JPH06116268A - ３−置換オキシ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン酸化合物 - Google Patents
３−置換オキシ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン酸化合物Info
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- JPH06116268A JPH06116268A JP4267707A JP26770792A JPH06116268A JP H06116268 A JPH06116268 A JP H06116268A JP 4267707 A JP4267707 A JP 4267707A JP 26770792 A JP26770792 A JP 26770792A JP H06116268 A JPH06116268 A JP H06116268A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ３−置換オキシ−１−アザビシクロ［３．
２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン酸化合物を提
供する。 【構成】式（Ｉ）の化合物および医薬として許容される
その塩類、一般式（Ｉ）の化合物の製造方法ならびに当
該化合物および医薬として許容されるその塩類を有効成
分として含有する抗菌剤。 ［式中Ｒ1 は（保護された）カルボキシ基、Ｒ2 は例え
ばヒドロキシ（低級）アルキル基、Ｒ3 は低級アルキル
基、Ｒ4 は（置換）低級アルキル基または（置換）複素
環基を意味する］
２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン酸化合物を提
供する。 【構成】式（Ｉ）の化合物および医薬として許容される
その塩類、一般式（Ｉ）の化合物の製造方法ならびに当
該化合物および医薬として許容されるその塩類を有効成
分として含有する抗菌剤。 ［式中Ｒ1 は（保護された）カルボキシ基、Ｒ2 は例え
ばヒドロキシ（低級）アルキル基、Ｒ3 は低級アルキル
基、Ｒ4 は（置換）低級アルキル基または（置換）複素
環基を意味する］
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は新規３−置換オキシ−
１−アザビシクロ[３.２.０]ヘプト−２−エン−２−カ
ルボン酸化合物および医薬として許容されるその塩類に
関するものである。さらに詳細には、この発明は抗菌作
用を有する新規３−置換オキシ−１−アザビシクロ[３.
２.０]ヘプト−２−エン−２−カルボン酸化合物および
医薬として許容されるその塩類、その製造法ならびにそ
れを含有する抗菌剤に関するものである。
１−アザビシクロ[３.２.０]ヘプト−２−エン−２−カ
ルボン酸化合物および医薬として許容されるその塩類に
関するものである。さらに詳細には、この発明は抗菌作
用を有する新規３−置換オキシ−１−アザビシクロ[３.
２.０]ヘプト−２−エン−２−カルボン酸化合物および
医薬として許容されるその塩類、その製造法ならびにそ
れを含有する抗菌剤に関するものである。
【０００２】
【発明の目的】すなわち、この発明の一つの目的は、多
くの病原菌に対して非常に有効でありかつ抗菌剤として
有用な新規３−置換オキシ−１−アザビシクロ[３.２.
０]ヘプト−２−エン−２−カルボン酸化合物および医
薬として許容されるその塩類を提供することである。こ
の発明のもう一つの目的は、新規３−置換オキシ−１−
アザビシクロ[３.２.０]ヘプト−２−エン−２−カルボ
ン酸化合物およびその塩類の製造法を提供することであ
る。この発明のさらにもう一つの目的は、有効成分とし
て前記３−置換オキシ−１−アザビシクロ[３.２.０]ヘ
プト−２−エン−２−カルボン酸化合物および医薬とし
て許容されるその塩類を含有する抗菌剤を提供すること
である。
くの病原菌に対して非常に有効でありかつ抗菌剤として
有用な新規３−置換オキシ−１−アザビシクロ[３.２.
０]ヘプト−２−エン−２−カルボン酸化合物および医
薬として許容されるその塩類を提供することである。こ
の発明のもう一つの目的は、新規３−置換オキシ−１−
アザビシクロ[３.２.０]ヘプト−２−エン−２−カルボ
ン酸化合物およびその塩類の製造法を提供することであ
る。この発明のさらにもう一つの目的は、有効成分とし
て前記３−置換オキシ−１−アザビシクロ[３.２.０]ヘ
プト−２−エン−２−カルボン酸化合物および医薬とし
て許容されるその塩類を含有する抗菌剤を提供すること
である。
【０００３】
【発明の構成】目的とする３−置換オキシ−１−アザビ
シクロ[３.２.０]ヘプト−２−エン−２−カルボン酸化
合物は新規であり、下記一般式で示すことができる。
シクロ[３.２.０]ヘプト−２−エン−２−カルボン酸化
合物は新規であり、下記一般式で示すことができる。
【０００４】
【化１４】
【０００５】［式中、Ｒ1はカルボキシ基または保護さ
れたキシ基、Ｒ2はヒドロキシ（低級）アルキル基また
は保護されたヒドロキシ（低級）アルキル基、Ｒ3は低
級アルキル基、Ｒ4は適当な置換基で置換されていても
よい低級アルキル基または適当な置換基で置換されてい
てもよい複素環基を意味する］および医薬として許容さ
れるその塩類。
れたキシ基、Ｒ2はヒドロキシ（低級）アルキル基また
は保護されたヒドロキシ（低級）アルキル基、Ｒ3は低
級アルキル基、Ｒ4は適当な置換基で置換されていても
よい低級アルキル基または適当な置換基で置換されてい
てもよい複素環基を意味する］および医薬として許容さ
れるその塩類。
【０００６】
【発明の構成の説明】目的化合物(I)および後記中間化
合物には、不斉炭素原子および／または二重結合に起因
する光学異性体および／または幾何異性体のような立体
異性体対１個以上が存在することがあるが、そのような
異性体もこの発明の範囲内に包含されるものとする。
合物には、不斉炭素原子および／または二重結合に起因
する光学異性体および／または幾何異性体のような立体
異性体対１個以上が存在することがあるが、そのような
異性体もこの発明の範囲内に包含されるものとする。
【０００７】目的化合物(I)の好適な塩類は常用の無毒
性の医薬として許容される塩類であり、無機塩基との
塩、その例として、例えばナトリウム塩、カリウム塩等
のアルカリ金属塩、例えばカルシウム塩、マグネシウム
塩等のアルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、有機塩基
塩、その例として、例えばトリエチルアミン塩、ピリジ
ン塩、ピコリン塩、エタノールアミン塩、トリエタノー
ルアミン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、Ｎ,Ｎ′−ジ
ベンジルエチレンジアミン塩等の有機アミン塩のような
塩基との塩；例えば塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、燐
酸塩等の無機酸付加塩、例えばギ酸塩、酢酸塩、トリフ
ルオロ酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルホ
ン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩等の有機酸付加塩のよう
な酸との塩；例えばアルギニン、アスパラギン酸、グル
タミン酸等の塩基性アミノ酸または酸性アミノ酸との
塩；分子内第四級塩等が挙げられる。この発明の目的化
合物(I)および医薬として許容されるその塩類は、下記
反応式で示される製造法によって製造することができ
る。製造法１
性の医薬として許容される塩類であり、無機塩基との
塩、その例として、例えばナトリウム塩、カリウム塩等
のアルカリ金属塩、例えばカルシウム塩、マグネシウム
塩等のアルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、有機塩基
塩、その例として、例えばトリエチルアミン塩、ピリジ
ン塩、ピコリン塩、エタノールアミン塩、トリエタノー
ルアミン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、Ｎ,Ｎ′−ジ
ベンジルエチレンジアミン塩等の有機アミン塩のような
塩基との塩；例えば塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、燐
酸塩等の無機酸付加塩、例えばギ酸塩、酢酸塩、トリフ
ルオロ酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタンスルホ
ン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩等の有機酸付加塩のよう
な酸との塩；例えばアルギニン、アスパラギン酸、グル
タミン酸等の塩基性アミノ酸または酸性アミノ酸との
塩；分子内第四級塩等が挙げられる。この発明の目的化
合物(I)および医薬として許容されるその塩類は、下記
反応式で示される製造法によって製造することができ
る。製造法１
【０００８】
【化１５】 製造法２
【０００９】
【化１６】 製造法３
【００１０】
【化１７】 製造法４
【００１１】
【化１８】 製造法５
【００１２】
【化１９】
【００１３】［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4はそれぞ
れ前と同じ意味であり、Ｒ1 aは保護されたカルボキシ
基、Ｒ2 aは保護されたヒドロキシ(低級)アルキル基、Ｒ
2 bはヒドロキシ（低級）アルキル基、Ｒ4 aは１級もしく
は２級アミノ基を有する適当な置換基で置換されている
低級アルキル基または１級もしくは２級アミノ基を有す
る適当な置換基で置換されているか置換されていない２
級アミノ基を環内に有する複素環基、Ｒ4 bは低級アルカ
ンイミドイルイミノ部分を有する低級アルキル基または
複素環基、Ｒ5はアリール基または低級アルコキシ基、
Ｒ6は水素または低級アルキル基を意味する］製造法１
で使用される原料化合物(II)は新規であり、例えば下記
に示す方法によって製造することができる。方法Ａ
れ前と同じ意味であり、Ｒ1 aは保護されたカルボキシ
基、Ｒ2 aは保護されたヒドロキシ(低級)アルキル基、Ｒ
2 bはヒドロキシ（低級）アルキル基、Ｒ4 aは１級もしく
は２級アミノ基を有する適当な置換基で置換されている
低級アルキル基または１級もしくは２級アミノ基を有す
る適当な置換基で置換されているか置換されていない２
級アミノ基を環内に有する複素環基、Ｒ4 bは低級アルカ
ンイミドイルイミノ部分を有する低級アルキル基または
複素環基、Ｒ5はアリール基または低級アルコキシ基、
Ｒ6は水素または低級アルキル基を意味する］製造法１
で使用される原料化合物(II)は新規であり、例えば下記
に示す方法によって製造することができる。方法Ａ
【００１４】
【化２０】 方法Ｂ
【００１５】
【化２１】 方法Ｃ
【００１６】
【化２２】 方法Ｄ
【００１７】
【化２３】 方法Ｅ
【００１８】
【化２４】
【００１９】（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は
それぞれ前と同じ意味であり、Ｌは脱離基、Ｘは酸残基
を意味する） この明細書の記載において、この発明の範囲内に包含さ
れる種々の定義の好適な例および説明を以下詳細に述べ
る。
それぞれ前と同じ意味であり、Ｌは脱離基、Ｘは酸残基
を意味する） この明細書の記載において、この発明の範囲内に包含さ
れる種々の定義の好適な例および説明を以下詳細に述べ
る。
【００２０】「低級」とは、特に指示がなければ、炭素
原子１個ないし６個を意味するものとする。好適な「保
護されたカルボキシ基」としてはエステル化されたカル
ボキシ基が挙げられ、「エステル化されたカルボキシ
基」については下記のものを参照すればよい。
原子１個ないし６個を意味するものとする。好適な「保
護されたカルボキシ基」としてはエステル化されたカル
ボキシ基が挙げられ、「エステル化されたカルボキシ
基」については下記のものを参照すればよい。
【００２１】エステル化されたカルボキシ基のエステル
部分の好適な例としては、例えばメチルエステル、エチ
ルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステ
ル、ブチルエステル、イソブチルエステル、第三級ブチ
ルエステル、ペンチルエステル、ヘキシルエステル等の
低級アルキルエステルが挙げられ、それらは適当な置換
基少なくとも１個を有していてもよく、その例として
は、例えばアセトキシメチルエステル、プロピオニルオ
キシメチルエステル、ブチリルオキシメチルエステル、
バレリルオキシメチルエステル、ピバロイルオキシメチ
ルエステル、ヘキサノイルオキシメチルエステル、１−
（または２−）アセトキシエチルエステル、１−（また
は２−または３−）アセトキシプロピルエステル、１−
（または２−または３−または４−）アセトキシブチル
エステル、１−（または２−）プロピオニルオキシエチ
ルエステル、１−（または２−または３−）プロピオニ
ルオキシプロピルエステル、１−（または２−）ブチリ
ルオキシエチルエステル、１−（または２−）イソブチ
リルオキシエチルエステル、１−(または２−)ピバロイ
ルオキシエチルエステル、１−（または２−）ヘキサノ
イルオキシエチルエステル、イソブチリルオキシメチル
エステル、２−エチルブチリルオキシメチルエステル、
３,３−ジメチルブチリルオキシメチルエステル、１−
（または２−）ペンタノイルオキシエチルエステル等の
低級アルカノイルオキシ（低級）アルキルエステル、例
えば２−メシルエチルエステル等の低級アルカンスルホ
ニル（低級）アルキルエステル、例えば２−ヨードエチ
ルエステル、２,２,２−トリクロロエチルエステル等の
モノ（またはジまたはトリ）ハロ（低級）アルキルエス
テル；例えばメトキシカルボニルオキシメチルエステ
ル、エトキシカルボニルオキシメチルエステル、プロポ
キシカルボニルオキシメチルエステル、第三級ブトキシ
カルボニルオキシメチルエステル、１−（または２−）
メトキシカルボニルオキシエチルエステル、１−（また
は２−）エトキシカルボニルオキシエチルエステル、１
−（または２−）イソプロポキシカルボニルオキシエチ
ルエステル等の低級アルコキシカルボニルオキシ（低
級）アルキルエステル、フタリジリデン（低級）アルキ
ルエステル、または例えば（５−メチル−２−オキソ−
１,３−ジオキソール−４−イル）メチルエステル、
（５−エチル−２−オキソ−１,３−ジオキソール−４
−イル）メチルエステル、（５−プロピル−２−オキソ
−１,３−ジオキソール−４−イル）エチルエステル等
の（５−低級アルキル−２−オキソ−１,３−ジオキソ
ール−４−イル）（低級）アルキルエステル；例えばビ
ニルエステル、アリルエステル等の低級アルケニルエス
テル；例えばエチニルエステル、プロピニルエステル等
の低級アルキニルエステル；例えばベンジルエステル、
４−メトキシベンジルエステル、４−ニトロベンジルエ
ステル、フェネチルエステル、トリチルエステル、ベン
ズヒドリルエステル、ビス（メトキシフェニル）メチル
エステル、３,４−ジメトキシベンジルエステル、４−
ヒドロキシ−３,５−ジ第三級ブチルベンジルエステル
等の適当な置換基少なくとも１個を有していてもよいア
ル（低級）アルキルエステル；例えばフェニルエステ
ル、４−クロロフェニルエステル、トリルエステル、第
三級ブチルフェニルエステル、キシリルエステル、メシ
チルエステル、クメニルエステル等の適当な置換基少な
くとも１個を有していてもよいアリールエステル；フタ
リジルエステル等のようなものが挙げられる。
部分の好適な例としては、例えばメチルエステル、エチ
ルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステ
ル、ブチルエステル、イソブチルエステル、第三級ブチ
ルエステル、ペンチルエステル、ヘキシルエステル等の
低級アルキルエステルが挙げられ、それらは適当な置換
基少なくとも１個を有していてもよく、その例として
は、例えばアセトキシメチルエステル、プロピオニルオ
キシメチルエステル、ブチリルオキシメチルエステル、
バレリルオキシメチルエステル、ピバロイルオキシメチ
ルエステル、ヘキサノイルオキシメチルエステル、１−
（または２−）アセトキシエチルエステル、１−（また
は２−または３−）アセトキシプロピルエステル、１−
（または２−または３−または４−）アセトキシブチル
エステル、１−（または２−）プロピオニルオキシエチ
ルエステル、１−（または２−または３−）プロピオニ
ルオキシプロピルエステル、１−（または２−）ブチリ
ルオキシエチルエステル、１−（または２−）イソブチ
リルオキシエチルエステル、１−(または２−)ピバロイ
ルオキシエチルエステル、１−（または２−）ヘキサノ
イルオキシエチルエステル、イソブチリルオキシメチル
エステル、２−エチルブチリルオキシメチルエステル、
３,３−ジメチルブチリルオキシメチルエステル、１−
（または２−）ペンタノイルオキシエチルエステル等の
低級アルカノイルオキシ（低級）アルキルエステル、例
えば２−メシルエチルエステル等の低級アルカンスルホ
ニル（低級）アルキルエステル、例えば２−ヨードエチ
ルエステル、２,２,２−トリクロロエチルエステル等の
モノ（またはジまたはトリ）ハロ（低級）アルキルエス
テル；例えばメトキシカルボニルオキシメチルエステ
ル、エトキシカルボニルオキシメチルエステル、プロポ
キシカルボニルオキシメチルエステル、第三級ブトキシ
カルボニルオキシメチルエステル、１−（または２−）
メトキシカルボニルオキシエチルエステル、１−（また
は２−）エトキシカルボニルオキシエチルエステル、１
−（または２−）イソプロポキシカルボニルオキシエチ
ルエステル等の低級アルコキシカルボニルオキシ（低
級）アルキルエステル、フタリジリデン（低級）アルキ
ルエステル、または例えば（５−メチル−２−オキソ−
１,３−ジオキソール−４−イル）メチルエステル、
（５−エチル−２−オキソ−１,３−ジオキソール−４
−イル）メチルエステル、（５−プロピル−２−オキソ
−１,３−ジオキソール−４−イル）エチルエステル等
の（５−低級アルキル−２−オキソ−１,３−ジオキソ
ール−４−イル）（低級）アルキルエステル；例えばビ
ニルエステル、アリルエステル等の低級アルケニルエス
テル；例えばエチニルエステル、プロピニルエステル等
の低級アルキニルエステル；例えばベンジルエステル、
４−メトキシベンジルエステル、４−ニトロベンジルエ
ステル、フェネチルエステル、トリチルエステル、ベン
ズヒドリルエステル、ビス（メトキシフェニル）メチル
エステル、３,４−ジメトキシベンジルエステル、４−
ヒドロキシ−３,５−ジ第三級ブチルベンジルエステル
等の適当な置換基少なくとも１個を有していてもよいア
ル（低級）アルキルエステル；例えばフェニルエステ
ル、４−クロロフェニルエステル、トリルエステル、第
三級ブチルフェニルエステル、キシリルエステル、メシ
チルエステル、クメニルエステル等の適当な置換基少な
くとも１個を有していてもよいアリールエステル；フタ
リジルエステル等のようなものが挙げられる。
【００２２】このような意味における保護されたカルボ
キシ基のさらに好ましい例としては、Ｃ2−Ｃ4アルケニ
ルオキシカルボニル基およびフェニル(またはニトロフ
ェニル)（Ｃ1−Ｃ4）アルコキシカルボニル基が挙げら
れ、最も好ましいものとしてはアリルオキシカルボニル
基が挙げられる。
キシ基のさらに好ましい例としては、Ｃ2−Ｃ4アルケニ
ルオキシカルボニル基およびフェニル(またはニトロフ
ェニル)（Ｃ1−Ｃ4）アルコキシカルボニル基が挙げら
れ、最も好ましいものとしてはアリルオキシカルボニル
基が挙げられる。
【００２３】好適な「ヒドロキシ（低級）アルキル基」
としては、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒド
ロキシプロピル、１−（ヒドロキシメチル）エチル、１
−ヒドロキシ−１−メチルエチル、ヒドロキシブチル、
ヒドロキシペンチル、ヒドロキシヘキシル等のような、
ヒドロキシで置換された直鎖または分枝鎖低級アルキル
基が挙げられ、それらの中でさらに好ましい例としてヒ
ドロキシ（Ｃ1−Ｃ4）アルキル基が挙げられ、最も好ま
しいものとしては１−ヒドロキシエチル基が挙げられ
る。
としては、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒド
ロキシプロピル、１−（ヒドロキシメチル）エチル、１
−ヒドロキシ−１−メチルエチル、ヒドロキシブチル、
ヒドロキシペンチル、ヒドロキシヘキシル等のような、
ヒドロキシで置換された直鎖または分枝鎖低級アルキル
基が挙げられ、それらの中でさらに好ましい例としてヒ
ドロキシ（Ｃ1−Ｃ4）アルキル基が挙げられ、最も好ま
しいものとしては１−ヒドロキシエチル基が挙げられ
る。
【００２４】好適な「保護されたヒドロキシ（低級）ア
ルキル基」としては、常用のヒドロキシ保護基、好まし
くは低級アルケニルオキシカルボニル基およびフェニル
（またはニトロフェニル）（低級）アルコキシカルボニ
ル基；およびさらに例えばベンジル、ベンズヒドリル、
トリチル等のモノ−またはジ−またはトリフェニル（低
級）アルキル基のようなＣ6−Ｃ10アル（低級）アルキ
ル基等；例えばトリメチルシリル、トリエチルシリル、
イソプロピルジメチルシリル、第三級ブチルジメチルシ
リル、ジイソプロピルメチルシリル等のトリ（低級）ア
ルキルシリル基、例えばトリフェニルシリル等のトリ
（Ｃ6−Ｃ10）アリールシリル基、トリス［（Ｃ6−
Ｃ10）アル（低級）アルキル］シリル基、その例として
例えばトリベンジルシリル等のトリス［フェニル（低
級）アルキル］シリル等のようなトリ置換シリル基によ
ってヒドロキシ基が保護された前記ヒドロキシ（低級）
アルキル基が挙げられる。
ルキル基」としては、常用のヒドロキシ保護基、好まし
くは低級アルケニルオキシカルボニル基およびフェニル
（またはニトロフェニル）（低級）アルコキシカルボニ
ル基；およびさらに例えばベンジル、ベンズヒドリル、
トリチル等のモノ−またはジ−またはトリフェニル（低
級）アルキル基のようなＣ6−Ｃ10アル（低級）アルキ
ル基等；例えばトリメチルシリル、トリエチルシリル、
イソプロピルジメチルシリル、第三級ブチルジメチルシ
リル、ジイソプロピルメチルシリル等のトリ（低級）ア
ルキルシリル基、例えばトリフェニルシリル等のトリ
（Ｃ6−Ｃ10）アリールシリル基、トリス［（Ｃ6−
Ｃ10）アル（低級）アルキル］シリル基、その例として
例えばトリベンジルシリル等のトリス［フェニル（低
級）アルキル］シリル等のようなトリ置換シリル基によ
ってヒドロキシ基が保護された前記ヒドロキシ（低級）
アルキル基が挙げられる。
【００２５】このような意味における「保護されたヒド
ロキシ（低級）アルキル基」のさらに好ましい例として
は、｛フェニル（またはニトロフェニル）(Ｃ1−Ｃ4)ア
ルコキシ｝カルボニルオキシ(Ｃ1−Ｃ4)アルキル基、Ｃ
2−Ｃ4アルケニルオキシカルボ ニルオキシ（Ｃ1−
Ｃ4）アルキル基および｛トリ（Ｃ1−Ｃ4）アルキルシ
リル｝オキシ（Ｃ1−Ｃ4）アルキル基が挙げられ、最も
好ましいものとしては、１−トリメチルシリルオキシエ
チル基および１−第三級ブチルジメチルシリルオキシエ
チル基が挙げられる。
ロキシ（低級）アルキル基」のさらに好ましい例として
は、｛フェニル（またはニトロフェニル）(Ｃ1−Ｃ4)ア
ルコキシ｝カルボニルオキシ(Ｃ1−Ｃ4)アルキル基、Ｃ
2−Ｃ4アルケニルオキシカルボ ニルオキシ（Ｃ1−
Ｃ4）アルキル基および｛トリ（Ｃ1−Ｃ4）アルキルシ
リル｝オキシ（Ｃ1−Ｃ4）アルキル基が挙げられ、最も
好ましいものとしては、１−トリメチルシリルオキシエ
チル基および１−第三級ブチルジメチルシリルオキシエ
チル基が挙げられる。
【００２６】好適な「低級アルキル基」としては、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第三級
ブチル、ペンチル、ヘキシル等の直鎖または分枝鎖アル
キル基が挙げられ、それらの中でさらに好ましい例とし
てはＣ1−Ｃ4 アルキル基が挙げられ、最も好ましいも
のとしてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基が挙げられる。
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第三級
ブチル、ペンチル、ヘキシル等の直鎖または分枝鎖アル
キル基が挙げられ、それらの中でさらに好ましい例とし
てはＣ1−Ｃ4 アルキル基が挙げられ、最も好ましいも
のとしてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基が挙げられる。
【００２７】「適当な置換基で置換されていてもよい低
級アルキル基」における好適な「低級アルキル基」とし
ては、上記「低級アルキル基」の好適例として例示した
ものをそのまま再褐することができる。
級アルキル基」における好適な「低級アルキル基」とし
ては、上記「低級アルキル基」の好適例として例示した
ものをそのまま再褐することができる。
【００２８】上記低級アルキル基に置換され得る前記適
当な置換基としては、ヒドロキシ基；ヒドロキシ基が、
保護されたヒドロキシ（低級）アルキル基の説明で述べ
たような常用のヒドロキシ保護基で保護されている保護
されたヒドロキシ基さらに好ましくは例えば第三級ブチ
ルジメチルシリルオキシ等のトリ（Ｃ1−Ｃ4）アルキル
シリルオキシ基；例えば塩素、臭素、沃素またはフッ
素、好ましくはフッ素のようなハロゲン；後記低級アル
コキシ基、さらに好ましくは例えばメトキシ等のＣ1−
Ｃ4アルコキシ基；イミノ基；イミノ基が常用のイミノ
保護基によって保護されている保護されたイミノ基、さ
らに好ましくは例えばアリルオキシカルボニルイミノ等
のＣ2−Ｃ4アルケニルオキシカルボニルイミノ基；アミ
ノ基；低級アルキル部分が前記低級アルキル基と同じも
のである低級アルキルアミノ基、さらに好ましくは例え
ばメチルアミノ等のＣ1−Ｃ4アルキルアミノ基；後述の
アシル基のような常用のアミノ保護基でアミノが保護さ
れている前記低級アルキルアミノ基である保護された低
級アルキルアミノ基、さらに好ましくは例えばＮ−アリ
ルオキシカルボニルアミノ等のＮ−（Ｃ2−Ｃ4）アルケ
ニルオキシカルボニルアミノ基）またはＮ−アリルオキ
シカルボニル−Ｎ−メチルアミノ等のＮ−（Ｃ2−Ｃ4ア
ルケニルオキシカルボニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ4）アルキ
ルアミノ基；低級アルキル部分が前記低級アルキル基と
同じであるモノ（またはジ）（低級）アルキルカルバモ
イルオキシ基、さらに好ましくは例えばメチルカルバモ
イルオキシ、ジメチルカルバモイルオキシ等のモノ（ま
たはジ）（Ｃ1−Ｃ4）アルキルカルバモイルオキシ基；
ホルムイミドイル、アセトイミドイル、プロピオンイミ
ドイル、ブチルイミドイル、イソバレルイミドイル、ペ
ンタンイミドイル、ヘキサンイミドイル等のような直鎖
または分枝鎖状の低級アルカンイミドイル基、さらに好
ましくは例えばホルムイミドイル、アセトイミドイル等
のＣ1−Ｃ4アルカンイミドイル基；イミノ保護基、好ま
しくは低級アルケニルオキシカルボニル基、さらに好ま
しくは例えばアリルオキシカルボニル等のＣ1−Ｃ4アル
ケニルオキシカルボニル基；等のような適当な置換基が
例示される。
当な置換基としては、ヒドロキシ基；ヒドロキシ基が、
保護されたヒドロキシ（低級）アルキル基の説明で述べ
たような常用のヒドロキシ保護基で保護されている保護
されたヒドロキシ基さらに好ましくは例えば第三級ブチ
ルジメチルシリルオキシ等のトリ（Ｃ1−Ｃ4）アルキル
シリルオキシ基；例えば塩素、臭素、沃素またはフッ
素、好ましくはフッ素のようなハロゲン；後記低級アル
コキシ基、さらに好ましくは例えばメトキシ等のＣ1−
Ｃ4アルコキシ基；イミノ基；イミノ基が常用のイミノ
保護基によって保護されている保護されたイミノ基、さ
らに好ましくは例えばアリルオキシカルボニルイミノ等
のＣ2−Ｃ4アルケニルオキシカルボニルイミノ基；アミ
ノ基；低級アルキル部分が前記低級アルキル基と同じも
のである低級アルキルアミノ基、さらに好ましくは例え
ばメチルアミノ等のＣ1−Ｃ4アルキルアミノ基；後述の
アシル基のような常用のアミノ保護基でアミノが保護さ
れている前記低級アルキルアミノ基である保護された低
級アルキルアミノ基、さらに好ましくは例えばＮ−アリ
ルオキシカルボニルアミノ等のＮ−（Ｃ2−Ｃ4）アルケ
ニルオキシカルボニルアミノ基）またはＮ−アリルオキ
シカルボニル−Ｎ−メチルアミノ等のＮ−（Ｃ2−Ｃ4ア
ルケニルオキシカルボニル）−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ4）アルキ
ルアミノ基；低級アルキル部分が前記低級アルキル基と
同じであるモノ（またはジ）（低級）アルキルカルバモ
イルオキシ基、さらに好ましくは例えばメチルカルバモ
イルオキシ、ジメチルカルバモイルオキシ等のモノ（ま
たはジ）（Ｃ1−Ｃ4）アルキルカルバモイルオキシ基；
ホルムイミドイル、アセトイミドイル、プロピオンイミ
ドイル、ブチルイミドイル、イソバレルイミドイル、ペ
ンタンイミドイル、ヘキサンイミドイル等のような直鎖
または分枝鎖状の低級アルカンイミドイル基、さらに好
ましくは例えばホルムイミドイル、アセトイミドイル等
のＣ1−Ｃ4アルカンイミドイル基；イミノ保護基、好ま
しくは低級アルケニルオキシカルボニル基、さらに好ま
しくは例えばアリルオキシカルボニル等のＣ1−Ｃ4アル
ケニルオキシカルボニル基；等のような適当な置換基が
例示される。
【００２９】従って「適当な置換基で置換されていても
よい低級アルキル基」の好ましい例としては、アミノ基
や保護されたアミノ基あるいは低級アルカンイミドイル
基等によって任意に置換され得る前述の様な低級アルキ
ル基が示される。そしてより好ましい例としては、アミ
ノ基、低級アルケニルオキシカルボニルアミノもしくは
低級アルカンイミドイル等で任意に置換され得る低級ア
ルキル基が示され、更に具体的にはエチル、２−アミノ
エチル、１−アミノメチル−２−アミノエチル、２−
（アリルオキシカルボニルアミノ）エチル、１−（アリ
ルオキシカルボニルアミノメチル）−２−（アリルオキ
シカルボニルアミノ）エチル、２−（ホルムイミドイル
アミノ）エチル等が挙げられる。
よい低級アルキル基」の好ましい例としては、アミノ基
や保護されたアミノ基あるいは低級アルカンイミドイル
基等によって任意に置換され得る前述の様な低級アルキ
ル基が示される。そしてより好ましい例としては、アミ
ノ基、低級アルケニルオキシカルボニルアミノもしくは
低級アルカンイミドイル等で任意に置換され得る低級ア
ルキル基が示され、更に具体的にはエチル、２−アミノ
エチル、１−アミノメチル−２−アミノエチル、２−
（アリルオキシカルボニルアミノ）エチル、１−（アリ
ルオキシカルボニルアミノメチル）−２−（アリルオキ
シカルボニルアミノ）エチル、２−（ホルムイミドイル
アミノ）エチル等が挙げられる。
【００３０】「適当な置換基で置換されていてもよい複
素環基」の好適な「複素環基」部分とは、酸素原子、イ
オウ原子、窒素原子等のようなヘテロ原子少なくとも１
個を含む飽和もしくは不飽和単環式または多環式複素環
基を意味する。
素環基」の好適な「複素環基」部分とは、酸素原子、イ
オウ原子、窒素原子等のようなヘテロ原子少なくとも１
個を含む飽和もしくは不飽和単環式または多環式複素環
基を意味する。
【００３１】その様な複素環基としては、例えばアゼチ
ジニル、ピロリジニル、イミダゾリニル、イミダゾリジ
ニル、ピペリジニル、ピラゾリジニル、ピペラジニル、
テトラヒドロピリミジニル等の窒素原子１個ないし４個
を含む飽和３員ないし８員、さらに好ましくは４員ない
し６員複素単環基；例えばモルホリニル等の酸素原子１
個ないし２個および窒素原子１個ないし３個を含む飽和
３員ないし８員、さらに好ましくは５員または６員複素
単環基；例えばチアゾリジニル等のイオウ原子１個ない
し２個および窒素原子１個ないし３個を含む飽和３員な
いし８員、さらに好ましくは５員または６員複素単環基
等が挙げられる。
ジニル、ピロリジニル、イミダゾリニル、イミダゾリジ
ニル、ピペリジニル、ピラゾリジニル、ピペラジニル、
テトラヒドロピリミジニル等の窒素原子１個ないし４個
を含む飽和３員ないし８員、さらに好ましくは４員ない
し６員複素単環基；例えばモルホリニル等の酸素原子１
個ないし２個および窒素原子１個ないし３個を含む飽和
３員ないし８員、さらに好ましくは５員または６員複素
単環基；例えばチアゾリジニル等のイオウ原子１個ない
し２個および窒素原子１個ないし３個を含む飽和３員な
いし８員、さらに好ましくは５員または６員複素単環基
等が挙げられる。
【００３２】上記複素環基に置換され得る適当な置換基
としては、前記低級アルキル基に置換され得る適当な置
換基として例示した様な置換基の他、前記のようなヒド
ロキシ（低級）アルキル基または保護されたヒドロキシ
（低級）アルキル基、さらに好ましくは例えばヒドロキ
シメチル等のヒドロキシ（Ｃ 1−Ｃ4）アルキル基または
例えば第三級ブチルジメチルシリルオキシメチル等のト
リ（Ｃ1−Ｃ4）アルキルシリルオキシ（Ｃ1−Ｃ4）アル
キル基；前記低級アルキル基、さらに好ましくは例えば
メチル等のＣ1−Ｃ4アルキル基；低級アルコキシ部分お
よび低級アルキル部分がそれぞれ前記低級アルコキシ基
および前記低級アルキル基と同じである低級アルコキシ
（低級）アルキル基、さらに好ましくは例えばメトキシ
メチル等のＣ1−Ｃ4アルコキシＣ1−Ｃ4アルキル基；低
級アルキリデン基、さらに好ましくは例えばメチレン等
のＣ1−Ｃ4アルキリデン基；等の様な適当な置換基が例
示される。
としては、前記低級アルキル基に置換され得る適当な置
換基として例示した様な置換基の他、前記のようなヒド
ロキシ（低級）アルキル基または保護されたヒドロキシ
（低級）アルキル基、さらに好ましくは例えばヒドロキ
シメチル等のヒドロキシ（Ｃ 1−Ｃ4）アルキル基または
例えば第三級ブチルジメチルシリルオキシメチル等のト
リ（Ｃ1−Ｃ4）アルキルシリルオキシ（Ｃ1−Ｃ4）アル
キル基；前記低級アルキル基、さらに好ましくは例えば
メチル等のＣ1−Ｃ4アルキル基；低級アルコキシ部分お
よび低級アルキル部分がそれぞれ前記低級アルコキシ基
および前記低級アルキル基と同じである低級アルコキシ
（低級）アルキル基、さらに好ましくは例えばメトキシ
メチル等のＣ1−Ｃ4アルコキシＣ1−Ｃ4アルキル基；低
級アルキリデン基、さらに好ましくは例えばメチレン等
のＣ1−Ｃ4アルキリデン基；等の様な適当な置換基が例
示される。
【００３３】従って「適当な置換基で置換されていても
よい複素環基」の好ましい例としては、例えばピロリジ
ン−２−イル、ピロリジン−３−イル等のピロリジニル
基；１−（低級）アルケニルオキシカルボニルピロリジ
ニル基のようなＮが保護されたピロリジニル基、好まし
くは例えば１−アリルオキシカルボニルピロリジン−２
−イル、１−アリルオキシカルボニルピロリジン−３−
イル等の１−（Ｃ2−Ｃ4）アルケニルオキシカルボニル
ピロリジニル基；１−（低級）アルカンイミドイルピロ
リジニル基、好ましくは例えば１−ホルムイミドイルピ
ロリジン−２−イル、１−アセトイミドイルピロリジン
−２−イル等の１−（Ｃ1−Ｃ4）アルカンイミドイルピ
ロリジニル基；例えば４−ヒドロキシピロリジン−２−
イル等のヒドロキシピロリジニル基；１−（低級アルケ
ニルオキシカルボニル）（ヒドロキシ）ピロリジニル基
のようなＮが保護されたヒドロキシピロリジニル基、好
ましくは例えば１−アリルオキシカルボニル−４−ヒド
ロキシピロリジン−２−イル等の１−（Ｃ2−Ｃ4）アル
ケニルオキシカボニル）（ヒドロキシ）ピロリジニル
基；１−（低級アルケニルオキシカルボニル）［トリ
（低級）アルキルシリルオキシ］ピロリジニル基のよう
なＮが保護された（保護されたヒドロキシ）ピロリジニ
ル基、好ましくは例えば１−アリルオキシカルボニル−
４−第三級ブチルジメチルシリルオキシピロリジン−２
−イル等の１−（Ｃ2−Ｃ4アルケニルオキシカルボニ
ル）［トリ（Ｃ1−Ｃ4）アルキルシリルオキシ］ピロリ
ジニル基；低級アルコキシピロリジニル基、好ましくは
例えば４−メトキシピロリジン−２−イル等のＣ1−Ｃ4
アルコキシピロリジニル基；１−（低級アルケニルオキ
シカルボニル）（低級アルコキシ）ピロリジニル基のよ
うなＮが保護された（低級アルコキシ）ピロリジニル
基、好ましくは例えば１−アリルオキシカルボニル−４
−メトキシピロリジン−２−イル等の１−（Ｃ 2−Ｃ4
アルケニルオキシカルボニル）（Ｃ1−Ｃ4アルコキシ）
ピロリジニル基；［ジ（低級）アルキルカルバモイルオ
キシ］ピロリジニル基、好ましくは例えば４−（ジメチ
ルカルバモイルオキシ）ピロリジン−２−イル等の［ジ
（Ｃ1−Ｃ4）アルキルカルバモイルオキシ］ピロリジニ
ル基；［ジ（低級）アルキルカルバモイル］ピロリジニ
ル基、好ましくは例えば４−（ジメチルカルバモイル）
ピロリジン−２−イル等の［ジ（Ｃ1−Ｃ4）アルキルカ
ルバモイル］ピロリジニル基；１−（低級アルケニルオ
キシカルボニル）［ジ（低級）アルキルカルバモイルオ
キシ］ピロリジニル基のようなＮが保護された［ジ（低
級）アルキルカルバモイルオキシ］ピロリジニル基、好
ましくは例えば１−アリルオキシカルボニル−４−（ジ
メチルカルバモイルオキシ）ピロリジン−２−イル等の
１−（Ｃ2−Ｃ4アルケニルオキシカルボニル）［ジ（Ｃ
1−Ｃ4）アルキルカルバモイルオキシ］ピロリジニル
基；１−（低級アルケニルオキシカルボニル）［ジ（低
級）アルキルカルバモイル］ピロリジニル基のようなＮ
が保護された［ジ（低級）アルキルカルバモイル］ピロ
リジニル基、好ましくは例えば１−アリルオキシカルボ
ニル−４−（ジメチルカルバモイル）ピロリジン−２−
イル等の１−（Ｃ2−Ｃ4アルケニルオキシカルボニル）
［ジ（Ｃ1−Ｃ4）アルキルカルバモイル］ピロリジニル
基；（低級アルキルカルバモイルオキシ）ピロリジニル
基、好ましくは例えば４−（メチルカルバモイルオキ
シ）ピロリジン−２−イル等の（Ｃ1−Ｃ4アルキルカル
バモイルオキシ）ピロリジニル基；１−（低級アルケニ
ルオキシカルボニル）（低級アルキルカルバモイルオキ
シ）ピロリジニル基のようなＮが保護された（低級アル
キルカルバモイルオキシ）ピロリジニル基、好ましくは
例えば１−アリルオキシカルボニル−４−（メチルカル
バモイルオキシ）ピロリジン−２−イル等の１−（Ｃ2
−Ｃ4アルケニルオキシカルボニル）（Ｃ1−Ｃ4アルキ
ルカルバモイルオキシ）ピロリジニル基；（低級アルキ
ルアミノ）ピロリジニル基、好ましくは例えば４−（メ
チルアミノ）ピロリジン−２−イル等の（Ｃ1−Ｃ4アル
キルアミノ）ピロリジニル基；１−（低級アルケニルオ
キシカルボニル）［Ｎ−（低級）アルケニルオキシカル
ボニル）−Ｎ−（低級）アルキルアミノ］ピロリジニル
基のようなＮが保護された（保護された低級アルキルア
ミノ）ピロリジニル基、好ましくは例えば１−アリルオ
キシカルボニル−４−（Ｎ−アリルオキシカルボニル−
Ｎ−メチルアミノ）ピロリジン−２−イル等の１−（Ｃ
2−Ｃ4アルケニルオキシカルボニル）［Ｎ−（Ｃ2 −
Ｃ4）アルケニルオキシカルボニル−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ4）
アルキルアミノピロリジニル基；例えば４−フルオロピ
ロリジン−２−イル等のハロピロリジニル基；１−（低
級アルケニルオキシカルボニル）ハロピロリジニル基の
ようなＮが保護されたハロピロリジニル基、好ましくは
例えば１−アリルオキシカルボニル−４−フルオロピロ
リジン−２−イル等の１−（Ｃ2−Ｃ4アルケニルオキシ
カルボニル）フルオロピロリジニル基；［低級アルコキ
シ（低級）アルキル］ピロリジニル基、好ましくは例え
ば４−（メトキシメチル）ピロリジン−２−イル等の
［Ｃ1−Ｃ4アルコキシ（Ｃ1−Ｃ4）アルキル］ピロリジ
ニル基；［ハロ（低級）アルコキシ（低級）アルキルピ
ロリジニル基、好ましくは（２−フルオロエトキシメチ
ル）ピロリジニル基；１−（低級アルケニルオキシカル
ボニル）［ハロ（低級）アルコキシ（低級）アルキル］
ピロリジニル基のようなＮが保護された［ハロ（低級）
アルコキシ（低級）アルキル］ピロリジニル基、好まし
くは１−アリルオキシカルボニル−（２−フルオロエト
キシメチル）ピロリジニン基；１−（低級アルケニルオ
キシカルボニル）［低級アルコキシ（低級）アルキル］
ピロリジニル基のようなＮが保護された［低級アルコキ
シ（低級）アルキル］ピロリジニル基、好ましくは例え
ば１−アリルオキシカルボニル−４−（メトキシメチ
ル）ピロリジン−２−イル等の１−（Ｃ2−Ｃ4アルケニ
ルオキシカルボニル）［Ｃ1−Ｃ4アルコキシ（Ｃ1−
Ｃ4）アルキル］ピロリジニル基；［ヒドロキシ（低
級）アルキル］ピロリジニル基、好ましくは例えば５−
（ヒドロキシメチル）ピロリジン−２−イル等の［ヒド
ロキシ（Ｃ1−Ｃ4）アルキル］ピロリジニル基；１−
（低級アルケニルオキシカルボニル）［ヒドロキシ（低
級）アルキル］ピロリジニル基のようなＮが保護された
［ヒドロキシ（低級）アルキル］ピロリジニル基、好ま
しくは例えば１−アリルオキシカルボニル−５−（ヒド
ロキシメチル）ピロリジン−２−イル等の１−（Ｃ2−
Ｃ4アルケニルオキシカルボニル）［ヒドロキシ（Ｃ1−
Ｃ4）アルキル］ピロリジニル基；［低級アルキルアミ
ノ（低級）アルカノイル］ピロリジニル基、好ましくは
例えば１−（メチルアミノアセチル）ピロリジン−２−
イル等の１−［（Ｃ1−Ｃ4）アルキルアミノ（Ｃ1−
Ｃ4）アルカノイル］ピロリジニル基；１−［Ｎ−（低
級）アルケニルオキシカルボニル−Ｎ−（低級）アルキ
ルアミノ（低級）アルカノイル］ピロリジニル基のよう
な［保護された（低級）アルキルアミノ（低級）アルカ
ノイル］ピロリジニル基、好ましくは例えば１−（Ｎ−
リルオキシカルボニル−Ｎ−メチルアミノアセチル）ピ
ロリジン−２−イル等の１−｛Ｎ−（Ｃ2−Ｃ4）アルケ
ニルオキシカルボニル−Ｎ−(Ｃ1−Ｃ4)アルキルアミノ
（Ｃ1−Ｃ4）アルカノイル］ピロリジニル基；（低級ア
ルキル）（イミノ）ピロリジニル基、好ましくは例えば
１−メチル−５−イミノピロリジン−２−イル等の１−
［（Ｃ1−Ｃ4）アルキル］イミノピロリジニル基；１−
（低級アルキル）（低級アルケニルオキシカルボニルイ
ミノ）ピロリジニル基のような（低級アルキル）（保護
されたイミノ）ピロリジニル基、好ましくは例えば１−
メチル−５−（アリルオキシカルボニルイミノ）ピロリ
ジン−２−イル等の１−（Ｃ1−Ｃ4アルキル）（Ｃ1−
Ｃ4アルケニルオキシカルボニルイミノ）ピロリジニル
基；例えばピペリジン−２−イル等のピペリジニル基；
１−（低級アルケニルオキシカルボニル）ピペリジニル
基のようなＮが保護されたピペリジニル基、好ましくは
例えば１−アリルオキシカルボニルピペリジン−２−イ
ル等の１−（Ｃ−Ｃ4）アルケニルオキシカルボニルピ
ペリジニル基；例えばアゼチジン−３−イル等のアゼチ
ジニル基；１−（低級アルケニルオキシカルボニル）ア
ゼチジニル基のようなＮが保護されたアゼチジニル基、
好ましくは例えば１−アリルオキシカルボニルアゼチジ
ン−３−イル等の１−（Ｃ2−Ｃ4）アルケニルオキシカ
ルボニルアゼチジニル基；例えばモルホリン−３−イル
等のモルホリニル基；低級アルキルチオ（低級）アルカ
ンイミドイルアゼチジニル基、好ましくはＮ−（２−メ
チルチオアセトイミドイル）アゼチジニル基；例えば
３，４，５，６−テトラヒドロピリミジニル等のテトラ
ヒドロピリミジニル基；４−（低級）アルケニルオキシ
カルボニルモルホリニル基のようなＮが保護されたモル
ホリニル基、好ましくは例えば４−アリルオキシカルボ
ニルモルホリン−３−イル等の４−（Ｃ2−Ｃ4）アルケ
ニルオキシカルボニルモルホリニル基；低級アルキリデ
ンピロリジニル基、好ましくは例えば４−メチレンピロ
リジン−２−イル等のＣ1−Ｃ4アルキリデンピロリジニ
ル基；１−（低級）アルケニルオキシカルボニル）（低
級アルキリデン）ピロリジニル基のような保護された
（低級アルキリデン）ピロリジニル基、好ましくは例え
ば１−アリルオキシカルボニル−４−メチレンピロリジ
ン−２−イル等の１−（Ｃ2−Ｃ4アルケニルオキシカル
ボニル（Ｃ1−Ｃ4アルキリデン）ピロリジニル基が挙げ
られる。
よい複素環基」の好ましい例としては、例えばピロリジ
ン−２−イル、ピロリジン−３−イル等のピロリジニル
基；１−（低級）アルケニルオキシカルボニルピロリジ
ニル基のようなＮが保護されたピロリジニル基、好まし
くは例えば１−アリルオキシカルボニルピロリジン−２
−イル、１−アリルオキシカルボニルピロリジン−３−
イル等の１−（Ｃ2−Ｃ4）アルケニルオキシカルボニル
ピロリジニル基；１−（低級）アルカンイミドイルピロ
リジニル基、好ましくは例えば１−ホルムイミドイルピ
ロリジン−２−イル、１−アセトイミドイルピロリジン
−２−イル等の１−（Ｃ1−Ｃ4）アルカンイミドイルピ
ロリジニル基；例えば４−ヒドロキシピロリジン−２−
イル等のヒドロキシピロリジニル基；１−（低級アルケ
ニルオキシカルボニル）（ヒドロキシ）ピロリジニル基
のようなＮが保護されたヒドロキシピロリジニル基、好
ましくは例えば１−アリルオキシカルボニル−４−ヒド
ロキシピロリジン−２−イル等の１−（Ｃ2−Ｃ4）アル
ケニルオキシカボニル）（ヒドロキシ）ピロリジニル
基；１−（低級アルケニルオキシカルボニル）［トリ
（低級）アルキルシリルオキシ］ピロリジニル基のよう
なＮが保護された（保護されたヒドロキシ）ピロリジニ
ル基、好ましくは例えば１−アリルオキシカルボニル−
４−第三級ブチルジメチルシリルオキシピロリジン−２
−イル等の１−（Ｃ2−Ｃ4アルケニルオキシカルボニ
ル）［トリ（Ｃ1−Ｃ4）アルキルシリルオキシ］ピロリ
ジニル基；低級アルコキシピロリジニル基、好ましくは
例えば４−メトキシピロリジン−２−イル等のＣ1−Ｃ4
アルコキシピロリジニル基；１−（低級アルケニルオキ
シカルボニル）（低級アルコキシ）ピロリジニル基のよ
うなＮが保護された（低級アルコキシ）ピロリジニル
基、好ましくは例えば１−アリルオキシカルボニル−４
−メトキシピロリジン−２−イル等の１−（Ｃ 2−Ｃ4
アルケニルオキシカルボニル）（Ｃ1−Ｃ4アルコキシ）
ピロリジニル基；［ジ（低級）アルキルカルバモイルオ
キシ］ピロリジニル基、好ましくは例えば４−（ジメチ
ルカルバモイルオキシ）ピロリジン−２−イル等の［ジ
（Ｃ1−Ｃ4）アルキルカルバモイルオキシ］ピロリジニ
ル基；［ジ（低級）アルキルカルバモイル］ピロリジニ
ル基、好ましくは例えば４−（ジメチルカルバモイル）
ピロリジン−２−イル等の［ジ（Ｃ1−Ｃ4）アルキルカ
ルバモイル］ピロリジニル基；１−（低級アルケニルオ
キシカルボニル）［ジ（低級）アルキルカルバモイルオ
キシ］ピロリジニル基のようなＮが保護された［ジ（低
級）アルキルカルバモイルオキシ］ピロリジニル基、好
ましくは例えば１−アリルオキシカルボニル−４−（ジ
メチルカルバモイルオキシ）ピロリジン−２−イル等の
１−（Ｃ2−Ｃ4アルケニルオキシカルボニル）［ジ（Ｃ
1−Ｃ4）アルキルカルバモイルオキシ］ピロリジニル
基；１−（低級アルケニルオキシカルボニル）［ジ（低
級）アルキルカルバモイル］ピロリジニル基のようなＮ
が保護された［ジ（低級）アルキルカルバモイル］ピロ
リジニル基、好ましくは例えば１−アリルオキシカルボ
ニル−４−（ジメチルカルバモイル）ピロリジン−２−
イル等の１−（Ｃ2−Ｃ4アルケニルオキシカルボニル）
［ジ（Ｃ1−Ｃ4）アルキルカルバモイル］ピロリジニル
基；（低級アルキルカルバモイルオキシ）ピロリジニル
基、好ましくは例えば４−（メチルカルバモイルオキ
シ）ピロリジン−２−イル等の（Ｃ1−Ｃ4アルキルカル
バモイルオキシ）ピロリジニル基；１−（低級アルケニ
ルオキシカルボニル）（低級アルキルカルバモイルオキ
シ）ピロリジニル基のようなＮが保護された（低級アル
キルカルバモイルオキシ）ピロリジニル基、好ましくは
例えば１−アリルオキシカルボニル−４−（メチルカル
バモイルオキシ）ピロリジン−２−イル等の１−（Ｃ2
−Ｃ4アルケニルオキシカルボニル）（Ｃ1−Ｃ4アルキ
ルカルバモイルオキシ）ピロリジニル基；（低級アルキ
ルアミノ）ピロリジニル基、好ましくは例えば４−（メ
チルアミノ）ピロリジン−２−イル等の（Ｃ1−Ｃ4アル
キルアミノ）ピロリジニル基；１−（低級アルケニルオ
キシカルボニル）［Ｎ−（低級）アルケニルオキシカル
ボニル）−Ｎ−（低級）アルキルアミノ］ピロリジニル
基のようなＮが保護された（保護された低級アルキルア
ミノ）ピロリジニル基、好ましくは例えば１−アリルオ
キシカルボニル−４−（Ｎ−アリルオキシカルボニル−
Ｎ−メチルアミノ）ピロリジン−２−イル等の１−（Ｃ
2−Ｃ4アルケニルオキシカルボニル）［Ｎ−（Ｃ2 −
Ｃ4）アルケニルオキシカルボニル−Ｎ−（Ｃ1−Ｃ4）
アルキルアミノピロリジニル基；例えば４−フルオロピ
ロリジン−２−イル等のハロピロリジニル基；１−（低
級アルケニルオキシカルボニル）ハロピロリジニル基の
ようなＮが保護されたハロピロリジニル基、好ましくは
例えば１−アリルオキシカルボニル−４−フルオロピロ
リジン−２−イル等の１−（Ｃ2−Ｃ4アルケニルオキシ
カルボニル）フルオロピロリジニル基；［低級アルコキ
シ（低級）アルキル］ピロリジニル基、好ましくは例え
ば４−（メトキシメチル）ピロリジン−２−イル等の
［Ｃ1−Ｃ4アルコキシ（Ｃ1−Ｃ4）アルキル］ピロリジ
ニル基；［ハロ（低級）アルコキシ（低級）アルキルピ
ロリジニル基、好ましくは（２−フルオロエトキシメチ
ル）ピロリジニル基；１−（低級アルケニルオキシカル
ボニル）［ハロ（低級）アルコキシ（低級）アルキル］
ピロリジニル基のようなＮが保護された［ハロ（低級）
アルコキシ（低級）アルキル］ピロリジニル基、好まし
くは１−アリルオキシカルボニル−（２−フルオロエト
キシメチル）ピロリジニン基；１−（低級アルケニルオ
キシカルボニル）［低級アルコキシ（低級）アルキル］
ピロリジニル基のようなＮが保護された［低級アルコキ
シ（低級）アルキル］ピロリジニル基、好ましくは例え
ば１−アリルオキシカルボニル−４−（メトキシメチ
ル）ピロリジン−２−イル等の１−（Ｃ2−Ｃ4アルケニ
ルオキシカルボニル）［Ｃ1−Ｃ4アルコキシ（Ｃ1−
Ｃ4）アルキル］ピロリジニル基；［ヒドロキシ（低
級）アルキル］ピロリジニル基、好ましくは例えば５−
（ヒドロキシメチル）ピロリジン−２−イル等の［ヒド
ロキシ（Ｃ1−Ｃ4）アルキル］ピロリジニル基；１−
（低級アルケニルオキシカルボニル）［ヒドロキシ（低
級）アルキル］ピロリジニル基のようなＮが保護された
［ヒドロキシ（低級）アルキル］ピロリジニル基、好ま
しくは例えば１−アリルオキシカルボニル−５−（ヒド
ロキシメチル）ピロリジン−２−イル等の１−（Ｃ2−
Ｃ4アルケニルオキシカルボニル）［ヒドロキシ（Ｃ1−
Ｃ4）アルキル］ピロリジニル基；［低級アルキルアミ
ノ（低級）アルカノイル］ピロリジニル基、好ましくは
例えば１−（メチルアミノアセチル）ピロリジン−２−
イル等の１−［（Ｃ1−Ｃ4）アルキルアミノ（Ｃ1−
Ｃ4）アルカノイル］ピロリジニル基；１−［Ｎ−（低
級）アルケニルオキシカルボニル−Ｎ−（低級）アルキ
ルアミノ（低級）アルカノイル］ピロリジニル基のよう
な［保護された（低級）アルキルアミノ（低級）アルカ
ノイル］ピロリジニル基、好ましくは例えば１−（Ｎ−
リルオキシカルボニル−Ｎ−メチルアミノアセチル）ピ
ロリジン−２−イル等の１−｛Ｎ−（Ｃ2−Ｃ4）アルケ
ニルオキシカルボニル−Ｎ−(Ｃ1−Ｃ4)アルキルアミノ
（Ｃ1−Ｃ4）アルカノイル］ピロリジニル基；（低級ア
ルキル）（イミノ）ピロリジニル基、好ましくは例えば
１−メチル−５−イミノピロリジン−２−イル等の１−
［（Ｃ1−Ｃ4）アルキル］イミノピロリジニル基；１−
（低級アルキル）（低級アルケニルオキシカルボニルイ
ミノ）ピロリジニル基のような（低級アルキル）（保護
されたイミノ）ピロリジニル基、好ましくは例えば１−
メチル−５−（アリルオキシカルボニルイミノ）ピロリ
ジン−２−イル等の１−（Ｃ1−Ｃ4アルキル）（Ｃ1−
Ｃ4アルケニルオキシカルボニルイミノ）ピロリジニル
基；例えばピペリジン−２−イル等のピペリジニル基；
１−（低級アルケニルオキシカルボニル）ピペリジニル
基のようなＮが保護されたピペリジニル基、好ましくは
例えば１−アリルオキシカルボニルピペリジン−２−イ
ル等の１−（Ｃ−Ｃ4）アルケニルオキシカルボニルピ
ペリジニル基；例えばアゼチジン−３−イル等のアゼチ
ジニル基；１−（低級アルケニルオキシカルボニル）ア
ゼチジニル基のようなＮが保護されたアゼチジニル基、
好ましくは例えば１−アリルオキシカルボニルアゼチジ
ン−３−イル等の１−（Ｃ2−Ｃ4）アルケニルオキシカ
ルボニルアゼチジニル基；例えばモルホリン−３−イル
等のモルホリニル基；低級アルキルチオ（低級）アルカ
ンイミドイルアゼチジニル基、好ましくはＮ−（２−メ
チルチオアセトイミドイル）アゼチジニル基；例えば
３，４，５，６−テトラヒドロピリミジニル等のテトラ
ヒドロピリミジニル基；４−（低級）アルケニルオキシ
カルボニルモルホリニル基のようなＮが保護されたモル
ホリニル基、好ましくは例えば４−アリルオキシカルボ
ニルモルホリン−３−イル等の４−（Ｃ2−Ｃ4）アルケ
ニルオキシカルボニルモルホリニル基；低級アルキリデ
ンピロリジニル基、好ましくは例えば４−メチレンピロ
リジン−２−イル等のＣ1−Ｃ4アルキリデンピロリジニ
ル基；１−（低級）アルケニルオキシカルボニル）（低
級アルキリデン）ピロリジニル基のような保護された
（低級アルキリデン）ピロリジニル基、好ましくは例え
ば１−アリルオキシカルボニル−４−メチレンピロリジ
ン−２−イル等の１−（Ｃ2−Ｃ4アルケニルオキシカル
ボニル（Ｃ1−Ｃ4アルキリデン）ピロリジニル基が挙げ
られる。
【００３４】そしてもっとも好ましいものを例示する
と、アゼチジン−４−イル、Ｎ−アリルオキシカルボニ
ルアゼチジン−４−イル、１，４，５，６−テトラヒド
ロピリミジン−５−イル、２−（ジメチルカルバモイ
ル）ピロリジン−４−イル、（２−ジメチルカルバモイ
ル）−Ｎ−アリルオキシカルボニルピロリジン−４−イ
ル、２−（２−フルオロエトキシメチル）ピロリジン−
４−イル、２−（２−フルオロエトキシメチル）−Ｎ−
アリルオキシカルボニルピロリジン−４−イル、Ｎ−
（２−メチルチオアセトイミドイル）アゼチジン−４−
イル等が挙げられる。
と、アゼチジン−４−イル、Ｎ−アリルオキシカルボニ
ルアゼチジン−４−イル、１，４，５，６−テトラヒド
ロピリミジン−５−イル、２−（ジメチルカルバモイ
ル）ピロリジン−４−イル、（２−ジメチルカルバモイ
ル）−Ｎ−アリルオキシカルボニルピロリジン−４−イ
ル、２−（２−フルオロエトキシメチル）ピロリジン−
４−イル、２−（２−フルオロエトキシメチル）−Ｎ−
アリルオキシカルボニルピロリジン−４−イル、Ｎ−
（２−メチルチオアセトイミドイル）アゼチジン−４−
イル等が挙げられる。
【００３５】「１級もしくは２級アミノ基を有する適当
な置換基で置換されている低級アルキル基」並びに「１
級もしくは２級アミノ基を有する適当な置換基で置換さ
れているか置換されていない２級アミノ基を環内に有す
る複素環基」における「２級アミノ基」とは１級アミノ
基の水素原子が前記した様な低級アルキル基やアミノ保
護基あるいは後述する様なアシル基で置換された基を意
味する。
な置換基で置換されている低級アルキル基」並びに「１
級もしくは２級アミノ基を有する適当な置換基で置換さ
れているか置換されていない２級アミノ基を環内に有す
る複素環基」における「２級アミノ基」とは１級アミノ
基の水素原子が前記した様な低級アルキル基やアミノ保
護基あるいは後述する様なアシル基で置換された基を意
味する。
【００３６】また「２級アミノ基を環内に有する複素環
基」とはアジリジニル、アゼチジニル、ピロール−２−
イル、イミダゾリル、ピラゾリル、イソインドリル、イ
ンドリル、イミダゾリジニル、ピペリジル、モルホリニ
ル等の様に環内に２級アミノ基が存在する複素環基を意
味する。
基」とはアジリジニル、アゼチジニル、ピロール−２−
イル、イミダゾリル、ピラゾリル、イソインドリル、イ
ンドリル、イミダゾリジニル、ピペリジル、モルホリニ
ル等の様に環内に２級アミノ基が存在する複素環基を意
味する。
【００３７】「低級アルカンイミドイルイミノ」として
は、ホルムイミドイルイミノ、アセトイミドイルイミ
ノ、メチルチオアセトイミドイルイミノ等が挙げられ
る。好適な「酸残基」としてはアジ化物、例えば塩素、
臭素、フッ素または沃素のようなハロゲン等のような無
機酸残基、例えばベンゼンスルホニルオキシ、トシルオ
キシ、メタンスルホニルオキシ、アセトキシ等のアシル
オキシ基等のような有機酸残基が挙げられ、それらの中
でさらに好ましいものとしてはハロゲンが挙げられ、最
も好ましいものとしては沃素が挙げられる。
は、ホルムイミドイルイミノ、アセトイミドイルイミ
ノ、メチルチオアセトイミドイルイミノ等が挙げられ
る。好適な「酸残基」としてはアジ化物、例えば塩素、
臭素、フッ素または沃素のようなハロゲン等のような無
機酸残基、例えばベンゼンスルホニルオキシ、トシルオ
キシ、メタンスルホニルオキシ、アセトキシ等のアシル
オキシ基等のような有機酸残基が挙げられ、それらの中
でさらに好ましいものとしてはハロゲンが挙げられ、最
も好ましいものとしては沃素が挙げられる。
【００３８】好適な「アリール基」としては、フェニ
ル、トリル、キシリル、クメニル、メシチル、ナフチル
等のようなＣ6−Ｃ10アリール基が挙げられ、それらの
中でさらに好ましいものとしてはフェニル基が挙げられ
る。好適な「低級アルコキシ基」としては、メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、第３級ブトキシ、さ
らに好ましくは例えばエトキシ等のＣ1−Ｃ4アルコキシ
基が挙げられる。
ル、トリル、キシリル、クメニル、メシチル、ナフチル
等のようなＣ6−Ｃ10アリール基が挙げられ、それらの
中でさらに好ましいものとしてはフェニル基が挙げられ
る。好適な「低級アルコキシ基」としては、メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、第３級ブトキシ、さ
らに好ましくは例えばエトキシ等のＣ1−Ｃ4アルコキシ
基が挙げられる。
【００３９】好適な「脱離基」としては、前記酸残基が
挙げられ、それらの中でさらに好ましい例としては低級
アルカノイルオキシ基が挙げられ、最も好ましいものと
してはアセトキシ基が挙げられる。前記アシル基として
は脂肪族アシル基、芳香族アシル基、複素環アシル基な
らびに芳香族基または複素環基によって置換された脂肪
族アシル基が挙げられる。
挙げられ、それらの中でさらに好ましい例としては低級
アルカノイルオキシ基が挙げられ、最も好ましいものと
してはアセトキシ基が挙げられる。前記アシル基として
は脂肪族アシル基、芳香族アシル基、複素環アシル基な
らびに芳香族基または複素環基によって置換された脂肪
族アシル基が挙げられる。
【００４０】脂肪族アシル基としては、飽和または不飽
和の非環式または環式のもの、例えばホルミル、アセチ
ル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリ
ル、イソバレリル、ピバロイル、ヘキサノイル等の低級
アルカノイル基のようなアルカノイル基、例えばメシ
ル、エチルスルホニル、プロピルスルホニル、イソプロ
ピルスルホニル、ブチルスルホニル、イソブチルスルホ
ニル、ペンチルスルホニル、ヘキシルスルホニル等の低
級アルキルスルホニル基のようなアルキルスルホニル
基、カルバモイル基、例えばメチルカルバモイル、エチ
ルカルバモイル等のＮ−アルキルカルバモイル基、例え
ばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキ
シカルボニル、ブトキシカルボニル、第三級ブトキシカ
ルボニル等の低級アルコキシカルボニル基のようなアル
コキシカルボニル基、例えばビニルオキシカルボニル、
アリルオキシカルボニル等の低級アルケニルオキシカル
ボニル基のようなアルケニルオキシカルボニル基、例え
ばアクリロイル、メタクリロイル、クロトノイル等の低
級アルケノイル基のようなアルケノイル基、例えばシク
ロプロパンカルボニル、シクロペンタンカルボニル、シ
クロヘキサンカルボニル等のシクロ（低級）アルカンカ
ルボニル基のようなシクロアルカンカルボニル基等がそ
の例として挙げられる。
和の非環式または環式のもの、例えばホルミル、アセチ
ル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリ
ル、イソバレリル、ピバロイル、ヘキサノイル等の低級
アルカノイル基のようなアルカノイル基、例えばメシ
ル、エチルスルホニル、プロピルスルホニル、イソプロ
ピルスルホニル、ブチルスルホニル、イソブチルスルホ
ニル、ペンチルスルホニル、ヘキシルスルホニル等の低
級アルキルスルホニル基のようなアルキルスルホニル
基、カルバモイル基、例えばメチルカルバモイル、エチ
ルカルバモイル等のＮ−アルキルカルバモイル基、例え
ばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキ
シカルボニル、ブトキシカルボニル、第三級ブトキシカ
ルボニル等の低級アルコキシカルボニル基のようなアル
コキシカルボニル基、例えばビニルオキシカルボニル、
アリルオキシカルボニル等の低級アルケニルオキシカル
ボニル基のようなアルケニルオキシカルボニル基、例え
ばアクリロイル、メタクリロイル、クロトノイル等の低
級アルケノイル基のようなアルケノイル基、例えばシク
ロプロパンカルボニル、シクロペンタンカルボニル、シ
クロヘキサンカルボニル等のシクロ（低級）アルカンカ
ルボニル基のようなシクロアルカンカルボニル基等がそ
の例として挙げられる。
【００４１】芳香族アシル基としては、例えばベンゾイ
ル、トルオイル、キシロイル等のアロイル基、例えばＮ
−フェニルカルバモイル、Ｎ−トリルカルバモイル、Ｎ
−ナフチルカルバモイル等のＮ−アリールカルバモイル
基、例えばベンゼンスルホニル、トシル等のアレーンス
ルホニル基等が挙げられる。
ル、トルオイル、キシロイル等のアロイル基、例えばＮ
−フェニルカルバモイル、Ｎ−トリルカルバモイル、Ｎ
−ナフチルカルバモイル等のＮ−アリールカルバモイル
基、例えばベンゼンスルホニル、トシル等のアレーンス
ルホニル基等が挙げられる。
【００４２】複素環アシル基としては、例えばフロイ
ル、テノイル、ニコチノイル、イソニコチノイル、チア
ゾリルカルボニル、チアジアゾリルカルボニル、テトラ
ゾリルカルボニル等の複素環カルボニル基等が挙げられ
る。
ル、テノイル、ニコチノイル、イソニコチノイル、チア
ゾリルカルボニル、チアジアゾリルカルボニル、テトラ
ゾリルカルボニル等の複素環カルボニル基等が挙げられ
る。
【００４３】芳香族基によって置換された脂肪族アシル
基としては、例えばフェニルアセチル、フェニルプロピ
オニル、フェニルヘキサノイル等のフェニル（低級）ア
ルカノイル基のようなアラルカノイル基、例えばベンジ
ルオキシカルボニル、フェネチルオキシカルボニル等の
フェニル（低級）アルコキシカルボニル基のようなアラ
ルコキシカルボニル基、例えばフェノキシアセチル、フ
ェノキシプロピオニル等のフェノキシ（低級）アルカノ
イル基のようなアリールオキシアルカノイル基等が挙げ
られる。
基としては、例えばフェニルアセチル、フェニルプロピ
オニル、フェニルヘキサノイル等のフェニル（低級）ア
ルカノイル基のようなアラルカノイル基、例えばベンジ
ルオキシカルボニル、フェネチルオキシカルボニル等の
フェニル（低級）アルコキシカルボニル基のようなアラ
ルコキシカルボニル基、例えばフェノキシアセチル、フ
ェノキシプロピオニル等のフェノキシ（低級）アルカノ
イル基のようなアリールオキシアルカノイル基等が挙げ
られる。
【００４４】複素環基で置換された脂肪族アシル基とし
ては、例えばチエニルアセチル、イミダゾリルアセチ
ル、フリルアセチル、テトラゾリルアセチル、チアゾリ
ルアセチル、チアジアゾリルアセチル、チエニルプロピ
オニル、チアジアゾリルプロピオニル等の複素環（低
級）アルカノイル基のような複素環アルカノイル基等が
挙げられる。
ては、例えばチエニルアセチル、イミダゾリルアセチ
ル、フリルアセチル、テトラゾリルアセチル、チアゾリ
ルアセチル、チアジアゾリルアセチル、チエニルプロピ
オニル、チアジアゾリルプロピオニル等の複素環（低
級）アルカノイル基のような複素環アルカノイル基等が
挙げられる。
【００４５】これらのアシル基はさらに、例えばメチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル等の低級アルキル基、例えば塩素、臭素、
沃素、フッ素のようなハロゲン、例えばメトキシ、エト
キシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ペンチ
ルオキシ、ヘキシルオキシ等の低級アルコキシ基、例え
ばメチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピ
ルチオ、ブチルチオ、ペンチルチオ、ヘキシルチオ等の
低級アルキルチオ基、ニトロ基、例えばメチルアミノ、
エチルアミノ、プロピルアミノ、イソプロピルアミノ等
の低級アルキルアミノ、例えばＮ−アリオキシカルボニ
ル−Ｎ−メチルアミノ等の保護された低級アルキルアミ
ノ基等のような適当な置換基１個以上で置換されていて
もよく、そのような置換基を有する好ましいアシル基と
しては、例えばクロロアセチル、ブロモアセチル、ジク
ロロアセチル、トリフルオロアセチル等のモノ（または
ジまたはトリ）ハロアルカノイル基、例えばクロロメト
キシカルボニル、ジクロロメトキシカルボニル、２,２,
２−トリクロロエトキシカルボニル等のモノ（またはジ
またはトリ）ハロアルコキシカルボニル基、例えばニト
ロベンジルオキシカルボニル、クロロベンジルオキシカ
ルボニル、メトキシベンジルオキシカルボニル等のニト
ロ−（またはハロ−また低級アルコキシ−）アル（低
級）アルコキシカルボニル基、例えばフルオロメチルス
ルホニル、ジフルオロメチルスルホニル、トリフルオロ
メチルスルホニル、トリクロロメチルスルホニル等のモ
ノ（またはジまたはトリ）ハロ（低級）アルキルスルホ
ニル基等が挙げられる。
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル等の低級アルキル基、例えば塩素、臭素、
沃素、フッ素のようなハロゲン、例えばメトキシ、エト
キシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ペンチ
ルオキシ、ヘキシルオキシ等の低級アルコキシ基、例え
ばメチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピ
ルチオ、ブチルチオ、ペンチルチオ、ヘキシルチオ等の
低級アルキルチオ基、ニトロ基、例えばメチルアミノ、
エチルアミノ、プロピルアミノ、イソプロピルアミノ等
の低級アルキルアミノ、例えばＮ−アリオキシカルボニ
ル−Ｎ−メチルアミノ等の保護された低級アルキルアミ
ノ基等のような適当な置換基１個以上で置換されていて
もよく、そのような置換基を有する好ましいアシル基と
しては、例えばクロロアセチル、ブロモアセチル、ジク
ロロアセチル、トリフルオロアセチル等のモノ（または
ジまたはトリ）ハロアルカノイル基、例えばクロロメト
キシカルボニル、ジクロロメトキシカルボニル、２,２,
２−トリクロロエトキシカルボニル等のモノ（またはジ
またはトリ）ハロアルコキシカルボニル基、例えばニト
ロベンジルオキシカルボニル、クロロベンジルオキシカ
ルボニル、メトキシベンジルオキシカルボニル等のニト
ロ−（またはハロ−また低級アルコキシ−）アル（低
級）アルコキシカルボニル基、例えばフルオロメチルス
ルホニル、ジフルオロメチルスルホニル、トリフルオロ
メチルスルホニル、トリクロロメチルスルホニル等のモ
ノ（またはジまたはトリ）ハロ（低級）アルキルスルホ
ニル基等が挙げられる。
【００４６】この発明の目的化合物(I)の製造法を以下
詳細に説明する。 (1)製造法１ 化合物(Ｉ）またはその塩類は、化合物(II)またはその
塩類を環化することにより製造することができる。化合
物(II)の好適な塩類としては、化合物(I)の塩類と同じ
ものが挙げられる。この反応はジオキサン、ヘキサメチ
ルホスホルアミド、ベンゼン、トルエン、キシレン、メ
シチレン、ジメチルスルホキシド、Ｎ,Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、ピリジン等のような反応に悪影響を及ぼさ
ない慣用の溶媒中、またはそれらの混合物中化合物(II)
を加熱することにより行うのが好ましい。この反応はま
たヒドロキノンの存在下に行うこともできる。この反応
の反応温度は特に限定されないが、通常は加温下ないし
加熱下に行われる。
詳細に説明する。 (1)製造法１ 化合物(Ｉ）またはその塩類は、化合物(II)またはその
塩類を環化することにより製造することができる。化合
物(II)の好適な塩類としては、化合物(I)の塩類と同じ
ものが挙げられる。この反応はジオキサン、ヘキサメチ
ルホスホルアミド、ベンゼン、トルエン、キシレン、メ
シチレン、ジメチルスルホキシド、Ｎ,Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、ピリジン等のような反応に悪影響を及ぼさ
ない慣用の溶媒中、またはそれらの混合物中化合物(II)
を加熱することにより行うのが好ましい。この反応はま
たヒドロキノンの存在下に行うこともできる。この反応
の反応温度は特に限定されないが、通常は加温下ないし
加熱下に行われる。
【００４７】(2)製造法２ 化合物(I-b)またはその塩類は、化合物(I-a)またはその
塩類をカルボキシ保護基の脱離反応に付すことにより製
造することができる。この脱離反応においては、Ｒ1 aの
カルボキシ保護基が脱離される他、Ｒ4 aで示される基に
おける適当な置換基がカルボキシ保護基で置換されたカ
ルボキシ基である場合には、その様なカルボキシ保護基
も反応によって脱離される。化合物(I-a)および(I-b)の
好適な塩類としては化合物(I)の塩類と同じものが挙げ
られる。この反応は通常、加水分解、還元等のような常
法によって行われる。
塩類をカルボキシ保護基の脱離反応に付すことにより製
造することができる。この脱離反応においては、Ｒ1 aの
カルボキシ保護基が脱離される他、Ｒ4 aで示される基に
おける適当な置換基がカルボキシ保護基で置換されたカ
ルボキシ基である場合には、その様なカルボキシ保護基
も反応によって脱離される。化合物(I-a)および(I-b)の
好適な塩類としては化合物(I)の塩類と同じものが挙げ
られる。この反応は通常、加水分解、還元等のような常
法によって行われる。
【００４８】(i)加水分解 加水分解は酸または塩基の存在下に行うのがましい。好
適な塩基としては例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム等のアルカリ金属水酸化物、例えば水酸化マグネシ
ウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化
物、例えば水素化ナトリウム、水素化カリウム等のアル
カリ金属水素化物、例えば水素化カルシウム等のアルカ
リ土類金属水素化物、例えばナトリウムメトキシド、ナ
トリウムエトキシド、カリウム第三級ブトキシド等のア
ルカリ金属アルコキシド、例えば炭酸ナトリウム、炭酸
カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、例えば炭酸マグネシ
ウム、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩、例
えば炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカ
リ金属炭酸水素塩等が挙げられる。
適な塩基としては例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム等のアルカリ金属水酸化物、例えば水酸化マグネシ
ウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化
物、例えば水素化ナトリウム、水素化カリウム等のアル
カリ金属水素化物、例えば水素化カルシウム等のアルカ
リ土類金属水素化物、例えばナトリウムメトキシド、ナ
トリウムエトキシド、カリウム第三級ブトキシド等のア
ルカリ金属アルコキシド、例えば炭酸ナトリウム、炭酸
カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、例えば炭酸マグネシ
ウム、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩、例
えば炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカ
リ金属炭酸水素塩等が挙げられる。
【００４９】好適な酸としては、例えばギ酸、酢酸、プ
ロピオン酸、トリフルオロ酢酸、ベンゼンスルホン酸、
ｐ−トルエンスルホン酸等の有機酸および例えば塩酸、
臭化水素酸、硫酸、燐酸等の無機酸が挙げられる。トリ
フルオロ酢酸を使用する酸性加水分解は通常、例えばフ
ェノール、アニソール等の陽イオン捕捉剤の添加によっ
て促進される。
ロピオン酸、トリフルオロ酢酸、ベンゼンスルホン酸、
ｐ−トルエンスルホン酸等の有機酸および例えば塩酸、
臭化水素酸、硫酸、燐酸等の無機酸が挙げられる。トリ
フルオロ酢酸を使用する酸性加水分解は通常、例えばフ
ェノール、アニソール等の陽イオン捕捉剤の添加によっ
て促進される。
【００５０】カルボキシ保護基がトリ（低級）アルキル
シリル基である場合には、加水分解を例えばフッ化テト
ラブチルアンモニウム等のハロゲン化テトラ（低級）ア
ルキルアンモニウムの存在下に行うことができる。
シリル基である場合には、加水分解を例えばフッ化テト
ラブチルアンモニウム等のハロゲン化テトラ（低級）ア
ルキルアンモニウムの存在下に行うことができる。
【００５１】この反応は通常、水、ジクロロメタン、例
えばメタノール、エタノール等のアルコール、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、アセトン等のような反応に悪
影響を及ぼさない常用の溶媒中、またはそれらの混合物
中で行われる。液状の塩基または酸も溶媒として使用す
ることができる。反応温度は特に限定されず、通常冷却
下ないし加熱下に反応を行うことができる。
えばメタノール、エタノール等のアルコール、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、アセトン等のような反応に悪
影響を及ぼさない常用の溶媒中、またはそれらの混合物
中で行われる。液状の塩基または酸も溶媒として使用す
ることができる。反応温度は特に限定されず、通常冷却
下ないし加熱下に反応を行うことができる。
【００５２】(ii)還元 この脱離反応に適用できる還元方法としては、例えば亜
鉛、亜鉛アマルガム等の金属または例えば塩化第一クロ
ム、酢酸第一クロム等のクロム化合物塩と、例えば酢
酸、プロピオン酸、塩酸、硫酸等の有機酸または無機酸
との組合わせ；および例えばパラジウム海綿、パラジウ
ム黒、酸化パラジウム、パラジウム−炭素、コロイドパ
ラジウム、パラジウム−硫酸バリウム、パラジウム−炭
酸バリウム、水酸化パラジウム−炭素等のパラジウム触
媒、例えば還元ニッケル、酸化ニッケル、ラネーニッケ
ル等のニッケル触媒、例えば白金板、白金海綿、白金
黒、コロイド白金、酸化白金、白金線等の白金触媒等の
ような慣用の金属触媒の存在下における接触還元常法が
挙げられる。
鉛、亜鉛アマルガム等の金属または例えば塩化第一クロ
ム、酢酸第一クロム等のクロム化合物塩と、例えば酢
酸、プロピオン酸、塩酸、硫酸等の有機酸または無機酸
との組合わせ；および例えばパラジウム海綿、パラジウ
ム黒、酸化パラジウム、パラジウム−炭素、コロイドパ
ラジウム、パラジウム−硫酸バリウム、パラジウム−炭
酸バリウム、水酸化パラジウム−炭素等のパラジウム触
媒、例えば還元ニッケル、酸化ニッケル、ラネーニッケ
ル等のニッケル触媒、例えば白金板、白金海綿、白金
黒、コロイド白金、酸化白金、白金線等の白金触媒等の
ような慣用の金属触媒の存在下における接触還元常法が
挙げられる。
【００５３】接触還元を適用する場合には、中性付近の
条件で反応を行うのが好ましい。この反応は通常、水、
例えばメタノール、エタノール、プロパノール等のアル
コール、ジオキサン、テトラヒドロフラン、酢酸、例え
ば燐酸塩緩衝液、酢酸塩緩衝液等の緩衝溶液のような反
応に悪影響を及ぼさない常用の溶媒中、またはそれらの
混合物中で行われる。反応温度は特に限定されないが、
通常は冷却下ないし加温下に反応が行われる。
条件で反応を行うのが好ましい。この反応は通常、水、
例えばメタノール、エタノール、プロパノール等のアル
コール、ジオキサン、テトラヒドロフラン、酢酸、例え
ば燐酸塩緩衝液、酢酸塩緩衝液等の緩衝溶液のような反
応に悪影響を及ぼさない常用の溶媒中、またはそれらの
混合物中で行われる。反応温度は特に限定されないが、
通常は冷却下ないし加温下に反応が行われる。
【００５４】カルボキシ保護基がアリル基である場合に
は、保護基はパラジウム化合物を使する水素化分解によ
って脱保護される。この反応に使用される好適なパラジ
ウム化合物としては、パラジウム−炭素、水酸化パラジ
ウム−炭素、塩化パラジウム、テトラキス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（ジベンジリデ
ンアセトン）パラジウム（０）、ジ[１,２−ビス（ジフ
ェニルホスフィノ）エタン]パラジウム（０）、テトラ
キス(亜燐酸トリフェニル)パラジウム（０）、テトラキ
ス（亜燐酸トリエチル）パラジウム（０）のようなパラ
ジウム−配位子錯体等が挙げられる。
は、保護基はパラジウム化合物を使する水素化分解によ
って脱保護される。この反応に使用される好適なパラジ
ウム化合物としては、パラジウム−炭素、水酸化パラジ
ウム−炭素、塩化パラジウム、テトラキス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（ジベンジリデ
ンアセトン）パラジウム（０）、ジ[１,２−ビス（ジフ
ェニルホスフィノ）エタン]パラジウム（０）、テトラ
キス(亜燐酸トリフェニル)パラジウム（０）、テトラキ
ス（亜燐酸トリエチル）パラジウム（０）のようなパラ
ジウム−配位子錯体等が挙げられる。
【００５５】反応は、例えばモルホリン、Ｎ−メチルア
ニリン等のアミン、例えばジメドン、酢酸ベンゾイル、
２−メチル−３−オキソ吉草酸等の活性メチレン化合
物、例えばシアン化α−テトラヒドロピラニルオキシベ
ンジル等のシアノヒドリン化合物、例えばギ酸、酢酸、
ギ酸アンモニウム、酢酸ナトリウム等の低級アルカン酸
またはその塩、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド等のよう
な、反応中発生するアリル基の捕集剤の存在下に行うの
が好ましい。
ニリン等のアミン、例えばジメドン、酢酸ベンゾイル、
２−メチル−３−オキソ吉草酸等の活性メチレン化合
物、例えばシアン化α−テトラヒドロピラニルオキシベ
ンジル等のシアノヒドリン化合物、例えばギ酸、酢酸、
ギ酸アンモニウム、酢酸ナトリウム等の低級アルカン酸
またはその塩、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド等のよう
な、反応中発生するアリル基の捕集剤の存在下に行うの
が好ましい。
【００５６】この反応は例えばブチルアミン、トリエチ
ルアミン等の低級アルキルアミン、ピリジン等のような
塩基の存在下に行うことができる。この反応にパラジウ
ム−配位子錯体を使用する場合には、例えばトリフェニ
ルホスフィン、亜燐酸トリフェニル、亜燐酸トリエチル
等の対応する配位子の存在下に反応を行うのが好まし
い。
ルアミン等の低級アルキルアミン、ピリジン等のような
塩基の存在下に行うことができる。この反応にパラジウ
ム−配位子錯体を使用する場合には、例えばトリフェニ
ルホスフィン、亜燐酸トリフェニル、亜燐酸トリエチル
等の対応する配位子の存在下に反応を行うのが好まし
い。
【００５７】この反応は通常、水、メタノール、エタノ
ール、プロパノール、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、アセトニトリル、クロロホルム、ジクロロメタン、
ジクロロエタン、酢酸エチル等のような反応に悪影響を
及ぼさない常用の溶媒中、またはそれらの混合物中で行
われる。
ール、プロパノール、ジオキサン、テトラヒドロフラ
ン、アセトニトリル、クロロホルム、ジクロロメタン、
ジクロロエタン、酢酸エチル等のような反応に悪影響を
及ぼさない常用の溶媒中、またはそれらの混合物中で行
われる。
【００５８】脱離反応は、脱離すべきカルボキシ保護基
の種類によって選択することができる。この製造法にお
いては、Ｒ2のヒドロキシ保護基および／またはイミノ
保護基および／またはＲ5のヒドロキシ保護基が反応中
同時に脱離する場合もその範囲内に包含される。
の種類によって選択することができる。この製造法にお
いては、Ｒ2のヒドロキシ保護基および／またはイミノ
保護基および／またはＲ5のヒドロキシ保護基が反応中
同時に脱離する場合もその範囲内に包含される。
【００５９】(3)製造法３ 化合物(I-d)またはその塩類は、化合物(I-c)またはその
塩類をＲ2 aのヒドロキシ保護基の脱離反応に付すことに
より製造することができる。化合物(I-c)および(I-d)の
好適な塩類としては、化合物(I)の塩類と同じものが挙
げられる。この反応は通常、加水分解、還元等のような
常法によって行われる。
塩類をＲ2 aのヒドロキシ保護基の脱離反応に付すことに
より製造することができる。化合物(I-c)および(I-d)の
好適な塩類としては、化合物(I)の塩類と同じものが挙
げられる。この反応は通常、加水分解、還元等のような
常法によって行われる。
【００６０】加水分解法および還元法ならびに例えば反
応温度、溶媒等の反応条件は、製造法２の化合物(I-a)
のカルボキシ保護基の脱離反応で説明した方法、条件と
実質的に同じであり、従って前記説明を参照すればよ
い。ヒドロキシ保護基がトリ（低級）アルキルシリル基
である場合には、この保護基の脱離はまた、例えばフッ
化テトラブチルアンモニウム等のフッ化テトラ（低級）
アルキルアンモニウムの存在下に行うこともできる。こ
の製造法においては、Ｒ1のカルボキシ保護基が反応中
同時に脱離する場合もその範囲内に包含される。
応温度、溶媒等の反応条件は、製造法２の化合物(I-a)
のカルボキシ保護基の脱離反応で説明した方法、条件と
実質的に同じであり、従って前記説明を参照すればよ
い。ヒドロキシ保護基がトリ（低級）アルキルシリル基
である場合には、この保護基の脱離はまた、例えばフッ
化テトラブチルアンモニウム等のフッ化テトラ（低級）
アルキルアンモニウムの存在下に行うこともできる。こ
の製造法においては、Ｒ1のカルボキシ保護基が反応中
同時に脱離する場合もその範囲内に包含される。
【００６１】(4)製造法４ 化合物(I-f)またはその塩類は、化合物(I-e)またはその
塩類に低級アルカンイミドイル化剤を反応させることに
より製造することができる。化合物(I-e)および(I-f)の
好適な塩類としては、化合物(I)の塩類と同じものが挙
げられる。
塩類に低級アルカンイミドイル化剤を反応させることに
より製造することができる。化合物(I-e)および(I-f)の
好適な塩類としては、化合物(I)の塩類と同じものが挙
げられる。
【００６２】好適な低級アルカンイミドイル化剤として
は、前記低級アルカンイミドイル基を化合物(I-e)に導
入しうる常用のものが挙げられ、好ましい導剤としては
例えばホルムイミド酸メチル、ホルムイミド酸エチル、
アセトイミド酸メチル、アセトイミド酸エチル、プロピ
オンイミド酸エチル、ブチルイミド酸エチル、イソバレ
ルイミド酸エチル、ペンタンイミド酸エチル、ヘキサン
イミド酸エチル等の）低級アルカンイミド酸（低級）ア
ルキル、例えば塩化ホルムイミドイル、臭化ホルムイミ
ドイル、塩化アセトイミドイル、臭化アセトイミドイ
ル、塩化プロピオンイミドイル、塩化ブチルイミドイ
ル、塩化イソバレルイミドイル、塩化ペンタンイミドイ
ル、塩化ヘキサンイミドイル等のハロゲン化（低級）ア
ルカンイミドイル等またはそれらの酸付加塩が挙げられ
る。
は、前記低級アルカンイミドイル基を化合物(I-e)に導
入しうる常用のものが挙げられ、好ましい導剤としては
例えばホルムイミド酸メチル、ホルムイミド酸エチル、
アセトイミド酸メチル、アセトイミド酸エチル、プロピ
オンイミド酸エチル、ブチルイミド酸エチル、イソバレ
ルイミド酸エチル、ペンタンイミド酸エチル、ヘキサン
イミド酸エチル等の）低級アルカンイミド酸（低級）ア
ルキル、例えば塩化ホルムイミドイル、臭化ホルムイミ
ドイル、塩化アセトイミドイル、臭化アセトイミドイ
ル、塩化プロピオンイミドイル、塩化ブチルイミドイ
ル、塩化イソバレルイミドイル、塩化ペンタンイミドイ
ル、塩化ヘキサンイミドイル等のハロゲン化（低級）ア
ルカンイミドイル等またはそれらの酸付加塩が挙げられ
る。
【００６３】この反応は通常、テトラヒドロフラン、ジ
オキサン、水、メタノール、エタノール、例えば燐酸塩
緩衝液等の緩衝溶液等のような反応に悪影響を及ぼさな
い常用の溶媒中、またはそれらの混合物中で行われる。
この反応は製造法２の説明で挙げたような有機塩基また
は無機塩基の存在下に行うことができる。反応温度は特
に限定されないが、通常は冷却下ないし加温下に反応が
行われる。
オキサン、水、メタノール、エタノール、例えば燐酸塩
緩衝液等の緩衝溶液等のような反応に悪影響を及ぼさな
い常用の溶媒中、またはそれらの混合物中で行われる。
この反応は製造法２の説明で挙げたような有機塩基また
は無機塩基の存在下に行うことができる。反応温度は特
に限定されないが、通常は冷却下ないし加温下に反応が
行われる。
【００６４】(5)製造法５ 化合物(I-h)またはその塩類は、化合物(I-g)またはその
塩類に低級アルカンイミドイル化剤を反応させることに
より製造することができる。反応の説明は全て製造法４
で述べたことがそのまま適用される。新規原料化合物(I
I)またはその塩類の製造法を以下詳細に説明する。
塩類に低級アルカンイミドイル化剤を反応させることに
より製造することができる。反応の説明は全て製造法４
で述べたことがそのまま適用される。新規原料化合物(I
I)またはその塩類の製造法を以下詳細に説明する。
【００６５】(A)方法Ａ 化合物(V)またはその塩類は、化合物(III)を化合物(IV)
またはその塩類と反応させることにより製造することが
できる。化合物(IV)および(V)の好適な塩類としては、
化合物(I)の塩類と同じ酸付加塩が挙げられる。化合物
(IV)またはその塩類は、公知化合物から常法によって、
またはこの明細書の製造例に記載した方法によって製造
することができる。
またはその塩類と反応させることにより製造することが
できる。化合物(IV)および(V)の好適な塩類としては、
化合物(I)の塩類と同じ酸付加塩が挙げられる。化合物
(IV)またはその塩類は、公知化合物から常法によって、
またはこの明細書の製造例に記載した方法によって製造
することができる。
【００６６】この反応は、例えば水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、例えば水酸化
マグネシウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属
水酸化物、例えば水素化ナトリウム、水素化カリウム等
のアルカリ金属水素化物、例えば水素化カルシウム等の
アルカリ土類金属水素化物、例えばナトリウムメトキシ
ド、ナトリウムエトキシド、カリウム第三級ブトキシド
等のアルカリ金属アルコキシド、例えば炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、例えば炭酸
マグネシウム、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭
酸塩、例えば炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等
のアルカリ金属炭酸水素塩等のような塩基の存在下に行
うことができる。
酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、例えば水酸化
マグネシウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属
水酸化物、例えば水素化ナトリウム、水素化カリウム等
のアルカリ金属水素化物、例えば水素化カルシウム等の
アルカリ土類金属水素化物、例えばナトリウムメトキシ
ド、ナトリウムエトキシド、カリウム第三級ブトキシド
等のアルカリ金属アルコキシド、例えば炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、例えば炭酸
マグネシウム、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭
酸塩、例えば炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等
のアルカリ金属炭酸水素塩等のような塩基の存在下に行
うことができる。
【００６７】この反応はエノール化剤の存在下に行うの
が好ましい。好適なエノール化剤としてはトリハロ（低
級）アルカンスルホン酸トリ（低級）アルキルシリル、
好ましくは例えばトリフルオロメタンスルホン酸トリメ
チルシリル等のトリハロ(Ｃ1−Ｃ4）アルカンスルホン
酸トリ（Ｃ1−Ｃ4）アルキルシリル、ハロゲンを有して
いてもよい低級アルキルスルホン酸第一スズのようなス
ズ化合物、好ましくは例えばトリフルオロメタンスルホ
ン酸第一スズ等のポリハロ（Ｃ1−Ｃ4）アルキルスルホ
ン酸第一スズ等が挙げられる。
が好ましい。好適なエノール化剤としてはトリハロ（低
級）アルカンスルホン酸トリ（低級）アルキルシリル、
好ましくは例えばトリフルオロメタンスルホン酸トリメ
チルシリル等のトリハロ(Ｃ1−Ｃ4）アルカンスルホン
酸トリ（Ｃ1−Ｃ4）アルキルシリル、ハロゲンを有して
いてもよい低級アルキルスルホン酸第一スズのようなス
ズ化合物、好ましくは例えばトリフルオロメタンスルホ
ン酸第一スズ等のポリハロ（Ｃ1−Ｃ4）アルキルスルホ
ン酸第一スズ等が挙げられる。
【００６８】この反応は通常、水、ジクロロメタン、例
えばメタノール、エタノール等のアルコール、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、アセトン等のような反応に悪
影響を及ぼさない常用の溶媒中、またはそれらの混合物
中で行われる。液状の塩基も溶媒として使用することが
できる。反応温度は特に限定されないが、通常は冷却下
ないし加温下に反応が行われる。
えばメタノール、エタノール等のアルコール、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、アセトン等のような反応に悪
影響を及ぼさない常用の溶媒中、またはそれらの混合物
中で行われる。液状の塩基も溶媒として使用することが
できる。反応温度は特に限定されないが、通常は冷却下
ないし加温下に反応が行われる。
【００６９】(B)方法Ｂ 化合物(VII)またはその塩類は、化合物(V)またはその塩
類を化合物(VI)またはその反応性等価物と反応させるこ
とにより製造することができる。化合物(VII)の好適な
塩類としては、化合物(I)の塩類と同じものが挙げられ
る。化合物(V)の好適な例としては、前記エステル化さ
れたカルボキシ基を形成することができる。常用のカル
ボキシ保護基によって保護されていてもよいグリオキシ
ル酸が挙げられる。化合物(VI)の好適な反応性等価物と
してはその一水化物が挙げられる。
類を化合物(VI)またはその反応性等価物と反応させるこ
とにより製造することができる。化合物(VII)の好適な
塩類としては、化合物(I)の塩類と同じものが挙げられ
る。化合物(V)の好適な例としては、前記エステル化さ
れたカルボキシ基を形成することができる。常用のカル
ボキシ保護基によって保護されていてもよいグリオキシ
ル酸が挙げられる。化合物(VI)の好適な反応性等価物と
してはその一水化物が挙げられる。
【００７０】この反応は反応中に生成する水の共沸除去
により行うのが好ましい。水の共沸除去は例えば共沸蒸
留等の常法によって行うことができる。この反応は通
常、水、ジクロロメタン、例えばメタノール、エタノー
ル等のアルコール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
アセトン、ベンゼン、トルエン、キレシン等のような反
応に悪影響を及ぼさない常用の溶媒中、またはそれらの
混合物中で行われる。反応温度は特に限定されないが、
通常は加温下ないし加熱下に反応が行われる。
により行うのが好ましい。水の共沸除去は例えば共沸蒸
留等の常法によって行うことができる。この反応は通
常、水、ジクロロメタン、例えばメタノール、エタノー
ル等のアルコール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
アセトン、ベンゼン、トルエン、キレシン等のような反
応に悪影響を及ぼさない常用の溶媒中、またはそれらの
混合物中で行われる。反応温度は特に限定されないが、
通常は加温下ないし加熱下に反応が行われる。
【００７１】(C)方法Ｃ 化合物(II)またはその塩類は、化合物(VII)またはヒド
ロキシ基におけるその反応性誘導体またはその塩類を化
合物(VIII)と反応させることにより製造することができ
る。化合物(VII)のヒドロキシ基における好適な反応性
誘導体としては、例えば塩化物、臭化物、沃化物等のハ
ロゲン化物、例えばメタンスルホン酸エステル、ベンゼ
ンスルホン酸エステル、トルエンスルホン酸エステル等
のスルホン酸エステル等が挙げられるが、それらの中で
さらに好ましいものはハロゲン化物である。化合物(VII
I)の好ましい例としては、トリフェニルホスフィン、例
えば亜燐酸トリエチル等の亜燐酸トリ（低級）アルキル
等が挙げられる。
ロキシ基におけるその反応性誘導体またはその塩類を化
合物(VIII)と反応させることにより製造することができ
る。化合物(VII)のヒドロキシ基における好適な反応性
誘導体としては、例えば塩化物、臭化物、沃化物等のハ
ロゲン化物、例えばメタンスルホン酸エステル、ベンゼ
ンスルホン酸エステル、トルエンスルホン酸エステル等
のスルホン酸エステル等が挙げられるが、それらの中で
さらに好ましいものはハロゲン化物である。化合物(VII
I)の好ましい例としては、トリフェニルホスフィン、例
えば亜燐酸トリエチル等の亜燐酸トリ（低級）アルキル
等が挙げられる。
【００７２】この反応は、例えば炭酸水素ナトリウム、
炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩、例えば
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸
塩、例えば炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム等のアル
カリ土類金属炭酸塩、例えばトリメチルアミン、トリエ
チルアミン、Ｎ,Ｎ−ジイソプロピル−Ｎ−エチルアミ
ン等のトリ（低級）アルキルアミン、例えばピリジン、
ピコリン、ルチジン、Ｎ,Ｎ−ジメチルアミノピリジン
のようなＮ,Ｎ−ジ（低級）アルキルアミノピリジン等
のピリジン化合物、キノリン、イミダゾール、例えばＮ
−メチルモルホリン等のＮ−低級アルキルモルホリン、
例えばＮ−エチルピペリジン等のＮ−低級アルキルピペ
リジン、例えばＮ,Ｎ−ジメチルベンジルアミン等のＮ,
Ｎ−ジ（低級）アルキルベンジルアミン等のような無機
塩基または有機塩基の存在下に行うことができる。
炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩、例えば
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸
塩、例えば炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム等のアル
カリ土類金属炭酸塩、例えばトリメチルアミン、トリエ
チルアミン、Ｎ,Ｎ−ジイソプロピル−Ｎ−エチルアミ
ン等のトリ（低級）アルキルアミン、例えばピリジン、
ピコリン、ルチジン、Ｎ,Ｎ−ジメチルアミノピリジン
のようなＮ,Ｎ−ジ（低級）アルキルアミノピリジン等
のピリジン化合物、キノリン、イミダゾール、例えばＮ
−メチルモルホリン等のＮ−低級アルキルモルホリン、
例えばＮ−エチルピペリジン等のＮ−低級アルキルピペ
リジン、例えばＮ,Ｎ−ジメチルベンジルアミン等のＮ,
Ｎ−ジ（低級）アルキルベンジルアミン等のような無機
塩基または有機塩基の存在下に行うことができる。
【００７３】この反応は通常、ジオキサン、アセトニト
リル、クロロホルム、ジクロロメタン、ヘキサメチルホ
スホルアミド、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、
酢酸エチル、ジメチルスルホキシド、Ｎ,Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ピリジン等のような反応に悪影響を及ぼ
さない常用の溶媒中、またはそれらの混合物中で行われ
る。この反応の反応温度は特に限定されないが、通常は
冷却下ないし加温下に反応が行われる。
リル、クロロホルム、ジクロロメタン、ヘキサメチルホ
スホルアミド、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、
酢酸エチル、ジメチルスルホキシド、Ｎ,Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ピリジン等のような反応に悪影響を及ぼ
さない常用の溶媒中、またはそれらの混合物中で行われ
る。この反応の反応温度は特に限定されないが、通常は
冷却下ないし加温下に反応が行われる。
【００７４】(D)方法Ｄ 化合物(VIIa)またはその塩類は、化合物(V)またはその
塩類を化合物(VIa)またはその塩類と反応させることに
より製造することができる。化合物(VIIa)の好適な塩類
としては、化合物(I)の塩類と同じものが挙げられる。
化合物(VIa)の好適な塩類としては、化合物(I)の塩類と
同じものが挙げられる。化合物(VIa)の好適な例として
は、カルボキシ基が前記のような常用のカルボキシ保護
基で保護されていてもよいハロゲン化オキサリルが挙げ
られる。
塩類を化合物(VIa)またはその塩類と反応させることに
より製造することができる。化合物(VIIa)の好適な塩類
としては、化合物(I)の塩類と同じものが挙げられる。
化合物(VIa)の好適な塩類としては、化合物(I)の塩類と
同じものが挙げられる。化合物(VIa)の好適な例として
は、カルボキシ基が前記のような常用のカルボキシ保護
基で保護されていてもよいハロゲン化オキサリルが挙げ
られる。
【００７５】この反応は方法Ｃで述べたような塩基の存
在下に行うことができる。この反応は通常、ジオキサ
ン、アセトニトリル、クロロホルム、ジクロロメタン、
ヘキサメチルホスホルアミド、ジクロロエタン、テトラ
ヒドロフラン、酢酸エチル、ジメチルスルホキシド、
Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、ピリジン等のような反
応に悪影響を及ぼさない常用の溶媒中、またはそれらの
混合物中で行われる。この反応の反応温度は特に限定さ
れないが、通常は冷却下ないし加温下に反応が行われ
る。
在下に行うことができる。この反応は通常、ジオキサ
ン、アセトニトリル、クロロホルム、ジクロロメタン、
ヘキサメチルホスホルアミド、ジクロロエタン、テトラ
ヒドロフラン、酢酸エチル、ジメチルスルホキシド、
Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、ピリジン等のような反
応に悪影響を及ぼさない常用の溶媒中、またはそれらの
混合物中で行われる。この反応の反応温度は特に限定さ
れないが、通常は冷却下ないし加温下に反応が行われ
る。
【００７６】(E)方法Ｅ 化合物(II)またはその塩類は、化合物(VIIa)またはその
塩類を化合物(VIII)と反応させることにより製造するこ
とができる。この反応は通常、ジオキサン、アセトニト
リル、クロロホルム、ジクロロメタン、ヘキサメチルホ
スホルアミド、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、
酢酸エチル、ジメチルスルホキシド、Ｎ,Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ピリジン、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン等のような反応に悪影響を及ぼさない慣用の溶媒中、
またはそれらの混合物中で行われる。
塩類を化合物(VIII)と反応させることにより製造するこ
とができる。この反応は通常、ジオキサン、アセトニト
リル、クロロホルム、ジクロロメタン、ヘキサメチルホ
スホルアミド、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、
酢酸エチル、ジメチルスルホキシド、Ｎ,Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ピリジン、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン等のような反応に悪影響を及ぼさない慣用の溶媒中、
またはそれらの混合物中で行われる。
【００７７】この反応の反応温度は特に限定されない
が、通常は加温下ないし加熱下に反応が行われる。製造
法１−４に従って得られる目的化合物は、例えば抽出、
沈殿、分別晶出、再結晶、クロマトグラフィー等の常法
によって単離、精製することができる。この発明の目的
化合物(I)および医薬として許容されるその塩類は新規
であり、強い抗菌作用を発揮してグラム陽性菌およびグ
ラム陰性菌を含む広汎な病原菌の生育を阻止し、さらに
またデヒドロペプチダーゼに対して非常に安定であり、
高い尿中排出を示し、従って種々の感染症治療に非常に
有効である。
が、通常は加温下ないし加熱下に反応が行われる。製造
法１−４に従って得られる目的化合物は、例えば抽出、
沈殿、分別晶出、再結晶、クロマトグラフィー等の常法
によって単離、精製することができる。この発明の目的
化合物(I)および医薬として許容されるその塩類は新規
であり、強い抗菌作用を発揮してグラム陽性菌およびグ
ラム陰性菌を含む広汎な病原菌の生育を阻止し、さらに
またデヒドロペプチダーゼに対して非常に安定であり、
高い尿中排出を示し、従って種々の感染症治療に非常に
有効である。
【００７８】ここに、目的化合物(I)の有用性を示すた
めに、この発明の目的化合物(I)の代表的化合物の抗菌
作用試験結果を以下に示す。イン・ビトロ抗菌作用 試験法 イン・ビトロ抗菌作用を下記寒天板倍々希釈法により測
定した。試験菌株をトリプトケース・ソイ・ブロス中一
夜培養してその１白金耳(生菌数106個／ml)を各濃度段
階の試験化合物を含むハート・インフュージュン寒天
（HI寒天）上に画線し、37℃、20時間インキュベート後
に最小阻止濃度（MIC）をμｇ／mlで表わした。試験化合物 （４Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−｛（２Ｓ，４Ｓ）−２−ジ
メチルアミノカルボニルピロリジン−４−イルオキシ｝
−６−｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−メチ
ル−７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプ
ト−２−エン−２−カルボン酸試験結果
めに、この発明の目的化合物(I)の代表的化合物の抗菌
作用試験結果を以下に示す。イン・ビトロ抗菌作用 試験法 イン・ビトロ抗菌作用を下記寒天板倍々希釈法により測
定した。試験菌株をトリプトケース・ソイ・ブロス中一
夜培養してその１白金耳(生菌数106個／ml)を各濃度段
階の試験化合物を含むハート・インフュージュン寒天
（HI寒天）上に画線し、37℃、20時間インキュベート後
に最小阻止濃度（MIC）をμｇ／mlで表わした。試験化合物 （４Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−｛（２Ｓ，４Ｓ）−２−ジ
メチルアミノカルボニルピロリジン−４−イルオキシ｝
−６−｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−メチ
ル−７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプ
ト−２−エン−２−カルボン酸試験結果
【００７９】
【表１】
【００８０】治療用として投与するために、この発明の
目的化合物( )および医薬として許容されるその塩類
は、経口投与、非経口投与および外用投与に適した有機
もしくは無機固体状もしくは液状賦形剤のような医薬と
して許容される担体と混合して、前記化合物を有効成分
として含有する医薬製剤の形で使用される。医薬製剤は
錠剤、顆粒、粉剤カプセルのような固体状であっても、
溶液、懸濁液、シロップ、エマルジョン、レモネード等
のような液状であってもよい。
目的化合物( )および医薬として許容されるその塩類
は、経口投与、非経口投与および外用投与に適した有機
もしくは無機固体状もしくは液状賦形剤のような医薬と
して許容される担体と混合して、前記化合物を有効成分
として含有する医薬製剤の形で使用される。医薬製剤は
錠剤、顆粒、粉剤カプセルのような固体状であっても、
溶液、懸濁液、シロップ、エマルジョン、レモネード等
のような液状であってもよい。
【００８１】必要に応じて上記製剤中に助剤、安定剤、
湿潤剤およびその他乳糖、ステアリン酸、ステアリン酸
マグネシウム、白土、しょ糖、コーンスターチ、タル
ク、ゼラチン、寒天、ペクチン、落花生油、オリーブ
油、カカオ脂、エチレングリコール、酒石酸、クエン
酸、フマル酸等のような通常使用される添加剤が含まれ
ていてもよい。
湿潤剤およびその他乳糖、ステアリン酸、ステアリン酸
マグネシウム、白土、しょ糖、コーンスターチ、タル
ク、ゼラチン、寒天、ペクチン、落花生油、オリーブ
油、カカオ脂、エチレングリコール、酒石酸、クエン
酸、フマル酸等のような通常使用される添加剤が含まれ
ていてもよい。
【００８２】化合物(I)の投与量は患者の年齢および状
態、疾患の種類、適用する化合物(I)の種類等によって
変化する。一般的には１日当り１mgと約4000mgとの間の
量もしくはそれ以上を患者に投与すればよい。この発明
の目的化合物(I)は、平均１回投与量約１mg、10mg、50m
g、100mg、250mg、500mg、1000mg、2000mgを病原菌感染
症治療に使用すればよい。以下製造例および実施例に従
ってこの発明をさらに詳細に説明する。
態、疾患の種類、適用する化合物(I)の種類等によって
変化する。一般的には１日当り１mgと約4000mgとの間の
量もしくはそれ以上を患者に投与すればよい。この発明
の目的化合物(I)は、平均１回投与量約１mg、10mg、50m
g、100mg、250mg、500mg、1000mg、2000mgを病原菌感染
症治療に使用すればよい。以下製造例および実施例に従
ってこの発明をさらに詳細に説明する。
【００８３】
製造例１−１ トルエン（１７５ml）にＮ−プロパノイルピペリジン
（４３．８ｇ）を溶解させた溶液に、炭酸ビス（トリク
ロロメチル）を滴下し、室温で２時間攪拌した。この混
合液に（２Ｓ，４Ｓ）−１−アリルオキシカルボニル−
２−ジメチルアミノカルボニル−４−ヒドロキシピロリ
ジン（７０．４ｇ）を加え、更に２時間攪拌を続けた。
反応液は２層に分かれ、上層を傾斜法により除去した。
油状の残留液にピリジン（６１．６ml）を滴下し、滴下
終了後、１時間に亘って硫化水素ガスを通じ、更にトル
エン（２００ml）を加えた。この液を水洗し、乾燥した
後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィ［展開液：酢酸エチル／ｎ−ヘキサンの混液
（１／２：ｖ／ｖ）］で精製すると、（２Ｓ，４Ｓ）−
１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカル
ボニル−４−エタンカルボチオイルオキシピロリジン
（５０．５ｇ）が得られた。
（４３．８ｇ）を溶解させた溶液に、炭酸ビス（トリク
ロロメチル）を滴下し、室温で２時間攪拌した。この混
合液に（２Ｓ，４Ｓ）−１−アリルオキシカルボニル−
２−ジメチルアミノカルボニル−４−ヒドロキシピロリ
ジン（７０．４ｇ）を加え、更に２時間攪拌を続けた。
反応液は２層に分かれ、上層を傾斜法により除去した。
油状の残留液にピリジン（６１．６ml）を滴下し、滴下
終了後、１時間に亘って硫化水素ガスを通じ、更にトル
エン（２００ml）を加えた。この液を水洗し、乾燥した
後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィ［展開液：酢酸エチル／ｎ−ヘキサンの混液
（１／２：ｖ／ｖ）］で精製すると、（２Ｓ，４Ｓ）−
１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカル
ボニル−４−エタンカルボチオイルオキシピロリジン
（５０．５ｇ）が得られた。
【００８４】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．１７
（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），２．０８〜２．１９
（１Ｈ，ｍ），２．６２〜２．８０（３Ｈ，ｍ），２．
９７（３Ｈ，ｓ），３．０７（３Ｈ，ｓ），３．７０〜
３．８２（１Ｈ，ｍ），２．０９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１
２ａｎｄ６．８Ｈｚ），４．５８〜４．６２，４．６２
〜４．８２（１Ｈ，ｍ），５．１５〜５．３６（２Ｈ，
ｍ），５．７３〜５．９５（２Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） １７０５，１６６０ ｃｍ-1
（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），２．０８〜２．１９
（１Ｈ，ｍ），２．６２〜２．８０（３Ｈ，ｍ），２．
９７（３Ｈ，ｓ），３．０７（３Ｈ，ｓ），３．７０〜
３．８２（１Ｈ，ｍ），２．０９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１
２ａｎｄ６．８Ｈｚ），４．５８〜４．６２，４．６２
〜４．８２（１Ｈ，ｍ），５．１５〜５．３６（２Ｈ，
ｍ），５．７３〜５．９５（２Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） １７０５，１６６０ ｃｍ-1
【００８５】製造例１−２ アセトニトリル（１５ml）に無水塩化亜鉛（１．３６
ｇ）を懸濁させた懸濁液に、トリエチルアミン（３．０
３ｇ）を加えた。１０分間攪拌した後、塩化第１銅
（０．４９５ｇ）を加え、更に（３Ｓ，４Ｓ）−４−ア
セトキシ−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチ
ルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジン
（１．５０ｇ）と（２Ｓ，４Ｓ）−１−アリルオキシカ
ルボニル−２−ジメチルアミノカルボニル−４−エタン
カルボチオイルオキシピロリジン（１．５７ｇ）をアセ
トニトリル（５ml）に加えてなる混合物を添加した。
ｇ）を懸濁させた懸濁液に、トリエチルアミン（３．０
３ｇ）を加えた。１０分間攪拌した後、塩化第１銅
（０．４９５ｇ）を加え、更に（３Ｓ，４Ｓ）−４−ア
セトキシ−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチ
ルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジン
（１．５０ｇ）と（２Ｓ，４Ｓ）−１−アリルオキシカ
ルボニル−２−ジメチルアミノカルボニル−４−エタン
カルボチオイルオキシピロリジン（１．５７ｇ）をアセ
トニトリル（５ml）に加えてなる混合物を添加した。
【００８６】反応混合物を３０分攪拌した後、これを酢
酸エチルと１Ｎ塩酸の混合液中に注いだ。有機層を分取
し、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した後、乾燥し
た。溶媒を減圧下に留去して得られる残渣を、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィ［展開液：酢酸エチル／ｎ−
ヘキサンの混液（２／１：ｖ／ｖ）］で精製すると（３
Ｓ，４Ｓ）−４−［（１Ｒ）−１−｛（２Ｓ，４Ｓ）−
（１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカ
ルボニルピロリジン−４−イルオキシ）チオカルボニ
ル｝エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジ
メチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジン
とその立体異性体の混合物（１．８８ｇ）が得られた。
この混合物５０ｇを採り、薄層クロマトグラフィ［展開
液：ジエチルエーテル／酢酸エチルの混液比（１０／
１：ｖ／ｖ）３回）］で精製すると、（３Ｓ，４Ｓ）−
４−［（１Ｒ）−１−｛（２Ｓ，４Ｓ）−（１−アリル
オキシカルボニル−２−ジメチルアミノカルボニルピロ
リジン−４−イルオキシ）チオカルボニル｝エチル］−
３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオ
キシ）エチル｝−２−オキソアゼチジン（２３mg）が得
られた。
酸エチルと１Ｎ塩酸の混合液中に注いだ。有機層を分取
し、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した後、乾燥し
た。溶媒を減圧下に留去して得られる残渣を、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィ［展開液：酢酸エチル／ｎ−
ヘキサンの混液（２／１：ｖ／ｖ）］で精製すると（３
Ｓ，４Ｓ）−４−［（１Ｒ）−１−｛（２Ｓ，４Ｓ）−
（１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカ
ルボニルピロリジン−４−イルオキシ）チオカルボニ
ル｝エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジ
メチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジン
とその立体異性体の混合物（１．８８ｇ）が得られた。
この混合物５０ｇを採り、薄層クロマトグラフィ［展開
液：ジエチルエーテル／酢酸エチルの混液比（１０／
１：ｖ／ｖ）３回）］で精製すると、（３Ｓ，４Ｓ）−
４−［（１Ｒ）−１−｛（２Ｓ，４Ｓ）−（１−アリル
オキシカルボニル−２−ジメチルアミノカルボニルピロ
リジン−４−イルオキシ）チオカルボニル｝エチル］−
３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオ
キシ）エチル｝−２−オキソアゼチジン（２３mg）が得
られた。
【００８７】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ０．０７
（６Ｈ，ｓ），０．８７（９Ｈ，ｓ），１．１８〜１．
２６（６Ｈ，ｍ），２．０６〜２．２２（１Ｈ，ｍ），
２．５３〜２．６８（１Ｈ，ｍ），３．０２（３Ｈ，
ｓ），３．０７（３Ｈ，ｓ），３．３１〜３．３６（１
Ｈ，ｍ）３．７６〜４．１４（５Ｈ，ｍ），４．４４〜
４．６４（２Ｈ，ｍ），４．７５〜４．８６（１Ｈ，
ｍ），５．１５〜５．３６（２Ｈ，ｍ）５．８９〜６．
０１（２Ｈ，ｍ），７．０８（１Ｈ，ｓ） ＩＲ（ｎｅａｔ） ３２５０，１７６０，１７１０，１
６４０ ｃｍ-1
（６Ｈ，ｓ），０．８７（９Ｈ，ｓ），１．１８〜１．
２６（６Ｈ，ｍ），２．０６〜２．２２（１Ｈ，ｍ），
２．５３〜２．６８（１Ｈ，ｍ），３．０２（３Ｈ，
ｓ），３．０７（３Ｈ，ｓ），３．３１〜３．３６（１
Ｈ，ｍ）３．７６〜４．１４（５Ｈ，ｍ），４．４４〜
４．６４（２Ｈ，ｍ），４．７５〜４．８６（１Ｈ，
ｍ），５．１５〜５．３６（２Ｈ，ｍ）５．８９〜６．
０１（２Ｈ，ｍ），７．０８（１Ｈ，ｓ） ＩＲ（ｎｅａｔ） ３２５０，１７６０，１７１０，１
６４０ ｃｍ-1
【００８８】製造例１−３ （３Ｓ，４Ｓ）−４−［（１Ｒ）−１−｛（２Ｓ，４
Ｓ）−（１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルア
ミノカルボニルピロリジン−４−イルオキシ）チオカル
ボニル｝エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチ
ルジメチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチ
ジンとその立体異性体の混合物（２７．６ｇ）をトルエ
ン（２７６ml）に加えた溶液に、２，２−ジヒドロキシ
酢酸アリル（１１．５ｇ）を加えた。反応混合物を共沸
条件下に２時間加熱還流した。次いで反応液を減圧濃縮
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ［展開
液：酢酸エチル／ｎ−ヘキサンの混液（２／１：ｖ／
ｖ）］で精製すると、アリル＝［（３Ｓ，４Ｓ）−４−
［（１Ｒ）−１−｛（２Ｓ，４Ｓ）−（１−アリルオキ
シカルボニル−２−ジメチルアミノカルボニルピロリジ
ン−４−イルオキシ）チオカルボニル｝エチル］−３−
｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル｝−２−オキソアゼチジン−１−イル］グリ
コレート（１１．８ｇ）が得られた。
Ｓ）−（１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルア
ミノカルボニルピロリジン−４−イルオキシ）チオカル
ボニル｝エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチ
ルジメチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチ
ジンとその立体異性体の混合物（２７．６ｇ）をトルエ
ン（２７６ml）に加えた溶液に、２，２−ジヒドロキシ
酢酸アリル（１１．５ｇ）を加えた。反応混合物を共沸
条件下に２時間加熱還流した。次いで反応液を減圧濃縮
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ［展開
液：酢酸エチル／ｎ−ヘキサンの混液（２／１：ｖ／
ｖ）］で精製すると、アリル＝［（３Ｓ，４Ｓ）−４−
［（１Ｒ）−１−｛（２Ｓ，４Ｓ）−（１−アリルオキ
シカルボニル−２−ジメチルアミノカルボニルピロリジ
ン−４−イルオキシ）チオカルボニル｝エチル］−３−
｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル｝−２−オキソアゼチジン−１−イル］グリ
コレート（１１．８ｇ）が得られた。
【００８９】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ０．０７
（６Ｈ，ｓ），０．０８６ ａｎｄ０．０８７（９Ｈ，
ｅａｃｈ ｓ），１．２１（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ),
１．２８（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ），１．２１〜１．２
３（１Ｈ，ｍ），２．６０〜２．７５（１Ｈ，ｍ），
３．０３ ａｎｄ ３．０８（６Ｈ，ｅａｃｈ ｓ），
３．２０〜３．３５ ａｎｄ ３．５５〜３．７０（１
Ｈ，ｅａｃｈ ｍ），３．９５〜４．２０（４Ｈ，
ｍ），４．５９〜４．７９（６Ｈ，ｍ），５．１９〜
５．６０（５Ｈ，ｍ）５．８６〜６．０１（３Ｈ，ｍ）
（６Ｈ，ｓ），０．０８６ ａｎｄ０．０８７（９Ｈ，
ｅａｃｈ ｓ），１．２１（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ),
１．２８（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ），１．２１〜１．２
３（１Ｈ，ｍ），２．６０〜２．７５（１Ｈ，ｍ），
３．０３ ａｎｄ ３．０８（６Ｈ，ｅａｃｈ ｓ），
３．２０〜３．３５ ａｎｄ ３．５５〜３．７０（１
Ｈ，ｅａｃｈ ｍ），３．９５〜４．２０（４Ｈ，
ｍ），４．５９〜４．７９（６Ｈ，ｍ），５．１９〜
５．６０（５Ｈ，ｍ）５．８６〜６．０１（３Ｈ，ｍ）
【００９０】製造例１−４ アリル＝［（３Ｓ，４Ｓ）−４−［（１Ｒ）−１−
｛（２Ｓ，４Ｓ）−（１−アリルオキシカルボニル−２
−ジメチルアミノカルボニルピロリジン−４−イルオキ
シ）チオカルボニル｝エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−
（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル｝−２−
オキソアゼチジン−１−イル］グリコレート（１３０m
g）と２，６−ルチジン（６４．８mg）の酢酸エチル
（１ml）溶液を０℃に冷却し、これに塩化チオニル（３
１．６mg）を加えた。得られた混合物を０℃で１５分攪
拌した。生成した沈殿を濾去し、濾液にトリフェニルホ
スフィン（２７６mg）、次いで沃化ナトリウム（１００
mg）を夫々加えた。１５分間攪拌した後、混合物を濾過
し、濾液を炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄して乾燥し
た。減圧濃縮して得られた残渣を薄層クロマトグラフィ
［展開液：酢酸エチル／ｎ−ヘキサンの混液（４／１：
ｖ／ｖ）］で精製すると、（３Ｓ，４Ｓ）−４−［（１
Ｒ）−１−｛（２Ｓ，４Ｓ）−（１−アリルオキシカル
ボニル−２−ジメチルアミノカルボニルピロリジン−４
−イルオキシ）チオカルボニル｝エチル］−１−｛１−
（アリルオキシカルボニル）トリフェニルホスホラニリ
デンメチル｝−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジ
メチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジン
（１２７mg）が得られた。 ＩＲ（ｎｕｊｏｌ） １７４０，１７１０，１６６０
ｃｍ-1
｛（２Ｓ，４Ｓ）−（１−アリルオキシカルボニル−２
−ジメチルアミノカルボニルピロリジン−４−イルオキ
シ）チオカルボニル｝エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−
（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル｝−２−
オキソアゼチジン−１−イル］グリコレート（１３０m
g）と２，６−ルチジン（６４．８mg）の酢酸エチル
（１ml）溶液を０℃に冷却し、これに塩化チオニル（３
１．６mg）を加えた。得られた混合物を０℃で１５分攪
拌した。生成した沈殿を濾去し、濾液にトリフェニルホ
スフィン（２７６mg）、次いで沃化ナトリウム（１００
mg）を夫々加えた。１５分間攪拌した後、混合物を濾過
し、濾液を炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄して乾燥し
た。減圧濃縮して得られた残渣を薄層クロマトグラフィ
［展開液：酢酸エチル／ｎ−ヘキサンの混液（４／１：
ｖ／ｖ）］で精製すると、（３Ｓ，４Ｓ）−４−［（１
Ｒ）−１−｛（２Ｓ，４Ｓ）−（１−アリルオキシカル
ボニル−２−ジメチルアミノカルボニルピロリジン−４
−イルオキシ）チオカルボニル｝エチル］−１−｛１−
（アリルオキシカルボニル）トリフェニルホスホラニリ
デンメチル｝−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジ
メチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジン
（１２７mg）が得られた。 ＩＲ（ｎｕｊｏｌ） １７４０，１７１０，１６６０
ｃｍ-1
【００９１】製造例２−１ トルエン（１４０ml）にＮ−プロパノイルピペリジン
（３４ｇ）を溶解させた溶液に、炭酸ビス（トリクロロ
メチル）を滴下し、室温で３．５時間攪拌した。この混
合液に（２Ｓ，４Ｓ）−１−アリルオキシカルボニル−
２−（２−フルオロエトキシメチル）−４−ヒドロキシ
ピロリジン（６０ｇ）を加え、更に３時間攪拌を続け
た。反応混合物を０℃に冷却した後、ピリジン（５０m
l）を滴下し、滴下終了後、更に１５分攪拌した。反応
終了後室温で硫化水素ガスを２時間に亙って通じた。こ
の液を水の中に注ぎ、トルエンで抽出した後乾燥した。
溶媒を減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィ［展開液：酢酸エチル／ｎ−ヘキサンの混液
（１／９：ｖ／ｖ）］で精製すると、（２Ｓ，４Ｓ）−
１−アリルオキシカルボニル−２−（２−フルオロエト
キシメチル）−４−チオプロパノイルオキシピロリジン
（３６．９６ｇ）が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．２８（３Ｈ，ｔ，Ｊ
＝７．５Ｈｚ），２．３１〜２．４７（２Ｈ，ｍ），
２．６９（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．５Ｈｚ） ＩＲ（ｎｅａｔ） １７０３ ｃｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ ３２０．１（Ｍ+1）
（３４ｇ）を溶解させた溶液に、炭酸ビス（トリクロロ
メチル）を滴下し、室温で３．５時間攪拌した。この混
合液に（２Ｓ，４Ｓ）−１−アリルオキシカルボニル−
２−（２−フルオロエトキシメチル）−４−ヒドロキシ
ピロリジン（６０ｇ）を加え、更に３時間攪拌を続け
た。反応混合物を０℃に冷却した後、ピリジン（５０m
l）を滴下し、滴下終了後、更に１５分攪拌した。反応
終了後室温で硫化水素ガスを２時間に亙って通じた。こ
の液を水の中に注ぎ、トルエンで抽出した後乾燥した。
溶媒を減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィ［展開液：酢酸エチル／ｎ−ヘキサンの混液
（１／９：ｖ／ｖ）］で精製すると、（２Ｓ，４Ｓ）−
１−アリルオキシカルボニル−２−（２−フルオロエト
キシメチル）−４−チオプロパノイルオキシピロリジン
（３６．９６ｇ）が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．２８（３Ｈ，ｔ，Ｊ
＝７．５Ｈｚ），２．３１〜２．４７（２Ｈ，ｍ），
２．６９（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．５Ｈｚ） ＩＲ（ｎｅａｔ） １７０３ ｃｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ ３２０．１（Ｍ+1）
【００９２】製造例２−２ アセトニトリル（５００ml）に無水塩化亜鉛（１５．８
ｇ）を懸濁させた懸濁液に、トリエチルアミン（４８ｍ
ｌ）を加えた。０℃で４０分間攪拌した後、（２Ｓ，４
Ｓ）−１−アリルオキシカルボニル−２−（２−フルオ
ロエトキシメチル）−４−チオプロパノイルオキシピロ
リジン（３７．０ｇ）と（３Ｓ，４Ｒ）−４−アセトキ
シ−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリ
ルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジン（３３．３
ｇ）を加え、更に５分後に塩化第１銅（１１．５ｇ）を
加えた。反応混合物を０℃で１時間攪拌した後、これを
塩化メチレンと１Ｎ塩酸の混合液中に注いだ。有機層を
分取し、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した後、乾燥
した。溶媒を減圧下に留去して得られる残渣を、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィ［展開液：酢酸エチル／ｎ
−ヘキサンの混液（１／２：ｖ／ｖ）］で精製すると、
（３Ｓ，４Ｓ）−４−［１−｛（（２Ｓ，４Ｓ）−１−
アリルオキシカルボニル−２−（２−フルオロエトキシ
メチル）ピロリジン−４−イルオキシ）チオカルボニ
ル｝エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジ
メチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジン
がジアステレオ異性体の１：１（１Ｒ：１Ｓ）混合物と
して得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ （異性体ａ） ２．９８（１Ｈ，ｍ），３．０９
（１Ｈ，ｍ） （異性体ｂ） ２．７８（１Ｈ，ｍ），２．８７
（１Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） １７６１，１７０５ ｃｍ-1
ｇ）を懸濁させた懸濁液に、トリエチルアミン（４８ｍ
ｌ）を加えた。０℃で４０分間攪拌した後、（２Ｓ，４
Ｓ）−１−アリルオキシカルボニル−２−（２−フルオ
ロエトキシメチル）−４−チオプロパノイルオキシピロ
リジン（３７．０ｇ）と（３Ｓ，４Ｒ）−４−アセトキ
シ−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリ
ルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジン（３３．３
ｇ）を加え、更に５分後に塩化第１銅（１１．５ｇ）を
加えた。反応混合物を０℃で１時間攪拌した後、これを
塩化メチレンと１Ｎ塩酸の混合液中に注いだ。有機層を
分取し、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した後、乾燥
した。溶媒を減圧下に留去して得られる残渣を、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィ［展開液：酢酸エチル／ｎ
−ヘキサンの混液（１／２：ｖ／ｖ）］で精製すると、
（３Ｓ，４Ｓ）−４−［１−｛（（２Ｓ，４Ｓ）−１−
アリルオキシカルボニル−２−（２−フルオロエトキシ
メチル）ピロリジン−４−イルオキシ）チオカルボニ
ル｝エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジ
メチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジン
がジアステレオ異性体の１：１（１Ｒ：１Ｓ）混合物と
して得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ （異性体ａ） ２．９８（１Ｈ，ｍ），３．０９
（１Ｈ，ｍ） （異性体ｂ） ２．７８（１Ｈ，ｍ），２．８７
（１Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） １７６１，１７０５ ｃｍ-1
【００９３】製造例２−３ （３Ｓ，４Ｓ）−４−［１−｛（（２Ｓ，４Ｓ）−１−
アリルオキシカルボニル−２−（２−フルオロエトキシ
メチル）ピロリジン−４−イルオキシ）チオカルボニ
ル｝エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジ
メチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジン
のジアステレオ異性体の１：１（１Ｒ：１Ｓ）混合物
（１６．８７ｇ）をトルエン（３４０ml）に加えた溶液
に、２，２−ジヒドロキシ酢酸アリル１水和物（６．１
ｇ）を加えた。反応混合物を６．５時間加熱還流した。
次いで反応液を減圧濃縮すると、油状のアリル＝［（３
Ｓ，４Ｓ）−４−［１−｛（（２Ｓ，４Ｓ）−（１−ア
リルオキシカルボニル−２−（２−フルオロエトキシメ
チル）ピロリジン−４−イルオキシ）チオカルボニル｝
エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチ
ルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジン−１
−イル］グリコレート（１９．６１ｇ）がジアステレオ
異性体の混合物として得られた。 ＩＲ（ｎｅａｔ）異性体ａ ３１００〜３６００，１７
４０，１７００ｃｍ-1 異性体ｂ ３１００〜３６００，１７５０，１７００ｃ
ｍ-1
アリルオキシカルボニル−２−（２−フルオロエトキシ
メチル）ピロリジン−４−イルオキシ）チオカルボニ
ル｝エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジ
メチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジン
のジアステレオ異性体の１：１（１Ｒ：１Ｓ）混合物
（１６．８７ｇ）をトルエン（３４０ml）に加えた溶液
に、２，２−ジヒドロキシ酢酸アリル１水和物（６．１
ｇ）を加えた。反応混合物を６．５時間加熱還流した。
次いで反応液を減圧濃縮すると、油状のアリル＝［（３
Ｓ，４Ｓ）−４−［１−｛（（２Ｓ，４Ｓ）−（１−ア
リルオキシカルボニル−２−（２−フルオロエトキシメ
チル）ピロリジン−４−イルオキシ）チオカルボニル｝
エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチ
ルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジン−１
−イル］グリコレート（１９．６１ｇ）がジアステレオ
異性体の混合物として得られた。 ＩＲ（ｎｅａｔ）異性体ａ ３１００〜３６００，１７
４０，１７００ｃｍ-1 異性体ｂ ３１００〜３６００，１７５０，１７００ｃ
ｍ-1
【００９４】製造例２−４ 製造例１−４と同様の反応を行うことによって、（３
Ｓ，４Ｓ）−４−［（１Ｒ）−１−｛（（２Ｓ，４Ｓ）
−（１−アリルオキシカルボニル−２−（２−フルオロ
エトキシメチル）ピロリジン−４−イルオキシ）チオカ
ルボニル｝エチル］−１−｛１−（アリルオキシカルボ
ニル）トリフェニルホスホラニリデンメチル｝−３−
｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル｝−２−オキソアゼチジンが得られた。 ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） １７３５，１６９５，１６１０
ｃｍ-1
Ｓ，４Ｓ）−４−［（１Ｒ）−１−｛（（２Ｓ，４Ｓ）
−（１−アリルオキシカルボニル−２−（２−フルオロ
エトキシメチル）ピロリジン−４−イルオキシ）チオカ
ルボニル｝エチル］−１−｛１−（アリルオキシカルボ
ニル）トリフェニルホスホラニリデンメチル｝−３−
｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル｝−２−オキソアゼチジンが得られた。 ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） １７３５，１６９５，１６１０
ｃｍ-1
【００９５】製造例３−１ 製造例１−１と同様の反応を行うことによって、プロパ
ンチオカルボン酸Ｏ−｛２−（アリルオキシカルボニル
アミノ）エチル｝エステルが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．２７（３Ｈ，ｔ，Ｊ
＝７．４Ｈｚ），２．７１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．４Ｈ
ｚ），３．６１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝５．６Ｈｚ），４．４
９〜４．６０（４Ｈ，ｍ），４．９９（１Ｈ，ｂｒ，
ｓ），５．２０〜５．３７（２Ｈ，ｍ），５．８３〜
６．０３（１Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） １７００ ｃｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ ２１８．０（Ｍ+1）
ンチオカルボン酸Ｏ−｛２−（アリルオキシカルボニル
アミノ）エチル｝エステルが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．２７（３Ｈ，ｔ，Ｊ
＝７．４Ｈｚ），２．７１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．４Ｈ
ｚ），３．６１（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝５．６Ｈｚ），４．４
９〜４．６０（４Ｈ，ｍ），４．９９（１Ｈ，ｂｒ，
ｓ），５．２０〜５．３７（２Ｈ，ｍ），５．８３〜
６．０３（１Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） １７００ ｃｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ ２１８．０（Ｍ+1）
【００９６】製造例３−２ 製造例１−２と同様の反応を行うことによって、（３
Ｓ，４Ｓ）−［１−｛（２−（アリルオキシカルボニル
アミノ）エチルオキシ）チオカルボニル｝エチル］−３
−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル｝−２−オキソアゼチジンの立体異性体混合
物（１Ｒ：１Ｓ＝２：１）が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ Ｒ異性体 ２．９５（１Ｈ，ｍ），６．４９（１Ｈ，ｂ
ｒ ｓ） ＩＲ（ｎｅａｔ） ＦＡＢ−ＭＳ ４４５．２（Ｍ+1）
Ｓ，４Ｓ）−［１−｛（２−（アリルオキシカルボニル
アミノ）エチルオキシ）チオカルボニル｝エチル］−３
−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル｝−２−オキソアゼチジンの立体異性体混合
物（１Ｒ：１Ｓ＝２：１）が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ Ｒ異性体 ２．９５（１Ｈ，ｍ），６．４９（１Ｈ，ｂ
ｒ ｓ） ＩＲ（ｎｅａｔ） ＦＡＢ−ＭＳ ４４５．２（Ｍ+1）
【００９７】製造例３−３ 製造例１−３と同様の反応を行うことによって、アリル
＝［（３Ｓ，４Ｓ）−４−［１−｛（２−（アリルオキ
シカルボニルアミノ）エチルオキシ）チオカルボニル｝
エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチ
ルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジン−１
−イル］グリコレートの立体異性体混合物が得られた。 ＩＲ（ｎｅａｔ） ３２００〜３６００（ｂｒ），１７
４０ｃｍ-1
＝［（３Ｓ，４Ｓ）−４−［１−｛（２−（アリルオキ
シカルボニルアミノ）エチルオキシ）チオカルボニル｝
エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチ
ルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジン−１
−イル］グリコレートの立体異性体混合物が得られた。 ＩＲ（ｎｅａｔ） ３２００〜３６００（ｂｒ），１７
４０ｃｍ-1
【００９８】製造例３−４ 製造例１−４と同様の反応を行うことによって、（３
Ｓ，４Ｓ）−４−［（１Ｒ）−１−｛（２−（アリルオ
キシカルボニルアミノ）エチルオキシ）チオカルボニ
ル｝エチル］−１−｛１−（アリルオキシカルボニル）
トリフェニルホスホラニリデンメチル｝−３−｛（１
Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチ
ル｝−２−オキソアゼチジンが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ５．８３〜５．９９（２
Ｈ，ｍ），７．４７〜７．７４（１５Ｈ，ｍ） ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） １７３５，１６２０ｃｍ-1
Ｓ，４Ｓ）−４−［（１Ｒ）−１−｛（２−（アリルオ
キシカルボニルアミノ）エチルオキシ）チオカルボニ
ル｝エチル］−１−｛１−（アリルオキシカルボニル）
トリフェニルホスホラニリデンメチル｝−３−｛（１
Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチ
ル｝−２−オキソアゼチジンが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ５．８３〜５．９９（２
Ｈ，ｍ），７．４７〜７．７４（１５Ｈ，ｍ） ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） １７３５，１６２０ｃｍ-1
【００９９】製造例４−１ 製造例１−２と同様の反応を行うことによって、（３
Ｓ，４Ｓ）−４−［１−｛（エチルオキシ）チオカルボ
ニル｝エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチル
ジメチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジ
ンが立体異性体の混合物として得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．３１（３Ｈ，ｔ，Ｊ
＝７．１），２．９０（１Ｈ，ｍ），３．０３（１Ｈ，
ｍ），３．８２（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．３ ａｎｄ
２．２），４．１２（１Ｈ，ｍ），４．４４（２Ｈ，
ｑ，Ｊ＝７．１），ＩＲ（ｎｅａｔ） １７５５ｃｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ ３４６（Ｍ+1）
Ｓ，４Ｓ）−４−［１−｛（エチルオキシ）チオカルボ
ニル｝エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチル
ジメチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジ
ンが立体異性体の混合物として得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．３１（３Ｈ，ｔ，Ｊ
＝７．１），２．９０（１Ｈ，ｍ），３．０３（１Ｈ，
ｍ），３．８２（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．３ ａｎｄ
２．２），４．１２（１Ｈ，ｍ），４．４４（２Ｈ，
ｑ，Ｊ＝７．１），ＩＲ（ｎｅａｔ） １７５５ｃｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ ３４６（Ｍ+1）
【０１００】製造例４−２ 製造例１−３と同様の反応を行うことによって、アリル
＝［（３Ｓ，４Ｓ）−４−［１−｛（エチルオキシ）チ
オカルボニル｝エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３
級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソ
アゼチジン−１−イル］グリコレートの立体異性体混合
物が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ５．９４（１Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） ３１００〜３６００（ｂｒ），１７
５０ｃｍ-1
＝［（３Ｓ，４Ｓ）−４−［１−｛（エチルオキシ）チ
オカルボニル｝エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３
級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソ
アゼチジン−１−イル］グリコレートの立体異性体混合
物が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ５．９４（１Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） ３１００〜３６００（ｂｒ），１７
５０ｃｍ-1
【０１０１】製造例４−３ 製造例１−４と同様の反応を行うことによって、（３
Ｓ，４Ｓ）−１−｛１−（アリルオキシカルボニル）ト
リフェニルホスホラニリデンメチル｝−４−［１−
｛（エチルオキシ）チオカルボニル｝エチル］−３−
｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル｝−２−オキソアゼチジンが得られた。 1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．３４（３Ｈ，ｔ，Ｊ
＝７．０） ５．８６〜６．０２（１Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｕｊｏｌ） １７５０ｃｍ-1
Ｓ，４Ｓ）−１−｛１−（アリルオキシカルボニル）ト
リフェニルホスホラニリデンメチル｝−４−［１−
｛（エチルオキシ）チオカルボニル｝エチル］−３−
｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル｝−２−オキソアゼチジンが得られた。 1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．３４（３Ｈ，ｔ，Ｊ
＝７．０） ５．８６〜６．０２（１Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｕｊｏｌ） １７５０ｃｍ-1
【０１０２】製造例５−１ テトラヒドロフラン（２５０ml）と水（２５０ml）の混
液中に１，３−ジアミノ−２−プロパノール（２５．０
ｇ）を溶解させた溶液に、水冷攪拌下クロル炭酸アリル
（６５ml）のテトラヒドロフラン（６５ml）溶液を加え
た。この間４Ｎ水酸化ナトリウム水溶液でｐＨ８．５〜
９．５に維持した。３０分間攪拌し反応が終了した後、
酢酸エチル（２５０ml）で抽出した。有機層を食塩水で
洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に溶媒
を留去すると、１，３−ビス（アリルオキシカルボニル
アミノ）−２−プロパノールがシロップ状で得られた
（７１．２６ｇ）。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ３．２７（４Ｈ，ｔ，Ｊ
＝５．２Ｈｚ），３．５８（１Ｈ，ｂｒ ｓ），３．８
０（１Ｈ，ｍ），４．５６（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．６Ｈ
ｚ），５．１８〜５．３６（４Ｈ，ｍ），５．５９（２
Ｈ，ｂｒ ｓ），５．８０〜６．０１（２Ｈ，ｍ） ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） ３４３０−３３５０，１７１０−
１６９５cm-1
液中に１，３−ジアミノ−２−プロパノール（２５．０
ｇ）を溶解させた溶液に、水冷攪拌下クロル炭酸アリル
（６５ml）のテトラヒドロフラン（６５ml）溶液を加え
た。この間４Ｎ水酸化ナトリウム水溶液でｐＨ８．５〜
９．５に維持した。３０分間攪拌し反応が終了した後、
酢酸エチル（２５０ml）で抽出した。有機層を食塩水で
洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に溶媒
を留去すると、１，３−ビス（アリルオキシカルボニル
アミノ）−２−プロパノールがシロップ状で得られた
（７１．２６ｇ）。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ３．２７（４Ｈ，ｔ，Ｊ
＝５．２Ｈｚ），３．５８（１Ｈ，ｂｒ ｓ），３．８
０（１Ｈ，ｍ），４．５６（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．６Ｈ
ｚ），５．１８〜５．３６（４Ｈ，ｍ），５．５９（２
Ｈ，ｂｒ ｓ），５．８０〜６．０１（２Ｈ，ｍ） ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） ３４３０−３３５０，１７１０−
１６９５cm-1
【０１０３】製造例５−２ 製造例１−１と同様の反応を行うことによって、プロパ
ンチオカルボン酸Ｏ−｛１，３−ビス（アリルオキシカ
ルボニルアミノ）−２−プロピル｝エステルが得られ
た。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．２４（３Ｈ，ｔ，Ｊ
＝７．５Ｈｚ），２．６８（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．５Ｈ
ｚ），３．５１（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．０Ｈｚ），４．５
７（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ），５．１９〜５．４１
（６Ｈ，ｍ），５．６０（１Ｈ，ｍ），５．８〜６．０
２（２Ｈ，ｍ） ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） １７１０ｃｍ-1 ＥＩ−ＭＳ ３３１（Ｍ+1），２９７，２８３，２４０
ンチオカルボン酸Ｏ−｛１，３−ビス（アリルオキシカ
ルボニルアミノ）−２−プロピル｝エステルが得られ
た。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．２４（３Ｈ，ｔ，Ｊ
＝７．５Ｈｚ），２．６８（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．５Ｈ
ｚ），３．５１（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．０Ｈｚ），４．５
７（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ），５．１９〜５．４１
（６Ｈ，ｍ），５．６０（１Ｈ，ｍ），５．８〜６．０
２（２Ｈ，ｍ） ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） １７１０ｃｍ-1 ＥＩ−ＭＳ ３３１（Ｍ+1），２９７，２８３，２４０
【０１０４】製造例５−３ 製造例１−２と同様の反応を行うことによって、（３
Ｓ，４Ｓ）−４−［［１−｛１，３−ビス（アリルオキ
シカルボニルアミノ）−２−プロピルオキシ｝チオカル
ボニル］エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチ
ルジメチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチ
ジンの立体異性体混合物が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ異性体Ａ ６．６８（１
Ｈ，ｂｒ ｓ） 異性体Ｂ ６．９２（１Ｈ，ｂｒ ｓ） ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） ３３１０，１７５０−１７０５ｃ
ｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ ５５８（Ｍ+1），３１８，２９７
Ｓ，４Ｓ）−４−［［１−｛１，３−ビス（アリルオキ
シカルボニルアミノ）−２−プロピルオキシ｝チオカル
ボニル］エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチ
ルジメチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチ
ジンの立体異性体混合物が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ異性体Ａ ６．６８（１
Ｈ，ｂｒ ｓ） 異性体Ｂ ６．９２（１Ｈ，ｂｒ ｓ） ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） ３３１０，１７５０−１７０５ｃ
ｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ ５５８（Ｍ+1），３１８，２９７
【０１０５】製造例５−４ 製造例１−３と同様の反応を行うことによって、次の立
体異性体が得られた。 異性体Ａ （３Ｓ，４Ｓ）−４−［（１Ｒ）−１−［｛１，３−ビ
ス（アリルオキシカルボニルアミノ）−２−プロポキ
シ｝チオカルボニル］エチル］−１−（１−アリルオキ
シカルボニ−１−ヒドロキシ）メチル−３−｛（１Ｒ）
−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル｝
−２−オキソアゼチジンの立体異性体混合物 異性体Ｂ （３Ｓ，４Ｓ）−４−［（１Ｓ）−１−［｛１，３−ビ
ス（アリルオキシカルボニルアミノ）−２−プロポキ
シ｝チオカルボニル］エチル］−１−（１−アリルオキ
シカルボニル−１−ヒドロキシ）メチル−３−｛（１
Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチ
ル｝−２−オキソアゼチジンの立体異性体混合物
体異性体が得られた。 異性体Ａ （３Ｓ，４Ｓ）−４−［（１Ｒ）−１−［｛１，３−ビ
ス（アリルオキシカルボニルアミノ）−２−プロポキ
シ｝チオカルボニル］エチル］−１−（１−アリルオキ
シカルボニ−１−ヒドロキシ）メチル−３−｛（１Ｒ）
−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル｝
−２−オキソアゼチジンの立体異性体混合物 異性体Ｂ （３Ｓ，４Ｓ）−４−［（１Ｓ）−１−［｛１，３−ビ
ス（アリルオキシカルボニルアミノ）−２−プロポキ
シ｝チオカルボニル］エチル］−１−（１−アリルオキ
シカルボニル−１−ヒドロキシ）メチル−３−｛（１
Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチ
ル｝−２−オキソアゼチジンの立体異性体混合物
【０１０６】異性体Ａ1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ０．０５〜０．１１（６
Ｈ，ｍ），０．８５〜０．８７（９Ｈ，ｍ），１．２２
〜１．３５（６Ｈ，ｍ） ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） ３３４０，１７５０〜１７０５ｃ
ｍ-1 異性体Ｂ1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ０．０７〜０．１０（６
Ｈ，ｍ），０．８７〜０．９０（９Ｈ，ｍ），１．２１
〜１．３０（６Ｈ，ｍ） ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ）；３３５０，１７５０−１７０５ｃ
ｍ-1
Ｈ，ｍ），０．８５〜０．８７（９Ｈ，ｍ），１．２２
〜１．３５（６Ｈ，ｍ） ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） ３３４０，１７５０〜１７０５ｃ
ｍ-1 異性体Ｂ1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ０．０７〜０．１０（６
Ｈ，ｍ），０．８７〜０．９０（９Ｈ，ｍ），１．２１
〜１．３０（６Ｈ，ｍ） ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ）；３３５０，１７５０−１７０５ｃ
ｍ-1
【０１０７】製造例５−５ 製造例１−４と同様の反応を行うことによって、（３
Ｓ，４Ｓ）−１−｛１−（アリルオキシカルボニル）ト
リフェニルホスホラニリデンメチル｝−４−［（１Ｒ）
−１−［｛１，３−ビス（アリルオキシカルボニルアミ
ノ）−２−プロポキシ｝チオカルボニル］エチル］−３
−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル｝−２−オキソアゼチジンが得られた。 ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ），１７３５−１７１０ｃｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ；９１６（Ｍ+ ），８５８，８３０，７１
２，６７６，６１８
Ｓ，４Ｓ）−１−｛１−（アリルオキシカルボニル）ト
リフェニルホスホラニリデンメチル｝−４−［（１Ｒ）
−１−［｛１，３−ビス（アリルオキシカルボニルアミ
ノ）−２−プロポキシ｝チオカルボニル］エチル］−３
−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル｝−２−オキソアゼチジンが得られた。 ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ），１７３５−１７１０ｃｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ；９１６（Ｍ+ ），８５８，８３０，７１
２，６７６，６１８
【０１０８】製造例６−１ 製造例１−１と同様の反応を行うことによって、１−ア
リルオキシカルボニル−３−エタンカルボチオイルアゼ
チジンが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．２７（３Ｈ，ｔ，Ｊ
＝８Ｈｚ），２．７３（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝８Ｈｚ），４．
００〜４．０９（２Ｈ，ｍ），４．３３〜４．４２（２
Ｈ，ｍ）４．５５〜４．６２（２Ｈ，ｍ），５．１９〜
５．４９（２Ｈ，ｍ），５．４０〜５．５５（１Ｈ，
ｍ），５．８５〜５．９９（１Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） １７１０ｃｍ-1
リルオキシカルボニル−３−エタンカルボチオイルアゼ
チジンが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．２７（３Ｈ，ｔ，Ｊ
＝８Ｈｚ），２．７３（２Ｈ，ｑ，Ｊ＝８Ｈｚ），４．
００〜４．０９（２Ｈ，ｍ），４．３３〜４．４２（２
Ｈ，ｍ）４．５５〜４．６２（２Ｈ，ｍ），５．１９〜
５．４９（２Ｈ，ｍ），５．４０〜５．５５（１Ｈ，
ｍ），５．８５〜５．９９（１Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） １７１０ｃｍ-1
【０１０９】製造例６−２ 製造例１−２と同様の反応を行うことによって、（３
Ｓ，４Ｓ）−４−［（１Ｒ）−１−｛（１−アリルオキ
シカルボニルアゼチジン−３−イルオキシ）チオカルボ
ニル｝エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチル
ジメチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジ
ンが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ０．０６（６Ｈ，ｓ），
０．８８（９Ｈ，ｓ),１．１７（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６Ｈ
ｚ），１．３０（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ），２．９４〜
２．９６（１Ｈ，ｍ），３．１０〜３．１６（１Ｈ，
ｍ），３．８９〜３．９２（１Ｈ，ｍ），３．９９〜
４．４４（５Ｈ，ｍ），４．５６〜４．５９（２Ｈ，
ｍ），５．１９〜５．３５（２Ｈ，ｍ），５．４９〜
５．５５（１Ｈ，ｍ），５．８１〜６．１２（１Ｈ，
ｍ），６．２０（１Ｈ，ｓ） ＩＲ（ｎｅａｔ） ３２５０，１７６０，１７１０ｃｍ
-1
Ｓ，４Ｓ）−４−［（１Ｒ）−１−｛（１−アリルオキ
シカルボニルアゼチジン−３−イルオキシ）チオカルボ
ニル｝エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチル
ジメチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソアゼチジ
ンが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ０．０６（６Ｈ，ｓ），
０．８８（９Ｈ，ｓ),１．１７（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６Ｈ
ｚ），１．３０（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ），２．９４〜
２．９６（１Ｈ，ｍ），３．１０〜３．１６（１Ｈ，
ｍ），３．８９〜３．９２（１Ｈ，ｍ），３．９９〜
４．４４（５Ｈ，ｍ），４．５６〜４．５９（２Ｈ，
ｍ），５．１９〜５．３５（２Ｈ，ｍ），５．４９〜
５．５５（１Ｈ，ｍ），５．８１〜６．１２（１Ｈ，
ｍ），６．２０（１Ｈ，ｓ） ＩＲ（ｎｅａｔ） ３２５０，１７６０，１７１０ｃｍ
-1
【０１１０】製造例６−３ 製造例１−３と同様の反応を行うことによって、アリル
＝［（３Ｓ，４Ｓ）−４−［（１Ｒ）−１−｛（１−ア
リルオキシカルボニルアゼチジン−３−イルオキシ）チ
オカルボニル｝エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３
級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソ
アゼチジン−１−イル］グリコレートの立体異性体混合
物が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ０．０８ ａｎｄ ０．
０９（６Ｈ，ｓ），０．８８（９Ｈ，ｓ），１．２２
ａｎｄ １．２４（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ），１．３５
ａｎｄ １．３６（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ），３．０
４ 〜３．０８（１Ｈ，ｍ），３．１４〜３．２０（１
Ｈ，ｍ),３．７４ ａｎｄ ３．９２（１Ｈ，ｂｒ
ｄ），３．７２〜４．３８（６Ｈ，ｍ），４．５５〜
４．７４（４Ｈ，ｍ），５．１９〜５．４２（６Ｈ，
ｍ），５．８５〜６．０８（２Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） ３３００，１７６５，１７５５，１
７４０，１７１０ｃｍ-1
＝［（３Ｓ，４Ｓ）−４−［（１Ｒ）−１−｛（１−ア
リルオキシカルボニルアゼチジン−３−イルオキシ）チ
オカルボニル｝エチル］−３−｛（１Ｒ）−１−（第３
級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル｝−２−オキソ
アゼチジン−１−イル］グリコレートの立体異性体混合
物が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ０．０８ ａｎｄ ０．
０９（６Ｈ，ｓ），０．８８（９Ｈ，ｓ），１．２２
ａｎｄ １．２４（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ），１．３５
ａｎｄ １．３６（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ），３．０
４ 〜３．０８（１Ｈ，ｍ），３．１４〜３．２０（１
Ｈ，ｍ),３．７４ ａｎｄ ３．９２（１Ｈ，ｂｒ
ｄ），３．７２〜４．３８（６Ｈ，ｍ），４．５５〜
４．７４（４Ｈ，ｍ），５．１９〜５．４２（６Ｈ，
ｍ），５．８５〜６．０８（２Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） ３３００，１７６５，１７５５，１
７４０，１７１０ｃｍ-1
【０１１１】製造例６−４ 製造例１−４と同様の反応を行うことによって、（３
Ｓ，４Ｓ）−４−［（１Ｒ）−１−｛（１−アリルオキ
シカルボニルアゼチジン−３−イルオキシ）チオカルボ
ニル｝エチル］−１−｛１−（アリルオキシカルボニ
ル）トリフェニルホスホラニリデンメチル｝−３−
｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル｝−２−オキソアゼチジンが得られた。 ＩＲ（ｎｅａｔ） ３４５０，１７４５，１７１０ｃｍ
-1
Ｓ，４Ｓ）−４−［（１Ｒ）−１−｛（１−アリルオキ
シカルボニルアゼチジン−３−イルオキシ）チオカルボ
ニル｝エチル］−１−｛１−（アリルオキシカルボニ
ル）トリフェニルホスホラニリデンメチル｝−３−
｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル｝−２−オキソアゼチジンが得られた。 ＩＲ（ｎｅａｔ） ３４５０，１７４５，１７１０ｃｍ
-1
【０１１２】実施例１−１ （３Ｓ，４Ｓ）−４−［（１Ｒ）−１−｛（２Ｓ，４
Ｓ）−（１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルア
ミノカルボニルピロリジン−４−イルオキシ）チオカル
ボニル｝エチル］−１−｛１−（アリルオキシカルボニ
ル）トリフェニルホスホラニリデンメチル｝−３−
｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル｝−２−オキソアゼチジン（１７５ｍｇ）の
メシチレン（３．５ｍｌ）溶液を加熱し４時間還流し
た。反応終了後溶媒を減圧下に留去し、薄層クロマトグ
ラフィで精製すると（展開液：酢酸エチル）、（４Ｒ，
５Ｓ，６Ｓ）−３−｛（２Ｓ，４Ｓ）−１−アリルオキ
シカルボニル−２−ジメチルアミノカルボニルピロリジ
ン−４−イルオキシ｝−６−｛（１Ｒ）−１−（第３級
ブチルジメチルシリルオキシ）エチル｝−４−メチル−
７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−
２−エン−２−カルボン酸アリル（５０ｍｇ）が得られ
た。
Ｓ）−（１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルア
ミノカルボニルピロリジン−４−イルオキシ）チオカル
ボニル｝エチル］−１−｛１−（アリルオキシカルボニ
ル）トリフェニルホスホラニリデンメチル｝−３−
｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキ
シ）エチル｝−２−オキソアゼチジン（１７５ｍｇ）の
メシチレン（３．５ｍｌ）溶液を加熱し４時間還流し
た。反応終了後溶媒を減圧下に留去し、薄層クロマトグ
ラフィで精製すると（展開液：酢酸エチル）、（４Ｒ，
５Ｓ，６Ｓ）−３−｛（２Ｓ，４Ｓ）−１−アリルオキ
シカルボニル−２−ジメチルアミノカルボニルピロリジ
ン−４−イルオキシ｝−６−｛（１Ｒ）−１−（第３級
ブチルジメチルシリルオキシ）エチル｝−４−メチル−
７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−
２−エン−２−カルボン酸アリル（５０ｍｇ）が得られ
た。
【０１１３】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ０．０７
（６Ｈ，ｓ），０．８７（９Ｈ，ｓ）１．２０（３Ｈ，
ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ），１．２４（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈ
ｚ），２．０５〜２．２７（１Ｈ，ｍ），２．５２〜
２．７５（１Ｈ，ｍ），２．９７（３Ｈ，ｓ），３．０
６（３Ｈ，ｓ），３．１５（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝６ ａｎ
ｄ ３Ｈｚ），３．６５〜３．７１（１Ｈ，ｍ），３．
８７（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝５Ｈｚ），３．９６（１Ｈ，ｄ
ｄ，Ｊ＝１０ ａｎｄ ３Ｈｚ），４．５９〜４．８０
（５Ｈ，ｍ），５．１８〜５．６０（５Ｈ，ｍ），５．
８７〜６．０２（２Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） １７６５，１７１０，１６６０ ｃ
ｍ-1
（６Ｈ，ｓ），０．８７（９Ｈ，ｓ）１．２０（３Ｈ，
ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ），１．２４（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈ
ｚ），２．０５〜２．２７（１Ｈ，ｍ），２．５２〜
２．７５（１Ｈ，ｍ），２．９７（３Ｈ，ｓ），３．０
６（３Ｈ，ｓ），３．１５（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝６ ａｎ
ｄ ３Ｈｚ），３．６５〜３．７１（１Ｈ，ｍ），３．
８７（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝５Ｈｚ），３．９６（１Ｈ，ｄ
ｄ，Ｊ＝１０ ａｎｄ ３Ｈｚ），４．５９〜４．８０
（５Ｈ，ｍ），５．１８〜５．６０（５Ｈ，ｍ），５．
８７〜６．０２（２Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） １７６５，１７１０，１６６０ ｃ
ｍ-1
【０１１４】実施例１−２ テトラブチルアンモニウムクロライド３水和物（２．９
８ｇ）と酢酸（１．１３ｇ）のテトラヒドロフラン
（９．４ｍｌ）混液中に、（４Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−
｛（２Ｓ，４Ｓ）−１−アリルオキシカルボニル−２−
ジメチルアミノカルボニルピロリジン−４−イルオキ
シ｝−６−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシ
リルオキシ）エチル｝−４−メチル−７−オキソ−１−
アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カ
ルボン酸アリル（１．９ｇ）を添加し、室温で１８時間
放置した。この液を酢酸エチル（１８ｍｌ）で希釈し、
食塩水で洗浄した後乾燥し、減圧下に溶媒を留去した。
残渣をシリカゲルのフラッシュクロマトグラフィ（展開
液：クロロホルム／メタノール：１００／５：容積比）
で精製すると、（４Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−｛（２Ｓ，
４Ｓ）−１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルア
ミノカルボニルピロリジン−４−イルオキシ｝−６−
｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−メチル−７
−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２
−エン−２−カルボン酸アリル（０．３０ｇ）が得られ
た。
８ｇ）と酢酸（１．１３ｇ）のテトラヒドロフラン
（９．４ｍｌ）混液中に、（４Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−
｛（２Ｓ，４Ｓ）−１−アリルオキシカルボニル−２−
ジメチルアミノカルボニルピロリジン−４−イルオキ
シ｝−６−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシ
リルオキシ）エチル｝−４−メチル−７−オキソ−１−
アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カ
ルボン酸アリル（１．９ｇ）を添加し、室温で１８時間
放置した。この液を酢酸エチル（１８ｍｌ）で希釈し、
食塩水で洗浄した後乾燥し、減圧下に溶媒を留去した。
残渣をシリカゲルのフラッシュクロマトグラフィ（展開
液：クロロホルム／メタノール：１００／５：容積比）
で精製すると、（４Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−｛（２Ｓ，
４Ｓ）−１−アリルオキシカルボニル−２−ジメチルア
ミノカルボニルピロリジン−４−イルオキシ｝−６−
｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−メチル−７
−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２
−エン−２−カルボン酸アリル（０．３０ｇ）が得られ
た。
【０１１５】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．２１
（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ），１．３４（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝
７Ｈｚ），２．０４〜２．２５（１Ｈ，ｍ），２．４５
〜２．７５（１Ｈ，ｍ），２．９７（３Ｈ，ｓ），３．
０２（３Ｈ，ｓ),２．１９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７ ａｎ
ｄ ３Ｈｚ），３．６９〜３．７５（１Ｈ，ｍ），３．
７５〜３．９９（１Ｈ，ｍ），４．０２（１Ｈ，ｄｄ，
Ｊ＝１０ ａｎｄ ３Ｈｚ），４．１７〜４．２５（１
Ｈ，ｍ），４．５６〜４．７５（５Ｈ，ｍ），５．１８
〜５．５０（５Ｈ，ｍ），５．８７〜６．０１（２Ｈ，
ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） ３４００，１７６０，１７００，１
６５０ ｃｍ-1
（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ），１．３４（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝
７Ｈｚ），２．０４〜２．２５（１Ｈ，ｍ），２．４５
〜２．７５（１Ｈ，ｍ），２．９７（３Ｈ，ｓ），３．
０２（３Ｈ，ｓ),２．１９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７ ａｎ
ｄ ３Ｈｚ），３．６９〜３．７５（１Ｈ，ｍ），３．
７５〜３．９９（１Ｈ，ｍ），４．０２（１Ｈ，ｄｄ，
Ｊ＝１０ ａｎｄ ３Ｈｚ），４．１７〜４．２５（１
Ｈ，ｍ），４．５６〜４．７５（５Ｈ，ｍ），５．１８
〜５．５０（５Ｈ，ｍ），５．８７〜６．０１（２Ｈ，
ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） ３４００，１７６０，１７００，１
６５０ ｃｍ-1
【０１１６】実施例１−３ （４Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−｛（２Ｓ，４Ｓ）−１−ア
リルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカルボニル
ピロリジン−４−イルオキシ｝−６−｛（１Ｒ）−１−
ヒドロキシエチル｝−４−メチル−７−オキソ−１−ア
ザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カル
ボン酸アリル（６０ｍｇ）をテトラヒドロフラン（０．
９ｍｌ）とエタノール（０．３ｍｌ）の混液に溶解し、
この溶液に、トリフェニルホスフィン（３．２ｇ），酢
酸（０．０２８ｍｌ），テトラキス（トリフェニルホス
フィン）パラジウム（７．１ｍｇ）およびトリ−ｎ−ブ
チル錫水和物（０．１３ｍｌ）を室温下に順次添加し
た。３０分間攪拌して得られた沈殿物を濾取し、テトラ
ヒドロフランとエタノールの混液（３／１：容積比）で
洗浄すると、（４Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−｛（２Ｓ，４
Ｓ）−２−ジメチルアミノカルボニルピロリジン−４−
イルオキシ｝−６−｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエチ
ル｝−４−メチル−７−オキソ−１−アザビシクロ
［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン酸（３
４．６ｇ）が得られた。
リルオキシカルボニル−２−ジメチルアミノカルボニル
ピロリジン−４−イルオキシ｝−６−｛（１Ｒ）−１−
ヒドロキシエチル｝−４−メチル−７−オキソ−１−ア
ザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カル
ボン酸アリル（６０ｍｇ）をテトラヒドロフラン（０．
９ｍｌ）とエタノール（０．３ｍｌ）の混液に溶解し、
この溶液に、トリフェニルホスフィン（３．２ｇ），酢
酸（０．０２８ｍｌ），テトラキス（トリフェニルホス
フィン）パラジウム（７．１ｍｇ）およびトリ−ｎ−ブ
チル錫水和物（０．１３ｍｌ）を室温下に順次添加し
た。３０分間攪拌して得られた沈殿物を濾取し、テトラ
ヒドロフランとエタノールの混液（３／１：容積比）で
洗浄すると、（４Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−｛（２Ｓ，４
Ｓ）−２−ジメチルアミノカルボニルピロリジン−４−
イルオキシ｝−６−｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエチ
ル｝−４−メチル−７−オキソ−１−アザビシクロ
［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン酸（３
４．６ｇ）が得られた。
【０１１７】1Ｈ−ＮＭＲ（Ｄ2 Ｏ）δ１．１３（３
Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ），１．２８（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈ
ｚ），２．３３（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１５ ａｎｄ５ｈ
ｚ），２．９３〜３．０１（１Ｈ，ｍ），３．０１（３
Ｈ，ｓ），３．０６（３Ｈ，ｓ），３．０６〜３．２１
（１Ｈ，ｍ），３．３７〜３．４５（２Ｈ，ｍ），３．
７１〜３．７７（２Ｈ，ｍ），４．０８（１Ｈ，ｄｄ，
Ｊ＝１０ ａｎｄ ３Ｈｚ），４．１０〜４．２７（１
Ｈ，ｍ），５．２０（１Ｈ，ｂｒ ｓ）． ＩＲ（ｎｕｊｏｌ） ３４００，１７３０，１６６０
ｃｍ-1
Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ），１．２８（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈ
ｚ），２．３３（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１５ ａｎｄ５ｈ
ｚ），２．９３〜３．０１（１Ｈ，ｍ），３．０１（３
Ｈ，ｓ），３．０６（３Ｈ，ｓ），３．０６〜３．２１
（１Ｈ，ｍ），３．３７〜３．４５（２Ｈ，ｍ），３．
７１〜３．７７（２Ｈ，ｍ），４．０８（１Ｈ，ｄｄ，
Ｊ＝１０ ａｎｄ ３Ｈｚ），４．１０〜４．２７（１
Ｈ，ｍ），５．２０（１Ｈ，ｂｒ ｓ）． ＩＲ（ｎｕｊｏｌ） ３４００，１７３０，１６６０
ｃｍ-1
【０１１８】実施例２−１ 実施例１−１と同様の反応を行うことによって、（４
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−｛（２Ｓ，４Ｓ）−１−アリル
オキシカルボニル−２−（２−フルオロエトキシメチ
ル）ピロリジン−４−イルオキシ｝−６−｛（１Ｒ）−
１−（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル｝−
４−メチル−７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．
０］ヘプト−２−エン−２−カルボン酸アリルが得られ
た。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ０．０８（６Ｈ，
ｓ），０．８８（９Ｈ，ｓ）ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） １７
７０，１７０６ ｃｍ-1
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−｛（２Ｓ，４Ｓ）−１−アリル
オキシカルボニル−２−（２−フルオロエトキシメチ
ル）ピロリジン−４−イルオキシ｝−６−｛（１Ｒ）−
１−（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル｝−
４−メチル−７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．
０］ヘプト−２−エン−２−カルボン酸アリルが得られ
た。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ０．０８（６Ｈ，
ｓ），０．８８（９Ｈ，ｓ）ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） １７
７０，１７０６ ｃｍ-1
【０１１９】実施例２−２ 実施例１−２と同様の反応を行うことによって、（４
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−｛（２Ｓ，４Ｓ）−１−アリル
オキシカルボニル−２−（２−フルオロエトキシメチ
ル）ピロリジン−４−イルオキシ｝−６−｛（１Ｒ）−
１−ヒドロキシエチル｝−４−メチル−７−オキソ−１
−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−
カルボン酸アリルが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．３６（３Ｈ，ｄ，Ｊ
＝６．３Ｈｚ）ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） ３１００〜３６０
０（ｂｒ），１７６５，１７１０，１６９０ ｃｍ-1
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−｛（２Ｓ，４Ｓ）−１−アリル
オキシカルボニル−２−（２−フルオロエトキシメチ
ル）ピロリジン−４−イルオキシ｝−６−｛（１Ｒ）−
１−ヒドロキシエチル｝−４−メチル−７−オキソ−１
−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−
カルボン酸アリルが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．３６（３Ｈ，ｄ，Ｊ
＝６．３Ｈｚ）ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） ３１００〜３６０
０（ｂｒ），１７６５，１７１０，１６９０ ｃｍ-1
【０１２０】実施例２−３ 実施例１−３と同様の反応を行うことによって、（４
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−｛（２Ｓ，４Ｓ）−２−（２−
フルオロエトキシメチル）ピロリジン−４−イルオキ
シ｝−６−｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−
メチル−７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］
ヘプト−２−エン−２−カルボン酸が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．１７（３Ｈ，ｄ，Ｊ
＝７．３Ｈｚ），１．３０（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．４Ｈ
ｚ），２．０５（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１５．０ ａｎｄ
５．１Ｈｚ），２．５２〜２．６７（１Ｈ，ｍ），３．
２８〜３．４２（３Ｈ，ｍ），３．６２（１Ｈ，ｄｄ，
Ｊ＝１３．１ ａｎｄ １．５Ｈｚ），３．７５〜３．
７９（１Ｈ，ｍ），３．７９〜４．００（３Ｈ，ｍ），
４．０８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝９．６ ａｎｄ ２．５Ｈ
ｚ），４．１６〜４．２８（１Ｈ，ｍ），４．５１〜
４．５５（１Ｈ，ｍ），５．０８〜５．１２（１Ｈ，
ｍ） ＩＲ（ｎｕｊｏｌ） ３１００−３６００，１７４５，
１６２５ｃｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ ３７３．２（Ｍ+1）
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−｛（２Ｓ，４Ｓ）−２−（２−
フルオロエトキシメチル）ピロリジン−４−イルオキ
シ｝−６−｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−
メチル−７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］
ヘプト−２−エン−２−カルボン酸が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．１７（３Ｈ，ｄ，Ｊ
＝７．３Ｈｚ），１．３０（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．４Ｈ
ｚ），２．０５（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１５．０ ａｎｄ
５．１Ｈｚ），２．５２〜２．６７（１Ｈ，ｍ），３．
２８〜３．４２（３Ｈ，ｍ），３．６２（１Ｈ，ｄｄ，
Ｊ＝１３．１ ａｎｄ １．５Ｈｚ），３．７５〜３．
７９（１Ｈ，ｍ），３．７９〜４．００（３Ｈ，ｍ），
４．０８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝９．６ ａｎｄ ２．５Ｈ
ｚ），４．１６〜４．２８（１Ｈ，ｍ），４．５１〜
４．５５（１Ｈ，ｍ），５．０８〜５．１２（１Ｈ，
ｍ） ＩＲ（ｎｕｊｏｌ） ３１００−３６００，１７４５，
１６２５ｃｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ ３７３．２（Ｍ+1）
【０１２１】実施例３−１ 実施例１−１と同様の反応を行うことによって、（４
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−（２−アリルオキシカルボニル
アミノエトキシ）−６−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチ
ルジメチルシリルオキシ）エチル｝−４−メチル−７−
オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−
エン−２−カルボン酸アリルが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．１２（３Ｈ，ｄ，Ｊ
＝７．３Ｈｚ），１．１８（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．１Ｈ
ｚ），２．９８〜３．１２（２Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） １７７０，１７１０ｃｍ-1
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−（２−アリルオキシカルボニル
アミノエトキシ）−６−｛（１Ｒ）−１−（第３級ブチ
ルジメチルシリルオキシ）エチル｝−４−メチル−７−
オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−
エン−２−カルボン酸アリルが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．１２（３Ｈ，ｄ，Ｊ
＝７．３Ｈｚ），１．１８（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．１Ｈ
ｚ），２．９８〜３．１２（２Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） １７７０，１７１０ｃｍ-1
【０１２２】実施例３−２ 実施例１−２と同様の反応を行うことによって、（４
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−（２−（アリルオキシカルボニ
ルアミノ）エトキシ）−６−｛（１Ｒ）−１−ヒドロキ
シエチル｝−４−メチル−７−オキソ−１−アザビシク
ロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン酸ア
リルが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．２２（３Ｈ，ｄ，Ｊ
＝７．３Ｈｚ），１．３５（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．３Ｈ
ｚ），３．１５〜３．２４（２Ｈ，ｍ），３．５１（２
Ｈ，ｑ，Ｊ＝５．２Ｈｚ），４．００〜４．１２（２
Ｈ，ｍ），４．２０〜４．３１（２Ｈ，ｍ）４．６９
（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ），４．７０〜４．８２
（２Ｈ，ｍ），５．１９〜５．４８（４Ｈ，ｍ），５．
８１〜６．０３（２Ｈ，ｍ） ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） ３１００〜３６００（ｂｒ），１
７６５，１７１０ｃｍ-1
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−（２−（アリルオキシカルボニ
ルアミノ）エトキシ）−６−｛（１Ｒ）−１−ヒドロキ
シエチル｝−４−メチル−７−オキソ−１−アザビシク
ロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン酸ア
リルが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．２２（３Ｈ，ｄ，Ｊ
＝７．３Ｈｚ），１．３５（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．３Ｈ
ｚ），３．１５〜３．２４（２Ｈ，ｍ），３．５１（２
Ｈ，ｑ，Ｊ＝５．２Ｈｚ），４．００〜４．１２（２
Ｈ，ｍ），４．２０〜４．３１（２Ｈ，ｍ）４．６９
（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ），４．７０〜４．８２
（２Ｈ，ｍ），５．１９〜５．４８（４Ｈ，ｍ），５．
８１〜６．０３（２Ｈ，ｍ） ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） ３１００〜３６００（ｂｒ），１
７６５，１７１０ｃｍ-1
【０１２３】実施例３−３ 実施例１−３と同様の反応を行うことによって、（４
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−（２−アミノエトキシ）−６−
｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−メチル−７
−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２
−エン−２−カルボン酸が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（Ｄ2 Ｏ）δ１．１８（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝
７．２Ｈｚ），１．２９（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．３Ｈ
ｚ），３．２８〜３．４１（４Ｈ，ｍ），４．０８（１
Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝９．４ ａｎｄ ２．４Ｈｚ），４．１
８〜４．２８（２Ｈ，ｍ），４．４３〜４．４５（１
Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｕｊｏｌ） １７５０ｃｍ-1
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−（２−アミノエトキシ）−６−
｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−メチル−７
−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２
−エン−２−カルボン酸が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（Ｄ2 Ｏ）δ１．１８（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝
７．２Ｈｚ），１．２９（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．３Ｈ
ｚ），３．２８〜３．４１（４Ｈ，ｍ），４．０８（１
Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝９．４ ａｎｄ ２．４Ｈｚ），４．１
８〜４．２８（２Ｈ，ｍ），４．４３〜４．４５（１
Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｕｊｏｌ） １７５０ｃｍ-1
【０１２４】実施例３−４ （４Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−（２−アミノエトキシ）−
６−｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−メチル
−７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト
−２−エン−２−カルボン酸（４００ｍｇ）の水（８ｍ
ｌ）溶液に氷冷攪拌下エチルホルムイミド塩酸塩（４９
２ｍｇ）を加えた。この間１０％炭酸カリウム水溶液を
添加してｐＨ８．５−９．５に調整した。反応混合物を
減圧下に５ｍｌまで濃縮した。残渣を非イオン性吸着樹
脂ダイヤイオンＨＰ−２０（商標、三菱化成工業製）
（４０ｍｌ）のカラムクロマトグラフィに展開し、水
（８０ｍｌ），次いでアセトニトリル／水の混液で溶出
した。目的物質を含む分画を集め、減圧濃縮の後凍結乾
燥すると、（５Ｓ，６Ｓ）−３−｛２−（Ｎ−ホルムイ
ミドイルアミノ）エトキシ）−６−｛（１Ｒ）−１−ヒ
ドロキシエチル｝−４−メチル−７−オキソ−１−アザ
ビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボ
ン酸（２１８ｇ）が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（Ｄ2 Ｏ）δ１．１３〜１．２２（３Ｈ，
ｍ），１．３０（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ），３．２
９〜３．４０（２Ｈ，ｍ），３．６０〜３．７５（２
Ｈ，ｍ），７．８０〜７．９２（１Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｕｊｏｌ） １７００−１７６０ｃｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ ２９８．２（Ｍ+1）
６−｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−メチル
−７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト
−２−エン−２−カルボン酸（４００ｍｇ）の水（８ｍ
ｌ）溶液に氷冷攪拌下エチルホルムイミド塩酸塩（４９
２ｍｇ）を加えた。この間１０％炭酸カリウム水溶液を
添加してｐＨ８．５−９．５に調整した。反応混合物を
減圧下に５ｍｌまで濃縮した。残渣を非イオン性吸着樹
脂ダイヤイオンＨＰ−２０（商標、三菱化成工業製）
（４０ｍｌ）のカラムクロマトグラフィに展開し、水
（８０ｍｌ），次いでアセトニトリル／水の混液で溶出
した。目的物質を含む分画を集め、減圧濃縮の後凍結乾
燥すると、（５Ｓ，６Ｓ）−３−｛２−（Ｎ−ホルムイ
ミドイルアミノ）エトキシ）−６−｛（１Ｒ）−１−ヒ
ドロキシエチル｝−４−メチル−７−オキソ−１−アザ
ビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボ
ン酸（２１８ｇ）が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（Ｄ2 Ｏ）δ１．１３〜１．２２（３Ｈ，
ｍ），１．３０（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ），３．２
９〜３．４０（２Ｈ，ｍ），３．６０〜３．７５（２
Ｈ，ｍ），７．８０〜７．９２（１Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｕｊｏｌ） １７００−１７６０ｃｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ ２９８．２（Ｍ+1）
【０１２５】実施例４−１ 実施例１−１と同様の反応を行うことによって、（５
Ｓ，６Ｓ）−３−エトキシ−６−｛（１Ｒ）−１−（第
３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル｝−４−メチ
ル−７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプ
ト−２−エン−２−カルボン酸アリルの立体異性体混合
物が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ０．０７（６Ｈ，ｓ），
０．８８（９Ｈ，ｓ），１．２０（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．
４Ｈｚ），１．２７（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．２Ｈｚ），
１．３５（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ） ＩＲ（ｎｅａｔ） １７１０，１７６５ｃｍ-1
Ｓ，６Ｓ）−３−エトキシ−６−｛（１Ｒ）−１−（第
３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル｝−４−メチ
ル−７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプ
ト−２−エン−２−カルボン酸アリルの立体異性体混合
物が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ０．０７（６Ｈ，ｓ），
０．８８（９Ｈ，ｓ），１．２０（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．
４Ｈｚ），１．２７（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．２Ｈｚ），
１．３５（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ） ＩＲ（ｎｅａｔ） １７１０，１７６５ｃｍ-1
【０１２６】実施例４−２ 実施例１−２と同様の反応を行うことによって、（５
Ｓ，６Ｓ）−３−エトキシ−６−｛（１Ｒ）−１−ヒド
ロキシエチル｝−４−メチル−７−オキソ−１−アザビ
シクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン
酸アリルの立体異性体混合物が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ３．１８（１Ｈ，ｍ），
５．８８〜６．０４（１Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） ３４５０（ｂｒ），１７５０，１７
１０ｃｍ-1
Ｓ，６Ｓ）−３−エトキシ−６−｛（１Ｒ）−１−ヒド
ロキシエチル｝−４−メチル−７−オキソ−１−アザビ
シクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン
酸アリルの立体異性体混合物が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ３．１８（１Ｈ，ｍ），
５．８８〜６．０４（１Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） ３４５０（ｂｒ），１７５０，１７
１０ｃｍ-1
【０１２７】実施例４−３ 実施例１−３と同様の反応を行うことによって、（５
Ｓ，６Ｓ）−３−エトキシ−６−｛（１Ｒ）−１−ヒド
ロキシエチル｝−４−メチル−７−オキソ−１−アザビ
シクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン
酸ナトリウム塩の立体異性体混合物が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（Ｄ2 Ｏ）δ３．２５〜３．４０（１Ｈ，
ｍ） ＩＲ（ＥｔＯＨ） １７３５ｃｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ ３１２（Ｍ＋２Ｎａ−Ｈ）+ ，２９
５（Ｍ＋Ｎａ）+
Ｓ，６Ｓ）−３−エトキシ−６−｛（１Ｒ）−１−ヒド
ロキシエチル｝−４−メチル−７−オキソ−１−アザビ
シクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン
酸ナトリウム塩の立体異性体混合物が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（Ｄ2 Ｏ）δ３．２５〜３．４０（１Ｈ，
ｍ） ＩＲ（ＥｔＯＨ） １７３５ｃｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ ３１２（Ｍ＋２Ｎａ−Ｈ）+ ，２９
５（Ｍ＋Ｎａ）+
【０１２８】実施例５−１ 実施例１−１と同様の反応を行うことによって、（４
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−｛１，３−ビス（アリルオキシ
カルボニルアミノ）−２−プロポキシ｝−６−｛（１
Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチ
ル｝−４−メチル−７−オキソ−１−アザビシクロ
［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン酸アリ
ルが得られた。 ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） １７７０−１７００ ｃｍ-1
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−｛１，３−ビス（アリルオキシ
カルボニルアミノ）−２−プロポキシ｝−６−｛（１
Ｒ）−１−（第３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチ
ル｝−４−メチル−７−オキソ−１−アザビシクロ
［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン酸アリ
ルが得られた。 ＩＲ（ＣＨＣｌ3 ） １７７０−１７００ ｃｍ-1
【０１２９】実施例５−２ 実施例１−２と同様の反応を行うことによって、（４
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−｛１，３−ビス（アリルオキシ
カルボニルアミノ）−２−プロポキシ｝−６−｛（１
Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−メチル−７−オキ
ソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン
−２−カルボン酸アリルが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．２１（３Ｈ，ｄ，Ｊ
＝７．２Ｈｚ），１．３５（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．３Ｈ
ｚ）， ＦＡＢ−ＭＳ；５０８（Ｍ+ ＋１），４５１，４２２，
３６４，２９７，２７９
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−｛１，３−ビス（アリルオキシ
カルボニルアミノ）−２−プロポキシ｝−６−｛（１
Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−メチル−７−オキ
ソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン
−２−カルボン酸アリルが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．２１（３Ｈ，ｄ，Ｊ
＝７．２Ｈｚ），１．３５（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．３Ｈ
ｚ）， ＦＡＢ−ＭＳ；５０８（Ｍ+ ＋１），４５１，４２２，
３６４，２９７，２７９
【０１３０】実施例５−３ （４Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−｛１，３−ビス（アリルオ
キシカルボニルアミノ）−２−プロポキシ｝−６−
｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−メチル−７
−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２
−エン−２−カルボン酸アリル（０．３３ｇ）、氷酢酸
（０．１９ｍｌ）およびトリフェニルホスフィン（３５
ｍｇ）をエタノール（１．３ｍｌ）とテトラヒドロフラ
ン８４．０ｍｌ）の混液に加えた溶液に、室温攪拌下窒
素気流中でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウム（２５ｍｇ）を添加した。反応混合物を同温度で
更に２時間攪拌すると沈殿物が析出した。析出物を濾取
し、酢酸エチルで洗浄した後減圧乾燥すると、（４Ｒ，
５Ｓ，６Ｓ）−３−（１，３−ジアミノ−２−プロポキ
シ）−６−｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−
メチル−７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］
ヘプト−２−エン−２−カルボン酸の酢酸塩（０．１１
ｇ）が粗製品として得られた。 ＩＲ（ＫＢｒ）；１７６０−１７２５ ｃｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ；３００（Ｍ+ ），２９４，２５６
キシカルボニルアミノ）−２−プロポキシ｝−６−
｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−メチル−７
−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２
−エン−２−カルボン酸アリル（０．３３ｇ）、氷酢酸
（０．１９ｍｌ）およびトリフェニルホスフィン（３５
ｍｇ）をエタノール（１．３ｍｌ）とテトラヒドロフラ
ン８４．０ｍｌ）の混液に加えた溶液に、室温攪拌下窒
素気流中でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウム（２５ｍｇ）を添加した。反応混合物を同温度で
更に２時間攪拌すると沈殿物が析出した。析出物を濾取
し、酢酸エチルで洗浄した後減圧乾燥すると、（４Ｒ，
５Ｓ，６Ｓ）−３−（１，３−ジアミノ−２−プロポキ
シ）−６−｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−
メチル−７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］
ヘプト−２−エン−２−カルボン酸の酢酸塩（０．１１
ｇ）が粗製品として得られた。 ＩＲ（ＫＢｒ）；１７６０−１７２５ ｃｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ；３００（Ｍ+ ），２９４，２５６
【０１３１】実施例５−４ テトラヒドロフラン（１ｍｌ）と水（４ｍｌ）の混液
に、（４Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−（１，３−ジアミノ−
２−プロポキシ）−６−｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエ
チル｝−４−メチル−７−オキソ−１−アザビシクロ
［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン酸の酢
酸塩（９０ｍｇ）を溶解し、この溶液にホルムイミドエ
チル（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ−ＣＨ＝ＮＨ）の塩酸塩（１１０ｍ
ｇ）を氷冷攪拌下に添加した。この間炭酸カリウム水溶
液でｐＨ８．５−９．０に調整した。３０分攪拌した
後、酢酸エチル（５ｍｌ）で２回洗浄した。水層を採
り、減圧下に有機溶媒を留去した。残った液を非イオン
性吸着樹脂ダイヤイオンＨＰ−２０（商標、三菱化成工
業製）（１０ｍｌ）のカラムクロマトグラフィに展開
し、水で溶出した。目的物質を含む分画を集めて凍結乾
燥すると、吸湿性の（４Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−６−｛（１
Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−メチル−３−
｛１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン−５−イ
ル｝オキシ−７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．
０］ヘプト−２−エン−２−カルボン酸（１８ｍｇ）が
得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（Ｄ2 Ｏ）δ１．１８（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝
７．３Ｈｚ），１．３０（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．４Ｈ
ｚ），７．９９（１Ｈ，ｓ）， ＩＲ（ＫＢｒ） １７５０−１７２５ ｃｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ；３１０（Ｍ+ ＋１），２８３，
に、（４Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−（１，３−ジアミノ−
２−プロポキシ）−６−｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエ
チル｝−４−メチル−７−オキソ−１−アザビシクロ
［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン酸の酢
酸塩（９０ｍｇ）を溶解し、この溶液にホルムイミドエ
チル（Ｃ2 Ｈ5 Ｏ−ＣＨ＝ＮＨ）の塩酸塩（１１０ｍ
ｇ）を氷冷攪拌下に添加した。この間炭酸カリウム水溶
液でｐＨ８．５−９．０に調整した。３０分攪拌した
後、酢酸エチル（５ｍｌ）で２回洗浄した。水層を採
り、減圧下に有機溶媒を留去した。残った液を非イオン
性吸着樹脂ダイヤイオンＨＰ−２０（商標、三菱化成工
業製）（１０ｍｌ）のカラムクロマトグラフィに展開
し、水で溶出した。目的物質を含む分画を集めて凍結乾
燥すると、吸湿性の（４Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−６−｛（１
Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−メチル−３−
｛１，４，５，６−テトラヒドロピリミジン−５−イ
ル｝オキシ−７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．
０］ヘプト−２−エン−２−カルボン酸（１８ｍｇ）が
得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（Ｄ2 Ｏ）δ１．１８（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝
７．３Ｈｚ），１．３０（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．４Ｈ
ｚ），７．９９（１Ｈ，ｓ）， ＩＲ（ＫＢｒ） １７５０−１７２５ ｃｍ-1 ＦＡＢ−ＭＳ；３１０（Ｍ+ ＋１），２８３，
【０１３２】実施例６−１ 実施例１−１と同様の反応を行うことによって、（４
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−（アリルオキシカルボニルアゼ
チジン−３−イルオキシ｝−６−｛（１Ｒ）−１−（第
３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル｝−４−メチ
ル−７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプ
ト−２−エン−２−カルボン酸アリルが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ０．０３（６Ｈ，ｓ），
０．７８（９Ｈ，ｓ），１．１２（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈ
ｚ），１．２０（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ），２．９１
（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０ ａｎｄ ７Ｈｚ），３．０８
（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝６ ａｎｄ ３Ｈｚ），３．９２〜
３．９９（３Ｈ，ｍ），４．１４〜４．３０（３Ｈ，
ｍ），４．４７〜４．５１（２Ｈ，ｍ），４．５２〜
４．７５（２Ｈ，ｍ），５．１２〜５．４０（５Ｈ，
ｍ），５．７８〜５．９６（２Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） １７７０，１７１０ ｃｍ-1
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−（アリルオキシカルボニルアゼ
チジン−３−イルオキシ｝−６−｛（１Ｒ）−１−（第
３級ブチルジメチルシリルオキシ）エチル｝−４−メチ
ル−７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプ
ト−２−エン−２−カルボン酸アリルが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ０．０３（６Ｈ，ｓ），
０．７８（９Ｈ，ｓ），１．１２（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈ
ｚ），１．２０（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ），２．９１
（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１０ ａｎｄ ７Ｈｚ），３．０８
（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝６ ａｎｄ ３Ｈｚ），３．９２〜
３．９９（３Ｈ，ｍ），４．１４〜４．３０（３Ｈ，
ｍ），４．４７〜４．５１（２Ｈ，ｍ），４．５２〜
４．７５（２Ｈ，ｍ），５．１２〜５．４０（５Ｈ，
ｍ），５．７８〜５．９６（２Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） １７７０，１７１０ ｃｍ-1
【０１３３】実施例６−２ 実施例１−２と同様の反応を行うことによって、（４
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−（アリルオキシカルボニルアゼ
チジン−３−イルオキシ｝−６−｛（１Ｒ）−１−ヒド
ロキシエチル｝−４−メチル−７−オキソ−１−アザビ
シクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン
酸アリルが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．２１（３Ｈ，ｄ，Ｊ
＝７Ｈｚ），１．３５（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ），２．
９６〜３．１１（１Ｈ，ｍ），３．２０（１Ｈ，ｄｄ，
Ｊ＝７ ａｎｄ ３Ｈｚ），３．９８〜４．１１（３
Ｈ，ｍ），４．２４〜４．３６（３Ｈ，ｍ），４．５４
〜４．５８（２Ｈ，ｍ），４．５８〜４．８５（２Ｈ，
ｍ），５．１９〜５．４８（５Ｈ，ｍ），５．８５〜
６．０５（２Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） ３４５０，１７６５，１７１０ｃｍ
-1
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−（アリルオキシカルボニルアゼ
チジン−３−イルオキシ｝−６−｛（１Ｒ）−１−ヒド
ロキシエチル｝−４−メチル−７−オキソ−１−アザビ
シクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン
酸アリルが得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ１．２１（３Ｈ，ｄ，Ｊ
＝７Ｈｚ），１．３５（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ），２．
９６〜３．１１（１Ｈ，ｍ），３．２０（１Ｈ，ｄｄ，
Ｊ＝７ ａｎｄ ３Ｈｚ），３．９８〜４．１１（３
Ｈ，ｍ），４．２４〜４．３６（３Ｈ，ｍ），４．５４
〜４．５８（２Ｈ，ｍ），４．５８〜４．８５（２Ｈ，
ｍ），５．１９〜５．４８（５Ｈ，ｍ），５．８５〜
６．０５（２Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｅａｔ） ３４５０，１７６５，１７１０ｃｍ
-1
【０１３４】実施例６−３ 実施例１−３と同様の反応を行うことによって、（４
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−（アゼチジン−３−イルオキ
シ）−６−｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−
メチル−７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］
ヘプト−２−エン−２−カルボン酸が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（Ｄ2 Ｏ）δ１．１４（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７
Ｈｚ），１．２７（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ），３．１０
〜３．２１（１Ｈ，ｍ），３．３７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝
６ ａｎｄ ３Ｈｚ），４．０３〜４．５３（６Ｈ，
ｍ），５．０８〜５．２０（１Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｕｊｏｌ） ３３００，１７５０ｃｍ-1
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−３−（アゼチジン−３−イルオキ
シ）−６−｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエチル｝−４−
メチル−７−オキソ−１−アザビシクロ［３．２．０］
ヘプト−２−エン−２−カルボン酸が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（Ｄ2 Ｏ）δ１．１４（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７
Ｈｚ），１．２７（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ），３．１０
〜３．２１（１Ｈ，ｍ），３．３７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝
６ ａｎｄ ３Ｈｚ），４．０３〜４．５３（６Ｈ，
ｍ），５．０８〜５．２０（１Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｕｊｏｌ） ３３００，１７５０ｃｍ-1
【０１３５】実施例６−４ 実施例３−４と同様の反応を行うことによって、（４
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−６−｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエ
チル｝−４−メチル−３−｛２−（メチルチオアセトイ
ミドイル）アゼチジン−３−イルオキシ｝−７−オキソ
−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−
２−カルボン酸が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（Ｄ2 Ｏ）δ１．１７（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７
Ｈｚ），１．３０（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ），２．１９
（３Ｈ，ｓ），３．１８〜３．２５（１Ｈ，ｍ），３．
３７〜３．４１（１Ｈ，ｍ），３．４５〜３．４８（２
Ｈ，ｍ），４．０６〜４．７１（６Ｈ，ｍ），５．１８
〜５．３０（１Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｕｊｏｌ） ３２５０，１７５０，１６８０ｃ
ｍ-1
Ｒ，５Ｓ，６Ｓ）−６−｛（１Ｒ）−１−ヒドロキシエ
チル｝−４−メチル−３−｛２−（メチルチオアセトイ
ミドイル）アゼチジン−３−イルオキシ｝−７−オキソ
−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−
２−カルボン酸が得られた。1 Ｈ−ＮＭＲ（Ｄ2 Ｏ）δ１．１７（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７
Ｈｚ），１．３０（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ），２．１９
（３Ｈ，ｓ），３．１８〜３．２５（１Ｈ，ｍ），３．
３７〜３．４１（１Ｈ，ｍ），３．４５〜３．４８（２
Ｈ，ｍ），４．０６〜４．７１（６Ｈ，ｍ），５．１８
〜５．３０（１Ｈ，ｍ） ＩＲ（ｎｕｊｏｌ） ３２５０，１７５０，１６８０ｃ
ｍ-1
Claims (3)
- 【請求項１】1)式： 【化１】 ［式中、Ｒ1はカルボキシ基または保護されたカルボキ
シ基、Ｒ2はヒドロキシ（低級）アルキル基または保護
されたヒドロキシ（低級）アルキル基、Ｒ3は低級アル
キル基、Ｒ4は適当な置換基で置換されていてもよい低
級アルキル基または適当な置換基で置換されていてもよ
い複素環基を意味する］で示される化合物および医薬と
して許容されるその塩類。 - 【請求項２】(a)式： 【化２】 ［式中、Ｒ1はカルボキシ基または保護されたカルボキ
シ基、Ｒ2はヒドロキシ（低級）アルキル基または保護
されたヒドロキシ（低級）アルキル基、Ｒ3は低級アル
キル基、Ｒ4は適当な置換基で置換されていてもよい低
級アルキル基または適当な置換基で置換されていてもよ
い複素環基、Ｒ5はアリール基または低級アルコキシ基
を意味する］で示される化合物またはその塩類を環化し
て、式： 【化３】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4はそれぞれ前と同じ意
味）で示される化合物またはその塩を得るか；または
(b)式： 【化４】 （式中、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4はそれぞれ前と同じ意味で
あり、Ｒ1 aは保護されたカルボキシ基を意味する）で示
される化合物またはその塩類を、カルボキシ保護基の脱
離反応に付して、式： 【化５】 （式中、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4はそれぞれ前と同じ意味）
で示される化合物またはその塩類を得るか；または(c)
式： 【化６】 ［式中、Ｒ1、Ｒ3 およびＲ4はそれぞれ前と同じ意味
であり、Ｒ2 aは保護されたヒドロキシ（低級）アルキル
基を意味する］で示される化合物またはその塩類を、Ｒ
2 aのヒドロキシ保護基の脱離反応に付して、式： 【化７】 ［式中、Ｒ1、Ｒ3およびＲ4はそれぞれ前と同じ意味で
あり、Ｒ2 bはヒドロキシ（低級）アルキル基を意味す
る］で示される化合物またはその塩類を得るか；または
(d)式： 【化８】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ前と同じ意味、
Ｒ4 aは１級もしくは２級アミノ基を有する適当な置換基
で置換されている低級アルキル基または１級もしくは２
級アミノ基を有する適当な置換基で置換されているか置
換されていない２級アミノ基を環内に有する複素環基）
で示される化合物またはその塩類に低級アルカンイミド
イル化剤を反応させて、式： 【化９】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ前と同じ意味で
あり、Ｒ4 bは低級アルカンイミドイルイミノ基を有する
低級アルキル基または複素環基を意味する）で示される
化合物またはその塩類を得るか；または(e)式： 【化１０】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は前と同じ意味）で示され
る化合物またはその塩類に低級アルカンイミドイル化剤
を反応させて、式： 【化１１】 （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は前と同じ意味、Ｒ6は水素
または低級アルキル基を意味する）で示される化合物ま
たはその塩類を得ることを特徴とする、式： 【化１２】 （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3 およびＲ4はそれぞれ前と同じ
意味）で示される化合物またはその塩類の製造法。 - 【請求項３】式： 【化１３】 ［式中、Ｒ1はカルボキシ基または保護されたカルボキ
シ基、Ｒ2はヒドロキシ（低級）アルキル基または保護
されたヒドロキシ（低級）アルキル基、Ｒ3は低級アル
キル基、Ｒ4は適当な置換基で置換されていてもよい低
級アルキル基または適当な置換基で置換されていてもよ
い複素環基を意味する］で示される化合物および医薬と
して許容されるその塩類を有効成分として含有する抗菌
剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4267707A JPH06116268A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | ３−置換オキシ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン酸化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4267707A JPH06116268A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | ３−置換オキシ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン酸化合物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06116268A true JPH06116268A (ja) | 1994-04-26 |
Family
ID=17448432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4267707A Withdrawn JPH06116268A (ja) | 1992-10-06 | 1992-10-06 | ３−置換オキシ−１−アザビシクロ［３．２．０］ヘプト−２−エン−２−カルボン酸化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06116268A (ja) |
-
1992
- 1992-10-06 JP JP4267707A patent/JPH06116268A/ja not_active Withdrawn
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