JPH06117973A - 降下塵測定用台座 - Google Patents

降下塵測定用台座

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JPH06117973A
JPH06117973A JP26335492A JP26335492A JPH06117973A JP H06117973 A JPH06117973 A JP H06117973A JP 26335492 A JP26335492 A JP 26335492A JP 26335492 A JP26335492 A JP 26335492A JP H06117973 A JPH06117973 A JP H06117973A
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wafer
dust
static electricity
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JP26335492A
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Kazuhiro Yoshimura
和弘 善村
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NEC Hiroshima Ltd
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Hiroshima Nippon Denki KK
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Abstract

(57)【要約】 【目的】クリーンルーム内での降下塵測定を行う場合
に、静電気による塵埃の降下塵測定用ウェハーへの吸着
を防ぎ、また設置に必要なスペースの縮小化を図り、測
定値の精度向上を図る。 【構成】台座本体1に静電気対策を施した材料を使用す
ることによって、静電気による塵埃の降下塵測定用ウェ
ハー3への吸着を防ぐ。また、ウェハー3の大きさに台
座本体1の外形を合わせることで設置面積の縮小化を図
ると共に、台座本体1の周囲に数個所のウェハー滑り落
ち防止用の止め具2を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は降下塵測定用台座に関
し、特に半導体製造用のクリーンルーム等の高清浄度空
間および装置内部等の隙間で降下塵を測定する降下塵測
定用台座の構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、クリーンルームの清浄度を測定す
る手法として、半導体ウェハーをクリーンルーム内に一
定時間放置し、放置前後の付着塵埃数の差を降下塵とし
て算出する降下塵測定方法が用いられている。この測定
を行う際の半導体ウェハーを載置する従来の降下塵測定
用台座は、図3の上面図に5で示すように、コーナー部
を円弧状にしたほぼ四辺形の平板状をなし、降下塵測定
用ウェハー3を載置するものであった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の降下塵
測定用台座は、特に導電性材料を用いる等の静電気対策
が施されていないので、降下塵測定用ウェハーを載置し
ている間、ウェハーが帯電している状態にあると、クリ
ーンルームで要求される清浄度を管理する上で測定が必
要な微小粒径の塵埃が静電気によってウェハーに引き寄
せられて付着するため、正確な測定値を得ることが困難
である。また、台座の大きさによっては、狭い場所に設
置する場合に台座が入らないため、測定に必要な空間の
広さに制約を受ける。また、平面状であるため、ウェハ
ーが台座から滑り落ちる場合があるという問題点があ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の降下塵測定用台
座は、台座表面を導電性物質で被覆することによって静
電気対策を施している。また、台座外形を降下塵測定用
ウェハーの大きさに合わせ、さらにその外形周囲に降下
塵測定用ウェハーの滑り落ち防止用の止め具を備えてい
る。
【0005】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の降下塵測定用台座の一実施例の上面
図である。
【0006】本実施例は台座本体1と滑り落ち防止用止
め具2からなり、それぞれ材料には導電性物質を塗布し
たポリ塩化ビニルを使用し、降下塵測定用台座および降
下塵測定用ウェハー3の帯電を防止する。これにより、
降下塵測定で得られる測定値は、降下塵測定用ウェハー
が1KV帯電している場合の測定値の約10分の1とな
り、より正確な値が得られる。
【0007】また、台座の形状はほぼ8角形として大き
さを降下塵測定用ウェハーの大きさに合わせたことによ
り、図3に示した従来の降下塵測定用台座と比較して占
有面積が約3分の1となり、装置の隙間等の狭い場所で
も設置することが可能となっている。また、台座の四辺
に等間隔をおいて滑り落ち防止用止め具2を備えてお
り、降下塵測定用ウェハー3の滑り落ち防止を図ってい
る。
【0008】本発明の他の実施例を図2の上面図に示
す。台座本体4はほぼ3角形をなし、外形端部に滑り落
ち防止用途め具2を有する。静電気対策として細い金属
線を台座本体4および滑り落ち防止用止め具2の表面に
貼りつける。滑り落ち防止用止め具2は、それぞれの間
隔が降下塵測定用ウェハーの直径より短かければ等間隔
でなくてもよい。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、静電気に
よる塵埃付着をなくし、狭い場所でも測定可能となり、
降下塵測定用ウェハーを確実に載置することができると
いう効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の上面図である。
【図2】本発明の他の実施例の上面図である。
【図3】従来の降下塵測定用台座の一例の上面図であ
る。
【符号の説明】
1 台座本体 2 滑り落ち防止用止め具 3 降下塵測定用ウェハー 4 台座本体 5 台座

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウェハーを載置しクリーンルーム
    内の降下塵測定に使用する降下塵測定用台座において、
    前記台座表面を導電性物質で被覆したことを特徴とする
    降下塵測定用台座。
  2. 【請求項2】 前記台座の外形を前記ウェハーの大きさ
    に合わせ、周囲にウェハー滑り落ち防止用の止め具を備
    えた請求項1記載の降下塵測定用台座。
JP26335492A 1992-10-01 1992-10-01 降下塵測定用台座 Expired - Lifetime JP2833939B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008064689A (ja) * 2006-09-08 2008-03-21 Yanmar Co Ltd 農薬散布量分布判定方法
JP2010276468A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Takenaka Komuten Co Ltd 粉末物質の飛散状態評価方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008064689A (ja) * 2006-09-08 2008-03-21 Yanmar Co Ltd 農薬散布量分布判定方法
JP4648882B2 (ja) * 2006-09-08 2011-03-09 ヤンマー株式会社 農薬散布量分布判定方法
JP2010276468A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Takenaka Komuten Co Ltd 粉末物質の飛散状態評価方法

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