JPH06109934A - 半導体光導波路 - Google Patents
半導体光導波路Info
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- JPH06109934A JPH06109934A JP64591A JP64591A JPH06109934A JP H06109934 A JPH06109934 A JP H06109934A JP 64591 A JP64591 A JP 64591A JP 64591 A JP64591 A JP 64591A JP H06109934 A JPH06109934 A JP H06109934A
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- optical waveguide
- semiconductor optical
- inp
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体光導波路のリブ高さを容易に精度よく
実現する。 【構成】 ＧａＡｓ基板１上に、ＡｌＧａＡｓ第１クラ
ッド層２、ＧａＡｓガイド層３、ＡｌＧａＡｓ第２クラ
ッド層４、ＧａＩｎＰエッチングストッパー層５、Ａｌ
ＧａＡｓ第３クラッド層６を順次積層する。第３クラッ
ド層６及びエッチングストッパー層５の一部をエッチン
グしてリブ型光導波路が形成された構成となっている。
クラッド層４と６の間に、エッチングストッパー層５を
挿入している構造のため、リブ高さが精度よく形成で
き、特性の良い光導波路が均一良く得られる。
実現する。 【構成】 ＧａＡｓ基板１上に、ＡｌＧａＡｓ第１クラ
ッド層２、ＧａＡｓガイド層３、ＡｌＧａＡｓ第２クラ
ッド層４、ＧａＩｎＰエッチングストッパー層５、Ａｌ
ＧａＡｓ第３クラッド層６を順次積層する。第３クラッ
ド層６及びエッチングストッパー層５の一部をエッチン
グしてリブ型光導波路が形成された構成となっている。
クラッド層４と６の間に、エッチングストッパー層５を
挿入している構造のため、リブ高さが精度よく形成で
き、特性の良い光導波路が均一良く得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体光導波路の構造
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】光エレク
トロニクスの進歩とともに、半導体光デバイスの集積化
の研究開発が近年盛んに進められている。半導体光集積
回路の重要なコンポーネントの一つである半導体光導波
路は、半導体電子デバイスで培われた微細加工技術を応
用することによって半導体基板上に実現でき、同一基板
上の半導体光マトリクススイッチの各スイッチ間や、半
導体光機能素子間の接続（例えば、光源とスイッチやア
ンプなどとの接続）に用いられる。このような半導体光
導波路構造としては、リブ型導波路が竹内らによってエ
レクトロニクス・レターズ第２２巻１２４３頁（ＥＬＥ
ＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ Ｖｏｌ．２２
ｐ．１２４３）に報告されており、ここでは、反応性イ
オンビームエッチング法（ＲＩＢＥ法）によってある程
度の精度でリブ高さを制御している。
トロニクスの進歩とともに、半導体光デバイスの集積化
の研究開発が近年盛んに進められている。半導体光集積
回路の重要なコンポーネントの一つである半導体光導波
路は、半導体電子デバイスで培われた微細加工技術を応
用することによって半導体基板上に実現でき、同一基板
上の半導体光マトリクススイッチの各スイッチ間や、半
導体光機能素子間の接続（例えば、光源とスイッチやア
ンプなどとの接続）に用いられる。このような半導体光
導波路構造としては、リブ型導波路が竹内らによってエ
レクトロニクス・レターズ第２２巻１２４３頁（ＥＬＥ
ＣＴＲＯＮＩＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ Ｖｏｌ．２２
ｐ．１２４３）に報告されており、ここでは、反応性イ
オンビームエッチング法（ＲＩＢＥ法）によってある程
度の精度でリブ高さを制御している。
【０００３】ところで、リブ型導波路のリブ高さは、光
導波路の光の閉じ込めの強さを左右するために精度よく
実現される事が重要である。例えば、リブ型光導波路を
用いた方向性結合器型半導体光スイッチの場合、リブ高
さを±１％以内に制御しなければ、設計通りの動作は得
られない。ところが、従来の構造の半導体光導波路にお
いては、リブ高さは高々±５％の精度でしか実現でき
ず、設計通りの動作を得ることは容易ではなかった。ま
た、方向性結合器型光スイッチを多数個集積するデバイ
スの場合、リブ高さの面内分布に対応して各光スイッチ
の動作電圧やクロストークが変動してしまうという問題
もあった。本発明の目的はリブ高さを精度よく実現し、
優れた特性の光導波路を歩留り良く、均一性良く提供す
ることにある。
導波路の光の閉じ込めの強さを左右するために精度よく
実現される事が重要である。例えば、リブ型光導波路を
用いた方向性結合器型半導体光スイッチの場合、リブ高
さを±１％以内に制御しなければ、設計通りの動作は得
られない。ところが、従来の構造の半導体光導波路にお
いては、リブ高さは高々±５％の精度でしか実現でき
ず、設計通りの動作を得ることは容易ではなかった。ま
た、方向性結合器型光スイッチを多数個集積するデバイ
スの場合、リブ高さの面内分布に対応して各光スイッチ
の動作電圧やクロストークが変動してしまうという問題
もあった。本発明の目的はリブ高さを精度よく実現し、
優れた特性の光導波路を歩留り良く、均一性良く提供す
ることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明による半導体光導波路は、半導体基板上
に、ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層、ＧａＡｓガイド層、
ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層、ＧａＩｎＡｓＰまたはＧ
ａＩｎＰエッチングストッパー層、ＡｌＧａＡｓ第３ク
ラッド層が順次積層されており、前記ＡｌＧａＡｓ第３
クラッド層及びＧａＩｎＡｓＰまたはＧａＩｎＰエッチ
ングストッパー層の一部がエッチングにより除去されて
リブ型導波路が形成されていることを特徴とする。
めに、本発明による半導体光導波路は、半導体基板上
に、ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層、ＧａＡｓガイド層、
ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層、ＧａＩｎＡｓＰまたはＧ
ａＩｎＰエッチングストッパー層、ＡｌＧａＡｓ第３ク
ラッド層が順次積層されており、前記ＡｌＧａＡｓ第３
クラッド層及びＧａＩｎＡｓＰまたはＧａＩｎＰエッチ
ングストッパー層の一部がエッチングにより除去されて
リブ型導波路が形成されていることを特徴とする。
【０００５】もしくは、半導体基板上に、ＩｎＰ第１ク
ラッド層、ＧａＩｎＡｓＰガイド層、ＩｎＰ第２クラッ
ド層、ＩｎＡｌＧａＡｓまたはＩｎＡｌＡｓ第３クラッ
ド層が順次積層されており、前記ＩｎＡｌＧａＡｓまた
はＩｎＡｌＡｓ第３クラッド層及びＩｎＰ第２クラッド
層の一部がエッチングにより除去されてリブ型導波路が
形成されていることを特徴とする。
ラッド層、ＧａＩｎＡｓＰガイド層、ＩｎＰ第２クラッ
ド層、ＩｎＡｌＧａＡｓまたはＩｎＡｌＡｓ第３クラッ
ド層が順次積層されており、前記ＩｎＡｌＧａＡｓまた
はＩｎＡｌＡｓ第３クラッド層及びＩｎＰ第２クラッド
層の一部がエッチングにより除去されてリブ型導波路が
形成されていることを特徴とする。
【０００６】
【作用】一般に、半導体光導波路のリブ高さは、導波路
への光の閉じ込めの強さを左右し、例えば、方向性結合
器型半導体光スイッチの場合、リブ高さをある程度精度
よく実現しなければ、設計通りの動作は得られない。従
来の半導体光導波路の構造を製作する場合は、リブ高さ
の制御はドライエッチングのエッチングレートに依存す
る。ところが、エッチングレートは装置の状態、あるい
は、ウェハの表面状態に依存し変動するため、リブ高さ
を精度よく実現することは容易ではない。
への光の閉じ込めの強さを左右し、例えば、方向性結合
器型半導体光スイッチの場合、リブ高さをある程度精度
よく実現しなければ、設計通りの動作は得られない。従
来の半導体光導波路の構造を製作する場合は、リブ高さ
の制御はドライエッチングのエッチングレートに依存す
る。ところが、エッチングレートは装置の状態、あるい
は、ウェハの表面状態に依存し変動するため、リブ高さ
を精度よく実現することは容易ではない。
【０００７】これに対して本発明の構造においては、実
現したいリブ高さ位置においてＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ
系ではＧａＩｎＡｓＰ（またはＧａＩｎＰ）ストッパー
層が挿入され、あるいは、ＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓＰ系で
は実現したいリブ高さ位置までＩｎＰ第２クラッド層が
積層された、リブ型光導波路構造になっているので、設
計通りのリブ高さが得られる。
現したいリブ高さ位置においてＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ
系ではＧａＩｎＡｓＰ（またはＧａＩｎＰ）ストッパー
層が挿入され、あるいは、ＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓＰ系で
は実現したいリブ高さ位置までＩｎＰ第２クラッド層が
積層された、リブ型光導波路構造になっているので、設
計通りのリブ高さが得られる。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。
る。
【０００９】図１は、本発明による半導体光導波路の第
１の実施例を示す断面図である。ＧａＡｓ基板１上に、
Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ第１クラッド層２、ＧａＡｓガイ
ド層３、Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ第２クラッド層４、Ａｌ
0.4 Ｇａ0.6 Ａｓに格子整合するＧａ0.46Ｉｎ0.54Ｐエ
ッチングストッパー層５、Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ第３ク
ラッド層６が順次積層され、前記Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ
第３クラッド層６及びＧａ0.48Ｉｎ0.52Ｐエッチングス
トッパー層５の一部がエッチングにより除去されて形成
されたリブ型光導波路構造となっている。
１の実施例を示す断面図である。ＧａＡｓ基板１上に、
Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ第１クラッド層２、ＧａＡｓガイ
ド層３、Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ第２クラッド層４、Ａｌ
0.4 Ｇａ0.6 Ａｓに格子整合するＧａ0.46Ｉｎ0.54Ｐエ
ッチングストッパー層５、Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ第３ク
ラッド層６が順次積層され、前記Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ
第３クラッド層６及びＧａ0.48Ｉｎ0.52Ｐエッチングス
トッパー層５の一部がエッチングにより除去されて形成
されたリブ型光導波路構造となっている。
【００１０】まず、図１に示した半導体光導波路の製造
方法について簡単に述べる。厚さ１〜２μｍのＡｌ0.4
Ｇａ0.6 Ａｓ第１クラッド層２、厚さ０．３μｍ程度の
ＧａＡｓガイド層３、厚さ０．２μｍ程度のＡｌ0.4 Ｇ
ａ0.6 Ａｓ第２クラッド層４、厚さ５０Ａ（オングスト
ローム）程度のＧａ0.46Ｉｎ0.54Ｐエッチングストッパ
ー層５、厚さ０．８μｍ程度のＡｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ第
３クラッド層６ともすべて、ガスソース分子線エピタキ
シャル成長法（ＧＳ−ＭＢＥ法）を用いて順次積層す
る。
方法について簡単に述べる。厚さ１〜２μｍのＡｌ0.4
Ｇａ0.6 Ａｓ第１クラッド層２、厚さ０．３μｍ程度の
ＧａＡｓガイド層３、厚さ０．２μｍ程度のＡｌ0.4 Ｇ
ａ0.6 Ａｓ第２クラッド層４、厚さ５０Ａ（オングスト
ローム）程度のＧａ0.46Ｉｎ0.54Ｐエッチングストッパ
ー層５、厚さ０．８μｍ程度のＡｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ第
３クラッド層６ともすべて、ガスソース分子線エピタキ
シャル成長法（ＧＳ−ＭＢＥ法）を用いて順次積層す
る。
【００１１】次に通常のフォトリソグラフィ法（ＰＲ
法）を用いて導波路形状のエッチングマスクを形成し、
その後Ｃｌ2 によるＲＩＢＥ法を用いて、Ａｌ0.4 Ｇａ
0.6 Ａｓ第３クラッド層６及びＧａ0.46Ｉｎ0.54Ｐエッ
チングストッパー層５の一部を除去し、図１に示すよう
なリブ形状に加工する。
法）を用いて導波路形状のエッチングマスクを形成し、
その後Ｃｌ2 によるＲＩＢＥ法を用いて、Ａｌ0.4 Ｇａ
0.6 Ａｓ第３クラッド層６及びＧａ0.46Ｉｎ0.54Ｐエッ
チングストッパー層５の一部を除去し、図１に示すよう
なリブ形状に加工する。
【００１２】以上が本発明の第１の実施例による半導体
光導波路の製造方法の一例であり、上述の半導体光導波
路の構造において、リブ高さが精度よく実現でき、か
つ、集積してもリブ高さの面内分布が殆ど生じない原理
を以下に説明する。
光導波路の製造方法の一例であり、上述の半導体光導波
路の構造において、リブ高さが精度よく実現でき、か
つ、集積してもリブ高さの面内分布が殆ど生じない原理
を以下に説明する。
【００１３】Ｇａ0.46Ｉｎ0.54Ｐを、Ｃｌ2 ガスを用い
たＲＩＢＥ法で加工する場合、表面にＩｎの塩化物が生
成するために、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓを加工する場合
に比べてエッチングレートは約１／２０と遅くなる。従
って、エッチングを止めたい位置にＧａ0.46Ｉｎ0.54Ｐ
を積層しておけばＧａ0.46Ｉｎ0.54Ｐの面がでてきたと
きに、エッチングレートが極端に遅くなる。本実施例に
おいては、±５％以内の精度でリブ高さを実現できるＲ
ＩＢＥ法を用いている上に、エッチングを止めたい位置
に５０Ａ程度Ｇａ0.46Ｉｎ0.54Ｐエッチングストップ層
５が積層されているので、リブ高さは±０．３％以内の
精度で実現でき、しかも、リブ高さの面内分布も±０．
３以内に抑えることができる。従って、リブ高さを設計
通りに実現することが容易となり、かつ、面内分布が殆
ど生じない半導体光導波路を実現することができる。さ
らに、Ｇａ0.46Ｉｎ0.54Ｐエッチングストップ層５の厚
さは高々５０Ａ程度であり、光の閉じ込めに関しては何
等影響を与えない。
たＲＩＢＥ法で加工する場合、表面にＩｎの塩化物が生
成するために、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓを加工する場合
に比べてエッチングレートは約１／２０と遅くなる。従
って、エッチングを止めたい位置にＧａ0.46Ｉｎ0.54Ｐ
を積層しておけばＧａ0.46Ｉｎ0.54Ｐの面がでてきたと
きに、エッチングレートが極端に遅くなる。本実施例に
おいては、±５％以内の精度でリブ高さを実現できるＲ
ＩＢＥ法を用いている上に、エッチングを止めたい位置
に５０Ａ程度Ｇａ0.46Ｉｎ0.54Ｐエッチングストップ層
５が積層されているので、リブ高さは±０．３％以内の
精度で実現でき、しかも、リブ高さの面内分布も±０．
３以内に抑えることができる。従って、リブ高さを設計
通りに実現することが容易となり、かつ、面内分布が殆
ど生じない半導体光導波路を実現することができる。さ
らに、Ｇａ0.46Ｉｎ0.54Ｐエッチングストップ層５の厚
さは高々５０Ａ程度であり、光の閉じ込めに関しては何
等影響を与えない。
【００１４】なお、本発明は上記の実施例に限定される
ものではない。上記の実施例では、ＧａＩｎＡｓＰエッ
チングストッパー層としてＧａ0.46Ｉｎ0.54Ｐ用いた
が、格子不整合に伴う結晶性の悪化が生じない限り他の
組成比であっても良い。また、エッチングガスとしてＣ
ｌ2 を用いて作製しているが塩素系のガスであればこれ
に限るものではなく、例えばＢＣｌ3 ガスであってもよ
い。また、エッチング方法としてＲＩＢＥ法を用いた
が、塩素系のガスを用いるエッチング方法であればよ
く、例えば反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）であ
っても良い。結晶成長法としてＧＳ−ＭＢＥ法を用いた
が、他の方法でもよく、例えば有機金属気相成長法であ
ってもよい。
ものではない。上記の実施例では、ＧａＩｎＡｓＰエッ
チングストッパー層としてＧａ0.46Ｉｎ0.54Ｐ用いた
が、格子不整合に伴う結晶性の悪化が生じない限り他の
組成比であっても良い。また、エッチングガスとしてＣ
ｌ2 を用いて作製しているが塩素系のガスであればこれ
に限るものではなく、例えばＢＣｌ3 ガスであってもよ
い。また、エッチング方法としてＲＩＢＥ法を用いた
が、塩素系のガスを用いるエッチング方法であればよ
く、例えば反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）であ
っても良い。結晶成長法としてＧＳ−ＭＢＥ法を用いた
が、他の方法でもよく、例えば有機金属気相成長法であ
ってもよい。
【００１５】次に、図面を参照して、本発明の第２の実
施例を説明する。図２は本発明による半導体光導波路の
第２の実施例を示す断面図である。ＩｎＰ基板１１上
に、ＩｎＰ第１クラッド層１２、Ｇａ0.25Ｉｎ0.75Ａｓ
0.56Ｐ0.44ガイド層１３、ＩｎＰ第２クラッド層１４、
ＩｎＰに格子整合するＩｎ0.4 Ａｌ0.6 Ａｓ第３クラッ
ド層１５が順次積層され、前記Ｉｎ0.4 Ａｌ0.6 Ａｓ第
３クラッド層１５及びＩｎＰ第２クラッド層１４の一部
がエッチングにより除去されて形成されたリブ型光導波
路構造となっている。
施例を説明する。図２は本発明による半導体光導波路の
第２の実施例を示す断面図である。ＩｎＰ基板１１上
に、ＩｎＰ第１クラッド層１２、Ｇａ0.25Ｉｎ0.75Ａｓ
0.56Ｐ0.44ガイド層１３、ＩｎＰ第２クラッド層１４、
ＩｎＰに格子整合するＩｎ0.4 Ａｌ0.6 Ａｓ第３クラッ
ド層１５が順次積層され、前記Ｉｎ0.4 Ａｌ0.6 Ａｓ第
３クラッド層１５及びＩｎＰ第２クラッド層１４の一部
がエッチングにより除去されて形成されたリブ型光導波
路構造となっている。
【００１６】図２に示した半導体光導波路の製造方法に
ついて簡単に述べる。厚さ１〜２μｍのＩｎＰ第１クラ
ッド層１２、厚さ０．３μｍ程度のＧａ0.25Ｉｎ0.75Ａ
ｓ0.56Ｐ0.44ガイド層１３、厚さ０．２μｍのＩｎＰ第
２クラッド層１４、厚さ１μｍのＩｎ0.4 Ａｌ0.6 Ａｓ
第３クラッド層１５ともすべて、ガスソース分子線エピ
タキシャル成長法（ＧＳ−ＭＢＥ法）用いて順次積層す
る。
ついて簡単に述べる。厚さ１〜２μｍのＩｎＰ第１クラ
ッド層１２、厚さ０．３μｍ程度のＧａ0.25Ｉｎ0.75Ａ
ｓ0.56Ｐ0.44ガイド層１３、厚さ０．２μｍのＩｎＰ第
２クラッド層１４、厚さ１μｍのＩｎ0.4 Ａｌ0.6 Ａｓ
第３クラッド層１５ともすべて、ガスソース分子線エピ
タキシャル成長法（ＧＳ−ＭＢＥ法）用いて順次積層す
る。
【００１７】以上のように結晶成長を行なった後、通常
フォトリソグラフィ法（ＰＲ法）を用いて導波路形状の
エッチングマスクを形成し、その後Ｃｌ2 によるＲＩＢ
Ｅ法を用いて、Ｉｎ0.4 Ａｌ0.6 Ａｓ第３クラッド層１
５及びＩｎＰ第２クラッド１４の一部を除去し、図２に
示すようなリブ形状に加工する。
フォトリソグラフィ法（ＰＲ法）を用いて導波路形状の
エッチングマスクを形成し、その後Ｃｌ2 によるＲＩＢ
Ｅ法を用いて、Ｉｎ0.4 Ａｌ0.6 Ａｓ第３クラッド層１
５及びＩｎＰ第２クラッド１４の一部を除去し、図２に
示すようなリブ形状に加工する。
【００１８】以上が本発明の第２の実施例による半導体
光導波路の製造方法の一例であり、上述の半導体光導波
路の構造において、リブ高さが精度よく実現でき、か
つ、集積してもリブ高さの面内分布が殆ど生じない原理
を以下に説明する。
光導波路の製造方法の一例であり、上述の半導体光導波
路の構造において、リブ高さが精度よく実現でき、か
つ、集積してもリブ高さの面内分布が殆ど生じない原理
を以下に説明する。
【００１９】第１の実施例と同様に、ＩｎＰを、Ｃｌ2
ガスを用いたＲＩＢＥ法で加工する場合、表面にＩｎの
塩化物が生成するために、Ｉｎ0.4 Ａｌ0.6 Ａｓを加工
する場合に比べてエッチングレートは約１／５と遅くな
る。従って、エッチングを止めたい位置までＩｎＰ第２
クラッド層を積層しておけばＩｎＰの面がでてきたとき
に、エッチングレートが極端に遅くなる。本実施例にお
いては、±５％以内の精度でリブ高さを実現できるＲＩ
ＢＥ法を用いている上に、エッチングを止めたい位置ま
でＩｎＰ第２クラッド層１４が積層されているので、リ
ブ高さは±１％以内の精度で実現でき、しかも、リブ高
さの面内分布も±１％以内に抑えることができる。従っ
て、リブ高さを設計通りに実現することが容易となり、
かつ、面内分布が殆ど生じない均一性の良い半導体光導
波路を実現することができる。
ガスを用いたＲＩＢＥ法で加工する場合、表面にＩｎの
塩化物が生成するために、Ｉｎ0.4 Ａｌ0.6 Ａｓを加工
する場合に比べてエッチングレートは約１／５と遅くな
る。従って、エッチングを止めたい位置までＩｎＰ第２
クラッド層を積層しておけばＩｎＰの面がでてきたとき
に、エッチングレートが極端に遅くなる。本実施例にお
いては、±５％以内の精度でリブ高さを実現できるＲＩ
ＢＥ法を用いている上に、エッチングを止めたい位置ま
でＩｎＰ第２クラッド層１４が積層されているので、リ
ブ高さは±１％以内の精度で実現でき、しかも、リブ高
さの面内分布も±１％以内に抑えることができる。従っ
て、リブ高さを設計通りに実現することが容易となり、
かつ、面内分布が殆ど生じない均一性の良い半導体光導
波路を実現することができる。
【００２０】なお、本発明は上記の実施例に限定される
ものではない。ＩｎＡｌＧａＡｓ第３クラッド層として
Ｉｎ0.4 Ａｌ0.6 Ａｓを用いたが、格子不整合に伴う結
晶性の悪化が生じず、導波構造が維持でき、かつ、エッ
チング時にＩｎＰとの選択比がとれれば他の組成比でも
良い。エッチングガスとしてＣｌ2 を用いて作製してい
るが、塩素系のガスであればこれに限るものではなく、
例えばＢＣｌ3 ガスであってもよい。また、エッチング
方法としてＲＩＢＥ法を用いたが、塩素系のガスを用い
るエッチング方法であればよく、例えば反応性イオンエ
ッチング法（ＲＩＥ法）であっても良い。結晶成長法と
してＧＳ−ＭＢＥ法を用いたが、他の方法でもよく、例
えば有機金属気相成長法であってもよい。
ものではない。ＩｎＡｌＧａＡｓ第３クラッド層として
Ｉｎ0.4 Ａｌ0.6 Ａｓを用いたが、格子不整合に伴う結
晶性の悪化が生じず、導波構造が維持でき、かつ、エッ
チング時にＩｎＰとの選択比がとれれば他の組成比でも
良い。エッチングガスとしてＣｌ2 を用いて作製してい
るが、塩素系のガスであればこれに限るものではなく、
例えばＢＣｌ3 ガスであってもよい。また、エッチング
方法としてＲＩＢＥ法を用いたが、塩素系のガスを用い
るエッチング方法であればよく、例えば反応性イオンエ
ッチング法（ＲＩＥ法）であっても良い。結晶成長法と
してＧＳ−ＭＢＥ法を用いたが、他の方法でもよく、例
えば有機金属気相成長法であってもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の光導波路で
は、設計通りのリブ高さになるようにＧａＡｓ／ＡｌＧ
ａＡｓ系ではＧａＩｎＰまたはＧａＩｎＡｓＰエッチン
グストップ層を挿入した構造であり、ＩｎＰ／ＧａＩｎ
ＡｓＰ系ではＩｎＰ第２クラッド層を積層する構造であ
るので、リブ高さを設計通りに実現することが容易とな
り、かつ、リブ高さの両面分布が殆ど生じない半導体光
導波路を実現することができる。
は、設計通りのリブ高さになるようにＧａＡｓ／ＡｌＧ
ａＡｓ系ではＧａＩｎＰまたはＧａＩｎＡｓＰエッチン
グストップ層を挿入した構造であり、ＩｎＰ／ＧａＩｎ
ＡｓＰ系ではＩｎＰ第２クラッド層を積層する構造であ
るので、リブ高さを設計通りに実現することが容易とな
り、かつ、リブ高さの両面分布が殆ど生じない半導体光
導波路を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の半導体光導波路の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の半導体光導波路の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１ ＧａＡｓ基板 ２ Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ第１クラッド層 ３ ＧａＡｓガイド層 ４ Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ第２クラッド層 ５ Ｇａ0.46Ｉｎ0.54Ｐエッチングストッパー層 ６ Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ第３クラッド層 １１ ＩｎＰ基板 １２ ＩｎＰ第１クラッド層 １３ Ｇａ0.25Ｉｎ0.75Ａｓ0.56Ｐ0.44ガイド層 １４ ＩｎＰ第２クラッド層 １５ Ｉｎ0.4 Ａｌ0.6 Ａｓ第３クラッド層
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に、ＡｌＧａＡｓ第１クラ
ッド層、ＧａＡｓガイド層、ＡｌＧａＡｓ第２クラッド
層、ＧａＩｎＡｓＰまたはＧａＩｎＰエッチングストッ
パー層、ＡｌＧａＡｓ第３クラッド層が順次積層されて
おり、前記ＡｌＧａＡｓ第３クラッド層及びＧａＩｎＡ
ｓＰまたはＧａＩｎＰエッチングストッパー層の一部が
除去されてリブ型導波路が形成されていることを特徴と
する半導体光導波路。 - 【請求項２】 半導体基板上に、ＩｎＰ第１クラッド
層、ＧａＩｎＡｓＰガイド層、ＩｎＰ第２クラッド層、
ＩｎＡｌＧａＡｓまたはＩｎＡｌＡｓ第３クラッド層が
順次積層されており、前記ＩｎＡｌＧａＡｓまたはＩｎ
ＡｌＡｓ第３クラッド層及びＩｎＰ第２クラッド層の一
部が除去されてリブ型導波路が形成されていることを特
徴とする半導体光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP64591A JPH06109934A (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | 半導体光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP64591A JPH06109934A (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | 半導体光導波路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06109934A true JPH06109934A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=11479443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP64591A Pending JPH06109934A (ja) | 1991-01-08 | 1991-01-08 | 半導体光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06109934A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2451456A (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-04 | Filtronic Compound Semiconduct | Optical waveguide comprising aluminium-phosphorus etch stop layer |
-
1991
- 1991-01-08 JP JP64591A patent/JPH06109934A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2451456A (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-04 | Filtronic Compound Semiconduct | Optical waveguide comprising aluminium-phosphorus etch stop layer |
| GB2451456B (en) * | 2007-07-31 | 2011-03-02 | Filtronic Compound Semiconductors Ltd | An optical waveguide structure and method of manufacture thereof |
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