JPH06112386A - Method of forming electronic part - Google Patents

Method of forming electronic part

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JPH06112386A
JPH06112386A JP4258413A JP25841392A JPH06112386A JP H06112386 A JPH06112386 A JP H06112386A JP 4258413 A JP4258413 A JP 4258413A JP 25841392 A JP25841392 A JP 25841392A JP H06112386 A JPH06112386 A JP H06112386A
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JP
Japan
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lead
solder
sealing body
end side
inner lead
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JP4258413A
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Japanese (ja)
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Toshinao Saito
敏直 斉藤
Hiromitsu Matsumoto
浩光 松本
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Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto

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Abstract

PURPOSE:To secure the wettability of the title electronic part to a solder during packaging step for decreasing defective markings in the marking step while shortening the assembling process time. CONSTITUTION:The title method of forming electronic part is composed of the four steps enumerated as follows, i.e., the first step of preparing the assembling parts such as a passive element 6, a sealing element 1, an inner lead 2A, etc., as well as preparing an outer lead 2B formed of a metallic plating layer 5 harder than solder and having the wettability to the solder on the circumferential surface independently of and in parallel with the former preparing step, the second step of junctioning one end side of the inner lead 2A with one end side of outer lead 2B, the third step of electrically connecting the passive element 6 to the other end side of the inner lead 2A to be sealed with a cylindrical sealing element 1 and the fourth step of marking on the circumferential surface of sealing element 1 being rotated. On the other hand, the metallic plating layer 5 is formed of an Ni film or a Cr film.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電子部品に関し、特
に、外部リードが接続された内部リードを封止体に挿入
し、この内部リード及び封止体で形成されるキャビティ
内に受動素子を封止する電子部品に適用して有効な技術
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic component, and more particularly, to inserting an internal lead to which an external lead is connected into a sealing body and placing a passive element in a cavity formed by the internal lead and the sealing body. The present invention relates to a technique effectively applied to an electronic component to be sealed.

【０００２】[0002]

【従来の技術】プリント配線基板等の実装基板上に実装
される電子部品として、例えば、内部リードとして使用
されるジュメット線に外部リードとして使用されるＣＰ
線が接続(接合)された２本のスラグリードを使用し、こ
の２本のスラグリードのジュメット線の夫々をガラス材
からなる円筒状の封止体(ガラススリーブ)の円筒内にそ
の両端側から夫々毎に挿入し、ジュメット線及び封止体
で形成されるキャビティ内に単一のダイオード素子を封
止したダイオード部品がある。この種のダイオード部品
には、封止体の円周表面上に連続した帯状のカソードマ
ークがマーキング(表面)される。また、ダイオード素子
には、酸化によるＣＰ線の劣化防止や実装時の半田に対
するぬれ性を確保する目的として、ＣＰ線の表面上に半
田が被覆される。2. Description of the Related Art As an electronic component mounted on a mounting board such as a printed wiring board, for example, a Dumet wire used as an internal lead and a CP used as an external lead.
Two slag leads to which the wires are connected (joined) are used, and the dumet wires of these two slug leads are each placed in the cylinder of a cylindrical sealing body (glass sleeve) made of glass material at both ends. There is a diode component in which a single diode element is sealed in a cavity formed by the dumet wire and the sealing body. In this type of diode component, continuous strip-shaped cathode marks are marked (on the surface) on the circumferential surface of the sealing body. In addition, in the diode element, solder is coated on the surface of the CP wire for the purpose of preventing deterioration of the CP wire due to oxidation and ensuring wettability with respect to solder during mounting.

【０００３】以下、前記ダイオード部品の組立プロセス
について簡単に説明する。The process of assembling the diode component will be briefly described below.

【０００４】まず、ダイオード素子、ジュメット線(内
部リード)、ＣＰ線(外部リード)及び封止体(ガラススリ
ーブ)等の組立部品を準備する。First, assembling parts such as a diode element, a dumet wire (internal lead), a CP wire (external lead), and a sealing body (glass sleeve) are prepared.

【０００５】次に、前記ジュメット線の一端側にＣＰ線
の一端側を抵抗溶接により接合してスラグリードを形成
する。前記ジュメット線、ＣＰ線の夫々は、例えばＦｅ
Ｎｉ合金からなる芯線にＣｕ膜を被覆した２層構造で構
成される。Next, one end of the CP wire is joined to one end of the Dumet wire by resistance welding to form a slag lead. Each of the Dumet wire and the CP wire is Fe, for example.
It has a two-layer structure in which a core wire made of a Ni alloy is coated with a Cu film.

【０００６】次に、前記スラグリードを２本使用して、
この２本のスラグリードのジュメット線の夫々を前記円
筒状の封止体の円筒内にその両端側から夫々毎に挿入
し、一方のジュメットの他端側に前記ダイオード素子の
アノード側、他方のジュメット線の他端側に前記ダイオ
ード素子のカソード側の夫々を電気的に接続する。この
後、熱処理を施し、前記２つのジュメット線の夫々を前
記封止体に溶着し、ジュメット線及びダイオード素子を
封止体で封止する。Next, using the two slag leads,
The dumet wires of the two slag leads are respectively inserted into the cylinder of the cylindrical sealing body from both ends thereof, and the other end of one dumet is connected to the anode side of the diode element and the other end thereof. The cathode side of the diode element is electrically connected to the other end of the dumet wire. Then, heat treatment is performed to weld each of the two dumet wires to the sealing body, and the dumet wire and the diode element are sealed with the sealing body.

【０００７】次に、半田浸漬法に基づき半田ディプ処理
を施して、前記２本のＣＰ線の表面上に半田を被覆す
る。この半田としては、例えばＰｂ−Ｓｎ系合金（例え
ば７５［重量％］Ｐｂ−２５［重量％］Ｓｎ）が使用さ
れる。Next, a solder dip treatment is applied based on the solder dipping method to coat the surfaces of the two CP wires with solder. As the solder, for example, a Pb-Sn based alloy (for example, 75 [wt%] Pb-25 [wt%] Sn) is used.

【０００８】次に、前記２本のＣＰ線の他端側の夫々を
マーキング装置のリードガイドに回転自在に支持し、円
筒状の封止体を回転させながら該円筒状の封止体の円周
表面上に連続した帯状のカソードマークをマーキングす
る。これにより、ダイオード部品がほぼ完成する。Next, each of the other ends of the two CP wires is rotatably supported by the lead guide of the marking device, and while the cylindrical sealing body is rotated, the circle of the cylindrical sealing body is rotated. Mark a continuous strip of cathode marks on the circumferential surface. As a result, the diode component is almost completed.

【０００９】次に、前記ダイオード部品の電気的特性を
測定し、選別を行う。この後、連続した粘着テープにダ
イオード部品を固定し、製品出荷する。Next, the electrical characteristics of the diode parts are measured and selected. After that, the diode parts are fixed to the continuous adhesive tape, and the product is shipped.

【００１０】このように構成されるダイオード部品は、
プリント配線基板等の実装基板上に実装され、半田で電
気的かつ機械的に接続される。この実装時の半田として
は、例えばＰｂ−Ｓｎ系合金(例えば６０［重量％］Ｐ
ｂ−４０［重量％］Ｓｎ)が使用される。The diode component thus constructed is
It is mounted on a mounting board such as a printed wiring board and electrically and mechanically connected by soldering. As the solder at the time of mounting, for example, a Pb-Sn alloy (for example, 60 [wt%] P
b-40 [wt%] Sn) is used.

【００１１】[0011]

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述のダ
イオード部品(電子部品)について検討した結果、以下の
問題点を見出した。As a result of examining the above-mentioned diode component (electronic component), the present inventor has found the following problems.

【００１２】前記ダイオード部品の組立プロセスのマー
キング工程において、ダイオード部品の外部リードとし
て使用されるＣＰ線の表面上に被覆された半田がリード
ガイドとＣＰ線との回転摩擦により摩耗し、リードガイ
ドに半田粕が付着する。このため、円筒状の封止体が円
滑に回転しなくなり、この封止体の円周表面上にマーキ
ングされるカソードマークのマーキング処理不良が増大
するという問題があった。In the marking step of the diode component assembling process, the solder coated on the surface of the CP wire used as the external lead of the diode component is abraded by the rotating friction between the lead guide and the CP wire, and the lead guide is damaged. Solder residue adheres. Therefore, there is a problem in that the cylindrical sealing body does not rotate smoothly, and defective marking treatment of the cathode mark to be marked on the circumferential surface of the sealing body increases.

【００１３】また、前記ダイオード部品のＣＰ線の表面
上に被覆される半田は、封止工程後の半田ディップ工程
において形成される。この半田ディップ工程は、ダイオ
ード部品の組立プロセスでの処理時間に占める割合が大
きい。このため、半田ディップ工程に相当する分、ダイ
オード部品の組立プロセスの処理時間が増大するという
問題があった。The solder coated on the surface of the CP line of the diode component is formed in the solder dipping step after the sealing step. This solder dipping process occupies a large proportion of the processing time in the diode component assembly process. Therefore, there is a problem that the processing time of the process of assembling the diode component is increased by the amount corresponding to the solder dipping process.

【００１４】本発明の目的は、電子部品において、実装
時の半田に対するぬれ性を確保し、マーキング時のマー
キング処理不良を低減することが可能な技術を提供する
ことにある。An object of the present invention is to provide a technique capable of ensuring wettability with respect to solder during mounting in an electronic component and reducing defective marking processing during marking.

【００１５】また、本発明の他の目的は、電子部品の組
立プロセスの処理時間を短縮することが可能な技術を提
供することにある。Another object of the present invention is to provide a technique capable of shortening the processing time of the electronic component assembling process.

【００１６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【００１７】[0017]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.

【００１８】（１）外部リードが接続された内部リード
を円筒状の封止体に挿入し、この内部リード及び封止体
で形成されるキャビティ内に単一の受動素子を封止する
電子部品の形成方法において、下記の工程(イ)乃至(ハ)
を備える。(1) An electronic component in which an inner lead to which an outer lead is connected is inserted into a cylindrical sealing body, and a single passive element is sealed in a cavity formed by the inner lead and the sealing body. In the method of forming, the following steps (a) to (c)
Equipped with.

【００１９】(イ)前記単一の受動素子、円筒状の封止体
及び内部リードの複数個の部品を準備すると共に、円周
表面上に半田に対してぬれ性を有しかつ半田に比べて硬
質である金属メッキ層を形成した外部リードを前記複数
個の部品に対して独立にかつ並列に準備する工程、(ロ)
前記複数個の部品のうち、内部リードの一端側と外部リ
ードの一端側とを溶接により接合し、前記内部リードの
他端側に前記受動素子を電気的に接続すると共に、前記
内部リード及び受動素子を前記円筒状の封止体で封止す
る工程、(ハ)前記外部リードの他端側をマーキング装置
のリードガイドに回転自在に支持し、前記円筒状の封止
体を回転させながら該円筒状の封止体の円周表面上にマ
ーキングを施す工程。(A) A plurality of parts including the single passive element, the cylindrical encapsulant, and the inner lead are prepared, and the peripheral surface has a wettability with respect to solder and is more than solder. A step of preparing external leads with a hard metal plating layer formed independently and in parallel with respect to the plurality of parts, (b)
Of the plurality of components, one end side of the inner lead and one end side of the outer lead are joined by welding, and the passive element is electrically connected to the other end side of the inner lead, and Step of sealing the element with the cylindrical sealing body, (c) rotatably supporting the other end side of the external lead to a lead guide of a marking device, and rotating the cylindrical sealing body. A step of marking on the circumferential surface of a cylindrical sealing body.

【００２０】（２）前記金属メッキ層は、Ｎｉ膜若しく
はＣｒ膜で形成される。(2) The metal plating layer is formed of a Ni film or a Cr film.

【００２１】[0021]

【作用】上述した手段によれば、電子部品の外部リード
の円周表面上に半田に変えて硬質の金属メッキ層を形成
したので、実装時の半田に対するぬれ性を確保でき、し
かもマーキング処理において、リードガイドと外部リー
ドとの回転摩擦による金属メッキ層の耐摩耗性を向上で
きる。この結果、リードガイドに半田粕が付着すること
を根本的に除去し、封止体の回転を円滑にできるので、
電子部品のマーキング処理不良を低減できる。According to the above-mentioned means, since the hard metal plating layer is formed on the circumferential surface of the external lead of the electronic component instead of the solder, the wettability to the solder at the time of mounting can be ensured and the marking process can be performed. The wear resistance of the metal plating layer due to the rotational friction between the lead guide and the external lead can be improved. As a result, it is possible to fundamentally remove the adhesion of the solder meal to the lead guide, and to smoothly rotate the sealing body.
It is possible to reduce defective marking processing of electronic parts.

【００２２】また、封止工程前に外部リードの円周表面
上に金属メッキ層を形成したので、封止工程後であって
マーキング工程前の半田ディップ工程を廃止でき、この
半田ディップ工程に相当する分、電子部品の組立プロセ
スの処理時間を短縮できる。Further, since the metal plating layer is formed on the circumferential surface of the external lead before the sealing step, the solder dipping step after the sealing step and before the marking step can be eliminated, which corresponds to this solder dipping step. As a result, the processing time of the electronic component assembly process can be shortened.

【００２３】また、円周表面上に金属メッキ層を形成し
た外部リードを、単一の受動素子、円筒状の封止体及び
内部リード等の部品に対して独立にかつ並列に準備する
ので、更に電子部品の組立プロセスの処理時間を短縮で
きる。Further, since the external leads having the metal plating layer formed on the circumferential surface are prepared independently and in parallel with respect to the components such as the single passive element, the cylindrical sealing body and the internal leads, Furthermore, the processing time of the electronic component assembly process can be shortened.

【００２４】以下、本発明の構成について、ダイオード
部品(電子部品)に本発明を適用した本発明の一実施例と
ともに説明する。The structure of the present invention will be described below with reference to an embodiment of the present invention in which the present invention is applied to a diode component (electronic component).

【００２５】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。In all the drawings for explaining the embodiments, those having the same function are designated by the same reference numerals, and the repeated description thereof will be omitted.

【００２６】[0026]

【実施例】本発明の一実施例であるダイオード部品の概
略構成を図１（斜視図）及び図２(要部断面図)で示す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A schematic structure of a diode component according to an embodiment of the present invention is shown in FIG. 1 (perspective view) and FIG. 2 (main part sectional view).

【００２７】図１及び図２に示すように、本発明の一実
施例であるダイオード部品（電子部品）は、内部リード
として使用されるジュメット線２Ａの一端側に外部リー
ドとして使用されるＣＰ線２Ｂの一端側が接合されたス
ラグリード２を２本使用し、この２本のスラグリード２
のジュメット線２Ａの夫々をガラス材からなる円筒状の
封止体(ガラススリーブ)１の円筒内にその両端側から夫
々毎に挿入し、この２本のジュメット線２Ａ及び封止体
１で形成されるキャビティ内に単一のダイオード素子
(受動素子)６を封止している。このダイオード部品は、
プリント配線基板等の実装基板上に実装され、半田で電
気的かつ機械的に接続される。As shown in FIGS. 1 and 2, a diode component (electronic component) according to an embodiment of the present invention has a CP wire used as an external lead on one end side of a Dumet wire 2A used as an internal lead. Two slag leads 2 joined at one end side of 2B are used.
Each of the Dumet wires 2A is inserted into the cylinder of a cylindrical sealing body (glass sleeve) 1 made of a glass material from both ends thereof, and is formed by the two Dumet wires 2A and the sealing body 1. Single diode element in cavity
(Passive element) 6 is sealed. This diode component is
It is mounted on a mounting board such as a printed wiring board and electrically and mechanically connected by soldering.

【００２８】前記単一のダイオード素子６は、主面にｐ
ｎ接合が形成された半導体ペレットで構成される。前記
２本のジュメット線２Ａの夫々は、封止体１の円筒内の
両端側に夫々毎に溶着される。この２本のジュメット線
２Ａのうち、一方のジュメット線２Ａの他端側にはバン
プ電極７を介在してダイオード素子６のアノード側が電
気的に接続され、他方のジュメット線２Ａの他端側には
ダイオード素子６のカソード側が電気的に接続される。The single diode element 6 has a p-shaped main surface.
It is composed of a semiconductor pellet in which an n-junction is formed. Each of the two Dumet wires 2A is welded to each end of the sealing body 1 inside the cylinder. Of the two Dumet wires 2A, the anode side of the diode element 6 is electrically connected to the other end side of one Dumet wire 2A via the bump electrode 7 and the other Dumet wire 2A is connected to the other end side of the other Dumet wire 2A. Is electrically connected to the cathode side of the diode element 6.

【００２９】前記ジュメット線２Ａ、ＣＰ線２Ｂの夫々
は例えばＦｅＮｉ合金からなる芯線にＣｕ膜を被覆した
２層構造で構成される。このＣＰ線２Ｂの円周表面上に
は、実装時の半田に対してぬれ性を有し、かつ半田に比
べて硬質である金属メッキ層５が形成される。この金属
メッキ層５は例えばＮｉ膜若しくはＣｒ膜で形成され
る。前記円筒状の封止体１は、その円周表面上に連続し
た帯状のカソードマーク１Ａがマーキングされる。Each of the Dumet wire 2A and the CP wire 2B has a two-layer structure in which a core wire made of, for example, an FeNi alloy is coated with a Cu film. On the circumferential surface of the CP wire 2B, a metal plating layer 5 is formed which has wettability with respect to solder during mounting and is harder than solder. The metal plating layer 5 is formed of, for example, a Ni film or a Cr film. A continuous strip-shaped cathode mark 1A is marked on the circumferential surface of the cylindrical sealing body 1.

【００３０】次に、前記ダイオード部品の組立プロセス
について、図３（組立実装プロセスフロー図）、図４
（封止工程を説明するための概略構成図）及び図５（マ
ーキング工程を説明するための概略構成図）を用いて簡
単に説明する。Next, FIG. 3 (assembly mounting process flow chart), FIG.
(Schematic configuration diagram for explaining the sealing step) and FIG. 5 (schematic configuration diagram for explaining the marking step) will be briefly described.

【００３１】まず、単一のダイオード素子６、円筒状の
封止体(ガラススリーブ)１及びジュメット線(内部リー
ド)２Ａ等の複数個の組立部品を準備すると共に、円周
表面上に、実装時の半田に対してぬれ性を有しかつ半田
ディップ時の半田に比ベて硬質である金属メッキ層５を
形成したＣＰ線(外部リード)２Ｂを準備する〈２０〉。
このＣＰ線２Ｂは、前述の複数個の組立部品に対して独
立にかつ並列に準備される。First, a plurality of assembly parts such as a single diode element 6, a cylindrical sealing body (glass sleeve) 1 and a Dumet wire (internal lead) 2A are prepared and mounted on the circumferential surface. A CP wire (external lead) 2B having a metal plating layer 5 which has wettability with respect to the solder at that time and is harder than the solder at the time of solder dipping is prepared <20>.
The CP line 2B is prepared independently and in parallel with the above-mentioned plurality of assembly parts.

【００３２】次に、前記複数個の部品のうち、ジュメッ
ト線２Ａの一端側とＣＰ線２Ｂの一端側とを抵抗溶接に
より接合してスラグリード２を形成する。Next, of the plurality of parts, one end of the dumet wire 2A and one end of the CP wire 2B are joined by resistance welding to form the slag lead 2.

【００３３】次に、図３及び図４に示すように、前記ス
ラグリード２を２本使用して、この２本のスラグリード
２のジュメット線２Ａの夫々を円筒状の封止体１の円筒
内にその両端側から夫々毎に挿入し、一方のジュメット
線２Ａの他端側にバンプ電極７を介在してダイオード素
子６のアノード側、他方のジュメット線２Ａの他端側に
ダイオード素子６のカソード側の夫々を電気的に接続す
ると共に、ジュメット線２Ａ及びダイオード素子６を封
止体６で封止する〈２１〉。この封止工程は、熱処理を
施して２本のジュメット線２Ａの夫々を封止体１に溶着
する。Next, as shown in FIGS. 3 and 4, two slag leads 2 are used, and each of the Dumet wires 2A of the two slag leads 2 is a cylinder of a cylindrical sealing body 1. Each of them is inserted from both ends thereof, and the bump electrode 7 is interposed at the other end of the one dumet wire 2A to the anode side of the diode element 6 and at the other end of the other dumet wire 2A the diode element 6 is inserted. The cathode side is electrically connected to each other, and the dumet wire 2A and the diode element 6 are sealed with the sealing body 6 <21>. In this sealing step, heat treatment is performed to weld each of the two Dumet wires 2A to the sealing body 1.

【００３４】次に、図３及び図５に示すように、前記２
本のＣＰ線２Ａの他端側の夫々をマーキング装置１０の
リードガイド１１に回転自在に支持し、円筒状の封止体
１を回転ローラ１２で回転させながら該封止体１の円周
表面上に連続した帯状のカソードマーク１Ａマーキング
する〈２２〉。この時、ＣＰ線２Ｂの円周表面上には、
半田に変えて硬質の金属メッキ層５が形成されているの
で、リードガイド１１とＣＰ線２Ｂとの回転摩擦による
金属メッキ層５の耐摩耗性を向上できる。この結果、リ
ードガイド１１に半田粕が付着することを根本的に除去
し、円筒状の封止体１の回転を円滑にできるので、カソ
ードマーク１Ａのマーキング不良を低減できる。この工
程により、ダイオード部品がほぼ完成する。Next, as shown in FIG. 3 and FIG.
Each of the other ends of the CP wires 2A of the book is rotatably supported by the lead guide 11 of the marking device 10, and the circumferential surface of the sealing body 1 is rotated while the cylindrical sealing body 1 is rotated by the rotating roller 12. A continuous strip-shaped cathode mark 1A is marked on the top <22>. At this time, on the circumferential surface of the CP wire 2B,
Since the hard metal plating layer 5 is formed instead of the solder, the wear resistance of the metal plating layer 5 due to the rotational friction between the lead guide 11 and the CP wire 2B can be improved. As a result, the sticking of solder residue to the lead guide 11 can be fundamentally removed, and the cylindrical sealing body 1 can be rotated smoothly, so that defective marking of the cathode mark 1A can be reduced. By this process, the diode component is almost completed.

【００３５】次に、前記ダイオード部品の電気的特性を
測定し、選別を行う〈２３〉。Next, the electrical characteristics of the diode component are measured and selected <23>.

【００３６】次に、前記ダイオード部品を連続した粘着
テープに固定する〈２４〉。この後、ダイオード素子は
製品出荷される。Next, the diode component is fixed to a continuous adhesive tape <24>. After that, the diode element is shipped as a product.

【００３７】次に、前記ダイオード部品は、プリント配
線基板、セラミック基板等の実装基板上に実装され〈２
５〉、半田により電気的かつ機械的に接続される〈２
６〉。この時、ダイオード部品のＣＰ線２Ｂの円周表面
上には、半田に対してぬれ性を有する金属メッキ層５が
形成されているので、実装時のぬれ性を確保できる。Next, the diode component is mounted on a mounting board such as a printed wiring board or a ceramic board <2.
5>, electrically and mechanically connected by soldering <2
6>. At this time, since the metal plating layer 5 having wettability with respect to solder is formed on the circumferential surface of the CP line 2B of the diode component, wettability at the time of mounting can be secured.

【００３８】なお、本実施例のダイオード部品は、内部
リードとしてジュメット線２Ａ、外部リードとしてＣＰ
線２Ｂの夫々を使用しているが、内部リード、外部リー
ドの夫々を例えばＦｅ等の金属で形成してもよい。In the diode component of this embodiment, the Dumet wire 2A is used as the internal lead and the CP is used as the external lead.
Although each of the wires 2B is used, each of the inner lead and the outer lead may be formed of a metal such as Fe.

【００３９】このように、本実施例によれば、以下の効
果が得られる。As described above, according to this embodiment, the following effects can be obtained.

【００４０】ダイオード部品のＣＰ線(外部リード)２Ｂ
の円周表面上に半田に変えて硬質の金属メッキ層５を形
成したので、実装時の半田に対するぬれ性を確保でき、
しかもマーキング処理において、リードガイド１１とＣ
Ｐ線２Ｂとの回転摩擦による金属メッキ層５の耐摩耗性
を向上できる。この結果、リードガイド１１に半田粕が
付着することを根本的に除去し、封止体１の回転を円滑
にできるので、ダイオード部品のマーキング処理不良を
低減できる。CP wire (external lead) 2B for diode parts
Since the hard metal plating layer 5 is formed on the circumferential surface of the substrate instead of the solder, the wettability to the solder at the time of mounting can be secured,
Moreover, in the marking process, the lead guide 11 and C
The wear resistance of the metal plating layer 5 due to the rotational friction with the P wire 2B can be improved. As a result, the sticking of solder residue to the lead guide 11 can be fundamentally removed, and the rotation of the sealing body 1 can be made smooth, so that defective marking processing of the diode component can be reduced.

【００４１】また、封止工程〈２１〉前にＣＰ線２Ｂの
円周表面上に金属メッキ層５を形成したので、封止工程
〈２１〉後であってマーキング工程〈２２〉前の半田デ
ィップ工程を廃止でき、この半田ディップ工程に相当す
る分、ダイオード部品の組立プロセスの処理時間を短縮
できる。Since the metal plating layer 5 is formed on the circumferential surface of the CP wire 2B before the sealing step <21>, the solder dip after the sealing step <21> and before the marking step <22> is performed. The process can be eliminated, and the processing time of the diode component assembly process can be shortened by the amount corresponding to this solder dipping process.

【００４２】また、円周表面上に金属メッキ層５を形成
したＣＰ線２Ｂを単一のダイオード素子６、封止体１及
びジュメット線２Ａ等の部品の準備に対して独立にかつ
並列に準備するので、更にダイオード部品の組立プロセ
スの処理時間を短縮できる。Further, the CP wire 2B having the metal plating layer 5 formed on the circumferential surface is prepared independently and in parallel with the preparation of the components such as the single diode element 6, the sealing body 1 and the dumet wire 2A. Therefore, the processing time of the process of assembling the diode component can be further shortened.

【００４３】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。As described above, the invention made by the present inventor is
Although the specific description has been given based on the above-described embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

【００４４】例えば、本発明は、外部リードが接続され
た内部リードを円筒状の封止体に挿入し、この内部リー
ド及び封止体で形成されるキャビティ内に単一の抵抗素
子を封止する抵抗部品に適用することができる。For example, according to the present invention, an inner lead to which an outer lead is connected is inserted into a cylindrical sealing body, and a single resistance element is sealed in a cavity formed by the inner lead and the sealing body. It can be applied to resistance components.

【００４５】[0045]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【００４６】電子部品において、実装時の半田に対する
ぬれ性を確保し、マーキング時のマーキング処理不良を
低減できる。In the electronic component, the wettability with respect to the solder at the time of mounting can be secured, and the defective marking process at the time of marking can be reduced.

【００４７】また、前記電子部品の組立プロセスの処理
時間を短縮することができる。Further, the processing time of the electronic component assembling process can be shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】 本発明の一実施例であるダイオード部品の斜
視図、FIG. 1 is a perspective view of a diode component according to an embodiment of the present invention,

【図２】 前記ダイオード部品の要部断面図、FIG. 2 is a sectional view of an essential part of the diode component,

【図３】 前記ダイオード部品の組立実装フロー図、FIG. 3 is an assembly and mounting flow chart of the diode component,

【図４】 前記ダイオード部品の組立工程を説明するた
めの概略構成図、FIG. 4 is a schematic configuration diagram for explaining an assembly process of the diode component,

【図５】 前記ダイオード部品のマーキング工程を説明
するための概略構成図。FIG. 5 is a schematic configuration diagram for explaining a marking process of the diode component.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…封止体、２…スラグリード、２Ａ…ジュメット線
(内部リード)、２Ｂ…ＣＰ線(外部リード)、３…芯線、
４…Ｃｕ膜、５…金属メッキ層、１０…マーキング装
置、１１…リードガイド、１２…回転ローラ。1 ... Sealing body, 2 ... Slug lead, 2A ... Dumet wire
(Internal lead), 2B ... CP wire (external lead), 3 ... core wire,
4 ... Cu film, 5 ... Metal plating layer, 10 ... Marking device, 11 ... Lead guide, 12 ... Rotating roller.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 外部リードが接続された内部リードを円
筒状の封止体に挿入し、この内部リード及び封止体で形
成されるキャビティ内に単一の受動素子を封止する電子
部品の形成方法において、下記の工程(イ)乃至(ハ)を備
えたことを特徴とする電子部品の形成方法。 （イ）前記単一の受動素子、円筒状の封止体及び内部リ
ードの複数個の部品を準備すると共に、円周表面上に半
田に対してぬれ性を有しかつ半田に比べて硬質である金
属メッキ層を形成した外部リードを前記複数個の部品に
対して独立にかつ並列に準備する工程、 （ロ）前記複数個の部品のうち、内部リードの一端側と
外部リードの一端側とを溶接により接合し、前記内部リ
ードの他端側に前記受動素子を電気的に接続すると共
に、前記内部リード及び受動素子を前記円筒状の封止体
で封止する工程、 （ハ）前記外部リードの他端側をマーキング装置のリー
ドガイドに回転自在に支持し、前記円筒状の封止体を回
転させながら該円筒状の封止体の円周表面上にマーキン
グを施す工程。1. An electronic component in which an inner lead to which an outer lead is connected is inserted into a cylindrical encapsulant, and a single passive element is encapsulated in a cavity formed by the inner lead and the encapsulant. A method for forming an electronic component, which comprises the following steps (a) to (c) in the forming method. (A) Prepare a plurality of parts such as the single passive element, the cylindrical encapsulant, and the inner lead, and have wettability to solder on the circumferential surface and be harder than solder. A step of preparing external leads having a certain metal plating layer independently and in parallel with the plurality of parts, (b) one end side of the inner lead and one end side of the outer lead among the plurality of parts Joining by welding, electrically connecting the passive element to the other end side of the inner lead, and sealing the inner lead and the passive element with the cylindrical sealing body, (c) the external A step of rotatably supporting the other end side of the lead on a lead guide of a marking device and marking the circumferential surface of the cylindrical sealing body while rotating the cylindrical sealing body. 【請求項２】 前記金属メッキ層は、Ｎｉ膜若しくはＣ
ｒ膜で形成されることを特徴とする請求項１に記載の電
子部品の形成方法。2. The metal plating layer is a Ni film or C
The electronic component forming method according to claim 1, wherein the electronic component is formed of an r film.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7372159B2 (en) 2003-03-31 2008-05-13 Renesas Technology Corp. Semiconductor device

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