JPH06118449A - Ｍｉｍ型非線形素子の製造方法 - Google Patents
Ｍｉｍ型非線形素子の製造方法Info
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- JPH06118449A JPH06118449A JP27141192A JP27141192A JPH06118449A JP H06118449 A JPH06118449 A JP H06118449A JP 27141192 A JP27141192 A JP 27141192A JP 27141192 A JP27141192 A JP 27141192A JP H06118449 A JPH06118449 A JP H06118449A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アクティブマトリクスアレイにＢａｃｋ−ｔ
ｏ−Ｂａｃｋ方式のＭＩＭ型非線形素子を用いるにあた
り、従来のＢａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ方式よりも製造工
程数を減らし、なおかつ配線抵抗の低減及び特性の向上
を実現する。 【構成】 マトリクスアレイの各画素領域毎に、Ａｌ電
極層２０２ｂと、Ａｌ2Ｏ3 膜２０３と、ＩＴＯ電極層
２０４とによってＭＩＭ型非線形素子が構成されてお
り、配線部のＡｌ電極層２０２ａは全てＩＴＯ電極層２
０４によって被覆されており、また配線と素子部は分離
されている。
ｏ−Ｂａｃｋ方式のＭＩＭ型非線形素子を用いるにあた
り、従来のＢａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ方式よりも製造工
程数を減らし、なおかつ配線抵抗の低減及び特性の向上
を実現する。 【構成】 マトリクスアレイの各画素領域毎に、Ａｌ電
極層２０２ｂと、Ａｌ2Ｏ3 膜２０３と、ＩＴＯ電極層
２０４とによってＭＩＭ型非線形素子が構成されてお
り、配線部のＡｌ電極層２０２ａは全てＩＴＯ電極層２
０４によって被覆されており、また配線と素子部は分離
されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置などに用い
るＭＩＭ型非線形素子の製造方法に関する。
るＭＩＭ型非線形素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、アクティブマトリクス方式の液
晶表示装置においては、画素領域毎に非線形素子を設け
てマトリクスアレイを形成した一方側の基板と、カラー
フィルタが形成された他方側の基板との間に液晶を充填
しておき、各画素領域毎の液晶の配向状態を制御して所
定の情報を表示する。ここで、非線形素子として、ＴＦ
Ｔなどの３端子素子またはＭＩＭ型非線形素子などの２
端子素子を用いるが、液晶表示パネルに対する画面の大
型化、低コスト化などの要求に対応するには、ＭＩＭ型
非線形素子を用いた方式が有利である。また、ＭＩＭ型
非線形素子を用いた場合には、マトリクスアレイを形成
した一方側の基板に走査線を設け、他方側の基板に信号
線を設けることができるので、走査線と信号線とのクロ
スオーバー短絡が発生しないというメリットもある。
晶表示装置においては、画素領域毎に非線形素子を設け
てマトリクスアレイを形成した一方側の基板と、カラー
フィルタが形成された他方側の基板との間に液晶を充填
しておき、各画素領域毎の液晶の配向状態を制御して所
定の情報を表示する。ここで、非線形素子として、ＴＦ
Ｔなどの３端子素子またはＭＩＭ型非線形素子などの２
端子素子を用いるが、液晶表示パネルに対する画面の大
型化、低コスト化などの要求に対応するには、ＭＩＭ型
非線形素子を用いた方式が有利である。また、ＭＩＭ型
非線形素子を用いた場合には、マトリクスアレイを形成
した一方側の基板に走査線を設け、他方側の基板に信号
線を設けることができるので、走査線と信号線とのクロ
スオーバー短絡が発生しないというメリットもある。
【０００３】ＭＩＭ型非線形素子を用いたアクティブマ
トリクス方式の液晶表示装置においては、図５に示すよ
うに、各画素領域毎５０３に各走査線５０１と各信号線
５０２との間にＭＩＭ型非線形素子５０４（図中バリス
タの符号で示す。）と液晶表示素子５０５（図中、コン
デンサの符号で示す。）が直列接続された構成として表
され、走査線及び信号線に印加された信号に基づいて液
晶表示素子を選択状態（表示状態）及び非選択状態（非
表示状態）に切り換えて表示動作を制御する。
トリクス方式の液晶表示装置においては、図５に示すよ
うに、各画素領域毎５０３に各走査線５０１と各信号線
５０２との間にＭＩＭ型非線形素子５０４（図中バリス
タの符号で示す。）と液晶表示素子５０５（図中、コン
デンサの符号で示す。）が直列接続された構成として表
され、走査線及び信号線に印加された信号に基づいて液
晶表示素子を選択状態（表示状態）及び非選択状態（非
表示状態）に切り換えて表示動作を制御する。
【０００４】（従来例１） 従来は、図３および図５に
示すように、マトリクスアレイの画素領域５０３毎に走
査線５０１を介して走査回路（駆動回路）に導電接続す
るＴａ電極層３０２（第１の金属電極層）と、このＴａ
電極層３０２の表面に陽極酸化により形成されたＴａ2
Ｏ5膜３０３（素子絶縁膜）と、この素子絶縁膜３０３
の表面に形成され、ＩＴＯから成る画素電極３０５に導
電接続するＣｒ電極層３０４（第２の金属電極層）とに
よって、予めＴａ2Ｏ5層３０１ａ（Ｔａ熱酸化膜）を形
成した透明基板３０１の表面にＭＩＭ型非線形素子が構
成されている。
示すように、マトリクスアレイの画素領域５０３毎に走
査線５０１を介して走査回路（駆動回路）に導電接続す
るＴａ電極層３０２（第１の金属電極層）と、このＴａ
電極層３０２の表面に陽極酸化により形成されたＴａ2
Ｏ5膜３０３（素子絶縁膜）と、この素子絶縁膜３０３
の表面に形成され、ＩＴＯから成る画素電極３０５に導
電接続するＣｒ電極層３０４（第２の金属電極層）とに
よって、予めＴａ2Ｏ5層３０１ａ（Ｔａ熱酸化膜）を形
成した透明基板３０１の表面にＭＩＭ型非線形素子が構
成されている。
【０００５】（従来例２） 上記従来例１のＭＩＭ型非
線形素子の構造では、素子特性の対称性が悪く液晶表示
装置の表示品質が悪くなっていた。この特性に関する問
題点を解決するために、逆方向の特性を有するＭＩＭ型
非線形素子を直列に接続する方法（Ｂａｃｋ−ｔｏ−Ｂ
ａｃｋ方式）が提案されている。
線形素子の構造では、素子特性の対称性が悪く液晶表示
装置の表示品質が悪くなっていた。この特性に関する問
題点を解決するために、逆方向の特性を有するＭＩＭ型
非線形素子を直列に接続する方法（Ｂａｃｋ−ｔｏ−Ｂ
ａｃｋ方式）が提案されている。
【０００６】この方式では、素子絶縁膜の形成までは、
従来例１と同じである。素子絶縁膜形成後、素子部をエ
ッチングによって配線部と分離し、ＭＩＭ型非線形素子
を形成する部分を島状に残す。
従来例１と同じである。素子絶縁膜形成後、素子部をエ
ッチングによって配線部と分離し、ＭＩＭ型非線形素子
を形成する部分を島状に残す。
【０００７】次に、画素電極に導電接続するＣｒ電極層
を形成する。
を形成する。
【０００８】更に、従来例１、２とも、第２の金属電極
層と画素電極を同材料、同層にて形成するといった簡略
化プロセスも可能な場合がある。
層と画素電極を同材料、同層にて形成するといった簡略
化プロセスも可能な場合がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例２にあげた
Ｂａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ方式では、従来のＭＩＭ型非
線形素子の製造方法に比べて、工程数が増えＭＩＭ型非
線形素子の大きな特徴の一つであるコストメリットが十
分生かせなかった。
Ｂａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ方式では、従来のＭＩＭ型非
線形素子の製造方法に比べて、工程数が増えＭＩＭ型非
線形素子の大きな特徴の一つであるコストメリットが十
分生かせなかった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明において講じた手段は、ＭＩＭ型非線形素子を
構成する第１の金属電極層表面に陽極酸化膜を形成する
工程において、ＭＩＭ型非線形素子を形成する部分のみ
に選択的に陽極酸化を施し、配線部と素子部を分離させ
ることである。また、ＭＩＭ型非線形素子を構成する第
２の金属電極層のエッチングと同時に素子分離を行うこ
とにより、工程の簡略化を図ることである。
に本発明において講じた手段は、ＭＩＭ型非線形素子を
構成する第１の金属電極層表面に陽極酸化膜を形成する
工程において、ＭＩＭ型非線形素子を形成する部分のみ
に選択的に陽極酸化を施し、配線部と素子部を分離させ
ることである。また、ＭＩＭ型非線形素子を構成する第
２の金属電極層のエッチングと同時に素子分離を行うこ
とにより、工程の簡略化を図ることである。
【００１１】
【実施例】本発明に関わるＭＩＭ型非線形素子の製造方
法について、以下に図を用いて説明する。
法について、以下に図を用いて説明する。
【００１２】図１は本発明のＭＩＭ型非線形素子のプロ
セスを示す平面図、図２は図１におけるＡ−ＢおよびＣ
−ＤでのＭＩＭ型非線形素子の断面図、図３は従来のＭ
ＩＭ型非線形素子の断面図、図４は既に提案されている
逆方向の特性を有する素子を直列に接続する方法を用い
たＭＩＭ型非線形素子の断面図、図５はＭＩＭ型非線形
素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置
の等価回路図である。
セスを示す平面図、図２は図１におけるＡ−ＢおよびＣ
−ＤでのＭＩＭ型非線形素子の断面図、図３は従来のＭ
ＩＭ型非線形素子の断面図、図４は既に提案されている
逆方向の特性を有する素子を直列に接続する方法を用い
たＭＩＭ型非線形素子の断面図、図５はＭＩＭ型非線形
素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置
の等価回路図である。
【００１３】本発明に関わるＭＩＭ型非線形素子では、
まず透明基板２０１の表面にＡｌ層をスパッタ形成した
後、これをパターニングしてＡｌ電極層２０２を形成す
る。この時、図１（ａ）に示すような形で、Ａｌ電極層
がパターニングされている。
まず透明基板２０１の表面にＡｌ層をスパッタ形成した
後、これをパターニングしてＡｌ電極層２０２を形成す
る。この時、図１（ａ）に示すような形で、Ａｌ電極層
がパターニングされている。
【００１４】次に、基板の全面にフォトレジストを塗布
し、露光、現像を行い、ＭＩＭ型非線形素子となる部分
のＡｌ電極層１０１の部分のみフォトレジストを取り除
く。このフォトレジストをマスクとして、ＭＩＭ型非線
形素子となる部分のＡｌ電極層２０２に所定の膜厚が得
られるように電圧を印加して選択的に陽極酸化を施し
て、その表面層をＡｌ2Ｏ3層２０３（素子絶縁膜）とす
る。この時、図１（ｂ）で示されるように、１０２の部
分のみ陽極酸化が施されている。陽極酸化のマスクとし
たフォトレジストは、剥離液を用いて陽極酸化後に取り
除く。
し、露光、現像を行い、ＭＩＭ型非線形素子となる部分
のＡｌ電極層１０１の部分のみフォトレジストを取り除
く。このフォトレジストをマスクとして、ＭＩＭ型非線
形素子となる部分のＡｌ電極層２０２に所定の膜厚が得
られるように電圧を印加して選択的に陽極酸化を施し
て、その表面層をＡｌ2Ｏ3層２０３（素子絶縁膜）とす
る。この時、図１（ｂ）で示されるように、１０２の部
分のみ陽極酸化が施されている。陽極酸化のマスクとし
たフォトレジストは、剥離液を用いて陽極酸化後に取り
除く。
【００１５】次に、ＩＴＯ層をスパッタ形成した後、Ｍ
ＩＭ型非線形素子を形成する部分、配線に用いる部分お
よび画素電極となる部分を、一括してパターニングし
て、ＩＴＯ電極層２０４および画素電極２０５を形成す
る。この際、配線に用いる部分のＩＴＯ電極層２０４
は、前の工程で形成されたＡｌ電極層２０２ａの上に形
成され、Ａｌ電極層２０２ａを全て被覆して、走査線５
０１を介して走査回路に導電接続する。配線のＡｌ電極
層２０２ａをＩＴＯ電極層２０４で全て被覆することに
より、ＩＴＯのエッチング液によるＡｌの腐食断線を防
止することができる。
ＩＭ型非線形素子を形成する部分、配線に用いる部分お
よび画素電極となる部分を、一括してパターニングし
て、ＩＴＯ電極層２０４および画素電極２０５を形成す
る。この際、配線に用いる部分のＩＴＯ電極層２０４
は、前の工程で形成されたＡｌ電極層２０２ａの上に形
成され、Ａｌ電極層２０２ａを全て被覆して、走査線５
０１を介して走査回路に導電接続する。配線のＡｌ電極
層２０２ａをＩＴＯ電極層２０４で全て被覆することに
より、ＩＴＯのエッチング液によるＡｌの腐食断線を防
止することができる。
【００１６】Ａｌ2Ｏ3は耐薬品性が高いため、ＩＴＯの
エッチング液による腐食に関しては、特に注意する必要
はない。
エッチング液による腐食に関しては、特に注意する必要
はない。
【００１７】また、積層順に関わらずＡｌとＩＴＯのコ
ンタクト抵抗が高いことは周知の事実であり、場合によ
ってはこれが問題となることもあるが、本発明に関わる
実施例では、ＩＴＯをＡｌの上に直接配線し、ＩＴＯと
Ａｌを容量結合させ走査回路に導電接続する構造として
いるため特に問題にはならない。
ンタクト抵抗が高いことは周知の事実であり、場合によ
ってはこれが問題となることもあるが、本発明に関わる
実施例では、ＩＴＯをＡｌの上に直接配線し、ＩＴＯと
Ａｌを容量結合させ走査回路に導電接続する構造として
いるため特に問題にはならない。
【００１８】ＩＴＯ電極層のパターニングの際に、同時
に配線部とＭＩＭ型非線形素子部の分離を行う。この素
子分離の工程では、ＩＴＯ電極層２０４と同一マスクに
てＡｌ電極層２０２ａとＡｌ電極層２０２ｂを分離し、
ＭＩＭ型非線形素子部を島状に残す。この時、ＩＴＯの
エッチング液によってＡｌもエッチングされるので、従
来例２のＭＩＭ型非線形素子の製造工程のように、素子
分離のための単独工程を必要としない。
に配線部とＭＩＭ型非線形素子部の分離を行う。この素
子分離の工程では、ＩＴＯ電極層２０４と同一マスクに
てＡｌ電極層２０２ａとＡｌ電極層２０２ｂを分離し、
ＭＩＭ型非線形素子部を島状に残す。この時、ＩＴＯの
エッチング液によってＡｌもエッチングされるので、従
来例２のＭＩＭ型非線形素子の製造工程のように、素子
分離のための単独工程を必要としない。
【００１９】Ａｌのエッチングは、ＩＴＯのエッチング
後、Ａｌのエッチング液を用いて行っても構わない。ま
た、ＩＴＯ電極層および画素電極のパターニングの際に
塗布したフォトレジストは、ＩＴＯのエッチング終了段
階またはＡｌのエッチングまで終了した段階のどちらで
剥離してもよい。工程の簡略化のためには、ＩＴＯのエ
ッチング液を用いてＡｌをエッチングし、その後フォト
レジストの剥離を行うのがよい。
後、Ａｌのエッチング液を用いて行っても構わない。ま
た、ＩＴＯ電極層および画素電極のパターニングの際に
塗布したフォトレジストは、ＩＴＯのエッチング終了段
階またはＡｌのエッチングまで終了した段階のどちらで
剥離してもよい。工程の簡略化のためには、ＩＴＯのエ
ッチング液を用いてＡｌをエッチングし、その後フォト
レジストの剥離を行うのがよい。
【００２０】また、従来のＭＩＭ型非線形素子の製造工
程では、Ｔａ電極層のエッチングや素子分離をドライエ
ッチングで行っている。この際に、フォトレジストや再
デポ物による汚染等が、ＭＩＭ型非線形素子の素子特性
に影響を及ぼす可能性があることが指摘されている。ま
た、この時にＴａ熱酸化膜も同時にエッチングされ、こ
のＴａ熱酸化膜が一様にエッチングされないことによる
エッチングむらが基板上にシミとなって現れ、液晶表示
装置の表示品質に影響を及ぼす。本発明の実施例では、
ドライエッチング工程はいっさい行われないので、この
ような問題が起こることはない。
程では、Ｔａ電極層のエッチングや素子分離をドライエ
ッチングで行っている。この際に、フォトレジストや再
デポ物による汚染等が、ＭＩＭ型非線形素子の素子特性
に影響を及ぼす可能性があることが指摘されている。ま
た、この時にＴａ熱酸化膜も同時にエッチングされ、こ
のＴａ熱酸化膜が一様にエッチングされないことによる
エッチングむらが基板上にシミとなって現れ、液晶表示
装置の表示品質に影響を及ぼす。本発明の実施例では、
ドライエッチング工程はいっさい行われないので、この
ような問題が起こることはない。
【００２１】また、素子部ＩＴＯ電極層１０４と１０５
の間隔は、Ａｌ2Ｏ3膜の膜厚に比べて充分な間隔をおい
てあるので、Ａｌ2Ｏ3膜を通じる漏洩電流に関しては、
特に問題はない。
の間隔は、Ａｌ2Ｏ3膜の膜厚に比べて充分な間隔をおい
てあるので、Ａｌ2Ｏ3膜を通じる漏洩電流に関しては、
特に問題はない。
【００２２】従来例２のＭＩＭ型非線形素子の簡略化プ
ロセスでは、スパッタ工程が２回、フォトリソグラフィ
ー工程が３回、エッチング工程が３回であるのに対し
て、本発明の実施例では、スパッタ工程が２回、フォト
リソグラフィー工程が３回、エッチング工程が２回とな
っている。
ロセスでは、スパッタ工程が２回、フォトリソグラフィ
ー工程が３回、エッチング工程が３回であるのに対し
て、本発明の実施例では、スパッタ工程が２回、フォト
リソグラフィー工程が３回、エッチング工程が２回とな
っている。
【００２３】本発明の実施例により、エッチング工程を
２回に抑えることで、全製造工程数を減らすことが出来
るので、ＭＩＭ型非線形素子の大きな特徴のひとつであ
るコストメリットを生かすことができる。
２回に抑えることで、全製造工程数を減らすことが出来
るので、ＭＩＭ型非線形素子の大きな特徴のひとつであ
るコストメリットを生かすことができる。
【００２４】
【発明の効果】以上のとおり、本発明においては、配線
をＭＩＭ型非線形素子を構成する第１の金属電極層であ
るＡｌと第２の金属電極層であるＩＴＯとによる二層構
造とし、ＭＩＭ型非線形素子を構成する部分のＡｌ電極
層のみに選択的に陽極酸化を施し、配線と素子部を分離
し、第２の金属電極層と画素電極を同一材料とし、なお
かつ逆方向特性を有するＭＩＭ型非線形素子を直列に接
続させている構造としていることに特徴を有する。
をＭＩＭ型非線形素子を構成する第１の金属電極層であ
るＡｌと第２の金属電極層であるＩＴＯとによる二層構
造とし、ＭＩＭ型非線形素子を構成する部分のＡｌ電極
層のみに選択的に陽極酸化を施し、配線と素子部を分離
し、第２の金属電極層と画素電極を同一材料とし、なお
かつ逆方向特性を有するＭＩＭ型非線形素子を直列に接
続させている構造としていることに特徴を有する。
【００２５】本発明によれば、ＩＴＯと同一のマスクを
用いて、配線部とＭＩＭ型非線形素子部の分離をＩＴＯ
のエッチングと同時に行うので、製造工程の簡略化を図
ることができるという効果を奏する。
用いて、配線部とＭＩＭ型非線形素子部の分離をＩＴＯ
のエッチングと同時に行うので、製造工程の簡略化を図
ることができるという効果を奏する。
【図１】 本発明のＭＩＭ型非線形素子のプロセスを示
す平面図。
す平面図。
【図２】 （ａ）図１のＡ−Ｂ部における、本発明のＭ
ＩＭ型非線形素子の断面図。（ｂ）図１のＣ−Ｄ部にお
ける、本発明のＭＩＭ型非線形素子の断面図。
ＩＭ型非線形素子の断面図。（ｂ）図１のＣ−Ｄ部にお
ける、本発明のＭＩＭ型非線形素子の断面図。
【図３】 従来例１のＭＩＭ型非線形素子の断面図。
【図４】 従来例２のＭＩＭ型非線形素子の断面図。
【図５】 ＭＩＭ型非線形素子を用いたアクティブマト
リクス方式の液晶表示装置の等価回路図。
リクス方式の液晶表示装置の等価回路図。
【符号の説明】 １０１ Ａｌ電極層 １０２ Ａｌ電極層陽極酸化部 １０３ ＭＩＭ型非線形素子部 １０４ 素子部ＩＴＯ電極層 １０５ 素子部ＩＴＯ電極層 ２０１ 透明基板 ２０２ Ａｌ電極層 ２０２ａ Ａｌ電極層配線部 ２０２ｂ Ａｌ電極層素子部 ２０３ Ａｌ2Ｏ3膜（素子絶縁膜） ２０４ ＩＴＯ電極層 ２０５ 画素電極 ３０１ 透明基板 ３０１ａ Ｔａ2Ｏ5層（Ｔａ熱酸化膜） ３０２ Ｔａ電極層 ３０３ Ｔａ2Ｏ5膜（陽極酸化膜） ３０４ Ｃｒ電極層 ３０５ 画素電極 ５０１ 走査線 ５０２ 信号線 ５０３ 画素領域 ５０４ ＭＩＭ型非線形素子 ５０５ 液晶表示素子
Claims (3)
- 【請求項１】 透明基板の表面に形成されたマトリクス
アレイの各画素領域には、第１の金属電極層と、この第
１の金属電極層表面に形成された陽極酸化膜と、この陽
極酸化膜表面に形成された第２の金属電極層とによって
ＭＩＭ型非線形素子が構成されており、第１の金属電極
層表面に陽極酸化膜を形成する工程において、ＭＩＭ型
非線形素子を形成する部分のみを選択的に陽極酸化する
ことを特徴とするＭＩＭ型非線形素子の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に示すＭＩＭ型非線形素子にお
いて、ＭＩＭ型非線形素子を駆動する走査線と素子は分
離されており、この走査線と素子を分離する工程におい
て、第１の金属電極層と第２の金属電極層を同一マスク
にて同時にエッチングしていることを特徴とするＭＩＭ
型非線形素子の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１および２において、前記第１の
金属電極層はアルミニウム層であり、第２の金属電極層
はＩＴＯであることを特徴とするＭＩＭ型非線形素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27141192A JP3306923B2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 液晶装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27141192A JP3306923B2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 液晶装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06118449A true JPH06118449A (ja) | 1994-04-28 |
| JP3306923B2 JP3306923B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=17499675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27141192A Expired - Fee Related JP3306923B2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 液晶装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3306923B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458122B1 (ko) * | 2001-08-28 | 2004-11-20 | 전자부품연구원 | 액정 표시장치의 연성 ｍｉｍ 소자 제조방법 |
| US20070103608A1 (en) * | 2005-11-09 | 2007-05-10 | Lg Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| JP2011100120A (ja) * | 2003-09-08 | 2011-05-19 | Lg Electronics Inc | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-10-09 JP JP27141192A patent/JP3306923B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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