ＡＧＣＣＫ
ＴＯ２，ＡＧＣＣＫＴＩ１，ＡＧＣＣＫＴＩ２はモニタ
用各センサ列の読出用の回路である。

上記センサの構成および動作について第４図でさらに詳
細に説明する。

本実施例のセンサ列は、本出願人により、特開昭60−12
579号〜特開昭60−12765号公報等に開示されているフオ
トトランジスタ・アレイからなる蓄積型光電変換素子列
で構成されている。

同光電変換素子は公知のＣＣＤセンサやＭＯＳセンサと
は異なり、入射光に比例した電荷をトランジスタのベー
ス部に蓄積し、読み出しに際しては、各素子毎に蓄積電
荷量に応じた信号を出力する。上記光電変換素子単体の
動作については、上記公報等に開示されているので、詳
しい説明は省略する。

同図において、光電変換素子であるバイボーラ・トラン
ジスタＴＲ１のベースに接続されたＰ−チヤンネルＭＯ
ＳトランジスタＭＯＳ５のゲートは共通に接続されて、
センサのリセツト用クロツクφＲＥＳ′が入力される。
同ＭＯＳトランジスタのソースも共通に接続されて、定
電位ＶＢＧが供給されている。

ＴＲ１のエミツタに接続されたＭＯＳトランジスタＭＯ
Ｓ８のゲートは共通に接続されて、リセツト用クロツク
φＶＲＳ′が入力される。また、同エミツタはＭＯＳト
ランジスタＭＯＳ１１を介して、各々キヤパシタＣＴに
接続されており、各キヤパシタＣＴの電荷はそれぞれＭ
ＯＳトランジスタＭＯＳ１２を介して、出力アンプＳＮ
ＳＡＭＰに入力される。

また、ＭＯＳ１２はシフトレジスタＳＮＳＳＲにより順
次オンされる。レジスターＳＮＳＳＲは入力される読出
用クロツクφＳＨ′により、“Ｈ”となる信号端が順次
シフトしてゆくように構成されている。

ＭＯＳ１１のゲートは共通に接続され、蓄積終了用クロ
ツクφＴ＊′が入力される。（＊はＯあるいはＩで、Ｏ
の場合は縦方向、Ｉの場合は横方向用センサに対応す
る）また、出力アンプＳＮＳＡＭＰの入力はＭＯＳトラ
ンジスタＭＯＳ１４を介してＧＮＤに接続されている。
ＭＯＳ１４のゲートには読出用クロツクφＨＲＳ′が入
力されている。

光電変換素子としてのバイボーラ・トランジスタＴＲ２
のベースに接続されたＰ−チヤンネルＭＯＳトランジス
タＭＯＳ６のゲートも共通に接続されて、ＭＯＳ５と同
じくセンサのリセツト用クロツクφＲＥＳ′が入力さ
れ、同ＭＯＳトランジスタのソースも共通に接続され
て、定電位ＶＢＧが供給されている。

ＴＲ２のエミツタは共通に接続されて、出力アンプＡＧ
ＣＡＭＰに入力される。

また、出力アンプＡＧＣＡＭＰの入力はＭＯＳトランジ
スタＭＯＳ９を介してＧＮＤに接続されている。ＭＯＳ
９のゲートにはリセツト用クロツクφＶＲＳ′が入力さ
れている。

一点鎖線で示したブロツクＳＮＳＰＸが像信号検出用の
センサ列であり、光電変換素子となる複数のバイポーラ
・トランジスタＴＲ１から構成される。ブロツクＤＲＣ
ＫＴがセンサ列ＳＮＳＰＸの制御および読出回路であ
り、複数のＭＯＳトランジスタＭＯＳ５，ＭＯＳ１１，
ＭＯＳ１２およびキヤパシタＣＴ，さらに出力アンプＳ
ＮＳＡＭＰ，ＭＯＳトランジスタＭＯＳ１４から構成さ
れる。

同じく一点鎖線で示したブロツクＡＧＣＰＸが輝度モニ
タ用センサ列であり、複数のバイポーラ・トランジスタ
ＴＲ２から構成される。ブロツクＡＧＣＣＫＴがセンサ
列ＡＧＣＰＸの読出回路であり、複数のＭＯＳトランジ
スタＭＯＳ６と、さらに出力アンプＡＧＣＡＭＰ，ＭＯ
ＳトランジスタＭＯＳ９から構成される。

上記センサ列の動作を第５図（ａ）のタイミング・チヤ
ートに基づいて説明する。

同図中、ＳＣＬＫ，ＳＯ，ＣＫ１，ＣＫ２，ＢＴＩＭＥ
は制御装置ＰＲＳから駆動回路ＳＤＲに入力される制御
信号であり、φＲＥＳ，φＶＲＳ，φＴ０、φＴ１，φ
ＳＨ，φＨＲＳは駆動回路ＳＤＲからセンサ装置ＳＮＳ
に入力されるクロツク信号である。

クロツクφＲＥＳが第４図のφＲＥＳ′へ、φＶＲＳが
φＶＲＳ′へ、φＳＨがφＳＨ′へ、φＨＲＳがφＨＲ
Ｓ′へ供給される。

クロツク信号φＴＯ，φＴＩはそれぞれ縦方向センサ
列、横方向センサ列の蓄積終了クロツクであり、各セン
サ列には独立して供給される。第４図において、方向セ
ンサ列の場合にはφＴＯがφＴ＊′へ、横方向センサ列
の場合にはφＴＩがφＴ＊′へ供給される。

さて、時刻ｔ１でφＶＲＳとφＴＯ（φＴＩ）を“Ｈ”
とした後に、ｔ２でφＲＥＳを“Ｌ”とすることによ
り、総てのＰ−チヤンネルＭＯＳトランジスタＭＯＳ５
がオンとなり、各トランジスタＴＲ１のベースに電位Ｖ
ＢＧが印加される。これによって、ＴＲ１のベースの残
留電位がＶＢＧより小さければ、ベースに電荷が注入さ
れ、逆に大きければ余分な電荷は再結合され、最終的に
ベース電位をＶＢＧとする電荷がベースに保持される。

また、この間φＴＯ（φＴＩ）は“Ｈ”であるから、キ
ヤパシタＣＴ内の電荷もＭＯＳトランジスタＭＯＳ８を
介してクリアされる。

次に、時刻ｔ３でφＲＥＳが“Ｈ”になると、φＶＲＳ
は未だ“Ｈ”であるから、ベースに保持された電荷は徐
々に再結合して消滅してゆく。各ＴＲ１のベースには時
刻ｔ３でベース電位をＶＢＧとする電荷が保持されてい
たわけであるから、時刻ｔ４においてベースに残る電荷
量は、時刻ｔ２以前に保持されていた電荷量の多少に関
わらず、総てのＴＲ１で等しくなる。

時刻ｔ４にφＶＲＳ，φＴＯ（φＴＩ）が“Ｌ”になる
と、ＭＯＳ８，ＭＯＳ１１がオフとなり、この時点より
光励起により発生した電荷はトランジスタのベースに蓄
積されてゆく。時刻ｔ１からｔ４までの期間がセンサの
リセツト動作である。

所定の蓄積時間を経過し、時刻ｔ６からｔ７のφＴＯ
（φＴＩ）のパルスによって、パルス巾の時間だけＭＯ
Ｓ１１がオンし、ＴＲ１のベースに蓄積された電荷量に
応じた信号が、トランジスタ動作によってキヤパシタＣ
Ｔに移される。従って、このときにベースに蓄積されて
いる電荷は減少することなく、引続きＴＲ１はベースに
光励起された電荷を蓄積してゆく。

この後、先ず時刻ｔ８からｔ９でφＨＲＳが所定時間
“Ｈ”となることで、ＭＯＳ１４がその時間オンし、読
み出しラインＲＤＬＮの浮遊容量に残っていた電荷をＧ
ＮＤに流し、続いて時刻ｔ１０からｔ１１のφＳＨのパ
ルスによって、シフトレジスタＳＮＳＳＲによる各ＭＯ
ＳトランジスタＭＯＳ１２の走査を開始する。ＭＯＳ１
２がオンすると、キヤパシタＣＴに保持されている信号
が読み出しラインＲＤＬＮと出力アンプＳＮＳＡＭＰを
介して、端子ＶＯＵＴ′に出力される。

以上の動作が繰り返すことによって、時刻ｔ４からｔ４
までの蓄積時間中に光電変換された信号を順次読み出す
ことが出来る。

このようにして、総てのトランジスタＴＲ１の信号の読
み出しが終了すると、再び時刻ｔ１からｔ４までのリセ
ツト動作を行って次の蓄積動作が開始される。

以上は像信号検出用のセンサ列の動作説明であったが、
被写体輝度モニタ用のセンサ列も同様に時刻ｔ１からｔ
４までのリセツト動作を行われる。

リセツト動作終了後の蓄積動作中は、電荷の蓄積に応じ
て各トランジスタＴＲ２のベース電位は徐々に上昇す
る。これにともなってＴＲ２のエミツタ電位も上昇して
ゆく。

ＴＲ２のエミツタは共通接続されているため、個々のＴ
Ｒ２のエミツタ電位の内、最も大きな電位が総てのＴＲ
２のエミツタ電位となり、この電位が出力アンプＡＧＣ
ＡＭＰを介して端子ＶＰ＊′に出力される。従って、Ｖ
Ｐ＊′は被写体輝度モニタ用センサ列に入射されている
被写体像の内、最も輝度の高い部分の輝度に応じた時変
信号となる。

ところで、上記リセツト動作を行うまでは、前述したよ
うに、トランジスタＴＲ１は電荷蓄積を継続しているわ
けであるから、時刻ｔ７以降の読み出し動作をもう一度
行うことによって、最後のリセツト動作からこれまでの
光電変換信号を再び取り出すことが出来る。そのような
動作タイミングを第５図（ｂ）に示す。

同図においては、先に説明した時刻ｔ１からｔ４までの
リセツト動作が行われず、読み出し動作のみを行ってい
る。このような動作を「非破壊蓄積」あるいは「非破壊
読み出し」と呼び、このような動作が可能であることは
本実施例のセンサの大きな特徴である。

第３図の説明に再び戻る。

第４図で説明したセンサ列は、縦方向に２本、横方向に
２本配置されているが、縦方向のセンサ列対（ＳＮＳＰ
ＸＯ１，ＳＮＳＰＸＯ２）の出力は接続されてＶｏｕｔ
Ｏとして、アナログ・スイツチＡＮＳＷ１に入力されて
いる。同様に、横方向（ＳＮＳＰＸＩ１，ＳＮＳＰＸＩ
２）の出力はＶｏｕｔＩとしてＡＮＳＷ１′に入力され
ている。実際には、ＳＮＳＰＸＯ２の読出回路ＤＲＣＫ
ＴＯ２には出力アンプＳＮＳＡＭＰがなく、ＤＲＣＫＴ
Ｏ２の読み出しラインＲＤＬＮが、ＶｏｕｔＯ２として
ＳＮＳＰＸＯ１の読出回路ＤＲＣＫＴＯ１の読み出しラ
インに接続され、ＤＲＣＫＴＯ１の出力アンプの出力が
ＶｏｕｔＯとなる構成をしている。横方向のセンサ列対
も同様である。

アナログ・スイツチ対（ＡＮＳＷ１，ＡＮＳＷ１′）の
出力は結線され、出力Ｖｏｕｔとなり、これが像信号出
力である。同スイツチ対の制御信号はφＳＥＬであり、
φＳＥＬが“Ｈ”のときはＡＮＳＷ１が導通し、“Ｌ”
のときにはＡＮＳＷ′が導通する。従って、φＳＥＬが
“Ｈ”時にはＶｏｕｔには縦方向センサ列の像信号Ｖｏ
ｕｔＯが、“Ｌ”時には横方向センサ列の像信号Ｖｏｕ
ｔＩが出力されることなる。

縦方向の被写体輝度モニタ用センサ列対（ＡＧＣＰＸＯ
１，ＡＧＣＰＸＯ２）の出力（ＶＰＯ１，ＶＰＯ２）は
抵抗を介してアンプＡＧＣＯＡＭＰに入力され、図のよ
うな回路構成をとることによって、その出力ＶＰＯは両
者を加算したものとなる。

横方向のモニタ用センサ列対も同様に、アンプＡＧＣＩ
ＡＭＰの出力ＶＰＩは出力（ＶＰＩ１，ＶＰＩ２）を加
算したものになる。

センサ駆動回路ＳＤＲからの信号φＲＥＳ，φＶＲＳ，
φＨＲＳはそのまま各読出回路に入力される。

φＳＨはアナログ・スイツチ対（ＡＮＳＷ２，ＡＮＳＷ
２′）の共通入力に入力され、ＡＮＳＷ２の出力は縦方
向のシフトレジスタＳＮＳＳＯ２の入力φＳＨ′へ、Ａ
ＮＳＷ２′の出力は横方向のシフトレジスタＳＮＳＳＲ
Ｉ２の入力φＳＨ′へ入力される。さらに、同スイツチ
対の制御信号はφＳＥＬであるため、φＳＥＬが“Ｈ”
のときはＡＮＳＷ２が導通して、φＳＨは縦方向のシフ
トレジスタのみに入力され、“Ｌ”のときはＡＮＳＷ
２′が導通してφＳＨは横方向のシフトレジスタにのみ
入力される。なお、縦方向のシフトレジスタＳＮＳＳＲ
Ｏ１の入力φＳＨ′にはシフトレジスタＳＮＳＳＲＯ２
の最終段からの信号が入力され、これによってＳＮＳＳ
ＲＯ２の走査が終了すると、引き続いてＳＮＳＳＲＯ１
の走査が行われることになる。横方向のシフトレジスタ
も同様である。

φＴＯは縦方向の読出回路（ＤＲＣＫＴＯ１，ＤＲＣＫ
ＴＯ２）の入力φＴ＊′に、φＴＩは横方向の読出回路
（ＤＲＣＫＴ１１ ＤＲＣＫＴ１２）の入力φＴ＊′に
入力される。

次に、センサ駆動回路ＳＤＲについて説明する。

ＳＮＳＬＯＧはクロツク生成用のロジツク回路であり、
コンピユーターＰＲＳから入力されるクロツクＣＫ１，
ＣＫ２に基づいて、センサのリセツト中にはφＲＥＳ，
φＶＲＳを出力し、読み出し中にはφＨＲＳ，φＳＨを
出力する。

ＡＧＣＯ，ＡＧＣＩはそれぞれ縦方向、横方向センサ列
の蓄積制御回路であり、この回路については第６図で説
明する。

第６図においてセンサ装置ＳＮＳからの輝度モニタセン
サ信号ＶＰＯあるいはＶＰＩ端子ＶＰ＊に入力され、コ
ンパレータ群ＡＣＭＰ１，ＡＣＭＰ２，ＡＣＭＰ３，Ａ
ＣＭＰ４の正入力に接続されている。同コンパレータ群
の負力には電位Ｖｒｅｆを抵抗分割した電位が入力され
ている。抵抗Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４は抵抗比
が、 Ｒ１１：Ｒ１２：Ｒ１３：Ｒ１４＝４：２：１：１ に設定されており、これによってコンパレータＡＣＭＰ
１の負入力にはＶｒｅｆが、ＡＣＭＰ２にはＶｒｅｆ／
２が、ＡＣＭＰ３にはＶｒｅｆ／４が、ＡＣＭＰ４には
Ｖｒｅｆ／８がそれぞれ入力されることになる。

従って、コンパレータ群の出力は、センサリセツト時に
は総て“Ｌ”であったものが、モニタ信号ＶＰ＊の電位
が時間と共に上昇してゆくと、ＡＣＭＰ４，ＡＣＭＰ
３，ＡＣＭＰ２，ＡＣＭＰ１の順で“Ｈ”となってゆ
く。

信号ＥＮＡＧＣが“Ｈ”のとき、複数のアナログ・スイ
ツチ対（ＡＮＳＷ１３，ＡＮＳＷ１３′）、（ＡＮＳＷ
１４，ＡＮＳＷ１４′）、（ＡＮＳＷ１５，ＡＮＳＷ１
５′）、（ＡＮＳＷ１６，ＡＮＳＷ１６′）の内、ＡＮ
ＳＷ１３，ＡＮＳＷ１４，ＡＮＳＷ１５，ＡＮＳＷ１６
が導通し、各コンパレータの出力がＡＮＤ１６，ＡＮＤ
１７，ＡＮＤ１８，ＡＮＤ１９，ＡＮＤ２０に入力され
る。信号ＥＮＡＧＣは、モニタ信号によってセンサの蓄
積制御を行うか否かの選択信号であり、“Ｈ”のときモ
ニタ信号による蓄積制御を行う。

信号ＥＮＡＧＣについては後で詳しく説明する。

コンパレータ出力の内、ＡＣＭＰ２，ＡＣＭＰ３，ＡＣ
ＭＰ４の出力はそれぞれＤフリツプ・フロツプＦＦ１，
ＦＦ２，ＦＦ３のＤ入力に入力され、各フリツプ・フロ
ツプのクロツク入力には信号ＢＴＩＭＥが入力されてい
る。従って、ＦＦ１，ＦＦ２，ＦＦ３にはＢＴＩＭＥが
“Ｈ”となった瞬間のＡＣＭＰ２，ＡＣＭＰ３，ＡＣＭ
Ｐ４の出力状態を保持するとこになる。

信号ＢＴＩＭＥは像信号増幅時のゲインを決定するため
のタイミングを与える信号であり、コンピユーターＰＲ
Ｓが出力している。

ここで、本実施例での上記ゲイン決定と蓄積制御の考え
方を第７図を用いて以下に説明する。

第７図において、横軸は蓄積を開始してからの時刻を表
し、横軸中のＴＢＴＩＭＥは上記信号ＢＴＩＭＥが
“Ｈ”となる時刻、ＴＭＡＸＩＮＴは最長蓄積時間を示
している。被写体の輝度が低い場合、蓄積時間を延ばせ
ば像信号を大きくすることができるが、通常、蓄積型の
センサでは蓄積時間が長くなると暗電流と呼ばれるセン
サのノイズも大きくなるため、被写体輝度が極端に低く
ても、無制限に蓄積時間を延ばすようなことはせず、適
当な時間で蓄積を終了させる制御方法が一般的である。
この時間のことを最長蓄積時間と呼ぶ。

縦軸はモニタ信号ＶＰ＊の電位を表し、縦軸中のＶＴＨ
１，ＶＴＨ２，ＶＴＨ３，ＶＴＨ４はそれぞれ前記コン
パレータＡＣＭＰ１，ＡＣＭＰ２，ＡＣＭＰ３，ＡＣＭ
Ｐ４の負入力に入力されている電位を意味している。

前述したように、信号ＶＰ＊は時間と共に上昇してゆく
が、被写体輝度が高いほど上昇カーブの傾きが大きくな
る。例えば、被写体の輝度が高いときには図中Ｂ１のよ
うになり、低い場合にはＢ６のようになる。

モニタ信号ＶＰ＊に対する蓄積制御とゲインの組合せは
実施例では次の６つの場合がある。

（１） 時刻ＴＢＴＩＭＥ以前に、電位ＶＰ＊がＶＴＨ
１を上回る（曲線Ｂ１）。

−−＞ ＶＰ＊＝ＶＴＨ１となる時刻ｔＢ１で蓄積終
了、ゲインは１倍。

（２） 時刻ＴＢＴＩＭＥに、ＶＴＨ２≦ＶＰ＊≦ＶＴ
Ｈ１（曲線Ｂ２）。

−−＞ ＶＰ＊＝ＶＴＨ１となる時刻ｔＢ２で蓄積終
了、ゲインは１倍。

（３） 時刻ＴＢＴＩＭＥに、ＶＴＨ３≦ＶＰ＊≦ＶＴ
Ｈ２（曲線Ｂ３）。

−−＞ ＶＰ＊＝ＶＴＨ２となる時刻ｔＢ３で蓄積終
了、ゲインは２倍。

（４） 時刻ＴＢＴＩＭＥに、ＶＴＨ４≦ＶＰ＊≦ＶＴ
Ｈ３（曲線Ｂ４）。

−−＞ ＶＰ＊＝ＶＴＨ３となる時刻ｔＢ４で蓄積終
了、ゲインは４倍。

（５） 時刻ＴＢＴＩＭＥに、０≦ＶＰ＊≦ＶＴＨ４、
時刻ＴＭＡＸＩＮＴ以前に、ＶＰ＊がＶＴＨ４を上回る
（曲線Ｂ５）。

−−＞ ＶＰ＊＝ＶＴＨ４となる時刻ｔＢ５で蓄積終
了、ゲインは８倍。

（６） 時刻ＴＢＴＩＭＥに、０≦ＶＰ＊≦ＶＴＨ４、
時刻ＴＭＡＸＩＮＴで、ＶＰ＊がＶＴＨ４を上回らない
（曲線Ｂ６）。

−−＞ 時刻ＴＭＡＸＩＮＴ（ｔＢ５）で蓄積終了、ゲ
インは８倍。

以上のように、電位ＶＰ＊の比較電位ＶＴＨ１，ＶＴＨ
２，ＶＴＨ３，ＶＴＨ４の比を８：４：２：１とし、ま
たＶＰ＊が各比較電位に達したときの像信号増幅ゲイン
をそれぞれ１倍、２倍、４倍、８倍とすることにより、
いずれの比較電位で蓄積が終了しても、常に増幅後の像
信号の大きさを一致させることが出来る。信号ＢＴＩＭ
Ｅはこのゲインを決定する時刻を与えるための信号であ
り、ＴＢＴＩＭＥの時刻を早めると、同じ被写体輝度で
も高いゲインとすることができる。

高いゲインにすると蓄積時間を短くすることができ、焦
点検出の応答性は向上するが、その反面、像信号中に含
まれるノイズ成分も高いゲインで増幅してしまうので、
Ｓ／Ｎ比では不利となる。

それ故、ＴＢＴＩＭＥのタイミングは応答性とＳ／Ｎ比
の兼ね合いで、適切な時刻が設定される。

さて、再び第６図の蓄積制御回路ＡＧＣ＊の説明に戻
る。

フリツプ・フロツプＦＦ１，ＦＦ２，ＦＦ３のＱおよび
出力は、直接に、あるいはＡＮＤゲートＡＮＤ１２，
ＡＮＤ１３，ＡＮＤ１４を介して、信号ＧＳＥＬ１＊，
ＧＳＥＬ２＊，ＧＳＥＬ３＊，ＧＳＥＬ４＊となり、こ
れらの信号はそれぞれ前述のゲインが１倍、２倍、４
倍、８倍に決定されたことを意味している。即ち、時刻
ＴＢＴＩＭＥにおける信号ＢＴＩＭＥの立ち上がりによ
って前記フリツプ・フロツプの出力が確定したとき、Ｆ
Ｆ１のＱ出力が、“Ｈ”ならば時刻ＴＢＴＩＭＥにおい
てモニタ信号ＶＰ＊がＶＴＨ２以上であり、同様にＦＦ
２のＱ出が“Ｈ”ならばＶＴＨ３以上、ＦＦ３のＱ出力
が“Ｈ”ならばＶＴＨ４以上であることを表しており、
またＧＳＥＬ１＊はＦＦ１のＱ出力そのものであり、Ｇ
ＳＥＬ２＊はＦＦ１の出力とＦＦ２のＱ出力のＡＮＤ
となり、ＧＳＥＬ３＊はＦＦ１，ＦＦ２出力とＦＦ３
のＱ出力のＡＮＤ、ＧＳＥＬ４＊はＦＦ１，ＦＦ２，Ｆ
Ｆ３の出力とＡＮＤとなる。これにより、時刻ＴＢＴ
ＩＭＥ時にモニタ信号ＶＰ＊がＶＴＨ２以上であればＧ
ＳＥＬ１＊のみが“Ｈ”となって、ゲインは１倍とな
り、同様にＶＰ＊がＶＴＨ３以上ＶＴＨ２以下ならばＧ
ＳＥＬ２＊のみが“Ｈ”となってゲインは２倍となり、
ＶＰ＊がＶＴＨ４以上、ＶＴＨ３以下ならばＧＳＥＬ３
＊のみ“Ｈ”となってゲインは４倍となり、ＶＰ＊が時
刻ＢＴＩＭＥにＶＴＨ４に送っていなければＧＳＥＬ４
＊のみが“Ｈ”となってゲインは８倍となる。

次に蓄積終了動作について説明する。

信号ＧＳＥＬ１＊，ＧＳＥＬ２＊，ＧＳＥＬ３＊，ＧＳ
ＥＬ４＊は回路ＡＧＣ＊の外部に出力される一方、それ
ぞれＡＮＤゲートＡＮＤ１６，ＡＮＤ１７，ＡＮＤ１
８，ＡＮＤ１９に入力されている。これらのＡＮＤゲー
トにはＡＮＤゲートＡＮＤ１５の出力が共通に入力さ
れ、更に各ゲートにアナログスイツチ対（ＡＮＳＷ１
３，ＡＮＳＷ１３′），（ＡＮＳＷ１４，ＡＮＳＷ１
４′），（ＡＮＳＷ１５，ＡＮＳＷ１５′），（ＡＮＳ
Ｗ１６，ＡＮＳＷ１６′）を介したコンパレータ群ＡＣ
ＭＰ１，ＡＣＭＰ２，ＡＣＭＰ３，ＡＣＭＰ４の出力が
入力されている。いま、信号ＥＮＡＧＣが“Ｈ”とする
と、コンパレータＡＣＭＰ１の出力がＡＮＤゲートＡＮ
Ｄ１６とＡＮＤ２０へ入力され、同様にＡＣＭＰ２の出
力がＡＮＤ１７へ、ＡＣＭＰ３の出力がＡＮＤ１８へＡ
ＣＭＰ４の出力がＡＮＤ１９へ入力されることになる。

ＡＮＤゲートＡＮＤ１５には信号ＥＮＡＧＣとインバー
タＩＮＶ７，ＩＮＶ８を２段介して信号ＢＴＩＭＥが入
力されている。

ここでインバータＩＮＶ７，ＩＮＶ８の直列接合は信号
ＢＴＩＭＥを遅延させる目的であり、フリツプフロツプ
ＦＦ１〜ＦＦ３の出力が確定し、その結果がＡＮＤゲー
トＡＮＤ１６〜２０に入力した後に信号ＢＴＩＭＥが同
ＡＮＤゲートに入力するためである。従って、ＥＮＡＧ
Ｃが“Ｈ”のとき、信号ＢＴＩＭＥが“Ｌ”から“Ｈ”
に変化すると、ＡＮＤゲートＡＮＤ１５の出力は少し遅
れて“Ｌ”から“Ｈ”に変化することになり、この信号
はＡＮＤゲートＡＮＤ１６〜ＡＮＤ１９へ入力される。

さらにＡＮＤゲートＡＮＤ２０には信号ＢＴＩＭＥをイ
ンバータＩＮＶ６で反転した信号が入力されている。

ＯＲゲートＯＲ５には各ＡＮＤゲートＡＮＤ１６〜ＡＮ
Ｄ２０の出力が入力されており、ＯＲ５の出力は、信号
ＡＧＣＥＮＤ＊として回路ＡＧＣ＊から外部へ出力され
ている。

第７図に示した輝度状態で（Ｂ１）の場合の動作を説明
する。時刻ｔＢ１までにコンパレータＡＣＭＰ４，ＡＣ
ＭＰ３，ＡＣＭＰ２の出力が順次“Ｌ”から“Ｈ”に変
化してゆくが、信号ＢＴＩＭＥは未だ“Ｌ”であるか
ら、ＡＮＤゲートＡＮＤ１５も“Ｌ”のままであり、そ
れ故ＡＮＤ１６〜２０も“Ｌ”のままである。時刻ｔＢ
１においてモニタ信号ＶＰ＊が電位ＶＴＨ１に達する
と、ＡＣＭＰ１の出力が“Ｌ”から“Ｈ”へ反転する。
ここでＡＮＤゲートＡＮＤ２０の３入力のうち一つには
信号ＢＴＩＭＥの反転信号、即ち“Ｈ”が入力されてい
るから、ＡＣＭＰ１の“Ｌ”→“Ｈ”によってＡＮＤ２
０の出力も“Ｌ”→“Ｈ”となる。これに従ってＯＲゲ
ートＯＲ５の出力ＡＧＣＥＮＤ＊も“Ｌ”から“Ｈ”へ
反転し、この時点でセンサの電荷蓄積が適正となったこ
とになる。後述するように、信号ＡＧＣＥＮＤ＊はイン
バータＩＮＶ３，ＩＮＶ４を介してクロツク生成回路Ｓ
ＮＳＬＯＧに入力されており（第３図参照）、ＳＮＳＬ
ＯＧはこの信号により第５図（ａ）で示したφＴＯ（あ
るいはφＴＩ）をパルス出力して、センサ内の蓄積電荷
に応じた信号をキヤパシタＣＴにチヤージし、この時点
よりセンサの像信号の読み出しが可能となる。

インバータＩＮＶ３，あるいはＩＮＶ４を介した信号は
ＳＮＳＬＯＧされる一方、センサ駆動回路ＳＤＲの外部
に信号／ＴＩＮＴＥＯ，ＥＩとして出力されており、こ
れはコンピユータＰＲＳへ蓄積されている。従ってＡＧ
ＣＥＮＤＯ（あるいはＡＧＣＥＮＤＩ）が“Ｌ”から反
転すると、その反転信号／ＴＩＮＴＥＯ（あるいは／Ｔ
ＩＮＴＥＩ）は“Ｌ”へ変化し、コンピユータＰＲＳに
対して蓄積終了のタイミングをすることになる。

次に第７図において（Ｂ２）の場合について説明する。
時刻ＴＢＴＩＭＥまでは（Ｂ１）の場合と同じようにコ
ンパレータが順次“Ｌ”から“Ｈ”へ反転してゆくが、
モニター信号ＶＰ＊は電位ＶＴＨ１に達しないため蓄積
は終了していない。

時刻ＴＢＴＩＭＥに信号ＢＴＩＭＥが“Ｌ”から“Ｈ”
になると、コンパレータＡＣＭＰ４，ＡＣＭＰ３，ＡＣ
ＭＰ２の出力は既に“Ｈ”となっているためフリツプ・
フロツプＦＦ１，ＦＦ２，ＦＦ３のＱ出力は全て“Ｈ”
にラツチされ、これにより信号ＧＳＥＬ１＊が“Ｈ”、
ＧＳＥＬ２＊、ＧＳＥＬ３＊、ＧＳＥＬ４＊は総て
“Ｌ”となり、ゲイン１倍が確定する。さらに、インバ
ータＩＮＶ７，ＩＮＶ８の遅延作用により信号ＢＴＩＭ
Ｅが“Ｌ”から“Ｈ”となる時刻ＴＢＴＩＭＥより少し
遅れてＡＮＤゲートＡＮＤ１５が“Ｌ”から“Ｈ”とな
る。これによりＡＮＤゲートＡＮＤ１６〜ＡＮＤ１９の
内、ＡＮＤ１６のみが３入力の内２入力が“Ｈ”とな
り、他のＡＮＤ１７〜ＡＮＤ１９は１入力のみが“Ｈ”
となる。

そして時刻ｔＢ２となるとコンパレータＡＣＭＰ１の出
力が“Ｌ”から“Ｈ”となって、この出力が入力されて
いるＡＮＤ１６の出力も“Ｌ”から“Ｈ”となり、さら
にＯＲゲートＯＲ５の出力も“Ｌ”から“Ｈ”となり、
この時点でセンサの蓄積が終了する。

次に（Ｂ３）の場合について説明すると、時刻ＴＢＴＩ
ＭＥにおいて２倍のゲインが確定して、信号ＧＳＥＬ２
＊のみが“Ｈ”になる。時刻ＴＢＴＩＭＥより少し遅れ
てＡＮＤゲートＡＮＤ１５が“Ｈ”になり、これにより
ＡＮＤ１７のみ３入力中２入力が“Ｈ”になる。残る１
入力はコンパレータＡＣＭＰ２の出力であり、時刻ｔＢ
３においてモニタ信号ＶＰ＊が電位ＶＴＨ２に達すると
ＡＭＰ２の出力が“Ｌ”から“Ｈ”になって、ＡＮＤ１
７の出力が“Ｈ”となり、（Ｂ２）の場合と同様にＯＲ
５が“Ｌ”から“Ｈ”となって、この時点で蓄積動作が
終了する。

（Ｂ４）（Ｂ５）の場合も同様に、それぞれゲインが４
倍、８倍で時刻ｔＢ４，ｔＢ５で蓄積を終了することに
なる。

第７図において（Ｂ６）の場合はこれまでと少し異なつ
た動作となる。時刻ＴＢＴＩＭＥにおいてはモニタ信号
ＶＰ＊は電位ＶＴＨ４に達していないから、ゲインは８
倍となる。これは（Ｂ５）の場合と同じである。この状
態ではＶＰ＊がＶＴＨ４に達すれば蓄積終了となるわけ
であるが（Ｂ５の場合ｔＢ５）、（Ｂ６）では時刻が最
長蓄積時間ＴＭＡＸＩＮＴを経過してもまたＶＰ＊がＶ
ＴＨ４に達していないが、この時点で、前述した最長蓄
積時間制限の考え方から、蓄積を強制的に終了させるこ
とを行う。具体的には第３図において、信号／ＴＩＮＴ
Ｅ＊をコンピユーターＰＲＳが強制的に“Ｌ”に引き落
とすことによって実効される。インバーターＩＮＶ３，
ＩＮＶ４はオープンコレクタタイプのインバーターで、
その出力を内部でプルアツプしている構成であるから外
部から／ＴＩＮＴＥＯあるいは／ＴＩＮＴＥＩを“Ｌ”
へ引き落とすことによってクロツク生成回路ＳＮＳＬＯ
Ｇが蓄積終了クロツクφＴＯ（あるいはφＴＩ）をパル
ス出力し、これによってセンサは蓄積動作を終了する。

これまでは信号ＥＮＡＧＣが“Ｈ”であるという前提で
説明してきたが、このＥＮＡＧＣは“Ｈ”において、
「モニタ信号ＶＰ＊に基づいてセンサの蓄積制御を行う
（以下「ＡＧＣ蓄積」モードと称する）」というもので
ある。“Ｌ”においては「与えられたゲインと蓄積時間
でセンサの蓄積制御を行う（以下「非ＡＧＣ蓄積」モー
ドと称する）」という動作になる。

さて、信号ＥＮＡＧＣが“Ｌ”となると、アナログ・ス
イツチ対群（ＡＮＳＷ１３，ＡＮＳＷ１３′），（ＡＮ
ＳＷ１４，ＡＮＳＷ１４′），（ＡＮＳＷ１５，ＡＮＳ
Ｗ１５′），（ＡＮＳＷ１６，ＡＮＳＷ１６′）のう
ち、各後者が導通し、コンパレータＡＣＭＰ１，ＡＣＭ
Ｐ２，ＡＣＭＰ３，ＡＣＭＰ４の出力に代ってＡＮＤゲ
ートＡＮＤ２１〜ＡＮＤ２３の出力がフリツプ・フロツ
プＦＦ１，ＦＦ２，ＦＦ３およびＡＮＤゲートＡＮＤ１
６〜２０へ伝達することになる。

ＡＮＤゲートＡＮＤ２１〜ＡＮＤ２３の出力は回路ＡＧ
Ｃ＊の外部から与えられる信号ＧＳＥＴ２＊，ＧＳＥＴ
１＊により決定され、これによってゲインを設定するこ
とが出来る。信号ＧＳＥＴ２＊，ＧＳＥＴ１＊とＡＮＤ
ゲートＡＮＤ２１〜ＡＮＤ２３の対応は第１２図のよう
になる。

これらのＡＮＤゲートの出力がモニタＶＰ＊に関わらず
常にフリツプ・フロツプＦＦ１〜ＦＦ３、ＡＮＤゲート
ＡＮＤ１６〜ＡＮＤ２０へ伝達される。ここで信号ＢＴ
ＩＭＥが“Ｌ”から“Ｈ”へ変化すると、ＦＦ１〜ＦＦ
３は出力をラツチ、しこの時点でゲインが確定する。ゲ
イン確定後も、ＡＮＤ１６〜２０の入力には変化がない
のでロジツク的に蓄積終了とはならずに、第７図（Ｂ
６）の場合のように外部から信号／ＴＩＮＴＥＯ（ある
いは／ＴＩＮＴＥＩ）を“Ｈ”から“Ｌ”へ引き落すこ
とによってセンサの蓄積が終了する。

第３図に戻って、信号ＧＳＥＴ２０，ＧＳＥＴ１０，Ｇ
ＳＥＴ２１，ＧＳＥＴ１Ｉは通信コマンドシフトレジス
タＣＭＤＳＲの出力Ｑ_０〜Ｑ_３で設定できるようになっ
ている。ここで、センサ駆動回路ＳＤＲとコンピユータ
ーＰＲＳの通信規則について説明する。

駆動回路ＳＤＲはチツプセレクト信号ＣＳＤＲにより選
択されて、ＣＳＤＲが“Ｈ”のときアナログスイツチＡ
ＮＳＷ３が導通して、同期クロツクがコマンドシフトレ
ジスタＣＭＤＳＲのクロツク入力に入力出来るようにな
る。この状態で通信が行われると、クロツクＳＣＬＫに
同期して、コンピユーターＰＲＳからの送信データが信
号ＳＯとしてＣＭＤＳＲに入力される。ＣＭＤＳ８はＲ
ビツトの３シフトレジスタであり、８ビツトの通信終了
後に出力Ｑ_０〜Ｑ_７が確定する。通信フォーマツトは第
１３図に示すようになっている。

レジスターＣＭＤＳＲのＱ_７，Ｑ_６，Ｑ_５出力は各々Ａ
ＮＤゲートＡＮＤ１，２，３に入力されており、各ＡＮ
Ｄ１，ＡＮＤ２，ＡＮＤ３にはクロツク・カウンタＣＬ
ＫＣＮＴのＱ_０出力が共通に入力されている。カウンタ
ーＣＬＫＣＮＴは３ｂｉｔバイナリ・カウンタであり、
その入力には通信クロツクＳＣＬＫの反転信号（インバ
ータＩＮＶ２によって）が入力されている。従って、８
ｂｉｔの通信が終了する毎にＱ_０出力が“Ｈ”となる。

このような構成によりＡＮＤゲートＡＮＤ１，ＡＮＤ
２，ＡＮＤ３の出力は８ｂｉｔの通信終了後に確定する
ことになる。ＡＮＤ１の出力は「蓄積開始」信号で、ク
ロツク生成回路ＳＮＳＬＯＧはこの信号を受けて第５図
（ａ）あるいは（ｂ）で説明したセンサクロツクφＲＥ
Ｓ，φＶＲＳ，φＴＯ，φＴＩをクロツクＣＫ１に基づ
いて生成する。

ＡＮＤ２の出力は「破壊蓄積」モードと「非破壊蓄積」
モードを切換る信号で、“Ｈ”のとき通常のセンサリセ
ツト後に蓄積を行う「破壊蓄積」モードとなり、ＳＮＳ
ＬＯＧは第５図（ａ）に示したクロツクを生成し、
“Ｌ”のときはセンサをリセツトせずに蓄積を行う「非
破壊蓄積」モードとなり、第５図（ｂ）に示したクロツ
クを生成する（このモードは実際には何も出力しない）
ことになる。

ＡＮＤ３の出力は「ＡＧＣ蓄積」モードと「非ＡＧＣ蓄
積」モードを切換る信号で、この信号が先に説明したＥ
ＮＡＧＣであり、これは蓄積制御回路ＡＧＣＯ，ＡＧＣ
Ｉへ入力されている。

次に像信号増幅回路ＶＡＭＰについて、第８図に従って
説明してゆく。

第８図においてＶｏｕｔはセンサからの像信号であり、
ボルテージ・フオロアＶＯＰ１を経てアナログ・スイツ
チＡＮＳＷ４と抵抗Ｒ６へ接続されている。ＡＮＳＷ４
とキャパシタＤＨＣ，ボルテージ・フオロアＶＯＰ２は
いわゆるサンプル・ホールド回路を形成しており、ＡＮ
ＳＷ４の制御信号ＤＳＨが“Ｈ”期間中にサンプルし、
“Ｌ”期間中にはホールドする。このサンプル・ホール
ド回路はセンサの遮光画素電位を保持するためのもので
あって、像信号の読み出し動作の最初の画素（遮光画
素）読み出し時に信号ＤＳＨと所定期間“Ｈ”としてそ
の電位を保持し、後述するように有効な画素の読み出し
時にその保持電位の差動をとって増幅するようにしてい
る。

オペアンプＶＯＰ３と抵抗群Ｒ１〜Ｒ１０、アナログ・
スイツチ群ＡＮＳＷ５〜ＡＮＳＷ１２は可変ゲインの増
幅回路を構成している。各アナログ・スイツチはＯＲゲ
ートＯＲ１〜ＯＲ４により制御される。ＯＲ１〜ＯＲ４
にはそれぞれＡＮＤゲート（ＡＮＤ４，ＡＮＤ９），
（ＡＮＤ６，ＡＮＤ１０），（ＡＮＤ７，ＡＮＤ１
１），ＡＮＤ８，ＡＮＤ１２）の出力が入力されてお
り、さらに各ＡＮＤゲートにはそれぞれ先に説明したゲ
イン信号ＧＳＥＬ４０〜ＧＳＥＬ１０，ＧＳＥＬ４Ｉ〜
ＧＳＥＬ１Ｉと信号ＳＥＬとその反転信号（インバータ
ＩＮＶ５による）が共通に入力されている。信号ＳＥＬ
は横方向、縦方向センサを選択するための信号であり、
“Ｈ”のときに縦方向が、“Ｌ”のときに横方向が選択
される。従って信号ＳＥＬが“Ｈ”のときには、ＡＮＤ
ゲートＡＮＤ４〜ＡＮＤ８から信号ＧＳＥＬ４０〜ＧＳ
ＥＬ１０がそのまま入力され、このときＡＮＤ９〜ＡＮ
Ｄ１２の出力は総て“Ｌ”になる。例えばＧＳＥＬ１０
が“Ｈ”のときには（ＧＳＥＬ２０〜ＧＳＥＬ４０は総
て“Ｌ”）ＡＮＤ８の出力のみ“Ｈ”となりＡＮＤ８の
出力を入力とするＯＲ４の出力のみが“Ｈ”となる。同
様にＧＳＥＬ２０が“Ｈ”のときにはＯＲＲ３のみが
“Ｈ”、ＧＳＥＬ３０が“Ｈ”のときにはＯＲ２のみが
“Ｈ”、ＧＳＥＬ４０が“Ｈ”のときにはＯＲ１のみが
“Ｈ”となる。このときＩＮＶ５によりＡＮＤ９〜ＡＮ
Ｄ１２は総て“Ｌ”になっており、横方向センサのゲイ
ンであるＧＳＥＬ１Ｉ〜ＧＳＥＬ４Ｉには全く関わらな
い。

信号ＳＥＬが“Ｌ”で横方向が選択された場合には、同
様にＧＳＥＬ１ＩがＯＲ４に、ＧＳＥＬ２ＩがＯＲ３
に、ＧＳＥＬ３ＩがＯＲ２に、ＧＳＥＬ４ＩがＯＲ１に
それぞれ対応し、このときＡＮＤ４〜ＡＮＤ８の出力は
総て“Ｌ”になる。

抵抗Ｒ１〜Ｒ１０は Ｒ１＝Ｒ６，Ｒ２＝Ｒ７，Ｒ３＝Ｒ８，Ｒ４＝Ｒ９，
Ｒ５＝Ｒ１０ かつ Ｒ１：（Ｒ２＋Ｒ３＋Ｒ４＋Ｒ５）＝１：８ （Ｒ１＋Ｒ２）：（Ｒ３＋Ｒ４＋Ｒ５）＝１：４ （Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３）：（Ｒ４＋Ｒ５）＝１：２ （Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３＋Ｒ４）：Ｒ５＝１：１ 即ち なる比で構成する。この構成によりＯＲゲートＯＲ４の
出力のみ“Ｈ”の場合には、アナログ・スイツチＡＮＳ
Ｗ８，ＡＮＳＷ１２が導通してＶＯＰ３のゲインは１倍
となる。ＯＲ３のみ“Ｈ”の場合にはＡＮＳＷ７，ＡＮ
ＳＷ１１が導通してゲインは２倍となり、ＯＲ２のみ
“Ｈ”の場合にはＡＮＳＷ６，ＡＮＳＷ１０が導通して
ゲインは４倍となり、ＯＲ１のみ“Ｈ”の場合にはＡＮ
ＳＷ５，ＡＮＳＷ９が導通してゲインは８倍となる。オ
ペアンプＶＯＰ３の出力は増幅像信号ＶＩＤＥＯとして
コンピユーターＰＲＳのアナログ入力端子へ接続されて
おり、コンピユーターＰＲＳはこの信号をＡ／Ｄ変換す
ることにより、センサの像信号を得ることができる。

第３図に戻って、縦方向ゲイン信号ＧＳＥＬ１０〜ＧＳ
ＥＬ４０、横方向ゲイン信号ＧＳＥＬ１Ｉ〜ＧＳＥＬ４
Ｉは蓄積制御回路ＡＧＣＯ，ＡＧＣＩから出力されて像
信号増幅回路ＶＡＭＰに入力されているが、それと同時
にパラレル・イン・シリアル・アウトのシフトレジスタ
ＡＧＣＳＲのパラレル入力にも接続されている。同シフ
トレジスタのクロツクは通信クロツクの反転信号（イン
バータＩＮＶＩによる）であるため、通信が行われると
パラレル入力のデータをＱ出力からシリアル出力する。
この出力はコンピユーターＰＲＳの受信データとしてコ
ンピユーターＰＲＳへ送られており、コンピユーターＰ
ＲＲＳはこれによりセンサの設定ゲインと知ることがで
きる。

次いで上記構成によるカメラの自動焦点調節装置につい
て、第９図以下のクローチヤートに従って説明を行う。

カメラのレリーズボタン第１段階押下によってスイツチ
ＳＷ１がオンすることにより自動焦点調節動作が開始さ
れる。

第９図（ａ）においてステツプ（０００）を経て、ステ
ツプ（００１）でレリーズボタン第２段階押下によりオ
ンするスイツチＳＷ２の状態検知を行う。ここでＳＷ２
がオンの場合には連続撮影中であると認識してステツプ
へ分岐し、オフの場合には通常の自動焦点調節を行う
ためにステツプ（００２）へ移行する。

前述したようにＳＷ２はマイクロコンピユータＰＲＳの
「割り込み入力端子」に接続されており、ＳＷ２がオン
されたときには割り込み機能によっていずれのステツプ
を実行していても、所定の割り込みステツプへ分岐し
て、レリーズ動作が行われる。レリーズ動作自体は本発
明とは直接関わりがないので詳述しないが、ミラーアツ
プ、シヤツタ幕走行、ミラーダウン、巻き上げといった
一連のレリーズ動作（撮影動作）が終了すると、ステツ
プ（０００）のＡＦ開始のステツプへ分岐してくる。そ
こで、ステツプ（００１）においてスイツチＳＷ２の状
態検知を行い、このときＳＷ２がオンしていればレリー
ズ動作直後、即ち連続撮影中であると認識することがで
きる。

ここでは先づＳＷ２がオフの場合について説明する。

ステツプ（００１）にてサブルーチン「蓄積開始モード
１」を実行する。同サブルーチンは第１０図（ａ）にそ
のフローチヤートを示しているが、いわゆる通常のセン
サリセツトを伴ったセンサ蓄積開始ルーチンである。

第１０図（ａ）のフローチヤートに従ってサブルーチン
「蓄積開始モード１」を説明する。同サブルーチンがコ
ールされるとステツプ（１００）を経てステツプ（１０
１）において縦方向センサの最長蓄積時間を表わす変数
ＭＡＸＩＮＴＯに定数２００を格納する。これは１ミリ
秒単位の値であり、これによって縦方向センサの最長蓄
積時間が２００ミリ秒に設定される。続いてステツプ
（１０２）において横方向センサの最長蓄積時間を表わ
す変数ＭＡＸＩＮＴＩにも同様に定数２００を格納す
る。

次のステツプ（１０３）では変数ＢＣＮＴに定数２０を
格納する。ＢＣＮＴは前述の時刻ＴＢＴＩＭＥを規定す
るための変数であり、この値も１ミリ秒単位で表現さ
れ、定数２０は２０ミリ秒を意味し、従って蓄積開始し
て２０ミリ秒後が時刻ＴＢＴＩＭＥとなる。

ステツプ（１０４）では蓄積時間カウント用変数ＩＮＴ
ＣＮＴを０にクリアする。

続いてステツプ（１０５）にてセンサ制御装置ＳＤＲへ
８ビツトのシリアルデータ「＄ＥＯ」を送出する
（“＄”は１６進表現であることを表わす）。１６進表
現の“ＥＯ”は２進表現で“１１１０ ００００”であ
り、上位３ビツトの“１”は「蓄積開始」「破壊蓄積モ
ード」「ＡＧＣ蓄積モード」をそれぞれ表わしている。
その通信を受けつけることによってセンサ制御装置ＳＤ
Ｒは第５図（ａ）の制御、即ちセンサをリセツトさせ
（光電変換素子部の電荷をクリアする）、「ＡＧＣモー
ド」にてセンサの電荷蓄積を開始させる。

ステツプ（１０６）ではＳＤＲＲからの蓄積終了信号／
ＴＩＮＴＥＯ，ＴＩＮＴＥＩによってＰＲＳが「蓄積完
了割込」を実行できるように割込機能を許可し、次のス
テツプ（１０７）にてこのサブルーチンをリターンす
る。これより縦方向、横方向センサがそれぞれ蓄積完了
となった時点で各々の蓄積完了割込が実効されることに
なる。

第９図（ａ）に戻って次のステツプ（００３）と（００
４）では縦横両センサの蓄積終了を待っており、いずれ
か一方が蓄積を終えるまでこのステツプに待機する。

先に説明したように縦横両センサの蓄積終了は信号／Ｔ
ＩＮＴＥＯ，／ＴＩＮＴＥＩの立ち下がりによって検知
することが出来、この両信号はコンピユーターＰＲＳの
「入出力切換可、入力は割り込み制御機能付」の端子接
続されている。従って、縦方向センサの電荷蓄積が適正
となって駆動回路ＳＤＲからの信号／ＴＩＮＴＥＯが立
ち上がれば、これを検知してステツプ（０５０）以降の
割り込み処理を行うことが出来る。また／ＴＩＮＴＥＩ
も同様に、これが立ち下がれば横方向センサの電荷蓄積
が適正であるとしてステツプ（０６０）以降の割り込み
処理を行う。

また、蓄積時間のモニタも割り込み処理で行っており、
これはステツプ（０７０）以降の「タイマ割り込み」の
フロー（第９図（ａ））となる。タイマ割り込みは、例
えば１ミリ秒毎に割り込みが発生するようになってい
る。ここでタイマ割り込みの処理について第９図（ｃ）
に沿って先づ説明しておく。

タイマ割り込みが発生するとステツプ（０７０）、を
経てステツプ（０７１）にて、蓄積時間カウンタＩＮＴ
ＣＮＴを１つカウントアツプする。

次のステツプ（０７２）にてカウンタＩＮＴＣＮＴとＲ
ＡＭ領域ＢＣＮＴの値を比較して、一致していない場合
にはステツプ（０７４）へ分岐し、一致した場合にはス
テツプ（０７３）にて信号ＢＴＩＭＥを“Ｈ”とする。
即ちＢＣＮＴは時刻ＴＢＴＩＭＥを与える１ミリ秒単位
の時間である。

次のステツプ（０７４）でＩＮＴＣＮＴとＲＡＭ領域Ｍ
ＡＸＩＮＴＯの値を比較して一致していない場合にはス
テツプ（０７６）へ分岐し、一致した場合にはステツプ
（０７５）にて信号ＴＩＮＴＥＯを“Ｌ”にする。ＭＡ
ＸＩＮＴＯは１ミリ秒単位の縦方向センサの最長蓄積時
間であり、蓄積時間カウンタがこの値に一致した場合に
は、信号／ＴＩＮＴＥＯを“Ｌ”に引き落とすことによ
り縦方向センサの蓄積を強制的に終了せしめる。

次のステツプ（０７６）（０７７）ではＩＮＴＣＮＴと
ＭＡＸＩＮＴＩを比較して、最長蓄積時間に一致した場
合には横方向センサの蓄積を強制的に終了させる。

このように蓄積終了待ちの間は、１ミリ秒毎にタイマ割
り込みがかかって、蓄積時間をモニタし、時刻ＴＢＴＩ
ＭＥと両センサの最長蓄積時間の時刻ＴＭＡＸＩＮＴは
所定の動作を行う。

第９図（ａ）に戻って、ステツプ（００３）（００４）
で待機しているうちに、先に縦方向センサの電荷蓄積が
適正になったとすると、信号／ＴＩＮＴＥＯの立ち下が
りによる割込みでステツプ（０５０）へ分岐する。

ステツプ（０５１）では蓄積時間カウンタの値をＲＡＭ
領域ＩＮＴＴＭＯへ格納し、同時にコンピユーターＰＲ
Ｓ内部の自走タイマのタイマ値ＴＩＭＥＲをＲＡＭ領域
ＥＮＤＴＭＯへ格納する。

次のステツプ（０５２）で縦方向センサＳＮＳＯの像信
号の入力を行う。具体的方向は第５図（ｃ）に従って説
明する。同図は蓄積終了してからの各信号、クロツク、
像信号の時間的相応関係を表わしている。

縦方向センサの像信号を読み込む場合には、先ず信号Ｓ
ＥＬを“Ｈ”にして（図中ｔ１２）縦方向センサを選択
する。続いてコンピユーターＰＲＳからのクロツクＣＫ
２に基づいてセンサ駆動クロツクφＳＨ、φＨＲＳが図
のように生成されるわけであるが、φＳＨが“Ｈ”区間
にセンサの像信号Ｖｏｕｔに像の情報が現われる。

ここで最初の画素は遮光画素であるため、この信号電位
を保持するため、最初の画素のφＳＨが“Ｈ”区間は信
号ＤＳＨを“Ｈ”し、これを受けてセンサ駆動回路ＳＤ
ＲはキヤパシタＤＨＣに遮光画素電位をホールドする。
これにより後は、各ＣＫ２毎に縦方向センサの像信号Ｏ
_１，…，Ｏ_n-1，Ｏ_ｎが順次差動増幅されて出力され、
コンピユーターＰＲＳは自ら出力するＣＫ２のタイミン
グに合わせて像信号のＡ／Ｄ変換を行いＲＡＭ領域に格
納してゆく。

横方向センサの像信号を読み出す際には、信号ＳＥＬを
“Ｌ”にして、横方向センサを選択し、その後は同様で
ある。

第９図（ａ）のフローチヤートの説明に戻る。

ステツプ（０５２）にて縦方向センサの読み込みが終了
すると、ステツプ（０５３）にて割り込みからリターン
する。リターン先はステツプ（００３）あるいは（００
４）である。

さて、縦方向センサＳＮＳＯの読み込みを終了したこと
により、ステツプ（００３）からステツプ（００６）へ
移行する。

ステツプ（００６）では縦方向センサの像信号に基づい
て撮影レンズのデフオーカス量の検出演算を行う。具体
的な演算方法は本出願人による特願昭61−160824号公報
等に開示されているので詳細な説明は省略する。

さてステツプ（００６）実行中も割り込みは許可されて
おり、横方向センサＳＮＳＩの蓄積が終了すると、縦方
向センサの場合と同様に割り込みにてステツプ（０６
０）へ分岐し、ステツプ（０６０）以降の横方向センサ
ＳＮＳＩの読み込み処理を行う。ここでＲＡＭ領域のＩ
ＮＴＴＭＩには蓄積時間カウンタＩＮＴＣＮＴの値が、
ＥＮＤＴＭＩには自走タイマのタイマ値がそれぞれ格納
される。そしてステツプ（０６３）で割り込みをリター
ンする。

ステツプ（００６）実行中に割込みが発生した場合には
割込みリターンで、ステツプ（００６）の実行を再開
し、縦方向の焦点検出演算が終了すれば、横方向センサ
の像信号は既に読み込み終わっているからステツプ（０
０９）を通過して、ステツプ（０１０）へ移行する。

既にステツプ（００６）の実行が終了し、ステツプ（０
０９）で横方向センサの蓄積終了を待っている状態で割
り込みが発生した場合にはリターン後、直ちにステツプ
（０１０）へ移行する。

ステツプ（０１０）では横方向センサの像信号に基づい
て焦点検出演算を行う。演算終了後にはステツプ（０１
１）で移行する。

ここまでは縦方向センサの蓄積が先に終了した場合のフ
ローを説明したが、横方向センサの蓄積が先に終了した
場合はステツプ（００５）（００７）（００８）を経て
ステツプ（０１１）に至る。

ステツプ（０１１）に至るまでに、縦方向、横方向とも
に焦点検出演算が終了し、「縦方向焦点検出演算」にて
デフオカース量ＤＥＦＯ、コントラスト量ＺＤＯが、
「横方向焦点検出演算」にてデフオカースＤＦＥＩ、コ
ントラスト量ＺＤＩが得られる。

ステツプ（０１１）では焦点検出演算の結果の有効性の
確認を行う。即ち、ステツプ（０１１）に至るまでにス
テツプ（００５），（００８）あるいは（００６）（０
１０）で焦点検出結果と像信号のコントラストが得られ
ているわけであるから、このステツプでは縦方向、横方
向センサの像信号のコントラストを調べ、共に低コント
ラストの場合には、焦点検出結果が有効でないと判断し
てステツプ（０１６）へ移行する。縦方向、横方向セン
サの少なくとも一方のコントラストが充分ならばステツ
プ（０１２）へ移行する。

ステツプ（０１２）ではサブルーチン「判定」を実行す
る。

サブルーチン「判定」のフローチヤートは第１１図に示
しているが、ここでは縦方向センサ、横方向センサの像
のコントラストの大小により、縦方向あるいは横方向セ
ンサ像による焦点検出結果のどちらを採用するかを判定
する。その際コントラストには重みを付けて比較する。
本発明の実施形の焦点検出光学系は縦方向と横方向で基
線長が異なるため、同一のコントラストでは縦方向セン
サに基づく焦点検出結果のほうが高い精度が得られる。

従って、ステツプ（４０１）でコントラストを比較する
際に、 Ｃ_Ｏ＞Ｃ_Ｉ なる重みをそれぞれ縦方向センサ像、横方向センサ像に
基づくコントラストＺＤＯ，ＺＤＩに乗じた後に比較
し、ＺＤＯ・Ｃ_Ｏ≧ＺＤＩ・Ｃ_Ｉならばステツプ（４０
３）へ、ＺＤＯ・Ｃ_Ｏ，ＺＤＩ・Ｃ_Ｉならばステツプ
（４０２）へ移行する。ステツプ（４０３）では縦方向
の焦点検出結果ＤＥＦＯを最終的なデフォーカス量ＤＥ
Ｆとし、ステツプ（４０２）では横方向の焦点検出結果
ＤＥＦＩとＤＥＦとし、ステツプ（４０４）で「判定」
サブルーチンをリターンする。

第９図（ａ）のフローチヤートに戻って、次のステツプ
（０１３）では採用されたデフオーカス量ＤＥＦがあら
かじめ設定された所定量より小さければ合焦と見なしス
テツプ（０１４）へ、また大きい場合には比合焦である
としてステツプ（０１５）へ移行する。

合焦の場合にはステツプ（０１４）で表示装置ＤＳＰに
よる合焦表示を行い、非合焦の場合にはステツプ（０１
５）にてデフオーカス量に基づく分レンズ駆動を実行
し、再びステツプ（００１）へ戻り、次の焦点検出動作
を実行する。ステツプ（０１５）におけるレンズ駆動方
法は本出願人による特願昭61−160824号公報等により開
示されているので詳細な説明は省略する。

さて、ステツプ（０１１）において、縦・横方向の像信
号共に低コンと判断された場合にはステツプ（０１６）
へ移行する。

ステツプ（０１６）では蓄積モードの検知を行い、モー
ド１ならばステツプ（０１８）モード１でなければステ
ツプ（０１６）へ移行する。いまステツプ（００２）に
おいて蓄積モード１が実行された場合のフローを説明し
ているので、先ずステツプ（０１８）以降の説明を行
う。ステツプ（０１８）ではステツプ（０５２）あるい
はステツプ（０６２）で読み込まれた縦方向、横方向そ
れぞれの像信号のピーク値を検知し、ピーク値が充分大
きければ（あらかじめ設定されている所定値より大き
い）ステツプ（０１７）へ、小さければステツプ（０１
９）へ移行する。即ち、ピーク値が充分大きい場合に
は、センサの蓄積制御によってこれ以上の状態の改善が
期待できないと判断してステツプ（０１７）のサーチレ
ンズ駆動を行う。ステツプ（０１７）のサーチレンズ駆
動は被写体のコントラストが低い場合にレンズを駆動さ
せながらコントラストの上昇を見込む制御（レンズを一
定量駆動後ステツプ（００１）へ戻る、又はレンズ駆動
させながらステツプ（００１）へ戻りコントラスト上昇
時にレンズを停止しステツプ（０１２）へ進む制御等）
で詳しくは先述の特願昭61−160824号公報等に開示され
ている。

ステツプ（０１８）において像信号のピーク値が所定値
より小さい場合、蓄積時間を伸ばせばピーク値が上昇
し、それに伴ってコントラストも上昇することが見込め
ることになり、そのための蓄積制御をステツプ（０１
９）（０２０）（０２１）で行う。

ステツプ（０１９）では蓄積時間があらかじめ定められ
た最長蓄積時間に達しているか否かを調べ、達している
場合にはステツプ（０２１）へ移行して「蓄積開始モー
ド３」を、達していない場合にはステツプ（０２０）へ
移行して「蓄積開始モード２」を実行する。

先に述べたように、本発明の実施例の光電変換素子はＣ
ＣＤ等のセンサとは異なり読み出し後も蓄積電荷がクリ
アされずに引き続き蓄積が継続され、再び読み出すこと
ができるという「非破壊読出」（第５図（ｂ）の制御）
が可能である。蓄積時間が所定時間に達していない場合
にはステツプ（０２０）において「非破壊読出」の制御
を行うためにサブルーチン「蓄積開始モード２」を実行
する。ステツプ（０２０）でのサブルーチン「蓄積開始
モード２」のフローチヤートは第１０図（ｂ）に示して
いる。

非破壊読出の基本的な考え方は、サンセ出力のダイナミ
ツクレンジと処理系のレンジが不適正の場合に、通常読
出で得られた像信号のピーク値とそのときの蓄積時間に
基づいて、像信号のピーク値が適正となると考えられる
蓄積時間経過後に再び像信号を読み出すという制御であ
る。

ピーク値をＰＫ、蓄積時間をＩＮＴＴＭ、適正ピーク値
を仮に２５０カウント（ＰＲＳのＡ／Ｄ変換器の分解能
を（８ビツトとした場合、８ビツトのフルレンジ２５５
に対して）とすると、適正ピーク値を得るための蓄積時
間ＥＸＩＮＴＴＭは ＥＸＩＮＴＴＭ＝（２５０／ＰＫ）・ＩＮＴＴＭ で求められる。現実には読み出し終わってから現時点ま
でに焦点検出演算等で所定時間経過しているから、この
時間をＲＴＭとすると、結局現時点から再び読み出すま
での時間ＲＩＮＴＴＭは、 ＲＩＮＴＴＭ＝ＥＸＩＮＴＴＭ−ＩＮＴＴＭ−ＲＴＭ となる。このＲＩＮＴＴＭを最長蓄積時間として非ＡＧ
Ｃモードで像信号を読み出せば、その像信号のピーク値
はＡ／Ｄ変換後のデイジタル値として２５０カウントが
見込めるとこになる。

サブルーチン「蓄積開始モード２」がコールされると、
先ずステツプ（２００）を経て第１０（ｂ）のステツプ
（２０１）において縦方向センサＳＮＳＯによる像信号
のピーク値ＰＫＯを検出する。次のステツプ（２０２）
では現在の時刻を表わすコンピユーターＰＲＳ内部の自
走タイマのタイマ値ＴＩＭＥＲから変数ＥＮＤＴＭＯを
減じて、その値を変数ＲＴＭＯへ格納する。変数ＥＮＤ
ＴＭＯには、縦方向センサの蓄積終了時のＴＩＭＥＲ値
が既に格納されているから、現時刻からＥＮＤＴＭＯを
減じたＲＴＭＯは、蓄積終了時から現時点までの経過時
間を表わすことになる。

次のステツプ（２０３）で上述の式に従って、ピーク適
正となるために現時点から読み出しを行うまでの時間を
計算し、これを変数ＭＡＸＩＮＴＯへ格納する。ＭＡＸ
ＩＮＴＯは縦方向センサの最長蓄積時間を規定するため
の変数であり、非破壊で再び読み出すまでの時間を意味
する。横方向センサに対してもステツプ（２０４）〜
（２０６）で同様の演算を行い、ＭＡＸＩＮＴＩには横
方向センサの像信号がピーク適正となる残り時間が与え
られる。

続いてステツプ（２０７）にて変数ＢＣＮＴを１に設定
する。ＢＣＮＴはＴＢＴＩＭＥ時刻を与えるための変数
であり、いま説明している蓄積制御は「非破壊」である
から、既にゲインモードは決定しており、ゲインモード
を決定するためのＴＢＩＭＥはいずれも良いことになる
わけであるが、ここでは蓄積開始直後にゲインを決定さ
せるという意味で１を格納しておく。そして次のステツ
プ（２０８）で蓄積時間カウンタＩＮＴＣＮＴをクリア
する。

ステツプ（２０９）では前回の蓄積動作におけるゲイン
をＳＤＲから入力する。

ステツプ（２１０）で今回の非破壊読出のためのゲイン
コードＧＣＤを生成し、次のステツプ（２１１）でセン
サ制御装置ＳＤＲの制御コマンド「＄８０」に加算した
後、ＳＤＲへ送出する。例えば前回のゲインが縦方向、
横方向ともに１倍であったとすると、ゲインコードＧＣ
Ｄは「＄００」であり、ＳＤＲへ送出される制御コマン
ド「＄８０」である。“＄８０”を２進表現で表わすと
“１０００００００”で、上位３ビツト“１００”は
「蓄積開始」「非破壊蓄積モード」「非ＡＧＣ蓄積モー
ド」をそれぞれ表わしている。また下位４ビツトの“０
０００”は非ＡＧＣ蓄積においてゲインを縦方向・横方
向ともに１倍に設定することを表わしている。前回のゲ
インが縦方向２倍、横方向８倍であったとすると、ゲイ
ンコードＧＣＤは２進表現で「００００ １０１１」と
なり、この場合、ＳＤＲへ送出するコマンドは「＄８
７」となる。ＳＤＲはこれらのコマンドを受けつけるこ
とによってセンサをリセツトさせずに、またＡＧＣ機能
を使用しない蓄積動作を開始する。実際には、駆動回路
ＳＤＲはセンサＳＮＳに対して何の働きかけもしない
が、本発明の実施例のセンサは読み出しによってリセツ
トされずに引き続き蓄積を継続しているから、駆動回路
ＳＤＲ自信が「蓄積中」というステータスになるだけで
ある。

次のステツプ（２１２）で蓄積完了信号／ＴＩＮＴＥ
Ｏ、／ＴＩＮＴＥＩに対するＰＲＳの割込み機能を許可
するし（２１３）にてリターンするわけであるが、「Ａ
ＧＣ蓄積モード」下ではセンサ駆動回路ＳＤＲがＡＧＣ
機能によって／ＴＩＮＴＥＯ／ＴＩＮＴＥＩを引き落し
て蓄積完了をコンピユーターＰＲＳへ格納するのに対し
て、「非ＡＧＣ蓄積モード」下ではコンピユーターＰＲ
Ｓ自信が所定時間（ＭＡＸＩＮＴＯ，ＭＡＸＩＮＴＩ）
後に自ら／ＴＩＮＴＥＯ，／ＴＩＮＴＥＩを引き落して
蓄積完了となる。即ち、最長蓄積時間経過時と同じ動作
となる。

第９図（ａ）に戻って、ステツプ（０１９）において通
常の蓄積時間が最長蓄積時間に達していた場合には、焦
点検出演算等の処理時間でセンサ蓄積が過度に進み過
ぎ、この時点以降で読み出す像信号のピーク値は既に適
正値をオーバーしていると考えて、ステツプ（０２１）
へ分岐し、サブルーチン「蓄積開始モード３」を実行す
る。

サブルーチン「蓄積開始モード３」のフローチヤートは
第１０図（ｃ）に示しているが、このモードは非破壊で
像信号を読み出すには時間が経過し過ぎていると考えら
れる場合の制御であって、第１０図（ｂ）で先に説明し
た非破壊読出しの制御と同様に、通常蓄積で読み出され
た像信号のピーク値に基づいて適正ピーク値となるため
の蓄積時間を計算するところまでは同じである。しかる
後に、計算された蓄積時間、前回のゲインに基づいて、
センサに対して前述の破壊蓄積制御を行う。

即ち、サブルーチン「蓄積開始モード３」がコールされ
ると、ステツプ（３００）を経てステツプ（３０１）に
て縦・横共方向センサの最長蓄積時間を計算する。これ
は第１０図（ｂ）で説明した、適正ピーク値を得るため
の蓄積時間ＥＸＩＮＴＴＭを縦方向、横方向でそれぞれ
計算し、それを各々の最長蓄積時間変数ＭＡＸＩＮＴ
Ｏ，ＭＡＸＩＮＴＩへ格納する。次のステツプ（３２
０）では時刻ＴＢＴＩＭＥ制御変数ＢＣＮＴに定数１を
格納する。これは今回の蓄積動作は非ＡＧＣ蓄積モード
で既にゲインが確定しているためである。

続いてステツプ（３０３）において蓄積時間カウンタＩ
ＮＴＣＮＴをクリアする。

ステツプ（３０４）（３０５）ではセンサ駆動回路ＳＤ
Ｒより前回のゲインを入力し、それに基づいて今回の蓄
積動作のためのゲインコードＧＣＤを作成する。

次のステツプ（３０６）ではＳＤＲの制御コマンド「＄
ＣＯ」にゲインコードＧＣＤを加算し、ＳＤＲへ送出す
る。この場合の制御コマンド「＄ＣＯ」は２進表現で表
わすと“１１００ ００００”で上位３ビツトの“１１
０”は「蓄積開始」「破壊蓄積モード」「非ＡＧＣ蓄積
モード」をそれぞれ意味している。センサ駆動回路ＳＤ
Ｒはこのコマンドを受けると、センサをリセツトしＡＧ
Ｃ機能を使用せずに蓄積を開始する。

コンピユーターＰＲＳは次のステツプ（３０７）で蓄積
完了割込を許可して、ステツプ（３０８）でサブルーチ
ン「蓄積開始モード３」をリターンする。これ以降、蓄
積完了信号／ＴＩＮＴＥＯ，／ＴＩＮＴＥＩをコンピユ
ーターＰＲＳが自から“Ｌ”に引き落とすまで蓄積が継
続される。

第９図（ａ）に戻って、以上のようにステツプ（０２
０）あるいは（０２１）において、通常の蓄積で読み出
された像信号のピーク値が不適正な場合に、非ＡＧＣ制
御によって、適正なピーク値を得るための蓄積動作が行
われることになる。「蓄積開始モード２」あるいは「蓄
積開始モード３」で蓄積が開始された後は、ステツプ
（００３）へ戻って「モード２」あるいは「モード３」
の蓄積終了を待つ状態となる。

即ち、「モード２」「モード３」による蓄積が開始され
ると「モード１」の場合と同様にしてステツプ（０７
０）の「タイマー割込」にてＭＡＸＩＮＴの計時を待っ
て、この時間後／ＴＩＮＴＥＯ，／ＴＩＮＴＥＩを
“Ｌ”に引き落とし蓄積を終了するとともにステツプ
（０５０），（０６０）にて像信号を入力する。

その後ステツプ（００５）〜（０１０）にて焦点検出演
算がなされ以後ステツプ（０１１）〜（０１４）又は
（０１５）へ進む。尚「モード２」又は「モード３」で
の蓄積にて得られた像信号がステツプ（０１１）にて低
コントラストであると判定された場合はステツプ（０１
６）から（０１７）へ進み再び「モード２」又は「モー
ド３」へ移行することなく前述のサーチ駆動がなされ
る。

以上の動作はスイツチＳＷ_１がオンの間繰り返えされレ
ンズを合焦状態へ移行させる。

次に本発明の自動焦点調節装置における連続撮影時の動
作について、第９図（ｂ）に基づいて説明する。連続撮
影時には、前回の撮影終了後においてもレリーズボタン
の第２段階押下によりオンするスイツチＳＷ２がオンし
ているから、第９図（ａ）のステツプ（００１）から
を経て第９図（ｂ）のステツプ（０２２）へ分岐する。

ステツプ（０２２）ではセンサに通常蓄積を開始させる
べくサブルーチン「蓄積開始モード１Ｆ」を実行する。
これは「蓄積開始モード１「に対してゲインが高めに決
定される。即ち、同一被写体を測距していてもゲインを
高めることで蓄積時間を短縮させ、それにより焦点調節
動作の応答性を高める目的である。

サブルーチン「蓄積開始モード１Ｆ」のフローチヤート
は第１０図（ａ）に示している。同サブルーチンがコー
ルされるとステツプ（１２０）を経て、ステツプ（１２
１）（１２２）において縦方向、横方向センサの最長蓄
積時間変数ＭＡＸＩＮＴＯ，ＭＡＸＩＮＴＩに定数２０
０を格納する。次のステツプ（１２３）が同サブルーチ
ンと「蓄積開始モード１」と異なる部分で、時刻ＴＢＴ
ＩＭＥ制御変数ＢＣＮＴに定数５を格納する。定数５は
５ｍＳに意味する。「モード１」ではこの定数が２０で
あったことに対して「モード１Ｆ」では５とすることに
より、時刻ＴＢＴＩＭＥを早め、これによりセンサ駆動
回路ＳＤＲが蓄積中に決定するゲインが高めとなる。

そしてステツプ（１０４）へ移行し、このあとは「モー
ド１」と同一の制御を行う。

第９図ｂに戻って、「蓄積開始モード１Ｆ」からリター
ンすると、ステツプ（０２３）で前回の焦点検出動作に
おいて、結果として縦方向センサ横方向センサのいずれ
の方の像信号が最終結果として採用されたか調べ、前回
の結果が縦方向採用であったならばステツプ（０２４）
へ、横方向採用であったならばステツプ（０２６）へ、
どちらのセンサも低コントラストで焦点検出出来なかっ
た場合にはステツプ（０２８）へ分岐する。連続撮影時
には出来る限り高速に焦点調節を行わせる必要があるた
め、本発明の実施例では前回の焦点検出が縦方向センサ
による像信号で行われた場合には今回も縦方向センサ
を、前回が横方向の場合には今回も横方向で焦点検出を
行うようにしている。片方向のみのセンサを使用するこ
とにより両方向センサ共に焦点検出を行う場合より、像
信号の読み出し、焦点検出演算の点で処理時間が短縮さ
れる。しかしながら、前回の結果が共センサともに低コ
ントラストの場合には選択のしようがないので、通常の
焦点検出と同様に両方向センサを使用している。

ステツプ（２０３）からステツプ（０２４）へ分岐した
場合には、（０２４）で縦方向センサのモード１Ｆでの
像信号読込終了を待って待機する。

縦方向センサ像信号の読み込みが「モード１」と同様に
上述のステツプ（０５０）（０７０）に示される割り込
み処理にて終了すると、ステツプ（０２５）へ移行して
縦方向センサ像信号による焦点検出演算を実行する。

一方、前回横方向センサが採用されていた場合には、ス
テツプ（０２６）で横方向センサ像信号読み込みを待っ
て、続いてステツプ（０２７）にて横方向センサ像信号
による焦点検出演算を実行する。

前回両方向センサ共に低コントラストの場合には、ステ
ツプ（０２８）〜（０３５）において両方向センサ像信
号による焦点検出演算を行い、次のステツプ（０３６）
において、通常の焦点検出動作の場合と同様にいずれの
センサ像信号を選択するかの判定を行う。尚、これらの
ステツプはステツプ（００３）〜（０１０）と同様であ
るので詳細な説明は省略する。

焦点検出演算が終了した後は、ステツプ（０３７）にお
いてコントラストを検知し、得られたコントラストが所
定値より小さい、いわゆる低コントラストと判断された
場合には分岐してレンズ駆動を行わず、コントラスト充
分と判断された場合にはステツプ（０３８）に移行して
検知されたデフオーカスに応じたレンズ駆動を実行す
る。

そして連続撮影時におけるレンズ駆動が終了すると、マ
イクロコンピユーターＰＲＳは再びスイツチＳＷ２の割
り込みを受けつけるようになり、この時点でもまだＳＷ
２がオンしていれば、割り込み機能によってレリーズ動
作を実行する。

レリーズ動作終了後は再びステツプ（００１）へ戻り、
新たな焦点調節動作が開始されることになる。

〔他の実施例〕

これまで説明してきたセンサは光電変換素子として引破
壊読み出しセンサを用いたものであるが、本発明は他の
蓄積型光電変換素子、例えばＣＣＤセンサを用いた焦点
検出用センサに対しても有効であることは明らかであ
る。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、焦点検出用セン
サ装置に複数センサ列の光電変換信号の出力の順序を外
部から選択できる構造を設けることにより、他のセンサ
が蓄積中であっても早く蓄積終了したセンサから先に信
号を出力させることができ、その結果無駄な待ち時間を
持つことがなくなり、応答性のよい焦点検出動作が可能
となる。

又、複数のセンサ対それぞれ独立に被写体輝度のモニタ
機能と蓄積終了機能を持たせることによって、より多く
の被写体に対して各センサ対毎に適正な蓄積制御を行う
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る焦点検出装置の光学的配置図。 第２図は本発明に係る焦点検出装置を有するカメラの一
実施例を示す回路図。 第３図は第２図示のセンサー装置ＳＮＳ及び駆動回路Ｓ
ＤＲの構成を示す回路図。 第４図は第３図示のセンサー構成を示すセンサの回路
図。 第５図（ａ），（ｂ），（ｃ）はセンサ駆動のタイミン
グを説明する波形図。 第６図は第３図に示した蓄積制御回路ＡＧＣの構成を示
す回路図。 第７図は第６図示の回路ＡＧＣによる蓄積制御方法を説
明するための波形図。 第８図は第３図示の増巾回路ＶＡＭＰの構成を示す回路
図。 第９図（ａ），（ｂ），（ｃ）、第１０図（ａ），
（ｂ），（ｃ）、第１１図は第２図示の本発明に係る焦
点検出装置を有するカメラの動作を説明するためのプロ
グラムフローを示す説明図。 第１２図、第１３図は本発明の動作を説明するための説
明図である。 ＰＲＳ…コンピユーター ＳＮＳ…センサ装置 ＳＤＲ…駆動回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7811−2Ｋ Ｇ０３Ｂ 3/00 Ａ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】それぞれ独立してフォーカス状態を検知す
   るための複数の焦点検出用蓄積型センサー手段と、各セ
   ンサー手段に対する蓄積時間制御をそれぞれのセンサー
   手段ごとに行ない各センサー手段による像信号の蓄積動
   作終了ごとに蓄積動作終了信号を形成する蓄積時間制御
   回路と、前記蓄積動作終了信号に応答して蓄積動作が終
   了したセンサー手段の光電変換信号を他のセンサー手段
   が像信号の蓄積中であっても取り出し保持する保持回路
   と、前記保持回路に保持された光電変換信号に対する焦
   点検出演算を行なう演算回路を設け、前記蓄積動作が終
   了されたセンサー手段での光電変換信号に対する焦点検
   出演算を他のセンサー手段が像信号の蓄積中であっても
   蓄積動作が終了した順で順次行なわせたことを特徴とす
   る焦点検出装置を備えたカメラ。