JP2004527106A - 光学装置を製造する方法及び関係する改良 - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
本発明は光学装置を製造する方法に関し、特に、限定するものではないが、集積光学装置又は光電子装置、例えば、レーザダイオード、光変調器、光増幅器、光スイッチ、光検出器及び似たもののような半導体光電子装置を製造する方法に関する。さらに、本発明は光電子集積回路(OEIC)及び装置を含む光子集積回路(PICs)に関する。
【背景技術】
【0002】
量子井戸混合(QWI)は、一体構造の光電子集積への可能な経路を与えることとして報告されたプロセスである。QWIは、例えばガリウム-砒素(GaAs)又はインジウム-燐(InP)から成る2成分の基板上に成長する、例えばアリミニウム-ガリウム-砒素(AlGaAs)及びインジウム-ガリウム-砒素-燐(InGaAsP)などのIII―V族の半導体材料で実施される。QWIは、構成要素の合金を作るために、1つの量子井戸(QW)の複数成分の相互拡散を介しての成長したままの構造の禁制帯幅(バンド・ギャップ)及び関連する障壁を改める。その合金は、成長したままのQWの禁制帯幅よりも大きい禁制帯幅を有する。それ故、量子井戸混合(QWI)が起こらない量子井戸(QW)内で生成される如何なる光放射(光)も、1つのQWI又は光放射に対し効果的に透明である合金の“混合”領域を通過する。
【0003】
さまざまなQWI技術が文献において報告されている。例えば、QWIは、1つの量子井戸(QW)を含む半導体材料内での亜鉛のような成分の高温拡散によって実施され得る。
【0004】
また、QWIは、QW半導体材料内でのシリコンなどの成分の打ち込みによって実施され得る。そのような技術では、打ち込み成分は、高温アニール工程によってQW構造において混合を引き起こす半導体材料を介して動かされる点欠陥を、半導体材料の構造内にもたらす。
【0005】
そのようなQWI技術は、以下の文献:“低損失光導波路及び集積導波路装置の製造における中性の不純物乱雑化の適用”(“Applications of Neutral Impurity Disordering in Fabricating Low−Loss Optical Waveguides and Integrated Waveguide Devices”)、マーシュなど、光及び量子エレクトロニクス23、1991年、941−957頁、に報告されており、その内容は本願の一部として組み入れられる。
【0006】
そのような技術には以下の問題がある。すなわち、QWIは半導体材料の成長後の禁制帯幅を改める(増加させる)けれども、残留拡散物又は打ち込みドープ剤は、ドープ剤成分の自由キャリア吸収効率により大きな損失をもたらし得る。
【0007】
さらに報告された混合を与えるQWI技術は、不純物無し空隙拡散(IFVD)である。IFVDを実施した場合、III―V族の半導体構造の最上部キャップ層は、典型的にはガリウム-砒素(GaAs)又はインジウム-ガリウム-砒素(InGaAs)である。シリコン(SiO2)膜がその最上部層上に堆積される。半導体材料の引き続く急激な熱アニールは、キャップ層内に空隙を残すように、半導体合金及びシリカ(SiO2)の影響を受けやすいガリウムのイオン又は原子内で結合を破壊し、シリカに分解することを引き起こす。その後、空隙は、例えばQW構造内で、層混合を引き起こす半導体材料を介して拡散する。
【0008】
IFVDは、以下の文献:“GaAs-AlGaAs量子閉じ込めヘテロ構造での組成相互混合の動力学のための量に関するモデル”(“Quantitative Model for the Kinetics of Compositional Intermixing in GaAs-AlGaAs Quantum−Confined Heterostructures”)、ヘルミーなどによる、量子エレクトロニクスでの選択されたトピックのIEEEジャーナル、第4巻、第4、1998年の7月/8月、653−660頁、に報告され、それの内容はここに参照によって組み入れられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
前述の従来技術の不利益又は問題の少なくとも1つを除去するか又は少なくとも軽減することが、本発明の少なくとも1つの側面の目的である。
【0010】
また、改良されたQWIプロセスを用いた光学装置を製造する改良された方法を与えることが本発明の少なくとも1つの側面の目的である。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の第1の側面によれば、装置本体部から、量子井戸(QW)構造を含む装置が作られる光学装置を製造する方法であって、少なくとも前記装置本体部の一部に広範囲の欠陥を創造するように前記装置本体部を処理する工程を有することを特徴とする、光学装置を製造する方法が与えられる。
【0012】
それぞれの広げられた欠陥は、複数の隣接する“点”欠陥を含む構造欠陥であると理解してもよい。
【0013】
好ましくは、装置本体部を処理する工程は、装置本体部上にプラズマ・エッチングを施すことを含む。好ましくかつ有益に、装置本体部にプラズマ・エッチングを施す工程は、スパッタリング装置で実施され得る。装置本体部からスパッタリングする工程において、磁界が装置本体部回りに与えられてもよい。装置本体部からスパッタリングする工程では、マグネトロン・スパッタリング装置が用いられてもよい。
【0014】
装置本体部にスパッタリングによるエッチングを施す工程は、反転した電気的バイアスが、装置本体部の事前エッチング又はクリーニングを与えるように、装置本体部が上に与えられる電極を横切って、与えられてもよい。
【0015】
本方法は、少なくとも装置本体部の他の一部に誘電体層を堆積する好ましい工程を含む。それ故、その誘電体層はその少なくとも一部を定めることにおいてマスクとして働いてもよい。本方法は、誘電体層上及び/又は装置本体部の少なくとも一部上にさらなる誘電体層を堆積する引き続き工程をさらに含む。
【0016】
有益に、誘電体層及び/又はさらなる誘電体層は、スパッタリング装置の使用により、堆積されてもよい。その他に、誘電体層及び/又はさらなる誘電体層は、スパッタリング装置の使用以外の堆積技術、例えばプラズマ強化(エンハンスト)化学気相成長法(PECVD)により、堆積されてもよい。これらの堆積技術のいずれかによって、装置本体の隣接する部分に実質的に影響しない少なくとも1つの低損傷誘電体層が与えられる。
【0017】
誘電体層及び/又は両層は、有益かつ実質的にはシリカ(SiO2)からなってもよい、又はアルミニウム酸化物(Al2O3)などの他の誘電体材料からなってもよい。
【0018】
好ましくは、スパッタリング装置は、実質的に不活性ガスで、好ましくは、水銀柱でおよそ2μmの圧力で、或いはアルゴン及び酸素の混合を、例えば、90%/10%の比率で、満たされた室を含む。
【0019】
誘電体層を堆積する工程は、本装置の製造において用いられる量子井戸混合(QWI)プロセスの一部からなってもよい。QWIプロセスは、不純物無し空隙乱雑化(IFVD)からなってもよい。
【0020】
好ましくは、誘電体層を含む装置本体部を高められた温度でアニールする引き続き工程をまた含む。
【0021】
驚くべきことであるが、IFVDのようなQWI技術で1つの工程としてプラズマ・エッチングを、好ましくはエッチング装置の利用によって、装置本体部上に実施することによって、広範囲の欠陥を誘起する損傷が装置本体部の一部上にもたらされることが見られ、少なくとも一部分は、例えば、最上部層又はキャップ層の一部から成る。損傷は、例えば急激な熱アニールによる熱エネルギーの適用などのアニールに先立ち、キャップ層での結合の破壊によって生じ、それによって、少なくとも一部分から例えばさらなる誘電体層内へのガリウムの転移が禁止されると、信じられている。
【0022】
好ましくは、本製造の方法は、又、
基板を用意する前工程と、
該基板上に
第1の光クラッド層と、
量子井戸構造を含むコアガイド層と、
第2の光クラッド層と、
を成長させる前工程と、
をさらに含む。
【0023】
第1の光クラッド層、コアガイド層及び第2の光クラッド層は、分子ビームエピタクシ(MBE)又は有機金属化学気相成長法(MOCVD)によって成長させられてもよい。
【0024】
好ましい実施形態では、本方法は、
装置本体部の表面上に誘電体層を堆積し、
誘電体層を装置本体部の少なくとも他の一部上に与えるように、誘電体層の表面上にフォトレジストでパターンを定め、フォトレジストの少なくとも一部をはく離する
工程を備えてもよい。
【0025】
好ましい実施形態では、本方法は、アニーリングに先立ち、装置本体部の表面の一部上及び誘電体層の表面上に、さらなる誘電体層を堆積する工程をまた含んでもよい。
【0026】
好ましい実施形態では、誘電体層は混合キャップからなってもよく、一方、装置本体部の少なくとも一部及び/又はさらなる誘電体層は混合抑制キャップからなってもよい。(両)誘電体層の厚みは10nmと1000nmとの間にあってもよい。より好ましくは、両誘電体層の厚みは200nmと300nmとの間にあってもよい。
【0027】
後続のアニールする工程は、700℃と1000℃との間、より好ましくは700℃と1000℃との間の温度で0.5分と5分との間の期間、ある実施形態では実質的におよそ1分間かつ900℃で、生じてもよい。
【0028】
本発明の第2の側面によれば、装置本体部から、量子井戸(QW)構造を含む装置が作られる光学装置を製造する方法であって、前記装置本体部上にプラズマ・エッチングを実施する工程を含む。
【0029】
本発明の第3の側面によれば、本発明の第1の又は第2の側面にしたがった方法から作成される光学装置を与える。光学装置は集積光学装置又は光電子装置であってもよい。
【0030】
装置本体部は、III―V族の半導体材料系で作成されてもよい。最も好ましい実施形態では、III―V族の半導体材料系はガリウム-砒素(GaAs)に基づく系であってもよく、その系を実質的には600nmと1300nmとの間の波長で操作してもよい。その他に、好ましさで劣った実施形態では、III―V族の半導体材料系はインジウム-燐に基づく系であってもよく、その系を実質的には1200nmと1700nmとの間の波長で操作してもよい。装置本体部は、少なくとも部分的には、アルミニウム-ガリウム-砒素(AlGaAs)、インジウム-ガリウム-砒素(InGaAs)、インジウム-ガリウム-砒素-燐(AlGaAsP)、インジウム-ガリウム-アルミニウム-砒素(AlGaAlAs)及び/又はインジウム-ガリウム-アルミニウム-燐(InGaAlP)から作られる。
【0031】
装置本体部は基板を有し、該基板上に第1の光クラッド層、コアガイド層及び第2の光クラッド層が与えられてもよい。好ましくは、量子井戸(QW)構造がコアガイド層内に与えられる。コアガイド層は、成長により、第1及び第2の光クラッド層よりも小さな禁制帯幅かつ高い屈折率を有してもよい。
【0032】
本発明の第4の側面によれば、本発明の第3の側面にしたがった少なくとも1つの光学装置を含む光集積回路、光電子集積回路(OEIC)又は光子集積回路(PIC)が与えられる。
【0033】
本発明の第5の側面によれば、本発明の第1又は第2の側面にしたがった方法で使用される装置本体部(“サンプル”)が与えられる。
【0034】
本発明の第6の側面によれば、本発明の第1又は第2の側面にしたがった方法で使用される少なくとも1つの装置本体部を含むウェハー材が与えられる。
【0035】
本発明の第7の側面によれば、本発明の第2の側面にしたがった方法で使用されるプラズマ・エッチング装置が与えられる。
【0036】
本発明の第8の側面によれば、本発明の第1又は第2の側面にしたがった方法でスパッタリング装置の使用が与えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0037】
本発明に係る実施形態が、例示としてのみによって、添付図を参照して今説明されるであろう。
【0038】
図1を最初に参照して、全体的に5で示され、成長したとき、本発明の第1の実施形態に従って光学装置の製造の方法において使用するため、装置本体部が表示される。その光学装置は集積光学装置又は光電子装置である。
【0039】
装置本体部5は、最も好ましくは、実質的に600nmと1300nmとの間での1つ以上の波長で動作するガリウム-砒素(GaAs)、又は好ましさでは劣るが、実質的に1200nmと1700nmとの間での1つ以上の波長で動作するインジウム-燐(InP)のようなIII―V族の半導体材料系で適切に製造される。装置本体部5は、少なくとも部分的には、アルミニウム-ガリウム-砒素(AlGaAs)、インジウム-ガリウム-砒素(InGaAs)、インジウム-ガリウム-砒素-燐(InGaAsP)、インジウム-アルミニウム-ガリウム-砒素(InAlGaAs)及び/又はインジウム-ガリウム-アルミニウム-燐(InGaAlP)から作られてもよい。この説明される第1の実施形態では、装置本体部5はAlGaAsから作られる。
【0040】
装置本体部5は、ウェハー処理後、ウェハーの劈開面に沿ってウェハーから切り出され得る複数の他の光学装置と共に、1つの半導体ウェハーの部分を形作る。装置本体部5は基板10を備え、基板10上に、第1の光クラッド層15、コアガイド層20及び第2の光クラッド層25が与えられる。少なくとも1つの量子井戸を含む量子井戸(QW)構造30が、成長したとき、コアガイド層20内に与えられる。第2の光クラッド層25上にはキャップ層35が与えられる。
【0041】
認識されるであろうように、コアガイド層20は、成長したとき、第1及び第2の光クラッド層15、25よりも小さな禁制帯幅(バンド・ギャップ)及び大きな屈折率を有する。
【0042】
特に、ここで述べられる処理は、1450から1550nmで放射するInGaAs−InAlGaAs−InP材料と共に使用することに対して最適化され、構造は以下の表に定められる。
【0043】
【表1−1】
【0044】
上記のパラメータは、好ましい厚み及び好ましい厚み範囲のMOVPE成長材料を参照する。InGaAs−InGaAsP−InP材料で、コアガイド層20のInAlGaAsは禁制帯幅などが似た性質であるInGaAsPで置き換えられる。MBE成長材料に対しては、p型ドープ剤は、他のパラメータが同じ値を維持できつつ、Beになる。
【0045】
図2を参照して、詳細に後述されるであろう方法によって、図1の装置本体部5から製造され、全体的に40で示される、光学装置が表示される。図2から分かるように、装置40は活性領域45と受動領域50とを備える。この実施形態では、活性領域45は1つの量子井戸(QW)増幅部を備える。しかしながら、活性領域45は、他の実施形態では、レーザ、変調器、スイッチ、検出器又は能動(電気的に制御される)光学装置を備えてもよいことは理解されるべきである。さらに、受動領域50は、以降非常に詳細に説明されるように、量子井戸構造部30が量子井戸混合(QWI)技術によって少なくとも部分的に除去された低損失導波路を備える。
【0046】
装置40は、コア層20の活性領域45および受動領域50の導波領域間で優れた整列性を有し、活性領域45と受動領域50との間で実質的に無視できる(約10-6程度の)反射率を有する。さらに、領域45と受動領域50との間でのモード釣り合いは装置40に本来備わっている。
【0047】
典型的には、基板10はn型で第1の濃度にドープされ、第1のクラッド層15はn型で第2の濃度にドープされる。さらに、コア層20は典型的には実質的に真性であり、第2のクラッド層25はp型で第3の濃度にドープされる。さらに、キャップ層(又は接触層)35はp型で第4の濃度にドープされる。キャップ層35及び第2のクラッド層25は峰部(図示せず)を作るようにエッチングされることはこの技術に熟練した者たちによって認識されるであろう。峰部は、活性領域45及び受動領域50の両方内であるコア層20内で、光モードを閉じ込めるために、光導波路として働く。さらに、従来技術で知られるように、接触被覆金属(図示せず)が光学上活性領域45内で峰部の上部表面の少なくとも一部上に及び基板10の対抗面上に形成される。
【0048】
装置40は、1つの又はそれ以上の光装置40から成る光集積回路、光電子集積回路(OEIC)又は光子集積回路(PIC)の一部を構成する。
【0049】
さて図3を参照して、成長したときで、装置本体部5のコア層20内での量子井戸構造部30の1つの量子井戸31の禁制帯幅エネルギーの概略図を示す。図3から分かるように、AlGaAsコア層20は、取り囲むコア層20よりも低いアルミニウム含有量を有する量子井戸構造部30と共に少なくとも1つの量子井戸31を含み、量子井戸構造部30の禁制帯幅エネルギーは取り囲むAlGaAsコア層20のそれよりも小さい。量子井戸構造部30は典型的にはおよそ3〜20nm厚みであり、より典型的にはおよそ10nm厚みである。
【0050】
さて図4を参照して、コア層20の対応する部分32が示され、コア層20の対応する部分32は、図3におけるように形成されるものの、量子井戸構造部30の量子井戸31に対応する部分32の禁制帯幅エネルギー(meV)を効果的に増加させるように、量子井戸混合(QWI)される。それ故、量子井戸混合(QWI)は、コア層20から量子井戸構造部30を本質的に“えぐり取る”(“ウオッシュ・アウト”)。図4に示される部分は装置40の受動領域50に関係する。理解されるように、装置40の光学上活性領域45から送信される又は領域45内で生成される光放射は受動領域50のコア層20の量子井戸混合(QWI)領域32によって与えられる低損失導波路を通って送信される。
【0051】
さて図5(a)〜図5(g)を参照して、本発明に従って量子井戸(QW)構造部30を含む装置本体部5から光学装置40を製造する方法の第1の実施形態が描かれている。この方法は、少なくとも装置本体部5の一部上に広範囲の欠陥を創造するように、装置本体部5を処理する工程(図5(d)〜図5(e)参照)を含む。
【0052】
その製造方法は、基板10を与え、該基板10の上で、第1の光クラッド層15と、少なくとも量子井戸(QW)30を含むコアガイド層20と、第2の光クラッド層25と、キャップ層35とを成長させる工程(図5(a)参照)で始まる。
【0053】
第1の光クラッド層15、コアガイド層20、第2の光クラッド層25及びキャップ層35は、分子ビームエピタクシ(MBE)又は有機金属化学気相成長法(MOCVD)などの知られた半導体エピタキシアル成長技術によって成長させられてもよい。
【0054】
一旦、装置本体5が、通常、複数の装置本体部5を含むウェハー(図示せず)の一部として、成長すると、誘電体層51がキャップ層35の表面52上に堆積される。誘電体層51の表面54上にフォトレジスト(PR)55でもってパターンが定められる。それから、フォトレジスト55は少なくとも露出する誘電体層51の一部分56(図5(c)参照)を残すようにはく離(リフトオフ)される。
【0055】
図5(d)を参照して、それから、フォトレジスト55及び少なくとも誘電体層51の一部分56は、湿式又は乾式のエッチングなどの知られたエッチング技術によって取り除かれる。湿式エッチングの場合、弗酸(HF)を用いてもよい。
【0056】
図5(e)を参照して、少なくとも装置本体部5の一部53に広範囲の欠陥を創造するように、装置本体部5が処理される。装置本体部5を処理する工程は、非常に詳細に後述されるように、スパッタリング装置65を用いて装置本体部5上にプラズマ・エッチングを実施することを含む。この工程は“事前エッチング”と呼んでもよく、スパッタリング装置65の従来の電気バイアス電圧構成を逆にすることを含む。
【0057】
図5(f)を参照して、少なくとも装置本体部5の一部53上及び誘電体層51上にさらなる誘電体層60を堆積する。誘電体層51及び誘電体層60はスパッタリング装置65を用いて堆積される。変さら例では、誘電体層51及び/又は誘電体層60は、スパッタリング装置65の使用以外の堆積技術、例えばプラズマ強化(エンハンスト)化学気相成長法(PECVD)によって堆積されてもよい。
【0058】
簡潔に図6及び図7を参照して、誘電体層51はスパッタリングで堆積され、本実施形態では、全体的に65で示されるマグネトロン・スパッタリング装置を用いたスパッタリングで堆積される。誘電体層51は実質的にはシリカ(SiO2)を含むが、変形例ではアルミニウム酸化物(Al2O3)のような他の誘電体材料からなってもよい。
【0059】
図6から分かるように、スパッタリング装置65は使用中にアルゴンのような不活性ガスで実質的に満たされる室(チャンバー)70を含み、好ましくは、アルゴンガスは水銀柱でおよそ2μmの圧力で、室70内に与えられる。また、スパッタリング装置65は、標的電極80に及びスパッタリング装置65の基板電極85に接続されるRF源75をも備える。シリカ標的81は標的電極80上に与えられ、一方、(ウェハー82上の)装置本体部5はスパッタリング装置65の基板電極85上に与えられる。使用において、アルゴンプラズマ(図示せず)が、それぞれがシリカ標的81とアルゴンプラズマとの間及びアルゴンプラズマと装置本体部5との間に与えられる第1の及び第2の暗黒空間部(ダーク・スペース)と共に、標的電極80と基板電極85との間に生ずる。
【0060】
少なくとも装置本体部5の一部53に広範囲の欠陥を創造するように装置本体部5を処理する工程は、装置40の製造において使用される量子井戸混合(QWI)プロセスの一部を有し、QWIプロセスは、好ましい実施形態では、不純物無し空隙乱雑化(IFVD)技術から成る。驚くように分かったことであるが、スパッタリング装置65を用いる装置本体部5からのエッチングによって、損傷誘起広範囲の欠陥が装置本体部5の一部53にもたされることは明らかであり、この場合での部分53はキャップ層35の一部から成る。アニールに先立つキャップ層35内での損傷により、例えば、急激な熱アニールによる熱エネルギーの適用により、キャップ層35の一部53からさらなる誘電体層60へのガリウムの転移が禁止されると、信じられている。
【0061】
誘電体層51は、好ましくは、10と1000nmとの間の厚みであり、典型的には200又は300nmの厚みである。製造方法は、図5(f)に示されるように、アニールに先立ち、装置本体部5の表面52上及び誘電体層51の表面上にさらなる誘電体層60を堆積するさらなる工程を含む。さらなる誘電体層60は、プラズマ強化(エンハンスト)化学気相成長法(PECVD)のようなスパッタリング以外の技術で、堆積されてもよい。
【0062】
それ故、誘電体層51は混合キャップ層を含み、一方、さらなる誘電体層60は混合抑制キャップ層を含む。混合抑制キャップ層は表面52から砒素が離脱するのを防ぐために用いられる。方法は混合抑制キャップ層無しでも具合よくいくが、表面52の品質はそれほど良くないであろう。
【0063】
図5(g)に示されるように、さらなる誘電体層60の堆積に引き続き、誘電体層51及びさらなる誘電体層60を含む装置本体部は高められた温度でアニールされる。アニール段階は急激な熱アニール段階から成り、アニール温度は、およそ0.5〜5分間で、およそ700℃〜1000℃であり、より好ましくは、800℃〜1000℃である。急激な熱アニールは、ほぼ1分間で約900℃である。
【0064】
図5(g)のアニール工程の動きは、図8(a)及び図8(b)に図解で描かれている。図8(a)及び図8(b)から分かるように、アニール工程ではガリウムのキャップ層35から混合キャップ、例えば、誘電体層51への“拡散追い出し(アウト・ディフュージョン)”が引き起こされる。しかしながら、例えばさらなる誘電体層60である抑圧キャップ及び部分53下方のキャップ層35の複数部分は顕著にガリウムの“拡散追い出し”を被らない。混合キャップ、例えば、誘電体層51の領域内に横たわるキャップ層35の複数部分は、図8(b)に示すように、ガリウムのより大きな“拡散追い出し”を被る。ガリウムの“拡散追い出し”により、空隙が後に残り、ガリウムの後に、空隙はキャップ層35から第2のクラッド層25を介してコア層20内に、それ故に、量子井戸構造30へ転移し、それによって、量子井戸構造30の実効禁制帯幅が変わり、混合キャップ層下方の量子井戸構造30の量子井戸は効果的にえぐり取られる。
【0065】
例えば、誘電体層51である混合キャップは受動領域50の領域内に与えられて装置40内に形成され、一方、例えばさらなる誘電体層60である抑制キャップは装置本体部5上であって光学上活性領域45のようなエリアに与えられて装置5上に形成され、エリアは量子井戸混合(QWI)されていないことは認識されるであろう。
【0066】
一旦、装置本体部5が図5(g)の段階へ処理されアニールされると、誘電体層51及びさらなる誘電体層60は従来の方法、例えば湿式又は乾式エッチングによって取り除かれる。
【0067】
少なくとも装置本体部5の一部53に広範囲の欠陥を創造するように装置本体部5を処理する工程では、如何なるスパッタリング装置を用いてもよい。特に、図6及び図7に描かれるようなマグネトロン・スパッタリング装置65のようなマグネトロン・スパッタリング装置を使用できることは認識されるであろう。
【0068】
マグネトロン・スパッタリング装置では、電子を、それらのイオン化効果を増すように、“標的”の近くで捕まえる事が試みられている。このことは一般的に直交する電場及び磁場を用いて達成される。図9(a)に描かれる円筒状のマグネトロン、図9(b)に描かれる円形状のマグネトロン又は図9(c)に描かれる平板状のマグネトロンのような多くのマグネトロン・スパッタリング装置構成が知られている。図9(a)、図9(b)及び図9(c)のマグネトロン・スパッタリング装置65a、65b及び65cのさまざまな部品が図6及び図7のマグネトロン装置65と同じ参照整数で確認される。
【0069】
図5(b)の工程で、装置本体部5は図6及び図7のスパッタリング装置65の基板82を備え、一方、シリカ標的81はシリカ堆積が生ずる標的であることは認識されるであろう。このことは、また、図5(f)のさらなる絶縁体層60の堆積工程における場合である。しかしながら、図5(e)の工程で、バイアス電圧は反転され、ウェハー82は事実上スパッタリングが生ずるスパッタリング標的になる。このいわゆる“事前エッチング”段階は、装置本体部5の一部53に広範囲の欠陥を創造すると思われる。図5(e)と図5(f)との工程間でバイアス電圧は再度反転される。
【実施例】
【0070】
さて、本発明に従って光電子装置を製造する方法において、ガリウム-燐(GaP)基板上に成長するアルミニウム-ガリウム-砒素(AlGaAs)のようなアルミニウム合金で、IFVDを用いて得られる典型的な禁制帯幅の変移を例証する実施例が続く。
【0071】
スパッタリング室(チャンバー)70は以下のように構成される。標的電極と基板電極との間に70mm〜100mmの程度の板分離が与えられ、好ましくは70mmである。電極は4〜8インチの円板(好ましくは8インチ)で構成される。本システムで用いられる気体は、典型的にはアルゴンであるが、他の気体を用いてもよい。また、誘電体薄膜堆積を実行するとき化学量論を改善するために、少量の酸素がプラズマに与えられる(堆積でおよそ10%)。プロセスのために用いられる誘電体は典型的にはSiO2であるが、Al2O3などの他も使用できる。事前エッチング及びシリカ堆積のために室70内で用いられる圧力は水銀柱でおよそ2μmである。
【0072】
以下の表は、サンプルに対し、スパッタリングされたシリカをそれらの上に200nmだけ堆積された結果得られる変移をざっと示す。1つのサンプルには500Wの出力レベルで5分間の事前エッチングがなされた。変移を詳しく述べる表での数字は1分間、900℃でのアニールに対するものである。
【0073】
【表1−2】
【0074】
表1−2は、シリカSiO2で蓋(キャップ)をする前に、装置本体部にスパッタリングでのエッチングを実行することを示している。
【0075】
1つの禁制帯幅以上を生み出すようにウェハーを処理するために、1つの薄膜のスパッタリングされた又はPECVDのシリカがウェハー上に堆積される。次いで、フォトリソグラフィー技術がスパッタリングされたシリカ上部にパターンを描くために用いられ、次いで湿式又は乾式のエッチングがパターンをスパッタリングされたシリカ内に転写するために用いられる。
【0076】
次いで、サンプルは事前エッチング及び引き続くさらなるスパッタリングされるシリカの堆積のためにスパッタリング装置(リグ)内に置かれる。
【0077】
急激な熱アニールが適切な温度(700℃〜1000℃、より好ましくは800℃〜1000℃)及び要求される時間(0.5〜5分間)で実施される。このことは、マグネトロン・シリカでの表面で点欠陥が生成されるのを可能にし、構造部を通って拡散し、成分間の拡散を引き起こす。
【0078】
以前に述べられた発明の実施形態が例示のみによって与えられ、どのようであろうが本発明の範囲を制限することを意味しないことは、認識されるであろう。
【0079】
スパッタリングされるシリカは、GaAs/AlGaAs材料でおよそ980nmでIFVDプロセスを実行するのに適することは信じられることであると特に理解されるべきである。さらに、スパッタリングによる事前エッチングと他のシリカ層を堆積するスパッタリングとの組み合わせを用いて、効果的なQWI抑制層を与える。
【0080】
事前エッチングの利用により、エピタクシウェハーのキャップ層(最上部層)内に高いレベルでの損傷及び広範囲の欠陥の発生を引き起こす。これらの広範囲の欠陥は効果的に点欠陥を捕らえ、それらが量子井戸へ拡散するのを止め、すなわち、量子井戸の混合を効果的に止める。損傷は、サンプル表面にイオンを打ち込むことから生ずる。
【0081】
プロセスのために用いられたスパッタリング配置では、基板はシステムの陽極(アノード)又は陰極(カソード)から他方へ切り替えられる。当初、サンプルが置かれる電極(“基板電極”)は陰性にされ、プラズマでの陽性のイオンが電極の表面へ加速され、高い程度の損傷をキャップ層に引き起こす(例えば、広範囲の欠陥)。
【0082】
さらに、全プロセスのために同じタイプのシリカを効果的に用いることにより、誘電体キャップ付きのIFVDの問題、すなわちプロセスの係数の拡大のミスマッチを巧みに回避することは認識されるであろう。このことにより、アニール後の材料の性質を高い品質に維持することができる。
【0083】
本発明による光学装置は、峰又は埋め込まれたヘテロ構造のような導波路又は他の適切な導波路を含んでもよいことはさらに認識されるであろう。
【0084】
また、量子井戸混合(QWI)された領域は光学上能動装置から構成されてもよいことは認識されるであろう。
【0085】
さらに、いくつかのRFパワー値を用いることを含む一連の処理がいくつかの異なったQWI禁制帯幅付きの装置を与えるために用いられてもよいことは認識できるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0086】
【図1】本発明の一実施例に係る光学装置の製造方法で使用のための、成長したときの装置本体部の側面図である。
【図2】図1の装置本体部から製造される本発明の一実施例に係る光学装置の側面図である。
【図3】図1の装置本体部の、量子井戸を含むコア層を備える部分の禁制帯幅のエネルギー概略図である。
【図4】量子井戸混合された(QWI)ときの、図2の光学装置の対応する一部分の禁制帯幅のエネルギーの図3と類似の概略図である。
【図5】図5(a)〜図5(g)は、図2の光学装置の製造方法の種々の工程間での装置本体部の一連の概略側面図である。
【図6】図5(a)〜図5(g)の製造方法において使用するために適したマグネトロン・スパッタリング装置の単純化した概略図である。
【図7】図6のマグネトロン・スパッタリング装置のより詳細な概略図である。
【図8】図8(a)乃び図5(b)は、図5(g)に示されるアニール工程前後での図5(a)〜図5(g)の装置本体部のより詳細な概略側面図である。
【図9】図6(a)〜図5(c)は、図6のマグネトロン・スパッタリング装置のさまざまな可能な構成の概略図である。
Claims (38)
- 装置本体部から量子井戸(QW)構造を含む装置が作られる光学装置を製造する方法であって、少なくとも前記装置本体部の一部に広範囲の欠陥を創造するように前記装置本体部を処理する工程を有することを特徴とする、光学装置を製造する方法。
- 前記装置本体部を処理する前記工程は、前記装置本体部上にプラズマ・エッチングを施すことを含む請求項1に記載の方法。
- 前記装置本体部にプラズマ・エッチングを施す前記工程は、前記装置本体部にスパッタリングによるエッチングを施すことを含む請求項2に記載の方法。
- スパッタリングによるエッチングを施す前記工程は、マグネトロン・スパッタリング装置を用いることを含む請求項3に記載の方法。
- 前記装置本体部にスパッタリングによるエッチングを施す前記工程は、前記装置本体部の事前エッチングを与えるように、前記装置本体部が上に与えられる電極を横切って、反転した電気的バイアスを印加することを含む、請求項3又は4に記載の方法。
- 少なくとも前記装置本体部の他の一部に誘電体層を堆積する前工程を含み、これにより、その誘電体層はその少なくとも一部を定めることにおいてマスクとして働き得ることを特徴とする、先行する請求項のいずれか1つに記載の方法。
- 前記誘電体層上及び/又は前記装置本体部の少なくとも前記一部上にさらなる誘電体層を堆積する後続の工程をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記誘電体層及び/又は前記さらなる誘電体層は、スパッタリング装置の使用により堆積されることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記誘電体層及び/又は前記さらなる誘電体層は、スパッタリング装置の使用以外の堆積技術により、堆積されることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記誘電体層及び/又は前記さらなる誘電体層は、実質的にはシリカ又はアルミニウム酸化物を含むことを特徴とする請求項7〜9のいずれか1つに記載の方法。
- 前記スパッタリング装置は、実質的に不活性ガスで満たされた室を含むことを特徴とする請求項3〜5又は8〜10のいずれか1つに記載の方法。
- 前記誘電体層を堆積する工程は、本装置の製造において用いられる量子井戸混合(QWI)プロセスの一部を含むことを特徴とする請求項6〜10のいずれか1つに記載の方法。
- 前記QWIプロセスは、不純物無し空隙乱雑化を含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記装置本体部を高められた温度でアニールする工程をさらに含むことを特徴とする先行する請求項のいずれか1つに記載の方法。
- 基板を用意する前工程と、
該基板上に
第1の光クラッド層と、
量子井戸構造を含むコアガイド層と、
第2の光クラッド層と、
を成長させる前工程と、
をさらに含むことを特徴とする先行する請求項のいずれか1つに記載の方法。 - 前記第1の光クラッド層、前記コアガイド層及び前記第2の光クラッド層は、分子ビームエピタクシ及び有機金属化学気相成長法から選択される成長技術によって成長させられることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記装置本体部の表面上に前記誘電体層を堆積する工程と、
前記誘電体層を前記装置本体部の少なくとも他の一部上に与えるように、前記誘電体層の表面上にフォトレジストでパターンを定め、前記フォトレジストの少なくとも一部をはく離する工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項6〜10のいずれか1つに記載の方法。 - アニーリングに先立ち、前記装置本体部の表面の一部上及び前記誘電体層の表面上に、前記さらなる誘電体層を堆積する工程をさらに含むことを特徴とする請求項7〜10のいずれか1つに記載の方法。
- 前記誘電体層は混合キャップを有し、一方、前記装置本体部の少なくとも前記一部及び/又は前記さらなる誘電体層は混合抑制キャップを含むことを特徴とする請求項7〜10のいずれか1つに記載の方法。
- 前記誘電体層及び前記さらなる誘電体層の厚みは10nmと1000nmとの間にあることを特徴とする請求項7〜10のいずれか1つに記載の方法。
- 前記アニールする工程は、800℃から1000℃との間の温度で、0.5分から5分の間の時間、なされることを特徴とする請求項14に記載の方法。
- 装置本体部から量子井戸(QW)構造を含む装置が作られる光学装置を製造する方法であって、前記装置本体部上にプラズマ・エッチングを実施する工程を含むことを特徴とする、前記光学装置を製造する方法。
- 前記装置本体部上にプラズマ・エッチングを実施する工程は、スパッタリング装置を使用して実行されることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 請求項1又は請求項22の方法を用いて作成される光学装置。
- 前記光学装置は、集積光学装置又は光電子装置であることを特徴とする請求項24に記載の光学装置。
- 前記装置本体部は、III―V族の半導体材料系で作成されることを特徴とする請求項24又は25に記載の光学装置。
- 前記III―V族の半導体材料系はガリウム-砒素に基づく系であり、その系は600nmと1300nmとの間の少なくとも1つの波長で動作するように採用されることを特徴とする請求項26に記載の光学装置。
- 前記III―V族の半導体材料系はインジウム-燐に基づく系であり、その系は1200nmと1700nmとの間の少なくとも1つの波長で動作するように採用されることを特徴とする請求項26に記載の光学装置。
- 前記装置本体部は、少なくとも部分的には、アルミニウム-ガリウム-砒素、インジウム-ガリウム-砒素、インジウム-ガリウム-砒素-燐、インジウム-ガリウム-アルミニウム-砒素及びインジウム-ガリウム-アルミニウム-燐の1つ以上から作られることを特徴とする請求項26〜28のいずれか1つに記載の光学装置。
- 前記装置本体部は基板を有し、該基板上に第1の光クラッド層、コアガイド層及び第2の光クラッド層が与えられることを特徴とする請求項24〜29のいずれか1つに記載の光学装置。
- 前記量子井戸(QW)構造が前記コアガイド層内に与えられることを特徴とする請求項30に記載の光学装置。
- 請求項24〜31のいずれか1つによる少なくとも1つの光学装置を含む光集積回路、光電子集積回路(OEIC)又は光子集積回路(PIC)。
- 請求項1〜22のいずれか1つにしたがう方法で使用される装置本体部。
- 請求項1〜22のいずれか1つによる方法で使用される少なくとも1つの装置本体部を含むウェハー材。
- 前記装置本体部は、InGaAs−InAlGaAs−InP系から形成され、その系は1450nmと1550nmとの間の少なくとも1つの波長で動作するように採用されることを特徴とする請求項1〜23のいずれか1つに記載の方法。
- InPの基板と、InPの第1の光クラッド層、InAlGaAs及び/又はInGaAsPのコアガイド層、InGaAsの量子井戸、InPの第2の光クラッド層及びInGaAsのキャップの層のいずれか1つ以上を含む系により前記装置本体部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1〜23のいずれか1つに記載の方法。
- 添付図面を参照して本明細書に記述されているような光学装置を製造する方法。
- 添付図面を参照して本明細書に記述されているような光学装置。
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