JPH06124946A - Method of forming flat insulating film - Google Patents
Method of forming flat insulating filmInfo
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- JPH06124946A JPH06124946A JP27470392A JP27470392A JPH06124946A JP H06124946 A JPH06124946 A JP H06124946A JP 27470392 A JP27470392 A JP 27470392A JP 27470392 A JP27470392 A JP 27470392A JP H06124946 A JPH06124946 A JP H06124946A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造分野に
適用されるトレンチアイソレイションの形成方法や配線
層間膜の平坦化方法に関し、特に所謂ポリッシャーによ
り形成される平坦化絶縁膜の形成を良好に行うことに利
用できる。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a trench isolation and a method for flattening a wiring interlayer film applied to the field of manufacturing a semiconductor device, and particularly good for forming a flattening insulating film formed by a so-called polisher. Available to do in.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ポリッシュ技術の適用分野は広く、例え
ば半導体装置製造の際に、半導体基板等の基体上に生じ
た凹凸を平坦化するために利用することが出来る（例え
ば、特開昭６０−３９８３５号参照）。2. Description of the Related Art The field of application of the polishing technique is wide, and it can be used, for example, for flattening irregularities formed on a substrate such as a semiconductor substrate during the manufacture of a semiconductor device (see, for example, JP-A-60- 39835).
【０００３】一方、半導体装置の分野ではデバイス大容
量化が進んでいるが、チップ面積をなるべく小さくして
大容量化を図るためには多層配線技術が必要である。そ
して、この多層配線の技術においては、多層配線の段切
れを防止するため下地の平坦化が重要である。下地に凹
凸があると、これにより生ずる段差上で配線が切れる所
謂段切れが発生するからである。この平坦化を良好に行
うには、初期工程からの平坦化が重要となる。On the other hand, in the field of semiconductor devices, the capacity of devices is increasing, but in order to reduce the chip area as much as possible to increase the capacity, a multilayer wiring technique is required. In this multilayer wiring technique, it is important to flatten the base in order to prevent disconnection of the multilayer wiring. This is because if the base has irregularities, so-called step disconnection occurs in which the wiring is cut on the step generated by the unevenness. In order to perform this flattening satisfactorily, the flattening from the initial step is important.
【０００４】このため例えば、平坦なトレンチアイソレ
ーション等が考えられている。トレンチアイソレーショ
ンとは、半導体基板に形成した溝（トレンチ）に絶縁を
埋め込んで、素子分離を行うものであり、これは微細に
形成されるので有利であるが、溝の埋め込み後は、溝以
外に堆積した埋め込み材料から成る凸部を除去して平坦
化する必要がある。この平坦なトレンチアイソレーショ
ンを形成する方法として図３に示す方法がある。Therefore, for example, flat trench isolation has been considered. Trench isolation is a technique of burying insulation in trenches formed in a semiconductor substrate for element isolation, which is advantageous because it is formed finely. It is necessary to remove the projections made of the filling material deposited on the surface and planarize. As a method of forming this flat trench isolation, there is a method shown in FIG.
【０００５】この方法においては、図３（Ａ）に示され
るようにシリコン等からなる半導体基板１上に薄いシリ
コン酸化膜２及び薄いシリコンナイトライド膜３を形成
した後レジストプロセスを用いてエッチングにより溝５
を形成した後、熱酸化により内壁酸化膜４を形成する。In this method, as shown in FIG. 3 (A), a thin silicon oxide film 2 and a thin silicon nitride film 3 are formed on a semiconductor substrate 1 made of silicon or the like and then etched by using a resist process. Groove 5
Then, the inner wall oxide film 4 is formed by thermal oxidation.
【０００６】次いで、図３（Ｂ）に示したように層間膜
６を有機金属化合物（ここではＴＥＯＳを使用）のプラ
ズマ反応により酸化シリコン膜で形成する。Next, as shown in FIG. 3B, an interlayer film 6 is formed of a silicon oxide film by a plasma reaction of an organometallic compound (TEOS is used here).
【０００７】この後、溝５上部にある余分な層間膜６を
ポリッシュより除去して図４（Ｃ）のように平坦化す
る。図３（Ａ）ではポリッシュストッパ層としてシリコ
ンナトライドを用いたが、埋め込み材料がＳｉＯ2であ
れば、例えばこれによりポリッシュ速度の遅い層を用い
ればよい。After that, the extra interlayer film 6 above the groove 5 is removed by polishing and is flattened as shown in FIG. Although silicon natride is used as the polish stopper layer in FIG. 3A, if the filling material is SiO 2 , for example, a layer having a slow polish rate may be used.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術においては、ポリッシュ時に使用するスラリーは
一般に粒径１０ｎｍ程度のヒュウムドシリカをＫＯＨ溶
液に分散したものが使用されており、そのコロイダルシ
リカは、弱塩基性のＫＯＨ溶液中で表面層が溶解してシ
リカゾルの形になっており、除去が困難な事が知られて
いる。このため、ポリッシュ後のスラリー除去工程では
各種の工夫が行われている。However, in the above-mentioned prior art, the slurry used during polishing is generally a dispersion of fumed silica having a particle diameter of about 10 nm in a KOH solution, and the colloidal silica is a weak base. It is known that the surface layer is dissolved in a soluble KOH solution to form a silica sol, which is difficult to remove. Therefore, various contrivances have been made in the slurry removing step after polishing.
【０００９】例えば、ポリッシュ後に一度スラリーをウ
ェハ上で乾燥してしまうと前述のメカニズムで固着して
除去が非常に困難になる。そのためウェハを水に浸漬し
た状態で保存しておき、両面スクライブ洗浄を行うこと
により、パーティクルを除去する方法が提案されてい
る。For example, once the slurry is dried on the wafer after polishing, it adheres by the mechanism described above and becomes very difficult to remove. Therefore, a method of removing particles by storing the wafer in a state of being immersed in water and performing double-sided scribe cleaning has been proposed.
【００１０】しかし、この除去方法を用いても完全に除
去できないため、ＨＦ溶液によるウェットエッチングを
併用しなければならない。更に、トレンチプロセスにウ
ェットエッチングプロセスが併用した場合には、エッチ
ング量によってはトレンチに埋め込んだ酸化膜がエッチ
ングされてしまうなどの問題がある。However, since this method cannot be completely removed even by using this removing method, wet etching with an HF solution must be used together. Further, when the wet etching process is used together with the trench process, there is a problem that the oxide film embedded in the trench is etched depending on the etching amount.
【００１１】従って、ポリッシュ後のスラリー除去が効
率的に行えるポリッシュ技術が切望されている。Therefore, a polishing technique capable of efficiently removing the slurry after polishing is desired.
【００１２】本発明は、このような従来技術の問題点に
着目して創案されたものであって、ポリッシュプロセス
による低パーティクルな平坦化絶縁膜の形成方法を得ん
とするものである。The present invention was devised in view of the above problems of the prior art, and an object thereof is to obtain a method of forming a flattening insulating film with low particles by a polishing process.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
段差を有する基板上に酸化膜を形成した後、前記段差を
埋める絶縁膜を全面に形成し、表面に疎水処理層が形成
された微粒子をスラリーとして用いて前記絶縁膜を研磨
することを、その解決手段としている。The invention according to claim 1 is
After forming an oxide film on a substrate having a step, an insulating film filling the step is formed on the entire surface, and the insulating film is polished by using fine particles having a hydrophobic treatment layer formed on the surface as a slurry. It is a solution.
【００１４】請求項２記載の発明は、疎水処理層が疎水
基（アルキル基，ハロゲン等）を有すことを特徴として
いる。The invention according to claim 2 is characterized in that the hydrophobic treatment layer has a hydrophobic group (alkyl group, halogen, etc.).
【００１５】請求項３記載の発明は、疎水処理層を、疎
水溶液中で還流処理方法を用いた所謂溶液反応プロセス
により形成したことを特徴としている。The invention according to claim 3 is characterized in that the hydrophobic treatment layer is formed by a so-called solution reaction process using a reflux treatment method in a hydrophobic solution.
【００１６】[0016]
【作用】請求項１及び２記載の発明においては、微細粒
子をスラリーに用いて絶縁膜を研磨することにより、絶
縁膜は平坦化される。微細粒子は、表面に疎水処理層が
形成されているため、乾燥時に基板表面に固着すること
が防止される。According to the first and second aspects of the invention, the insulating film is flattened by polishing the insulating film using fine particles in the slurry. Since the fine particles have the hydrophobic treatment layer formed on the surface, they are prevented from sticking to the substrate surface during drying.
【００１７】請求項３記載の発明においては、疎水処理
層が、疎水溶液中で還流処理方法（溶液反応法）により
形成されているため、微細粒子表面に化学結合して設け
られている。このため、研磨に対しても疎水処理層が耐
久性を有し、安定したスラリーとなる。In the third aspect of the invention, since the hydrophobic treatment layer is formed by the reflux treatment method (solution reaction method) in the hydrophobic solution, it is provided by being chemically bonded to the surface of the fine particles. Therefore, the hydrophobic treatment layer has durability against polishing and becomes a stable slurry.
【００１８】[0018]
【実施例】以下、本発明の平坦化絶縁膜の形成方法の実
施例について説明する。ここで、実際の表面処理プロセ
スの説明に先立ち、まず本発明を実施するために使用し
た溶液反応装置の構成例及び処理方法について、図２を
参考にしながら説明する。なお、ここでは溶液反応装置
としてシリカの反応処理を取り上げるがシリカ粒子の載
置の構成及び方法については、特に限定されるものでは
ない。EXAMPLES Examples of the method for forming a planarization insulating film of the present invention will be described below. Here, prior to the description of the actual surface treatment process, first, a configuration example of a solution reaction apparatus used for carrying out the present invention and a treatment method will be described with reference to FIG. In addition, here, the reaction treatment of silica is taken as the solution reaction device, but the configuration and method of placing the silica particles are not particularly limited.
【００１９】反応溶液槽１１の側壁部に必要な有機金属
化合物（例えばトリメチルエトチシシラン；（ＣＨ3）3
ＳｉＯＣ2Ｈ5）を矢印Ｂ１の方向から導入するための導
入管２２及び溶媒を矢印Ｂ２の方向から導入するための
導入管２３が設けられている。また、他の側壁部には、
溶液反応処理時にシリカ粒子上の表面吸着水及び副反応
生成物等を分離するトラップ１４及び溶媒還流を可能に
するための冷却配管１５が埋設されており、装置外部に
設置されたチラー１６等の冷却設備から冷媒を導入して
図中矢印Ｃ１方向に循環されるようになっている。反応
溶液槽１１の内部には、被処理部品であるシリカ粒子を
載置する載置台１７が収容されている。反応溶液槽１１
内には、溶液を加熱するためのヒータ１８が埋設されて
いる。更に、トラップ１４には、溶液反応室の圧力を制
御可能なように排気装置１９が接続されている。An organometallic compound (eg, trimethylethysisilane; (CH 3 ) 3 ) necessary for the side wall of the reaction solution tank 11
An introduction pipe 22 for introducing SiOC 2 H 5 ) in the direction of arrow B1 and an introduction pipe 23 for introducing the solvent in the direction of arrow B2 are provided. Also, on the other side wall,
A trap 14 for separating surface-adsorbed water on silica particles and side reaction products at the time of solution reaction treatment, and a cooling pipe 15 for enabling solvent reflux are buried, and a chiller 16 or the like installed outside the apparatus is embedded. Refrigerant is introduced from the cooling equipment and circulated in the direction of arrow C1 in the figure. Inside the reaction solution tank 11, a mounting table 17 on which silica particles, which are the components to be processed, are mounted is accommodated. Reaction solution tank 11
A heater 18 for heating the solution is embedded therein. Further, an exhaust device 19 is connected to the trap 14 so that the pressure in the solution reaction chamber can be controlled.
【００２０】次に、実際のポリッシュプロセスの説明に
先立ち、まず本発明を実施するために使用したポリッシ
ュ装置の構成例、及び処理方法について図２を参照しな
がら説明する。Prior to the description of the actual polishing process, first, an example of the structure of the polishing apparatus used to carry out the present invention and a processing method will be described with reference to FIG.
【００２１】なお、ここでは上記ポリッシュ装置とし
て、枚葉式のポリッシャー装置を取り上げるが、ウェハ
載置の構成や使用方法の工夫については、特に限定され
るものではない。Although a single-wafer polishing device is used as the polishing device here, the wafer mounting structure and the method of use are not particularly limited.
【００２２】図１に示すように、ウェハ２１はウェハ保
持試料台（キャリア）２２に真空チャック方式により固
定される。一方、研磨プレート（プラテン）２３上には
パッド２４が固定されており、スラリー導入管２５から
スラリー２６が供給される。ポリッシュ処理中は、上部
の試料台回転軸２７、及び研磨プレート回転軸２８を回
転することにより、ウェハ面内のポリッシュの均一性を
確保している。As shown in FIG. 1, the wafer 21 is fixed to a wafer holding sample table (carrier) 22 by a vacuum chuck method. On the other hand, the pad 24 is fixed on the polishing plate (platen) 23, and the slurry 26 is supplied from the slurry introducing pipe 25. During the polishing process, the upper sample stage rotating shaft 27 and the polishing plate rotating shaft 28 are rotated to ensure the uniformity of polishing within the wafer surface.
【００２３】なお、ポリッシュ時のウェハの押しつけ圧
力については、ウェハ保持試料（キャリア）２２に加え
る力を制御することにより行う。また、研磨プレート
（プラテン）２３内にはプレートの温度を制御できるよ
うにヒータ２９が埋設されている。The pressing pressure of the wafer during polishing is controlled by controlling the force applied to the wafer holding sample (carrier) 22. A heater 29 is embedded in the polishing plate (platen) 23 so that the temperature of the plate can be controlled.
【００２４】次に、ポリッシュ装置を用いた平坦化方法
について、実際のプロセス例について説明する。Next, an actual process example of the flattening method using the polishing apparatus will be described.
【００２５】（実施例１）本実施例では、スラリーとし
てトリメチルエトキシシランを用いて表面処理層を形成
したシリカを用いた。Example 1 In this example, silica having a surface treatment layer formed by using trimethylethoxysilane was used as the slurry.
【００２６】以下、スラリーに用いているシリカの表面
処理方法について説明する。The surface treatment method of silica used in the slurry will be described below.
【００２７】シリカ微粒子を図２の載置台１７上にセッ
トし、疎水性溶媒、例えばオルトキシレン（o-xylene;
沸点１４５℃）を、反応容器内にシリカ微粒子が浸漬す
る程度導入する。この時、ヒータ１８により溶媒の温度
を沸点である１４５℃に保持する。これによりシリカ微
粒子表面に吸着した水分は添加した溶媒と共に蒸発し、
前述の冷却配管１５で液化する。この場合、オルトキシ
レンと相溶しない吸着水は比重差によりトラップ１４に
分離される。The silica fine particles are set on the mounting table 17 of FIG. 2 and a hydrophobic solvent such as orthoxylene (o-xylene;
(Boiling point 145 ° C.) is introduced to the extent that the silica fine particles are immersed in the reaction vessel. At this time, the temperature of the solvent is kept at 145 ° C., which is the boiling point, by the heater 18. As a result, the water adsorbed on the surface of the silica particles evaporates with the added solvent,
It is liquefied in the cooling pipe 15 described above. In this case, the adsorbed water that is incompatible with orthoxylene is separated into the trap 14 due to the difference in specific gravity.
【００２８】この状態で、吸着水が脱離するまで１時間
還流する。なお、表面吸着水が残留している場合には、
次の表面処理層の形成時に添加するトリメチルエトキシ
シラン等の有機金属アルコキシドが溶液中で反応してし
まうため、表面疎水処理層が安定に形成できない等の弊
害が発生してしまう。In this state, reflux is carried out for 1 hour until the adsorbed water is desorbed. If surface adsorbed water remains,
Since the organic metal alkoxide such as trimethylethoxysilane, which is added at the time of forming the next surface treatment layer, reacts in the solution, there arises such an adverse effect that the surface hydrophobic treatment layer cannot be stably formed.
【００２９】次に、トラップ１４にある吸着水をドレイ
ンより除去した後、トリメチルエトキシシランを添加
し、１４６℃で還流することにより表面疎水処理層を形
成する。溶媒としては、疎水溶媒でしかも反応生成物の
アルコール及び表面吸着水より沸点の高い溶媒を選択す
ればよい。例えばオルトキシレンの他にはシクロオクタ
ノンなどが考えられる。Next, after the adsorbed water in the trap 14 is removed from the drain, trimethylethoxysilane is added and refluxed at 146 ° C. to form a surface hydrophobic treatment layer. As the solvent, a solvent that is a hydrophobic solvent and has a higher boiling point than the alcohol of the reaction product and the surface-adsorbed water may be selected. For example, in addition to orthoxylene, cyclooctanone and the like can be considered.
【００３０】次に、本微粒子を用いたポリッシュプロセ
スについて再度図３を用いて説明する。Next, the polishing process using the present fine particles will be described again with reference to FIG.
【００３１】本実施例は、トレンチアイソレーションに
より平坦化した場合である。図３（Ａ）に示されるよう
に、シリコン等からなる半導体基板１上に、薄いシリコ
ン酸化膜２及び薄いシリコンナイトライド膜３を形成し
た後、レジストプロセスを用いてエッチングにより溝５
を形成した後、熱酸化により内壁酸化膜４を形成したウ
ェハを用意する。The present embodiment is a case of planarization by trench isolation. As shown in FIG. 3A, after a thin silicon oxide film 2 and a thin silicon nitride film 3 are formed on a semiconductor substrate 1 made of silicon or the like, a groove 5 is formed by etching using a resist process.
After forming, the wafer on which the inner wall oxide film 4 is formed by thermal oxidation is prepared.
【００３２】次いで、図３（Ｂ）に示したように、層間
膜６を形成する。層間膜６は、有機金属化合物（ここで
はＴＥＯＳを使用）とオゾンとの反応により酸化シリコ
ンで形成される。Next, as shown in FIG. 3B, the interlayer film 6 is formed. The interlayer film 6 is formed of silicon oxide by a reaction between an organometallic compound (TEOS is used here) and ozone.
【００３３】以下に層間膜６の形成条件を示す。The conditions for forming the interlayer film 6 are shown below.
【００３４】 ・ＴＥＯＳガス流量………１０００sccm（Ｈｅバブリン
グ） ・Ｏ3ガス流量 ……………２０００sccm ・圧力 ……………７９８００Ｐａ（６００Ｔor
r） ・温度 ……………３９０℃ 次いで、余分な層間膜６をシリカ微細粒子のポリッシュ
により除去する。このポリッシュの条件は以下に示す通
りである。・ TEOS gas flow rate ・ ・ ・ 1000 sccm (He bubbling) ・ O 3 gas flow rate ………… 2000 sccm ・ Pressure ………… 79800 Pa (600 Tor)
r) -Temperature ...... 390 ° C. Then, the excess interlayer film 6 is removed by polishing silica fine particles. The conditions of this polish are as shown below.
【００３５】 ・研磨プレート２３の回転数…………３７rpm ・ウェハ保持試料台２２の回転数……１７rpm ・研磨圧力調整 ………………５．５×１０3Ｐ
ａ ・スラリー流量 ………………２２５ml/min ・スラリー成分 ………………表面処理済シリカ ＫＯＨ 水 次に、ポリッシュ後に、水洗することでスラリー粒子を
除去する。シリカ微粒子は表面での溶解反応が起きてい
ないことや、被研磨面の水酸基との水素結合が発生して
いないことから容易に除去できる。-Rotation speed of polishing plate 23 ... 37 rpm-Rotation speed of wafer-holding sample table 22--17 rpm-Polishing pressure adjustment ... 5.5 × 10 3 P
a ・ Slurry flow rate ………… 225 ml / min ・ Slurry component ………… Surface-treated silica KOH water Next, after polishing, the slurry particles are removed by washing with water. The silica fine particles can be easily removed because no dissolution reaction has occurred on the surface and hydrogen bonds with the hydroxyl groups on the surface to be polished have not occurred.
【００３６】又、層間膜６の形成には、有機金属化合物
にはテトラエトキシシランを用いたが、絶縁膜が形成可
能である有機金属アルコキシドに適宜変更可能である。
例えば、ＴＰＯＳ（tetra proppoxy silane),ＴＭＣＴ
Ｓ(tetra methyl cyclo tetrasiloxane)等でも可能であ
る。Further, although tetraethoxysilane was used as the organometallic compound in the formation of the interlayer film 6, the organometallic alkoxide capable of forming the insulating film can be appropriately changed.
For example, TPOS (tetra proppoxy silane), TMCT
It is also possible to use S (tetra methyl cyclo tetrasiloxane) or the like.
【００３７】（実施例２）本実施例は、スラリーにトリ
フロロメチルシランを表面処理したものを用いた。トリ
フロロメトキシシランを用いることで、シリカ粒子の撥
水性を向上させることができる。Example 2 In this example, a slurry obtained by surface-treating trifluoromethylsilane was used. By using trifluoromethoxysilane, the water repellency of silica particles can be improved.
【００３８】なお、シリカ粒子の表面処理及びポリッシ
ュ方法は実施例１と同様な条件で行われた。本実施例の
ように、トリフロロメトキシシランで表面処理した場合
は、粒子の撥水性がさらに高く洗浄時間を短縮すること
ができる。The surface treatment of silica particles and the polishing method were performed under the same conditions as in Example 1. When the surface treatment is performed with trifluoromethoxysilane as in this example, the water repellency of the particles is further increased and the cleaning time can be shortened.
【００３９】以上、実施例について説明したが、本発明
は、これらに限定されるものではなく、構成の要旨に付
随する各種の設計変更が可能である。Although the embodiments have been described above, the present invention is not limited to these, and various design changes associated with the gist of the configuration can be made.
【００４０】例えば、上記実施例においては、微粒子が
シリカ粒子であるが、他の材料例えばＡｌ2Ｏ3，ＳｉＣ
等で形成しても勿論よい。For example, in the above embodiment, the fine particles are silica particles, but other materials such as Al 2 O 3 and SiC are used.
Of course, it may be formed of
【００４１】また、上記実施例は、トレンチアイソレー
ションの形成に、本発明を適用して説明したが、他の絶
縁膜の平坦化に適用し得ることは言うまでもない。Further, although the present invention has been described by applying the present invention to the formation of trench isolation in the above embodiment, it is needless to say that the present invention can be applied to planarization of other insulating films.
【００４２】さらに、上記実施例においては、微粒子表
面にアルキル基を結合させたが、ハロゲン置換換したア
ルキル基等の疎水基を含有するものでもよい。Further, although an alkyl group is bonded to the surface of the fine particles in the above embodiment, it may contain a hydrophobic group such as a halogen-substituted alkyl group.
【００４３】[0043]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１〜３記載の発明によれば、スラリーに用いる微粒子
が、乾燥時に基板上に固着するのを防止できる効果があ
る。このため、ポリッシュプロセスによる低パーティク
ルな平坦化絶縁膜が得られる効果がある。As is apparent from the above description, according to the invention described in claims 1 to 3, there is an effect that the fine particles used in the slurry can be prevented from sticking to the substrate during drying. Therefore, there is an effect that a low-particle flattening insulating film can be obtained by the polishing process.
【図１】本発明の実施例に用いたポリッシュ装置の説明
図。FIG. 1 is an explanatory view of a polishing device used in an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例に用いた溶液反応装置の説明
図。FIG. 2 is an explanatory diagram of a solution reaction device used in an example of the present invention.
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は平坦絶縁膜の形成工程を示す
断面図。3A to 3C are cross-sectional views showing the steps of forming a flat insulating film.
１…基板 ５…溝 ６…層間膜 ２６…スラリー 1 ... Substrate 5 ... Groove 6 ... Interlayer Film 26 ... Slurry
Claims (3)
後、前記段差を埋める絶縁膜を全面に形成し、表面に疎
水処理層が形成された微粒子をスラリーとして用いて前
記絶縁膜を研磨することを特徴とする平坦化絶縁膜の形
成方法。1. An oxide film is formed on a substrate having a step, an insulating film filling the step is formed on the entire surface, and the insulating film is polished by using fine particles having a hydrophobic treatment layer formed on the surface as a slurry. A method for forming a planarization insulating film, comprising:
項１記載の平坦化絶縁膜の形成方法。2. The method for forming a planarization insulating film according to claim 1, wherein the hydrophobic treatment layer has a hydrophobic group.
理方法を用いて形成する請求項１記載の平坦化絶縁膜の
形成方法。3. The method for forming a planarization insulating film according to claim 1, wherein the hydrophobic treatment layer is formed by using a reflux treatment method in a hydrophobic solution.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27470392A JP3309442B2 (en) | 1992-10-14 | 1992-10-14 | Method for forming planarizing insulating film |
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|---|---|
| JPH06124946A true JPH06124946A (en) | 1994-05-06 |
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| JP (1) | JP3309442B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010004982A (en) * | 1999-06-30 | 2001-01-15 | 김영환 | Method of manufacturing a slurry for polishing an oxide film in a semiconductor device |
| JP2003257903A (en) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Manufacturing method of abrasive |
| JP2008199036A (en) * | 2001-10-31 | 2008-08-28 | Hitachi Chem Co Ltd | Polishing solution and polishing method |
| KR20180004871A (en) * | 2016-07-04 | 2018-01-15 | 오씨아이 주식회사 | Etching solution for silicon substrate |
-
1992
- 1992-10-14 JP JP27470392A patent/JP3309442B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010004982A (en) * | 1999-06-30 | 2001-01-15 | 김영환 | Method of manufacturing a slurry for polishing an oxide film in a semiconductor device |
| JP2008199036A (en) * | 2001-10-31 | 2008-08-28 | Hitachi Chem Co Ltd | Polishing solution and polishing method |
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| JP2003257903A (en) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Manufacturing method of abrasive |
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