JPH0611825A - ホトマスクの製造方法 - Google Patents
ホトマスクの製造方法Info
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- JPH0611825A JPH0611825A JP3153493A JP3153493A JPH0611825A JP H0611825 A JPH0611825 A JP H0611825A JP 3153493 A JP3153493 A JP 3153493A JP 3153493 A JP3153493 A JP 3153493A JP H0611825 A JPH0611825 A JP H0611825A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/28—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof with three or more diverse phases on the same PSM; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 転写パターンの形状にかかわらず不都合なく
常に移相部材を転写パターンの全体にわたって配置する
ことができるホトマスクを得る。 【構成】 移相部材１３を第１，第２の移相部材１３
Ａ，１３Ｂのように多層積層構造とする。各移相部材１
３Ａ，１３Ｂの光の位相の移相角度は１８０°よりも小
さく、その合計は１８０°になるように設定する。遮光
部材１２に隣接しない端部Ｅにおいて、上側の第２の移
相部材１３Ｂの端部は下側の第１の移相部材１３Ａの端
部よりも外側へはみ出して透明基板１１上にまで覆いか
ぶさる。そして、熱処理をして、記号Ｅで示す第２の移
相部材１３Ｂの端部をテーパ状にする。 【効果】 移相部材の積層部分においては位相シフト法
の原理により高い解像力が得られ、かつ端部Ｅにおいて
は光強度が不都合にゼロに落ち込むことがない。
常に移相部材を転写パターンの全体にわたって配置する
ことができるホトマスクを得る。 【構成】 移相部材１３を第１，第２の移相部材１３
Ａ，１３Ｂのように多層積層構造とする。各移相部材１
３Ａ，１３Ｂの光の位相の移相角度は１８０°よりも小
さく、その合計は１８０°になるように設定する。遮光
部材１２に隣接しない端部Ｅにおいて、上側の第２の移
相部材１３Ｂの端部は下側の第１の移相部材１３Ａの端
部よりも外側へはみ出して透明基板１１上にまで覆いか
ぶさる。そして、熱処理をして、記号Ｅで示す第２の移
相部材１３Ｂの端部をテーパ状にする。 【効果】 移相部材の積層部分においては位相シフト法
の原理により高い解像力が得られ、かつ端部Ｅにおいて
は光強度が不都合にゼロに落ち込むことがない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置等を製造
する際のリソグラフィ工程において用いられるホトマス
クの製造方法に関する。
する際のリソグラフィ工程において用いられるホトマス
クの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、リソグラフィ工程では、照明光
に対して透明な透光部分と不透明な遮光部分とから成る
所定の転写パターンが形成されたホトマスクが用いられ
る。このようなホトマスク上の転写パターンは、レンズ
系により、感光性材料層を有した被加工基板上に投影さ
れ、これにより感光性材料層にホトマスク上の転写パタ
ーンの転写が行われる。
に対して透明な透光部分と不透明な遮光部分とから成る
所定の転写パターンが形成されたホトマスクが用いられ
る。このようなホトマスク上の転写パターンは、レンズ
系により、感光性材料層を有した被加工基板上に投影さ
れ、これにより感光性材料層にホトマスク上の転写パタ
ーンの転写が行われる。
【０００３】図１３に従来のホトマスクの断面図を示
す。ガラス等からなる透明基板３１の表面上に、Ｃｒ，
ＭｏＳｉ等からなる遮光部材３２が形成されている。こ
の遮光部材３２により転写パターンが形成される。
す。ガラス等からなる透明基板３１の表面上に、Ｃｒ，
ＭｏＳｉ等からなる遮光部材３２が形成されている。こ
の遮光部材３２により転写パターンが形成される。
【０００４】このようなホトマスク３０は、例えば次の
ようにして製造されていた。まず、図１０に示すよう
に、透明基板３１上にＣｒの薄膜３３を形成し、さらに
Ｃｒ薄膜３３上に電子線レジスト層３４を形成する。次
に、電子線レジスト層３４に電子線３５による所定のパ
ターンの描画を行う。しかる後、現像を行うことによ
り、図１１に示すように電子線レジスト層３４をパター
ン化する。その後、この電子線レジスト層３４をマスク
としてＣｒ薄膜３３をエッチングすることにより、図１
２に示すようにパターン化された遮光部材３２を得る。
最後に、電子線レジスト層３４を除去することにより、
図１３に示す構造のホトマスク３０が得られる。
ようにして製造されていた。まず、図１０に示すよう
に、透明基板３１上にＣｒの薄膜３３を形成し、さらに
Ｃｒ薄膜３３上に電子線レジスト層３４を形成する。次
に、電子線レジスト層３４に電子線３５による所定のパ
ターンの描画を行う。しかる後、現像を行うことによ
り、図１１に示すように電子線レジスト層３４をパター
ン化する。その後、この電子線レジスト層３４をマスク
としてＣｒ薄膜３３をエッチングすることにより、図１
２に示すようにパターン化された遮光部材３２を得る。
最後に、電子線レジスト層３４を除去することにより、
図１３に示す構造のホトマスク３０が得られる。
【０００５】このようにして製造されたホトマスク３０
の投影像においては、図１４（Ｂ）の透過光振幅分布図
に示されるように、図１４（Ａ）の透明基板３１を透過
した光が、回折現象により、遮光部材３２による遮光領
域にまで回り込んでいる。実際の光強度は振幅の二乗と
して得られるので、透過光の光強度分布は図１４（Ｃ）
に示すようになる。この様に、従来のホトマスクでは、
遮光部材３２による遮光領域にまで光の回り込みが見ら
れる。このため、パターン転写の解像力が低下し、微細
パターンを高精度に転写することが困難であった。
の投影像においては、図１４（Ｂ）の透過光振幅分布図
に示されるように、図１４（Ａ）の透明基板３１を透過
した光が、回折現象により、遮光部材３２による遮光領
域にまで回り込んでいる。実際の光強度は振幅の二乗と
して得られるので、透過光の光強度分布は図１４（Ｃ）
に示すようになる。この様に、従来のホトマスクでは、
遮光部材３２による遮光領域にまで光の回り込みが見ら
れる。このため、パターン転写の解像力が低下し、微細
パターンを高精度に転写することが困難であった。
【０００６】このような回折現象に起因する解像力の低
下を防止する方法として、従来より、位相シフト法が知
られている。この位相シフト法では、図１５に示すよう
に、ホトマスク５０の透明部分Ｔ１，Ｔ２…と遮光部分
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３…とが交互に配置されている転写パタ
ーンについて、透明部分のうちの一つおきに移相部材５
３が配される。すなわち、透明部分Ｔ２では、隣接する
遮光部材５２間の透明基板５１上に移相部材５３が形成
される。移相部材５３は、光がこれを透過した場合とし
ない場合とで１８０°の位相差を生じるような厚さに設
定されている。
下を防止する方法として、従来より、位相シフト法が知
られている。この位相シフト法では、図１５に示すよう
に、ホトマスク５０の透明部分Ｔ１，Ｔ２…と遮光部分
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３…とが交互に配置されている転写パタ
ーンについて、透明部分のうちの一つおきに移相部材５
３が配される。すなわち、透明部分Ｔ２では、隣接する
遮光部材５２間の透明基板５１上に移相部材５３が形成
される。移相部材５３は、光がこれを透過した場合とし
ない場合とで１８０°の位相差を生じるような厚さに設
定されている。
【０００７】従って、透明部分Ｔ１及びＴ２をそれぞれ
透過して遮光部分Ｓ２に回り込んだ光は、干渉により互
いに打ち消し合う。このため、解像力が向上する。
透過して遮光部分Ｓ２に回り込んだ光は、干渉により互
いに打ち消し合う。このため、解像力が向上する。
【０００８】図１５に示したホトマスク５０は例えば次
のようにして製造される。まず、図１０〜図１３の方法
と同様にして、図１６に示すように透明基板５１上に所
定のパターンの遮光部材５２を形成する。次に、図１７
に示すように、透明基板５１及び遮光部材５２の上に例
えばガラスの透明膜５４を形成する。さらに、透明膜５
４上にレジスト層を形成し、これに電子線等による描画
を行うことにより、レジスト層にパターン転写を行う。
しかる後現像を行い、図１８に示すように、遮光部材５
２が設けられていない透光部分上に１つおきにレジスト
層が残るレジストパターン５５を形成する。このレジス
トパターン５５をマスクとして透明膜５４をエッチング
することにより、図１９に示すように、パターン化され
た移相部材５３を得る。そして最後にレジストパターン
５５を除去することにより、図１５に示す構造のホトマ
スク５０が得られる。
のようにして製造される。まず、図１０〜図１３の方法
と同様にして、図１６に示すように透明基板５１上に所
定のパターンの遮光部材５２を形成する。次に、図１７
に示すように、透明基板５１及び遮光部材５２の上に例
えばガラスの透明膜５４を形成する。さらに、透明膜５
４上にレジスト層を形成し、これに電子線等による描画
を行うことにより、レジスト層にパターン転写を行う。
しかる後現像を行い、図１８に示すように、遮光部材５
２が設けられていない透光部分上に１つおきにレジスト
層が残るレジストパターン５５を形成する。このレジス
トパターン５５をマスクとして透明膜５４をエッチング
することにより、図１９に示すように、パターン化され
た移相部材５３を得る。そして最後にレジストパターン
５５を除去することにより、図１５に示す構造のホトマ
スク５０が得られる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１５
に示す構造のホトマスク５０では、図２０（Ａ）の記号
Ｅで示す部分のように、転写パターンの端部において、
移相部材５３自身の端部が透明基板５１上に直接位置し
てしまう所が必ず生じる。図２０（Ｂ）に示すように、
透明基板５１および移相部材５３の両方を透過した光と
透明基板５１のみを透過した光とは位相が１８０°異な
るため、記号Ｅで示すような部分では、図２０（Ｃ）に
示すように、不都合にも光強度がゼロになってしまう。
このため、図２１に示すように、半導体基板上に形成さ
れた例えばポジ型レジスト５６に図２１（Ａ）に示すよ
うなホトマスク５０の転写パターンを転写しようとする
と、本来ならば図９（Ｂ）のようにパターン化されるべ
きはずのところが、図２１（Ｂ）に示すように、余分な
所（上述のように不都合に光強度が０になってしまう
所）でレジスト５６が残渣として残ってしまう。
に示す構造のホトマスク５０では、図２０（Ａ）の記号
Ｅで示す部分のように、転写パターンの端部において、
移相部材５３自身の端部が透明基板５１上に直接位置し
てしまう所が必ず生じる。図２０（Ｂ）に示すように、
透明基板５１および移相部材５３の両方を透過した光と
透明基板５１のみを透過した光とは位相が１８０°異な
るため、記号Ｅで示すような部分では、図２０（Ｃ）に
示すように、不都合にも光強度がゼロになってしまう。
このため、図２１に示すように、半導体基板上に形成さ
れた例えばポジ型レジスト５６に図２１（Ａ）に示すよ
うなホトマスク５０の転写パターンを転写しようとする
と、本来ならば図９（Ｂ）のようにパターン化されるべ
きはずのところが、図２１（Ｂ）に示すように、余分な
所（上述のように不都合に光強度が０になってしまう
所）でレジスト５６が残渣として残ってしまう。
【００１０】実際の半導体装置の製造に使用される転写
パターンは有限のパターンであり、必ず端部がある。よ
って位相シフト法を適用する場合、その端部において必
ずこの様なレジスト残渣の問題が起こる。レジスト残渣
を避けるためには、問題となる部分での移相部材の配置
をやめるしかない。このため、従来の位相シフト法で
は、移相部材を転写パターンの全体にわたって配置する
ことができず、移相部材を配置しない部分では解像力が
低下してしまうという問題点があった。
パターンは有限のパターンであり、必ず端部がある。よ
って位相シフト法を適用する場合、その端部において必
ずこの様なレジスト残渣の問題が起こる。レジスト残渣
を避けるためには、問題となる部分での移相部材の配置
をやめるしかない。このため、従来の位相シフト法で
は、移相部材を転写パターンの全体にわたって配置する
ことができず、移相部材を配置しない部分では解像力が
低下してしまうという問題点があった。
【００１１】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたもので、転写パターンの形状にかかわらず不都合
なく常に移相部材を転写パターンの全体にわたって配置
することができ、その結果、常に高い解像力でパターン
転写を行うことができるホトマスクの製造方法を提供す
ることを目的としている。
されたもので、転写パターンの形状にかかわらず不都合
なく常に移相部材を転写パターンの全体にわたって配置
することができ、その結果、常に高い解像力でパターン
転写を行うことができるホトマスクの製造方法を提供す
ることを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係るホトマ
スクの製造方法は、光を透過する透明基板を準備する工
程と、この透明基板上に光を遮断する遮光部材を選択的
に形成する工程と、この遮光部材に隣接して透明基板上
に、位相をシフトさせて光を透過する移相部材を形成す
る工程とを備え、この移相部材を形成する工程は、第１
ないし第Ｎ（Ｎは２以上の整数）の移相部材を、遮光部
材に隣接しない部分において第Ｋ（Ｋは２≦Ｋ≦Ｎの整
数）の移相部材の端部が第（Ｋ−１）の移相部材の端部
よりも外側へはみ出して透明基板上にまで覆いかぶさる
ように、透明基板上に順に積層する工程を含み、第１な
いし第Ｎの移相部材の光の位相の移相角度は各々１８０
°よりも小さく、かつ合計が１８０°であるように構成
されている。
スクの製造方法は、光を透過する透明基板を準備する工
程と、この透明基板上に光を遮断する遮光部材を選択的
に形成する工程と、この遮光部材に隣接して透明基板上
に、位相をシフトさせて光を透過する移相部材を形成す
る工程とを備え、この移相部材を形成する工程は、第１
ないし第Ｎ（Ｎは２以上の整数）の移相部材を、遮光部
材に隣接しない部分において第Ｋ（Ｋは２≦Ｋ≦Ｎの整
数）の移相部材の端部が第（Ｋ−１）の移相部材の端部
よりも外側へはみ出して透明基板上にまで覆いかぶさる
ように、透明基板上に順に積層する工程を含み、第１な
いし第Ｎの移相部材の光の位相の移相角度は各々１８０
°よりも小さく、かつ合計が１８０°であるように構成
されている。
【００１３】そして、望ましくは、第１ないし第Ｎ（Ｎ
は２以上の整数）の移相部材を透明基板上に順に積層す
る工程に、熱処理を施して前記透明基板上に積層された
前記移相部材の端部の傾斜を小さくする工程を含むよう
に構成されている。
は２以上の整数）の移相部材を透明基板上に順に積層す
る工程に、熱処理を施して前記透明基板上に積層された
前記移相部材の端部の傾斜を小さくする工程を含むよう
に構成されている。
【００１４】さらに望ましくは、熱処理を施して移相部
材の端部の傾斜を小さくする工程に、前記第Ｎの移相部
材を形成した後に、前記移相部材に熱処理を施す工程を
含むように構成されている。
材の端部の傾斜を小さくする工程に、前記第Ｎの移相部
材を形成した後に、前記移相部材に熱処理を施す工程を
含むように構成されている。
【００１５】また、さらに望ましくは、熱処理を施して
移相部材の端部の傾斜を小さくする工程に、前記第１な
いし第Ｎの移相部材を順次形成する毎に熱処理を施して
該第１ないし第Ｎの移相部材の端部の傾斜を小さくする
工程を含むように構成されている。
移相部材の端部の傾斜を小さくする工程に、前記第１な
いし第Ｎの移相部材を順次形成する毎に熱処理を施して
該第１ないし第Ｎの移相部材の端部の傾斜を小さくする
工程を含むように構成されている。
【００１６】また、望ましくは、第１ないし第Ｎ（Ｎは
２以上の整数）の移相部材を透明基板上に順に積層する
工程に、前記透明基板の上面に垂直な方向及び該上面に
平行な方向へ同時に浸食するエッチングによって前記移
相部材の端部の傾斜を小さくする工程を含むように構成
されている。
２以上の整数）の移相部材を透明基板上に順に積層する
工程に、前記透明基板の上面に垂直な方向及び該上面に
平行な方向へ同時に浸食するエッチングによって前記移
相部材の端部の傾斜を小さくする工程を含むように構成
されている。
【００１７】第２の発明に係るホトマスクの製造方法
は、光を透過する透明基板を準備する工程と、前記透明
基板上に光を遮断する遮光部材を選択的に形成する工程
と、前記遮光部材に隣接して前記透明基板上に、位相を
シフトさせて光を透過する移相部材を形成する工程と、
熱処理を施して前記透明基板上に形成された前記移相部
材の端部の傾斜を小さくする工程とを備えて構成されて
いる。
は、光を透過する透明基板を準備する工程と、前記透明
基板上に光を遮断する遮光部材を選択的に形成する工程
と、前記遮光部材に隣接して前記透明基板上に、位相を
シフトさせて光を透過する移相部材を形成する工程と、
熱処理を施して前記透明基板上に形成された前記移相部
材の端部の傾斜を小さくする工程とを備えて構成されて
いる。
【００１８】第３の発明に係るホトマスクの製造方法
は、光を透過する透明基板を準備する工程と、前記透明
基板上に光を遮断する遮光部材を選択的に形成する工程
と、前記遮光部材に隣接して前記透明基板上に、位相を
シフトさせて光を透過する移相部材を形成する工程と、
前記透明基板の上面に垂直な方向及び該上面に平行な方
向へ同時に浸食するエッチングによって前記移相部材の
端部の傾斜を小さくする工程とを備えて構成されてい
る。
は、光を透過する透明基板を準備する工程と、前記透明
基板上に光を遮断する遮光部材を選択的に形成する工程
と、前記遮光部材に隣接して前記透明基板上に、位相を
シフトさせて光を透過する移相部材を形成する工程と、
前記透明基板の上面に垂直な方向及び該上面に平行な方
向へ同時に浸食するエッチングによって前記移相部材の
端部の傾斜を小さくする工程とを備えて構成されてい
る。
【００１９】
【作用】第１の発明によるホトマスクの製造方法によっ
て製造されたホトマスクにおいて、第１ないし第Ｎの移
相部材の光の位相の移相角度の合計は１８０°に設定さ
れている。よって、第１ないし第Ｎの移相部材が透明基
板上に順に積層されている部分においては、周知の位相
シフト法の原理により、高い解像力が実現できる。一
方、第１ないし第Ｎの移相部材の光の位相の移相角度の
各々は１８０°よりも小さく設定されている。よって、
第Ｋの移相部材の端部がその下の第（Ｋ−１）の移相部
材の端部よりも外側へはみ出して透明基板上にまで覆い
かぶさるように形成されている部分においては、光強度
がゼロにまで落ち込むことはない。なぜなら、第（Ｋ−
１）の移相部材の端部では、その上にかぶさる第Ｋの移
相部材の表面がなだらかに傾斜することになるので、光
強度の低下が小さくて済み、一方、一番上の第Ｎの移相
部材の端部が透明基板上に直接に位置する部分でも、該
第Ｎの移相部材の光の位相の移相角度が１８０°よりも
小さいので、やはり光強度の低下が小さくて済むからで
ある。
て製造されたホトマスクにおいて、第１ないし第Ｎの移
相部材の光の位相の移相角度の合計は１８０°に設定さ
れている。よって、第１ないし第Ｎの移相部材が透明基
板上に順に積層されている部分においては、周知の位相
シフト法の原理により、高い解像力が実現できる。一
方、第１ないし第Ｎの移相部材の光の位相の移相角度の
各々は１８０°よりも小さく設定されている。よって、
第Ｋの移相部材の端部がその下の第（Ｋ−１）の移相部
材の端部よりも外側へはみ出して透明基板上にまで覆い
かぶさるように形成されている部分においては、光強度
がゼロにまで落ち込むことはない。なぜなら、第（Ｋ−
１）の移相部材の端部では、その上にかぶさる第Ｋの移
相部材の表面がなだらかに傾斜することになるので、光
強度の低下が小さくて済み、一方、一番上の第Ｎの移相
部材の端部が透明基板上に直接に位置する部分でも、該
第Ｎの移相部材の光の位相の移相角度が１８０°よりも
小さいので、やはり光強度の低下が小さくて済むからで
ある。
【００２０】また、移相部材の端部に、さらになだらか
な傾斜を持たせることによって、端部における光強度の
低下をより小さくすることができる。
な傾斜を持たせることによって、端部における光強度の
低下をより小さくすることができる。
【００２１】第２及び第３の発明によるホトマスクの製
造方法によって製造されたホトマスクにおいて、移相部
材の光の位相の移相角度は１８０°に設定されている。
よって、移相部材が透明基板上に形成されている部分に
おいては、周知の位相シフト法の原理により、高い解像
力が実現できる。一方、移相部材の端部においては、光
強度がゼロにまで落ち込むことはない。なぜなら、移相
部材の端部では、熱処理あるいは透明基板の上面と垂直
な方向及び該上面と平行な方向に同時に浸食するエッチ
ングによって、移相部材の表面がなだらかに傾斜するこ
とになるので、光強度の低下が小さくて済むからであ
る。
造方法によって製造されたホトマスクにおいて、移相部
材の光の位相の移相角度は１８０°に設定されている。
よって、移相部材が透明基板上に形成されている部分に
おいては、周知の位相シフト法の原理により、高い解像
力が実現できる。一方、移相部材の端部においては、光
強度がゼロにまで落ち込むことはない。なぜなら、移相
部材の端部では、熱処理あるいは透明基板の上面と垂直
な方向及び該上面と平行な方向に同時に浸食するエッチ
ングによって、移相部材の表面がなだらかに傾斜するこ
とになるので、光強度の低下が小さくて済むからであ
る。
【００２２】
【実施例】図１ないし図６は、この発明によるホトマス
クの製造方法の一実施例を示す断面図である。先ず図６
を参照して、この発明によるホトマスクの一実施例の構
造について説明する。
クの製造方法の一実施例を示す断面図である。先ず図６
を参照して、この発明によるホトマスクの一実施例の構
造について説明する。
【００２３】図６に示すホトマスク１０は、ガラス等か
らなる透明基板１１を備えている。透明基板１１の表面
上には、Ｃｒ，ＭｏＳｉ等からなる遮光部材１２が周期
的に配置されている。この遮光部材１２により転写パタ
ーンが形成される。転写パターンにおいて、遮光部材１
２に対応する遮光部分と、遮光部材１２のない部分に対
応する透光部分とが交互に位置する。１つおきの透光部
分には、第１の移相部材１３Ａと第２の移相部材１３Ｂ
よりなる移相部材１３が設けられる。第１，第２の移相
部材１３Ａ，１３Ｂは例えばガラスよりなる。
らなる透明基板１１を備えている。透明基板１１の表面
上には、Ｃｒ，ＭｏＳｉ等からなる遮光部材１２が周期
的に配置されている。この遮光部材１２により転写パタ
ーンが形成される。転写パターンにおいて、遮光部材１
２に対応する遮光部分と、遮光部材１２のない部分に対
応する透光部分とが交互に位置する。１つおきの透光部
分には、第１の移相部材１３Ａと第２の移相部材１３Ｂ
よりなる移相部材１３が設けられる。第１，第２の移相
部材１３Ａ，１３Ｂは例えばガラスよりなる。
【００２４】第１の移相部材１３Ａは、光がこれを透過
した場合としない場合とでα度（＜１８０°）の位相差
を生じるような厚さに設定されている。また第２の移相
部材１３Ｂは、光がこれを透過した場合としない場合と
でβ度（＝１８０°−α度）の位相差を生じるような厚
さに設定されている。これにより、第１，第２の移相部
材１３Ａ，１３Ｂよりなる移相部材１３は、光がこれを
透過した場合としない場合とでα度＋β度＝１８０°の
位相差を生じさせる特性を有することになる。例えば、
α＝１２０°，β＝６０°に設定してもよく、あるい
は、α＝β＝９０°に設定してもよい。
した場合としない場合とでα度（＜１８０°）の位相差
を生じるような厚さに設定されている。また第２の移相
部材１３Ｂは、光がこれを透過した場合としない場合と
でβ度（＝１８０°−α度）の位相差を生じるような厚
さに設定されている。これにより、第１，第２の移相部
材１３Ａ，１３Ｂよりなる移相部材１３は、光がこれを
透過した場合としない場合とでα度＋β度＝１８０°の
位相差を生じさせる特性を有することになる。例えば、
α＝１２０°，β＝６０°に設定してもよく、あるい
は、α＝β＝９０°に設定してもよい。
【００２５】転写パターンの端部において、移相部材１
３自身の端部が透明基板１１上に直接位置することにな
る部分Ｅでは、上側の第２の移相部材１３Ｂは、その端
部が下側の第１の移相部材１３Ａの端部よりも外側には
み出して透明基板１１上にまで覆いかぶさるように形成
される。一方、遮光部材１２上においては、第１，第２
の移相部材１３Ａ，１３Ｂは、その端部をそろえて形成
される。ただし、遮光部材１２上の部分（遮光部分）で
は移相部材１３は実質上何の働きもしないので、第１，
第２の移相部材１３Ａ，１３Ｂの端部は必ずしもきれい
にそろう必要はない。
３自身の端部が透明基板１１上に直接位置することにな
る部分Ｅでは、上側の第２の移相部材１３Ｂは、その端
部が下側の第１の移相部材１３Ａの端部よりも外側には
み出して透明基板１１上にまで覆いかぶさるように形成
される。一方、遮光部材１２上においては、第１，第２
の移相部材１３Ａ，１３Ｂは、その端部をそろえて形成
される。ただし、遮光部材１２上の部分（遮光部分）で
は移相部材１３は実質上何の働きもしないので、第１，
第２の移相部材１３Ａ，１３Ｂの端部は必ずしもきれい
にそろう必要はない。
【００２６】次に、図１ないし図６を参照して、上記構
造のホトマスク１０の製造方法の一実施例について説明
する。
造のホトマスク１０の製造方法の一実施例について説明
する。
【００２７】まず、図１に示すように、透明基板１１上
に遮光部材１２および第１の移相部材１３Ａが形成され
たホトマスクを準備する。このホトマスクは、図１５に
示す従来の位相シフト法によるホトマスク５０と同じ構
造を有している。従って、図１６ないし図１９に示す前
述した製造工程を用いて作ることができる。ただし、第
１の移相部材１３Ａの厚みは、従来の移相部材５３の厚
みよりも薄く形成される。これにより、従来の移相部材
５３については、光がこれを透過した場合としない場合
とで１８０°の位相差を生じたが、本実施例における第
１の移相部材１３Ａについては、光がこれを透過した場
合としない場合とでα度（＜１８０°）の位相差を生じ
ることになる。α度は、例えば、前述したように１２０
°や９０°であってもよい。
に遮光部材１２および第１の移相部材１３Ａが形成され
たホトマスクを準備する。このホトマスクは、図１５に
示す従来の位相シフト法によるホトマスク５０と同じ構
造を有している。従って、図１６ないし図１９に示す前
述した製造工程を用いて作ることができる。ただし、第
１の移相部材１３Ａの厚みは、従来の移相部材５３の厚
みよりも薄く形成される。これにより、従来の移相部材
５３については、光がこれを透過した場合としない場合
とで１８０°の位相差を生じたが、本実施例における第
１の移相部材１３Ａについては、光がこれを透過した場
合としない場合とでα度（＜１８０°）の位相差を生じ
ることになる。α度は、例えば、前述したように１２０
°や９０°であってもよい。
【００２８】次に、図２に示すように、図１のホトマス
ク上全面に例えばガラスよりなる透明膜１４を形成す
る。この透明膜１４の厚みは、光がこれを透過した場合
としない場合とでβ度（１８０°−α度）の位相差を生
じる厚みに設定しておく。
ク上全面に例えばガラスよりなる透明膜１４を形成す
る。この透明膜１４の厚みは、光がこれを透過した場合
としない場合とでβ度（１８０°−α度）の位相差を生
じる厚みに設定しておく。
【００２９】次に、図３に示すように、透明膜１４上全
面に例えば電子線レジストよりなるレジスト層１５を形
成する。このレジスト層１５に、例えば電子線露光法に
より、所望のパターンの描画（露光）を行う。
面に例えば電子線レジストよりなるレジスト層１５を形
成する。このレジスト層１５に、例えば電子線露光法に
より、所望のパターンの描画（露光）を行う。
【００３０】しかる後、現像することにより、図４に示
すように、レジスト層１５を上記所望のパターンに従っ
てパターン化する。このようにして、第１の移相部材１
３Ａの上方のみレジスト層が残るレジストパターン１５
ａを形成する。ただし、遮光部材１２よりなる転写パタ
ーン（このホトマスクの転写パターン）の端部の領域に
おいては、レジストパターン１５ａは、第１の移相部材
１３Ａの端部よりも外側にはみ出して形成される。
すように、レジスト層１５を上記所望のパターンに従っ
てパターン化する。このようにして、第１の移相部材１
３Ａの上方のみレジスト層が残るレジストパターン１５
ａを形成する。ただし、遮光部材１２よりなる転写パタ
ーン（このホトマスクの転写パターン）の端部の領域に
おいては、レジストパターン１５ａは、第１の移相部材
１３Ａの端部よりも外側にはみ出して形成される。
【００３１】次に、図５に示すように、レジストパター
ン１５ａをマスクとして透明膜１４をエッチングするこ
とにより、パターン化された第２の移相部材１３Ｂを形
成する。第１，第２の移相部材１３Ａ，１３Ｂにより移
相部材１３が形成される。しかる後、レジストパターン
１５ａを除去することにより、図６に示す構造のホトマ
スク１０が得られる。
ン１５ａをマスクとして透明膜１４をエッチングするこ
とにより、パターン化された第２の移相部材１３Ｂを形
成する。第１，第２の移相部材１３Ａ，１３Ｂにより移
相部材１３が形成される。しかる後、レジストパターン
１５ａを除去することにより、図６に示す構造のホトマ
スク１０が得られる。
【００３２】この実施例によるホトマスク１０において
は、第１の移相部材１３Ａによる光の位相の移相角度α
と第２の移相部材１３Ｂによる光の位相の移相角度βと
を合せると１８０°になる。このため、図７に示すよう
に、ホトマスク１０の転写パターンの中間領域（遮光部
材１２で挟まれた領域）では、従来の位相シフト法によ
るホトマスク５０（図２０）と同様の原理によって、エ
ッジの急峻な光強度変化が得られる。このため、解像力
が高くなり、微細パターンが精度よく形成できる。
は、第１の移相部材１３Ａによる光の位相の移相角度α
と第２の移相部材１３Ｂによる光の位相の移相角度βと
を合せると１８０°になる。このため、図７に示すよう
に、ホトマスク１０の転写パターンの中間領域（遮光部
材１２で挟まれた領域）では、従来の位相シフト法によ
るホトマスク５０（図２０）と同様の原理によって、エ
ッジの急峻な光強度変化が得られる。このため、解像力
が高くなり、微細パターンが精度よく形成できる。
【００３３】一方、ホトマスク１０の転写パターンの端
部領域（移相部材１３の端部が透明基板１１上に直接位
置する領域）では、図７（Ｂ）に示すように、光強度が
ゼロにまで落ち込むことはない。従来のホトマスク５０
では、図２０（Ｃ）に示すように、転写パターン端部で
光強度がゼロに落ち込む不都合が不可避的に発生してい
たが、このような不都合は本発明によるホトマスク１０
では完全に克服されている。これは次の様な理由によ
る。すなわち、第１の移相部材１３Ａの端部（左端）で
は、その上に形成されている第２の移相部材１３Ｂの上
面が徐々に傾斜しているので、移相角の変化が徐々に生
じる。このため、透過光の光強度の低下が比較的小さく
て済む。また、第２の移相部材１３Ｂの端部（左端）で
は、移相角度がβ度（＜１８０°）であるので、従来
（図２０）のように移相角度が１８０°である場合と比
べて、透過光の光強度の低下がやはり小さくて済む。
部領域（移相部材１３の端部が透明基板１１上に直接位
置する領域）では、図７（Ｂ）に示すように、光強度が
ゼロにまで落ち込むことはない。従来のホトマスク５０
では、図２０（Ｃ）に示すように、転写パターン端部で
光強度がゼロに落ち込む不都合が不可避的に発生してい
たが、このような不都合は本発明によるホトマスク１０
では完全に克服されている。これは次の様な理由によ
る。すなわち、第１の移相部材１３Ａの端部（左端）で
は、その上に形成されている第２の移相部材１３Ｂの上
面が徐々に傾斜しているので、移相角の変化が徐々に生
じる。このため、透過光の光強度の低下が比較的小さく
て済む。また、第２の移相部材１３Ｂの端部（左端）で
は、移相角度がβ度（＜１８０°）であるので、従来
（図２０）のように移相角度が１８０°である場合と比
べて、透過光の光強度の低下がやはり小さくて済む。
【００３４】このため、図９に示すように、半導体基板
上に形成された例えばポジ型レジスト１６に図９（Ａ）
に示すようなホトマスク１０の転写パターンを転写しよ
うとすると、従来のホトマスク５０による場合は図２１
（Ｂ）に示すように不要なレジスト残渣が発生したの
が、本発明によるホトマスク１０の場合は、図９（Ｂ）
に示すように、レジスト残渣の発生は完全に回避でき、
所望どうりのレジストパターンが得られる。
上に形成された例えばポジ型レジスト１６に図９（Ａ）
に示すようなホトマスク１０の転写パターンを転写しよ
うとすると、従来のホトマスク５０による場合は図２１
（Ｂ）に示すように不要なレジスト残渣が発生したの
が、本発明によるホトマスク１０の場合は、図９（Ｂ）
に示すように、レジスト残渣の発生は完全に回避でき、
所望どうりのレジストパターンが得られる。
【００３５】なお、上記実施例では、移相部材１３を第
１，第２の移相部材１３Ａ，１３Ｂの２層構造とした
が、３層以上の多層構造としてもよい。図８（Ａ）に、
第１，第２，第３の移相部材１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃの
３層構造よりなる移相部材１３の例を示す。第１，第
２，第３の移相部材１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃの移相角度
α度，β度，γ度は、α＜１８０°，β＜１８０°，γ
＜１８０°かつα＋β＋γ＝１８０°を満足するように
設定される。この場合にも、図７で説明したのと同様の
理由により、図８（Ｂ）に示すように、転写パターン端
部において光強度が不都合にゼロに落ち込むということ
が防止できる。
１，第２の移相部材１３Ａ，１３Ｂの２層構造とした
が、３層以上の多層構造としてもよい。図８（Ａ）に、
第１，第２，第３の移相部材１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃの
３層構造よりなる移相部材１３の例を示す。第１，第
２，第３の移相部材１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃの移相角度
α度，β度，γ度は、α＜１８０°，β＜１８０°，γ
＜１８０°かつα＋β＋γ＝１８０°を満足するように
設定される。この場合にも、図７で説明したのと同様の
理由により、図８（Ｂ）に示すように、転写パターン端
部において光強度が不都合にゼロに落ち込むということ
が防止できる。
【００３６】次に、この発明に係るホトマスク及びその
製造方法のその他の実施例について説明する。図７
（Ｂ）に示すように、上記実施例において、第１の移相
部材１３Ａの端部（左端）では、その上に形成されてい
る第２の移相部材１３Ｂの上面が徐々に傾斜しているの
で、移相角の変化が徐々に生じ、このため、透過光の光
強度の低下が比較的小さくて済み、さらに、第２の移相
部材１３Ｂの端部（左端）では、移相角度がβ度（＜１
８０°）であるので、従来（図２０）のように移相角度
が１８０°である場合と比べて、透過光の光強度の低下
がやはり小さくて済むため、ホトマスク１０の転写パタ
ーンの端部領域（移相部材１３の端部が透明基板１１上
に直接位置する領域）では、光強度がゼロにまで落ち込
むことはなかった。
製造方法のその他の実施例について説明する。図７
（Ｂ）に示すように、上記実施例において、第１の移相
部材１３Ａの端部（左端）では、その上に形成されてい
る第２の移相部材１３Ｂの上面が徐々に傾斜しているの
で、移相角の変化が徐々に生じ、このため、透過光の光
強度の低下が比較的小さくて済み、さらに、第２の移相
部材１３Ｂの端部（左端）では、移相角度がβ度（＜１
８０°）であるので、従来（図２０）のように移相角度
が１８０°である場合と比べて、透過光の光強度の低下
がやはり小さくて済むため、ホトマスク１０の転写パタ
ーンの端部領域（移相部材１３の端部が透明基板１１上
に直接位置する領域）では、光強度がゼロにまで落ち込
むことはなかった。
【００３７】そこで、図６に示したホトマスク１０の記
号Ｅで示す第２の移相部材１３Ｂの端部の傾斜を緩やか
にすることによって、移相角の変化の割合をさらに小さ
くし、透過光の光強度の低下をさらに小さくすることが
できる。
号Ｅで示す第２の移相部材１３Ｂの端部の傾斜を緩やか
にすることによって、移相角の変化の割合をさらに小さ
くし、透過光の光強度の低下をさらに小さくすることが
できる。
【００３８】それを実現するためのこの発明によるホト
マスクの第３実施例の構造及び製造方法について、図２
２を用いて説明する。先ず、図６に示すホトマスク１０
を第１実施例と同様の手順によって作成する。その後
に、第２の移相部材１３Ｂのガラス転移点ＴG 以上の温
度でホトマスク１０に熱処理を施ことによって、第２の
移相部材１３Ｂを流動させてその端部をテーパ状とす
る。そうすることで、記号Ｅで示した第２の移相部材１
３Ｂの端部が緩やかな傾斜を有するようになる。ここで
用いる第２の移相部材１３Ｂの材質には、例えば、リン
ガラス（ＰＳＧ）、ボロンリンガラス（ＢＰＳＧ）及び
光学ガラスＦＳＫ１（ＴG ＝４６５°Ｃ），ＰＫ１（Ｔ
G ＝５９０°Ｃ），ＢＫ７（ＴG ＝５６５°Ｃ）等を用
いることができる。特に光学ガラスは、比較的低い温度
（４００〜６００°Ｃ）で流動的になり、露光波長（３
６５ｎｍ）付近で良好な透過率を示す材料が多く、第２
の移相部材１３Ｂの材質として適している。
マスクの第３実施例の構造及び製造方法について、図２
２を用いて説明する。先ず、図６に示すホトマスク１０
を第１実施例と同様の手順によって作成する。その後
に、第２の移相部材１３Ｂのガラス転移点ＴG 以上の温
度でホトマスク１０に熱処理を施ことによって、第２の
移相部材１３Ｂを流動させてその端部をテーパ状とす
る。そうすることで、記号Ｅで示した第２の移相部材１
３Ｂの端部が緩やかな傾斜を有するようになる。ここで
用いる第２の移相部材１３Ｂの材質には、例えば、リン
ガラス（ＰＳＧ）、ボロンリンガラス（ＢＰＳＧ）及び
光学ガラスＦＳＫ１（ＴG ＝４６５°Ｃ），ＰＫ１（Ｔ
G ＝５９０°Ｃ），ＢＫ７（ＴG ＝５６５°Ｃ）等を用
いることができる。特に光学ガラスは、比較的低い温度
（４００〜６００°Ｃ）で流動的になり、露光波長（３
６５ｎｍ）付近で良好な透過率を示す材料が多く、第２
の移相部材１３Ｂの材質として適している。
【００３９】なお、第１の移相部材１３Ａと第２の移相
部材１３Ｂの材質は同じであってもよく、また場合によ
っては異なっていてもよい。例えば、第１の移相部材１
３Ａの材質のガラス転移点ＴG が第２の移相部材１３Ｂ
の材質のガラス点移転ＴG よりも高いものを用いること
により、第１の移相部材１３Ａの形状を保ったままで第
２の移相部材１３Ｂのみを流動させることもできる。
部材１３Ｂの材質は同じであってもよく、また場合によ
っては異なっていてもよい。例えば、第１の移相部材１
３Ａの材質のガラス転移点ＴG が第２の移相部材１３Ｂ
の材質のガラス点移転ＴG よりも高いものを用いること
により、第１の移相部材１３Ａの形状を保ったままで第
２の移相部材１３Ｂのみを流動させることもできる。
【００４０】次に、この発明によるホトマスクの第４実
施例の構造と製造方法について、図２３ないし図２８を
用いて説明する。まず、第１実施例の製造方法の図１に
示す工程のように、透明基板１１上に遮光部材１２およ
び第１の移相部材１３Ａが形成されたホトマスクを準備
する。
施例の構造と製造方法について、図２３ないし図２８を
用いて説明する。まず、第１実施例の製造方法の図１に
示す工程のように、透明基板１１上に遮光部材１２およ
び第１の移相部材１３Ａが形成されたホトマスクを準備
する。
【００４１】次に、図２３に示すように第１の移相部材
１３Ａのガラス転移点ＴG 以上の温度で熱処理をするこ
とによって、第１の移相部材１３Ａを流動させてその端
部をテーパ状とする。そうすることで、記号Ｆで示した
第２の移相部材１３Ａの端部が緩やかな傾斜を有するよ
うになる。
１３Ａのガラス転移点ＴG 以上の温度で熱処理をするこ
とによって、第１の移相部材１３Ａを流動させてその端
部をテーパ状とする。そうすることで、記号Ｆで示した
第２の移相部材１３Ａの端部が緩やかな傾斜を有するよ
うになる。
【００４２】次に、図２４に示すように、図２３のホト
マスク上全面に例えば光学ガラスよりなる透明膜１４を
形成する。この透明膜１４の厚みは、光がこれを透過し
た場合としない場合とでβ度（１８０°−α度）の位相
差を生じる厚みに設定しておく。
マスク上全面に例えば光学ガラスよりなる透明膜１４を
形成する。この透明膜１４の厚みは、光がこれを透過し
た場合としない場合とでβ度（１８０°−α度）の位相
差を生じる厚みに設定しておく。
【００４３】次に、図２５に示すように、透明膜１４上
全面に例えば電子線レジストよりなるレジスト層１５を
形成する。このレジスト層１５に、例えば電子線露光法
により、所望のパターンの描画（露光）を行う。
全面に例えば電子線レジストよりなるレジスト層１５を
形成する。このレジスト層１５に、例えば電子線露光法
により、所望のパターンの描画（露光）を行う。
【００４４】しかる後、現像することにより、図２６に
示すように、レジスト層１５を上記所望のパターンに従
ってパターン化して、レジストパターン１５ａを形成す
る。このようにして、第１の移相部材１３Ａの上方のみ
レジスト層が残るレジストパターン１５ａを形成する。
ただし、遮光部材１２よりなる転写パターン（このホト
マスクの転写パターン）の端部の領域においては、レジ
ストパターン１５ａは、第１の移相部材１３Ａの端部よ
りも外側にはみ出して形成される。
示すように、レジスト層１５を上記所望のパターンに従
ってパターン化して、レジストパターン１５ａを形成す
る。このようにして、第１の移相部材１３Ａの上方のみ
レジスト層が残るレジストパターン１５ａを形成する。
ただし、遮光部材１２よりなる転写パターン（このホト
マスクの転写パターン）の端部の領域においては、レジ
ストパターン１５ａは、第１の移相部材１３Ａの端部よ
りも外側にはみ出して形成される。
【００４５】次に、図２７に示すように、レジストパタ
ーン１５ａをマスクとして透明膜１４をエッチングする
ことにより、パターン化された第２の移相部材１３Ｂを
形成する。第１，第２の移相部材１３Ａ，１３Ｂにより
移相部材１３が形成される。しかる後、レジストパター
ン１５ａを除去し、第２の移相部材１３Ｂの材質がもつ
ガラス転移点ＴG 以上の温度で熱処理を施すことによ
り、図２８に示す構造のホトマスク１０が得られる。図
２８に示すホトマスク１０の記号Ｅで示される端部にお
いて、第１の移相部材１３Ａが予めテーパ状に処理され
ているので、図２２に示したホトマスク１０の記号Ｅで
示す第２の移相部材１３Ｂの端部よりもさらに、移相角
の変化の割合をさらに小さくし、透過光の光強度の低下
をさらに小さくすることができる。
ーン１５ａをマスクとして透明膜１４をエッチングする
ことにより、パターン化された第２の移相部材１３Ｂを
形成する。第１，第２の移相部材１３Ａ，１３Ｂにより
移相部材１３が形成される。しかる後、レジストパター
ン１５ａを除去し、第２の移相部材１３Ｂの材質がもつ
ガラス転移点ＴG 以上の温度で熱処理を施すことによ
り、図２８に示す構造のホトマスク１０が得られる。図
２８に示すホトマスク１０の記号Ｅで示される端部にお
いて、第１の移相部材１３Ａが予めテーパ状に処理され
ているので、図２２に示したホトマスク１０の記号Ｅで
示す第２の移相部材１３Ｂの端部よりもさらに、移相角
の変化の割合をさらに小さくし、透過光の光強度の低下
をさらに小さくすることができる。
【００４６】なお、移相部材１３を多層構造にせずに、
第１の移相部材１３Ａのみで構成する場合には、図２３
に示した工程で移相部材１３の形成工程が完了する。こ
の時、移相部材１３を第１の移相部材１３ａのみで構成
しているので、第１の移相部材１３ａの厚みは、移相角
度が１８０°になるように設定する。しかし、第１の移
相部材１３Ａの端部がテーパ状に処理されているため、
その端部での光強度の低下は小さく、レジストが残渣と
して残ることはない。
第１の移相部材１３Ａのみで構成する場合には、図２３
に示した工程で移相部材１３の形成工程が完了する。こ
の時、移相部材１３を第１の移相部材１３ａのみで構成
しているので、第１の移相部材１３ａの厚みは、移相角
度が１８０°になるように設定する。しかし、第１の移
相部材１３Ａの端部がテーパ状に処理されているため、
その端部での光強度の低下は小さく、レジストが残渣と
して残ることはない。
【００４７】上記実施例で用いた熱処理について図２９
及び図３０を用いて説明する。遮光部材１０１が設けら
れた透明基板１００上に、移相部材に用いられるＰＳＧ
（リン濃度３〜９ｗｔ％）あるいはＢＰＳＧ（ボロン濃
度２〜４ｗｔ％，リン濃度３〜９ｗｔ％）の膜１０２を
形成した試料を作成する。図２９はＳＥＭ（走査型電子
顕微鏡）で撮影したその試料断面の写真を示す図であ
る。図２９に示した試料を熱処理温度７００〜９００°
Ｃで熱処理をした後、その断面を同様にＳＥＭで撮影し
た写真を図３０に示す。この時の電子の加速電圧が２５
ＫＶで、倍率が１５０００倍であり、図中の直線１０３
の長さが１μｍを示している。図２９及び図３０から分
かるように記号Ｈで示される部分が熱処理後になだらか
になっている。
及び図３０を用いて説明する。遮光部材１０１が設けら
れた透明基板１００上に、移相部材に用いられるＰＳＧ
（リン濃度３〜９ｗｔ％）あるいはＢＰＳＧ（ボロン濃
度２〜４ｗｔ％，リン濃度３〜９ｗｔ％）の膜１０２を
形成した試料を作成する。図２９はＳＥＭ（走査型電子
顕微鏡）で撮影したその試料断面の写真を示す図であ
る。図２９に示した試料を熱処理温度７００〜９００°
Ｃで熱処理をした後、その断面を同様にＳＥＭで撮影し
た写真を図３０に示す。この時の電子の加速電圧が２５
ＫＶで、倍率が１５０００倍であり、図中の直線１０３
の長さが１μｍを示している。図２９及び図３０から分
かるように記号Ｈで示される部分が熱処理後になだらか
になっている。
【００４８】次に、この発明によるホトマスクの第５実
施例の構造及び製造方法について、図３１を用いて説明
する。先ず、図４に示すホトマスクの製造工程まで第１
実施例と同様の手順によって作成する。その後に、第１
実施例のように異方性エッチングを用いず、等方性エッ
チングを用いてエッチングを行う。このことにより図３
１に示すように、第２の移相部材１３Ｂにおいて、レジ
ストパターン１５ａの下方までエッチングが進み、レジ
ストパターン１５ａを除去した後、図３２に示すように
記号Ｅで示した第２の移相部材１３Ｂの端部が緩やかな
傾斜を有するようになる。
施例の構造及び製造方法について、図３１を用いて説明
する。先ず、図４に示すホトマスクの製造工程まで第１
実施例と同様の手順によって作成する。その後に、第１
実施例のように異方性エッチングを用いず、等方性エッ
チングを用いてエッチングを行う。このことにより図３
１に示すように、第２の移相部材１３Ｂにおいて、レジ
ストパターン１５ａの下方までエッチングが進み、レジ
ストパターン１５ａを除去した後、図３２に示すように
記号Ｅで示した第２の移相部材１３Ｂの端部が緩やかな
傾斜を有するようになる。
【００４９】なお、第２の移相部材１３Ｂの材質にシリ
コン窒化膜Ｓｉ3 Ｎ（Ｓｉx ＮX ）を用いた場合、エッ
チング液には、熱濃リン酸Ｈ3 ＰＯ4 （Ｐ2 Ｏ5 ・ｎＨ
2 Ｏ）を使用する。また、第２の移相部材１３Ｂの材質
にＳｉＯ2 を用いた場合、フッ酸ＨＦ（１〜１５％）を
使用する。この場合、基板もＳｉＯ2 であるが、石英ガ
ラスが使用されるので第２の移相部材１３Ｂの材質にＳ
ＯＧ等を用いれば選択的にエッチングが可能である。
コン窒化膜Ｓｉ3 Ｎ（Ｓｉx ＮX ）を用いた場合、エッ
チング液には、熱濃リン酸Ｈ3 ＰＯ4 （Ｐ2 Ｏ5 ・ｎＨ
2 Ｏ）を使用する。また、第２の移相部材１３Ｂの材質
にＳｉＯ2 を用いた場合、フッ酸ＨＦ（１〜１５％）を
使用する。この場合、基板もＳｉＯ2 であるが、石英ガ
ラスが使用されるので第２の移相部材１３Ｂの材質にＳ
ＯＧ等を用いれば選択的にエッチングが可能である。
【００５０】次に、この発明によるホトマスクの第６実
施例の構造と製造方法について、図３３ないし図３８を
用いて説明する。まず、上記第４実施例と同様にして、
等方性エッチングを用いることにより、図３３に示すよ
うに透明基板１１上に遮光部材１２および第１の移相部
材１３Ａが形成されたホトマスクを準備する。
施例の構造と製造方法について、図３３ないし図３８を
用いて説明する。まず、上記第４実施例と同様にして、
等方性エッチングを用いることにより、図３３に示すよ
うに透明基板１１上に遮光部材１２および第１の移相部
材１３Ａが形成されたホトマスクを準備する。
【００５１】次に、図３４に示すように、図２３のホト
マスク上全面に例えば光学ガラスよりなる透明膜１４を
形成する。この透明膜１４の厚みは、光がこれを透過し
た場合としない場合とでβ度（１８０°−α度）の位相
差を生じる厚みに設定しておく。
マスク上全面に例えば光学ガラスよりなる透明膜１４を
形成する。この透明膜１４の厚みは、光がこれを透過し
た場合としない場合とでβ度（１８０°−α度）の位相
差を生じる厚みに設定しておく。
【００５２】次に、図３５に示すように、透明膜１４上
全面に例えば電子線レジストよりなるレジスト層１５を
形成する。このレジスト層１５に、例えば電子線露光法
により、所望のパターンの描画（露光）を行う。
全面に例えば電子線レジストよりなるレジスト層１５を
形成する。このレジスト層１５に、例えば電子線露光法
により、所望のパターンの描画（露光）を行う。
【００５３】しかる後、現像することにより、図３６に
示すように、レジスト層１５を上記所望のパターンに従
ってパターン化して、レジストパターン１５ａを形成す
る。このようにして、第１の移相部材１３Ａの上方のみ
レジスト層が残るレジストパターン１５ａを形成する。
ただし、遮光部材１２よりなる転写パターン（このホト
マスクの転写パターン）の端部の領域においては、レジ
ストパターン１５ａは、第１の移相部材１３Ａの端部よ
りも外側にはみ出して形成される。
示すように、レジスト層１５を上記所望のパターンに従
ってパターン化して、レジストパターン１５ａを形成す
る。このようにして、第１の移相部材１３Ａの上方のみ
レジスト層が残るレジストパターン１５ａを形成する。
ただし、遮光部材１２よりなる転写パターン（このホト
マスクの転写パターン）の端部の領域においては、レジ
ストパターン１５ａは、第１の移相部材１３Ａの端部よ
りも外側にはみ出して形成される。
【００５４】次に、図３７に示すように、レジストパタ
ーン１５ａをマスクとして透明膜１４を等方性エッチン
グすることにより、パターン化された第２の移相部材１
３Ｂを形成する。第１，第２の移相部材１３Ａ，１３Ｂ
により移相部材１３が形成される。しかる後、レジスト
パターン１５ａを除去し、図３８に示す構造のホトマス
ク１０が得られる。図３８に示すホトマスク１０の記号
Ｅで示される端部において、第１の移相部材１３Ａが予
めテーパ状に処理されているので、図２２に示したホト
マスク１０の記号Ｅで示す第２の移相部材１３Ｂの端部
よりもさらに、移相角の変化の割合をさらに小さくし、
透過光の光強度の低下をさらに小さくすることができ
る。第１、第２の移相部材１３Ａ，１３Ｂの材質とエッ
チング液との関係は、第５実施例と同様に設定する。
ーン１５ａをマスクとして透明膜１４を等方性エッチン
グすることにより、パターン化された第２の移相部材１
３Ｂを形成する。第１，第２の移相部材１３Ａ，１３Ｂ
により移相部材１３が形成される。しかる後、レジスト
パターン１５ａを除去し、図３８に示す構造のホトマス
ク１０が得られる。図３８に示すホトマスク１０の記号
Ｅで示される端部において、第１の移相部材１３Ａが予
めテーパ状に処理されているので、図２２に示したホト
マスク１０の記号Ｅで示す第２の移相部材１３Ｂの端部
よりもさらに、移相角の変化の割合をさらに小さくし、
透過光の光強度の低下をさらに小さくすることができ
る。第１、第２の移相部材１３Ａ，１３Ｂの材質とエッ
チング液との関係は、第５実施例と同様に設定する。
【００５５】なお、移相部材１３を多層構造にせずに、
第１の移相部材１３Ａのみで構成する場合には、図３３
に示した工程で移相部材１３の形成工程が完了する。こ
の時、移相部材１３を第１の移相部材１３ａのみで構成
しているので、第１の移相部材１３ａの厚みは、移相角
度が１８０°になるように設定する。しかし、第１の移
相部材１３Ａの端部がテーパ状に処理されているため、
その端部での光強度の低下は小さく、レジストが残渣と
して残ることはない。
第１の移相部材１３Ａのみで構成する場合には、図３３
に示した工程で移相部材１３の形成工程が完了する。こ
の時、移相部材１３を第１の移相部材１３ａのみで構成
しているので、第１の移相部材１３ａの厚みは、移相角
度が１８０°になるように設定する。しかし、第１の移
相部材１３Ａの端部がテーパ状に処理されているため、
その端部での光強度の低下は小さく、レジストが残渣と
して残ることはない。
【００５６】また、上記第３乃至第６実施例では、移相
部材１３が一層あるいは二層構造になっているものにつ
いて説明したが、移相部材１３は３層以上であってもよ
く、上記実施例と同様の効果を奏する。
部材１３が一層あるいは二層構造になっているものにつ
いて説明したが、移相部材１３は３層以上であってもよ
く、上記実施例と同様の効果を奏する。
【００５７】ここで、２つの光が干渉した場合の光強度
について考察する。一般に、２つの光Ｕ1 ，Ｕ2 を、
について考察する。一般に、２つの光Ｕ1 ，Ｕ2 を、
【００５８】
【数１】
【００５９】と定義したとき、合成波Ｕは、
【００６０】
【数２】
【００６１】と表される。
【００６２】次に、マスク上のある一点を透過した光の
強度について考える。光強度は、振幅強度の自乗で表さ
れる。この振幅は投影光学系の波長や開口数によって決
まる微小領域の干渉と考えることができる。ここでは簡
単のためある一点ｘでの振幅ａx をｘをはさむ微小領域
−Δｘと＋Δｘの合成強度として考えると次式が成り立
つ。
強度について考える。光強度は、振幅強度の自乗で表さ
れる。この振幅は投影光学系の波長や開口数によって決
まる微小領域の干渉と考えることができる。ここでは簡
単のためある一点ｘでの振幅ａx をｘをはさむ微小領域
−Δｘと＋Δｘの合成強度として考えると次式が成り立
つ。
【００６３】
【数３】
【００６４】位相が連続的に変化している領域では、各
微小領域内では位相が一定であると見なせるので、数３
と同様に定義できる。よって振幅強度は、微小領域間で
の位相差がないとき、つまりθ−Δｘ＝θ＋Δｘのとき
最大となり、位相差が１８０°のとき最小となる。そし
て、位相差が９０°以内のとき、光強度は１／２以上と
なるこのようにシフター端部をテーパ状とすることで光
強度の低下を抑えることができる。また、テーパを緩や
かにするほど微小領域間の位相差が小さくなるので光の
強度の低下をより効果的に抑えることができる。
微小領域内では位相が一定であると見なせるので、数３
と同様に定義できる。よって振幅強度は、微小領域間で
の位相差がないとき、つまりθ−Δｘ＝θ＋Δｘのとき
最大となり、位相差が１８０°のとき最小となる。そし
て、位相差が９０°以内のとき、光強度は１／２以上と
なるこのようにシフター端部をテーパ状とすることで光
強度の低下を抑えることができる。また、テーパを緩や
かにするほど微小領域間の位相差が小さくなるので光の
強度の低下をより効果的に抑えることができる。
【００６５】
【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
ているので、次の様な効果を奏する。
ているので、次の様な効果を奏する。
【００６６】請求項１記載のホトマスクの製造方法によ
れば、第１ないし第Ｎの移相部材が透明基板上に順に積
層されている部分においては、周知の位相シフト法の原
理により高い解像力が実現でき、一方、第Ｋの移相部材
の端部がその下の第（Ｋ−１）の移相部材の端部よりも
外側にはみ出している部分においては、光強度の低下が
抑えられ光強度がゼロにまで落ち込むことがない。その
結果、転写パターンの形状にかかわらず常に転写パター
ンの全体にわたって移相部材を配置することが可能にな
り、転写パターンの全体にわたって高い解像力を実現し
つつ、レジスト残渣の発生も有効に防止することができ
るホトマスクを容易に製造できるという効果がある。
れば、第１ないし第Ｎの移相部材が透明基板上に順に積
層されている部分においては、周知の位相シフト法の原
理により高い解像力が実現でき、一方、第Ｋの移相部材
の端部がその下の第（Ｋ−１）の移相部材の端部よりも
外側にはみ出している部分においては、光強度の低下が
抑えられ光強度がゼロにまで落ち込むことがない。その
結果、転写パターンの形状にかかわらず常に転写パター
ンの全体にわたって移相部材を配置することが可能にな
り、転写パターンの全体にわたって高い解像力を実現し
つつ、レジスト残渣の発生も有効に防止することができ
るホトマスクを容易に製造できるという効果がある。
【００６７】請求項２記載のホトマスクの製造方法によ
れば、熱処理を施して透明基板上に積層された移相部材
の端部の傾斜を小さくする工程を備えて構成されている
ので、移相部材の端部において、その端部の傾斜が小さ
くなって光強度の低下が十分に抑えられ、高い解像力を
実現しつつ、レジスト残渣の発生も有効に防止すること
ができるホトマスクを容易に製造できるという効果があ
る。
れば、熱処理を施して透明基板上に積層された移相部材
の端部の傾斜を小さくする工程を備えて構成されている
ので、移相部材の端部において、その端部の傾斜が小さ
くなって光強度の低下が十分に抑えられ、高い解像力を
実現しつつ、レジスト残渣の発生も有効に防止すること
ができるホトマスクを容易に製造できるという効果があ
る。
【００６８】請求項３記載のホトマスクの製造方法によ
れば、第Ｎの移相部材を形成した後に、移相部材に熱処
理を施す工程を備えて構成されているので、熱処理を施
す回数が少なくて済み、高い解像力を実現しつつ、レジ
スト残渣の発生も有効に防止することができるホトマス
クを容易に製造できるという効果がある。
れば、第Ｎの移相部材を形成した後に、移相部材に熱処
理を施す工程を備えて構成されているので、熱処理を施
す回数が少なくて済み、高い解像力を実現しつつ、レジ
スト残渣の発生も有効に防止することができるホトマス
クを容易に製造できるという効果がある。
【００６９】請求項４記載のホトマスクの製造方法によ
れば、前記第１ないし第Ｎの移相部材を順次形成する毎
に熱処理を施して該第１ないし第Ｎの移相部材の端部の
傾斜を小さくする工程を備えて構成されているので、移
相部材の端部において、その端部の傾斜が十分に小さく
なって光強度の低下が十分に抑えられ、高い解像力を実
現しつつ、レジスト残渣の発生も有効に防止することが
できるホトマスクを容易に製造できるという効果があ
る。
れば、前記第１ないし第Ｎの移相部材を順次形成する毎
に熱処理を施して該第１ないし第Ｎの移相部材の端部の
傾斜を小さくする工程を備えて構成されているので、移
相部材の端部において、その端部の傾斜が十分に小さく
なって光強度の低下が十分に抑えられ、高い解像力を実
現しつつ、レジスト残渣の発生も有効に防止することが
できるホトマスクを容易に製造できるという効果があ
る。
【００７０】請求項５記載のホトマスクの製造方法によ
れば、透明基板の上面に垂直な方向及び該上面に平行な
方向へ同時に浸食するエッチングによって移相部材の端
部の傾斜を小さくする工程を備えて構成されているの
で、移相部材の端部において、その端部の傾斜が小さく
なって光強度の低下が十分に抑えられ、少ない工程で、
高い解像力を実現しつつ、レジスト残渣の発生も有効に
防止することができるホトマスクを容易に製造できると
いう効果がある。
れば、透明基板の上面に垂直な方向及び該上面に平行な
方向へ同時に浸食するエッチングによって移相部材の端
部の傾斜を小さくする工程を備えて構成されているの
で、移相部材の端部において、その端部の傾斜が小さく
なって光強度の低下が十分に抑えられ、少ない工程で、
高い解像力を実現しつつ、レジスト残渣の発生も有効に
防止することができるホトマスクを容易に製造できると
いう効果がある。
【００７１】請求項６記載のホトマスクの製造方法によ
れば、熱処理を施して透明基板上に形成された移相部材
の端部の傾斜を小さくする工程を備えて構成されている
ので、移相部材を積層しなくても、移相部材の端部にお
いて、その端部の傾斜が小さくなって光強度の低下が十
分に抑えられ、高い解像力を実現しつつ、レジスト残渣
の発生も有効に防止することができるホトマスクを容易
に製造できるという効果がある。
れば、熱処理を施して透明基板上に形成された移相部材
の端部の傾斜を小さくする工程を備えて構成されている
ので、移相部材を積層しなくても、移相部材の端部にお
いて、その端部の傾斜が小さくなって光強度の低下が十
分に抑えられ、高い解像力を実現しつつ、レジスト残渣
の発生も有効に防止することができるホトマスクを容易
に製造できるという効果がある。
【００７２】請求項７記載のホトマスクの製造方法によ
れば、前記透明基板の上面に垂直な方向及び該上面に平
行な方向へ同時に浸食するエッチングによって前記移相
部材の端部の傾斜を小さくする工程とを備えて構成され
ているので、移相部材を積層しなくても、移相部材の端
部において、その端部の傾斜が小さくなって光強度の低
下が十分に抑えられ、高い解像力を実現しつつ、レジス
ト残渣の発生も有効に防止することができるホトマスク
を容易に製造できるという効果がある。
れば、前記透明基板の上面に垂直な方向及び該上面に平
行な方向へ同時に浸食するエッチングによって前記移相
部材の端部の傾斜を小さくする工程とを備えて構成され
ているので、移相部材を積層しなくても、移相部材の端
部において、その端部の傾斜が小さくなって光強度の低
下が十分に抑えられ、高い解像力を実現しつつ、レジス
ト残渣の発生も有効に防止することができるホトマスク
を容易に製造できるという効果がある。
【図１】この発明の第１実施例によるホトマスクの製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図２】この発明の第１実施例によるホトマスクの製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図３】この発明の第１実施例によるホトマスクの製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図４】この発明の第１実施例によるホトマスクの製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図５】この発明の第１実施例によるホトマスクの製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図６】この発明によるホトマスクの第１実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図７】この発明の第１実施例によるホトマスクの作用
の説明図である。
の説明図である。
【図８】この発明の第２実施例によるホトマスクの作用
の説明図である。
の説明図である。
【図９】この発明によるホトマスクの効果の説明図であ
る。
る。
【図１０】従来のホトマスクの製造工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図１１】従来のホトマスクの製造工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図１２】従来のホトマスクの製造工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図１３】従来のホトマスクを示す断面図である。
【図１４】従来のホトマスクの作用の説明図である。
【図１５】従来の位相シフト法を適用したホトマスクを
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１６】従来の位相シフト法を適用したホトマスクの
製造工程を示す断面図である。
製造工程を示す断面図である。
【図１７】従来の位相シフト法を適用したホトマスクの
製造工程を示す断面図である。
製造工程を示す断面図である。
【図１８】従来の位相シフト法を適用したホトマスクの
製造工程を示す断面図である。
製造工程を示す断面図である。
【図１９】従来の位相シフト法を適用したホトマスクの
製造工程を示す断面図である。
製造工程を示す断面図である。
【図２０】従来の位相シフト法を適用したホトマスクの
作用の説明図である。
作用の説明図である。
【図２１】従来の位相シフト法を適用したホトマスクの
不都合を示す説明図である。
不都合を示す説明図である。
【図２２】この発明の第３実施例によるホトマスクの製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図２３】この発明の第４実施例によるホトマスクの製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図２４】この発明の第４実施例によるホトマスクの製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図２５】この発明の第４実施例によるホトマスクの製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図２６】この発明の第４実施例によるホトマスクの製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図２７】この発明の第４実施例によるホトマスクの製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図２８】この発明の第４実施例によるホトマスクの製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図２９】熱処理による移相部材の変化を説明するため
の図である。
の図である。
【図３０】熱処理による移相部材の変化を説明するため
の図である。
の図である。
【図３１】この発明の第５実施例によるホトマスクの製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図３２】この発明の第５実施例によるホトマスクの製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図３３】この発明の第６実施例によるホトマスクの製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図３４】この発明の第６実施例によるホトマスクの製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図３５】この発明の第６実施例によるホトマスクの製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図３６】この発明の第６実施例によるホトマスクの製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図３７】この発明の第６実施例によるホトマスクの製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
【図３８】この発明の第６実施例によるホトマスクの製
造工程を示す断面図である。
造工程を示す断面図である。
１１ 透明基板 １２ 遮光部材 １３Ａ 第１の移相部材 １３Ｂ 第２の移相部材 １３ 移相部材
Claims (7)
- 【請求項１】 光を透過する透明基板を準備する工程
と、 前記透明基板上に光を遮断する遮光部材を選択的に形成
する工程と、 前記遮光部材に隣接して前記透明基板上に、位相をシフ
トさせて光を透過する移相部材を形成する工程とを備
え、 前記移相部材を形成する工程は、 第１ないし第Ｎ（Ｎは２以上の整数）の移相部材を、前
記遮光部材に隣接しない部分において第Ｋ（Ｋは２≦Ｋ
≦Ｎの整数）の前記移相部材の端部が第（Ｋ−１）の前
記移相部材の端部よりも外側へはみ出して前記透明基板
上にまで覆いかぶさるように、前記透明基板上に順に積
層する工程を含み、 前記第１ないし第Ｎの移相部材の光の位相の移相角度は
各々１８０°よりも小さく、かつ合計が１８０°である
ことを特徴とするホトマスクの製造方法。 - 【請求項２】 前記第１ないし第Ｎ（Ｎは２以上の整
数）の移相部材を前記透明基板上に順に積層する工程
は、 熱処理を施して前記透明基板上に積層された前記移相部
材の端部の傾斜を小さくする工程を含む、請求項１記載
のホトマスクの製造方法。 - 【請求項３】 前記熱処理を施して前記移相部材の端部
の傾斜を小さくする工程は、 前記第Ｎの移相部材を形成した後に、前記移相部材に熱
処理を施す工程を含む、請求項２記載のホトマスクの製
造方法。 - 【請求項４】 前記熱処理を施して前記移相部材の端部
の傾斜を小さくする工程は、 前記第１ないし第Ｎの移相部材を順次形成する毎に熱処
理を施して該第１ないし第Ｎの移相部材の端部の傾斜を
小さくする工程を含む、請求項２記載のホトマスクの製
造方法。 - 【請求項５】 前記第１ないし第Ｎ（Ｎは２以上の整
数）の移相部材を前記透明基板上に順に積層する工程
は、 前記透明基板の上面に垂直な方向及び該上面に平行な方
向へ同時に浸食するエッチングによって前記移相部材の
端部の傾斜を小さくする工程を含む、請求項１記載のホ
トマスクの製造方法。 - 【請求項６】 光を透過する透明基板を準備する工程
と、 前記透明基板上に光を遮断する遮光部材を選択的に形成
する工程と、 前記遮光部材に隣接して前記透明基板上に、位相をシフ
トさせて光を透過する移相部材を形成する工程と、 熱処理を施して前記透明基板上に形成された前記移相部
材の端部の傾斜を小さくする工程と、を備えるホトマス
クの製造方法。 - 【請求項７】 光を透過する透明基板を準備する工程
と、 前記透明基板上に光を遮断する遮光部材を選択的に形成
する工程と、 前記遮光部材に隣接して前記透明基板上に、位相をシフ
トさせて光を透過する移相部材を形成する工程と、 前記透明基板の上面に垂直な方向及び該上面に平行な方
向へ同時に浸食するエッチングによって前記移相部材の
端部の傾斜を小さくする工程と、を備えるホトマスクの
製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3153493A JP2781322B2 (ja) | 1992-04-27 | 1993-02-22 | ホトマスクの製造方法 |
| US08/047,463 US5415951A (en) | 1992-04-27 | 1993-04-19 | Method of manufacturing a photomask comprising a phase shifter with a stepped edge |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10757892 | 1992-04-27 | ||
| JP4-107578 | 1992-04-27 | ||
| JP3153493A JP2781322B2 (ja) | 1992-04-27 | 1993-02-22 | ホトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0611825A true JPH0611825A (ja) | 1994-01-21 |
| JP2781322B2 JP2781322B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=26370019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3153493A Expired - Lifetime JP2781322B2 (ja) | 1992-04-27 | 1993-02-22 | ホトマスクの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5415951A (ja) |
| JP (1) | JP2781322B2 (ja) |
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
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